專利名稱：一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景TFT (薄膜晶體管)是有源驅(qū)動LCD (液晶顯示器)的重要部件，TFT 生產(chǎn)采用幾道光刻掩膜版決定了其生產(chǎn)成本?，F(xiàn)有的頂柵結(jié)構(gòu)TFT像素如圖1、圖2所示，其中，玻璃基板8上的底部 金屬層為遮光層9，防止來自背光源的光對非晶硅5產(chǎn)生的光漏電流；其上有 一層絕緣層7，再上為ITO (氧化銦錫導(dǎo)電膜)層和金屬層，分別作為像素電 極2和數(shù)據(jù)布線1;非晶硅層5沉積在像素電極2之上，然后再沉積第二層絕 緣層6，開孔21去除像素電極ITO(氧化銦錫導(dǎo)電膜)層上的第二層絕緣層6， 頂層的金屬層為柵極布線3。在數(shù)據(jù)布線1與柵極布線3之間有過孔(圖中未 示出)連接。目前，頂柵結(jié)構(gòu)的TFT需要采用5道光刻掩膜版(包括遮光層， 像素電極層，非晶硅層，絕緣層窗口，柵極層)?，F(xiàn)有的底柵結(jié)構(gòu)TFT像素如圖3、圖4所示，其中，玻璃基板8上的底部 金屬層為柵極布線3并起到遮光層作用，其上沉積絕緣層7及非晶硅層5，在 其上再沉積中部金屬層形成數(shù)據(jù)布線1并形成源漏電極，在沉積第二層絕緣層 6后進(jìn)行過孔10的圖形形成，最后形成像素電極2的圖形。目前，底柵結(jié)構(gòu) 的TFT亦需要采用5道光刻掩膜版(包括柵極層，非晶硅層，數(shù)據(jù)線層，絕 緣層開口，像素電極層)。為了降低TFT生產(chǎn)成本，出現(xiàn)了在底柵結(jié)構(gòu)中采用灰度掩膜版的工藝， 該工藝雖然將非晶硅層和數(shù)據(jù)線層合并為一道，可以實現(xiàn)四道光刻掩膜版完成 TFT生產(chǎn)，但工藝難度加大，技術(shù)難點(diǎn)較難掌握，并且本身一塊灰度掩膜版的 制作價格并不比兩塊掩膜版價格低，導(dǎo)致相關(guān)生產(chǎn)成本增加。因此，采用灰度掩膜版工藝對降低TFT生產(chǎn)成本意義并不大。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題在于，提供一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，采用平面
底柵結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)四道光刻掩膜版完成TFT生產(chǎn)，工藝簡單，降低TFT的生產(chǎn) 成本。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種薄膜晶體管結(jié) 構(gòu)，包括作為柵極布線及遮光層的底部金屬層、第一絕緣層、形成像素電極圖 形的氧化銦錫導(dǎo)電膜層、作為數(shù)據(jù)布線的中部金屬層、非晶硅層和第二絕緣層， 所述第一絕緣層覆蓋在所述底部金屬層之上，其特征在于，所述氧化銦錫導(dǎo)電 膜層和所述中部金屬層覆蓋在所述第一絕緣層之上，該氧化銦錫導(dǎo)電膜層與中 部金屬層的連接部相鄰間隔布置，所述非晶硅層覆蓋在所述中部金屬層及所述 氧化銦錫導(dǎo)電膜層與所述中部金屬層的連接部之上，所述第二絕緣層覆蓋在所 述非晶硅層之上；布置所述氧化銦錫導(dǎo)電膜層的區(qū)域包括去除所述第二絕緣層 的開口。
實施本實用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)比較，其有益效果是
1. 將TFT生產(chǎn)從現(xiàn)有的五道光刻掩膜版減少到四道光刻掩膜版(包括 柵極層，數(shù)據(jù)線層，非晶硅層，絕緣層開口)，簡化了生產(chǎn)工藝，
2. 從整體上降低了TFT的生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品競爭力。


下面將結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明，附圖中
圖1是現(xiàn)有的薄膜晶體管頂柵結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是圖1中A—A剖面放大圖。
圖3是現(xiàn)有的薄膜晶體管底柵結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是圖3中B—B剖面放大圖。
圖5是本實用新型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖6是圖5中C一C剖面放大圖。
具體實施方式

如圖5、圖6所示，本實用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括作為柵極布線及遮 光層的底部金屬層3、第一絕緣層7、形成像素電極圖形的氧化銦錫導(dǎo)電膜層
2、作為數(shù)據(jù)布線的中部金屬層l、非晶硅層5和第二絕緣層6。
第一絕緣層7覆蓋在底部金屬層3之上，氧化銦錫導(dǎo)電膜層2和中部金屬 層1覆蓋在第一絕緣層7之上。該氧化銦錫導(dǎo)電膜層2與中部金屬層1的連接 部相鄰間隔布置。
非晶硅層5覆蓋在中部金屬層1及氧化銦錫導(dǎo)電膜層2與中部金屬層1 的連接部之上，利用非晶硅層5對中部金屬層1進(jìn)行保護(hù)。制造時，去除像素 電極氧化銦錫導(dǎo)電膜層2上沒有非晶硅層5保護(hù)的中部金屬層1形成透明電 極。
第二絕緣層6覆蓋在非晶硅層5之上。
在布置氧化銦錫導(dǎo)電膜層2的區(qū)域去除第二絕緣層6，形成像素電極開口 21，以保證像素電極(ITO)能夠直接與液晶接觸，防止顯示時出現(xiàn)圖像殘影。
在其他實施例中，在布置氧化銦錫導(dǎo)電膜層2的區(qū)域不去除第二絕緣層6， 不影響本發(fā)明目的的實現(xiàn)。
本實用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可以在玻璃基板8上實施，也可以在其他玻 璃基板的替代物上實施。
權(quán)利要求1、一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括作為柵極布線及遮光層的底部金屬層、第一絕緣層、形成像素電極圖形的氧化銦錫導(dǎo)電膜層、作為數(shù)據(jù)布線的中部金屬層、非晶硅層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋在所述底部金屬層之上，其特征在于，所述氧化銦錫導(dǎo)電膜層和所述中部金屬層覆蓋在所述第一絕緣層之上，該氧化銦錫導(dǎo)電膜層與中部金屬層的連接部相鄰間隔布置，所述非晶硅層覆蓋在所述中部金屬層及所述氧化銦錫導(dǎo)電膜層與所述中部金屬層的連接部之上，所述第二絕緣層覆蓋在所述非晶硅層之上；布置所述氧化銦錫導(dǎo)電膜層的區(qū)域包括去除所述第二絕緣層的開口。
專利摘要本實用新型涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括作為柵極布線及遮光層的底部金屬層、第一絕緣層、形成像素電極圖形的氧化銦錫導(dǎo)電膜層、作為數(shù)據(jù)布線的中部金屬層、非晶硅層和第二絕緣層，第一絕緣層覆蓋在、底部金屬層之上，氧化銦錫導(dǎo)電膜層和中部金屬層覆蓋在第一絕緣層之上，該氧化銦錫導(dǎo)電膜層與中部金屬層的連接部相鄰間隔布置，非晶硅層覆蓋在中部金屬層及氧化銦錫導(dǎo)電膜層與中部金屬層的連接部之上，第二絕緣層覆蓋在非晶硅層之上；布置氧化銦錫導(dǎo)電膜層的區(qū)域包括去除第二絕緣層的開口。本實用新型將TFT生產(chǎn)從現(xiàn)有的五道光刻掩膜版減少到四道光刻掩膜版，簡化了生產(chǎn)工藝，從整體上降低了TFT的生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品競爭力。
文檔編號H01L29/786GK201425942SQ20092013235
公開日2010年3月17日 申請日期2009年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月5日
發(fā)明者劉立峰, 商陸平, 朱澤力 申請人:深圳萊寶高科技股份有限公司