專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，尤其涉及有機(jī)電致發(fā)光器件的弓I線設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)：
當(dāng)今，隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展和信息社會(huì)的來臨，對(duì)平板顯示器性能的要求越來 越高。近年來新出現(xiàn)了三種顯示技術(shù)等離子顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器和有機(jī)電致發(fā)光顯示 器，均在一定程度上彌補(bǔ)了陰極射線管和液晶顯示器的不足。其中，有機(jī)電致發(fā)光顯示器 具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器 相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的 1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有廣闊 的應(yīng)用前景，被看作極賦競(jìng)爭(zhēng)力的未來平板顯示技術(shù)之一。 有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Devices,簡(jiǎn)稱OLED)的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)是 第一電極(陽極)/多層有機(jī)層/第二電極(陰極)。常用的陽極材料多為透明的導(dǎo)電金屬 氧化物，如銦錫氧化物(ITO)。光刻后的ITO圖形包括作為OLED器件陽極的部分以及作為 主電極引線的部分。由于ITO的方塊電阻較大，當(dāng)主電極引線過長(zhǎng)或過細(xì)時(shí)，其上就會(huì)產(chǎn)生 較大的電壓降，使顯示區(qū)的發(fā)光強(qiáng)度減小。為了盡可能地減小電阻，會(huì)在作為主電極引線的 全部或部分ITO上覆蓋輔助電極引線，通常為鉬鋁鉬金屬引線。鉬鋁鉬金屬引線刻蝕成形 后會(huì)產(chǎn)生鉬層外凸鋁層內(nèi)凹的截面，延伸區(qū)的引線在測(cè)試時(shí)由于要承受較大壓力會(huì)導(dǎo)致上 層鉬層外凸邊緣脫落，由于目前引線均為直邊設(shè)計(jì)，脫落的長(zhǎng)條狀邊緣會(huì)使不同引線搭接 導(dǎo)致行列連缺陷，弓I發(fā)短路，對(duì)屏體造成損害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能防止上述行列連缺陷的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的 —種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括基板、發(fā)光區(qū)、引線區(qū)以及封裝蓋；引線區(qū)由使
發(fā)光區(qū)與驅(qū)動(dòng)芯片連接的引線構(gòu)成，引線區(qū)包括邦定區(qū)和延伸區(qū)，邦定區(qū)為引線與驅(qū)動(dòng)芯
片連接的區(qū)域，延伸區(qū)位于邦定區(qū)外側(cè)，延伸區(qū)引線由主電極引線和輔助電極引線構(gòu)成，每
條輔助電極引線由斷續(xù)的分引線段構(gòu)成，分引線段的形狀為矩形。
同一條輔助電極弓I線上各分引線段具有相同的長(zhǎng)度。 同一條輔助電極引線上至少有一個(gè)分引線段的長(zhǎng)度與其他分引線段的長(zhǎng)度不同。
各個(gè)分引線段的長(zhǎng)度均小于該分引線段所在主電極引線與相鄰主電極引線間的 最小間距。 各個(gè)分引線段具有相同的寬度，且寬度小于其所在主電極引線的寬度。
上述輔助電極引線為鉬鋁鉬金屬引線。 本發(fā)明通過以上技術(shù)方案提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，能夠有效防止測(cè)試時(shí)延 伸區(qū)引線由于脫邊引起的行列連缺陷，避免短路對(duì)屏體造成損害。


圖1鉬鋁鋁引線刻蝕后橫截面示意圖； 圖2a現(xiàn)有技術(shù)延伸區(qū)引線示意圖； 圖2b圖2a中AA'區(qū)放大示意圖； 圖3現(xiàn)有技術(shù)延伸區(qū)引線發(fā)生行列連缺陷示意圖； 圖4本發(fā)明實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5本發(fā)明實(shí)施例1延伸區(qū)引線結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6本發(fā)明實(shí)施例2延伸區(qū)引線結(jié)構(gòu)示意圖； 其中， 邦定區(qū)2-1 ;延伸區(qū)2-2、4-l ; 主電極引線:2-3、5-1 、6-1 ;
輔助電極引線2-4、5-2、6-2 ;
分引線段5-3、6-3。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。 有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)常用的陽極材料多為透明的導(dǎo)電金屬氧化物，如銦錫 氧化物(IT0)。光刻后的ITO圖形包括作為OLED器件陽極的部分以及作為主電極引線的部 分。由于ITO的方塊電阻較大，當(dāng)主電極引線過長(zhǎng)或過細(xì)時(shí)，其上就會(huì)產(chǎn)生較大的電壓降， 使顯示區(qū)的發(fā)光強(qiáng)度減小。為了盡可能的減小電阻，會(huì)在作為主電極引線的全部或部分ITO 上覆蓋輔助電極引線，通常為鉬鋁鉬金屬引線。鉬鋁鉬金屬弓I線刻蝕成形后會(huì)產(chǎn)生鉬層外 凸鋁層內(nèi)凹的截面，如圖1所示，延伸區(qū)引線在測(cè)試時(shí)由于要承受較大壓力會(huì)導(dǎo)致上層鉬 層外凸邊緣1-1脫落?，F(xiàn)有技術(shù)如圖2a和圖2b所示，延伸區(qū)2-2位于邦定區(qū)2-1夕卜側(cè)，延 伸區(qū)引線由IT0主電極引線2-3和鉬鋁鉬輔助電極引線2-4層疊而成，輔助電極引線2-4 均為連續(xù)直條設(shè)計(jì)。如圖3所示，脫落的長(zhǎng)條狀邊緣3-l會(huì)使不同引線搭接，引發(fā)短路，對(duì) 屏體造成損害。
實(shí)施例1 圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備步 驟包括將已經(jīng)清洗干凈并烘干的玻璃基板置入光刻設(shè)備，玻璃基板上已經(jīng)制備有ITO層 和位于其上的鉬鋁鉬層。用旋涂的方法在鉬鋁鉬層上涂覆光刻膠并烘烤，將掩模板覆蓋在 光刻膠上，用紫外光照射光刻膠表面，通過掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行選擇性曝光，再經(jīng)過顯影、 刻蝕、去膠形成本發(fā)明所述的輔助電極引線結(jié)構(gòu)。然后再用相同的工藝步驟刻蝕出ITO層 的電極和引線結(jié)構(gòu)?？涛g完成后，放入蒸鍍腔室內(nèi)進(jìn)行有機(jī)功能層及陰極的制備，然后完成 封裝蓋壓合工序。把完成封裝步驟的基板取出，將器件與驅(qū)動(dòng)芯片邦定，實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光區(qū)的驅(qū) 動(dòng)。 如圖4、圖5所示，本發(fā)明對(duì)延伸區(qū)4-l的引線結(jié)構(gòu)做出了改進(jìn)，位于邦定區(qū)外側(cè) 的延伸區(qū)引線由IT0主電極引線5-l和鉬鋁鉬輔助電極引線5-2層疊而成，各條輔助電極 引線5-2由斷續(xù)的分引線段5-3構(gòu)成，各分引線段5-3的形狀為矩形。每條輔助電極引線5- 2上的各分引線段5-3具有相同的長(zhǎng)度a，長(zhǎng)度a小于每個(gè)分引線段所在主電極引線與相 鄰主電極引線間的最小間距l(xiāng)。各分引線段5-3具有相同的寬度b，且寬度b小于其所在主 電極引線的寬度m。 由于輔助電極引線采用了斷續(xù)的分引線段設(shè)計(jì)，延伸區(qū)引線在測(cè)試時(shí)即使會(huì)有邊 緣脫落，也僅出現(xiàn)在各分引線段的邊緣，脫落部分為互不相連的各個(gè)小段，且每段的長(zhǎng)度a 小于其所在主電極引線與相鄰主電極引線間的最小間距l(xiāng)，因此不會(huì)導(dǎo)致不同引線搭接，防 止了短路，避免對(duì)屏體造成損害。
實(shí)施例2 圖6為本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例中延伸區(qū)引線由IT0主電極引線
6- 1和鉬鋁鉬輔助電極引線6-2層疊而成，各條輔助電極引線6-2由斷續(xù)的分引線段6-3構(gòu) 成，各分引線段6-3的形狀為矩形。同一條輔助電極引線6-2上至少有一個(gè)分引線段的長(zhǎng) 度與其他分引線段的長(zhǎng)度不同，且各個(gè)分引線段的長(zhǎng)度a均小于該分引線段所在主電極引 線與相鄰主電極引線間的最小間距l(xiāng)。各分引線段6-3具有相同的寬度b，且寬度b小于其 所在主電極引線的寬度m。其他均同實(shí)施例l。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此 技術(shù)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此，本發(fā)明的保 護(hù)范圍當(dāng)以申請(qǐng)的專利范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括基板、發(fā)光區(qū)、引線區(qū)以及封裝蓋；引線區(qū)由使發(fā)光區(qū)與驅(qū)動(dòng)芯片連接的引線構(gòu)成，引線區(qū)包括邦定區(qū)和延伸區(qū)，邦定區(qū)為引線與驅(qū)動(dòng)芯片連接的區(qū)域，延伸區(qū)位于邦定區(qū)外側(cè)，延伸區(qū)引線由主電極引線和輔助電極引線構(gòu)成，其特征在于，每條輔助電極引線由斷續(xù)的分引線段構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述分引線段的形狀為矩形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，同一條輔助電極引線上各 分引線段具有相同的長(zhǎng)度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，同一條輔助電極引線上至 少有一個(gè)分引線段的長(zhǎng)度與其他分引線段的長(zhǎng)度不同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，各個(gè)分引線段的長(zhǎng)度均小于該分引線段所在主電極引線與相鄰主電極引線間的最小間距。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述分引線段具有相同的寬度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，各個(gè)分引線段的寬度小于 其所在主電極引線的寬度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助電極引線為鉬鋁 鉬金屬引線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，尤其涉及有機(jī)電致發(fā)光器件的引線設(shè)計(jì)。本發(fā)明所述有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括基板、發(fā)光區(qū)、引線區(qū)以及封裝蓋；引線區(qū)由使發(fā)光區(qū)與驅(qū)動(dòng)芯片連接的引線構(gòu)成，引線區(qū)包括邦定區(qū)和延伸區(qū)，邦定區(qū)為引線與驅(qū)動(dòng)芯片連接的區(qū)域，延伸區(qū)位于邦定區(qū)外側(cè)，延伸區(qū)引線由主電極引線和輔助電極引線構(gòu)成，每條輔助電極引線由斷續(xù)的分引線段構(gòu)成。本發(fā)明所述技術(shù)方案能夠有效防止有機(jī)電致發(fā)光器件在測(cè)試時(shí)延伸區(qū)引線由于脫邊引起的行列連缺陷，避免短路對(duì)屏體造成損害。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101789493SQ20091026425
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月25日
發(fā)明者吳龍濤, 邱勇 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司