專利名稱：邊緣不對稱倒角單晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型之邊緣不對稱倒角單晶片是一種在半導體器件芯片制作過程中的中
間產(chǎn)品，屬于半導體器件制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在磨削加工領(lǐng)域，將工件邊緣棱角去除的工藝稱作倒角，經(jīng)過倒角的工件邊緣形狀也稱為倒角。從倒角剖面看，倒角形狀有圓弧狀、斜線狀等。對于薄片狀工件，當邊緣兩側(cè)均有倒角并且倒角形狀相同時，構(gòu)成一種對稱倒角，邊緣兩側(cè)的倒角相對于位于薄片狀工件一半厚度處且平行于薄片狀工件表面的平面對稱。 將經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割成單晶片，單晶片邊緣表面比較粗糙，存在棱角、毛剌、崩邊等缺陷，甚至還會出現(xiàn)裂縫以及其他缺陷，導致單晶片邊緣機械強度降低，還有顆粒沾污。這就需要將單晶片邊緣倒角以消除所述缺陷。見圖l所示，倒角就是磨削單晶片1邊緣，獲得弧形倒角2，或者梯形倒角3，見圖2所示，在單晶片加工領(lǐng)域分別稱為R型倒角、T型倒角，都屬于對稱倒角，是單晶片普遍采用的兩種類型倒角。倒角的頂點到過倒角末端且垂直于單晶片表面的直線的距離h = T/2， T為單晶片厚度。 作為制作半導體芯片的襯底片，要求單晶片在經(jīng)過擴散后將一側(cè)的擴散層去除，目前使用的具有R型倒角或者T型倒角的單晶片在經(jīng)過所述去除加工后，此時的單晶片邊緣兩側(cè)倒角相對于位于此時的單晶片一半厚度處且平行于單晶片表面的平面不對稱，構(gòu)成不對稱倒角，見圖3、圖4所示，這種不對稱倒角應力大，容易導致崩邊、暗紋碎片，碎片率上升，成本增加。

實用新型內(nèi)容為了解決單晶片在后續(xù)擴散層去除加工后出現(xiàn)的崩邊和暗紋碎片問題，降低碎片
率，降低生產(chǎn)成本，我們提出了一項名為邊緣不對稱倒角單晶片的技術(shù)方案。 本實用新型是這樣實現(xiàn)的，所涉及的單晶片是一種在半導體器件制造過程中的中
間產(chǎn)品，由經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割而成，呈圓片狀，被劃分為兩層，見圖5所示，即去除
層4和保留層5，其特征在于，單晶片邊緣倒角為不對稱倒角，并且，與單晶片被劃分為去除
層4和保留層5相對應，單晶片邊緣倒角也劃分為兩部分，即去除層倒角6和保留層倒角7，
保留層倒角7為對稱倒角。 本實用新型之技術(shù)方案的技術(shù)效果在于，邊緣具有不對稱倒角的單晶片在經(jīng)過擴散工藝后，需要去除的一側(cè)擴散層就是去除層4，去除該去除層4后的單晶片只有保留層5，這時的單晶片邊緣倒角就只有保留層倒角7，而保留層倒角7相對于位于保留層5 —半厚度處且平行于單晶片表面的平面對稱，所以保留層倒角7是一種對稱倒角，見圖6所示，因而因應力的原因?qū)е碌谋肋?、暗紋碎片現(xiàn)象減少，提高了成品率，降低了成本。在實際生產(chǎn)加工過程中，由于邊緣應力造成的碎片率降低至0.3%，在后續(xù)的芯片制造過程中碎片率降低至0. 75%。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)之單晶片邊緣倒角中的R型對稱倒角示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)之單晶片邊緣倒角中的T型對稱倒角示意圖。圖3是現(xiàn)有技術(shù)之單晶片去除一側(cè)擴散層之后邊緣R型對稱倒角變?yōu)椴粚ΨQ倒角示意圖。圖4是現(xiàn)有技術(shù)之單晶片去除一側(cè)擴散層之后邊緣T型對稱倒角變?yōu)椴粚ΨQ倒角示意圖。圖5是本實用新型之單晶片邊緣倒角為一種不對稱倒角示意圖，該圖兼做摘要附圖。圖6是本實用新型之單晶片去除層被去除后邊緣倒角為一種對稱倒角示意圖。
具體實施方式本實用新型的是這樣具體實現(xiàn)的，所涉及的單晶片是一種在半導體器件制造過程中的中間產(chǎn)品，是用于制作芯片的襯底片中的擴散拋光片(DW)，由經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割而成，呈圓片狀，厚度為535+10 ii m，被劃分為兩層，見圖5所示，即去除層4和保留層5，單晶片邊緣倒角為不對稱倒角，即單晶片邊緣倒角相對于位于單晶片一半厚度處且平行于單晶片表面的平面不對稱，并且，與單晶片被劃分為去除層4和保留層5相對應，單晶片邊緣倒角也劃分為兩部分，即去除層倒角6和保留層倒角7，保留層倒角7為對稱倒角，即保留層倒角7相對于位于保留層5 —半厚度處且平行于單晶片表面的平面對稱。去除層倒角6 —端與單晶片表面相交，另一端與保留層倒角7的一端相連，保留層倒角7的另一端與單晶片的另一表面相交。單晶片邊緣倒角的頂點到過保留層倒角7末端且垂直于單晶片表面的直線的距離^在130士100iim范圍內(nèi)，單晶片邊緣倒角的頂點到"過去除層倒角6與單晶片表面的的交點、且垂直于單晶片表面"的直線的距離h2在500± 100 ii m范圍內(nèi)，單晶片邊緣倒角的延長線與單晶片表面的夾角9在30±2°范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種邊緣不對稱倒角單晶片，所涉及的單晶片是一種在半導體器件制造過程中的中間產(chǎn)品，由經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割而成，呈圓片狀，被劃分為兩層，即去除層(4)和保留層(5)，其特征在于，單晶片邊緣倒角為不對稱倒角，并且，與單晶片劃分為去除層(4)和保留層(5)相對應，單晶片邊緣倒角也劃分為兩部分，即去除層倒角(6)和保留層倒角(7)，保留層倒角(7)為對稱倒角。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的邊緣不對稱倒角單晶片，其特征在于，去除層倒角(6) —端與單晶片表面相交，另一端與保留層倒角(7)的一端相連，保留層倒角(7)的另一端與單晶片的另一表面相交。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的邊緣不對稱倒角單晶片，其特征在于，單晶片厚度為535士10ym，單晶片邊緣倒角的頂點到過保留層倒角(7)末端且垂直于單晶片表面的直線的距離(hl)在130士100iim范圍內(nèi)，單晶片邊緣倒角的頂點到過去除層倒角(6)與單晶片表面的的交點、且垂直于單晶片表面的直線的距離(h2)在500士100iim范圍內(nèi)，單晶片邊緣倒角的延長線與單晶片表面的夾角(e)在30士2。范圍內(nèi)。
專利摘要邊緣不對稱倒角單晶片屬于半導體器件制造技術(shù)領(lǐng)域?，F(xiàn)有單晶片邊緣倒角為對稱倒角，當將單晶片一側(cè)的擴散層去除后，邊緣倒角變成不對稱倒角，這種不對稱倒角應力大，容易導致崩邊、暗紋碎片，碎片率上升，成本增加。本實用新型所涉及的單晶片是一種在半導體器件制造過程中的中間產(chǎn)品，由經(jīng)滾圓加工的硅單晶棒切割而成，呈圓片狀，被劃分為兩層，即去除層和保留層，單晶片邊緣倒角為不對稱倒角，并且，與單晶片劃分為去除層和保留層相對應，單晶片邊緣倒角也劃分為兩部分，即去除層倒角和保留層倒角，保留層倒角為對稱倒角。本實用新型應用于半導體器件制造領(lǐng)域中的襯底片加工工序中。
文檔編號H01L21/02GK201514935SQ20092009395
公開日2010年6月23日 申請日期2009年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月7日
發(fā)明者商亞峰, 姚志勇, 常江, 李昱鑫 申請人:吉林華微電子股份有限公司