專利名稱：薄膜絕緣鉑電阻的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種薄膜絕緣鉑電阻結構。
背景技術：
現(xiàn)在市場上的鉑電阻一般是把PT100或PT1000芯片焊接好后，封裝在金屬管內(nèi)或 陶瓷管，因為感應面不大，只是測一個點的溫度，而不是測一個面的平均溫度。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種感應溫度靈敏的薄膜絕緣鉑電阻結構。 為實現(xiàn)本實用新型目的，本實用新型技術方案為 —種薄膜絕緣鉑電阻，其特征在于具有聚酰亞胺薄膜，所述聚酰亞胺薄膜上繞有 兩條鉑金絲，所述兩條鉑金絲一端連接在一起，所述兩條鉑金絲另一端各設有一條引線，所 述聚酰亞胺薄膜埋設于絕緣體內(nèi)，所述引線伸出所述絕緣體外。 所述絕緣體為聚酰亞胺薄膜、硅橡膠、塑料薄膜。 本實用新型可廣泛用于醫(yī)療儀器設備、電機、電力設備、電子等方面。尤其適合用 于曲面物體測溫，如筒狀物體的內(nèi)側(cè)面測溫、各種不規(guī)則面物體的測溫。 上述技術方案有益效果是本實用新型比較柔軟，適用于曲面物體和平面物體的 測溫，尤其適合用于曲面物體測溫，厚度很薄，感應溫度靈敏。與金屬管封裝型電阻相比，本 實用新型具有感應面積大、貼合性好、感應溫度更靈敏、表面密封度好。

圖1是本實用新型結構俯視圖 圖2是本實用新型結構側(cè)視圖
具體實施方式如圖1、2所示，本實用新型提供一種薄膜絕緣鉑電阻，具有聚酰亞胺薄膜l，聚酰
亞胺薄膜1上繞有兩條鉑金絲2，兩條鉑金絲2 —端連接在一起，兩條鉑金絲2另一端各設
有一條引線3，聚酰亞胺薄膜1埋設于絕緣體4內(nèi)，引線3伸出絕緣體4外。 本實用新型采用雙組繞的方法，把兩條鉑金絲2繞在厚度為0. lmm的聚酰亞胺薄
膜1上繞成芯片，兩條鉑金絲2 —端連接在一起，兩條鉑金絲2另一端各設有一條引線3，再
通過熱壓合工藝將聚酰亞胺薄膜1埋設于硅橡膠4內(nèi)，引線3伸出硅橡膠4外，本實用新型
表面密封度好。 本實用新型安裝方便，貼上高溫雙面膠，可以隨意貼在所需要的測溫部位。
權利要求一種薄膜絕緣鉑電阻，其特征在于具有聚酰亞胺薄膜，所述聚酰亞胺薄膜上繞有兩條鉑金絲，所述兩條鉑金絲一端連接在一起，所述兩條鉑金絲另一端各設有一條引線，所述聚酰亞胺薄膜埋設于絕緣體內(nèi)，所述引線伸出所述絕緣體外。
2. 根據(jù)權利要求l所述薄膜絕緣鉑電阻，其特征在于所述絕緣體為聚酰亞胺薄膜、硅 橡膠、塑料薄膜。
專利摘要本實用新型涉及一種薄膜絕緣鉑電阻，其特征在于具有聚酰亞胺薄膜，所述聚酰亞胺薄膜上繞有兩條鉑金絲，所述兩條鉑金絲一端連接在一起，所述兩條鉑金絲另一端各設有一條引線，所述聚酰亞胺薄膜埋設于絕緣體內(nèi)，所述引線伸出所述絕緣體外。本實用新型比較柔軟，適用于曲面物體和平面物體的測溫，尤其適合用于曲面物體測溫，厚度很薄，具有感應面積大、貼合性好、感應溫度更靈敏、表面密封度好。
文檔編號H01C1/024GK201536040SQ20092027887
公開日2010年7月28日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權日2009年11月12日
發(fā)明者謝龍 申請人:謝龍