專利名稱：一種半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有大部分半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)中，一般包括金屬底板，該金屬底板上連接有外接 引線端子，另外兩根外接引線端子均懸空設(shè)置，三極管芯片的背面則直接粘接在金屬底板 上，在封裝時(shí)，將三極管芯片正面各電極焊接點(diǎn)通過鋁絲線鍵合與懸空的兩根外接引線端 子進(jìn)行鍵合，然后通過封裝工藝包裹成型。在這種半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)中，首先，三極管芯片 的背面直接粘接在金屬底板上，三極管芯片背面與金屬底板之間是導(dǎo)電的；另外，金屬底板 上一般只粘接一顆半導(dǎo)體芯片，一顆半導(dǎo)體芯片的功率一般不會(huì)太大。 一些對(duì)功率等電參 數(shù)有特殊需求的半導(dǎo)體器件，如果采用上述封裝結(jié)構(gòu)，很難達(dá)到要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種特殊的半導(dǎo)體的 封裝結(jié)構(gòu)，采用這種封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體具有較好的功率和較好的散熱性。 本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為該半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特 征在于包括金屬襯底，該金屬襯底的表面上焊接有一陶瓷片，該陶瓷片的表面上焊接有 相互分隔的由金屬材質(zhì)制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片，第一芯片粘接片上設(shè)置 有第一外接電極端，第二芯片粘接片上設(shè)置有第二外接電極端，一懸空的與第一外接電極 端、第二外接電極端并排設(shè)置的第三外接電極端，該第三外接電極端與金屬襯底、第一芯片 粘接片和第二芯片粘接片均不連接，第一半導(dǎo)體芯片的背面粘接在第一芯片粘接片的表面 上，第二半導(dǎo)體芯片的背面粘接在第二芯片粘接片的表面上，第一半導(dǎo)體芯片的正面通過 導(dǎo)電線與第二芯片粘接片的表面相連，第二半導(dǎo)體芯片的正面通過導(dǎo)電線與第三外接電極 端相連。 作為改進(jìn)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括有塑料包裹體外殼，所述金屬襯底、陶瓷 片、第一芯片粘接片、第二芯片粘接片、第一半導(dǎo)體芯片、第二半導(dǎo)體芯片及導(dǎo)電線均設(shè)置 在所述包裹體外殼內(nèi)部。 再改進(jìn)，所述第一外接電極端、第二外接電極端、第三外接電極端均延伸至所述塑 料包裹體外殼之外，而所述第二外接電極端外露于塑料包裹體外殼之外的部分則通過切割 機(jī)被切斷。 所述第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片可以采用性能和/或功能相同的半導(dǎo)體
芯片，也可以采用性能和/或功能不同的半導(dǎo)體芯片，本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
中，第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片采用性能和/或功能相同的半導(dǎo)體芯片。 所述導(dǎo)電線為鋁絲線，并且第一半導(dǎo)體芯片的正面通過兩根鋁絲線與第二芯片粘
接片相連，第二半導(dǎo)體芯片的也通過兩根鋁絲線與第三外接電極端相連。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于通過在金屬底板的表面焊接絕緣導(dǎo)熱
3材料制成的中間層，然后在中間層的表面焊接相互分隔的由金屬材質(zhì)制成的用于粘貼半導(dǎo) 體芯片的兩塊芯片粘接片，兩顆半導(dǎo)體芯片分別粘接在兩塊芯片粘接片上，由于有了中間 層的阻隔，半導(dǎo)體芯片的背面與金屬襯底之間電性能絕緣，而半導(dǎo)體芯片在工作時(shí)產(chǎn)生的 熱量也能夠通過中間層散發(fā)出去；并且兩顆半導(dǎo)體可以產(chǎn)生較高的工作電壓，測(cè)試數(shù)據(jù)證 明該封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，同時(shí)具有小于100納秒的反向恢復(fù)時(shí)間的優(yōu)良特性！

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例去掉塑料包裹體外殼后的示意圖； 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例去掉塑料包裹體外殼、切去第二外接電極端后的示意 圖； 圖4為圖3中A-A方向剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。 如圖1 4所示的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬襯底1、塑料包裹體外殼6，該金屬 襯底1的下部表面上焊接有一陶瓷片2，該陶瓷片2的表面上焊接有相互分隔的由金屬材質(zhì) 制成的第一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32，第一芯片粘接片31上設(shè)置有第一外接電 極端41，第二芯片粘接片32上設(shè)置有第二外接電極端42，一懸空的與第一外接電極端41、 第二外接電極端42并排設(shè)置的第三外接電極端53，該第三外接電極端53與金屬襯底1 、第 一芯片粘接片31和第二芯片粘接片32均不連接，第一半導(dǎo)體芯片51的背面粘接在第一芯 片粘接片31的表面上，第二半導(dǎo)體芯片52的背面粘接在第二芯片粘接片32的表面上，第 一半導(dǎo)體芯片51的正面通過兩根鋁絲線與第二芯片粘接片32的表面相連，第二半導(dǎo)體芯 片52的正面通過兩根鋁絲線與第三外接電極端43相連。 金屬襯底1的下部、陶瓷片2、第一芯片粘接片31、第二芯片粘接片32、第一半導(dǎo)體
芯片41、第二半導(dǎo)體芯片42及鋁絲線均設(shè)置在所述包裹體外殼6內(nèi)部。 本實(shí)施例中，第一外接電極端41 、第二外接電極端42、第三外接電極端43均延伸
至所述塑料包裹體外殼之外，而第二外接電極端42外露于塑料包裹體外殼之外的部分則
通過切割機(jī)被切斷。 第一半導(dǎo)體芯片51和第二半導(dǎo)體芯片52為性能和功能相同的半導(dǎo)體芯片。
權(quán)利要求一種半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括金屬襯底(1)，該金屬襯底(1)的表面上焊接有一陶瓷片(2)，該陶瓷片(2)的表面上焊接有相互分隔的由金屬材質(zhì)制成的第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)，第一芯片粘接片(31)上設(shè)置有第一外接電極端(41)，第二芯片粘接片(32)上設(shè)置有第二外接電極端(42)，一懸空的與第一外接電極端(41)、第二外接電極端(42)并排設(shè)置的第三外接電極端(53)，該第三外接電極端(53)與金屬襯底(1)、第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)均不連接，第一半導(dǎo)體芯片(51)的背面粘接在第一芯片粘接片(31)的表面上，第二半導(dǎo)體芯片(52)的背面粘接在第二芯片粘接片(32)的表面上，第一半導(dǎo)體芯片(51)的正面通過導(dǎo)電線與第二芯片粘接片(32)的表面相連，第二半導(dǎo)體芯片(52)的正面通過導(dǎo)電線與第三外接電極端(43)相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括有塑料包裹體外殼 (6)，所述金屬襯底(1)、陶瓷片(2)、第一芯片粘接片(31)、第二芯片粘接片(32)、第一半導(dǎo) 體芯片(51)、第二半導(dǎo)體芯片(52)及導(dǎo)電線均設(shè)置在所述包裹體外殼(6)內(nèi)部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一外接電極端(41)、 第二外接電極端(42)、第三外接電極端(43)均延伸至所述塑料包裹體外殼之外，而所述第 二外接電極端(42)外露于塑料包裹體外殼之外的部分則通過切割機(jī)被切斷。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一半導(dǎo)體芯片(51) 和第二半導(dǎo)體芯片(52)為性能和/或功能相同的半導(dǎo)體芯片。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述導(dǎo)電線為鋁絲線，并且第一半導(dǎo)體芯片(51)的正面通過兩根鋁絲線與第二芯片粘接片 (32)相連，第二半導(dǎo)體芯片(52)的也通過兩根鋁絲線與第三外接電極端相連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括金屬襯底，該金屬襯底的表面上焊接有一陶瓷片，該陶瓷片的表面上焊接有相互分隔的由金屬材質(zhì)制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片，第一芯片粘接片上設(shè)置有第一外接電極端，第二芯片粘接片上設(shè)置有第二外接電極端，一懸空的與第一外接電極端、第二外接電極端并排設(shè)置的第三外接電極端，第一半導(dǎo)體芯片的背面粘接在第一芯片粘接片的表面上，第二半導(dǎo)體芯片的背面粘接在第二芯片粘接片的表面上，第一半導(dǎo)體芯片的正面通過導(dǎo)電線與第二芯片粘接片的表面相連，第二半導(dǎo)體芯片的正面通過導(dǎo)電線與第三外接電極端相連。采用這種封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體具有較好的功率和較好的散熱性。
文檔編號(hào)H01L23/06GK201438460SQ20092011921
公開日2010年4月14日 申請(qǐng)日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月5日
發(fā)明者段康勝 申請(qǐng)人:寧波明昕微電子股份有限公司