專利名稱：用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電潤(rùn)濕顯示裝置領(lǐng)域，具體地說，是指一種用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
目前，平板顯示行業(yè)發(fā)展很快，主流的顯示裝置有液晶顯示裝置(IXD)等，近年， 一種電潤(rùn)濕的顯示裝置因其無視角問題，響應(yīng)速度快，功耗低，產(chǎn)品薄等也受到很大的關(guān)注。但是，不管是液晶顯示裝置，還是電潤(rùn)濕顯示裝置，其都涉及到薄膜晶體管。液晶 顯示裝置的工作原理主要是靠裝置中的液晶受到上下兩塊電極的作用發(fā)生扭轉(zhuǎn)，然后通過 黏附在上下兩塊電極上的偏光片而起到顯示不同的圖形的效果；而電潤(rùn)濕顯示裝置的工作 原理主要是依靠裝置內(nèi)的油狀物質(zhì)，根據(jù)其受到的電壓不同，表現(xiàn)為伸縮的不同而起到顯 示不同的圖形的效果。由于液晶顯示和電潤(rùn)濕顯示原理上的區(qū)別，若將現(xiàn)階段用于液晶顯 示裝置的薄膜晶體管用于電潤(rùn)濕顯示裝置，則會(huì)表現(xiàn)出如下缺陷一、開口率較低，整體顯 示不好；二、結(jié)構(gòu)上各區(qū)域的段差較大，電潤(rùn)濕顯示裝置內(nèi)的油狀物質(zhì)流動(dòng)性不好，從而反 應(yīng)速度慢。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種薄膜晶體管，其可克服現(xiàn)有的液晶顯示裝置 的薄膜晶體管開口率低等缺陷，能夠滿足主動(dòng)式電潤(rùn)濕顯示裝置的要求。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，包括基板、底部導(dǎo)電膜層、第一絕緣膜 層、半導(dǎo)體非晶硅膜層、第二導(dǎo)電膜層、第二絕緣層及第四導(dǎo)電膜層；底部導(dǎo)電膜層設(shè)在基 板上，其作為柵極、柵極布線及公共電極的導(dǎo)電膜層；第一絕緣膜層，其覆蓋在底部導(dǎo)電膜 層的上方；上述的半導(dǎo)體非晶硅膜層覆蓋在第一絕緣膜層上；上述的第二導(dǎo)電膜層作為源 極和漏極的導(dǎo)電膜層，上述的第二導(dǎo)電膜層部分覆蓋在上述的半導(dǎo)體非晶硅膜層上；上述 的第二層絕緣膜層覆蓋在上述的第一絕緣膜層、上述的半導(dǎo)體非晶硅膜層、上述的第二導(dǎo) 電膜層的上方；上述的第四導(dǎo)電膜層作為像素電極和保持電極的導(dǎo)電膜層；其中還進(jìn)一 步包括有機(jī)流平膜層，上述的有機(jī)流平膜層覆蓋在第二絕緣層上。上述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其還進(jìn)一步包括有保護(hù)膜層，上述的 保護(hù)膜層全面覆蓋在顯示區(qū)域內(nèi)的像素電極、保持電極和第四導(dǎo)電膜層的上方。上述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，上述的第一絕緣膜層和上述的第二絕 緣膜層上設(shè)有第一導(dǎo)通孔，該第一導(dǎo)通孔位于上述柵極布線、上述公共電極及上述的漏極 的上方。該第一導(dǎo)通孔，是這樣形成的即去除部分上述柵極布線和上述公共電極上方的上 述第一絕緣膜層和上述第二絕緣膜層、上述漏極上方的第二絕緣膜層。上述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其還進(jìn)一步包括有第三導(dǎo)電膜層，上述的第三導(dǎo)電膜層覆蓋在上述第一導(dǎo)通孔下方的上述底部導(dǎo)電膜層或上述第二導(dǎo)電膜層 上方。上述的有機(jī)流平膜層覆蓋在上述第二絕緣膜層上方，使基板表面平整，該有機(jī)流平膜層上設(shè)有第二導(dǎo)通孔，該第二導(dǎo)通孔位于上述的第一導(dǎo)通孔上方。該第二導(dǎo)通孔是這 樣形成的去除上述第一導(dǎo)通孔上方的上述第三導(dǎo)電膜層上方的上述有機(jī)流平膜層，從而 形成第二導(dǎo)通孔。上述第四導(dǎo)電膜層覆蓋在上述有機(jī)流平膜層和上述第三導(dǎo)電膜層的上方，使上述 第四導(dǎo)電膜層通過上述第二導(dǎo)通孔、上述第三導(dǎo)電膜層、上述第一導(dǎo)通孔與上述公共電極 和上述漏極導(dǎo)通。優(yōu)選地，上述底部導(dǎo)電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層。優(yōu)選地，上述第二導(dǎo)電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層。優(yōu)選地，上述第三導(dǎo)電膜層為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層。優(yōu)選地，上述有機(jī)流平膜層材料為透明有機(jī)光刻材料。優(yōu)選地，上述第四導(dǎo)電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層時(shí)，上述薄膜晶體管基板 用于做反射式電潤(rùn)濕顯示裝置；上述第四導(dǎo)電膜層為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層時(shí)，上述薄膜 晶體管基板用于透射式電潤(rùn)濕顯示裝置。上述第四導(dǎo)電膜層通過上述第二導(dǎo)通孔、上述第三導(dǎo)電膜層、上述第一導(dǎo)通孔與 上述公共電極導(dǎo)通形成保持電極；上述第四導(dǎo)電膜層通過上述第二導(dǎo)通孔、上述第三導(dǎo)電 膜層、上述的第一導(dǎo)通孔與上述漏極導(dǎo)通，形成像素電極；作為保持電極和像素電極的上述 第四導(dǎo)電膜層分別間隔設(shè)置。上述保護(hù)膜層材料為一層二氧化硅材料。上述薄膜晶體管還進(jìn)一步包括有掩膜板，上述保護(hù)膜層材料用濺射的方式覆蓋在 各上述膜層上；上述薄膜晶體管上不用保護(hù)的區(qū)域在濺射過程中用掩膜板阻擋。采用上述技術(shù)方案后，實(shí)施時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)比較，其有益效果是1、增加了一層有機(jī)流平膜層，提高了各區(qū)域的表面平整度和油狀物質(zhì)的流動(dòng)性， 提高了反應(yīng)速度；2、漏極和公共電極都通過一層導(dǎo)電膜層連接到同一平面，提高了油狀物質(zhì)的感應(yīng) 靈敏度，反應(yīng)速度加快；3、像素電極膜層覆蓋在有機(jī)流平膜層上，屏蔽了源極走線和柵極走線信號(hào)對(duì)油狀 物質(zhì)的影響，同時(shí)因?yàn)橄袼仉姌O相對(duì)增加，提高了產(chǎn)品開口率。

圖1為本實(shí)用新型薄膜晶體管的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中的A-A面旋轉(zhuǎn)90度的剖面圖；圖3為圖1中B-B面的剖面圖；圖4為制造本實(shí)用新型薄膜晶體管的一種實(shí)施例流程圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，雖然通過實(shí)施例描繪了本實(shí)用新型，本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本實(shí)用新型有許多變形和變化而不脫離本實(shí)用新型的精神，而此 處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型的范圍。請(qǐng)參考圖1、2、3所示，本發(fā)明公開了一種用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，包 括基板1、底部導(dǎo)電膜層2、第一絕緣膜層3、半導(dǎo)體非晶硅膜層4、第二導(dǎo)電膜層5、第二絕 緣層6、第三導(dǎo)電膜層7、有機(jī)流平膜層8、第四導(dǎo)電膜層9及保護(hù)膜層10，其中底部導(dǎo)電膜層2設(shè)在基板1上，其作為柵極21、柵極布線22及公共電極23的導(dǎo)電 膜層。實(shí)施時(shí)，底部導(dǎo)電膜層2為金屬膜層或金屬合金膜層。第一絕緣膜層3，其覆蓋在底部導(dǎo)電膜層2的上方，即設(shè)于柵極21和公共電極23 的上方。第一絕緣膜層3和第二絕緣膜層6上設(shè)有第一導(dǎo)通孔31，該第一導(dǎo)通孔31位于 柵極布線22、公共電極23及漏極52的上方。第一導(dǎo)通孔31是這樣形成的去除部分柵極 21和公共電極23上方所對(duì)應(yīng)的第一絕緣膜層3部分、漏極52上方所對(duì)應(yīng)的第二絕緣膜層 6的部分，從而形成第一導(dǎo)通孔31。半導(dǎo)體非晶硅膜層4覆蓋在第一絕緣層3的上。第二導(dǎo)電膜層5，作為源極51、漏極52的導(dǎo)電膜層，源極51和漏極52部分覆蓋在 半導(dǎo)體非晶硅膜層4的上方。實(shí)施時(shí)，第二導(dǎo)電膜層5為金屬膜層或金屬合金膜層。第二絕緣層6，其覆蓋在第一絕緣膜層3、半導(dǎo)體非晶硅膜層4、源極51和漏極52 的上方。配合圖2所示，第三導(dǎo)電膜層7為連接膜層。第三導(dǎo)電膜層7覆蓋在第一導(dǎo)通孔 31下方的底部導(dǎo)電膜層2或第二導(dǎo)電膜層5上方。實(shí)施時(shí)，第三導(dǎo)電膜層7為透明氧化銦 錫導(dǎo)電膜層。有機(jī)流平膜層8，其覆蓋在第二絕緣膜層6的上方，使基板1表面平整，配合圖2所 示，該有機(jī)流平膜層8上設(shè)有第二導(dǎo)通孔32，該第二導(dǎo)通孔32位于上述的第一導(dǎo)通孔31上 方。其是這樣形成的去除第一導(dǎo)通孔31上方所對(duì)應(yīng)的第三導(dǎo)電膜層7上方的有機(jī)流平膜 層8的部分，形成第二導(dǎo)通孔32。實(shí)施時(shí)，有機(jī)流平膜層8為透明有機(jī)光刻材料。第四導(dǎo)電膜層9覆蓋在有機(jī)流平膜層8和第三導(dǎo)電膜層7的上方，第四導(dǎo)電膜層9 通過第二導(dǎo)通孔32、第三導(dǎo)電膜層7、第一導(dǎo)通孔31與公共電極23導(dǎo)通形成保持電極92， 和通過第二導(dǎo)通孔32、第三導(dǎo)電膜層7、第一導(dǎo)通孔31與漏極52導(dǎo)通形成像素電極91，保 持電極92和像素電極91間隔設(shè)置；像素電極91覆蓋在有機(jī)流平膜層8和第三導(dǎo)電膜層7 的上方，實(shí)施時(shí)，第四導(dǎo)電膜層9為金屬膜層或金屬合金膜層時(shí)，上述薄膜晶體管基板1用 于做反射式電潤(rùn)濕顯示裝置；若第四導(dǎo)電膜層9為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層時(shí)，上述薄膜晶 體管基板1用于透射式電潤(rùn)濕顯示裝置。保護(hù)膜層10全面覆蓋在顯示區(qū)域內(nèi)的像素電極91、保持電極92和有機(jī)流平膜層 8上方。實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層10的材料為一層二氧化硅材料。另外，在實(shí)施時(shí)，保護(hù)膜層10的 材料用濺射的方式覆蓋在各上述膜層上；上述薄膜晶體管上不用保護(hù)的區(qū)域在濺射過程中 用掩膜板阻擋。圖4為制造本發(fā)明薄膜晶體管的方法的一種實(shí)施例的流程圖，其包括以下步驟(1)在基板1上覆蓋一層底部金屬導(dǎo)電膜層2，通過光刻的方式制作出柵極圖形21、柵極布線圖形22、公共電極圖形23 ；實(shí)施時(shí)，其中底部導(dǎo)電膜層2為金屬膜層或金屬合
金膜層；(2)連續(xù)覆蓋第一絕緣膜層3、半導(dǎo)體非晶硅膜層4 優(yōu)選地，通過光刻的方式制作 出半電體非晶硅圖形，且使上述的第一絕緣膜層3全部覆蓋在上述步驟(1)中的底部金屬 導(dǎo)電膜層2上；(3)覆蓋第二導(dǎo)電膜層5，通過光刻的方式制作出源極51、漏極52 ；實(shí)施時(shí)，該步驟 中的第二導(dǎo)電膜層5為金屬膜層或金屬合金膜層；(4)全面覆蓋第二絕緣膜層6，通過光刻的方式制作出第一導(dǎo)通孔31 ；優(yōu)選地，在該步驟中，上述第一導(dǎo)通孔31設(shè)于第一絕緣層3和第 二絕緣層6上，該 第一導(dǎo)通孔31位于上述步驟(1)中的公共電極圖形23和上述步驟(3)中的漏極52上方；(5)全面覆蓋第三導(dǎo)電膜層7 通過光刻的方式制作出第三導(dǎo)電膜層7，該第三導(dǎo) 電膜層7為連接膜層，上述連接膜層7覆蓋在上述步驟(4)中第一導(dǎo)通孔31下方的上述步 驟(1)中公共電極23或上述步驟(3)中漏極52上方；實(shí)施時(shí)，該步驟中的第三導(dǎo)電膜層7 為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層；(6)全面覆蓋有機(jī)流平膜層8，使基板1表面平整，該有機(jī)流平膜層8上設(shè)有第二 導(dǎo)通孔32，該第二導(dǎo)通孔位于上述的第一導(dǎo)通孔的上方；實(shí)施時(shí)，通過光刻的方式，去除上 述步驟(4)中第一導(dǎo)通孔31上方的上述步驟(5)中第三導(dǎo)電膜層7上方的上述有機(jī)流平膜 層8，形成第二導(dǎo)通孔32 ；實(shí)施時(shí)，該步驟中的有機(jī)流平膜層8材料為透明有機(jī)光刻材料；(7)全面覆蓋第四導(dǎo)電膜層9，通過光刻的方式制作出像素電極91圖形；上述第四導(dǎo)電膜層8設(shè)置在上述步驟(6)中第二導(dǎo)通孔32、上述步驟(5)中第三 導(dǎo)電膜層7、上述步驟(4)上述第一導(dǎo)通孔31的上方，第四導(dǎo)電膜層9與上述步驟(1)公共 電極23導(dǎo)通形成保持電極92 ；上述第四導(dǎo)電膜層9設(shè)置在上述步驟(6)中第二導(dǎo)通孔32、 上述步驟(5)中第三導(dǎo)電膜層7上方，所述第一導(dǎo)通孔與上述步驟(3)中漏極52導(dǎo)通，形 成像素電極91 ；作為保持電極92和像素電極91的上述第四導(dǎo)電膜層9分別間隔設(shè)置。另外，在實(shí)施時(shí)，該步驟中的第四導(dǎo)電膜層9為金屬膜層或金屬合金膜層時(shí)，上述 薄膜晶體管基板1用于做反射式電潤(rùn)濕顯示裝置；上述第四導(dǎo)電膜層9為透明氧化銦錫導(dǎo) 電膜層時(shí)，上述薄膜晶體管基板1用于透射式電潤(rùn)濕顯示裝置。(8)通過掩膜板用濺射的方式覆蓋保護(hù)膜層10，上述保護(hù)膜層10覆蓋在顯示區(qū)域 的最上方。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，包括基板、底部導(dǎo)電膜層、第一絕緣膜層、半導(dǎo)體非晶硅膜層、第二導(dǎo)電膜層、第二絕緣層及第四導(dǎo)電膜層；底部導(dǎo)電膜層設(shè)在基板上，其作為柵極、柵極布線及公共電極的導(dǎo)電膜層；第一絕緣膜層，其覆蓋在底部導(dǎo)電膜層的上方；所述的半導(dǎo)體非晶硅膜層覆蓋在第一絕緣膜層上；所述的第二導(dǎo)電膜層作為源極和漏極的導(dǎo)電膜層，所述的第二導(dǎo)電膜層部分覆蓋在所述的半導(dǎo)體非晶硅膜層上；所述的第二層絕緣膜層覆蓋在所述的第一絕緣膜層、所述的半導(dǎo)體非晶硅膜層、所述的第二導(dǎo)電膜層的上方；所述的第四導(dǎo)電膜層作為像素電極和保持電極的導(dǎo)電膜層；其特征在于還進(jìn)一步包括有機(jī)流平膜層，所述的有機(jī)流平膜層覆蓋在第二絕緣層上。
2.如權(quán)利要求1所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于其還進(jìn)一步 包括有保護(hù)膜層，所述的保護(hù)膜層全面覆蓋在顯示區(qū)域內(nèi)的像素電極、保持電極和第四導(dǎo) 電膜層的上方。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述的 第一絕緣膜層和所述的第二絕緣膜層上設(shè)有第一導(dǎo)通孔，所述的第一導(dǎo)通孔位于所述柵極 布線、所述公共電極及所述的漏極的上方。
4.如權(quán)利要求3所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于其還進(jìn)一步 包括有第三導(dǎo)電膜層，所述的第三導(dǎo)電膜層覆蓋在所述第一導(dǎo)通孔下方的所述底部導(dǎo)電膜 層或所述第二導(dǎo)電膜層上方。
5.如權(quán)利要求3所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述的有機(jī) 流平膜層覆蓋在所述第二絕緣膜層上方，使基板表面平整，所述的有機(jī)流平膜層上設(shè)有第 二導(dǎo)通孔，所述的第二導(dǎo)通孔位于所述的第一導(dǎo)通孔上方。
6.如權(quán)利要求5所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述第四導(dǎo) 電膜層覆蓋在所述有機(jī)流平膜層和所述第三導(dǎo)電膜層的上方，使所述第四導(dǎo)電膜層通過所 述第二導(dǎo)通孔、所述第三導(dǎo)電膜層、所述第一導(dǎo)通孔與所述公共電極和所述漏極導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求1或2所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述底 部導(dǎo)電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層。
8.如權(quán)利要求3所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述第二導(dǎo) 電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層。
9.如權(quán)利要求4所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述第三導(dǎo) 電膜層為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層。
10.如權(quán)利要求1或2所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述有 機(jī)流平膜層材料為透明有機(jī)光刻材料。
11.如權(quán)利要求1或2所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述第 四導(dǎo)電膜層為金屬膜層或金屬合金膜層時(shí)，所述薄膜晶體管基板用于做反射式電潤(rùn)濕顯示 裝置；所述第四導(dǎo)電膜層為透明氧化銦錫導(dǎo)電膜層時(shí)，所述薄膜晶體管基板用于透射式電 潤(rùn)濕顯示裝置。
12.如權(quán)利要求5所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述第四導(dǎo) 電膜層通過所述第二導(dǎo)通孔、所述第三導(dǎo)電膜層、所述第一導(dǎo)通孔與所述公共電極導(dǎo)通形 成保持電極；所述第四導(dǎo)電膜層通過所述第二導(dǎo)通孔、所述第三導(dǎo)電膜層、所述第一導(dǎo)通孔 與所述漏極導(dǎo)通，形成像素電極；作為保持電極和像素電極的所述第四導(dǎo)電膜層分別間隔設(shè)置。
13.如權(quán)利要求2所述的用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，其特征在于所述保護(hù)膜 層材料為一層二氧化硅材料。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于電潤(rùn)濕顯示裝置的薄膜晶體管，包括基板、底部導(dǎo)電膜層、第一絕緣膜層、半導(dǎo)體非晶硅膜層、第二導(dǎo)電膜層、第二絕緣層、第四導(dǎo)電膜層及有機(jī)流平膜層；底部導(dǎo)電膜層設(shè)在基板上；第一絕緣膜層覆蓋在底部導(dǎo)電膜層上方；半導(dǎo)體非晶硅膜層覆蓋在第一絕緣膜層上；第二導(dǎo)電膜層部分覆蓋在半導(dǎo)體非晶硅膜層上，第二層絕緣膜層覆蓋在第一絕緣膜層、半導(dǎo)體非晶硅膜層、第二導(dǎo)電膜層的上方；有機(jī)流平膜層覆蓋在第二絕緣層上；第四導(dǎo)電膜層覆蓋在有機(jī)流平膜層上。與現(xiàn)有技術(shù)比較，其有益效果是有機(jī)流平膜層的增加，提高反應(yīng)速度；漏極和公共電極都通過導(dǎo)電膜層連接到同一平面，使反應(yīng)速度加快；提高產(chǎn)品開口率。
文檔編號(hào)H01L29/786GK201555984SQ20092020553
公開日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者商陸平, 朱澤力, 李紹宗 申請(qǐng)人:深圳萊寶高科技股份有限公司