專利名稱：功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，且特別涉及一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶 體管(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor ；power M0SFET)的 制造方法。
背景技術(shù)：
功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管被廣泛地應(yīng)用在切換(power switch)元件上，例如是 電源供應(yīng)器、整流器或低壓馬達(dá)控制器等等。一般而言，功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管多采取 垂直結(jié)構(gòu)的設(shè)計，以提升元件密度。其利用晶片的背面作為漏極，而在晶片的正面制作多個 晶體管的源極以及柵極。由于多個晶體管的漏極是并聯(lián)在一起的，因此其所耐受的電流大 小可以相當(dāng)大。隨著功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的集成度的日益提升，功率金氧半導(dǎo)體場效晶 體管的尺寸也隨之縮小。因此，功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的接觸洞對溝渠的對準(zhǔn)偏差 (misalignment)容易產(chǎn)生，進(jìn)而影響元件的性能。舉例來說，接觸洞對溝渠的對準(zhǔn)偏差會影 響通道開啟電阻(Ron)及臨界電壓(Vth)的變異，進(jìn)而限制單元間的間距(cell pitch)的縮小。此外，功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的工作損失可分成切換損失(switching loss) 及導(dǎo)通損失(conducting loss)兩大類，其中，因輸入電容Ciss所造成的切換損失會因操作 頻率的提高而增加。輸入電容Ciss包括柵極對源極的電容Cgs以及柵極對漏極的電容Cgd。 因此，如何降低柵極對漏極的電容Cgd以有效地降低切換損失，已成為業(yè)者亟為重視的議題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其利用削減 制程及自對準(zhǔn)制程，可以避免功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的接觸洞對溝渠的對準(zhǔn)偏差，并 制作出具有低的柵極對漏極的電容Cgd的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管。本發(fā)明提出一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法。首先，在具有第一導(dǎo)電 型的基底上形成具有第一導(dǎo)電型的磊晶層。然后，在磊晶層中形成具有第二導(dǎo)電型的主體 層。接著，在基底上形成多數(shù)個罩幕圖案。之后，在罩幕圖案之間的主體層及部分磊晶層中 形成多數(shù)個溝渠。然后，在溝渠的表面形成第一氧化物層。然后，在溝渠中形成第一導(dǎo)體層。 接著，對罩幕圖案進(jìn)行削減制程，以縮小各罩幕圖案的線寬。之后，以經(jīng)削減的罩幕圖案為 罩幕，在各溝渠的兩側(cè)的主體層中形成具有第一導(dǎo)電型的二源極區(qū)。然后，在第一導(dǎo)體層上 及經(jīng)削減的罩幕圖案之間形成多數(shù)個介電圖案。然后，移除經(jīng)削減的罩幕圖案。在本發(fā)明的一實施例中，在形成第一氧化物層的步驟之后以及形成第一導(dǎo)體層的 步驟之前，上述方法還包括在溝渠的底部及罩幕圖案的頂部形成第二氧化物層。在本發(fā)明的一實施例中，上述第二氧化物層的材料包括介電常數(shù)低于4的氧化物。在本發(fā)明的一實施例中，形成上述第二氧化物層的步驟描述如下。首先，在基底上 依序形成罩幕層及氧化物材料層。然后，以罩幕層為阻擋層，移除位于溝渠及罩幕圖案的側(cè) 壁上的氧化物材料層。接著，移除未被第二氧化物層覆蓋的罩幕層。此外，罩幕層的材料包 括氮化硅。在本發(fā)明的一實施例中，在溝渠中形成第一導(dǎo)體層的步驟描述如下。首先，在基底 上形成導(dǎo)體材料層以填入溝渠中。然后，對導(dǎo)體材料層進(jìn)行全面蝕刻制程，以移除部分導(dǎo)體 材料層。此外，全面蝕刻制程包括干蝕刻制程。在本發(fā)明的一實施例中，上述第一導(dǎo)體層的表面不高于主體層的表面。在本發(fā)明的一實施例中，在移除經(jīng)削減的罩幕圖案的步驟之后，上述方法還包括 在基底上形成第二導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)體層與源極區(qū)電性連接。此外，第二導(dǎo)體層的材料包括
ρ O在本發(fā)明的一實施例中，在移除經(jīng)削減的罩幕圖案的步驟之后以及形成第二導(dǎo)體 層的步驟之前，上述方法還包括以介電圖案為罩幕，在主體層中形成具有第二導(dǎo)電型的多 數(shù)個摻雜區(qū)，且第二導(dǎo)體層與摻雜區(qū)電性連接。在本發(fā)明的一實施例中，上述削減制程包括濕蝕刻制程。在本發(fā)明的一實施例中，形成上述介電圖案的步驟描述如下。首先，在基底上形成 介電層以覆蓋罩幕圖案。然后，移除部分介電層，直到曝露出罩幕圖案的表面。此外，移除 部分介電層的步驟包括進(jìn)行回蝕刻法或化學(xué)機(jī)械研磨制程。在本發(fā)明的一實施例中，上述罩幕圖案的材料包括氮化硅。在本發(fā)明的一實施例中，上述罩幕圖案包括單一層或多層的堆迭結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一實施例中，上述第一導(dǎo)體層的材料包括摻雜多晶硅。在本發(fā)明的一實施例中，在形成磊晶層的步驟之后以及形成主體層的步驟之前， 上述方法還包括在基底上形成墊氧化物層。在本發(fā)明的一實施例中，形成上述第一氧化物層的步驟包括進(jìn)行熱氧化制程。
在本發(fā)明的一實施例中，上述第一導(dǎo)電型為N型，第二導(dǎo)電型為P型；或第一導(dǎo)電 型為P型，第二導(dǎo)電型為N型?；谏鲜?，本發(fā)明的方法利用削減制程及自對準(zhǔn)制程而經(jīng)由形成溝渠的罩幕圖案 來形成功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的接觸窗，因此接觸窗與溝渠之間不會發(fā)生對準(zhǔn)偏差。 所以，可以大幅縮小單元間的間距，提高元件的集成度。此外，本發(fā)明的方法相當(dāng)簡單，不需增加額外的光罩，利用自對準(zhǔn)制程即可完成源 極區(qū)、摻雜區(qū)及接觸窗的制作，大幅節(jié)省成本，提升競爭力。另外，本發(fā)明的柵氧化物層(即 第一氧化物層)為經(jīng)由熱氧化法一次形成，所以不會有通常的柵氧化物層具有不連續(xù)的接 面而降低元件性能的情形發(fā)生。再者，本發(fā)明在溝渠的底部形成的底氧化物層(即第二氧 化物層)的材料為介電常數(shù)低于4的氧化物，因此可以降低柵極對漏極的電容Cgd，有效地 減少切換損失。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說明如下。


圖IA至IH為本發(fā)明一實施例所示的一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法 的剖面示意圖。附圖標(biāo)記說明100 功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管；102 基底；104 磊晶層；105 墊氧化物層；105a:墊氧化物圖案；106 主體層；108、116:罩幕層；108a:罩幕圖案；110:圖案化光阻層；112:溝渠;114、120 氧化物層；118:氧化物材料層；121 導(dǎo)體材料層；122、130:導(dǎo)體層；124:源極區(qū)；125:介電層；126:介電圖案；127 接觸洞；128 摻雜區(qū)；W1、W2:線寬。
具體實施例方式圖IA至IH為本發(fā)明一實施例所示的一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法 的剖面示意圖。首先，請參照圖1A，在作為漏極的具有第一導(dǎo)電型的基底102上形成具有第一導(dǎo) 電型的磊晶層104?；?02例如是具有N型重?fù)诫s的硅基底。磊晶層104例如是具有N 型輕摻雜的磊晶層，且其形成方法包括進(jìn)行選擇性磊晶生長(selective epitaxy growth ； SEG)制程。接著，在磊晶層104中形成具有第二導(dǎo)電型的主體層106。主體層106例如是 P型主體層，且其形成方法包括進(jìn)行離子植入制程與后續(xù)的驅(qū)入(drive-in)制程。在一實 施例中，在形成磊晶層104的步驟之后以及形成主體層106的步驟之前，也可以選擇性地在 基底102上形成墊氧化物層105。墊氧化物層105可以避免進(jìn)行離子植入制程以形成主體 層106時造成的穿隧效應(yīng)(tunneling effect)。墊氧化物層105的材料例如是氧化硅，且 其形成方法例如是進(jìn)行熱氧化制程。然后，在基底102上依序形成罩幕層108及圖案化光阻層110。罩幕層108的材料 包括氮化硅，且其形成方法包括進(jìn)行化學(xué)氣相沉積(CVD)制程。在一實施例中，罩幕層108例如是厚度約5000 6000埃的單一氮化硅層，如圖IA所示。在另一實施例中(未示出)， 依制程需要，罩幕層108也可以為多層結(jié)構(gòu)，例如包括底氮化硅層及頂氧化硅層的雙層結(jié) 構(gòu)。之后，請參照圖1B，以圖案化光阻層110為罩幕，對罩幕層108及墊氧化物層105 依序進(jìn)行圖案化，以在基底102上形成墊氧化物圖案10 及罩幕圖案108a。然后，移除圖 案化光阻層110。接下來，以罩幕圖案108a為罩幕，進(jìn)行干蝕刻制程，以在罩幕圖案108a之 間的主體層106及部分磊晶層104中形成多數(shù)個溝渠112。在一實施例中，在形成溝渠112 的步驟之后，也可以選擇性地對溝渠112表面進(jìn)行等向性蝕刻制程，以移除溝渠112的表面 損傷。然后，也可以選擇性地在基底102上形成犧牲氧化物層(未繪示)再移除之，以修補 溝渠112的表面晶格破壞。特別要注意的是，當(dāng)上述的罩幕層108為包括底氮化硅層及頂 氧化硅層的雙層結(jié)構(gòu)時，在移除犧牲氧化物層的步驟中，也會將頂氧化硅層一并移除之。接著，請參照圖1C，在溝渠112的表面形成氧化物層114。氧化物層114的材料例 如是氧化硅，且其形成方法例如是進(jìn)行熱氧化制程。氧化物層114的厚度例如是約100 1000埃。在一實施例中，氧化物層114的厚度例如是約500埃。然后，在基底102上依序 形成罩幕層116及氧化物材料層118。形成罩幕層116及氧化物材料層118的方法包括進(jìn) 行化學(xué)氣相沉積制程。罩幕層116例如是厚度約200埃的氮化硅層。氧化物材料層118的 材料包括介電常數(shù)低于4的氧化物。氧化物材料層118例如是厚度約4000埃的氧化硅層。 然而，由于化學(xué)氣相沉積制程的限制，氧化物材料層118在罩幕圖案108a的頂部及溝渠112 的底部的厚度通常大于氧化物材料層118在溝渠112及罩幕圖案108a的側(cè)壁的厚度。在 一實施例中，氧化物材料層118在罩幕圖案108a的頂部及溝渠112的底部的厚度約為4000 埃，但其在溝渠112及罩幕圖案108a的側(cè)壁的厚度約為2000埃。之后，請參照圖1D，以罩幕層116為阻擋層(stop layer)，進(jìn)行全面蝕刻(blanket etching)制程，以移除位于溝渠112及罩幕圖案108a的側(cè)壁上的氧化物材料層118，并留 下位于罩幕圖案108a的頂部及溝渠112的底部的氧化物層120。在一實施例中，氧化物層 120的厚度約為2000埃。全面蝕刻制程例如是濕蝕刻制程，其使用的蝕刻液例如為蝕刻氧 化緩沖液(buffer oxide etchant, B0E)或稀釋的氫氟酸(diluted hydrofluoric acid, DHF)。然后，移除未被氧化物層120覆蓋的罩幕層116。移除未被氧化物層120覆蓋的罩 幕層116的方法例如是進(jìn)行濕蝕刻制程，其使用的蝕刻液例如為磷酸(phosphoric acid, H3PO4)。特別要說明的是，在溝渠112的底部形成氧化物層120的目的是為了降低柵極對漏 極的電容Cgd，以有效地減少切換損失。在不考慮柵極對漏極的電容Cgd的情況下，也可以不 形成溝渠112的底部的氧化物層120。也就是說，可以省略下列步驟形成罩幕層116及氧 化物材料層118的步驟、移除部分氧化物材料層118以形成氧化物層120的步驟、以及移除 未被氧化物層120覆蓋的罩幕層116的步驟。然后，請參照圖1E，在各溝渠112中形成導(dǎo)體層122。形成導(dǎo)體層122的步驟包括 在基底102上形成導(dǎo)體材料層121(如圖ID所示)以填入溝渠112中。導(dǎo)體材料層121的 材料例如是摻雜多晶硅。接著，對導(dǎo)體材料層121進(jìn)行全面蝕刻制程，以移除部分導(dǎo)體材料 層121。在一實施例中，全面蝕刻制程例如是以氧化物層120為阻擋層的干蝕刻制程，如圖 IE所示。在另一實施例中，當(dāng)未形成上述的氧化物層120時，全面蝕刻制程例如是利用時間 模式(time mode)來決定蝕刻終點的干蝕刻制程。在一實施例中，在形成導(dǎo)體層122的步驟之后，也可以選擇性地對導(dǎo)體層122進(jìn)行熱氧化制程，以提高導(dǎo)體層122的耐電壓程度。 此外，導(dǎo)體層122的表面不高于主體層106的表面，也就是說，導(dǎo)體層122的表面實質(zhì)上等 于或低于主體層106的表面。之后，移除罩幕圖案108a上的氧化物層120。然后，請參照圖1F，對罩幕圖案108a進(jìn)行削減制程，以縮小各罩幕圖案108a的線 寬。罩幕圖案108a由線寬Wl (如圖IE所示)縮小為線寬W2(如圖IF所示)。削減制程例 如為濕蝕刻制程，其使用的蝕刻液例如為磷酸。在一實施例中，由于罩幕圖案108a與罩幕 層116的材料均為氮化硅，因此在削減罩幕圖案108a的步驟中，也會同時移除位于罩幕圖 案108a上的罩幕層116。然后，以經(jīng)削減的罩幕圖案108a為罩幕，在各溝渠112的兩側(cè)的主 體層106中形成具有第一導(dǎo)電型的二源極區(qū)124。源極區(qū)IM例如是具有N型重?fù)诫s的摻 雜區(qū)。N型雜質(zhì)例如是磷或是砷。形成源極區(qū)124的步驟包括進(jìn)行離子植入制程與后續(xù)的 驅(qū)入制程，因此形成的部分源極區(qū)IM會延伸到罩幕圖案108a的下方。形成源極區(qū)124的 離子植入制程是以經(jīng)削減的罩幕圖案108a為罩幕，因此為一種自對準(zhǔn)制程(self-aligned process)。接著，請參照圖1G，在導(dǎo)體層122上及經(jīng)削減的罩幕圖案108a之間形成多數(shù)個介 電圖案126。形成介電圖案126的步驟包括在基底102上形成介電層125(如圖IF所示) 以覆蓋經(jīng)削減的罩幕圖案108a。介電層125的材料例如是氧化硅、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷 硅玻璃(PSG)、氟硅玻璃(FSG)或未摻雜的硅玻璃(USG)，且其形成方法包括進(jìn)行化學(xué)氣相 沉積制程。然后，移除部分介電層125，直到曝露出經(jīng)削減的罩幕圖案108a的表面。移除部 分介電層125的方法包括進(jìn)行回蝕刻法或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程。特別要注意的是，在 此步驟中，介電圖案126與罩幕圖案108a實質(zhì)上為互補圖案。之后，請參照圖1H，移除經(jīng)削減的罩幕圖案108a。然后，移除墊氧化物圖案105a， 以形成介電圖案126之間的接觸洞127。移除墊氧化物圖案10 的方法例如是濕蝕刻制 程，其使用的蝕刻液例如為蝕刻氧化緩沖液(BOE)或稀釋的氫氟酸(DHF)。在一實施例中， 在移除墊氧化物圖案10 的步驟中，也會同時移除部分的介電圖案126。接下來，以介電 圖案126為罩幕，在主體層106中形成具有第二導(dǎo)電型的多數(shù)個摻雜區(qū)128。形成摻雜區(qū) 128的目的是為了降低后續(xù)形成的接觸窗與主體層106之間的電阻。摻雜區(qū)1 例如是具 有P型重?fù)诫s的摻雜區(qū)。P型雜質(zhì)例如是硼。形成摻雜區(qū)128的離子植入制程是以介電圖 案1 為罩幕，因此為一種自對準(zhǔn)制程。接著，在基底102上形成導(dǎo)體層130，導(dǎo)體層130與 源極區(qū)1 及摻雜區(qū)128電性連接。導(dǎo)體層130的材料例如是鋁，且其形成方法包括進(jìn)行 化學(xué)氣相沉積制程。至此，完成本發(fā)明的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管100的制造。在以上的實施例中，是以第一導(dǎo)電型為N型，第二導(dǎo)電型為P型為例來說明的，但 本發(fā)明并不以此為限。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，第一導(dǎo)電型也可以為P型，而第二導(dǎo)電型為 N型。綜上所述，本發(fā)明的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管100的形成方法包括對形成溝渠 112的罩幕圖案108a進(jìn)行削減制程以縮小其線寬。然后，以罩幕圖案108a為罩幕，在溝渠 112兩側(cè)的主體層106中形成源極區(qū)124。接著，形成經(jīng)削減的罩幕圖案108a的補償圖案 (即介電圖案126)。之后，移除經(jīng)削減的罩幕圖案108a以形成接觸洞127，使得后續(xù)形成的 導(dǎo)體層130與源極區(qū)124電性連接。也就是說，本發(fā)明的方法藉由削減制程及自對準(zhǔn)制程而形成功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管100的接觸窗，因此接觸窗與溝渠112之間不會發(fā)生對準(zhǔn)偏差。所以，可以最小化單 元間的間距。換言之，溝渠到溝渠的距離可以縮小至微影機(jī)臺的極限(即微影解析度)，然 后再利用削減制程及自對準(zhǔn)制程而通過形成溝渠的罩幕圖案108a來形成接觸窗，所以可 以大幅縮小單元間的間距，提高元件的集成度。此外，本發(fā)明的制造方法相當(dāng)簡單，不需增加額外的光罩，利用自對準(zhǔn)制程即可完 成源極區(qū)124、摻雜區(qū)1 及接觸窗的制作，大幅節(jié)省成本，提升競爭力。另外，本發(fā)明的柵氧化物層(即氧化物層114)為通過熱氧化制程一次形成，所以 不會有通常的柵氧化物層具有不連續(xù)的接面而降低元件性能的情形發(fā)生。再者，本發(fā)明在溝渠112的底部形成的底氧化物層(即氧化物層120)的材料為介 電常數(shù)低于4的氧化物，因此可以降低柵極對漏極的電容Cgd，有效地減少切換損失。雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作稍微的更動與潤飾，所以本發(fā) 明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的內(nèi)容為準(zhǔn)。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，包括在具有一第一導(dǎo)電型的一基底上形成具有所述第一導(dǎo)電型的一磊晶層； 在所述磊晶層中形成具有一第二導(dǎo)電型的一主體層； 在所述基底上形成多數(shù)個罩幕圖案；在所述罩幕圖案之間的所述主體層及部分所述磊晶層中形成多數(shù)個溝渠； 在所述溝渠的表面形成一第一氧化物層； 在所述溝渠中形成一第一導(dǎo)體層；對所述罩幕圖案進(jìn)行一削減制程，以縮小各所述罩幕圖案的線寬； 以經(jīng)削減的所述罩幕圖案為罩幕，在各所述溝渠的兩側(cè)的所述主體層中形成具有所述 第一導(dǎo)電型的二源極區(qū)；在所述第一導(dǎo)體層上及經(jīng)削減的所述罩幕圖案之間形成多數(shù)個介電圖案；以及 移除經(jīng)削減的所述罩幕圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，在形成所述第一氧 化物層的步驟之后以及形成所述第一導(dǎo)體層的步驟之前，還包括在所述溝渠的底部及所述 罩幕圖案的頂部形成一第二氧化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述第二氧化 物層的材料包括介電常數(shù)低于4的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中形成所述第二 氧化物層的步驟包括在所述基底上依序形成一罩幕層及一氧化物材料層；以所述罩幕層為阻擋層，移除位于所述溝渠及所述罩幕圖案的側(cè)壁上的所述氧化物材 料層；以及移除未被所述第二氧化物層覆蓋的所述罩幕層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述罩幕層的 材料包括氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中在所述溝渠中 形成所述第一導(dǎo)體層的步驟包括在所述基底上形成一導(dǎo)體材料層以填入所述溝渠中；以及 對所述導(dǎo)體材料層進(jìn)行一全面蝕刻制程，以移除部分所述導(dǎo)體材料層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述全面蝕刻 制程包括干蝕刻制程。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述第一導(dǎo)體 層的表面不高于所述主體層的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，在移除經(jīng)削減的所 述罩幕圖案的步驟之后，還包括在所述基底上形成一第二導(dǎo)體層，且所述第二導(dǎo)體層與所 述源極區(qū)電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述第二導(dǎo) 體層的材料包括鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，在移除經(jīng)削減的所述罩幕圖案的步驟之后以及形成所述第二導(dǎo)體層的步驟之前，還包括以所述介電圖案為 罩幕，在所述主體層中形成具有所述第二導(dǎo)電型的多數(shù)個摻雜區(qū)，且所述第二導(dǎo)體層與所 述摻雜區(qū)電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述削減制 程包括濕蝕刻制程。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中形成所述介 電圖案的步驟包括在所述基底上形成一介電層以覆蓋所述罩幕圖案；以及移除部分所述介電層，直到曝露出所述罩幕圖案的表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中移除部分所 述介電層的步驟包括進(jìn)行回蝕刻法或化學(xué)機(jī)械研磨制程。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述罩幕圖 案的材料包括氮化硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中各所述罩幕 圖案包括單一層或多層的堆迭結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述第一導(dǎo) 體層的材料包括摻雜多晶硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，在形成所述磊晶 層的步驟之后以及形成所述主體層的步驟之前，還包括在所述基底上形成墊氧化物層。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中形成所述第 一氧化物層的步驟包括進(jìn)行熱氧化制程。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法，其中所述第一導(dǎo) 電型為N型，所述第二導(dǎo)電型為P型；或所述第一導(dǎo)電型為P型，所述第二導(dǎo)電型為N型。
全文摘要
本發(fā)明提供一種功率金氧半導(dǎo)體場效晶體管的制造方法。在具有第一導(dǎo)電型的基底上形成具有第一導(dǎo)電型的磊晶層。在磊晶層中形成具有第二導(dǎo)電型的主體層。在基底上形成多數(shù)個罩幕圖案。在罩幕圖案之間的主體層及磊晶層中形成多數(shù)個溝渠。在溝渠的表面形成氧化物層。在溝渠中形成導(dǎo)體層。對罩幕圖案進(jìn)行削減制程，以縮小各罩幕圖案的線寬。以經(jīng)削減的罩幕圖案為罩幕，在各溝渠的兩側(cè)的主體層中形成具有第一導(dǎo)電型的二源極區(qū)。在導(dǎo)體層上及經(jīng)削減的罩幕圖案之間形成多數(shù)個介電圖案。移除經(jīng)削減的罩幕圖案。
文檔編號H01L21/336GK102082125SQ20091024651
公開日2011年6月1日 申請日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者吳嘉連, 張翊麒 申請人:杰力科技股份有限公司