專(zhuān)利名稱(chēng):中介層基板以及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及具有中介層基板和安裝在該中介層基板上的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝 置、以及該中介層基板。
背景技術(shù):
近年來(lái),在BGA(Ball Grid Array)或 CSP(Chip Size Package)等多端子的封裝 中,已經(jīng)可以安裝半導(dǎo)體裝置。在這種半導(dǎo)體裝置(一般也稱(chēng)為半導(dǎo)體封裝)中,半導(dǎo)體元 件安裝在中介層基板(一般也稱(chēng)為中介層)上,而且,中介層基板安裝在母基板(一般也稱(chēng) 為母板)等基板上。圖19是安裝了半導(dǎo)體元件102的現(xiàn)有技術(shù)中的中介層基板104P的俯視圖。在圖 19中,半導(dǎo)體元件102具有多個(gè)端子121。在中介層基板104P的表面上形成有多個(gè)連接端 子141 ( 一般也稱(chēng)為輸入輸出端子或電極焊盤(pán)),半導(dǎo)體元件102的各端子121和中介層基 板104P的各連接端子141經(jīng)由引線151被電連接。并且,雖然在圖19中,各端子121和各 連接端子141是通過(guò)引線接合(wire bonding)而連接的,但有時(shí)也利用焊凸(bump)進(jìn)行 連接。另外,在中介層基板104P的表面上形成有連接布線導(dǎo)體142。各連接布線導(dǎo)體142 的一端與1個(gè)連接端子141連接,另一端與在中介層基板104P上形成的通孔(via)導(dǎo)體 144中的1端連接。而且,各通孔導(dǎo)體144的另一端與在中介層基板104P的背面或內(nèi)部形 成的布線電連接。并且,在中介層基板104P的背面或內(nèi)部形成的布線經(jīng)由焊球等與主基板 的電極焊盤(pán)電連接。在此,一般來(lái)講,使用電解鍍對(duì)中介層基板104P上的各連接端子141實(shí)施鍍貴金 屬(例如,鍍金)處理。在進(jìn)行該鍍貴金屬處理時(shí),經(jīng)由在中介層基板104P上形成的布 線,從中介層基板104P的外緣部向各連接端子141通電。在通電后,用于通電的布線的一 部分作為連接各連接端子141和各通孔導(dǎo)體144的連接布線導(dǎo)體142使用,其余的部分作 為從各通孔導(dǎo)體144向中介層基板104P的外緣部延伸的電鍍短線(plating stub)導(dǎo)體 145 (plating stub conductor0 一般來(lái)講,也稱(chēng)為鍍線)殘留。即,各電鍍短線導(dǎo)體145的 一端與通孔導(dǎo)體144連接,另一端為開(kāi)放端,在中介層基板104P的外緣部形成開(kāi)放端部。中介層基板104P上的電鍍短線導(dǎo)體145會(huì)給經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142傳輸?shù)膫鬏?信號(hào)的波形帶來(lái)不好的影響,這是眾所周知的。例如,專(zhuān)利文獻(xiàn)1提出了以下課題向與電 鍍短線導(dǎo)體連接的連接布線導(dǎo)體中輸入的輸入信號(hào)和該輸入信號(hào)在電鍍短線導(dǎo)體的開(kāi)放 端反射的反射信號(hào)發(fā)生干擾,輸入信號(hào)出現(xiàn)波形失真。為了解決該課題,專(zhuān)利文獻(xiàn)1中提出 了去掉電鍍短線導(dǎo)體的殘留的方案。另外,為了解決同樣的課題,專(zhuān)利文獻(xiàn)2提出了將電鍍 短線導(dǎo)體與終端電阻連接的方案。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 JP特開(kāi)昭64-50450號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 JP特開(kāi)2005-328032號(hào)公報(bào)但是,在電子設(shè)備中,所傳輸?shù)男盘?hào)的高速化不斷發(fā)展,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了具有千兆赫茲的頻率的高頻信號(hào)的傳輸。另一方面,關(guān)于ICdntegrated Circuit)本身,以系統(tǒng) LSI (Large ScaleIntegration)為代表,多功能化、模塊化以及高密度化日趨進(jìn)步。在進(jìn)行 了高密度安裝、并且處理高頻信號(hào)的半導(dǎo)體裝置中,可能會(huì)出現(xiàn)與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1以及2所 指出的課題完全不同的問(wèn)題。半導(dǎo)體元件102的微細(xì)化以及多端子化不斷發(fā)展,因此,在圖19的半導(dǎo)體元件102 中形成的多個(gè)端子121的密集化也在進(jìn)步。中介層基板104P上的各連接端子141與各端子 121對(duì)應(yīng),以較小的間距設(shè)置。而且,連接布線導(dǎo)體142是以越遠(yuǎn)離連接端子141則各連接 布線導(dǎo)體142之間的間隔變得越寬的方式形成的。在此,一般來(lái)講,與各連接布線導(dǎo)體142 的另一端連接的各通孔導(dǎo)體144的外徑比各連接布線導(dǎo)體142的寬度大。在圖19中,為了 使中介層基板104P更小型化,與相鄰的連接布線導(dǎo)體142連接的通孔導(dǎo)體144的位置被相 互錯(cuò)開(kāi),以便離中介層基板104P的外緣部的距離彼此不同。如上所述,通過(guò)對(duì)中介層基板104P進(jìn)行空間上的限制,各連接布線導(dǎo)體142的長(zhǎng) 度各不相同,各連接布線導(dǎo)體142的電阻也互不相同。因此,在半導(dǎo)體元件102和母基板之 間,經(jīng)由中介層基板104P收發(fā)的多個(gè)傳輸信號(hào)的傳輸時(shí)間互不相同。圖20是表示從圖19的半導(dǎo)體元件102的端子121A輸出的發(fā)送信號(hào)P和從端子 121B輸出的發(fā)送信號(hào)N的時(shí)序圖。在圖20中,發(fā)送信號(hào)P以及N具有周期T,構(gòu)成1對(duì)差 動(dòng)信號(hào)。在差動(dòng)傳輸中,如圖20所示,使用相互具有180度的相位差的發(fā)送信號(hào)P以及N 的電位差(P-N),發(fā)送“1”或“0”的數(shù)據(jù)。例如,在圖20中,當(dāng)發(fā)送具有數(shù)據(jù)值“0”的數(shù)據(jù) D 1以及D3時(shí),電位差(P-N)被設(shè)定為負(fù)值;當(dāng)發(fā)送具有數(shù)據(jù)值“1”的數(shù)據(jù)D2以及D4時(shí), 電位差(P-N)被設(shè)定為正值。在圖19中,發(fā)送信號(hào)P從半導(dǎo)體元件102的端子121A,經(jīng)由引線151A、連接布線 導(dǎo)體142A、通孔導(dǎo)體144A,被輸出到母基板的電極焊盤(pán)。另外,發(fā)送信號(hào)N從半導(dǎo)體元件 102的端子121B,經(jīng)由引線151B、連接布線導(dǎo)體142B、通孔導(dǎo)體144B,被輸出到母基板的其 他的電極焊盤(pán)。圖21是表示利用母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)接收?qǐng)D20的發(fā)送信號(hào)時(shí)的接收信 號(hào)Pl以及m的時(shí)序圖。如上所述,連接布線導(dǎo)體142A以及142B的長(zhǎng)度彼此不同,因此, 如圖21所示,在接收信號(hào)Pl以及m之間產(chǎn)生相位差A(yù)l。當(dāng)該相位差A(yù)l的大小與差動(dòng)信 號(hào)的周期T相比十分小時(shí),能正確傳輸數(shù)據(jù)Dl D4,但是,如果當(dāng)相位差A(yù)l的大小相對(duì)于 差動(dòng)信號(hào)的周期T變成大得無(wú)法忽視,則不能正確地傳輸數(shù)據(jù)Dl D4。特別會(huì)產(chǎn)生以下問(wèn) 題,即差動(dòng)信號(hào)的周期T越小,相位差A(yù)l的影響變得越大,不能正確地差動(dòng)傳輸數(shù)據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可以解決上述問(wèn)題,并且與現(xiàn)有技術(shù)相比,能高精度地 傳輸高頻信號(hào)的半導(dǎo)體裝置及其中介層基板。第1發(fā)明的中介層基板,其用于半導(dǎo)體裝置,該半導(dǎo)體裝置具有在半導(dǎo)體元件與 具有多個(gè)電極焊盤(pán)的母基板之間設(shè)置、并且具有接地導(dǎo)體的中介層基板,其中,所述半導(dǎo)體 元件安裝于中介層基板的表面、且具有多個(gè)端子,所述中介層基板的特征為經(jīng)由在上述中 介層基板上形成的多個(gè)信號(hào)線,在上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子和上述母基板的多個(gè)電極焊 盤(pán)之間傳輸多個(gè)信號(hào),上述各信號(hào)線具有在上述中介層基板的表面上形成的、一端與上 述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子中的1個(gè)電連接的連接布線導(dǎo)體;一端與上述連接布線導(dǎo)體的另一端連接,另外一端與上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)中的1個(gè)電連接的通孔導(dǎo)體;在上述中 介層基板的表面上形成、且一端與上述通孔導(dǎo)體的一端連接而另外一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo) 體,上述各帶狀導(dǎo)體以及上述接地導(dǎo)體,以至少1個(gè)上述帶狀導(dǎo)體和上述接地導(dǎo)體彼此相 對(duì)置而形成至少1個(gè)電容器的方式形成,上述各電容器的電容值被調(diào)整為經(jīng)由上述各信 號(hào)線傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位在上述各信號(hào)線的一端彼此具有規(guī)定的關(guān)系。在上述中介層基板中,具有以下特征上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)具有蛇行的形 狀。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述蛇行的形狀是將直線彎曲后的形 狀。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)的寬度比 其他帶狀導(dǎo)體的寬度大。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述信號(hào)線中的至少1個(gè)還具有在 上述中介層基板的表面上與上述接地導(dǎo)體相對(duì)置而形成,且具有一端與上述通孔導(dǎo)體的一 端連接而另外一端為開(kāi)放端的至少1個(gè)其他的帶狀導(dǎo)體。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)具有分支 形狀。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述接地導(dǎo)體與上述各帶狀導(dǎo)體的至 少一部分相對(duì)置而形成上述各電容器。根據(jù)技術(shù)方案1到7中的任意一項(xiàng)記載的中介層基板,具有以下特征在上述中介 層基板中,上述接地導(dǎo)體形成于上述中介層基板的表面。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述多個(gè)信號(hào)線包括用于傳輸1對(duì)差 動(dòng)信號(hào)的第1以及第2信號(hào)線,由上述第1信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第1 電容器的電容值和由上述第2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第2電容器的電容 值被調(diào)整為在與上述第1以及第2信號(hào)線連接的上述半導(dǎo)體元件的1對(duì)端子上、或在與上 述第1以及第2信號(hào)線連接的上述母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相 位差實(shí)質(zhì)上成為180度。根據(jù)技術(shù)方案9記載的中介層基板,具有以下特征在上述中介層基板中,上述第 1信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體的寬度和上述第2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體的寬度彼此不同。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征只有上述第1以及第2信號(hào)線中的一 方的信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體在與上述接地導(dǎo)體之間形成上述電容器。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征上述多個(gè)信號(hào)線包括用于傳輸1對(duì)傳 輸信號(hào)的第3以及第4信號(hào)線,由上述第2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第3 電容器的電容值和由上述第4信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第4電容器的電容 值被調(diào)整為在與上述第3以及第4信號(hào)線連接的上述半導(dǎo)體元件的1對(duì)端子上、或在與上 述第3以及第4信號(hào)線連接的上述母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)上,上述1對(duì)傳輸信號(hào)之間的相 位差實(shí)質(zhì)上成為0度。另外,在上述中介層基板中,具有以下特征,上述各連接布線導(dǎo)體以及上述各帶狀 導(dǎo)體分別在上述中介層基板的表面上通過(guò)電鍍處理而形成。第2發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有以下特征,其包括上述中介層基板和安裝在上述中介層基板上的上述半導(dǎo)體元件。另外,在上述半導(dǎo)體裝置中,具有以下特征還包括在上述中介層基板的背面形 成、且將上述各通孔導(dǎo)體的另外一端與上述外部基板的各電極焊盤(pán)電連接的多個(gè)焊球。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明的中介層基板以及具有該中介層基板的半導(dǎo)體裝置,經(jīng)由在上述中介 層基板上形成的多個(gè)信號(hào)線,在上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子和上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán) 之間傳輸多個(gè)信號(hào),上述各信號(hào)線具有形成在上述中介層基板的表面上、且一端與上述半 導(dǎo)體元件的多個(gè)端子中的1個(gè)電連接的連接布線導(dǎo)體;一端與上述連接布線導(dǎo)體的另一 端連接,另外一端與上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)中的1個(gè)電連接的通孔導(dǎo)體;和在上述中 介層基板的表面上形成、且一端與上述通孔導(dǎo)體的一端連接而另外一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo) 體,上述各帶狀導(dǎo)體以及上述接地導(dǎo)體以至少1個(gè)上述帶狀導(dǎo)體和上述接地導(dǎo)體彼此相對(duì) 置而形成至少1個(gè)電容器的方式形成,上述各電容器的電容值被調(diào)整為經(jīng)由上述各信號(hào) 線傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位在上述各信號(hào)線的一端彼此具有規(guī)定的關(guān)系。因此,本發(fā)明與現(xiàn)有 技術(shù)相比,能夠高精度地傳輸高頻信號(hào)。
圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的剖視圖(沿著圖2的線A-B的 剖視圖)。圖2是圖1的中介層基板104的俯視圖。圖3是包括圖2的連接布線導(dǎo)體142B的信號(hào)線的等效電路圖。圖4是包括圖2的中介層基板104的電鍍短線導(dǎo)體145A以及145B的放大圖。圖5是表示當(dāng)從圖1的半導(dǎo)體元件102,經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第1信號(hào) 線以及包括連接布線導(dǎo)體142B的第2信號(hào)線,向母基板300發(fā)送1對(duì)差動(dòng)信號(hào)時(shí),從端子 121A以及121B分別輸出的發(fā)送信號(hào)Pt以及Nt的時(shí)序圖。圖6是表示圖5的發(fā)送信號(hào)Pt以及Rt在母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310上被接 收時(shí)的接收信號(hào)Pr以及Nr的時(shí)序圖。圖7是表示當(dāng)從圖1的半導(dǎo)體元件102,經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第3信號(hào) 線以及包括連接布線導(dǎo)體142B的第4信號(hào)線,向母基板300發(fā)送1對(duì)傳輸信號(hào)時(shí),從端子 121A以及121B分別輸出的發(fā)送信號(hào)Ptl以及Ntl的時(shí)序圖。圖8是表示圖7的發(fā)送信號(hào)Ptl以及Rtl在母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310上被 接收時(shí)的接收信號(hào)Prl以及Nrl的時(shí)序圖。圖9是包括本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中介層基板104A的電鍍短線導(dǎo)體145A以及 145B-1的放大圖。圖10是包括本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中介層基板104B的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-1以及接地導(dǎo)體162A的放大圖。圖11是包括本發(fā)明的第4實(shí)施方式的中介層基板104C的電鍍短線導(dǎo)體145A-1 和145B-2的放大圖。圖12是包括本發(fā)明的第5實(shí)施方式的中介層基板104D的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及帶狀導(dǎo)體145A-2的放大圖。
圖13是包括本發(fā)明的第6實(shí)施方式的中介層基板104E的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2、帶狀導(dǎo)體145A-2以及接地導(dǎo)體162B的放大圖。圖14是包括本發(fā)明的第7實(shí)施方式的中介層基板104F的電鍍短線導(dǎo)體145A-3 以及145B的放大圖。圖15是包括本發(fā)明的第8實(shí)施方式的中介層基板104G的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及具有切口部162h的接地導(dǎo)體162的放大圖。圖16是包括本發(fā)明的第9實(shí)施方式的中介層基板104H的電鍍短線導(dǎo)體145A以 及145B-3的放大圖。圖17是包括本發(fā)明的第10實(shí)施方式的中介層基板1041的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及接地導(dǎo)體162C的放大圖。圖18是本發(fā)明的第14實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100A的剖視圖(沿著圖2的線A-B 的剖視圖)。圖19是現(xiàn)有技術(shù)中的中介層基板104P的俯視圖。圖20是表示從圖19的半導(dǎo)體元件102的端子121A輸出的發(fā)送信號(hào)P和從端子 121B輸出的發(fā)送信號(hào)N的時(shí)序圖。圖21是表示圖20的發(fā)送信號(hào)在母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)被接收時(shí)的接收信號(hào)Pl 以及W的時(shí)序圖。符號(hào)說(shuō)明100、100A…半導(dǎo)體裝置102…半導(dǎo)體元件104、104A 1041…中介層基板121、121A、121B …端子141、141A、141B …連接端子142、142A、142B…連接布線導(dǎo)體144、144A、144B、144G...通孔導(dǎo)體145、145A、145A-1、145A-3、145B-1 145B-3 …電鍍短線導(dǎo)體145A-2…帶狀導(dǎo)體151、151A、151B …引線160A、160A-1 160A-4、160B、160B-1 160B-6 …電容器162、162A、162B、162C …接地導(dǎo)體162h …切口部164…絕緣層171、171G…電極焊盤(pán)210、210G …焊球300…母基板310、310G…電極焊盤(pán)320…信號(hào)布線330…接地布線
具體實(shí)施例方式以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。并且,對(duì)于相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相 同的符號(hào)。(第1實(shí)施方式)圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的剖視圖(沿著圖2的線A-B的 剖視圖);圖2是圖1的中介層基板104的俯視圖;圖4是包括圖2的中介層基板104的電 鍍短線導(dǎo)體145A以及145B的放大圖。另外,圖3是包括圖2的連接布線導(dǎo)體142B的信號(hào) 線的等效電路圖。并且,在以下的圖4以及圖9 圖17中,省略對(duì)連接布線導(dǎo)體142A和 142B以外的連接布線導(dǎo)體142以及與該連接布線導(dǎo)體142連接的結(jié)構(gòu)要素的記載。在圖1中,中介層基板104用于半導(dǎo)體裝置100,該半導(dǎo)體裝置100具有在安裝在 該中介層基板104的表面上、并具有多個(gè)端子121的半導(dǎo)體元件102 ;和具有多個(gè)電極焊盤(pán) 310的母基板300之間設(shè)置、并且具有接地導(dǎo)體162的中介層基板104,中介層基板104經(jīng) 由在該中介層基板104上形成的多個(gè)信號(hào)線,在上述半導(dǎo)體元件102的多個(gè)端子121和上 述母基板300的多個(gè)電極焊盤(pán)310之間傳輸多個(gè)信號(hào)。在此,上述各信號(hào)線具有(a)在中 介層基板104的表面上形成、且一端與半導(dǎo)體元件102的多個(gè)端子121中的1個(gè)電連接的 連接布線導(dǎo)體142 ; (b) 一端與連接布線導(dǎo)體142的另一端連接,另外一端與母基板300的 多個(gè)電極焊盤(pán)310中的1個(gè)電連接的通孔導(dǎo)體144 ; (c)電鍍短線導(dǎo)體145,其為在中介層 基板104的表面上形成、且一端與通孔導(dǎo)體144的一端連接而另外一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo) 體。另外,各電鍍短線導(dǎo)體145以及接地導(dǎo)體162以至少1個(gè)電鍍短線導(dǎo)體145和接地導(dǎo) 體162彼此相對(duì)置而形成至少1個(gè)電容器160A、160B的方式形成,各電容器160A、160B的 電容值Ca、Cb被調(diào)整,以使經(jīng)由各信號(hào)線傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位在各信號(hào)線的一端彼此具有 規(guī)定的關(guān)系。在圖1以及圖2中,半導(dǎo)體裝置100由半導(dǎo)體元件102和安裝了該半導(dǎo)體元件102 的中介層基板104構(gòu)成,使用包括焊球210G的多個(gè)焊球210,安裝在母基板300上。半導(dǎo) 體元件102是組裝了用于以IGbps 5Gbps的處理速度處理數(shù)字電視播放信號(hào)等具有大約 2GHz頻率的高頻數(shù)字信號(hào)的LSI的IC芯片。半導(dǎo)體102具有用于輸入輸出高頻數(shù)字信號(hào) 的多個(gè)端子121。另外,在圖1以及圖2中,中介層基板104的設(shè)置是為了將半導(dǎo)體元件102的各端 子121與母基板300的各電極焊盤(pán)310電連接。在本實(shí)施方式中,中介層基板104的尺寸 為2CmX2CmX100ym。中介層基板104由以下部分構(gòu)成在由電介質(zhì)形成的絕緣層164的 表面上形成的多個(gè)連接端子141、多個(gè)連接布線導(dǎo)體142、以及作為帶狀導(dǎo)體的多個(gè)電鍍短 線導(dǎo)體145 ;在絕緣層164內(nèi)形成的多個(gè)通孔導(dǎo)體144 ;在絕緣層164的背面形成的多個(gè)電 極焊盤(pán)171 ;和在絕緣層164內(nèi)形成的接地導(dǎo)體162。在此,如圖2所示,接地導(dǎo)體162經(jīng)由 多個(gè)通孔導(dǎo)體144中的1個(gè)通孔導(dǎo)體144G、多個(gè)電極焊盤(pán)171中的1個(gè)電極焊盤(pán)171G、焊 球171G、以及母基板300的電極焊盤(pán)310G,與母基板300的接地布線330連接。設(shè)置分別與半導(dǎo)體元件102的多個(gè)端子121對(duì)應(yīng)的連接端子141,使用引線151與 各端子121引線接合。連接布線導(dǎo)體142的一端分別與連接端子141連接,另外一端分別 與通孔導(dǎo)體144的一端連接。在此,連接布線導(dǎo)體142是以離連接端子141越遠(yuǎn),各連接布 線導(dǎo)體142之間的間隔變得越寬的方式形成的。通孔導(dǎo)體144是層間連接部,通孔導(dǎo)體144的另一端與在中介層基板104的背面形成的電極焊盤(pán)171電連接。在圖2中,各通孔導(dǎo)體 144的外徑比各連接布線導(dǎo)體142的寬度還大。另外,為了將中介層基板104更小型化,與 相鄰的連接布線導(dǎo)體142連接的通孔導(dǎo)體144的位置被相互錯(cuò)開(kāi),以使離中介層基板104 的外緣部的距離彼此不同。而且,在電極焊盤(pán)171上形成了焊球210。中介層基板104經(jīng)由 焊球210,與母基板300的電極焊盤(pán)310以及在母基板300上形成的信號(hào)布線320電連接。使用電解鍍對(duì)中介層基板104上的各連接端子141實(shí)施鍍貴金屬(例如,鍍金) 處理。在進(jìn)行該鍍貴金屬處理時(shí),從中介層基板104的外緣部,經(jīng)由在中介層基板104上形 成的電鍍短線導(dǎo)體145以及連接布線導(dǎo)體142,與各連接端子141通電。電鍍短線導(dǎo)體145 的一端經(jīng)由通孔導(dǎo)體14與連接布線導(dǎo)體142連接,另一端為開(kāi)放端,在中介層基板104的 外緣部形成了開(kāi)放端部。在上述通電后,電鍍短線導(dǎo)體145的另一端以開(kāi)放的狀態(tài)保留下 來(lái)。并且,各連接布線導(dǎo)體142以及各電鍍短線導(dǎo)體145分別在中介層基板104的表面上 通過(guò)電鍍處理而形成。通過(guò)如上所述的構(gòu)成,在半導(dǎo)體元件102的各端子121和母基板的各電極焊盤(pán)310 之間,經(jīng)由引線151、連接端子141、連接布線導(dǎo)體142、通孔導(dǎo)體144、電極焊盤(pán)171以及焊 球210,收發(fā)高頻數(shù)字信號(hào)。并且,在中介層基板104中,相互電連接的連接布線導(dǎo)體142和 通孔導(dǎo)體144和電鍍短線導(dǎo)體145的各個(gè)組,構(gòu)成用于在半導(dǎo)體元件102的端子121和母 基板300的電極焊盤(pán)310之間收發(fā)高頻數(shù)字信號(hào)的信號(hào)線。接下來(lái)說(shuō)明使用分別包括多個(gè)連接布線導(dǎo)體142中的2個(gè)連接布線導(dǎo)體142A以 及142B的1對(duì)信號(hào)線(第1以及第2信號(hào)線),來(lái)差動(dòng)傳輸作為高頻數(shù)字信號(hào)的1對(duì)差動(dòng) 信號(hào)時(shí)的操作。如圖2所示,連接布線導(dǎo)體142A的一端與多個(gè)連接端子141中的1個(gè)連接 端子141A連接,另一端與多個(gè)通孔導(dǎo)體144中的1個(gè)通孔導(dǎo)體144A的一端連接。而且,連 接端子141A使用多條引線151中的1條引線141A,與半導(dǎo)體元件102的多個(gè)端子121中的 1個(gè)端子121A連接。另外,通孔導(dǎo)體144A的另一端經(jīng)由1個(gè)電極焊盤(pán)171,與焊球171連 接。與連接布線導(dǎo)體142A同樣,連接布線導(dǎo)體142B的一端與多個(gè)連接端子141中的一個(gè)連 接端子141B連接,另一端與多個(gè)通孔導(dǎo)體144中的1個(gè)通孔導(dǎo)體144B的一端連接。而且, 連接端子141B使用多條引線151中的1條引線141B,與半導(dǎo)體元件102的多個(gè)端子121中 的1個(gè)端子121B連接。另外,通孔導(dǎo)體144B的另一端經(jīng)由1個(gè)電極焊盤(pán)171,與焊球171 連接。并且,端子121A以及121B構(gòu)成差動(dòng)對(duì)端子。在此,如圖4所示,電鍍短線導(dǎo)體145A形成為與連接布線導(dǎo)體142A具有同一寬度 的直線的形狀。電鍍短線導(dǎo)體145A和接地導(dǎo)體162將絕緣層164夾在中間而彼此相對(duì)置, 形成具有電容值Ca的電容器160A。另外,電鍍短線導(dǎo)體145B形成為與連接布線導(dǎo)體142B 具有同樣寬度的蛇行形狀(彎折形狀)。電鍍短線導(dǎo)體145B和接地導(dǎo)體162將絕緣層164 夾在中間彼此相對(duì)置,形成具有電容值Cb的電容器160B。如圖3所示,在高頻數(shù)字信號(hào)的傳輸時(shí),連接布線導(dǎo)體142B連接于連接端子141B 和通孔導(dǎo)體144B之間,并且,作為具有電感Ll的電感器發(fā)揮作用。另外,電極焊盤(pán)171、焊 球210以及電極焊盤(pán)310作為與通孔導(dǎo)體144B連接的、具有電感L2的電感器發(fā)揮作用。而 且,在高頻數(shù)字信號(hào)傳輸時(shí),電鍍短線導(dǎo)體145B作為開(kāi)路短線導(dǎo)體發(fā)揮作用。電鍍短線導(dǎo) 體145B和接地導(dǎo)體162相對(duì)置,形成具有電容值Cb的電容器160B,電容器160B根據(jù)電容 值Cb將經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142B收發(fā)的高頻數(shù)字信號(hào)延遲。在此,電鍍短線導(dǎo)體145B中的與接地導(dǎo)體162相對(duì)置的部分的面積越大,電容值Cb變得越大,該面積取決于電鍍短線導(dǎo) 體145B的長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度(即,蛇行的形狀)。同樣,電鍍短線導(dǎo)體145A和接地導(dǎo)體162彼此相對(duì)置,而形成具有電容值Ca的電 容器160A,電容器I60A根據(jù)電容值Cb將經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A收發(fā)的信號(hào)延遲。在此, 電鍍短線導(dǎo)體145A上的與接地導(dǎo)體162相對(duì)置的部分的面積越大,電容值Ca就變得越大。在本實(shí)施方式中,當(dāng)經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第1信號(hào)線以及包括連接布線 導(dǎo)體142B的第2信號(hào)線,從半導(dǎo)體元件102向母基板300發(fā)送1對(duì)差動(dòng)信號(hào)的情況下,電 容器160B的電容值Cb被調(diào)整為在與通孔導(dǎo)體144A以及144B分別連接的母基板300的 1對(duì)電極焊盤(pán)310上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上成為180度。另外,在從母基 板300向半導(dǎo)體元件102發(fā)送1對(duì)差動(dòng)信號(hào)的情況下,電容器160B的電容值Cb被調(diào)整為 在半導(dǎo)體元件102的1對(duì)端子121A以及121B上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上 成為180度。圖5是表示當(dāng)從圖1的半導(dǎo)體元件102,經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第1信號(hào) 線以及包括連接布線導(dǎo)體142B的第2信號(hào)線,向母基板300發(fā)送1對(duì)差動(dòng)信號(hào)時(shí),從端子 121A以及121B分別輸出的發(fā)送信號(hào)Pt以及Nt的時(shí)序圖。另外,圖6是表示圖5的發(fā)送 信號(hào)Pt以及Rt在母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310上被接收時(shí)的接收信號(hào)Pr以及Nr的時(shí) 序圖。在圖5中,發(fā)送信號(hào)Pt以及Nt具有周期T,構(gòu)成1對(duì)差動(dòng)信號(hào)。如圖5所示,在差 動(dòng)傳輸中,利用彼此具有180度的相位差的發(fā)送信號(hào)Pt以及Nt的電位差(P-N),發(fā)送“1” 或“0”的數(shù)據(jù)。例如,在圖5中,當(dāng)發(fā)送具有數(shù)據(jù)值“0”的數(shù)據(jù)Dl以及D3時(shí),電位差(P-N) 被設(shè)定為負(fù)值;當(dāng)發(fā)送具有數(shù)值“1”的數(shù)據(jù)D2以及D4時(shí),電位差(P-N)被設(shè)定為正值。另 外,如圖6所示,在本實(shí)施方式中,圖5的發(fā)送信號(hào)Pt以及Rt在母基板300的1對(duì)電極焊 盤(pán)310上被接收時(shí)的接收信號(hào)Pr以及Nr的相位差被調(diào)整為實(shí)質(zhì)上成為180度,因此,與現(xiàn) 有技術(shù)相比,能夠正確傳輸數(shù)據(jù)Dl D4。接下來(lái)說(shuō)明利用分別包括多個(gè)連接布線導(dǎo)體142中的2個(gè)連接布線導(dǎo)體142A以 及142B的1對(duì)信號(hào)線(第3以及第4信號(hào)線),將作為高頻數(shù)字信號(hào)的1對(duì)傳輸信號(hào)進(jìn)行 單端傳輸?shù)那闆r下的操作。在本實(shí)施方式中,當(dāng)經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第3信號(hào)線 以及包括連接布線導(dǎo)體142B的第4信號(hào)線,從半導(dǎo)體元件102向母基板300發(fā)送1對(duì)傳輸 信號(hào)的情況下,電容器160B的電容值Cb被調(diào)整為在與通孔導(dǎo)體144A以及144B分別連 接的母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上成為0度。 另外,在從母基板300向半導(dǎo)體元件102發(fā)送1對(duì)傳輸信號(hào)的情況下,電容器160B的電容 值Cb被調(diào)整為在半導(dǎo)體元件102的1對(duì)端子121A以及121B上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間 的相位差實(shí)質(zhì)上成為0度。圖7是表示當(dāng)從圖1的半導(dǎo)體元件102,經(jīng)由包括連接布線導(dǎo)體142A的第3信號(hào) 線以及包括連接布線導(dǎo)體142B的第4信號(hào)線,向母基板300發(fā)送1對(duì)傳輸信號(hào)時(shí),從端子 121A以及121B分別輸出的發(fā)送信號(hào)Ptl以及Ntl的時(shí)序圖。另外,圖8是表示圖7的發(fā)送 信號(hào)Ptl以及Rtl在母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310上被接收時(shí)的接收信號(hào)Prl以及Nrl 的時(shí)序圖。在圖7中,發(fā)送信號(hào)Ptl以及Ntl具有周期T,構(gòu)成彼此同相位的1對(duì)傳輸信號(hào)。 另外,如圖8所示,在本實(shí)施方式中,圖7的發(fā)送信號(hào)Ptl以及Rtl在母基板300的1對(duì)電 極焊盤(pán)310上被接收時(shí)的接收信號(hào)Prl以及Nrl的相位差被調(diào)整為實(shí)質(zhì)上成為0度,因此,在母基板300上將接收信號(hào)Prl以及Nrl彼此聯(lián)系起來(lái)處理時(shí)的處理與現(xiàn)有技術(shù)相比,能 提高精度。接下來(lái),對(duì)本實(shí)施方式的中介層基板104所發(fā)揮的效果進(jìn)行說(shuō)明。在利用分別包 括連接布線導(dǎo)體142A以及142B的第1以及第2信號(hào)線進(jìn)行差動(dòng)傳輸?shù)那闆r下,在連接布 線導(dǎo)體142A以及142B的各一端,輸入彼此具有180度的相位差的差動(dòng)信號(hào)。但是,如上所 述,以往,由于連接布線導(dǎo)體142A以及142B的長(zhǎng)度以及電阻的不同的原因,從連接布線導(dǎo) 體142A以及142B的各另一端輸出的差動(dòng)信號(hào)之間的相位差會(huì)從180度偏離。例如,發(fā)明 人基于母基板300以及半導(dǎo)體裝置100的設(shè)計(jì)CAD數(shù)據(jù)等,對(duì)根據(jù)模擬所接收的差動(dòng)信號(hào) 之間的傳輸時(shí)間差進(jìn)行計(jì)算后,獲得了以下結(jié)果。當(dāng)在100 μ m厚的環(huán)氧玻璃基板上形成了 布線寬度50 μ m的微細(xì)帶狀布線,并傳輸2GHz的高頻差動(dòng)信號(hào)的情況下,傳輸路徑長(zhǎng)度的 差為2mm時(shí),傳輸時(shí)間差大約為0. 75微微秒。在該情況下,在差動(dòng)信號(hào)之間,相位差從180 度大約偏離10%。如上所述,2GHz的高頻差動(dòng)信號(hào)中,存在以下問(wèn)題,即從相位差180度 的偏離量相對(duì)于差動(dòng)信號(hào)的周期,變成大得不可忽視,而不能正確地差動(dòng)傳輸數(shù)據(jù)。為了解決上述課題,可以考慮將信號(hào)布線142A以及142B的長(zhǎng)度設(shè)置成彼此相等。 但是,變更連接布線導(dǎo)體142的設(shè)計(jì)也會(huì)對(duì)其他布線等的設(shè)計(jì)帶來(lái)影響。另外,半導(dǎo)體元件 102由系統(tǒng)LSI等構(gòu)成,高度復(fù)雜,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有端子120的數(shù)量也增加的傾向(多 端子化)。而且,為了實(shí)現(xiàn)中介層基板104的小型化以及節(jié)省空間,各連接布線導(dǎo)體142的 長(zhǎng)度或通孔導(dǎo)體144的位置的自由度非常小。因此,將各連接布線導(dǎo)體142的長(zhǎng)度或通孔 導(dǎo)體144的位置設(shè)計(jì)成經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142傳輸?shù)母餍盘?hào)的傳遞路徑長(zhǎng)度都一致,實(shí)際 上是極為困難的。另一方面,本實(shí)施方式的中介層基板104與圖19所示的現(xiàn)有技術(shù)的中介層基板 104P相比,是將具有與連接布線導(dǎo)體142B相同寬度的直線形狀的電鍍短線導(dǎo)體145P置換 為具有彎折形狀的電鍍短線導(dǎo)體145B,由接地導(dǎo)體162和電鍍短線導(dǎo)體145B形成電容器 160B的基板。而且,電容器160B的電容值Cb被調(diào)整為在半導(dǎo)體元件102的1對(duì)端子121A 以及121B上,或在與通孔導(dǎo)體144A以及144B分別連接的母基板300的1對(duì)電極焊盤(pán)310 上,所接收的1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上成為180度。包括電鍍短線導(dǎo)體145A以及145B的電鍍短線導(dǎo)體145,對(duì)于半導(dǎo)體元件102和 母基板300之間的信號(hào)傳輸沒(méi)有直接的貢獻(xiàn)。另外,如圖2所示,在保留著在通孔導(dǎo)體144 的外側(cè)形成的電鍍短線導(dǎo)體145的中介層基板104的外緣附近部分,與半導(dǎo)體元件102的 附近相比,布線密度小,所以設(shè)計(jì)上的自由度很大。另外,以往以來(lái),在中介層基板104的內(nèi) 部,作為用于設(shè)定電位的標(biāo)準(zhǔn)值的構(gòu)成要素,設(shè)有與母基板300的接地布線330連接的接地 導(dǎo)體162。因此,如本實(shí)施方式所述,在接地導(dǎo)體162和電鍍短線導(dǎo)體145A之間形成電容 器160A,在接地導(dǎo)體162和電鍍短線導(dǎo)體145B之間形成電容器160B對(duì)以往的中介層基板 104P上的其他布線等的設(shè)計(jì)產(chǎn)生的影響比較小。因此,與使連接布線導(dǎo)體142的長(zhǎng)度一致 等其他方法相比,可以比較容易地調(diào)整向半導(dǎo)體裝置100A輸入輸出的信號(hào)的相位。另外, 電鍍短線導(dǎo)體145是通過(guò)鍍貴金屬處理而形成的,因此,其長(zhǎng)度或面積能比較易于調(diào)整。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,可以在不對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的中介層基板104P的連接布線導(dǎo)體 142等的布線設(shè)計(jì)產(chǎn)生影響的情況下,與現(xiàn)有技術(shù)相比高精度地傳輸高頻數(shù)字信號(hào)。并且,優(yōu)選將電鍍短線導(dǎo)體145B的寬度設(shè)為與連接布線導(dǎo)體142B的寬度相同,并且將電鍍短線導(dǎo)體145B的特性阻抗設(shè)為與連接布線導(dǎo)體142B的特性阻抗相同。由此,在 鍍貴金屬處理時(shí),在電鍍短線導(dǎo)體145B和連接布線導(dǎo)體142B上的蝕刻速度不變。另外,可以將電鍍短線導(dǎo)體145A形成與電鍍短線導(dǎo)體145B同樣的彎折形狀。(第2實(shí)施方式)圖9是包括本發(fā)明的第2實(shí)施方式的中介層基板104A的電鍍短線導(dǎo)體145A以及 145B-1的放大圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相比,其特征在于形成了具有將直線彎曲后 的形狀的電鍍短線導(dǎo)體145B來(lái)代替具有彎折形狀的電鍍短線導(dǎo)體145B。在圖9中,電鍍短 線導(dǎo)體145B-1和接地導(dǎo)體162將絕緣層164夾在中間彼此相對(duì)置,而形成電容器160B-1。根據(jù)本實(shí)施方式,與形成具有彎曲形狀的電鍍短線導(dǎo)體145B的情況相比,可有 效利用中介層基板104A的表面空間,能形成比電鍍短線導(dǎo)體145B還長(zhǎng)的電鍍短線導(dǎo)體 145B-1。因此,與第1實(shí)施方式相比,可增大電容器160B-1的電容值,并可增大經(jīng)由連接布 線導(dǎo)體142B傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。并且,也能以與電鍍短線導(dǎo)體145B-1相同的將直線彎曲后的形狀,形成電鍍短線 導(dǎo)體145A。(第3實(shí)施方式)圖10是包括本發(fā)明的第3實(shí)施方式的中介層基板104B的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-1以及接地導(dǎo)體162A的放大圖。本實(shí)施方式與第2實(shí)施方式相比,其特征在于在 中介層基板104B的表面上形成了梳子形狀的接地導(dǎo)體162A。在圖10中,電鍍短線導(dǎo)體 145B-1和接地導(dǎo)體162A彼此相對(duì)置而形成電容器160B-2。通過(guò)增大電鍍短線導(dǎo)體145B-1 的長(zhǎng)度以及接地導(dǎo)體162A的面積,可增大電容器160B-2的電容值,并增大經(jīng)由連接布線導(dǎo) 體142B傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。(第4實(shí)施方式)圖11是包括本發(fā)明的第4實(shí)施方式的中介層基板104C的電鍍短線導(dǎo)體145A-1 和145B-2的放大圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相比,具有以下的不同點(diǎn)(a)形成了具有比連接布線導(dǎo)體142A的寬度Wa大的寬度Wsa的直線形狀的電鍍 短線導(dǎo)體145A-1,而不是電鍍短線導(dǎo)體145A。(b)形成了具有與連接布線導(dǎo)體142B的寬度Wb相同寬度Wsb的直線形狀的電鍍 短線導(dǎo)體145B-2,而不是電鍍短線導(dǎo)體145B。在圖11中,電鍍短線導(dǎo)體145A-1和接地導(dǎo)體162中間夾有絕緣層164而彼此相 對(duì)置,形成電容器160A-1 ;電鍍短線導(dǎo)體145B-2和接地導(dǎo)體162中間夾有絕緣層164而彼 此相對(duì)置,形成電容器160B-3。通過(guò)增大電鍍短線導(dǎo)體145A-1的寬度,可增大電鍍短線導(dǎo) 體145A-1的面積,并增大電容器160A-1的電容值。由此,可增大經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A 傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。并且,電鍍短線導(dǎo)體145A-1以及145B-2中的至少1個(gè)可以具有彎折形狀或?qū)⒅?線彎曲后的形狀。(第5實(shí)施方式)圖12是包括本發(fā)明的第5實(shí)施方式的中介層基板104D的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及帶狀導(dǎo)體145A-2的放大圖。本實(shí)施方式與第4實(shí)施方式相比,其特征在于形 成了一端與第1實(shí)施方式的電鍍短線導(dǎo)體145A以及通孔導(dǎo)體144A連接、另一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo)體145A-2,而不是電鍍短線導(dǎo)體145A-1。電鍍短線導(dǎo)體145A以及145A-2與接地 導(dǎo)體162相對(duì)置。在圖12中,帶狀導(dǎo)體145A-2作為開(kāi)路短線導(dǎo)體發(fā)揮作用,電鍍短線導(dǎo)體 145A和帶狀導(dǎo)體145A-2以及接地導(dǎo)體162彼此相對(duì)置而形成電容器160A-2。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)進(jìn)一步將帶狀導(dǎo)體145A-2與通孔導(dǎo)體144A連接,可擴(kuò)大經(jīng) 由通孔導(dǎo)體144A與連接布線導(dǎo)體142A連接的開(kāi)路短線導(dǎo)體的面積,并增大電容器160A-2 的電容值。由此,可增大經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。并且,在本實(shí)施方式中,雖然將1個(gè)帶狀導(dǎo)體145A-2與通孔導(dǎo)體144A連接,但是, 本發(fā)明不局限于此,也可以形成一端與通孔導(dǎo)體144A連接,另一端為開(kāi)放端的多個(gè)帶狀導(dǎo) 體。另外,也可以形成一端與通孔導(dǎo)體144B連接,另一端為開(kāi)放端的至少1個(gè)帶狀導(dǎo)體。而 且,電鍍短線導(dǎo)體145A、145B-2以及帶狀導(dǎo)體145-2的形狀可以是彎折形狀或?qū)⒅本€彎曲 的形狀。另外,電鍍短線導(dǎo)體145A、145B-2以及帶狀導(dǎo)體145-2的寬度可以彼此不同。(第6實(shí)施方式)圖13是包括本發(fā)明的第6實(shí)施方式的中介層基板104E的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2、帶狀導(dǎo)體145A-2以及接地導(dǎo)體162B的放大圖。本實(shí)施方式與第5實(shí)施方式相比, 其特征為在中介層基板104E的表面上,在電鍍短線導(dǎo)體145A和帶狀導(dǎo)體145A-2之間,形 成了長(zhǎng)方形的接地導(dǎo)體162B。在圖13中,電鍍短線導(dǎo)體145A以及帶狀導(dǎo)體145A-2和接地 導(dǎo)體162B彼此相對(duì)置而形成電容器160A-3。通過(guò)增大接地導(dǎo)體162B的面積,可以增大電 容器160A-3的電容值,并增大通過(guò)連接布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。(第7實(shí)施方式)圖14是包括本發(fā)明的第7實(shí)施方式的中介層基板104F的電鍍短線導(dǎo)體145A-3 以及145B的放大圖。本實(shí)施方式與第4實(shí)施方式相比,其特征為形成了具有分支形狀的 電鍍短線導(dǎo)體145A-3,而不是電鍍短線導(dǎo)體145A-1。在圖14中,電鍍短線導(dǎo)體145A-3以 及接地導(dǎo)體162彼此相對(duì)置而形成電容器160A-4。通過(guò)將電鍍短線導(dǎo)體145A-3形成分支 形狀,可增大電鍍短線導(dǎo)體145A-3的面積,增大電容器160A-4的電容值,并增大經(jīng)由連接 布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。并且,能以分支形狀、彎折形狀或?qū)⒅本€彎曲后的形狀形成電鍍短線導(dǎo)體145B-2。 另外,電鍍短線導(dǎo)體145A-3以及145B-2的寬度可以彼此不同。而且,可以將圖12的帶狀 導(dǎo)體145A-2與通孔導(dǎo)體144A連接。另外,也可以在中介層基板104F的表面上形成一端與 接地導(dǎo)體162相對(duì)置,并與通孔導(dǎo)體144B連接,而另一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo)體。(第8實(shí)施方式)圖15是包括本發(fā)明的第8實(shí)施方式的中介層基板104G的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及具有切口部162h的接地導(dǎo)體162的放大圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相比, 其特征在于形成了第4實(shí)施方式的電鍍短線導(dǎo)體145B-2代替電鍍短線導(dǎo)體145B,并在接 地導(dǎo)體162中與電鍍短線導(dǎo)體145B-2相對(duì)置的部分的一部分上設(shè)置了切口部162h。在圖 15中,電鍍短線導(dǎo)體145B-2和接地導(dǎo)體162上與電鍍短線導(dǎo)體145B-2相對(duì)置的部分之間 夾有絕緣層164,而形成電容器160B-4。根據(jù)本實(shí)施方式,通過(guò)增大切口部162h,可減小電 容器160B-4的電容值,并減小經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。并且,可以在整個(gè)與接地導(dǎo)體162的電鍍短線導(dǎo)體145B-2相對(duì)置的部分上形成 切162h。在這種情況下,不形成電容器160B-4,而只形成電容器160A。另外,電鍍短線導(dǎo)體145A以及145B-2的形狀不局限于圖15所示的形狀,也可以是與上述第1、第2、第4、第 5或第7實(shí)施方式相同的形狀。(第9實(shí)施方式)圖16是包括本發(fā)明的第9實(shí)施方式的中介層基板104H的電鍍短線導(dǎo)體145A以 及145B-3的放大圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相比,其特征在于形成了電鍍短線導(dǎo)體 145B-3來(lái)代替電鍍短線導(dǎo)體145B。電鍍短線導(dǎo)體145B-3是通過(guò)將用于連接端子141B的 鍍貴金屬處理時(shí)的電鍍短線導(dǎo)體145B-2(參照?qǐng)D11)的開(kāi)放端一側(cè)的一部分除去而形成 的。在圖16中,電鍍短線導(dǎo)體145B-3和接地導(dǎo)體162之間夾有絕緣層164而彼此相對(duì)置, 形成電容器160B-5。通過(guò)增大從用于鍍貴金屬處理時(shí)的電鍍短線導(dǎo)體145B-2中除去的部 分,可減小電容器160B-5的電容值,并減小經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的延遲量。(第10實(shí)施方式)圖17是包括本發(fā)明的第10實(shí)施方式的中介層基板1041的電鍍短線導(dǎo)體145A和 145B-2以及接地導(dǎo)體162C的放大圖。本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式相比,形成了第4實(shí)施方 式的電鍍短線導(dǎo)體145B-2來(lái)代替電鍍短線導(dǎo)體145B,并且在中介層基板1041的表面上, 在電鍍短線導(dǎo)體145B-2的附近形成了具有長(zhǎng)方形的形狀的接地導(dǎo)體162C。在圖17中,電 鍍短線導(dǎo)體145B-2和接地導(dǎo)體162C彼此相對(duì)置,形成電容器160B-6。通過(guò)加長(zhǎng)接地導(dǎo)體 162C的長(zhǎng)度,可增大電容器160B-6的電容值,并增大經(jīng)由連接布線導(dǎo)體142A傳輸?shù)男盘?hào)的 延遲量。(第11實(shí)施方式)圖18是本發(fā)明的第14實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100A的剖視圖(沿著圖2的線A-B 的剖視圖)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100A與第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100相比,其特 征在于還具有在中介層基板104的背面形成的多個(gè)焊球210。本實(shí)施方式具有和第1實(shí) 施方式同樣的效果。在上述各實(shí)施方式中,利用包括連接布線導(dǎo)體142A的信號(hào)線以及包括連接布線 導(dǎo)體142B的信號(hào)線,將高頻數(shù)字信號(hào)差動(dòng)傳輸或單端傳輸。但是,本發(fā)明不局限于此,也可 以通過(guò)分別包括連接布線導(dǎo)體142、通孔導(dǎo)體144和電鍍短線導(dǎo)體145的3條以上的多條信 號(hào)線,在半導(dǎo)體元件102的3個(gè)以上的多個(gè)端子121和母基板300的3個(gè)以上的多個(gè)電極 焊盤(pán)310之間,傳輸3個(gè)以上的多個(gè)信號(hào)。這種情況下,在將單端傳輸?shù)母餍盘?hào)彼此相關(guān)聯(lián) 地處理的等情況下,有時(shí)該各信號(hào)之間的相位的偏離成為噪聲的原因。此時(shí),只要以在包括 各連接布線導(dǎo)體142的各信號(hào)線(參照?qǐng)D3)的一端,上述各信號(hào)的相位彼此具有規(guī)定的關(guān) 系的方式,調(diào)節(jié)利用與各連接布線導(dǎo)體142連接的各電鍍短線導(dǎo)體145而形成的電容器的 電容值即可。具體而言,以上述各信號(hào)線的一端的發(fā)送信號(hào)的相位的關(guān)系與上述各信號(hào)線 的另一端的接收信號(hào)的相位的關(guān)系變?yōu)橄嗤姆绞?,調(diào)節(jié)上述各電容器的范圍即可。具體 而言,使用在上述第1 第10的實(shí)施方式中說(shuō)明的電容器160A、160A-1 160A_4、160B以 及160B-1 160B-6中的至少1個(gè),調(diào)節(jié)利用與各連接布線導(dǎo)體142連接的各電鍍短線導(dǎo) 體145而形成的電容器的電容值即可。在上述各實(shí)施方式中,在各中介層基板140、140A 1401的制造之后,可以除去 電鍍短線導(dǎo)體145的一部分,來(lái)調(diào)整電容器160A、160A-1 160A_4、160B以及160B-1 160B-6的電容值。例如,在第1實(shí)施方式中,進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)在中介層基板104上搭載半導(dǎo)體元件102,封裝之后,經(jīng)由中介層基板104的連接布線導(dǎo)體142A以及142B,向半導(dǎo)體元件 102差動(dòng)傳輸1對(duì)差動(dòng)信號(hào)。然后,測(cè)量被傳輸?shù)牟顒?dòng)信號(hào)之間的相位差,確定電容器160A 的電容值Ca以及電容器160B的電容值Cb,以使該相位差實(shí)質(zhì)上為180度。并且,根據(jù)所確 定的電容值Ca以及Cb,除去電鍍短線導(dǎo)體145A或145B的一部分。(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)如以上所詳細(xì)說(shuō)明的那樣,根據(jù)本發(fā)明的中介層基板以及具有該中介層基板的半 導(dǎo)體裝置,經(jīng)由在上述中介層基板上形成的多個(gè)信號(hào)線,在上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子和 上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)之間傳輸多個(gè)信號(hào),上述各信號(hào)線具有在上述中介層基板的 表面上形成、且一端與上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子中的1個(gè)電連接的連接布線導(dǎo)體;一端 與上述連接布線導(dǎo)體的另一端連接,另外一端與上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)中的1個(gè)電連 接的通孔導(dǎo)體;和在上述中介層基板的表面上形成、且一端與上述通孔導(dǎo)體的一端連接而 另外一端為開(kāi)放端的帶狀導(dǎo)體,上述各帶狀導(dǎo)體以及上述接地導(dǎo)體以至少1個(gè)上述帶狀導(dǎo) 體和上述接地導(dǎo)體彼此相對(duì)置而形成至少1個(gè)電容器的方式形成,上述各電容器的電容值 被調(diào)整為經(jīng)由上述各信號(hào)線傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位在上述各信號(hào)線的一端彼此具有規(guī)定的 關(guān)系。因此,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,能夠以高精度傳輸高頻信號(hào)。
權(quán)利要求
一種中介層基板,其用于半導(dǎo)體裝置,該半導(dǎo)體裝置具有在半導(dǎo)體元件與具有多個(gè)電極焊盤(pán)的母基板之間設(shè)置、并且具有接地導(dǎo)體的中介層基板,其中,所述半導(dǎo)體元件安裝于中介層基板的表面、且具有多個(gè)端子,所述中介層基板的特征為經(jīng)由在上述中介層基板上形成的多個(gè)信號(hào)線,在上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子和上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)之間傳輸多個(gè)信號(hào),上述各信號(hào)線具有連接布線導(dǎo)體,其在上述中介層基板的表面上形成,且其一端與上述半導(dǎo)體元件的多個(gè)端子中的1個(gè)電連接;通孔導(dǎo)體,其一端與上述連接布線導(dǎo)體的另一端連接,其另外一端與上述母基板的多個(gè)電極焊盤(pán)中的1個(gè)電連接;和帶狀導(dǎo)體,其在上述中介層基板的表面上形成,且其一端與上述通孔導(dǎo)體的一端連接,其另外一端為開(kāi)放端,上述各帶狀導(dǎo)體以及上述接地導(dǎo)體,以至少1個(gè)上述帶狀導(dǎo)體和上述接地導(dǎo)體彼此相對(duì)置而形成至少1個(gè)電容器的方式形成,上述各電容器的電容值被調(diào)整為經(jīng)由上述各信號(hào)線傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位在上述各信號(hào)線的一端彼此具有規(guī)定的關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層基板,其特征為 上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)具有蛇行的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中介層基板,其特征為 上述蛇行的形狀是將直線彎曲后的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介層基板,其特征為上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)的寬度比其他帶狀導(dǎo)體的寬度大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為上述信號(hào)線中的至少1個(gè)還具有在上述中介層基板的表面上與上述接地導(dǎo)體相對(duì)置 而形成,且具有一端與上述通孔導(dǎo)體的一端連接而另外一端為開(kāi)放端的至少1個(gè)其他的帶 狀導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為 上述帶狀導(dǎo)體中的至少1個(gè)具有分支形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為 上述接地導(dǎo)體與上述各帶狀導(dǎo)體的至少一部分相對(duì)置而形成上述各電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為 上述接地導(dǎo)體形成于上述中介層基板的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為 上述多個(gè)信號(hào)線包括用于傳輸1對(duì)差動(dòng)信號(hào)的第1以及第2信號(hào)線,由上述第1信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第1電容器的電容值和由上述第 2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第2電容器的電容值被調(diào)整為在與上述第1 以及第2信號(hào)線連接的上述半導(dǎo)體元件的1對(duì)端子上、或在與上述第1以及第2信號(hào)線連 接的上述母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)上,上述1對(duì)差動(dòng)信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上成為180度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中介層基板,其特征為上述第1信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體的寬度和上述第2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體的寬度彼此不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的中介層基板,其特征為只有上述第1以及第2信號(hào)線中的一方的信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體在與上述接地導(dǎo)體之間形 成上述電容器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為上述多個(gè)信號(hào)線包括用于傳輸1對(duì)傳輸信號(hào)的第3以及第4信號(hào)線,由上述第2信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第3電容器的電容值和由上述第 4信號(hào)線的帶狀導(dǎo)體與上述接地導(dǎo)體形成的第4電容器的電容值被調(diào)整為在與上述第3 以及第4信號(hào)線連接的上述半導(dǎo)體元件的1對(duì)端子上、或在與上述第3以及第4信號(hào)線連 接的上述母基板的1對(duì)電極焊盤(pán)上,上述1對(duì)傳輸信號(hào)之間的相位差實(shí)質(zhì)上成為O度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的中介層基板,其特征為上述各連接布線導(dǎo)體以及上述各帶狀導(dǎo)體分別在上述中介層基板的表面上通過(guò)電鍍 處理而形成。
14.一種半導(dǎo)體裝置,其特征為具有權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的中介層基板;和安裝在上述中介層基板上的上述半導(dǎo)體元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置,其特征為還包括在上述中介層基板的背面形成、且將上述各通孔導(dǎo)體的另外一端與上述外部基 板的各電極焊盤(pán)電連接的多個(gè)焊球。
全文摘要
本發(fā)明提供一種中介層基板以及半導(dǎo)體裝置。在中介層基板(104)中,電鍍短線導(dǎo)體(145A)和接地導(dǎo)體(162)形成電容器(160A);電鍍短線導(dǎo)體(145B)和接地導(dǎo)體(162)形成電容器(160B)。電容器(160A)以及(160B)的各電容值被調(diào)整為利用包括連接布線導(dǎo)體(142A)的信號(hào)線以及包括連接布線導(dǎo)體(142B)的信號(hào)線進(jìn)行差動(dòng)傳輸?shù)母餍盘?hào)的相位差成為180度。
文檔編號(hào)H01L23/12GK101889341SQ20098010128
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月8日
發(fā)明者山田徹, 嶺岸瞳, 瓜生一英 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社