專利名稱：發(fā)光二極管封裝件基板和具有該基板的發(fā)光二極管封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝件的金屬基板和具有該基板的發(fā)光二極管封裝 件，更具體地講，涉及一種具有高散熱性能、高亮度和高反射性的發(fā)光二極管封裝件基板以 及具有該基板的發(fā)光二極管封裝件。
背景技術(shù)：
一般來說，由于內(nèi)電阻等，發(fā)光二極管和電子元件在運行時產(chǎn)生大量的熱。計算機 CPU是產(chǎn)生熱的典型元件，給這種產(chǎn)生強熱的元件添加專用的冷卻元件以在運行期間部分 地冷卻區(qū)域。然而，除了 CPU之外，其它附著到板(基板)的元件也產(chǎn)生熱，因此，從基板本 身及附著于基板的元件散熱顯現(xiàn)為重要的技術(shù)。由于發(fā)光二極管在其在各種領(lǐng)域的應(yīng)用中具有陣列結(jié)構(gòu)，因此這種問題是在發(fā)光 二極管(LED)的應(yīng)用中要認真考慮的因素。一般來說，為了將發(fā)光二極管用作照明燈，發(fā)光 二極管必須具有數(shù)千坎德拉每單位面積的亮度。然而，由于對單個發(fā)光二極管芯片來說，具 有如此高的亮度水平是困難的，因此通常構(gòu)造多個發(fā)光二極管陣列以獲得所要求的亮度水 平。在現(xiàn)有技術(shù)中，在形成這種陣列方面面臨的問題是有效地將從每個發(fā)光二極管產(chǎn)生的 光最大化，同時將從每個發(fā)光二極管產(chǎn)生的光轉(zhuǎn)換成熱最小化，從而使發(fā)光水平最大化，并 盡快將產(chǎn)生的熱散發(fā)到芯片外部或基板外部。在現(xiàn)有的印刷電路板(PCB)中，當附著發(fā)光二極管陣列時，從發(fā)光二極管自身產(chǎn) 生的一部分熱通過發(fā)光二極管的體積而釋放，其它剩余的熱則向引線自身或者通過引線向 PCB下部釋放。由塑料材料制成的PCB不具有優(yōu)秀的散熱特性，因此，通過板釋放相對少量的熱。 因此，當在板上安裝產(chǎn)生過多的熱的元件時，因為沒有適當?shù)蒯尫潘臒?，所以此元件發(fā)生 故障或其壽命縮短。這在高亮度發(fā)光二極管、激光二極管或在它們的陣列的情況中是一樣 的。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，這種問題的解決方法之一是在制造工藝中給每個元件附著 用于改進散熱和反射效率的結(jié)構(gòu)，給PCB附著這樣的獨立元件。例如，每個元件可含有具有 凸出和凹進的結(jié)構(gòu)以增加用于散熱的表面積，或者可以由具有有效的吸熱力或散熱力的材 料制成。此外，已提出一種使用具有優(yōu)秀的熱傳輸特性的金屬構(gòu)件的金屬核PCB。所述金 屬核PCB包括由鋁制成的金屬基板、形成在金屬基板上的聚合物絕緣層和形成在聚合物絕 緣層上的電線。雖然在與由塑料材料制成的一般的PCB比較時，金屬核PCB具有優(yōu)秀的散 熱性能，但由于使用具有相對高的導(dǎo)熱率的高價聚合物，所以金屬核PCB的制造成本高。此 外，金屬核PCB的反射性和散熱特性由于聚合物絕緣層而劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種具有高散熱性能、高亮度和高反射性的發(fā)光二極管 (LED)封裝件的金屬基板以及具有該基板的LED封裝件。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光二極管封裝件的基板，包括金屬板；絕緣 氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū) 域上并提供發(fā)光二極管的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域上，從 而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開。在金屬板的部分上形成絕緣氧化物層時，金屬板的暴露的區(qū)域可以是因在形成然 后除去與絕緣氧化物層的材料相同的材料而得到的區(qū)域。絕緣氧化物層可以是通過在金屬板上執(zhí)行陽極化工藝而形成的陽極氧化膜。LED封裝件基板還可以包括分別形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上的第一外 部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。LED封裝件基板還可以包括經(jīng)形成在金屬板上的通孔與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電 圖案電連接的第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，金屬板可以是因從沒有形成第一外 部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤的區(qū)域除去絕緣氧化物層而暴露的。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)光二極管封裝件的驅(qū)動電路基板，所述基 板包括金屬板；絕緣氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在 絕緣氧化物層的一個區(qū)域上并提供發(fā)光二極管封裝件的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在 絕緣氧化物層的另一區(qū)域上，從而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造發(fā)光二極管封裝件的金屬基板的方法， 所述方法包括如下步驟在金屬板表面上形成絕緣氧化物層；在絕緣氧化物層的一個區(qū)域 形成第一導(dǎo)電圖案并提供發(fā)光二極管安裝區(qū)域，在絕緣氧化物層的另一區(qū)域形成第二導(dǎo)電 圖案，從而使第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開；從沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電 圖案的區(qū)域除去絕緣氧化物層以暴露金屬板。絕緣氧化物層可通過在金屬板上執(zhí)行陽極化工藝而形成。制造LED封裝件的金屬基板的方法還可以包括如下步驟在金屬板上形成通孔， 并形成通過所述通孔與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接的第一外部安裝焊盤和第二 外部安裝焊盤；所述方法還可以包括如下步驟從沒有形成第一外部安裝焊盤和第二外部 安裝焊盤的區(qū)域除去絕緣氧化物層以暴露金屬板。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種LED封裝件，包括金屬板；絕緣氧化物層， 形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域并提供 發(fā)光二極管的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域，從而第二導(dǎo)電圖 案與第一導(dǎo)電圖案分隔開；LED，安裝在第一導(dǎo)電圖案上并與第二導(dǎo)電圖案電連接；透明樹 脂，覆蓋LED。所述LED封裝件還可包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，分別形成在 第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上。所述LED封裝件還可包括形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上的第一反射膜 和第二反射膜以及穿透第一反射膜和第二反射膜的第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。
所述LED封裝件還可包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，以穿透的方 式形成在金屬板上，并與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接。所述LED封裝件還可包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，以穿透的方 式形成在金屬板上，并與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接；反射膜，形成在第一導(dǎo)電圖 案和第二導(dǎo)電圖案上。


通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征和其它優(yōu)點將會 更加清楚地被理解，其中圖Ia是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的金屬基板的透視圖；圖Ib是沿圖Ia的線Ι-Γ截取的剖視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的發(fā)光二極管(LED)封裝件的驅(qū)動電路基板的透 視圖；圖3a至圖3f是示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造LED封裝件的金屬基 板和LED封裝件的方法的順序工藝的剖視圖；圖4a至圖4f是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的制造LED封裝件的金屬基板 和LED封裝件的方法的順序工藝的剖視圖；圖5至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件的剖視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同 的形式來實施，且不應(yīng)該解釋為局限于在這里所提出的實施例。相反，提供這些實施例使得 本公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為 清楚起見，會夸大形狀和尺寸，相同的標號始終表示相同的組件。圖Ia是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的金屬基板的透視圖，圖Ib是沿圖Ia的線 Ι-Γ截取的剖視圖。參照圖Ia和圖lb，金屬基板包括金屬板101 ；絕緣氧化物層102a和102b，形成在 金屬板101的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案103a，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域102a 上并提供發(fā)光二極管(LED)的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案103b，形成在絕緣氧化物層的另一 區(qū)域102b上，從而103b與第一導(dǎo)電圖案分隔開。在本示例性實施例中，金屬板101的沒有形成第一導(dǎo)電圖案103a和第二導(dǎo)電圖案 103b的區(qū)域是暴露的。金屬板的暴露的區(qū)域可以是在形成然后除去與絕緣氧化物層的材料 相同的材料之后得到的區(qū)域。根據(jù)本示例性實施例的金屬基板100是金屬核PCB，金屬板101設(shè)置為金屬基板的 基礎(chǔ)基板。然而，金屬基板101不限于此，金屬基板101可由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、鋅 (Zn)、鉭(Ta)、鐵(Fe)、鎳(Ni)和它們的合金制成。優(yōu)選地，金屬板由具有優(yōu)秀的熱傳輸特 性并能夠被陽極化的金屬制成。絕緣氧化物層102a和102b形成在金屬板101的一個表面或兩個表面上。雖然沒有限制，但絕緣氧化物層102a和102b可以是通過在金屬板101上執(zhí)行陽極化而形成的 陽極化膜。當金屬板101由鋁制成時，絕緣氧化物層102a和102b可以是鋁陽極化絕緣膜 Al2O3，鋁陽極化絕緣膜Al2O3具有相對高的熱傳輸特性(大約10W/mK至30W/mK)。優(yōu)選地，可以將絕緣氧化物層102a和102b形成為具有足夠的厚度以使第一導(dǎo)電 圖案103a和第二導(dǎo)電圖案103b絕緣。絕緣氧化物層102a和102b可以具有10 μ m至50 μ m 的厚度，但不限于此?？梢酝ㄟ^使用鍍覆工藝(無電鍍和電鍍)、金屬沉積或噴墨印刷方法來形成導(dǎo)電 圖案103a和103b。導(dǎo)電圖案103a和103b可以形成為具有最初設(shè)計的圖案，或者可以通過 在形成導(dǎo)電膜之后的圖案化工藝來形成。導(dǎo)電圖案103a和103b包括提供LED安裝區(qū)域的第一導(dǎo)電圖案103a和與第一導(dǎo) 電圖案103a分隔開的第二導(dǎo)電圖案103b。第一導(dǎo)電圖案103a可以是安裝有LED的構(gòu)件， 第二導(dǎo)電圖案103b可以是結(jié)合有用于將電流施加到LED的布線的構(gòu)件。在根據(jù)本示例性實施例的金屬基板100中，將絕緣氧化物層的沒有形成導(dǎo)電圖案 103a和103b的區(qū)域除去以暴露金屬板101。即，絕緣氧化物層上除了用于將第一導(dǎo)電圖案 103a和第二導(dǎo)電圖案103b絕緣的區(qū)域102a和102b之外的區(qū)域被除去。因為絕緣氧化物層的所述區(qū)域被除去，所以金屬板101可以直接用作熱傳輸路 徑，以更有效地釋放從安裝在金屬板101上的LED產(chǎn)生的熱。此外，可以防止由于絕緣氧化 物層導(dǎo)致的LED的反射性和亮度的劣化。金屬基板100可以用作LED封裝件的驅(qū)動電路基板。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實 施例的LED封裝件的驅(qū)動電路基板的透視圖。參照圖2，LED封裝件的驅(qū)動電路基板包括 金屬板301 ；絕緣氧化物層302，形成在金屬板301的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案303a， 提供LED封裝件(P)的安裝區(qū)域310 ；第二導(dǎo)電圖案303b，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域 上，從而與第一導(dǎo)電圖案303a分隔開。除去絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的其它區(qū)域以暴露 金屬板301。在根據(jù)本示例性實施例的LED封裝件驅(qū)動電路基板中，由于絕緣氧化物層的沒有 形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域被除去，所以金屬板301可以直接用作熱傳輸路 徑，更有效地釋放從安裝在金屬基板300上的LED封裝件產(chǎn)生的熱。此外，可以防止由于絕 緣氧化物層導(dǎo)致的LED的反射性和亮度的劣化。圖3a至圖3f是示出根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的制造LED封裝件的金屬基 板和LED封裝件的方法的順序工藝的剖視圖?，F(xiàn)在將參照圖3a至圖3f描述根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的LED封裝件金屬 基板和制造LED封裝件的方法。首先，如圖3a所示，在金屬板101的表面上形成絕緣氧化物層102。如上所述，可 以通過在金屬板101上執(zhí)行陽極化工藝來形成絕緣氧化物層102a和102b。更詳細地，可以通過將金屬板101放入諸如硼酸、磷酸、硫酸、鉻酸等的電解液中， 將陽極施加到金屬板101，并將陰極施加到電解液，來執(zhí)行陽極化工藝。在這種情況下，優(yōu)選地，將絕緣氧化物層102形成到足夠厚以在第一導(dǎo)電圖案和 第二導(dǎo)電圖案之間提供電絕緣。
其次，如圖3b所示，在絕緣氧化物層102上形成第一導(dǎo)電圖案103a和第二導(dǎo)電圖 案103b。可以通過使用鍍覆工藝(無電鍍和電鍍)、金屬沉積或噴墨印刷方法來形成第一 導(dǎo)電圖案103a和第二導(dǎo)電圖案103b。第一導(dǎo)電圖案103a和第二導(dǎo)電圖案103b可以形成 為具有最初設(shè)計的圖案，或者可以通過在形成導(dǎo)電膜之后的圖案化工藝來形成。然后，如圖3c所示，除去絕緣氧化物層102的沒有形成第一導(dǎo)電圖案103a和第二 導(dǎo)電圖案103b的區(qū)域以暴露金屬板101。通過除去絕緣氧化物層來暴露金屬板101的方法不具體限制。例如，如示出的，在金屬板101的整個表面上形成絕緣氧化物層，形成第一導(dǎo)電圖 案和第二導(dǎo)電圖案，可以選擇性地除去絕緣氧化物層的沒有形成導(dǎo)電圖案的區(qū)域。例如，可 以使用與絕緣氧化物層反應(yīng)的蝕刻劑來選擇性地除去絕緣氧化物層。雖未示出，但在形成絕緣氧化物層時，可以從開始通過使用掩膜圖案來選擇性地 形成絕緣氧化物層。當通過陽極化工藝形成絕緣氧化物層時，首先，在金屬板101的可執(zhí)行陽極化的 一個表面或兩個表面上形成諸如抗蝕劑圖案或氧化物圖案的合適的掩膜圖案。因此，可使 陽極化選擇性地發(fā)生在金屬板上，可以形成陽極化膜以選擇性地開放(暴露)金屬板。以這種方式制造出LED封裝件的金屬板。隨后，如圖3d所示，將LED 111安裝在第一導(dǎo)電圖案103a上，LED 111和第二導(dǎo) 電圖案103b通過使用布線112等電連接。安裝LED的方法不具體限定?？梢允褂枚逊e焊料等然后在一定溫度下執(zhí)行熱處理 的芯片鍵合方法或者無焊劑或用焊劑的共晶鍵合方法等。雖未示出，但LED可使用倒裝芯片鍵合方法進行電連接。之后，如圖3e所示，在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上形成第一外部安裝焊盤 114a和第二外部安裝焊盤114b。然后，可以形成透明樹脂113以覆蓋LED 111和布線112。可選擇地，如圖3f所示，可以在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上形成第一反射膜 125a和第二反射膜125b。在這種情況下，可以將第一外部安裝焊盤124a和第二外部安裝 焊盤124b形成為穿透第一反射膜125a和第二反射膜125b。之后，可以形成透明樹脂123以覆蓋LED 121和布線122。然后，將LED封裝件的金屬基板基于第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案對進行切割以 分離LED。這樣，制造了 LED封裝件。圖4a至圖4f是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例制造LED封裝件的金屬基板和 LED封裝件的方法的順序工藝的剖視圖?，F(xiàn)在將參照圖4a至4f描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的LED封裝件的金屬基 板和制造該LED封裝件的方法。將描述與前面的示例性實施例的元件不同的元件，并將省 略對相同元件的詳細描述。首先，如圖4a所示，在金屬板201的一個表面上形成通孔(h)，在金屬板201的表 面(包括通孔(h)的內(nèi)壁)上形成絕緣氧化物層202。如上所述，可以通過在金屬板201上 執(zhí)行陽極化工藝來形成絕緣氧化物層202。其次，如圖4b所示，在絕緣氧化物層202上形成第一導(dǎo)電圖案203a和第二導(dǎo)電圖 案203b。此外，將第一外部安裝焊盤204a和第二外部安裝焊盤204b形成為與第一導(dǎo)電圖案203a和第二導(dǎo)電圖案203b電連接，包括通孔(h)的過孔填充工藝。然后，如圖4c所示，除去絕緣氧化物層202上沒有形成第一導(dǎo)電圖案203a和第二 導(dǎo)電圖案203b及第一外部安裝焊盤204a和第二外部安裝焊盤204b的區(qū)域，以暴露金屬板 201。之后，如圖4d所示，在第一導(dǎo)電圖案203a上安裝LED 211，通過使用布線212等使 LED 211和第二導(dǎo)電圖案203b電連接。雖未示出，但LED可以通過使用倒裝芯片鍵合方法電連接。之后，如圖4e所示，形成透明樹脂213以覆蓋LED 211和布線212。可選擇地，如圖4f所示，可以在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上形成第一反射膜 225a和第二反射膜225b。然后，可形成透明樹脂223以覆蓋LED 221和線222。然后，將LED封裝件的金屬基板基于第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案對進行切割以 分離LED。這樣，制造了 LED封裝件。圖5至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件的剖視圖。將描述與前 面的示例性實施例的元件不同的元件，并將省略對相同元件的詳細描述。參照圖5，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件110包括金屬板101 ；絕緣氧化 物層102a和102b，形成在所述金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案103a，形成在絕緣 氧化物層的一個區(qū)域102a上并提供LED的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案103b，形成在絕緣氧化 物層的另一區(qū)域102b上，從而第二導(dǎo)電圖案103b與第一導(dǎo)電圖案分隔開；LED 111，安裝在 第一導(dǎo)電圖案103a上并與第二導(dǎo)電圖案103b電連接；透明樹脂113，覆蓋LED。在根據(jù)本 示例性實施例的LED封裝件中，絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的 區(qū)域被除去以暴露所述金屬板。LED 111通過布線112與第二導(dǎo)電圖案103b電連接，通過透明樹脂113進行成型 以保護LED 111和布線112。LED封裝件還包括與第一導(dǎo)電圖案103a電連接的第一外部安裝焊盤114a和與第 二導(dǎo)電圖案103b電連接的第二外部安裝焊盤114b。在根據(jù)本示例性實施例的LED中，由于絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案和 第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域被除去，所以金屬板101可以直接用作熱傳輸路徑，以更有效地釋放 從安裝在金屬基板上的LED產(chǎn)生的熱。此外，可以防止由于絕緣氧化物層導(dǎo)致的LED的反 射性和亮度的劣化。參照圖6，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件120包括金屬板101 ；絕緣氧化 物層102a和102b，形成在所述金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案103a，形成在絕緣 氧化物層的一個區(qū)域102a上并提供LED的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案103b，形成在絕緣氧化 物層的另一區(qū)域102b上，從而第二導(dǎo)電圖案103b與第一導(dǎo)電圖案分隔開；LED 121，安裝在 第一導(dǎo)電圖案103a上并與第二導(dǎo)電圖案103b電連接；透明樹脂123，覆蓋LED。在根據(jù)本示例性實施例的LED封裝件中，絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案 和第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域被除去以暴露所述金屬板。LED 121通過布線122與第二導(dǎo)電圖案103b電連接，通過透明樹脂123進行成型 以保護LED 121和布線122。此外，LED封裝件120包括形成在第一導(dǎo)電圖案103a上的第一反射膜125a和形成在第二導(dǎo)電圖案103b上的第二反射膜125b，LED封裝件120還包括穿透第一反射膜的第 一外部安裝焊盤124a和穿透第二反射膜的第二外部安裝焊盤124b。參照圖7，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件210包括金屬板201 ；絕緣氧化 物層202a和202b，形成在金屬板201的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案203a，形成在絕緣 氧化物層的一個區(qū)域202a上并提供LED的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案203b，形成在絕緣氧化 物層的另一區(qū)域202b上，從而第二導(dǎo)電圖案203b與第一導(dǎo)電圖案分隔開；LED 211，安裝在 第一導(dǎo)電圖案203a上并與第二導(dǎo)電圖案203b電連接；透明樹脂213，覆蓋LED。在根據(jù)本 示例性實施例的LED封裝件中，絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的 區(qū)域被除去以暴露所述金屬板。LED 211通過布線212與第二導(dǎo)電圖案203b電連接，通過透明樹脂213進行成型 以保護LED 211和布線212。此外，LED封裝件包括經(jīng)形成在金屬板201中的通孔與第一導(dǎo)電圖案203a電連接 的第一外部安裝焊盤204a和與第二導(dǎo)電圖案203b電連接的第二外部安裝焊盤204b。絕緣氧化物層的沒有形成第一外部安裝焊盤204a和第二外部安裝焊盤204b的區(qū) 域被除去以暴露所述金屬板。參照圖8，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LED封裝件220包括金屬板201 ；絕緣氧化 物層202a和202b，形成在金屬板201的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案203a，形成在絕緣 氧化物層的一個區(qū)域202a上并提供LED的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案203b，形成在絕緣氧化 物層的另一區(qū)域202b上，從而第二導(dǎo)電圖案203b與第一導(dǎo)電圖案分隔開；LED 221，安裝在 第一導(dǎo)電圖案203a上并與第二導(dǎo)電圖案203b電連接；透明樹脂223，覆蓋LED。在根據(jù)本 示例性實施例的LED封裝件中，絕緣氧化物層的沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的 區(qū)域被除去以暴露所述金屬板。LED 221通過布線222與第二導(dǎo)電圖案203b電連接，通過透明樹脂223進行成型 以保護LED 221和布線222。此外，LED封裝件包括經(jīng)形成在金屬板201中的通孔與第一導(dǎo)電圖案203a電連接 的第一外部安裝焊盤204a和與第二導(dǎo)電圖案203b電連接的第二外部安裝焊盤204b。絕緣 氧化物層上沒有形成第一外部安裝焊盤204a和第二外部安裝焊盤204b的區(qū)域被除去以暴 露所述金屬板。此外，LED封裝件包括形成在第一導(dǎo)電圖案203a上的第一反射膜225a和形成在 第二導(dǎo)電圖案203b上的第二反射膜225b。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，由于絕緣氧化物層的除了用于將導(dǎo)電圖 案絕緣的區(qū)域以外的其它區(qū)域被除去，所以金屬板可以直接用作熱傳輸路徑。因此，可以更 有效地釋放從安裝在金屬基板上的LED產(chǎn)生的熱。此外，可以防止由于絕緣氧化物層導(dǎo)致 的LED的反射性和亮度的劣化。盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實施例示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的 是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此作出修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝件的基板，所述基板包括金屬板；絕緣氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域上并提供發(fā)光二極管的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域上，從而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖 案分隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其中，在金屬板的部分上形成絕緣氧化物層時，金屬板的 暴露的區(qū)域是在形成然后除去與絕緣氧化物層的材料相同的材料而得到的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的基板，其中，絕緣氧化物層是通過在金屬板上執(zhí)行陽極化工藝 而形成的陽極氧化膜。
4.如權(quán)利要求1所述的基板，所述基板還包括分別形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電 圖案上的第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。
5.如權(quán)利要求1所述的基板，所述基板還包括經(jīng)形成在金屬板上的通孔與第一導(dǎo)電 圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接的第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。
6.如權(quán)利要求5所述的基板，其中，金屬板是因從沒有形成第一外部安裝焊盤和第二 外部安裝焊盤的區(qū)域除去絕緣氧化物層而暴露的。
7.一種發(fā)光二極管封裝件的驅(qū)動電路基板，所述基板包括金屬板；絕緣氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域并提供發(fā)光二極管封裝件的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域，從而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案 分隔開。
8.—種制造發(fā)光二極管封裝件的金屬基板的方法，所述方法包括如下步驟在金屬板表面上形成絕緣氧化物層；在絕緣氧化物層的一個區(qū)域形成第一導(dǎo)電圖案并提供發(fā)光二極管封裝件的安裝區(qū)域， 在絕緣氧化物層的另一區(qū)域形成第二導(dǎo)電圖案，從而使第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔 開；從沒有形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域上除去絕緣氧化物層以暴露金屬板。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，絕緣氧化物層是通過在金屬板上執(zhí)行陽極化工藝 而形成的。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括如下步驟在金屬板上形成通孔，并形成通過所述通孔與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接的 第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括如下步驟從沒有形成第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤的區(qū)域除去絕緣氧化物層以暴露 金屬板。
12.一種發(fā)光二極管封裝件，包括金屬板；絕緣氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域并提供發(fā)光二極管的安裝區(qū)域； 第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域，從而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案 分隔開；發(fā)光二極管，安裝在第一導(dǎo)電圖案上并與第二導(dǎo)電圖案電連接； 透明樹脂，覆蓋發(fā)光二極管。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝件，所述封裝件還包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，分別形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上。
14.如權(quán)利要求12所述的封裝件，所述封裝件還包括形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上的第一反射膜和第二反射膜以及穿透第一反 射膜和第二反射膜的第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤。
15.如權(quán)利要求12所述的封裝件，所述封裝件還包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，以穿透的方式形成在金屬板上，并與第一導(dǎo) 電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接。
16.如權(quán)利要求12所述的封裝件，所述封裝件還包括第一外部安裝焊盤和第二外部安裝焊盤，以穿透的方式形成在金屬板上，并與第一導(dǎo) 電圖案和第二導(dǎo)電圖案電連接；反射膜，形成在第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管(LED)封裝件的基板和具有該基板的LED封裝件。LED封裝件的基板包括金屬板；絕緣氧化物層，形成在金屬板的表面的一部分上；第一導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的一個區(qū)域上并提供發(fā)光二極管的安裝區(qū)域；第二導(dǎo)電圖案，形成在絕緣氧化物層的另一區(qū)域上，從而第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開。在LED封裝件的基板中，由于絕緣氧化物層的除了用于將導(dǎo)電圖案絕緣的區(qū)域以外的區(qū)域被除去，因此可以有效地釋放從發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱。此外，可以防止由于絕緣氧化物層導(dǎo)致的LED的反射性和亮度的劣化。
文檔編號H01L33/64GK101997078SQ20091026630
公開日2011年3月30日 申請日期2009年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者孫瑩豪, 崔碩文, 樸成根, 李榮基, 金泰賢 申請人:三星電機株式會社