專利名稱：壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，該壓電/電致伸縮膜型元件具
有設(shè)置有空腔的基板和，在該基板的第1主面上與該空腔的平面位置相對應(yīng)而設(shè)置的將電 極膜與壓電/電致伸縮膜層疊而成的振動層疊體。
背景技術(shù)：
圖42的剖視圖是說明壓電/電致伸縮膜型元件的現(xiàn)有制造方法的模式圖，該壓電 /電致伸縮膜型元件是構(gòu)成噴墨打印機的噴嘴所使用的噴墨用壓電/電致伸縮執(zhí)行器的主 要部件。 在現(xiàn)有制造方法中，首先，如圖42(a)所示，在設(shè)置有作為油墨加壓室的空腔926 的基板902的表面上，絲網(wǎng)印刷有導(dǎo)電材料的糊劑，將所得的涂覆膜燒成得到下部電極膜 912。其后，如圖42(b)所示，重疊于下部電極膜912之上，絲網(wǎng)印刷壓電/電致伸縮材料的 糊劑，將所得的涂覆膜燒成得到壓電/電致伸縮體膜914。繼此后，如圖42(c)所示，重疊于 壓電/電致伸縮體膜914之上，絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電材料的糊劑，將所得的涂覆膜燒成得到上部電 極膜916。 此外，專利文獻l中，公開了噴墨打印機的噴嘴所使用的噴墨用壓電/電致伸縮執(zhí) 行器的制造方法 專利文獻1 :日本專利第3999044號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，現(xiàn)有的制造方法存在如下問題由于基板或絲網(wǎng)版的尺寸的不均一或變形 引起的下部電極膜、壓電/電致伸縮體膜以及上部電極膜的全體或部分的平面位置與空腔 的平面位置偏離，從而使得壓電/電致伸縮執(zhí)行器的油墨噴出量不均一。這一問題，不僅存 在于構(gòu)成壓電/電致伸縮執(zhí)行器的主要部件的壓電/電致伸縮型元件中，也同樣存在于具 有振動層疊體的壓電/電致伸縮型元件(該壓電/電致伸縮型元件具有設(shè)置有空腔的基板 以及在該基板的第1主面上與該空腔的平面位置相對應(yīng)而設(shè)置的將電極膜與壓電/電致 伸縮膜層疊而成的振動層疊體)中，例如，具有振動板(di即hragm)結(jié)構(gòu)的壓電薄膜諧振 器(FBAR;Film Bulk Acoustic Resonator)。而且，該問題在通過絲網(wǎng)印刷法形成構(gòu)成振 動層疊體的膜之外，例如，濺射沉積法、溶膠凝膠法、M0CVD(Metal0rganic Chemical V即or D印osition)法等形成的情況下也同樣產(chǎn)生。 本發(fā)明，是為了解決該問題而進行的，其目的在于提供一種壓電/電致伸縮膜型 元件的制造方法，該制造方法可以防止空腔的平面位置與構(gòu)成層疊電極膜和壓電/電致伸 縮膜而成的振動層疊體的膜的平面位置相偏離。 為了解決上述課題，第1發(fā)明為，壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，該壓電/ 電致伸縮膜型元件具有形成有空腔的基板、在上述基板的第1主面上與上述空腔的平面位 置相對應(yīng)而設(shè)置的層疊電極膜和壓電/電致伸縮膜而成的振動層疊體；該方法具有(a)在上述基板的第1主面形成第1感光膜的工序；(b)從上述基板的第2主面一側(cè)照射光，將轉(zhuǎn) 錄有上述空腔的平面形狀的潛影描畫于上述第1感光膜的工序；(c)通過顯影除去在形成 有上述空腔區(qū)域所形成的上述第1感光膜的工序；(d)在除去上述第1感光膜的區(qū)域形成 構(gòu)成上述振動層疊體的最下層的膜的工序；(e)將殘存于未形成上述空腔的區(qū)域的上述第 l感光膜除去的工序。 第2發(fā)明為，在第1發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，還具有(f)在 上述工序(b)之前向上述空腔填充遮光劑的工序；上述工序(b)對于在未形成上述空腔的 區(qū)域所形成的上述第1感光膜進行選擇性的曝光，上述工序(c)除去上述第1感光膜的未 曝光部分。 第3發(fā)明為，在第2發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，上述遮光劑含 有顏料。 第4發(fā)明為，在第1發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，上述工序(b) 對于在形成上述空腔的區(qū)域所形成的上述第1感光膜進行選擇性的曝光；上述工序(c)除 去上述第1感光膜的曝光部分。 第5發(fā)明為，在第4發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，還具有(g)在 上述工序(b)之前在上述基板的第2主面的未形成有上述空腔的區(qū)域形成遮光膜。
第6發(fā)明為，在第5發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，上述遮光膜含 有顏料。 第7發(fā)明為，在第l至第6的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中， 還具有(h)在上述工序(e)后在上述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成上述振動層疊體的任 意的壓電/電致伸縮膜之上形成第2感光膜的工序；(i)從上述基板的第2主面一側(cè)照射 光，對于在未形成有上述任意的壓電/電致伸縮膜區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝 光的工序；(j)除去上述第2感光膜的未曝光部分的工序；(k)在除去了上述第2感光膜的 區(qū)域形成構(gòu)成上述振動層疊體的電極膜的工序；(l)除去殘存于未形成有上述任意壓電/ 電致伸縮膜的區(qū)域的上述第2感光膜的工序。 第8發(fā)明為，在第l至第6的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中， 還具有(m)在上述工序(e)后在上述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成上述振動層疊體的任 意的電極膜之上形成第2感光膜的工序；(n)從上述基板的第2主面一側(cè)照射光，對于在未 形成有上述任意的電極膜區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的工序；(o)除去上述 第2感光膜的未曝光部分的工序；(p)在除去了上述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成上述振動 層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序；(q)除去殘存于未形成有上述任意電極膜的區(qū)域的上 述第2感光膜的工序。 第9發(fā)明為，在第l至第6的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，
還具有(r)在上述工序(e)后，通過向著構(gòu)成上述振動層疊體的任意電極膜使壓電/電致
伸縮材料電泳而形成構(gòu)成上述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序。 第IO發(fā)明為，在第1至第9的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，
還具有(s)在上述工序(c)之后上述工序(d)之前，在未形成有上述空腔的區(qū)域所殘存的
上述第1感光膜上覆蓋比上述第1感光膜的疏水性高的疏水膜的工序。 第11發(fā)明為，在第10發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，上述工序(S)具有(S-1)重疊于在未形成有上述空腔的區(qū)域所殘存的上述第1感光膜之上，在上述 基板的第1主面形成屏蔽膜的工序；(s-2)除去上述屏蔽膜直到露出上述在未形成有上述 空腔的區(qū)域所殘存的上述第1感光膜的工序；(s-3)重疊于在未形成有上述空腔的區(qū)域所 殘存的上述第1感光膜以及在形成有上述空腔的區(qū)域所殘存的上述屏蔽膜之上，在上述基 板的第1主面形成疏水膜的工序；(s-4)除去在形成有上述空腔的區(qū)域所殘存的上述疏水 膜以及在在形成有上述空腔的區(qū)域所形成的上述屏蔽膜的工序。 第12發(fā)明為，一種壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，該壓電/電致伸縮膜型 元件具有形成有空腔的基板、在上述基板的第1主面上對應(yīng)于上述空腔的平面位置而設(shè)置 的將電極膜和壓電/電致伸縮膜層疊而成的振動層疊體；該方法具有(a)在上述基板的第 1主面形成第1感光膜的工序；(b)從上述基板的第2主面一側(cè)照射光，將轉(zhuǎn)錄有上述空腔 的平面形狀的潛影描畫于上述第1感光膜的工序；(c)通過顯影除去在未形成有上述空腔 區(qū)域所形成的上述第1感光膜的工序；(d)重疊于在形成有上述空腔的區(qū)域所形成的上述 第1感光膜之上，在上述基板的第1主面形成疏水膜的工序；(e)除去在形成有上述空腔的 區(qū)域所殘存的上述第1感光膜以及在形成有上述空腔的區(qū)域所形成的上述疏水膜的工序； (f)在除去上述第1感光膜以及上述疏水膜的區(qū)域形成構(gòu)成上述振動層疊體的最下層的膜 的工序；(g)除去在未形成有上述空腔的區(qū)域所殘存的上述疏水膜的工序。
第13發(fā)明為，在第12發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，還具有(h) 在上述工序(b)之前向上述空腔填充遮光劑的工序；上述工序(b)對于在未形成上述空腔 的區(qū)域所形成的上述第1感光膜進行選擇性的曝光；上述工序(c)除去上述第1感光膜的 曝光部分。 第14發(fā)明為，在第13發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法中，上述遮光劑 含有顏料。 第15發(fā)明為，在第12至第14的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法 中，還具有(i)在上述工序(g)后在上述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成上述振動層疊體 的任意的壓電/電致伸縮膜之上，形成第2感光膜的工序；(j)從上述基板的第2主面一側(cè) 照射光，對于在未形成有上述任意的壓電/電致伸縮膜的區(qū)域所形成的第2感光膜進行選 擇性曝光的工序；(k)除去上述第2感光膜的未曝光部分的工序；(1)在除去了上述第2感 光膜的區(qū)域形成構(gòu)成上述振動層疊體的電極膜的工序；(m)除去殘存于未形成有上述任意 壓電/電致伸縮膜的區(qū)域的上述第2感光膜的工序。 第16發(fā)明為，在第12至第14的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法 中，還具有(n)在上述工序(g)后在上述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成上述振動層疊體 的任意的電極膜之上，形成第2感光膜的工序；(o)從上述基板的第2主面一側(cè)照射光，對 于在未形成有上述任意的電極膜區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的工序；(p)除 去上述第2感光膜的未曝光部分的工序；(q)在除去了上述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成上 述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序；(r)除去殘存于未形成有上述任意電極膜的區(qū) 域的上述第2感光膜的工序。 第17發(fā)明為，在第12至第14的任一發(fā)明的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法 中，還具有(s)在上述工序(g)后，通過向著構(gòu)成上述振動層疊體的任意電極膜使壓電/電 致伸縮材料電泳而形成構(gòu)成上述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序。
根據(jù)第1至第17發(fā)明，由于可以在形成空腔的區(qū)域形成最下層的膜，可以防止空
腔的平面位置與最下層的膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第3發(fā)明，可以提高圖案的解像度。 根據(jù)第5發(fā)明，由于可以增大形成有空腔的區(qū)域的光透過率與未形成有空腔的區(qū)
域的光透過率的差，可以提高圖案的解像度。 根據(jù)第6發(fā)明，可以進一步提高圖案的解像度。 根據(jù)第7發(fā)明，由于可以在形成有壓電/電致伸縮膜的區(qū)域形成電極膜，可以防止 壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第8發(fā)明，由于可以在形成有電極膜的區(qū)域形成壓電/電致伸縮膜，可以防止 壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第9發(fā)明，由于可以在包括形成有電極膜的區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域形成壓電/電致
伸縮膜，可以防止壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第IO發(fā)明，由于最下層的膜通過疏水膜而被彈開((S i;力> 扎3 )，抑制了最下
層膜的端部的翹起。 根據(jù)第12發(fā)明，由于可以在形成有空腔的區(qū)域形成最下層的膜，可以防止空腔的 平面位置與最下層膜的平面位置的偏離，此外，由于最下層的膜通過疏水膜而被彈開，抑制 了最下層膜的端部的翹起。 根據(jù)第14發(fā)明，可以提高圖案的解像度。 根據(jù)第15發(fā)明，由于可以在形成有壓電/電致伸縮膜的區(qū)域形成電極膜，可以防 止壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第16發(fā)明，由于可以在形成有電極膜的區(qū)域形成壓電/電致伸縮膜，可以防 止壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 根據(jù)第17發(fā)明，由于可以在包括形成有電極膜的區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域形成壓電/電致
伸縮膜，可以防止壓電/電致伸縮膜的平面位置與電極膜的平面位置的偏離。 通過下述詳細說明以及附圖，本發(fā)明的目的、特征、方面以及優(yōu)點變得更清晰。


E
造的壓電 E E E E E E E E E E
I 1為表示通過第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法所制 電致伸縮膜型元件的結(jié)構(gòu)的立體圖。
I 2為圖1中沿A-A的壓電/電致伸縮膜型元件的剖視圖。 I 3為圖1中沿B-B的壓電/電致伸縮膜型元件的剖視圖。
4為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 5為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 6為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 7為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 8為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 9為說明第1實施方式所涉及的壓電/ 10為說明第1實施方式所涉及的壓電 11為說明第1實施方式所涉及的壓電
電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 /電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 /電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。
8
圖12為說明第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 圖13為說明第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 圖14為說明第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法的圖。 圖15為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖16為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖17為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖18為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖19為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖20為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖21為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖22為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖23為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖24為第1實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖25為第2實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜的形成方法的說明圖。 圖26為第2實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜的形成方法的說明圖。 圖27為第2實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜的形成方法的說明圖。 圖28為第2實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜的形成方法的說明圖。 圖29為第2實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖30為第2實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖31為第2實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖32為第2實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖33為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖34為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖35為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖36為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖37為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖38為第3實施方式所涉及的抗蝕圖案的形成方法的說明圖。 圖39表示實施例1 3以及比較例1、2中的抗蝕圖案的形成條件以及所形成的
抗蝕圖案的評價結(jié)果的圖。 圖40為抗蝕圖案的評價方法的說明圖。 圖41表示實施例4中的抗蝕圖案的形成條件以及所形成的抗蝕圖案的評價結(jié)果 的圖。 圖42為說明壓電/電致伸縮膜型元件的現(xiàn)有制造方法的剖視圖。 圖43為抑制處理翹起的說明圖。 圖44為抑制處理翹起的說明圖。 圖45為抑制處理翹起的說明圖。 圖46為抑制處理翹起的說明圖。 圖47表示在下部電極的端部不存在翹起和存在翹起的狀態(tài)的圖。 圖48為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。
圖49為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。 圖50為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。 圖51為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。 圖52為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。 圖53為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。 圖54為說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案的形成方法的圖。
具體實施例方式1.第1實施方式 在第1實施方式中，在制造壓電/電致伸縮膜型元件(該壓電/電致伸縮膜型元
件具有設(shè)置了空腔(其將成為空腔)的基板、在基板的表面上對應(yīng)空腔的平面位置而設(shè)置
的由下部電極膜、壓電/電致伸縮膜以及上部電極膜所層疊而成的振動層疊體)時，以在空
腔里填充了遮光劑的基板為掩模通過光刻法形成下部電極。其后，對著下部電極通過使壓
電/電致伸縮材料的粉末進行電泳從而形成壓電/電致伸縮膜，同時，以壓電/電致伸縮膜
為掩模并通過光刻法形成上部電極。
1. 1壓電/電致伸縮膜型元件1的結(jié)構(gòu) 圖1 圖3為表示根據(jù)本發(fā)明的第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮型元件的 制造方法所制造的壓電/電致伸縮型元件1的大概結(jié)構(gòu)的模式圖。圖1為壓電/電致伸縮 型元件1的立體圖，圖2為沿圖1中II-II線的壓電/電致伸縮型元件1的剖視圖，圖3為 沿圖1中III-III線的壓電/電致伸縮型元件1的剖視圖。壓電/電致伸縮型元件1構(gòu)成 噴墨打印機的噴嘴所使用的用于噴出油墨的壓電/電致伸縮執(zhí)行器。此外，下述的壓電/ 電致伸縮型元件的制造方法也可用于制造其他種類的壓電/電致伸縮型元件。
如圖1 圖3所示，壓電/電致伸縮型元件1具有多個振動層疊體110在基板102 表面規(guī)則排列的結(jié)構(gòu)。另外，下述的壓電/電致伸縮型元件的制造方法也可用于制造只有 1個振動層疊體的壓電/電致伸縮型元件。 如圖2及圖3所示，壓電/電致伸縮型元件1具有如下的剖面結(jié)構(gòu)在由基座104、 基座106以及振動板108按照由下至上的順序?qū)盈B所得的基板102的表面上，設(shè)置有從下 至上由下部電極H2、壓電/電致伸縮膜114以及上部電極116所層疊而成的振動層疊體 110。 基板102 基板102為絕緣陶瓷的燒結(jié)體。絕緣陶瓷的種類沒有限制，但是從耐熱性、化學(xué)穩(wěn) 定性以及絕緣的觀點考慮，優(yōu)選含有選自由氧化鋯、氧化鋁、氧化鎂、莫來石、氮化鋁以及氮 化硅中的至少一種。其中，從機械強度及韌性的觀點考慮，優(yōu)選經(jīng)穩(wěn)定化的氧化鋯。此處， "經(jīng)穩(wěn)定化的氧化鋯"是指通過添加穩(wěn)定劑抑制了晶體的相變的氧化鋯，除了穩(wěn)定化氧化 鋯，還包含部分化穩(wěn)定氧化鋯。 基座104，具有如下結(jié)構(gòu)具有圓形平面形狀的噴墨孔122以及油墨供應(yīng)孔124形 成于板厚大致均一的板上。噴墨孔122，形成于下述形成有空腔126的區(qū)域(以下稱為"空 腔區(qū)域")182的一端附近，油墨供應(yīng)孔124形成于空腔區(qū)域182的另一端附近。
基座106，具有如下結(jié)構(gòu)具有細長矩形平面形狀的空腔126形成于板厚大致均一
10的板上。為了增加下述彎曲變形的變形量、增加排除體積，空腔126的短邊方向的寬度W1優(yōu) 選較寬，優(yōu)選為50ym以上。為了降低流路阻礙，空腔126的長邊方向的長度L優(yōu)選較短， 優(yōu)選為3mm以下。為了增加下述彎曲變形的變形量、增加排除體積，相鄰的空腔126之間的 隔板128的幅度W2優(yōu)選較窄，優(yōu)選為100 ii m以下。 只是，這并不意味著空腔126的平面形狀只限定于細長矩形。S卩，空腔126的平面 形狀，也可以是三角形、四邊形等多邊形，還可以是圓形、橢圓形等輪廓的全部或部分為曲 線的2維形狀。另外，空腔126也沒有必要在一個方向排列，例如，空腔126也可以在相互 垂直的2個方向上呈格子狀排列。 振動板108為板厚大致均一的板。振動板108的板厚，優(yōu)選為30 ii m以下，較優(yōu)選 為lym以上15iim以下。這是因為，如果低于該范圍則振動板108容易受損傷，如果高于 該范圍，則振動板108的剛性變高，存在彎曲變形的變形量減少的傾向。振動板108沒有必 要是平坦的，振動板108即便有若干的凹凸或彎曲，也可以采用下述的壓電/電致伸縮型元 件的制造方法。 通過基座104、基座106以及振動板108的層疊結(jié)構(gòu)，空腔126成為基板102內(nèi)部 的空腔，作為保存油墨的油墨室發(fā)揮功能。此外，噴墨孔122連接于空腔126，作為從空腔 126流出的油墨的流路發(fā)揮功能。而且，油墨供應(yīng)孔124也連接于空腔126，作為向空腔126 流入油墨的流路發(fā)揮功能。基座104、基座106以及振動板108的總計板厚，以讓用于下述的曝光的光能夠充 分透過的方式來確定。當(dāng)然，總計板厚大致為多少時用于的曝光的光能夠充分透過，根據(jù)絕 緣陶瓷的種類或燒結(jié)體的致密度而變化。
振動層疊體IIO 下部電極膜112以及上部電極膜116為導(dǎo)電材料的燒結(jié)體。導(dǎo)電材料的種類沒有 限制，但是從電阻以及耐熱性的觀點考慮，優(yōu)選白金、鈀、銠、金或銀等金屬，或者以這些金 屬為主要成分的合金。其中，優(yōu)選耐熱性特別優(yōu)越的白金或以白金為主要成分的合金。
下部電極膜112的膜厚，優(yōu)選為0. 3 ii m以上5. 0 ii m以下，上部電極膜116的膜厚， 優(yōu)選為O. liim以上3.0iim以下。這是因為，如果高于該范圍，則下部電極膜112以及上部 電極膜116的剛性變強，存在彎曲變形的變形量減少的傾向；如果低于該范圍，則下部電極 膜112以及上部電極膜116的電阻升高，存在下部電極膜112以及上部電極膜116有可能 斷線的傾向。 則下部電極膜112以及上部電極膜116，優(yōu)選形成為覆蓋于實際上提供壓電/電致 伸縮體膜的彎曲變形的區(qū)域。例如，優(yōu)選形成為覆蓋包括壓電/電致伸縮體膜114的中央 部分、且覆蓋了壓電/電致伸縮體膜114的上表面以及下表面的80%以上的區(qū)域。
壓電/電致伸縮體膜114為壓電/電致伸縮陶瓷的燒結(jié)體。壓電/電致伸縮陶瓷 的種類不受限制，但是從場致應(yīng)變的觀點出發(fā)，優(yōu)選為鉛(Pb)系鈣鈦礦氧化物，較優(yōu)選鈦 鋯酸鉛(PZT ;Pb(Zr;Tihx)03)或引入單純氧化物、復(fù)合鈣鈦礦氧化物等的鈦鋯酸鉛改性物。 其中，優(yōu)選鈦鋯酸鉛與鎂鈮酸鉛(Pb(Mg1/3Nb2/3)03)的固溶體中引入氧化鎳(NiO)的物質(zhì)或 鈦鋯酸鉛與鈮鎳酸鉛(Pb(Ni1/3Nb2/3)03)的固溶體。 壓電/電致伸縮體膜114的膜厚，優(yōu)選為liim以上20iim以下。這是因為，如果 低于該范圍，則存在壓電/電致伸縮體膜114的致密化不充分的傾向，如果高于該范圍，由于壓電/電致伸縮體膜114燒結(jié)時的收縮應(yīng)力變大，則有必要使振動板108的板厚變厚。
進一步，振動層疊體110具有作為流向下部電極112的供電通路的下部布線電極 118和作為流向上部電極116的供電通路的上部布線電極120。下部布線電極118的一端 與位于下部電極膜112與壓電/電致伸縮體膜114之間的下部電極膜112的一端電連接， 下部布線電極118的另一端，位于空腔區(qū)域182的外側(cè)的非空腔區(qū)域184。上部布線電極 120的一端位于上部電極膜116之上，與上部電極膜116的一端電連接，上部電極膜116的 另一端位于非空腔區(qū)域184。 設(shè)置下部布線電極118以及上部布線電極120，如果向下部布線電極118以及上部 布線電極120的位于非空腔區(qū)域184的饋電點給出驅(qū)動信號，可以在不影響下述的彎曲振 動的情況下，給壓電/電致伸縮體膜114施加電場。 振動層疊體110，在空腔126的上方與振動板108 —體化。通過這樣的結(jié)構(gòu)，如果 經(jīng)由下部布線電極118以及上部布線電極120向下部電極膜112與上部電極膜116之間給 出驅(qū)動信號，在壓電/電致伸縮體膜114上施加電場，則壓電/電致伸縮體膜114在與基板 102平行的方向伸縮，經(jīng)過一體化的壓電/電致伸縮體膜114與振動板108發(fā)生彎曲變形。 通過該彎曲變形，空腔126內(nèi)部的油墨經(jīng)由噴墨口 122而涌至外部。
1. 2壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法 圖4 圖14為說明第1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法 的模式圖。圖4 圖14為壓電/電致伸縮膜型元件的半成品的剖面圖。
基板102的制備 在制造壓電/電致伸縮膜型元件1時，首先，如圖4所示，制備基板102 。基板102，
例如可以將成型為板狀的絕緣陶瓷坯體通過壓力燒結(jié)來制備。 下部電極膜112的形成 接著，如圖5所示，在基板102的表面形成不覆蓋空腔區(qū)域182而只是覆蓋非空腔 區(qū)域184的抗蝕圖案142。通過以基板102為掩模，將覆蓋于基板102表面的抗蝕膜經(jīng)由光 刻法刻畫圖案而形成抗蝕圖案142。 形成抗蝕圖案142后，如圖6所示，在基板102表面未形成抗蝕圖案142的空腔區(qū) 域182形成作為最下層的下部電極膜112的導(dǎo)電材料膜144。并且，由于抗蝕圖案142此后 是要被除去的，即使導(dǎo)電材料膜144溢出至非空腔區(qū)域184也沒問題。導(dǎo)電材料膜144的 形成，可以通過涂覆導(dǎo)電材料分散在分散介質(zhì)中的糊劑(以下稱作"導(dǎo)電糊劑")或?qū)щ姴?料的有機金屬化合物溶解于溶劑中的溶液(以下稱作"導(dǎo)電有機金屬溶液")后將分散介質(zhì) 或溶劑除去來進行，也可以通過沉積導(dǎo)電材料來進行。導(dǎo)電糊劑的涂覆，可以通過絲網(wǎng)印刷 等進行，導(dǎo)電有機金屬溶液的涂覆可以通過旋涂法、噴涂法等進行。導(dǎo)電材料的沉積可以通 過濺射沉積、電阻加熱沉積等來進行。為了抑制導(dǎo)電材料膜144端部的翹起，優(yōu)選導(dǎo)電糊劑 相對于抗蝕圖案142的接觸角為50。以上，較優(yōu)選為70。以上。 形成導(dǎo)電材料膜144后，如圖7所示，剝離除去在非空腔領(lǐng)域184殘存的抗蝕圖案 142。由此，在與空腔126相同的平面位置上形成了與空腔126具有相同平面形狀的導(dǎo)電材 料膜144?？刮g圖案142的剝離可以通過藥液法來進行。此外，抗蝕圖案142的剝離也可以 同過熱處理法、等離子處理法來進行，通過熱處理法進行的情況下，處理溫度優(yōu)選為200 3Q0。C。
剝離了抗蝕圖案142之后，燒結(jié)導(dǎo)電材料膜144。由此，如圖8所示，導(dǎo)電材料膜 144變?yōu)橄虏侩姌O膜112，在與空腔126相同的平面位置上形成了與空腔126具有相同平面 形狀的下部電極膜112。此外，由于燒結(jié)引起的稍許的收縮是允許的。在通過絲網(wǎng)印刷白 金納米粒子分散于分散介質(zhì)中的導(dǎo)電糊劑來形成導(dǎo)電材料膜144的情況下，燒結(jié)溫度優(yōu)選 為20(TC以上30(TC以下；在通過絲網(wǎng)印刷白金粉末分散于分散介質(zhì)中的導(dǎo)電糊劑來形成 導(dǎo)電材料膜144的情況下，燒結(jié)溫度優(yōu)選為IOO(TC以上135(TC以下。此外，在通過旋涂白 金有機金屬溶解于溶劑的導(dǎo)電有機金屬溶液來形成導(dǎo)電材料膜144的情況下，燒結(jié)溫度優(yōu) 選為600。C以上80(TC以下。
下部布線電極118的形成 接著，形成下部布線電極118。下部布線電極118，可以通過絲網(wǎng)印刷導(dǎo)電糊劑后
進行燒結(jié)來形成，也可以通過沉積導(dǎo)電材料來形成。下部布線電極118的燒結(jié)，也可以與下
部電極膜112同時燒結(jié)。 壓電/電致伸縮體膜114的形成 接著，如圖9所示，形成成為壓電/電致伸縮體膜114的壓電/電致伸縮材料膜 146。壓電/電致伸縮材料膜146的形成如圖9所示，可以如下進行將半成品以及對向電 極150以一定間隔浸漬于壓電/電致伸縮材料分散于分散介質(zhì)得到的漿料中，同時，在下部 電極膜112與對向電極150之間施加電壓，使壓電/電致伸縮材料向著下部電極膜112進 行電泳。由此，在與下部電極膜112相同的平面位置處形成了具有比下部電極膜112略大 的平面形狀的壓電/電致伸縮材料膜146。 此時，優(yōu)選在形成有下部布線電極118的區(qū)域等不必形成壓電/電致伸縮材料膜 146的區(qū)域，以有機保護膜等作為掩模，在形成壓電/電致伸縮材料膜146后同時除去有機 保護膜以及不必要的壓電/電致伸縮材料。由此，可以防止在下部布線電極118之上形成 壓電/電致伸縮材料膜146。 形成壓電/電致伸縮材料膜146后，燒結(jié)壓電/電致伸縮材料膜146。由此，如圖 10所示，壓電/電致伸縮材料膜146變?yōu)閴弘?電致伸縮體膜114，在與下部電極膜112相 同的平面位置處形成了具有比下部電極膜112略大的平面形狀的壓電/電致伸縮體膜114。 此外，由于燒結(jié)引起的稍許的收縮是允許的。壓電/電致伸縮材料膜146的燒結(jié)，優(yōu)選在將 半成品容納于氧化鋁、氧化鎂等的套筒中的狀態(tài)下進行。
上部電極膜116的形成 將壓電/電致伸縮材料膜146燒結(jié)之后，如圖11所示，在基板102的表面上形成 抗蝕圖案152，該抗蝕圖案152不覆蓋形成有壓電/電致伸縮體膜114的區(qū)域(以下稱作 "壓電/電致伸縮區(qū)域")186而覆蓋壓電/電致伸縮區(qū)域186外側(cè)的非壓電/電致伸縮區(qū) 域188?？刮g圖案152，通過以壓電/電致伸縮體膜114為掩模由光刻法將覆蓋于基板102 表面的抗蝕膜刻畫成圖案而形成。 此時，下部布線電極118也成為掩模，所以在下部布線電極118之上未形成抗蝕圖 案152。因此，優(yōu)選以有機保護膜在形成有下部布線電極118的區(qū)域等沒必要生成上部電極 膜116的區(qū)域作為掩模，在抗蝕圖案152除去之前、除去之后或除去的同時除去該有機保護 膜。由此，可以防止在下部布線電極118之上形成上部電極膜116。 抗蝕圖案152形成后，如圖12所示，在基板102的表面未形成抗蝕圖案152的壓電/電致伸縮區(qū)域186，重疊在壓電/電致伸縮體膜114之上形成將成為上部電極膜116的 導(dǎo)電材料膜154。此外，由于抗蝕圖案152此后將被除去，即使導(dǎo)電材料膜154溢出至非壓 電/電致伸縮區(qū)域188也沒問題。導(dǎo)電材料膜154的形成可以與上述導(dǎo)電材料膜144同樣 地進行。 形成導(dǎo)電材料膜154之后，如圖13所示，剝離除去殘存于非壓電/電致伸縮區(qū)域 188的抗蝕圖案152。由此，在與壓電/電致伸縮體膜114相同的平面位置處形成了與壓電 /電致伸縮體膜114相同平面形狀的導(dǎo)電材料膜154?？刮g圖案152的剝離，可以與上述抗 蝕圖案142的剝離同樣地進行。 抗蝕圖案152被剝離后，燒結(jié)導(dǎo)電材料膜154。由此，如圖14所示，導(dǎo)電材料膜154 變?yōu)樯喜侩姌O膜116，在與壓電/電致伸縮體膜114相同的平面位置處形成了與壓電/電致 伸縮體膜114相同平面形狀的上部電極膜116。此外，因燒結(jié)引起的些許的收縮是允許的。 導(dǎo)電材料膜154的燒結(jié)，可以與上述導(dǎo)電材料膜144的燒成同樣地進行。
上部布線電極120的形成 導(dǎo)電材料膜154被燒結(jié)后，形成上部布線電極120。上部布線電極120可以與下部 布線電極118同樣地形成。上部布線電極120的燒結(jié)，可以與上部電極膜116的燒結(jié)同時 進行。 根據(jù)如此的壓電/電致伸縮型元件1的制造方法，可以在空腔區(qū)域182上形成下 部電極膜112，因而可以防止空腔126的平面位置與下部電極膜112的平面位置的偏離。此 外，因為可以在包含形成有下部電極膜112的空腔區(qū)域182在內(nèi)的壓電/電致伸縮體區(qū)域 186形成壓電/電致伸縮體膜114，可以防止下部電極112的平面位置與壓電/電致伸縮體 膜114的平面位置的偏離。進一步，因為可以在壓電/電致伸縮體區(qū)域186之上形成上部 電極116，可以防止壓電/電致伸縮體膜114的平面位置與上部電極膜116的平面位置的 偏離。由此，可以防止空腔126的平面位置與構(gòu)成振動層疊體110的下部電極膜112、壓電 /電致伸縮體膜114以及上部電極膜116的平面位置的偏離，其結(jié)果，可以防止空腔126的 平面位置與振動層疊體110的平面位置的偏離。這幫助抑制含有壓電/電致伸縮型元件1 而構(gòu)成的壓電/電致伸縮執(zhí)行器的油墨涌出量的不均。
1. 3抗蝕圖案142的形成方法 圖15 圖20，是說明第1實施方式所涉及的抗蝕圖案142的形成方法的模式圖。 圖15 圖20為壓電/電致伸縮型元件1的半成品的剖面圖。 在形成抗蝕圖案142時，首先，如圖15所示，在基板102的表面形成抗蝕膜156。 抗蝕膜156的形成，如下進行將抗蝕劑的固形成分溶解于溶劑或分散于分散介質(zhì)所得的 抗蝕液通過旋涂涂覆于基板102的表面，由熱板、爐等來加熱半成品使溶劑從涂覆膜中蒸 發(fā)掉。當(dāng)然，抗蝕液的涂覆也可以通過噴涂等其他方法進行?？刮g劑使用負型，其曝光的話 相對于顯影液溶解性降低。因此，抗蝕膜156如果曝光，則變?yōu)橄鄬τ陲@影液溶解性降低的 感光膜。抗蝕劑，優(yōu)選使用適于形成厚膜的厚膜對應(yīng)品，較優(yōu)選為即使形成高縱橫比的圖案 該圖案的剖面形狀也難以成為錐形的高縱橫比對應(yīng)品。 形成抗蝕膜156后，如圖16所示，在空腔126內(nèi)填充遮光劑160，使基板102具 有遮蔽空腔區(qū)域182而不遮蔽非空腔區(qū)域184的掩模功能。此外，向空腔126填充遮光劑 160，只要在下述的從背面照射光之前進行就足夠。因此，可以在向空腔126填充遮光劑160
14之后在基板102的表面形成抗蝕膜156。向空腔126填充遮光劑160，如下進行將遮光劑 160的固體成分溶解于溶劑或分散于分散介質(zhì)所得的遮光液通過注射器注入噴墨孔122或 油墨供應(yīng)孔124，由熱板、爐等來加熱半成品干燥遮光液。代替通過注射器的注入，也可以使 含浸遮光液的燒結(jié)金屬等多孔質(zhì)材料與基板102的背面接觸，通過毛細現(xiàn)象使遮光液從多 孔質(zhì)材料移動至空腔126之內(nèi)。此外，也可在注入遮光液之后進行真空除泡處理。遮光劑 160優(yōu)選含有吸收用于曝光的光的染料或顏料，較優(yōu)選含有顏料。這是由于在遮光劑160含 有顏料的情況下可以提高圖案的解像度。此外，也可以使用與基板102的折射率不同的遮 光劑160，從而在空腔區(qū)域162使得用于曝光的光全反射。 形成了抗蝕膜156、在空腔126內(nèi)填充了遮光劑160后，如圖17所示，從基板102 的背面照射光，使形成于非空腔區(qū)域184的抗蝕膜156選擇性地曝光，形成未曝光部162以 及曝光部164。由此，在抗蝕膜156中描畫出將空腔126的平面形狀逆向轉(zhuǎn)錄了的潛像。
潛像描畫后，如圖18所示，通過顯影將形成于空腔區(qū)域182的抗蝕膜156的未曝 光部162除去。潛像的顯影如下進行將半成品浸漬于顯影液中同時搖動來除去未曝光部 162后，用純水等洗滌半成品。顯影液選擇可選擇性地溶解未曝光部162而不溶解曝光部 164的物質(zhì)。 潛像顯影后，從基板102的表面一側(cè)照射光，使殘存于非空腔區(qū)域184的曝光部
164進一步曝光，烘烤曝光部164。由此，如圖19所示，完成了抗蝕圖案142。 完成了抗蝕圖案142之后，如圖20所示，從空腔126除去遮光劑160。此外，從空
腔126除去遮光劑160只要在上述從背面照射光之后進行即可。因此，可以在從空腔126
除去遮光劑160之后除去未曝光部162。從空腔126除去遮光劑160，通過將半成品浸漬于
溶劑來進行。 1. 4抗蝕圖案152的形成方法 圖21 圖24為說明第1實施方式所涉及的抗蝕圖案152的形成方法的模式圖。 圖21 圖24為壓電/電致伸縮型元件1的半成品的剖面圖。 在形成抗蝕圖案152時，首先，如圖21所示，在基板102的表面重疊于壓電/電致 伸縮體膜114之上形成抗蝕膜170?？刮g膜170的形成，可以與抗蝕膜156的形成同樣地進 行，抗蝕劑可以使用與形成抗蝕膜156所使用的抗蝕劑相同的物質(zhì)。 形成抗蝕膜170后，如圖22所示，從基板102的背面照射光，使形成于非壓電/電
致伸縮區(qū)域188的抗蝕膜170選擇性地曝光，形成未曝光部172以及曝光部174。由此，在
抗蝕膜170中描畫出將壓電/電致伸縮體膜114的平面形狀逆向轉(zhuǎn)錄了的潛像。 潛像描畫后，如圖23所示，通過顯影將形成于壓電/電致伸縮區(qū)域186的抗蝕膜
170的未曝光部172除去。潛像的顯影，可以與抗蝕膜156中所描畫的潛像的顯影同樣地進
行，顯影液可以選擇與用于抗蝕膜156中所描畫的潛像的顯影液相同的物質(zhì)。 潛像顯影后，從基板102的表面一側(cè)照射光，使殘存于非壓電/電致伸縮區(qū)域188
的曝光部174進一步曝光，烘烤曝光部174。由此，如圖24所示，完成了抗蝕圖案152。 2.第2實施方式 第2實施方式涉及壓電/電致伸縮體膜214的形成方法，其可以用來代替第1實 施方式所涉及的壓電/電致伸縮體膜114的形成方法。第2實施方式所涉及的壓電/電致 伸縮體膜214的形成方法中，以下部電極膜112為掩模，通過光刻法形成壓電/電致伸縮體
2. 1壓電/電致伸縮體膜214的形成方法 圖25 圖28為說明第2實施方式所涉及的壓電/電致伸縮體膜214的形成方法 的模式圖。圖25 圖28為壓電/電致伸縮型元件的半成品的剖面圖。
在形成壓電/電致伸縮體膜214時，首先，如圖25所示，在基板102的表面形成不 覆蓋空腔區(qū)域182而只是覆蓋非空腔區(qū)域184的抗蝕圖案276?？刮g圖案276，通過以下部 電極膜112為掩模，將覆蓋于基板102表面的抗蝕膜刻畫成圖案而形成。
形成抗蝕圖案276后，如圖26所示，在基板102表面未形成抗蝕圖案276的空腔 區(qū)域182，重疊于下部電極膜112之上形成將成為壓電/電致伸縮體膜206的壓電/電致 伸縮材料膜246。并且，由于抗蝕圖案142此后是要被除去的，即使壓電/電致伸縮材料膜 246溢出至非空腔區(qū)域184也沒問題。壓電/電致伸縮材料膜246的形成，通過涂覆壓電 /電致伸縮材料分散在分散介質(zhì)中所得的糊劑(以下稱作"壓電/電致伸縮糊劑")后將分 散介質(zhì)除去來進行。壓電/電致伸縮糊劑的涂覆，可以通過絲網(wǎng)印刷等進行。為了抑制壓 電/電致伸縮材料膜246端部的翹起，優(yōu)選壓電/電致伸縮糊劑相對于抗蝕圖案276的接 觸角為50°以上，較優(yōu)選為70。以上。 形成壓電/電致伸縮材料膜246后，如圖27所示，剝離除去殘存于未形成有下部 電極膜112的非空腔領(lǐng)域184的抗蝕圖案276。由此，在與下部電極膜112相同的平面位 置上形成了與下部電極膜112具有相同平面形狀的壓電/電致伸縮材料膜246?？刮g圖案 276的剝離可以與上述抗蝕圖案142的剝離同樣地進行。 剝離了抗蝕圖案之后，燒結(jié)壓電/電致伸縮材料膜246。由此，如圖28所示，壓電 /電致伸縮材料膜246變?yōu)閴弘?電致伸縮體膜214，從而在與下部電極膜112相同的平面 位置上形成了與下部電極膜112具有相同平面形狀的壓電/電致伸縮體膜214。此外，由 于燒結(jié)引起的些許的收縮是允許的。壓電/電致伸縮材料膜246的燒結(jié)，可以與上述壓電 /電致伸縮材料膜146的燒結(jié)同樣地進行。 根據(jù)如此的壓電/電致伸縮體膜214的形成方法，由于可以在形成有下部電極膜 112的空腔區(qū)域182形成壓電/電致伸縮體膜214，可以防止下部電極膜112的平面位置與 壓電/電致伸縮體膜214的平面位置的偏離，可以使得壓電/電致伸縮體膜214發(fā)揮與第 1實施方式所涉及的壓電/電致伸縮體膜114同樣的功能。
2. 2抗蝕圖案276的形成方法 圖29 圖32為說明第2實施方式所涉及的抗蝕圖案276的形成方法的模式圖。 圖29 圖32為壓電/電致伸縮型元件的半成品的剖面圖。 在形成抗蝕圖案276時，首先，如圖29所示，在基板102表面，重疊于下部電極膜 112之上形成抗蝕膜290?？刮g膜290的形成，可以與抗蝕膜156的形成同樣地進行?？刮g 劑，可以使用與形成抗蝕膜156時所使用的同樣的物質(zhì)。 形成抗蝕膜290后，如圖30所示，從基板102的背面照射光，使在未形成有下部電 極膜112的非空腔區(qū)域184上所形成的抗蝕膜290選擇性地曝光，形成未曝光部292以及 曝光部294。由此，在抗蝕膜290中描畫出將下部電極膜112的平面形狀逆向轉(zhuǎn)錄了的潛像。 潛像描畫后，如圖31所示，通過顯影將形成于空腔區(qū)域182的抗蝕膜290的未曝
16光部292除去。潛像的顯影，可以與抗蝕膜156中所描畫的潛像的顯影同樣地進行，顯影液 可以選擇與用于抗蝕膜156中所描畫的潛像的顯影液相同的物質(zhì)。 潛像顯影后，從基板102的表面一側(cè)照射光，使殘存于非空腔區(qū)域184的曝光部 294進一步曝光，烘烤曝光部294。由此，如圖32所示，完成了抗蝕圖案276。
3第3實施方式 第3實施方式涉及抗蝕圖案342的形成方法，其可以用于代替第1實施方式所涉
及的抗蝕圖案142的形成方法。 3. 1抗蝕圖案342的形成方法 圖33 圖38，是說明第3實施方式所涉及的抗蝕圖案342的形成方法的模式圖。 圖33 圖38為壓電/電致伸縮型元件的半成品的剖面圖。 在形成抗蝕圖案342時，首先，如圖33所示，在從下至上由基座106以及振動板 108順序?qū)盈B形成的基板301的表面形成抗蝕膜356?？刮g膜356的形成，可以與抗蝕膜 156的形成同樣地進行?？刮g劑使用正型，其曝光的話相對于顯影液溶解性上升。因此，抗 蝕膜356如果曝光，則變?yōu)橄鄬τ陲@影液溶解性升高的感光膜。抗蝕劑，優(yōu)選使用適于形成 厚膜的厚膜對應(yīng)品，較優(yōu)選為即使形成高縱橫比的圖案該圖案的剖面形狀也難以成為錐形 的高縱橫比對應(yīng)品。 形成抗蝕膜356后，如圖34所示，在基板301的背面的非空腔區(qū)域184形成遮光 膜396，使基板301具有遮蔽非空腔區(qū)域184而不遮蔽空腔區(qū)域182的掩模功能。此外，遮 光膜396的形成，只要在下述的從背面照射光之前進行即可。因此，可以在遮光膜396形成 之后在基板301的表面形成抗蝕膜356。遮光膜396的形成，可以如下進行將遮光膜396 的固體成分溶解于溶劑或分散于分散介質(zhì)所得的遮光液，通過旋涂法涂覆于基板301的背 面，由熱板、爐等來加熱半成品使溶劑活分散介質(zhì)從涂覆膜揮發(fā)。當(dāng)然，也可以通過噴涂等 其它方法來進行遮光液的涂覆。在這些情況下，優(yōu)選由液體或有機樹脂等其后能除去的材 料作為空腔126內(nèi)部的掩模，從而使遮光膜396不會浸入空腔126的內(nèi)部。此外，也可以采 用轉(zhuǎn)錄形式的膠版印刷、輥子轉(zhuǎn)錄等、含浸印刷等形成遮光膜的形成方法。
遮光膜396，優(yōu)選含有吸收用于曝光的光的染料或顏料，較優(yōu)選含有顏料。這是由 于在遮光劑396含有顏料的情況下可以提高圖案的解像度。此外，形成這樣的遮光膜369， 由于可以增大空腔區(qū)域182的光透過率與非空腔區(qū)域184的光透過率的差，具有可以提高 解像度的優(yōu)點，然而如果即使不形成遮光膜396也可得到足夠的光透過率的差的話，則可 以省略形成遮光膜396的工序。 形成了抗蝕膜356并形成了遮光膜396后，如圖35所示，從基板301的背面照射
光，使形成于空腔區(qū)域182的抗蝕膜356選擇性地曝光，形成未曝光部362以及曝光部364。
由此，在抗蝕膜356中描畫出將空腔126的平面形狀非逆向轉(zhuǎn)錄了的潛像。 潛像描畫后，如圖36所示，通過顯影將形成于空腔區(qū)域182的抗蝕膜156的曝光
部364除去。潛像的顯影如下進行將半成品浸漬于顯影液中同時搖動除去曝光部364后，
用純水等洗滌半成品。顯影液選用可選擇性地溶解曝光部364而不溶解未曝光部362的物質(zhì)。 潛像顯影后，從基板301的表面一側(cè)照射光，使殘存于非空腔區(qū)域184的未曝光部 362曝光，烘烤未曝光部362。由此，如圖37所示，完成了抗蝕圖案342。
完成了抗蝕圖案342之后，如圖38所示，剝離除去遮光膜396。此外，遮光膜396 的剝離只要在上述從背面照射光之后進行即可。因此，可以在除去遮光膜396之后除去抗 蝕膜356的曝光部364。遮光膜396的剝離，通過藥液法進行。此外，遮光膜396的剝離也 可以通過熱處理法、等離子法等來進行。 如此形成的抗蝕圖案342，可以與第1實施方式所涉及的抗蝕圖案142同樣地發(fā)揮 功能。與第1實施方式的情況下同樣地，為了抑制導(dǎo)電材料膜144的端部的翹起，優(yōu)選導(dǎo)電 糊劑相對于抗蝕圖案342的接觸角為50。以上，較優(yōu)選為70。以上。
4.第4實施方式 第4實施方式涉及在第1實施方式的抗蝕圖案142形成之后，在形成導(dǎo)電材料 膜144之前所優(yōu)選進行的抑制導(dǎo)電材料膜144的端部翹起的處理(以下稱作"抑制翹起處 理")。該抑制翹起處理，在取代第1實施方式的抗蝕圖案142而采用第3實施形態(tài)的抗蝕 圖案342的情況下也優(yōu)選采用。第4實施方式，在第1實施方式或第3實施方式下不能增 大導(dǎo)電糊劑相對抗蝕圖案142、342的接觸角的情況下優(yōu)選采用。 圖43 圖46，是說明第4實施方式所涉及的抑制翹起處理的圖。圖43 圖46為 壓電/電致伸縮型元件1的半成品的剖面圖。 抑制翹起處理時，首先，如圖43所示，重疊于在非空腔區(qū)域184所殘存的抗蝕圖案 142之上，在基板102的表面形成屏蔽膜4002。屏蔽膜4002的形成，如下進行通過旋涂法 將含有環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等樹脂的樹脂液涂覆于基板102的表面，通過熱板、爐等加 熱或紫外線等照射紫外線使涂覆膜硬化。當(dāng)然，樹脂液的涂覆也可以通過噴涂等其他方法 進行。 形成屏蔽膜4002后，如圖44所示，除去屏蔽膜4002直至露出抗蝕圖案142。屏蔽 膜4002的除去，通過將半成品浸漬于溶劑等使屏蔽膜4002溶解來進行。由此，形成了在空 腔區(qū)域182所殘存的屏蔽膜圖案4004。 使抗蝕圖案142露出后，如圖45所示，重疊于抗蝕圖案142以及屏蔽膜圖案4004， 在基板102的表面形成疏水膜4006。疏水膜4006，至少相對于形成下部電極膜112時所使 用的糊劑的疏水性，必須高于抗蝕圖案142的，優(yōu)選相對該糊劑的接觸角為50°以上，較優(yōu) 選為70°以上。疏水膜4006的形成，如下進行通過旋涂將硅膠樹脂、氟樹脂等疏水材料 溶解于溶劑或分散于分散介質(zhì)所得的疏水劑涂覆于基板102的表面，通過熱板、爐等加熱 半成品使溶劑從涂覆膜蒸發(fā)而使疏水材料硬化。當(dāng)然，疏水劑的涂覆也可以通過噴涂等其 他方法進行。此外，使用常溫硬化型疏水劑的情況下，可以省略加熱。 在疏水膜4006形成后，如圖46所示，除去屏蔽膜圖案4004以及疏水膜4006的形 成于空腔區(qū)域182的部分，即，屏蔽膜圖案4004之上的部分。屏蔽膜圖案4004以及疏水膜 4006的除去，通過將半成品浸漬于溶劑等使屏蔽膜圖案4004溶解來進行。由此，形成了覆 蓋抗蝕圖案142的疏水膜4008。通過疏水膜4008，抑制了如圖47(b)所示的下部電極膜 112的端部的翹起，如圖47(a)所示，形成下部電極膜112時由于糊劑被疏水膜4008彈開， 形成了平坦的導(dǎo)電材料膜144。疏水膜4008，在除去抗蝕圖案142時同時被除去。
5.第5實施方式 第5實施方式涉及疏水膜圖案5008的形成方法，該疏水膜圖案5008可以用來代 替第1實施方式所涉及的抗蝕圖案142、第3實施方式所涉及的抗蝕圖案342。
圖48 圖54，是說明第5實施方式所涉及的疏水膜圖案5008的形成方法的圖。 圖48 圖54為壓電/電致伸縮型元件1的半成品的剖面圖。 在形成疏水膜圖案5008時，首先，如圖48所示，在從下至上由基座104、基座106 以及振動板108順序?qū)盈B形成的基板502的表面形成抗蝕膜5002?？刮g膜5002的形成，可 以與抗蝕膜156的形成同樣地進行。抗蝕劑使用正型，其曝光的話相對于顯影液溶解性上 升。因此，抗蝕膜5002如果曝光，則變?yōu)橄鄬τ陲@影液溶解性升高的感光膜?？刮g劑，優(yōu)選 使用適于形成厚膜的厚膜對應(yīng)品，較優(yōu)選為即使形成高縱橫比的圖案該圖案的剖面形狀也 難以成為錐形的高縱橫比對應(yīng)品。 形成抗蝕膜5002后，如圖49所示，向空腔526填充遮光劑560 ，使基板502具有遮 蔽空腔區(qū)域182而不遮蔽非空腔區(qū)域184的掩模功能。遮光劑560的填充，可以如遮光劑 160的填充同樣地進行。此外，向空腔526填充遮光劑560，只要在下述的從背面照射光之 前進行即可。因此，可以在向空腔526填充遮光劑560之后在基板502的表面形成抗蝕膜 556。遮光劑560，可以使用與遮光劑160同樣的物質(zhì)。 形成了抗蝕膜556并向空腔526填充了遮光劑560后，如圖50所示，從基板502 的背面照射光，使形成于非空腔區(qū)域184的抗蝕膜556選擇性地曝光，形成未曝光部562以 及曝光部564。由此，在抗蝕膜556中描畫出將空腔526的平面形狀逆向轉(zhuǎn)錄了的潛像。
潛像描畫后，如圖51所示，通過顯影將形成于非空腔區(qū)域184的抗蝕膜556的曝 光部564通過顯影除去。潛像的顯影如下進行將半成品浸漬于顯影液中同時搖動除去曝 光部562后，用純水等洗滌半成品。顯影液選用可選擇性地溶解曝光部564而不溶解未曝 光部562的物質(zhì)。 潛像顯影后，從基板502的表面一側(cè)照射光，使殘存于空腔區(qū)域182的未曝光部 562曝光，烘烤未曝光部562。由此，如圖52所示，形成了在空腔區(qū)域182殘存的抗蝕圖案 5004。 形成了抗蝕圖案5004之后，如圖53所示，重疊于抗蝕圖案5004之上在基板502 的表面形成疏水膜5006。疏水膜5006的形成，可以與疏水膜4002的形成同樣地進行。疏 水劑，可以使用與第4實施方式同樣的物質(zhì)。 在疏水膜5006形成后，如圖54所示，除去屏蔽膜圖案5004以及疏水膜5006的形 成于空腔區(qū)域182的部分，S卩，屏蔽膜圖案5004之上的部分。屏蔽膜圖案5004以及疏水 膜5006的除去，通過將半成品浸漬于溶劑等使溶劑與屏蔽膜圖案5004接觸，使屏蔽膜圖案 5004溶解來進行。由此，形成了疏水膜圖案5008。通過用該疏水膜圖案5008代替抗蝕圖 案142或抗蝕圖案342，在形成下部電極膜112時由于糊劑被疏水膜5008彈開，抑制了下 部電極膜112的端部的翹起。相對于該糊劑，優(yōu)選接觸角為50。以上，較優(yōu)選為70。以上。 疏水膜5008的除去，可以與抗蝕圖案142的除去同樣地進行。
6.其他 上述的說明，以具有1層的壓電/電致伸縮體膜的情況為例進行壓電/電致伸縮 型元件的制造方法的說明，但是具有2層以上的壓電/電致伸縮體膜的情況也可以利用上 述壓電/電致伸縮型元件的制造方法。即，即便在具有2層以上的壓電/電致伸縮體膜的 情況下，也可如第1實施方式以及第3實施方式所說明的那樣以基板為掩?？坍嬁刮g圖案， 利用該抗蝕圖案形成構(gòu)成振動層疊體的最下層的下部電極膜或壓電/電致伸縮體膜。此
19外，也可如第1實施例所說明的那樣，以構(gòu)成振動層疊體的任意的壓電/電致伸縮體膜為掩 ?？坍嬁刮g圖案，利用該抗蝕圖案在壓電/電致伸縮體膜之上形成電極膜。相反地，也可如 第2實施方式所說明的那樣以構(gòu)成振動層疊體的任意的電解膜為掩模刻畫抗蝕圖案，利用 該抗蝕圖案在電極膜之上形成壓電/電致伸縮體膜。 此外，上述壓電/電致伸縮型元件的制造方法，不僅在制造構(gòu)成壓電/電致伸縮執(zhí) 行器的主要部件的壓電/電致伸縮型元件時可以利用，在制造具有設(shè)置有空腔的基板和振 動層疊體的壓電/電致伸縮型元件(該壓電/電致伸縮型元件具有設(shè)置有空腔的基板以及 在該基板的第1主面上對應(yīng)于該空腔的平面位置設(shè)置的由電極膜和壓電/電致伸縮體膜層 疊而成的振動層疊體)，例如，具有振動板結(jié)構(gòu)的壓電/電致伸縮諧振器(FBAR;Film Bulk Acoustic Resonator)時也可利用。
7.其他 以下，說明關(guān)于形成抗蝕圖案的實施例。
實施例1 3以及比較例1 ， 2 實施例1 3，使用上述第1實施方式所涉及的抗蝕圖案142的形成方法，在基板 102的表面形成抗蝕圖案142。此外，比較例1、2除了未在空腔126填充遮光劑160之外， 分別與實施例1、3同樣地形成了抗蝕圖案142。 圖39為表示實施例1 3以及比較例1、2中的抗蝕圖案142的形成條件以及所形 成的抗蝕圖案142的評價結(jié)果的一覽表。圖39中，表示了有無向空腔126填充遮光劑160、 遮光劑的種類、基座104的板厚tl、基座106的板厚t2、振動板108的板厚t3以及抗蝕圖 案142的評價結(jié)果。圖39中所示的"遮光劑的種類" 一欄所記載的"染料類"意味著使用 含有染料的浸透液作為遮光液；"顏料類"意味著使用含有顏料的抗蝕液(固體部分濃度為 22X，膜厚1.2i!m時的0D值為2.3)作為遮光液。圖39中所示的"評價結(jié)果"一欄所記載 的"0"、"A"、"X"分別表示，抗蝕圖案142的不與基板102接觸的上端部的寬度Wb相對 于與基板102接觸的下端部的寬度Wa的寬度比Wb/WaX 100 (% )(參考圖40的剖面圖)為 90%以上、50%以上不足90%和不足50% 。 實施例1 3以及比較例1、2中，基板102通過將部分穩(wěn)定化的氧化鋯陶瓷坯體 在145(TC壓力燒結(jié)來制備，空腔126的寬度W1為lmm。此外，在基板102的表面形成抗蝕 膜156之前，為了清潔基板102的表面，由電爐對基板102加熱至600°C 。
抗蝕劑，使用東京應(yīng)化工業(yè)制備的丙烯酸樹脂類的厚膜對應(yīng)品。通過旋涂法形成 抗蝕膜156時的旋轉(zhuǎn)速度為1500rpm，保持時間為6秒，由熱板干燥抗蝕膜156時的溫度為 9(TC，時間為20分鐘。 潛像描畫時的曝光機，使用々-〉才電機株式會社制造的365nm、405nm、436nm的3 個波長型的曝光機^ & ，， <卜USM10。從基板的背面一側(cè)照射光時的照射時間為2分鐘， 累計光量為1300mJ/cm2。 顯影液，使用上述的抗蝕劑專用的東京應(yīng)化工業(yè)制備的顯影液丙烯酸液。潛像描 畫時的處理時間為3分鐘。 烘烤曝光部164的曝光機，使用上述的々*才電機株式會社制造的^ A ，， <卜 USMIO。曝光部164的顯影時間為4分鐘。 由圖39中所示的評價結(jié)果可知，使用第1實施方式所涉及的抗蝕圖案142的形成方法在基板102的表面形成抗蝕圖案142的情況下，如果向空腔126填充遮光劑160，可以 提高抗蝕圖案142的解像度，如果向空腔126填充含有顏料的遮光劑160，可以進一步提高 抗蝕圖案142的解像度。這種結(jié)果，不管基座104的板厚tl、基座106的板厚t2、振動板 108的板厚t3如何都是同樣的。
實施例4 實施例4中，使用上述第3實施方式所涉及的抗蝕圖案342的形成方法在基板102 的表面形成抗蝕圖案342。 圖41為表示實施例4中的抗蝕圖案342的形成條件以及所形成的抗蝕圖案342 的評價結(jié)果的一覽表。圖41的一覽表中，記載有基座104的板厚tl、基座106的板厚t2、 振動板108的板厚t3等與圖39的一覽表同樣的事項。 實施例4中，除了抗蝕劑以及顯影液的種類不同，以及取代向空腔126填充遮光劑 160而在基板301的背面形成遮光膜396之外，以與實施例1同樣的形成條件形成抗蝕圖案 342。 從圖41所示的評價結(jié)果可明確，即便使用第3實施方式所涉及的抗蝕圖案342的
形成方法在基板301的表面形成抗蝕圖案342，也可以形成抗蝕圖案342。 以上針對本發(fā)明進行了詳細的說明，但是上述說明在所有局面中只是例示，本發(fā)
明并不限定于此。未加以例示的無數(shù)的變形例，應(yīng)理解為沒有脫離本發(fā)明的范圍而可以推
定得到。特別是，對在第1實施方式 第5實施方式中所說明的情況進行組合使用是當(dāng)然
可以預(yù)測的。
2權(quán)利要求
一種壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，所述壓電/電致伸縮膜型元件具有形成有空腔的基板、在所述基板的第1主面上與所述空腔的平面位置對應(yīng)而設(shè)置的由電極膜和壓電/電致伸縮膜層疊而成的振動層疊體；所述方法具有下述工序(a)在所述基板的第1主面形成第1感光膜的工序；(b)從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，將轉(zhuǎn)錄有所述空腔的平面形狀的潛影描畫于所述第1感光膜的工序；(c)通過顯影除去在形成有所述空腔區(qū)域形成的所述第1感光膜的工序；(d)在除去所述第1感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的最下層的膜的工序；(e)將殘存于未形成所述空腔的區(qū)域的所述第1感光膜除去的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有以下工序(f) 在所述工序(b)之前向所述空腔填充遮光劑的工序；并且，所述工序(b)中，對于在未形成所述空腔的區(qū)域所形成的所述第l感光膜進行選 擇性的曝光；在所述工序(c)中除去所述第1感光膜的未曝光部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，其中，所述遮光劑含有 顏料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，其中，在所述工序(b) 中，對于在形成所述空腔的區(qū)域所形成的所述第1感光膜進行選擇性的曝光；在所述工序 (c)中除去所述第1感光膜的曝光部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有以下工序(g) 在所述工序(b)之前在所述基板的第2主面的未形成有所述空腔的區(qū)域形成遮光膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，其中，所述遮光膜含有 顏料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序(h) 在所述工序(e)后在所述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成所述振動層疊體的任意的 壓電/電致伸縮膜之上形成第2感光膜的工序；(i) 從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，對于在未形成有所述任意的壓電/電致伸縮膜 的區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的工序；(j)除去所述第2感光膜的未曝光部分的工序；(k)在除去了所述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的電極膜的工序；(1)將殘存于未形成有所述任意壓電/電致伸縮膜的區(qū)域的所述第2感光膜除去的工序。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序(m)在所述工序(e)后在所述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成所述振動層疊體的任意的電極膜之上形成第2感光膜的工序；(n)從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，對于在未形成有所述的任意電極膜的區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的工序；(O)除去所述第2感光膜的未曝光部分的工序；(P)在除去了所述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序；(q)將殘存于未形成有所述的任意電極膜的區(qū)域的所述第2感光膜除去的工序。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序 (r)在所述工序(e)后，通過向著構(gòu)成所述振動層疊體的任意電極膜使壓電/電致伸縮材料進行電泳而形成構(gòu)成所述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序 (s)在所述工序(c)之后、所述工序(d)之前，在未形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜上，覆蓋比所述第1感光膜的疏水性高的疏水膜的工序。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，其中，所述工序(s) 具有以下工序(s-1)重疊于在未形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜之上，在所述基板 的第1主面形成屏蔽膜的工序；(s-2)除去所述屏蔽膜直到露出在未形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜 的工序；(s-3)重疊于在未形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述疏水膜以及在形成有所述空腔 的區(qū)域所殘存的所述屏蔽膜之上，在所述基板的第1主面形成疏水膜的工序；(s-4)將在形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜以及在形成有所述空腔的 區(qū)域所形成的所述屏蔽膜除去的工序。
12. —種壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，所述壓電/電致伸縮膜型元件具有形成 有空腔的基板、在所述基板的第1主面上對應(yīng)于所述空腔的平面位置而設(shè)置的由電極膜和 壓電/電致伸縮膜層疊而成的振動層疊體；所述制造方法具有下述工序(a) 在所述基板的第1主面形成第1感光膜的工序；(b) 從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，將轉(zhuǎn)錄有所述空腔的平面形狀的潛影描畫于 所述第1感光膜的工序；(c) 通過顯影除去在未形成有所述空腔區(qū)域所形成的所述第1感光膜的工序；(d) 重疊于在形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜之上，在所述基板的第1 主面形成疏水膜的工序；(e) 除去在形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述第1感光膜以及在形成有所述空腔的 區(qū)域所形成的所述疏水膜的工序；(f) 在除去所述第1感光膜以及所述疏水膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的最下層 的膜的工序；(g) 將在未形成有所述空腔的區(qū)域所殘存的所述疏水膜除去的工序。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有以下工序 (h)在所述工序(b)之前向所述空腔填充遮光劑的工序；并且，在所述工序(b)中，對于在未形成有所述空腔的區(qū)域所形成的所述第1感光膜進 行選擇性的曝光；在所述工序(c)中，除去所述第1感光膜的曝光部分。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，其中，所述遮光劑含 有顏料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序 (i)在所述工序(g)后在所述基板的第l主面上，重疊于構(gòu)成所述振動層疊體的任意的壓電/電致伸縮體膜之上形成第2感光膜的工序；(j)從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，對于在未形成有所述任意的壓電/電致伸縮體膜的區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的工序； (k)除去所述第2感光膜的未曝光部分的工序；(1)在除去了所述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的電極膜的工序；(m)將殘存于未形成有所述任意壓電/電致伸縮膜的區(qū)域的所述第2感光膜除去的工序。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序(n)在所述工序(g)后在所述基板的第1主面上，重疊于構(gòu)成所述振動層疊體的任意的電極膜之上形成第2感光膜的工序；(o)從所述基板的第2主面一側(cè)照射光，對于在未形成有所述任意的電極膜區(qū)域所形成的第2感光膜進行選擇性曝光的區(qū)域；(P)除去所述第2感光膜的未曝光部分的區(qū)域；(q)在除去了所述第2感光膜的區(qū)域形成構(gòu)成所述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的 工序；(r)將殘存于未形成有所述任意電極膜的區(qū)域的所述第2感光膜除去的工序。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，還具有下述工序 (s)在所述工序(g)后，通過向著構(gòu)成所述振動層疊體的任意電極膜使壓電/電致伸縮材料 進行電泳而形成構(gòu)成所述振動層疊體的壓電/電致伸縮膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電/電致伸縮膜型元件的制造方法，該制造方法能夠防止空腔的平面位置與構(gòu)成由電極膜以及壓電/電致伸縮體膜層疊所得振動層疊體的膜的平面位置的偏離。在制造具有基板以及由在基板的表面對應(yīng)于所述空腔的平面位置而設(shè)置的由下部電極膜、壓電/電致伸縮膜以及上部電極膜層疊得到的振動層疊體的壓電/電致伸縮膜型元件時，以在空腔里填充有遮光劑的基板為掩模通過光刻法形成下部電極膜。其后，向著下部電極膜使壓電/電致伸縮材料的粉末電泳來形成壓電/電致伸縮體膜的同時，以壓電/電致伸縮體膜為掩模通過光刻法形成上部電極。也可以以下部電極膜為掩模通過光刻法形成壓電/電致伸縮體膜。
文檔編號H01L41/39GK101796664SQ200980100318
公開日2010年8月4日 申請日期2009年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日
發(fā)明者北川睦, 清水秀樹 申請人:日本礙子株式會社