專利名稱：磁帶驅(qū)動(dòng)器以及用于在磁帶上寫數(shù)據(jù)的寫模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到磁帶驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。更具體地說，本發(fā)明涉及 用于在磁帶上讀寫數(shù)據(jù)的薄膜磁帶磁頭。
背景技術(shù)：
使用磁盤驅(qū)動(dòng)器制造商所用的同樣的制造技術(shù)已經(jīng)制造出了用于磁 信息存儲(chǔ)系統(tǒng)(例如，磁帶驅(qū)動(dòng)器)的薄膜磁帶磁頭。這種結(jié)構(gòu)的一個(gè) 特征是，包含讀寫傳感器元件的薄膜層其取向垂直于磁頭的磁帶承載面(tape bearing surface, TBS )。這種磁頭可以被稱作"垂直"磁頭，因?yàn)?讀寫間隙部分位于TBS上，而元件的層結(jié)構(gòu)則離開TBS垂直延伸。在具 有多磁道記錄能力的垂直磁頭中，多個(gè)傳感器元件通常并排排列，形成 一個(gè)線性傳感器陣列，該陣列橫向于磁帶移動(dòng)的方向。陣列中的每個(gè)傳 感器元件被定位來寫或讀磁帶上的一個(gè)單獨(dú)的縱向磁道。這種配置示于 圖1中，圖中描繪了垂直磁頭"H"，它具有一個(gè)陣列的薄膜傳感器元件"E"，其間隙"G"在磁帶移動(dòng)方向"D"上沿著磁道"TR"接觸磁帶"T"。圖2說明了所述垂直磁頭"H"的示范性內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其中，傳感 器包括交替排列的讀寫元件"R"和"W"。如圖3所示，圖2中的垂直 磁頭"H"與一個(gè)互補(bǔ)的垂直磁頭"H，"聯(lián)合起來被固定在一個(gè)安裝塊"MB"上，其中，該互補(bǔ)磁頭其讀寫元件的順序顛倒過來。所得到的磁 頭組件具有沿著磁帶"T"的磁道方向?qū)R的讀/寫元件對(duì)。這種配置提 供了通常的"寫后讀"能力，其中，寫到磁帶"T"上的數(shù)據(jù)馬上凈皮讀回 來并檢查錯(cuò)誤。寫后讀能力也可以用單一的垂直磁頭來實(shí)現(xiàn)，其中垂直 磁頭具有沿磁道方向?qū)R的讀寫元件對(duì)，這些元件根據(jù)磁盤驅(qū)動(dòng)器中所 用的眾所周知的"背負(fù)式(piggyback)"配置來構(gòu)建。其它常規(guī)的垂直磁 頭設(shè)計(jì)包括這樣的磁頭，其中所有的傳感器元件"E"或者是讀元件或者
是寫元件。然后，通過將只讀磁頭鍵合到只寫磁頭上來提供沿磁道方向 對(duì)齊的讀寫元件對(duì)，從而獲得寫后讀能力。上述垂直磁頭結(jié)構(gòu)的一個(gè)不利之處是，TBS處的傳感器元件間隙必 須彼此充分地隔開，以便為凹進(jìn)在TBS后面的傳感器元件結(jié)構(gòu)的主要部 分提供空間。對(duì)于寫元件，所述凹進(jìn)結(jié)構(gòu)包括極靱和線圏繞組，這些部 分(如圖2所看到的)與TBS處的寫間隙結(jié)構(gòu)相比體積很大。對(duì)于讀元 件，所述凹進(jìn)結(jié)構(gòu)包括電引線和磁硬偏置元件(magnetic hard biasing elements)(如果有的話)。這些部分與TBS處的讀間隙結(jié)構(gòu)相比體積也 很大，盡管與寫元件相比小一些，前述間距要求使垂直磁頭的傳感器陣多。問題是，傳感器陣列之內(nèi)的間隙間距比間隙寬度大很多，使得對(duì)于 每個(gè)被該陣列讀或?qū)懙拇诺?，磁道之間的空間中沒有換能過程 (transducing)發(fā)生。這種"梳狀"效應(yīng)可以從圖2中看到，圖中顯示 了 ，對(duì)于與鄰近讀寫元件"R"和"W"對(duì)齊的每對(duì)磁道"TR",磁帶"T" 上的磁道之間存在空白區(qū)域，該區(qū)域中沒有換能過程發(fā)生。所述梳狀效應(yīng)可以這樣來解決，即在多次換能走帶期間在磁道的橫 向方向使磁頭步進(jìn)，使得磁道之間空白區(qū)域在進(jìn)行了若干次這個(gè)過程后 最終被記錄下數(shù)據(jù)。利用一種稱作"shingling (像疊瓦一樣進(jìn)行重迭)" 的過程，也可以以小于寫傳感器的間隙寬度的寬度在磁帶磁道上進(jìn)行寫 入。.根據(jù)這種技術(shù)，對(duì)于每次相繼的換能走帶，使磁頭(橫向)步進(jìn)一 段小于寫元件間隙寬度的距離，使得前面寫過的磁道的邊緣在下一次走 帶期間被覆寫，很像屋頂上的疊瓦過程。盡管前述磁道寫入技術(shù)允許數(shù)據(jù)在磁帶上被密集寫入，然而持續(xù)沒 有解決的問題是，由讀寫操作之間磁帶尺寸的改變所引起的磁道誤讀， 例如，磁帶可以在一組溫度和濕度條件下寫入數(shù)據(jù)，之后的讀出則在不 同的環(huán)境條件下進(jìn)行。對(duì)于常規(guī)的磁帶材料，尺寸的變化可以多達(dá)0.12%。 這些磁帶尺寸的變化將使磁帶的磁道間距變寬或變窄，導(dǎo)致使用間隙間 距實(shí)質(zhì)上不變的磁帶磁頭時(shí)產(chǎn)生磁道誤讀。盡管可以利用磁帶磁頭的轉(zhuǎn)
動(dòng)通過改變傳感器陣列的有效磁道間距來解決誤讀問題，但是這種解決 方案要求有復(fù)雜的機(jī)械和傾斜補(bǔ)償電路。為了說明誤讀問題，假設(shè)傳感器陣列的最外面的元件之間的跨度為XHm，磁帶尺寸改變的百分比為0.12%。最外面元件下面的磁帶磁道的間 距因此改變了 0.0012xjim。另一方面，如果傳感器陣列的跨度為0.5x pm， 那么，磁帶尺寸0.12。/。的變化將使最外面元件下面的磁帶磁道間距只改 變0.0006xnm。因此，跨度為0.5x的傳感器陣列所感受到的磁ilA寸的 變化只是跨度為x的傳感器陣列所感受到的一半，因此磁道誤讀的可能 就小了 。因此，對(duì)于用來在磁帶上讀寫數(shù)據(jù)的薄膜磁帶磁頭，希望有一種改 進(jìn)了的設(shè)計(jì)。特別需要的是磁頭設(shè)計(jì)，它能提供減小讀寫元件的間隙間 距的能力.發(fā)明內(nèi)容通過一種平面寫模塊以及包含所述寫模塊和一個(gè)或多個(gè)垂直讀才莫塊 的混合型平面寫-垂直讀雙向磁帶磁頭，可以解決前述問題，并在技術(shù)上 獲得進(jìn)步.所述寫模塊具有一個(gè)寫模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶。 在所述寫模塊中有多個(gè)寫元件，每個(gè)所述寫元件包含多層薄膜層，其取 向與所述寫模塊磁帶承栽面具有大致的平行平面的關(guān)系。所述寫元件這 樣來安置，使得相鄰寫元件間的換能間隙(transducing gap)大致沿著 所述磁帶的走帶方向的橫向方向排列。每個(gè)讀模塊具有一個(gè)讀模塊磁帶 承載面，用于接觸所U帶。在所述一個(gè)或多個(gè)讀模塊中有多個(gè)讀元件， 每個(gè)所述讀元件包含多層薄膜層，其取向與所述讀模塊磁帶承載面具有 大致垂直的關(guān)系。在這里所公布的一個(gè)示范性實(shí)施例中，寫元件包含一個(gè)扁平線圏結(jié) 構(gòu)。在這里所公布的另一個(gè)示范性實(shí)施例中，寫元件包含一個(gè)螺旋線圏 結(jié)構(gòu)。在這兩個(gè)實(shí)施例中，寫元件可以包含一對(duì)極尖，這對(duì)極尖在所述 寫模塊磁帶承載面處產(chǎn)生一個(gè)寫間隙，以及包含一對(duì)極靱，這對(duì)極靱從
所述極尖延伸到后間隙區(qū)，在那里所述極靴連接在一起，所述后間隙區(qū) 在磁道方向上與所述寫間隙隔開。所述寫元件可以排列成一個(gè)或多個(gè)陣 列。在所述寫模塊上也可以形成伺服讀元件，每個(gè)伺服讀元件包括多層 薄膜層，其取向與所述寫模塊磁帶承載面具有平行平面的關(guān)系?？梢杂?磁導(dǎo)結(jié)構(gòu)來形成所述伺服讀元件。


本發(fā)明前述的以及其它的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)可以從下面對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施例進(jìn)行的更具體的描述中明顯看出，如附圖所說明的，其中 圖l是一個(gè)透視圖，顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜垂直磁帶磁頭； 圖2是一個(gè)透視圖，顯示了圖1中的現(xiàn)有技術(shù)的磁帶磁頭的一個(gè)示范性構(gòu)造；圖3是一個(gè)側(cè)面圖，顯示了固定在安置塊上的圖1中的一對(duì)垂直磁 帶磁頭；圖4是一個(gè)部分平面圖，顯示了示范性的混合型磁帶磁頭的磁帶承 栽面，其中， 一段磁帶疊加在磁帶磁頭上；圖4A是一個(gè)平面圖，顯示了圖4中的混合型磁帶磁頭的多個(gè)寫元件 陣列版本；圖5是一個(gè)放大的平面圖，顯示了圖4中的磁帶磁頭的寫模塊的一 部分；圖6是沿著圖5中的線6-6所截取的寫元件的剖面圖； 圖7是沿著圖4中的線7-7所截取的磁頭的剖面圖； 圖8是一個(gè)平面圖，顯示了一個(gè)示范性的寫模塊伺服讀元件； 圖9是沿著圖8中的線9-9所截取的剖面圖； 圖IO是沿著圖9中的箭頭10-10的方向所得到的側(cè)視圖； 圖ll是一個(gè)部分平面圖，顯示了另一種示范性的混合型磁帶磁頭的 磁帶承載面，其中， 一段磁帶疊加在磁帶磁頭上；
圖IIA是一個(gè)平面圖，顯示了圖11中的混合型磁帶磁頭的多個(gè)寫元 件陣列版本；圖12是一個(gè)放大的平面圖，顯示了圖11中的磁帶磁頭的寫模塊的 一部分；圖13是沿著圖12中的線13-13所截取的寫元件的剖面圖； 圖14是沿著圖11中的線14-14所截取的磁頭的剖面圖； 圖15是一個(gè)功能方框圖，顯示了磁帶驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件；以及 圖16是一個(gè)透視圖，顯示了使用盒式磁帶介質(zhì)的圖15中的磁帶驅(qū) 動(dòng)器存儲(chǔ)器件的一個(gè)示范性構(gòu)造。
具體實(shí)施方式
下面通過示范性實(shí)施例來描述本發(fā)明，這些實(shí)施例通過附圖顯示出 來(這些圖不必要符合比例)，其中，在所有的幾張圖中，相同的參考符 號(hào)表示相同的元件?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖4，磁帶磁頭2根據(jù)示范性的三模塊配置來構(gòu)成，其中， 平面寫模塊4被置于一對(duì)垂直讀模塊6和8之間。在另一種三模塊配置 中(未示出)， 一個(gè)單一的垂直讀模塊6或8可以被置于兩個(gè)平面寫模塊 4之間。寫模塊4具有寫才莫塊磁帶承栽面10，用來接觸磁帶"T"，其一 邊顯示在圖4中。如圖5-7所另外顯示的，寫模塊4具有平面磁頭結(jié)構(gòu)， 其中，寫模塊4中多個(gè)寫元件12中的每個(gè)寫元件都包括多個(gè)薄膜層"L"， 這些薄膜層的取向與寫模塊磁帶承栽面IO—般有平行平面的關(guān)系.將會(huì) 看到，寫元件12這樣來安排，使得相鄰寫元件的換能間隙(transducing gap) 14—般沿著磁帶走帶方向(圖4中用箭頭"D"來顯示)的橫向方 向排列。如圖4A所示，寫元件12可以設(shè)置為一個(gè)或多個(gè)陣列。多陣列 允許寫模塊4經(jīng)過一次時(shí)對(duì)更多的磁道進(jìn)行寫入，同時(shí)磁道間距減小了 。模塊6和8中的每一個(gè)模塊都具有一個(gè)讀模塊磁帶承載面16，用來 接觸磁帶"T"。如圖7所另外顯示的，讀模塊6和8具有通常的垂直磁 頭結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)讀元件18中的每個(gè)都包含多層薄膜層，這些薄膜層 的取向與讀模塊磁帶承栽面16有大致垂直的關(guān)系。盡管沒有被示出，相 鄰的讀元件18可以形成在讀模塊6和8的不同層中，以減小讀間隙間距 要求。盡管在圖4和圖7中將讀模塊6和8顯示為與寫模塊4相鄰，但 讀模塊中的 一個(gè)或兩個(gè)讀模塊可以與寫模塊間隔開并與之有固定的關(guān) 系。在圖4-7所示的示范性實(shí)施例中，寫元件12包括扁平線圏結(jié)構(gòu)。 才艮據(jù)這種結(jié)構(gòu)，寫線圏20由單一薄膜層"L"中的多個(gè)線圏繞組來構(gòu)成， 如圖6所示。提供一對(duì)接觸墊22和24以將寫線圏20連接到信息調(diào)制的 電流源(未顯示)上。寫元件12還包括一對(duì)極尖26和28，這對(duì)極尖在 寫模塊磁帶承載面10處產(chǎn)生寫間隙14。 一對(duì)極靴30和32分別從極尖 26和28延伸到后間隙區(qū)34，在那里兩個(gè)極孰連接在一起。極尖26/28 和極靴30/32可以用任何適合的磁導(dǎo)材料來制成，該材料通常是用來制造 感應(yīng)寫磁頭以進(jìn)行信息存儲(chǔ)的那種類型的材料。如圖6所示，極孰30和 32最初從極尖26和28沿著大致垂直于寫才莫塊磁帶承載面10的方向延伸。 然后，每個(gè)極執(zhí)30和32各在寫模塊4中單獨(dú)的一層"L"處作大約卯° 的彎曲，之后大致平行于寫模塊磁帶承載面IO延伸到后間隙區(qū)34,因此， 后間隙區(qū)34在磁道方向(即，沿著磁道)與寫間隙14隔開。從圖5和圖6中將看到，寫線團(tuán)20繞著后間隙區(qū)34盤繞，其中， 在后間隙區(qū)的一側(cè)的線圏繞組被置于極孰30和33之間。當(dāng)寫線團(tuán)20通 電時(shí)，在極孰30和32中感應(yīng)出磁通量，使得在極尖26和28處產(chǎn)生磁 場(chǎng)，該磁場(chǎng)穿過寫間隙14。應(yīng)該意識(shí)到，寫間隙14中的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分地 依賴于寫線圏20的繞組數(shù)目。盡管沒有示出，但是增加線圏繞組數(shù)目而 不增加寫元件總尺寸(當(dāng)從圖5的平面圖方向來看時(shí))的一種方法是， 在寫模塊4一個(gè)或更多的獨(dú)立的層"L"中形成另外的繞組.如圖4所示，磁帶磁頭2包括伺月艮讀元件，用于讀磁帶"T"上常規(guī) 的基于時(shí)序的伺服磁道"ST"。伺服讀元件可以由讀模塊6和8上另外的 讀元件18來提供，也可以由寫才莫塊4上的平面伺服讀元件36來提供。 如圖8 - 10所示，每個(gè)平面伺服讀元件36包含一種傳感器結(jié)構(gòu)38，該結(jié)
構(gòu)形成在與寫模塊磁帶承載面10呈平行平面關(guān)系取向的寫模塊4的多層 薄膜層"L"中.本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，傳感器結(jié)構(gòu)層可以包括磁釘 扎層40、隔層42、磁自由層44。在傳感器結(jié)構(gòu)的兩側(cè)提供有一對(duì)電^1/ 石更偏置結(jié)構(gòu)(hard biasing structure) 46，以形成CIP (面內(nèi)電力充， Current-in-Plane)傳感器。盡管沒有顯示，但也可以使用CPP (電流垂 直于面，Current-perpendicular to-Plane )傳感器。使用常規(guī)的磁導(dǎo)(flux guide)來將磁通量從寫模塊磁帶承載面10傳送到自由層44。圖7顯示了從圖4中磁帶"T"的邊緣看時(shí)的磁帶磁頭2。如所看到 的，形成A磁帶磁頭2的表面上所形成的電接觸墊48到寫元件12電連 接，其中該磁帶磁頭位于磁帶承栽面10的對(duì)面?？梢杂贸Ｒ?guī)技術(shù)將電纜(未顯示)連接到接觸墊48上?？梢允褂脠D1所示類型的常規(guī)接觸墊來 提供到讀元件18的電連接，如在垂直讀元件中所通常使用的那樣。盡管 沒有顯示，但可以在寫模塊4的接觸墊48之上做出驅(qū)動(dòng)部件，諸如FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。或者，驅(qū)動(dòng)器可以做在單獨(dú)的芯片上，然后將之安裝 在磁帶磁頭2附近。磁帶磁頭2的磁帶承載面10和16可以被折疊，以 便在磁帶"T"走過磁頭時(shí)定義一個(gè)優(yōu)選的磁帶包角(tape wrap angle )。 現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖11-14，這些圖顯示了用在磁帶磁頭2中的另一種寫模 塊4，，其中，寫元件12，包括一種螺旋線圏結(jié)構(gòu)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在多層 薄膜層"L"中用多個(gè)線圏繞組形成寫線閨20，，如從圖13所看到的。具 體說，在多層薄膜層"L"的第一個(gè)層中形成第一組線圏繞組元件20A，， 在多層薄膜層"L"的第二個(gè)層中形成第二組線圏繞組元件20B，，在介 于線圏繞組元件20A，和20B，之間的中間層中形成第三和笫四組線圏繞組 元件20C，和20D，(參見圖12)。提供一對(duì)接觸墊22，和24，，用來將寫線 圏20，連接到信息調(diào)制的電流源(未顯示)。寫元件12，還包括一對(duì)極尖 26，和28'，這對(duì)極尖在寫模塊磁帶承載面IO，處產(chǎn)生寫間隙14，。 一對(duì)極 孰30，和32，分別從極尖26，和28，延伸到后間隙區(qū)34，，在那里兩個(gè)扭Jfft 連接在一起。極尖26，/28，和極靴30，/32，可以用任何適合的磁導(dǎo)材料來制 成，該材料通常是用來制造用于信息存儲(chǔ)的感應(yīng)寫磁頭的那種類型的材
料。如圖13所示，極靱30，和32，最初從極尖26，和28，沿著大致垂直于寫 模塊磁帶承載面IO，的方向延伸。然后，每個(gè)極執(zhí)30，和32，各自在寫模塊 4，中單獨(dú)的一層"L"處作大約90。的彎曲，之后大致平行于寫模塊磁帶 承載面10，延伸到后間隙區(qū)34，。因此，后間隙區(qū)34，在磁道方向上與寫間 隙14，隔開。從圖13中將看到，寫線圏20，繞著極靱32，盤繞。當(dāng)寫線圏20，通電 時(shí)，在極靴30，和32，中感應(yīng)出磁通量，使得在極尖26，和28，處產(chǎn)生磁場(chǎng)， 該磁場(chǎng)穿過寫間隙14，。應(yīng)該意識(shí)到，寫間隙14，處的磁場(chǎng)強(qiáng)度部分地依 賴于寫線圏20，的繞組數(shù)目。寫線圏20，的繞組數(shù)目可以通過增加極孰30， 和32，的長度來增加。注意，寫線圏20，的螺旋形配置允許寫元件12，具有相對(duì)窄的輪廓(與 上述扁平線圏配置相比)，這就便于減小磁道間距。如圖IIA所示，寫元 件12，可以設(shè)置成一個(gè)或多個(gè)陣列。多陣列允許進(jìn)一步減小磁道間距。圖 14顯示了從圖11中磁帶"T，，的邊緣看時(shí)的具有另一種寫模塊4，的磁帶 磁頭2。到寫元件12，的電連接與圖7中的上述連接相同，轉(zhuǎn)到圖15，這里所描述的發(fā)明性概念可以在一個(gè)磁帶驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)器件(磁帶驅(qū)動(dòng)器)100中來實(shí)施，該磁帶驅(qū)動(dòng)器用于由主數(shù)據(jù)處理設(shè) 備102進(jìn)行的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和提取，該主數(shù)據(jù)處理設(shè)備可以是適配來與磁 帶驅(qū)動(dòng)器100進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的其它處理裝置的通用計(jì)算機(jī)。磁帶驅(qū)動(dòng)器 100包括多個(gè)部件，來提供控制及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，用來在磁帶介質(zhì)上讀寫 主機(jī)數(shù)據(jù)。只是作為一個(gè)例子來說，那些部件通?？砂ㄍǖ肋m配器104、 微處理器控制器106、數(shù)據(jù)緩沖器108、讀/寫數(shù)據(jù)流電路110、運(yùn)動(dòng)控制i系統(tǒng)112、以及磁帶接口系統(tǒng)14，而磁帶接口系統(tǒng)包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路116 和讀/寫頭單元118。微處理器控制器106為磁帶驅(qū)動(dòng)器100的^Mt提供總控制功能。通 常，根據(jù)所希望的磁帶驅(qū)動(dòng)器操作特性，微處理器控制器106所執(zhí)行的 功能是可通過孩t代碼程序(未顯示)而編程的。在數(shù)據(jù)寫操作期間(對(duì) 于數(shù)據(jù)讀操作，所有的數(shù)據(jù)流翻轉(zhuǎn))，微處理器控制器106激活通道適配器104來執(zhí)行所要求的主機(jī)接口協(xié)議，以接收信息數(shù)據(jù)塊。通道適配器 104將所述數(shù)據(jù)塊傳送到數(shù)據(jù)緩沖器108中，該數(shù)據(jù)緩沖器存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù) 以用于隨后讀寫處理。反過來，數(shù)據(jù)緩沖器108 M通道適配器104接 收的數(shù)據(jù)塊傳送到讀/寫數(shù)據(jù)流電路110，該讀/寫數(shù)據(jù)流電路110將該設(shè) 備數(shù)據(jù)格式化為可以記錄在磁帶介質(zhì)上的物理格式的數(shù)據(jù)。讀/寫數(shù)據(jù)流 電路110在微處理器控制器106的控制下負(fù)責(zé)進(jìn)行讀/寫數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)移操作。 來自讀/寫數(shù)據(jù)流電路110的格式化了的物理數(shù)據(jù)被傳送到磁帶接口系統(tǒng) 114。所逸磁帶接口系統(tǒng)包括在讀/寫頭單元118中的一個(gè)或多個(gè)讀/寫頭， 并驅(qū)動(dòng)馬達(dá)組件(未顯示)以使安裝在供帶巻軸122和收帶巻軸124上 的磁帶介質(zhì)120向前和向后移動(dòng)。所逸磁帶接口系統(tǒng)114的驅(qū)動(dòng)組件由 運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)112和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路116控制以使磁帶移動(dòng)，例如進(jìn)行正面 和反面的記錄及回放，倒帶以及其它磁帶運(yùn)動(dòng)功能。此外，在多磁道磁 帶驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)112相對(duì)于縱向磁帶移動(dòng)方向?qū)⒆x/寫頭橫 向定位，以便在多個(gè)磁道上記錄數(shù)據(jù)。在大多數(shù)情形中，如圖16所示，磁帶介質(zhì)120被安裝在磁帶盒126 中，而磁帶盒則通過一個(gè)插口 128被插入磁帶驅(qū)動(dòng)器100中。磁帶盒126 包括裝有磁帶120的盒子130。供帶巻軸122被顯示出安裝在盒子130中。因此，公布了一種平面寫模塊以及包含所述寫模塊和一個(gè)或多個(gè)垂 直讀模塊的混合型平面寫-垂直讀雙向磁帶磁頭。盡管顯示和描述了本發(fā) 明的各種實(shí)施例，樹艮明顯，可以按這里給出的說明來實(shí)現(xiàn)許多變化以 及其它的實(shí)施例。所以，可以理解，只要符合附屬權(quán)利要求書及其等價(jià) 說法的精神，本發(fā)明就不受任何限制.
權(quán)利要求
1.在磁帶驅(qū)動(dòng)器中的用于在磁帶上讀寫數(shù)據(jù)的磁帶磁頭，包括寫模塊；所述寫模塊上的寫模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶；在所述寫模塊中的多個(gè)寫元件，每個(gè)所述寫元件包含多層薄膜層，該多層薄膜層的取向與所述寫模塊磁帶承載面具有大致平行平面的關(guān)系；所述各寫元件被設(shè)置為使得相鄰寫元件間的換能間隙大致沿著所述磁帶的走帶方向的橫向方向排列；一個(gè)或多個(gè)讀模塊；每個(gè)所述讀模塊上的讀模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶；以及在所述一個(gè)或多個(gè)讀模塊中的多個(gè)讀元件，每個(gè)所述讀元件包含多層薄膜層，其取向與所述讀模塊磁帶承載面具有大致垂直的關(guān)系。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述寫模塊在相對(duì)于所述 磁帶的磁道方向上被置于兩個(gè)讀模塊之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述寫元件包括扁平線圏 結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述寫元件包括螺旋線圏 結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述寫元件包括一對(duì)極尖， 這對(duì)極尖在所述寫模塊磁帶承載面處產(chǎn)生寫間隙，以及包括一對(duì)極靱， 這對(duì)極靱從所述極尖延伸到后間隙區(qū)，在該后間隙區(qū)所述極執(zhí)連接在一 起，所述后間隙區(qū)在磁道方向上與所述寫間隙隔開。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述多個(gè)寫元件i殳置有間 隔開的寫間隙。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述多個(gè)寫元件設(shè)置一個(gè) 或多個(gè)陣列。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步包括寫通道電路，用于在 所述寫模塊的薄膜層中所制作的所述寫元件.
9. 根據(jù)權(quán)利要求l的磁帶驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步包括在所述寫模塊上的伺 服讀元件，每個(gè)所述伺服讀元件包括多層薄膜層，所述薄膜層的取向與 所述寫模塊磁帶承載面具有平行平面的關(guān)系。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的磁帶驅(qū)動(dòng)器，其中，所述伺服讀元件包括磁導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
11. 用于在磁帶上寫數(shù)據(jù)的寫模塊，包括 寫模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶；在所述寫模塊中的多個(gè)寫元件，每個(gè)所述寫元件包含多層薄膜層， 該多層薄膜層的取向與所述寫模塊磁帶承栽面具有大致的平行平面的關(guān)系；所述寫元件包含扁平線圏結(jié)構(gòu)，其中有一對(duì)極尖在所述寫模塊磁帶 承栽面處產(chǎn)生寫間隙，以及有一對(duì)極靴從所述極尖延伸到后間隙區(qū)，在 該后間隙區(qū)所述極孰連接在一起，所述后間隙區(qū)在磁道方向上與所述寫間隙隔開；以及所述寫元件設(shè)置為使得相鄰寫元件間的寫間隙大致沿著所述磁帶的 走帶方向的橫向方向排列。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll的寫模塊，其中所述多個(gè)寫元件設(shè)置成一個(gè)或 多個(gè)陣列。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的寫模塊，其中各個(gè)所述寫間隙之間隔開約一 個(gè)間隙寬度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求ll的寫模塊，進(jìn)一步包括在所述寫模塊上的伺服 讀元件，每個(gè)所述伺服讀元件包含多層薄膜層，該多層薄膜層的取向與 所述寫模塊磁帶承栽面具有平行平面的關(guān)系，
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的寫模塊，其中，所述伺服讀元件包括磁導(dǎo)， 該磁導(dǎo)從所述寫模塊磁帶承栽面延伸到一個(gè)傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu) 從所述寫模塊磁帶承載面凹進(jìn)去。
16. —種用于在磁帶上寫數(shù)據(jù)的寫模塊，包括 寫模塊；所述寫模塊上的寫模塊磁帶承栽面，用于接觸所述磁帶； 在所述寫模塊中的多個(gè)寫元件，每個(gè)所迷寫元件包含多層薄膜層，所述多層薄膜層的取向與所述寫模塊磁帶承栽面具有大致的平行平面的關(guān)系；所述寫元件包含螺旋線圏結(jié)構(gòu)，其中有一對(duì)極尖在所述寫模塊磁帶 承栽面處產(chǎn)生寫間隙，以及有一對(duì)極孰從所述極尖延伸到后間隙區(qū)，在 該后間隙區(qū)所述極孰連接在一起，所述后間隙區(qū)在磁道方向上與所述寫 間隙隔開；以及所述寫元件設(shè)置為使得相鄰寫元件間的所述寫間隙大致沿著所述磁 帶的走帶方向的橫向方向排列。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的寫模塊，其中，所述多個(gè)寫元件之間i殳置有 隔開的寫間隙。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16的寫模塊，其中，所述多個(gè)寫元件設(shè)置一個(gè)或 多個(gè)陣列。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16的寫模塊，進(jìn)一步包括在所述寫模塊上的伺服 讀元件，每個(gè)所述祠服讀元件包括多層薄膜層，該多層薄膜層的取向與 所述寫模塊磁帶承栽面具有平行平面的關(guān)系，
20. 根據(jù)權(quán)利要求19的寫模塊，其中，所述伺服讀元件包括磁導(dǎo)， 該磁導(dǎo)從所述寫模塊磁帶承載面延伸到一個(gè)傳感器結(jié)構(gòu)，該傳感器結(jié)構(gòu) 從所述寫模塊磁帶承載面凹進(jìn)去。
全文摘要
一種平面寫模塊以及包含所述寫模塊和一個(gè)或多個(gè)垂直讀模塊的混合型平面寫-垂直讀雙向磁帶磁頭。所述寫模塊具有寫模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶。在所述寫模塊中有多個(gè)寫元件，每個(gè)所述寫元件包含多層薄膜層，其取向與所述寫模塊磁帶承載面具有大致的平行平面的關(guān)系。所述寫元件設(shè)置為使得相鄰寫元件間的換能間隙大致沿著所述磁帶的走帶方向的橫向方向排列。每個(gè)讀模塊具有一個(gè)讀模塊磁帶承載面，用于接觸所述磁帶。在所述一個(gè)或多個(gè)讀模塊中有多個(gè)讀元件，每個(gè)所述讀元件包含多層薄膜層，其取向與所述讀模塊磁帶承載面具有大致垂直的關(guān)系。
文檔編號(hào)G11B5/31GK101149931SQ200710154418
公開日2008年3月26日 申請(qǐng)日期2007年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者R·G·比斯科伯恩, 羅士忠 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司