專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置、以及使用該半導(dǎo)體裝置的顯示裝置及其制造方法。近年來(lái)，以液晶顯示器為代表的液晶顯示裝置逐漸普遍。作為液晶顯示器，通常使用在每個(gè)像素中設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣型的顯示器。在有源矩陣型液晶顯示器的薄膜晶體管中使用非晶硅或多晶硅作為激活層。雖然使用非晶硅的薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率低，但是也可以容易地形成在如大型玻璃襯底的大面積襯底上。另一方面，雖然使用多晶硅的薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率高，但是因?yàn)樾枰す馔嘶鸬染Щば?，所以?dāng)在如大型玻璃襯底的大面積襯底上形成時(shí)，需要極長(zhǎng)的時(shí)間。針對(duì)于此，使用氧化物半導(dǎo)體代替上述的硅材料來(lái)制造薄膜晶體管，并將其應(yīng)用于電子器件及光器件的技術(shù)受到矚目。例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1及專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了使用氧化鋅、In-Ga-Zn-0類(lèi)氧化物半導(dǎo)體作為氧化物半導(dǎo)體層來(lái)制造薄膜晶體管，并將它用作圖像顯示裝置的開(kāi)關(guān)元件等的技術(shù)。[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2007-123861號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2007-96055號(hào)公報(bào)上述氧化物半導(dǎo)體層的電特性受氧化物半導(dǎo)體層的組成、膜質(zhì)或界面等的很大影響。而且氧化物半導(dǎo)體層的組成、膜質(zhì)或界面等由于暴露在大氣中或與包含雜質(zhì)的膜的接觸而容易發(fā)生變化。在氧化物半導(dǎo)體層上設(shè)置有由以硅為主要成分的氧化物(氧化硅)或氮化物(氮化硅)等構(gòu)成的保護(hù)絕緣層，以防止大氣中的氧或水分進(jìn)入到薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體層。但是，僅形成以硅為主要成分的保護(hù)絕緣層還不能充分地使氧化物半導(dǎo)體層的組成、膜質(zhì)或界面等穩(wěn)定。另外，由于當(dāng)對(duì)氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖時(shí)形成的抗蝕劑掩?；蚩刮g劑剝離液與氧化物半導(dǎo)體層的接觸，也有氧化物半導(dǎo)體層的膜質(zhì)或組成發(fā)生變化的可能。如上所述存在如下問(wèn)題，即隨著氧化物半導(dǎo)體層的組成、膜質(zhì)或界面等的變化，使用氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管的電特性也發(fā)生變化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方式的目的在于當(dāng)形成薄膜晶體管時(shí)，將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作激活層，并在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，該第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率且用作第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的保護(hù)層。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括柵電極層；柵電極層上的柵極絕緣層；柵極絕緣層上的源電極層及漏電極層；源電極層及漏電極層上的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)；以及第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)上的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中在源電極層和漏電極層之間5第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)部分地接觸于柵極絕緣層和源電極層及漏電極層的側(cè)面部，并且第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，并且第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和源電極層及漏電極層電連接。本發(fā)明的另一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括柵電極層；柵電極層上的柵極絕緣層；柵極絕緣層上的源電極層及漏電極層；源電極層及漏電極層上的具有n型導(dǎo)電型的緩沖層；具有n型導(dǎo)電型的緩沖層上的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)；以及第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)上的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中在源電極層和漏電極層之間第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)部分地接觸于柵極絕緣層和源電極層及漏電極層的側(cè)面部，并且緩沖層的載流子濃度高于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的載流子濃度，并且第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，并且緩沖層的電導(dǎo)率高于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，并且第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和源電極層及漏電極層的上面通過(guò)緩沖層電連接。本發(fā)明的另一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括柵電極層；柵電極層上的柵極絕緣層；柵極絕緣層上的源電極層及漏電極層；以及源電極層及漏電極層上的氧化物半導(dǎo)體層，其中在源電極層和漏電極層之間氧化物半導(dǎo)體層部分地接觸于柵極絕緣層和源電極層及漏電極層的側(cè)面部，并且氧化物半導(dǎo)體層是包含銦、鎵、鋅或錫中的至少一種的氧化物半導(dǎo)體層，并且氧化物半導(dǎo)體層通過(guò)絕緣層部分地接觸于源電極層和漏電極層的側(cè)面部，并且氧化物半導(dǎo)體層和源電極層及漏電極層電連接。注意，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)、第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)及緩沖層優(yōu)選分別包含銦、鎵、鋅或錫中的至少一種。另外，第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度(densityofoxygen-holedefects)優(yōu)選低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度。另外，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)既可以形成為不同氧化物半導(dǎo)體層，又可以形成為同一氧化物半導(dǎo)體層。注意，第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率優(yōu)選為1.0X10—8S/cm以下。另外，緩沖層的載流子濃度優(yōu)選為lX1018/cm3以上。另外，優(yōu)選第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)通過(guò)氧化膜部分地接觸于源電極層及漏電極層的側(cè)面部。另外，氧化膜優(yōu)選通過(guò)熱氧化、氧等離子體處理或臭氧水處理形成。另外，優(yōu)選第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)通過(guò)側(cè)壁絕緣層部分地接觸于源電極層及漏電極層的側(cè)面部。另外，側(cè)壁絕緣層優(yōu)選使用硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜形成。本發(fā)明的另一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟在襯底上形成柵電極層；在柵電極層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成導(dǎo)電膜；對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻形成源電極層及漏電極層；在柵極絕緣層、源電極層及漏電極層上通過(guò)濺射法形成第一氧化物半導(dǎo)體膜；在第一氧化物半導(dǎo)體膜上通過(guò)濺射法形成第二氧化物半導(dǎo)體膜；以及對(duì)第一氧化物半導(dǎo)體膜及第二氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行蝕刻形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置為在源電極層和漏電極層之間該第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)部分地接觸于柵極絕緣層和源電極層及漏電極層的側(cè)面部，并且使用來(lái)形成第二氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率高于用來(lái)形成第一氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率。注意，第一氧化物半導(dǎo)體膜及第二氧化物半導(dǎo)體膜優(yōu)選包含銦、鎵、鋅或錫中的至少一種。另外，也可以通過(guò)在增大氧氣流量的同時(shí)一步形成第一氧化物半導(dǎo)體膜和第二氧化物半導(dǎo)體膜。另外，用來(lái)形成第一氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率優(yōu)選為低于70體積％，并且用來(lái)形成第二氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率優(yōu)選為70體積％以上。注意，為了方便起見(jiàn)附加了第一、第二等序數(shù)詞，其并不表示工序順序或?qū)盈B順序。另外，在本說(shuō)明書(shū)中不表示用來(lái)特定發(fā)明的事項(xiàng)的固有名詞。注意，在本說(shuō)明書(shū)中半導(dǎo)體裝置是指能夠通過(guò)利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置，電光學(xué)裝置、半導(dǎo)體電路及電子設(shè)備都是半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，在將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作激活層的薄膜晶體管中，通過(guò)在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率并用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，該第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)可以防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成的變化和膜質(zhì)的劣化并使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。通過(guò)將該薄膜晶體管用于顯示裝置的像素部及驅(qū)動(dòng)電路部，可以提供電特性高且可靠性良好的顯示裝置。1A和1B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的2A至2D是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖3A至3C是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖8A-1和8A-2、8B-1和8B-2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的圖9是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的圖；IO是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的圖；IIA至IIC是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；12是表示氧化物半導(dǎo)體層的電導(dǎo)率的測(cè)量結(jié)果的圖表；13是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的14A和14B是說(shuō)明半導(dǎo)體裝置的框圖的15是說(shuō)明信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的16是說(shuō)明信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的工作的時(shí)序17是說(shuō)明信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的工作的時(shí)序18是說(shuō)明移位寄存器的結(jié)構(gòu)的19是說(shuō)明圖18所示的觸發(fā)器的連接結(jié)構(gòu)的20是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置像素等效電路的21A至21C是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的22A-1和22A-2、22B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的23是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的24A和24B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的圖25A和25B是說(shuō)明電子紙的使用方式的例子的圖；圖26是示出電子書(shū)籍的一例的外觀(guān)圖；圖27A和27B是示出電視裝置及數(shù)字相框的例子的外觀(guān)圖；圖28A和28B是示出游戲機(jī)的例子的外觀(guān)圖；圖29A和29B是示出移動(dòng)電話(huà)機(jī)的一例的外觀(guān)圖；圖30A和30B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的圖。具體實(shí)施例方式參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式及實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。但是，本發(fā)明不局限于以下的說(shuō)明，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是，其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍內(nèi)的情況下可以被變化為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限定在以下所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在以下說(shuō)明的實(shí)施方式及實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，在不同附圖中的使用相同的附圖標(biāo)記表示相同部分或具有相同功能的部分，并且省略重復(fù)說(shuō)明。(實(shí)施方式1)在本實(shí)施方式中，使用圖1A和1B說(shuō)明薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。圖1A和1B示出本實(shí)施方式的底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。圖1A是截面圖，圖1B是平面圖。圖1A是沿著圖1B中的線(xiàn)A1-A2的截面圖。在圖1A和1B所示的薄膜晶體管中，在襯底100上設(shè)置有柵電極層101，在柵電極層101上設(shè)置有柵極絕緣層102，在柵極絕緣層102上設(shè)置有源電極層或漏電極層105a、105b，在柵極絕緣層102和源電極層或漏電極層105a、105b上設(shè)置有第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103上設(shè)置有其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。注意，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104既可以一起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以作為不同氧化物半導(dǎo)體層分別形成。另外，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104之間也可以存在其電導(dǎo)率逐漸地或連續(xù)地變化的氧化物半導(dǎo)體的中間區(qū)。另外，氧化物半導(dǎo)體中間區(qū)既可以與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104—起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以形成與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104不同的氧化物半導(dǎo)體層。柵電極層101通過(guò)使用鋁、銅、鉬、鈦、鉻、鉭、鴇、釹、鈧等金屬材料、或以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料為成分的氮化物的單層或疊層形成。優(yōu)選由鋁或銅等低電阻導(dǎo)電材料形成，但是存在耐熱性低或容易腐蝕的問(wèn)題，因此優(yōu)選與耐熱性導(dǎo)電材料組合使用。作為耐熱性導(dǎo)電材料，使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、鈧等。例如，作為柵電極層101的疊層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選采用在鋁層上層疊鉬層的兩層結(jié)構(gòu)、在銅層上層疊鉬層的兩層結(jié)構(gòu)、在銅層上層疊氮化鈦層或氮化鉭層的兩層結(jié)構(gòu)、層疊氮化鈦層和鉬層的兩層結(jié)構(gòu)。作為三層的疊層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選采用鎢層或氮化鎢層、鋁和硅的合金層或鋁和鈦的合金層、氮化鈦層或鈦層的疊層結(jié)構(gòu)。作為形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體層，優(yōu)選使用表示為InM03(ZnO)m(mX))的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體，特別優(yōu)選使用In-Ga-Zn-0類(lèi)氧化物半導(dǎo)體。另外，M表示選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)及鈷(Co)中的一種金屬元素或多種金屬元素。例如，作為M，有時(shí)采用Ga，有時(shí)包含Ga以外的上述金屬元素諸如Ga和Ni或Ga和Fe等。此外，在上述氧化物半導(dǎo)體中，有不僅包含作為M的金屬元素，而且還包含作為雜質(zhì)元素的Fe、Ni等其他過(guò)渡金屬元素或該過(guò)渡金屬的氧化物的氧化物半導(dǎo)體。在本說(shuō)明書(shū)中，在表示為InM03(ZnO)m(m>0)的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體中，將作為M至少包含Ga的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體稱(chēng)為In-Ga-Zn-0類(lèi)氧化物半導(dǎo)體，也將該薄膜稱(chēng)為In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜。當(dāng)進(jìn)行XRD(X射線(xiàn)衍射)分析時(shí)在In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜中觀(guān)察到非晶結(jié)構(gòu)。在通過(guò)濺射法形成In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜之后，以20(TC至500°C，典型地以30(TC至400°C進(jìn)行10分鐘至100分鐘的熱處理。通過(guò)將In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜用作薄膜晶體管的激活層，可以制造具有如下電特性的薄膜晶體管當(dāng)柵極電壓為士20V時(shí)，導(dǎo)通.截止比為109以上，遷移率為10以上。但是，形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體層不局限于以InM03(ZnO)m(m>0)表示的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體層，只要是包含銦、鎵、鋅或錫中的至少一種的氧化物半導(dǎo)導(dǎo)體層即可。也可以采用由如氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等構(gòu)成的氧化物半導(dǎo)體層。另外，將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103設(shè)置為該第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103部分地在源電極層或漏電極層105a、105b之間與柵極絕緣層102和源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面部接觸。將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的厚度設(shè)定為10nm至300nm，優(yōu)選設(shè)定為20nm至100nm。第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率優(yōu)選為1.OX10—8S/cm以上。另外，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率優(yōu)選低于1.0X10—3S/cm。第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的載流子濃度范圍優(yōu)選低于1X1017/Cm3(更優(yōu)選為1X10"/cm3以上)。當(dāng)?shù)谝谎趸锇雽?dǎo)體區(qū)103的載流子濃度范圍超過(guò)上述范圍時(shí)，有薄膜晶體管成為常開(kāi)啟型的可能。另外，將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103中的鈉濃度設(shè)定為5X1019/cm3以下，優(yōu)選為lX1018/cm3以下。將第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的電導(dǎo)率設(shè)定為小于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率，第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的電導(dǎo)率優(yōu)選小于1.0X10—8S/cm。另外，第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧空位缺陷濃度優(yōu)選小于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的氧空位缺陷濃度。這是因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體的電導(dǎo)率受氧化物半導(dǎo)體中的氧空位缺陷的影響。另外，第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的厚度優(yōu)選為5nm以上且1000nm以下，更優(yōu)選為lOnm以上且100nm以下。通過(guò)使當(dāng)濺射形成第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104時(shí)的成膜氣體整體中的氧氣流量的比率高于當(dāng)濺射形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103時(shí)的成膜氣體整體中的氧氣流量的比率，使第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧空位缺陷濃度低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的氧空位缺陷濃度，從而可以降低第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的電導(dǎo)率。優(yōu)選將第二半導(dǎo)體區(qū)104的成膜條件設(shè)定為成膜氣體整體中的氧氣流量的比率為70體積％以上。另外，優(yōu)選將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的成膜條件設(shè)定為成膜氣體整體中的氧氣流量的比率低于70體積％。由于可以連續(xù)形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104，因此可以實(shí)現(xiàn)顯示裝置制造的高效化并提高生產(chǎn)率。另外，通過(guò)連續(xù)形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104，可以將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的上面不暴露于大氣地進(jìn)行第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的構(gòu)圖。另外，通過(guò)在增大氧氣流量的同時(shí)一步進(jìn)行第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的成膜，可以使第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的電導(dǎo)率連續(xù)地變化。第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103用作薄膜晶體管的激活層。另一方面，其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104用作保護(hù)層，該保護(hù)層防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103暴露于大氣中，且防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103接觸于包含使氧化物半導(dǎo)體的組成或膜質(zhì)變化的雜質(zhì)的膜。因此，具有溝道形成區(qū)且決定薄膜晶體管的電特性的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103與組成、膜質(zhì)與其類(lèi)似的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104接觸，所以可以防止由于雜質(zhì)導(dǎo)致的組成、膜質(zhì)或界面等的變化。另外，雖然用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104接觸于包含使氧化物半導(dǎo)體的組成或膜質(zhì)變化的雜質(zhì)的膜，但是因?yàn)槠潆妼?dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率，所以不會(huì)影響到薄膜晶體管的電特性。如上所述，在將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作激活層的薄膜晶體管中，通過(guò)在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率并用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，可以防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成的變化或膜質(zhì)的劣化，且可以使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。源電極層或漏電極層105a、105b采用由第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。作為第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b的材料，分別可以使用鋁、銅、鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、鈧等金屬材料、以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料為成分的氮化物。第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b，優(yōu)選分別由鋁或銅等低電阻導(dǎo)電材料形成，但是存在耐熱性低或容易腐蝕的問(wèn)題，因此優(yōu)選與耐熱性導(dǎo)電材料組合使用。作為耐熱性導(dǎo)電材料，使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、鈧等。例如，優(yōu)選對(duì)第一導(dǎo)電膜112a、112b及第三導(dǎo)電膜114a、114b使用耐熱性導(dǎo)電材料的鈦，并且對(duì)第二導(dǎo)電膜113a、113b使用低電阻的包含釹的鋁合金。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，可以發(fā)揮鋁的低電阻性并減少小丘的發(fā)生。注意，在本實(shí)施方式中，源電極層或漏電極層105a、105b采用由第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)，但是不局限于此，還可以采用單層結(jié)構(gòu)、兩層結(jié)構(gòu)或四層以上的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，在將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作激活層的薄膜晶體管中，通過(guò)在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率并用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，可以防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成的變化或膜質(zhì)的劣化，且可以使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式2)在本實(shí)施方式中，使用圖2A至圖9說(shuō)明包括實(shí)施方式1所示的薄膜晶體管的顯示裝置的制造工序。圖2A至2D和圖3A至3C是截面圖，圖4至圖7是平面圖，并且圖4至圖7中的線(xiàn)Al-A2及線(xiàn)Bl-B2對(duì)應(yīng)于圖2A至2D和圖3A至3C的截面圖所示的線(xiàn)Al-A2及線(xiàn)10Bl-B2。首先準(zhǔn)備襯底100。襯底100除了可以使用通過(guò)熔化方法或浮法(floatmethod)制造的無(wú)堿玻璃襯底(如鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、或鋁硅酸鹽玻璃等)、及陶瓷襯底之外，還可以使用具有可承受本制造工序的處理溫度的耐熱性的塑料襯底等。此外，還可以使用在不銹鋼合金等金屬襯底的表面上設(shè)置有絕緣膜的襯底。襯底100的尺寸可以采用320mmX400mm、370mmX470mm、550mmX650mm、600mmX720mm、680mmX880mm、730mmX920mm、1000mmX1200mm、1100mmX1250mm、1150mmX1300mm、1500mmX1800mm、1900mmX2200mm、2160mmX2460mm、2400mmX2800mm、或2850mmX3050mm等。另外，還可以在襯底100上形成絕緣膜作為基底膜。至于基底膜，可以利用CVD法或?yàn)R射法等由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或氮氧化硅膜的單層或疊層來(lái)形成即可。在作為襯底100使用如玻璃襯底等的含有可動(dòng)離子的襯底的情況下，通過(guò)作為基底膜使用含有氮化硅膜、氮氧化硅膜等的含有氮的膜，可以防止可動(dòng)離子進(jìn)入到氧化物半導(dǎo)體層。接著，通過(guò)濺射法或真空蒸鍍法在襯底100的整個(gè)面上形成用來(lái)形成包括柵電極層101的柵極布線(xiàn)、電容布線(xiàn)108、以及第一端子121的導(dǎo)電膜。接著，進(jìn)行第一光刻工序，形成抗蝕劑掩模，通過(guò)蝕刻去除不需要的部分來(lái)形成布線(xiàn)及電極(包括柵電極層101的柵極布線(xiàn)、電容布線(xiàn)108以及第一端子121)。此時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行蝕刻以至少使柵電極層101的端部形成為錐形形狀，以便防止斷開(kāi)。圖2A示出這個(gè)階段的截面圖。另外，這個(gè)階段的平面圖相當(dāng)于圖4。包括柵電極層101的柵極布線(xiàn)、電容布線(xiàn)108及端子部中的第一端子121可以使用由實(shí)施方式1所示的導(dǎo)電材料的單層或疊層形成。接著，在柵電極層101的整個(gè)面上形成柵極絕緣層102。通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，以50nm至250nm的厚度形成柵極絕緣層102。例如，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法并使用氧化硅膜來(lái)形成100nm厚的柵極絕緣層102。當(dāng)然，柵極絕緣層102不局限于這種氧化硅膜，也可以使用氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜等的其他絕緣膜來(lái)形成由這些材料構(gòu)成的單層或疊層結(jié)構(gòu)。此外，作為柵極絕緣層102，也可以采用使用有機(jī)硅烷氣體的CVD法形成氧化硅層。作為有機(jī)硅烷氣體，可以使用含硅化合物諸如正硅酸乙酯(TEOS:化學(xué)式Si(0(^ig》、四甲基硅烷(TMS:化學(xué)式Si(CH3)》、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲氨基)硅烷(SiH(N(CH3)2)3)等。此外，作為柵極絕緣層102，也可以使用鋁、釔或鉿的氧化物、氮化物、氧氮化物、氮氧化物中的一種或者包含至少其中兩種以上的化合物的化合物。注意，在本說(shuō)明書(shū)中，氧氮化物是作為其組成氧原子的數(shù)量多于氮原子的數(shù)量的物質(zhì)，而氮氧化物是作為其組成氮原子的數(shù)量多于氧原子的數(shù)量的物質(zhì)。例如，氧氮化硅膜是指如下膜在組成方面氧原子的數(shù)量比氮原子的數(shù)量多，當(dāng)使用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry)以及氫前方散射法(HFS:HydrogenForwardScattering)測(cè)量時(shí)，作為濃度范圍，其包含50原子％至70原子％的氧、0.5原子％至15原子％的氮、25原子％至35原子％的硅、0.1原子％至10原子％的氫。此外，氮氧化硅膜是指在組成方面包含的氮原子的數(shù)量比氧原子的數(shù)量多的膜，在使用RBS和HFS執(zhí)行測(cè)量的情況下，包括濃度范圍分別為5原子％至30原子％的氧、20原子％至55原子％的氮、25原子％至35原子％的硅、以及10原子％至30原子％的氫。此夕卜，當(dāng)將構(gòu)成氧氮化硅或氮氧化硅的原子總量設(shè)定為100原子％時(shí)，氮、氧、硅及氫的含量比率在上述范圍內(nèi)。接著，進(jìn)行第二光刻工序，在柵極絕緣層102上形成抗蝕劑掩模，通過(guò)蝕刻去除不需要的部分且在柵極絕緣層102中形成到達(dá)與柵電極層101相同材料的布線(xiàn)或電極層的接觸孔。該接觸孔是為用來(lái)與后面形成的導(dǎo)電膜直接連接而設(shè)置的。例如，在形成與端子部的第一端子121電連接的端子的情況下形成接觸孔。接著，在柵極絕緣層102上利用濺射法或真空蒸鍍法形成由金屬材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜112、第二導(dǎo)電膜113及第三導(dǎo)電膜114。圖2B示出這個(gè)階段的截面圖。作為第一導(dǎo)電膜112、第二導(dǎo)電膜113及第三導(dǎo)電膜114，可以使用實(shí)施方式1所示的導(dǎo)電材料以單層或疊層形成。在本實(shí)施方式中，作為第一導(dǎo)電膜112及第三導(dǎo)電膜114使用耐熱性導(dǎo)電材料的鈦，并且作為第二導(dǎo)電膜113使用包含釹的鋁合金。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，可以發(fā)揮鋁的低電阻性并減少小丘的發(fā)生。接著，進(jìn)行第三光刻工序形成抗蝕劑掩模131，通過(guò)蝕刻去除不需要的部分形成源電極層或漏電極層105a、105b及連接電極120。作為此時(shí)的蝕刻方法使用濕蝕刻或干蝕刻。例如，在對(duì)第一導(dǎo)電膜112及第三導(dǎo)電膜114使用鈦，并且對(duì)第二導(dǎo)電膜113使用包含釹的鋁合金的情況下，可以將過(guò)氧化氫溶液、加熱鹽酸或包含氟化氨的硝酸水溶液用作蝕刻劑進(jìn)行濕蝕刻。例如，可以通過(guò)使用KSMF-240(日本關(guān)東化學(xué)株式會(huì)社制造)，一步對(duì)第一導(dǎo)電膜112至第三導(dǎo)電膜114進(jìn)行蝕刻。另外，因?yàn)榭梢允褂眠^(guò)氧化氫溶液、加熱鹽酸或包含氟化銨的硝酸溶液作為蝕刻劑一次性地對(duì)第一導(dǎo)電膜112至第三導(dǎo)電膜114進(jìn)行蝕刻，所以源電極層或漏電極層105a、105b的每個(gè)導(dǎo)電膜的端部一致，可以成為連續(xù)結(jié)構(gòu)。另外，通過(guò)將源電極層或漏電極層105a、105b的端部蝕刻為錐形，來(lái)提高第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的覆蓋性，可以防止因臺(tái)階差形狀導(dǎo)致的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的斷開(kāi)。此外，圖2C示出這個(gè)階段的截面圖。另外，圖5相當(dāng)于這個(gè)階段的平面圖。此外，在該第三光刻工序中，將與源電極層或漏電極層105a、105b相同材料的第二端子122殘留在端子部。另外，第二端子122與源極布線(xiàn)(包括源電極層或漏電極層105a、105b的源極布線(xiàn))電連接。此外，在端子部中連接電極120通過(guò)形成在柵極絕緣層102中的接觸孔與端子部的第一端子121直接連接。接著，對(duì)柵極絕緣層102、源電極層或漏電極層105a、105b進(jìn)行表面處理。作為表面處理可以進(jìn)行利用惰性氣體或反應(yīng)性氣體的等離子體處理等。在去除抗蝕劑掩模131之后，通過(guò)在設(shè)置有襯底100的處理室中進(jìn)行引入氬氣來(lái)產(chǎn)生等離子體的反濺射，去除附著于柵極絕緣層102表面的雜質(zhì)。另外，通過(guò)進(jìn)行反濺射，可以提高柵極絕緣層102表面的平坦性。圖2D示出這個(gè)階段的截面圖。反濺射是指一種方法，該方法不對(duì)靶材一側(cè)施加電壓，而在氬氣氛下使用RF電源對(duì)襯底一側(cè)施加電壓并在襯底上形成等離子體來(lái)對(duì)表面進(jìn)行改性。注意也可以使用氮、氦等代替氬氣氛。另外，也可以在對(duì)氬氣氛中加入氧、氫及^0等的氣氛下進(jìn)行。另外，也可以在對(duì)氬氣氛中加入C1^CF4等的氣氛下進(jìn)行。在反濺射處理之后，通過(guò)不暴露于大氣地形成第一氧化物半導(dǎo)體膜，可以防止在柵極絕緣層102和第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的界面上附著塵屑或水分。接著，形成氧化物半導(dǎo)體膜，該氧化物半導(dǎo)體膜形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。在本實(shí)施方式中，使用不同的氧化物半導(dǎo)體層形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。首先，在柵極絕緣層102上通過(guò)濺射法在氬等稀有氣體和氧氣的氣氛下形成用來(lái)形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的第一氧化物半導(dǎo)體膜。作為第一氧化物半導(dǎo)體膜，可以使用實(shí)施方式1所示的氧化物半導(dǎo)體，優(yōu)選使用In-Ga-Zn-0類(lèi)氧化物半導(dǎo)體。作為第一氧化物半導(dǎo)體膜的具體的成膜條件的例子，使用直徑為8英寸的包含In、Ga以及Zn的氧化物半導(dǎo)體靶材(In203:Ga203:ZnO=1:1:1)，襯底和靶材之間的距離為170mm，壓力為0.4Pa，直流(DC)電源為0.5kW，成膜氣體Ar:02=50:5(sccm)，將成膜溫度設(shè)定為室溫來(lái)進(jìn)行濺射成膜。另外，作為靶材可以在包含111203的直徑為8英寸的圓盤(pán)上布置顆粒狀態(tài)的Ga203和ZnO。此外，通過(guò)使用脈沖直流(DC)電源，可以減少塵屑，膜厚度分布也變得均勻，所以這是優(yōu)選的。將第一氧化物半導(dǎo)體膜的厚度設(shè)定為lOnm至300nm，優(yōu)選為20nm至100nm。接著，在不暴露于大氣的情況下，通過(guò)濺射法在氬等稀有氣體和氧氣的氣氛下形成用來(lái)形成第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的第二氧化物半導(dǎo)體膜。作為第二氧化物半導(dǎo)體膜，可以使用實(shí)施方式1所示的氧化物半導(dǎo)體，優(yōu)選使用In-Ga-Zn-O類(lèi)氧化物半導(dǎo)體。在形成第一氧化物半導(dǎo)體膜之后，通過(guò)不暴露于大氣地形成第二氧化物半導(dǎo)體膜，可以防止在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的界面吸附塵屑或水分，并防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的膜質(zhì)或組成發(fā)生變化。作為第二氧化物半導(dǎo)體膜的具體的成膜條件的例子，使用直徑為8英寸的包含In、Ga以及Zn的氧化物半導(dǎo)體靶材(ln203:Ga203:ZnO=1:1:l)，襯底和靶材之間的距離為170mm，壓力為0.4Pa，直流(DC)電源為O.5kW，成膜氣體Ar:02=50:l(sccm)，將成膜溫度設(shè)定為室溫來(lái)進(jìn)行濺射成膜。另外，作為靶材可以在包含ln203的直徑為8英寸的圓盤(pán)上布置顆粒狀的Ga203和ZnO。此外，通過(guò)使用脈沖直流(DC)電源，可以減少塵屑，膜厚度分布也變得均勻，所以這是優(yōu)選的。將第二氧化物半導(dǎo)體膜的厚度設(shè)定為5nm至lOOOnm，優(yōu)選為lOnm至100nm。使當(dāng)濺射形成第二氧化物半導(dǎo)體膜時(shí)的成膜氣體整體中的氧氣流量的比率高于當(dāng)濺射形成第一氧化物半導(dǎo)體膜時(shí)的成膜氣體整體中的氧氣流量的比率。由此，可以使第二氧化物半導(dǎo)體膜的電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體膜的電導(dǎo)率。另外，優(yōu)選將第二氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件設(shè)定為成膜氣體整體中的氧氣流量的比率為70體積％以上。優(yōu)選將第一氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件設(shè)定為成膜氣體整體中的氧氣流量的比率低于70體積％。注意，在本實(shí)施方式中，作為形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體膜，使用不同的氧化物半導(dǎo)體膜來(lái)形成，但是本發(fā)明不局限于此。通過(guò)在連續(xù)增大氧氣流量的同時(shí)一步形成第一氧化物半導(dǎo)體膜和第二氧化物半導(dǎo)體膜，該第一氧化物半導(dǎo)體膜形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103，并且該第二氧化物半導(dǎo)體膜形成第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104，可以將第一氧化物半導(dǎo)體膜和第二氧化物半導(dǎo)體膜形成為電導(dǎo)率連續(xù)地變化的同一氧化物半導(dǎo)體膜。另外，通過(guò)當(dāng)逐漸增大氧氣流量的同時(shí)分多次形成氧化物半導(dǎo)體膜，可以在形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的第一氧化物半導(dǎo)體膜和形成第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的第二氧化物半導(dǎo)體膜之間形成其電導(dǎo)率逐漸變化的多個(gè)氧化物半導(dǎo)體膜。13另外，由于可以連續(xù)形成第一氧化物半導(dǎo)體膜和第二氧化物半導(dǎo)體膜，所以可以實(shí)現(xiàn)顯示裝置制造的高效化并提高生產(chǎn)率。第一氧化物半導(dǎo)體膜或第二氧化物半導(dǎo)體膜的形成既可以使用與先進(jìn)行了反濺射的處理室相同的處理室，又可以使用與先進(jìn)行了反濺射的處理室不同的處理室。濺射法具有作為濺射用電源使用高頻電源的RF濺射法、DC濺射法，還具有以脈沖方法施加偏壓的脈沖DC濺射法。RF濺射法主要用于絕緣膜的形成，而DC濺射法主要用于金屬膜的形成。此外，還具有可以設(shè)置多個(gè)材料不同的耙材的多元濺射裝置。多元濺射裝置既可以在同一處理室中層疊形成不同材料的膜，又可以在同一處理室中同時(shí)對(duì)多種材料進(jìn)行放電而進(jìn)行成膜。此外，具有利用在處理室內(nèi)具備磁石機(jī)構(gòu)的磁控管濺射法的濺射裝置；利用不使用輝光放電而使用微波產(chǎn)生等離子體的ECR濺射法的濺射裝置。此外，作為使用濺射法的成膜方法，還具有在成膜時(shí)使靶材物質(zhì)和濺射氣體成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成它們的化合物薄膜的反應(yīng)濺射法，以及在成膜時(shí)對(duì)襯底也施加電壓的偏壓濺射法。接著，進(jìn)行第四光刻工序，形成抗蝕劑掩模，而對(duì)第一氧化物半導(dǎo)體膜及第二氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行蝕刻。在此，通過(guò)在第二氧化物半導(dǎo)體膜上形成抗蝕劑掩模，可以防止抗蝕劑掩模與第一氧化物半導(dǎo)體膜直接接觸，而防止來(lái)自抗蝕劑的雜質(zhì)進(jìn)入到第一氧化物半導(dǎo)體膜。另外，在使用02灰化處理或抗蝕劑剝離液去除抗蝕劑的情況下，在第一氧化物半導(dǎo)體膜上形成第二氧化物半導(dǎo)體膜，可以防止第一氧化物半導(dǎo)體膜被污染。通過(guò)蝕刻去除不需要的部分將第一氧化物半導(dǎo)體膜及第二氧化物半導(dǎo)體膜形成為島狀，來(lái)形成由第一氧化物半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103以及由第二氧化物半導(dǎo)體膜構(gòu)成的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。作為第一氧化物半導(dǎo)體膜和第二氧化物半導(dǎo)體膜的蝕刻可以進(jìn)行將檸檬酸或草酸等的有機(jī)酸用作蝕刻劑的濕蝕刻。例如，在將In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜用作第一氧化物半導(dǎo)體膜及第二氧化物半導(dǎo)體膜的情況下，優(yōu)選使用IT0-07N(日本關(guān)東化學(xué)株式會(huì)社制造)。此外，此時(shí)的蝕刻不局限于濕蝕刻，而也可以利用干蝕刻。作為用于干蝕刻的蝕刻裝置，可以使用如下裝置利用反應(yīng)性離子蝕刻法(ReactiveIonEtching;RIE法)的蝕刻裝置；利用ECR(ElectronCyclotronResonance;電子回旋加速器諧振)或ICP(InductivelyCoupledPlasma;感應(yīng)耦合等離子體)等的高密度等離子體源的干蝕刻裝置。另外，作為與ICP蝕刻裝置相比容易在較大面積上獲得均勻放電的干蝕刻裝置，有ECCP(EnhancedC即acitivelyCoupledPlasma:增大電容耦合等離子體)模式的蝕刻裝置，在該ECCP模式的蝕刻裝置中，上部電極接地，下部電極連接13.56MHz的高頻電源，并且下部電極還連接3.2MHz的低頻電源。通過(guò)采用該ECCP模式的蝕刻裝置，即使在例如作為襯底使用尺寸超過(guò)第10代(即，3m)的尺寸的襯底的情況下也可以對(duì)其進(jìn)行處理。通過(guò)上述工序，可以制造將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管170。圖3A示出這個(gè)階段的截面圖。注意，這個(gè)階段的平面圖相當(dāng)于圖6。在薄膜晶體管170中，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103用作激活層。另一方面，其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104用作保護(hù)層，該保護(hù)14層防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103暴露于大氣中，且防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103接觸于包含使氧化物半導(dǎo)體的組成或膜質(zhì)變化的雜質(zhì)的膜。此時(shí)，由于具有溝道形成區(qū)且決定薄膜晶體管的電特性的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103與組成、膜質(zhì)與其類(lèi)似的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104接觸，所以可以防止由于雜質(zhì)導(dǎo)致的組成、膜質(zhì)或界面等的變化。另外，雖然用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104接觸于包含使氧化物半導(dǎo)體的組成或膜質(zhì)變化的雜質(zhì)的膜，但是因?yàn)槠潆妼?dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103，所以不影響到薄膜晶體管的電特性。在去除抗蝕劑掩模之后，優(yōu)選以200°C至600°C，典型的是以250°C至500°C進(jìn)行熱處理。在此將其放置在爐中，在氮?dú)夥障乱?5(TC進(jìn)行一個(gè)小時(shí)的熱處理。通過(guò)該熱處理，進(jìn)行In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的原子級(jí)的重新排列。由于借助于該熱處理而釋放阻礙載流子遷移的應(yīng)變，所以此處的熱處理(還包括光退火)是重要的。另外，進(jìn)行熱處理的定時(shí)只要是在形成第二In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜之后，就沒(méi)有特別的限制，例如也可以在形成像素電極之后進(jìn)行。接著，形成覆蓋薄膜晶體管170的保護(hù)絕緣層107。作為保護(hù)絕緣層107，可以使用利用濺射法等而得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜等。接著，進(jìn)行第五光刻工序，形成抗蝕劑掩模，并通過(guò)對(duì)保護(hù)絕緣層107的蝕刻來(lái)形成到達(dá)源電極層或漏電極層105b的接觸孔125。此外，通過(guò)此處的蝕刻，還形成到達(dá)第二端子122的接觸孔127、到達(dá)連接電極120的接觸孔126。圖3B表示這個(gè)階段的截面圖。接著，在去除抗蝕劑掩模之后，形成透明導(dǎo)電膜。作為透明導(dǎo)電膜的材料，通過(guò)濺射法及或真空蒸鍍法等形成氧化銦(1化0》、氧化銦氧化錫合金(I化0fSn02、縮寫(xiě)為ITO)等。使用鹽酸類(lèi)的溶液對(duì)這些材料進(jìn)行蝕刻處理。然而，由于特別是對(duì)ITO的蝕刻容易產(chǎn)生殘?jiān)?，因此也可以使用氧化銦氧化鋅合金(In203-ZnO)，以便改善蝕刻加工性。接著，進(jìn)行第六光刻工序，形成抗蝕劑掩模，并通過(guò)蝕刻去除不需要的部分，來(lái)形成像素電極層110。像素電極層IIO通過(guò)接觸孔125與源電極層或漏電極層105b直接連接。此外，在該第六光刻工序中，以電容部中的柵極絕緣層102及保護(hù)絕緣層107為電介質(zhì)并使用電容布線(xiàn)108和像素電極層110形成存儲(chǔ)電容(storagec即acitor)。另外，在該第六光刻工序中，使用抗蝕劑掩模覆蓋第一端子及第二端子并使形成在端子部的透明導(dǎo)電膜128、129殘留。透明導(dǎo)電膜128、129成為用來(lái)與FPC連接的電極或布線(xiàn)。形成在與第一端子121直接連接的連接電極120上的透明導(dǎo)電膜128是用作柵極布線(xiàn)的輸入端子的連接用端子電極。形成在第二端子122上的透明導(dǎo)電膜129是用作源極布線(xiàn)的輸入端子的連接用端子電極。接著，去除抗蝕劑掩模。圖3C示出這個(gè)階段的截面圖。另外，圖7相當(dāng)于這個(gè)階段的平面圖。此外，圖8A-1和圖8A-2分別示出這個(gè)階段的柵極布線(xiàn)端子部的截面圖及平面圖。圖8A-1相當(dāng)于沿著圖8A-2中的Cl-C2線(xiàn)的截面圖。在圖8A-1中，形成在保護(hù)絕緣膜154上的透明導(dǎo)電膜155是用作輸入端子的連接用端子電極。另外，在圖8A-1中，在端子部中，使用與柵極布線(xiàn)相同的材料形成的第一端子151和使用與源極布線(xiàn)相同的材料形成的連接電極153隔著柵極絕緣層152互相重疊，直接連接并導(dǎo)通。另外，連接電極153與透明導(dǎo)電膜155通過(guò)設(shè)置在保護(hù)絕緣膜154中的接觸孔直接連接并導(dǎo)通。15另外，圖8B-1及圖8B-2分別示出源極布線(xiàn)端子部的截面圖及平面圖。此外，圖8B-1相當(dāng)于沿著圖8B-2中的Dl-D2線(xiàn)的截面圖。在圖8B-1中，形成在保護(hù)絕緣膜154上的透明導(dǎo)電膜155是用作輸入端子的連接用端子電極。另外，在圖8B-1中，在端子部中，使用與柵極布線(xiàn)相同的材料形成的電極156隔著柵極絕緣層152重疊于與源極布線(xiàn)電連接的第二端子150的下方。電極156不與第二端子150電連接，通過(guò)將電極156設(shè)定為與第二端子150不同的電位，例如浮置電位、GND、0V等，可以形成作為對(duì)雜波的措施的電容或作為對(duì)靜電的措施的電容。此外，第二端子150隔著保護(hù)絕緣膜154與透明導(dǎo)電膜155電連接。根據(jù)像素密度設(shè)置多個(gè)柵極布線(xiàn)、源極布線(xiàn)及電容布線(xiàn)。此外，在端子部中，排列地配置多個(gè)具有與柵極布線(xiàn)相同的電位的第一端子、多個(gè)具有與源極布線(xiàn)相同的電位的第二端子、多個(gè)具有與電容布線(xiàn)相同的電位的第三端子等。各端子的數(shù)量分別可以是任意的，實(shí)施者適當(dāng)?shù)貨Q定各端子的數(shù)量即可。像這樣，可以通過(guò)六次的光刻工序，使用六個(gè)光掩模完成包括底柵型的n溝道型薄膜晶體管的薄膜晶體管170的像素薄膜晶體管部、存儲(chǔ)電容。而且，可以通過(guò)對(duì)應(yīng)于每一個(gè)像素將該像素薄膜晶體管部、存儲(chǔ)電容配置為矩陣狀來(lái)構(gòu)成像素部，將其用作用來(lái)制造有源矩陣型顯示裝置的一個(gè)襯底。在本說(shuō)明書(shū)中，為方便起見(jiàn)將這種襯底稱(chēng)為有源矩陣襯底。當(dāng)制造有源矩陣型液晶顯示裝置時(shí)，在有源矩陣襯底和設(shè)置有對(duì)置電極的對(duì)置襯底之間設(shè)置液晶層，固定有源矩陣襯底和對(duì)置襯底。另外，在有源矩陣襯底上設(shè)置與設(shè)置在對(duì)置襯底上的對(duì)置電極電連接的共同電極，在端子部設(shè)置與共同電極電連接的第四端子。該第四端子是用來(lái)將共同電極設(shè)定為固定電位例如GND、OV等的端子。此外，本實(shí)施方式不局限于圖7的像素結(jié)構(gòu)。圖9示出與圖7不同的像素結(jié)構(gòu)的例子。圖9示出一例，其中不設(shè)置電容布線(xiàn)，并隔著保護(hù)絕緣膜及柵極絕緣層重疊像素電極與相鄰的像素的柵極布線(xiàn)來(lái)形成存儲(chǔ)電容。在此情況下，可以省略電容布線(xiàn)及與電容布線(xiàn)連接的第三端子。另外，在圖9中，使用相同的附圖標(biāo)記說(shuō)明與圖7相同的部分。在有源矩陣型液晶顯示裝置中，通過(guò)驅(qū)動(dòng)配置為矩陣狀的像素電極，在屏幕上形成顯示圖案。詳細(xì)地說(shuō)，通過(guò)在被選擇的像素電極和對(duì)應(yīng)于該像素電極的對(duì)置電極之間施加電壓，進(jìn)行配置在像素電極和對(duì)置電極之間的液晶層的光學(xué)調(diào)制，該光學(xué)調(diào)制被觀(guān)察者識(shí)別為顯示圖案。當(dāng)液晶顯示裝置顯示動(dòng)態(tài)圖像時(shí)，由于液晶分子本身的響應(yīng)慢，所以有產(chǎn)生余象或動(dòng)態(tài)圖像的模糊的問(wèn)題。有一種被稱(chēng)為黑插入的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，該驅(qū)動(dòng)技術(shù)為了改善液晶顯示裝置的動(dòng)態(tài)圖像特性，而每隔一幀進(jìn)行整個(gè)表面的黑顯示。此外，還有一種被稱(chēng)為倍速驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，該倍速驅(qū)動(dòng)是指通過(guò)將垂直同步頻率設(shè)定為通常的1.5倍以上，優(yōu)選為2倍以上來(lái)改善動(dòng)態(tài)圖像特性。另外，還有如下驅(qū)動(dòng)技術(shù)為了改善液晶顯示裝置的動(dòng)態(tài)圖像特性，而作為背光燈使用多個(gè)LED(發(fā)光二極管)光源或多個(gè)EL光源等構(gòu)成面光源，并使構(gòu)成面光源的各光源獨(dú)立地在一個(gè)幀期間內(nèi)進(jìn)行間歇點(diǎn)亮驅(qū)動(dòng)。作為面光源，可以使用三種以上的LED或白色發(fā)光的LED。由于可以獨(dú)立地控制多個(gè)LED，因此也可以按照液晶層的光學(xué)調(diào)制的切換定時(shí)使LED的發(fā)光定時(shí)同步。因?yàn)樵谶@種驅(qū)動(dòng)技術(shù)中可以部分地關(guān)斷LED，所以尤其是在進(jìn)行一個(gè)屏幕中的黑色顯示區(qū)所占的比率高的圖像顯示的情況下，可以得到耗電量減少的效果。通過(guò)組合這些驅(qū)動(dòng)技術(shù)，與現(xiàn)有的液晶顯示裝置相比，可以進(jìn)一步改善液晶顯示裝置的動(dòng)態(tài)圖像特性等的顯示特性。由于根據(jù)本實(shí)施方式而得到的n溝道型薄膜晶體管將氧化物半導(dǎo)體用于溝道形成區(qū)并具有良好的動(dòng)態(tài)特性，因此可以組合這些驅(qū)動(dòng)技術(shù)。更優(yōu)選將In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜用于溝道形成區(qū)。此外，在制造發(fā)光顯示裝置的情況下，因?yàn)閷⒂袡C(jī)發(fā)光元件的一方電極(也稱(chēng)為陰極)設(shè)定為低電源電位，例如GND、OV等，所以在端子部設(shè)置用來(lái)將陰極設(shè)定為低電源電位，例如GND、OV等的第四端子。此外，在制造發(fā)光顯示裝置的情況下，除了源極布線(xiàn)及柵極布線(xiàn)之外還設(shè)置電源供給線(xiàn)。由此，在端子部設(shè)置與電源供給線(xiàn)電連接的第五端子。如上所述，通過(guò)在用作激活層的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率并用作保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，可以防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成的變化或膜質(zhì)的劣化，并且可以使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。通過(guò)將該薄膜晶體管用于顯示裝置的像素部及驅(qū)動(dòng)電路部，可以提供電特性高且可靠性?xún)?yōu)越的顯示裝置。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式3)在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D10說(shuō)明與實(shí)施方式1所示的薄膜晶體管不同形狀的薄膜晶體管。圖10示出本實(shí)施方式的底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。在圖10所示的薄膜晶體管中，在襯底100上設(shè)置有柵電極層IOI，在柵電極層101上設(shè)置有柵極絕緣層102，在柵極絕緣層102上設(shè)置有源電極層或漏電極層105a、105b，源電極層或漏電極層105a、105b上設(shè)置有緩沖層301a、301b，在柵極絕緣層102、緩沖層301a、301b上設(shè)置有第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103上設(shè)置有其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。注意，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104既可以一起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以作為不同氧化物半導(dǎo)體層分別形成。另外，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104之間也可以存在其電導(dǎo)率逐漸或連續(xù)地變化的氧化物半導(dǎo)體的中間區(qū)。另外，氧化物半導(dǎo)體中間區(qū)既可以與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104—起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以形成為與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104不同的氧化物半導(dǎo)體層。另外，源電極層或漏電極層105a、105b具有由第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，圖10所示的薄膜晶體管具有如下結(jié)構(gòu)，即在實(shí)施方式1中的圖1A和1B所示的薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和源電極層或漏電極層105a、105b之間設(shè)置有緩沖層301a、301b。作為用作源區(qū)或漏區(qū)的緩沖層301a、301b，可以使用實(shí)施方式1所示的形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體。并且，緩沖層優(yōu)選與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104同樣地使用包含In、Ga及Zn的氧化物半導(dǎo)體膜的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜來(lái)形成。但是，緩沖層301a、301b具有n型導(dǎo)電型，并且其電導(dǎo)率高于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的電導(dǎo)率。例如，優(yōu)選緩沖層301a、301b的電導(dǎo)率大于1.0X10—3S/cm。另外，當(dāng)作為緩沖層301a、301b使用In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜時(shí)，使用至少包含非晶成分的In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜，有時(shí)在非晶結(jié)構(gòu)中包含晶粒(納米晶體)。晶粒(納米晶體)的直徑為lnm至10nm，典型的為2nm至4nm左右。通過(guò)濺射法形成用于緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜。作為氧化物半導(dǎo)體膜的具體的成膜條件的例子，使用直徑為8英寸的包含In、Ga以及Zn的氧化物半導(dǎo)體靶材(ln203:Ga203:ZnO=l:1:l)，襯底和靶材之間的距離為170mm，壓力為0.4Pa，直流(DC)電源為0.5kW，成膜氣體Ar:02=50:l(sccm)，將成膜溫度設(shè)定為室溫來(lái)進(jìn)行濺射成膜。注意，上述晶粒(納米晶體)通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)靶材的成分比、成膜壓力(0.1Pa至2.OPa)、電力(250W至3000W:8英寸小)、溫度(室溫至IO(TC)、反應(yīng)性濺射的成膜條件等，可以調(diào)節(jié)晶粒的有無(wú)，晶粒的密度、直徑尺寸。但是，用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜與用作第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件不同。與用作第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件中的氧氣流量的比率相比，用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件中的氧氣流量的比率更小。例如，優(yōu)選將用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件設(shè)定為成膜氣體整體中的氧氣流量的比率低于10體積％。另外，也可以將用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜的成膜條件設(shè)定為在成膜氣體中不包含氧氣的氬等稀有氣體的氣氛下。用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜的厚度為5nm至20nm。當(dāng)然，當(dāng)在膜中包含晶粒時(shí)，所包含的晶粒的尺寸不超過(guò)膜厚度。在本實(shí)施方式中，用作緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜的厚度為5nm。另外，也可以使緩沖層301a、301b包含賦予n型的雜質(zhì)元素。作為雜質(zhì)元素可以使用如鎂、鋁、鈦、鐵、錫、鈣、鍺、鈧、釔、鋯、鉿、硼、鉈、鉛等。當(dāng)使緩沖層包含鎂、鋁、鈦等時(shí)，具有對(duì)氧的阻擋效果等，且通過(guò)成膜之后的加熱處理等可以將氧化物半導(dǎo)體層的氧濃度保持于最合適的范圍內(nèi)。另外，緩沖層的載流子濃度范圍優(yōu)選為lX1018/cm3以上(lX1027cm3以下)。如上所述，通過(guò)設(shè)置緩沖層301a、301b，可以在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和源電極層或漏電極層105a、105b之間，與肖特基結(jié)的形成相比提高熱穩(wěn)定性，并且可以使薄膜晶體管的工作特性穩(wěn)定。另外，因?yàn)閷?dǎo)電性?xún)?yōu)越，所以即使施加有高漏極電壓也可以保持良好的遷移率。注意，關(guān)于本實(shí)施方式的薄膜晶體管的緩沖層301a、301b之外的結(jié)構(gòu)和材料參照實(shí)施方式1。本實(shí)施方式的薄膜晶體管的制造工序與實(shí)施方式2所示的薄膜晶體管的制造工序大致相同。首先，通過(guò)實(shí)施方式2所示的方法形成第一導(dǎo)電膜112至第三導(dǎo)電膜114，并通過(guò)上述方法連續(xù)地利用濺射來(lái)形成用來(lái)形成緩沖層301a、301b的氧化物半導(dǎo)體膜302(參照?qǐng)D11A)。接著，通過(guò)第三光刻工序，與第一導(dǎo)電膜112至第三導(dǎo)電膜114同時(shí)將氧化物半導(dǎo)體膜302蝕刻為島狀，來(lái)形成源電極層或漏電極層105a、105b及氧化物半導(dǎo)體膜302a、302b，并且以與實(shí)施方式2同樣的方法進(jìn)行反濺射(參照?qǐng)DIIB)。然后，在通過(guò)實(shí)施方式2所示的方法形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104時(shí)，與此同時(shí)蝕刻氧化物半導(dǎo)體膜302a、302b，來(lái)形成緩沖層301a、301b(參照?qǐng)DIIC)。以后的工序與實(shí)施方式2同樣。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式4)在本實(shí)施方式中，使用圖30說(shuō)明與實(shí)施方式1及實(shí)施方式3所示的薄膜晶體管不同的形狀的薄膜晶體管。在圖30A和30B中示出本實(shí)施方式的底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。在圖30A和30B所示的薄膜晶體管中，在襯底100上設(shè)置有柵電極層IOI，在柵電極層101上設(shè)置有柵極絕緣層102，在柵極絕緣層102上設(shè)置有源電極層或漏電極層105a、105b，在柵極絕緣層102和源電極層或漏電極層105a、105b上設(shè)置有第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103上設(shè)置有其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104。注意，第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104既可以一起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以作為不同氧化物半導(dǎo)體層分別形成。另外，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104之間也可以存在其電導(dǎo)率逐漸或連續(xù)地變化的氧化物半導(dǎo)體的中間區(qū)。另外，氧化物半導(dǎo)體中間區(qū)既可以與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104—起形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中，又可以形成為與第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104不同的氧化物半導(dǎo)體層。源電極層或漏電極層105a、105b具有由第一導(dǎo)電膜112a、112b、第二導(dǎo)電膜113a、113b、第三導(dǎo)電膜114a、114b構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。另外，源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面設(shè)置有絕緣層。在圖30A中，在源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面形成有氧化膜403a、403b，并且在圖30B中，在源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面形成有側(cè)壁絕緣層404a、404b。也就是說(shuō)，圖30A所示的薄膜晶體管具有如下結(jié)構(gòu)，即在實(shí)施方式1中的圖1A和1B所示的薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103通過(guò)氧化膜403a、403b部分地接觸于源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面部。圖30B所示的薄膜晶體管具有如下結(jié)構(gòu)，即在實(shí)施方式1中的圖1A和1B所示的薄膜晶體管的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103通過(guò)側(cè)壁絕緣層404a、404b部分地接觸于源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面部。圖30A所示的氧化膜403a、403b是通過(guò)對(duì)源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面進(jìn)行氧化而形成的。作為氧化方法優(yōu)選進(jìn)行熱氧化、氧等離子體處理或臭氧水清洗等。具體地，優(yōu)選在形成實(shí)施方式2的圖2C所示的源電極層或漏電極層105a、105b且殘留抗蝕劑掩模131的狀態(tài)下，通過(guò)進(jìn)行熱氧化、等離子體氧化或臭氧水處理使源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面氧化來(lái)形成氧化膜403a、403b。但是，當(dāng)源電極層或漏電極層105a、105b具有不同導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，氧化膜403a、403b也具有不同氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)作為第一導(dǎo)電膜112a、112b、第三導(dǎo)電膜114a、114b使用鈦，而作為第二導(dǎo)電膜113a、113b使用包含釹的鋁合金時(shí)，氧化膜403a、403b具有從上層按氧化鈦膜、包含釹的氧化鋁合金膜、氧化鈦膜的順序?qū)盈B的三層疊層結(jié)構(gòu)。注意，氧化膜403a、403b的電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率。圖30B所示的側(cè)壁絕緣層404a、404b由硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜形成。具體地，在形成實(shí)施方式2的圖2C所示的源電極層或漏電極層105a、105b且去除抗蝕劑掩模131之后，通過(guò)等離子體CVD法或?yàn)R射法等，覆蓋源電極層或漏電極層105a、105b地形成硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜。接著，通過(guò)進(jìn)行以垂直方向?yàn)橹鞯母飨虍愋晕g刻來(lái)對(duì)新形成的硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜進(jìn)行部分性地蝕刻，以形成接觸于源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面地側(cè)壁絕緣層404a、404b。此時(shí)，作為各向異性蝕刻優(yōu)選采用干蝕刻，作為蝕刻氣體可以使用CHF3和氦的混和氣體。但是，由于在作為側(cè)壁絕緣層使用與柵極絕緣層相同種類(lèi)的硅膜時(shí)，不能獲得蝕刻的選擇比，因此有時(shí)柵極絕緣層102也通過(guò)上述各向異性蝕刻被蝕刻。如圖30A和30B所示，通過(guò)在源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面上形成氧化膜403a、403b或側(cè)壁絕緣層404a、404b，可以將漏極電流的路徑形成為圍繞氧化膜403a、403b或側(cè)壁絕緣層404a、404b的路徑，而不是連接源電極層或漏電極層105a、105b的直線(xiàn)狀的路徑。由此，可以減少當(dāng)薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)流過(guò)的截止電流。另外，該效果不局限于設(shè)置有第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，即使是沒(méi)有設(shè)置第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的激活層為單層氧化物半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，通過(guò)在源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面上設(shè)置氧化膜403a、403b或側(cè)壁絕緣層404a、404b，也可以獲得同樣的效果。另外，通過(guò)在源電極層或漏電極層105a、105b的側(cè)面上設(shè)置氧化膜403a、403b或側(cè)壁絕緣層404a、404b，來(lái)提高第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的覆蓋性，可以防止因臺(tái)階形狀導(dǎo)致的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的斷開(kāi)。另外，在本實(shí)施方式中，如實(shí)施方式3所示那樣，也可以采用在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103和源電極層或漏電極層105a、105b之間設(shè)置緩沖層的結(jié)構(gòu)。注意，關(guān)于本實(shí)施方式的氧化膜403a、403b及側(cè)壁絕緣層404a、404b之外的結(jié)構(gòu)和材料參照實(shí)施方式1。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式5)在本實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體裝置的一例的顯示裝置中，以下說(shuō)明在同一襯底上至少制造驅(qū)動(dòng)電路的一部分和配置在像素部中的薄膜晶體管的例子。根據(jù)實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)形成配置在像素部中的薄膜晶體管。此外，實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的薄膜晶體管是n溝道型TFT，所以可以將由n溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的一部分與像素部的薄膜晶體管形成在同一襯底上。圖14A示出半導(dǎo)體裝置的一例的有源矩陣型液晶顯示裝置的框圖的一例。圖14A所示的顯示裝置在襯底5300上包括具有多個(gè)具備顯示元件的像素的像素部5301;選擇各像素的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5302;以及對(duì)被選擇了的像素的視頻信號(hào)輸入進(jìn)行控制的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5303。像素部5301通過(guò)從信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5303在列方向上延伸地配置的多個(gè)信號(hào)線(xiàn)Sl-Sm(未圖示)與信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5303連接，并且通過(guò)從掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5302在行方向上延伸地配置的多個(gè)掃描線(xiàn)Gl-Gn(未圖示)與掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5302連接，并具有對(duì)應(yīng)于信號(hào)線(xiàn)Sl-Sm以及掃描線(xiàn)Gl-Gn配置為矩陣形的多個(gè)像素(未圖示)。并且，各像素與信號(hào)線(xiàn)Sj(信號(hào)線(xiàn)Sl-Sm中的某一個(gè))、掃描線(xiàn)Gi(掃描線(xiàn)Gl-Gn中的某一個(gè))連接。此外，可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的薄膜晶體管是n溝道型TFT，參照?qǐng)D15說(shuō)明由n溝道型TFT構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。圖15所示的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)器IC5601;開(kāi)關(guān)組5602_1至5602_M;第一布線(xiàn)5611;第二布線(xiàn)5612;第三布線(xiàn)5613;以及布線(xiàn)5621_1至5621_M。開(kāi)關(guān)組5602_1至5602—M分別包括第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b以及第三薄膜晶體管5603c。驅(qū)動(dòng)器IC5601連接到第一布線(xiàn)5611、第二布線(xiàn)5612、第三布線(xiàn)5613及布線(xiàn)5621_1至5621_M。而且，開(kāi)關(guān)組5602_1至5602_M分別連接到第一布線(xiàn)5611、第二布線(xiàn)5612、第三布線(xiàn)5613及分別對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)組5602_1至5602_M的布線(xiàn)5621_1至5621_M。而且，布線(xiàn)5621_1至5621_M分別通過(guò)第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c連接到三個(gè)信號(hào)線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn)Sm-2、信號(hào)線(xiàn)Sm-l、信號(hào)線(xiàn)Sm(m二3M))。例如，第J列的布線(xiàn)5621—J(布線(xiàn)5621_1至布線(xiàn)5621_M中的某一個(gè))分別通過(guò)開(kāi)關(guān)組5602_J所具有的第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c連接到信號(hào)線(xiàn)Sj-2、信號(hào)線(xiàn)Sj-1、信號(hào)線(xiàn)Sj(j=3J)。注意，對(duì)第一布線(xiàn)5611、第二布線(xiàn)5612、第三布線(xiàn)5613分別輸入信號(hào)。注意，驅(qū)動(dòng)器IC5601優(yōu)選使用單晶半導(dǎo)體形成。再者，開(kāi)關(guān)組5602J至5602—M優(yōu)選形成在與像素部同一襯底上。因此，優(yōu)選通過(guò)FPC等連接驅(qū)動(dòng)器IC5601和開(kāi)關(guān)組5602J至5602—M?；蛘?，也可以通過(guò)與像素部貼合在同一襯底上等而設(shè)置單晶半導(dǎo)體層，來(lái)形成驅(qū)動(dòng)器IC5601。接著，參照?qǐng)D16的時(shí)序圖說(shuō)明圖15所示的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的工作。注意，圖16的時(shí)序圖示出選擇第i行掃描線(xiàn)Gi時(shí)的時(shí)序圖。再者，第i行掃描線(xiàn)Gi的選擇期間被分割為第一子選擇期間Tl、第二子選擇期間T2及第三子選擇期間T3。而且，圖15的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路在其他行的掃描線(xiàn)被選擇的情況下也進(jìn)行與圖16相同的工作。注意，圖16的時(shí)序圖示出第J列的布線(xiàn)5621_J分別通過(guò)第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c連接到信號(hào)線(xiàn)Sj-2、信號(hào)線(xiàn)Sj-1、信號(hào)線(xiàn)Sj的情況。注意，圖16的時(shí)序圖示出第i行掃描線(xiàn)Gi被選擇的定時(shí)、第一薄膜晶體管5603a的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5703a、第二薄膜晶體管5603b的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5703b、第三薄膜晶體管5603c的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5703c及輸入到第J列布線(xiàn)5621_J的信號(hào)5721_J。注意，在第一子選擇期間Tl、第二子選擇期間T2及第三子選擇期間T3中，分別對(duì)布線(xiàn)5621_1至布線(xiàn)5621—M輸入不同的視頻信號(hào)。例如，在第一子選擇期間Tl輸入到布線(xiàn)5621_J的視頻信號(hào)輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-2，在第二子選擇期間T2輸入到布線(xiàn)5621_J的視頻信號(hào)輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-l，在第三子選擇期間T3輸入到布線(xiàn)5621_J的視頻信號(hào)輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj。再者，在第一子選擇期間Tl、第二子選擇期間T2及第三子選擇期間T3中輸入到布線(xiàn)5621_J的視頻信號(hào)分別為DataJ-2、DataJ-l、DataJ。如圖16所示，在第一子選擇期間T1中，第一薄膜晶體管5603a導(dǎo)通，第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的Data_j_2通過(guò)第一薄膜晶體管5603a輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-2。在第二子選擇期間T2中，第二薄膜晶體管5603b導(dǎo)通，第一薄膜晶體管5603a及第三薄膜晶體管5603c截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的DataJ-l通過(guò)第二薄膜晶體管5603b輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-l。在第三子選擇期間T3中，第三薄膜晶體管5603c導(dǎo)通，第一薄膜晶體管5603a及第二薄膜晶體管5603b截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的DataJ通過(guò)第三薄膜晶體管5603c輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj。據(jù)此，圖15的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)將一個(gè)柵極選擇期間分割為三個(gè)從而可以在一個(gè)柵極選擇期間中從一個(gè)布線(xiàn)5621將視頻信號(hào)輸入到三個(gè)信號(hào)線(xiàn)。因此，圖15的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路可以將形成有驅(qū)動(dòng)器IC5601的襯底和形成有像素部的襯底的連接數(shù)設(shè)定為信號(hào)線(xiàn)數(shù)的大約1/3。通過(guò)將連接數(shù)設(shè)定為大約1/3，可以提高圖15的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的可靠性、成品率等。注意，只要能夠如圖15所示，將一個(gè)柵極選擇期間分割為多個(gè)子選擇期間，并在各子選擇期間中從某一個(gè)布線(xiàn)向多個(gè)信號(hào)線(xiàn)分別輸入視頻信號(hào)，就對(duì)于薄膜晶體管的配置、數(shù)量及驅(qū)動(dòng)方法等沒(méi)有限制。例如，當(dāng)在三個(gè)以上的子選擇期間的每個(gè)中從一個(gè)布線(xiàn)將視頻信號(hào)分別輸入到三個(gè)以上的信號(hào)線(xiàn)時(shí)，追加薄膜晶體管及用來(lái)控制薄膜晶體管的布線(xiàn)即可。但是，當(dāng)將一個(gè)柵極選擇期間分割為四個(gè)以上的子選擇期間時(shí)，一個(gè)子選擇期間變短。因此，優(yōu)選將一個(gè)柵極選擇期間分割為兩個(gè)或三個(gè)子選擇期間。作為另一例，也可以如圖17的時(shí)序圖所示，將一個(gè)選擇期間分割為預(yù)充電期間Tp、第一子選擇期間Tl、第二子選擇期間T2、第三子選擇期間T3。再者，圖17的時(shí)序圖示出選擇第i行掃描線(xiàn)Gi的定時(shí)、第一薄膜晶體管5603a的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5803a、第二薄膜晶體管5603b的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5803b、第三薄膜晶體管5603c的導(dǎo)通/截止的定時(shí)5803c以及輸入到第J列布線(xiàn)5621_J的信號(hào)5821_J。如圖17所示，在預(yù)充電期間Tp中，第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c導(dǎo)通。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的預(yù)充電電壓Vp通過(guò)第一薄膜晶體管5603a、第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c分別輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-2、信號(hào)線(xiàn)Sj-1、信號(hào)線(xiàn)Sj。在第一子選擇期間Tl中，第一薄膜晶體管5603a導(dǎo)通，第二薄膜晶體管5603b及第三薄膜晶體管5603c截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的Data_j-2通過(guò)第一薄膜晶體管5603a輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj_2。在第二子選擇期間T2中，第二薄膜晶體管5603b導(dǎo)通，第一薄膜晶體管5603a及第三薄膜晶體管5603c截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的Data_j_l通過(guò)第二薄膜晶體管5603b輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj-l。在第三子選擇期間T3中，第三薄膜晶體管5603c導(dǎo)通，第一薄膜晶體管5603a及第二薄膜晶體管5603b截止。此時(shí)，輸入到布線(xiàn)5621_J的Data_j通過(guò)第三薄膜晶體管5603c輸入到信號(hào)線(xiàn)Sj。據(jù)此，因?yàn)閼?yīng)用了圖17的時(shí)序圖的圖15的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路可以通過(guò)在子選擇期間之前提供預(yù)充電選擇期間來(lái)對(duì)信號(hào)線(xiàn)進(jìn)行預(yù)充電，所以可以高速地進(jìn)行對(duì)像素的視頻信號(hào)的寫(xiě)入。注意，在圖17中，使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示與圖16相同的部分，而省略對(duì)于同一部分或具有相同的功能的部分的詳細(xì)說(shuō)明。此外，說(shuō)明掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路包括移位寄存器、緩沖器。此外，根據(jù)情況，還可以包括電平轉(zhuǎn)移器。在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路中，通過(guò)對(duì)移位寄存器輸入時(shí)鐘信號(hào)(CLK)及起始脈沖信號(hào)(SP)，生成選擇信號(hào)。所生成的選擇信號(hào)在緩沖器中被緩沖放22大，并供給到對(duì)應(yīng)的掃描線(xiàn)。掃描線(xiàn)連接到一行的像素的晶體管的柵電極。而且，由于需要將一行的像素的晶體管同時(shí)導(dǎo)通，因此使用能夠流過(guò)大電流的緩沖器。參照?qǐng)D18和圖19說(shuō)明用于掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的一部分的移位寄存器的一個(gè)方式。圖18示出移位寄存器的電路結(jié)構(gòu)。圖18所示的移位寄存器由觸發(fā)器5701_1至5701—n的多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。此外，輸入第一時(shí)鐘信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)、起始脈沖信號(hào)、復(fù)位信號(hào)來(lái)進(jìn)行工作。說(shuō)明圖18的移位寄存器的連接關(guān)系。第一級(jí)觸發(fā)器5701_1連接到第一布線(xiàn)5711、第二布線(xiàn)5712、第四布線(xiàn)5714、第五布線(xiàn)5715、第七布線(xiàn)5717_1及第七布線(xiàn)5717_2。另外，第二級(jí)觸發(fā)器5701_2連接到第三布線(xiàn)5713、第四布線(xiàn)5714、第五布線(xiàn)5715、第七布線(xiàn)5717_1、第七布線(xiàn)5717_2及第七布線(xiàn)5717_3。與此同樣，第i級(jí)觸發(fā)器5701j(觸發(fā)器5701J至5701—n中的任一個(gè))連接到第二布線(xiàn)5712或第三布線(xiàn)5713的一方、第四布線(xiàn)5714、第五布線(xiàn)5715、第七布線(xiàn)5717」_1、第七布線(xiàn)5717」及第七布線(xiàn)5717」+1。在此，在i為奇數(shù)的情況下，第i級(jí)觸發(fā)器5701」連接到第二布線(xiàn)5712，在i為偶數(shù)的情況下，第i級(jí)觸發(fā)器5701」連接到第三布線(xiàn)5713。另外，第n級(jí)觸發(fā)器5701_n連接到第二布線(xiàn)5712或第三布線(xiàn)5713的一方、第四布線(xiàn)5714、第五布線(xiàn)5715、第七布線(xiàn)5717—n-l、第七布線(xiàn)5717_n及第六布線(xiàn)5716。注意，第一布線(xiàn)5711、第二布線(xiàn)5712、第三布線(xiàn)5713、第六布線(xiàn)5716也可以分別稱(chēng)為第一信號(hào)線(xiàn)、第二信號(hào)線(xiàn)、第三信號(hào)線(xiàn)、第四信號(hào)線(xiàn)。再者，第四布線(xiàn)5714、第五布線(xiàn)5715也可以分別稱(chēng)為第一電源線(xiàn)、第二電源線(xiàn)。接著，使用圖19說(shuō)明圖18所示的觸發(fā)器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖19所示的觸發(fā)器包括第一薄膜晶體管5571、第二薄膜晶體管5572、第三薄膜晶體管5573、第四薄膜晶體管5574、第五薄膜晶體管5575、第六薄膜晶體管5576、第七薄膜晶體管5577以及第八薄膜晶體管5578。注意，第一薄膜晶體管5571、第二薄膜晶體管5572、第三薄膜晶體管5573、第四薄膜晶體管5574、第五薄膜晶體管5575、第六薄膜晶體管5576、第七薄膜晶體管5577以及第八薄膜晶體管5578是n溝道型晶體管，并且當(dāng)柵-源間電壓(Vgs)超過(guò)閾值電壓(Vth)時(shí)它們成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，圖19所示的觸發(fā)器具有第一布線(xiàn)5501、第二布線(xiàn)5502、第三布線(xiàn)5503、第四布線(xiàn)5504、第五布線(xiàn)5505及第六布線(xiàn)5506。在此示出將所有薄膜晶體管設(shè)定有增強(qiáng)型n溝道型晶體管的例子，但是沒(méi)有特別的限制，例如即使使用耗盡型n溝道型晶體管也可以驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路。接著，下面示出圖18所示的觸發(fā)器的連接結(jié)構(gòu)。第一薄膜晶體管5571的第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接到第四布線(xiàn)5504，并且第一薄膜晶體管5571的第二電極(源電極及漏電極中的另一方)連接到第三布線(xiàn)5503。第二薄膜晶體管5572的第一電極連接到第六布線(xiàn)5506，并且第二薄膜晶體管5572的第二電極連接到第三布線(xiàn)5503。第三薄膜晶體管5573的第一電極連接到第五布線(xiàn)5505，第三薄膜晶體管5573的第二電極連接到第二薄膜晶體管5572的柵電極，第三薄膜晶體管5573的柵電極連接到第五布線(xiàn)5505。第四薄膜晶體管5574的第一電極連接到第六布線(xiàn)5506，第四薄膜晶體管5574的第二電極連接到第二薄膜晶體管5572的柵電極，并且第四薄膜晶體管5574的柵電極連接到第一薄膜晶體管5571的柵電極。第五薄膜晶體管5575的第一電極連接到第五布線(xiàn)5505，第五薄膜晶體管5575的第二電極連接到第一薄膜晶體管5571的柵電極，并且第五薄膜晶體管5575的柵電極連接到第一布線(xiàn)5501。第六薄膜晶體管5576的第一電極連接到第六布線(xiàn)5506，第六薄膜晶體管5576的第二電極連接到第一薄膜晶體管5571的柵電極，并且第六薄膜晶體管5576的柵電極連接到第二薄膜晶體管5572的柵電極。第七薄膜晶體管5577的第一電極連接到第六布線(xiàn)5506，第七薄膜晶體管5577的第二電極連接到第一薄膜晶體管5571的柵電極，并且第七薄膜晶體管5577的柵電極連接到第二布線(xiàn)5502。第八薄膜晶體管5578的第一電極連接到第六布線(xiàn)5506，第八薄膜晶體管5578的第二電極連接到第二薄膜晶體管5572的柵電極，并且第八薄膜晶體管5578的柵電極連接到第一布線(xiàn)5501。注意，以第一薄膜晶體管5571的柵電極、第四薄膜晶體管5574的柵電極、第五薄膜晶體管5575的第二電極、第六薄膜晶體管5576的第二電極以及第七薄膜晶體管5577的第二電極的連接部為節(jié)點(diǎn)5543。再者，以第二薄膜晶體管5572的柵電極、第三薄膜晶體管5573的第二電極、第四薄膜晶體管5574的第二電極、第六薄膜晶體管5576的柵電極以及第八薄膜晶體管5578的第二電極的連接部為節(jié)點(diǎn)5544。注意，第一布線(xiàn)5501、第二布線(xiàn)5502、第三布線(xiàn)5503以及第四布線(xiàn)5504也可以分別稱(chēng)為第一信號(hào)線(xiàn)、第二信號(hào)線(xiàn)、第三信號(hào)線(xiàn)、第四信號(hào)線(xiàn)。再者，第五布線(xiàn)5505、第六布線(xiàn)5506也可以分別稱(chēng)為第一電源線(xiàn)、第二電源線(xiàn)。在第i級(jí)觸發(fā)器5701」中，圖19中的第一布線(xiàn)5501和圖18中的第七布線(xiàn)5717_i-l連接。另外，圖19中的第二布線(xiàn)5502和圖18中的第七布線(xiàn)5717」+1連接。另外，圖19中的第三布線(xiàn)5503和第七布線(xiàn)5717」連接。而且，圖19中的第六布線(xiàn)5506和第五布線(xiàn)5715連接。在i為奇數(shù)的情況下，圖19中的第四布線(xiàn)5504連接到圖18中的第二布線(xiàn)5712，在i為偶數(shù)的情況下，圖19中的第四布線(xiàn)5504連接到圖18中的第三布線(xiàn)5713。另外，圖19中的第五布線(xiàn)5505和圖18中的第四布線(xiàn)5714連接。在第一級(jí)觸發(fā)器5701_1中，圖19中的第一布線(xiàn)5501連接到圖18中的第一布線(xiàn)5711。另外，在第n級(jí)觸發(fā)器5701_n中，圖19中的第二布線(xiàn)5502連接到圖18中的第六布線(xiàn)5716。此外，也可以?xún)H使用與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的n溝道型TFT制造信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。因?yàn)榕c實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的n溝道型TFT的晶體管遷移率大，所以可以提高驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)頻率。另外，由于與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一所示的n溝道型TFT利用In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜的源區(qū)或漏區(qū)減少寄生電容，因此頻率特性(稱(chēng)為f特性)高。例如，由于可以使用與實(shí)施方式l至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的n溝道型TFT的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行高速工作，因此可以提高幀頻率或?qū)崿F(xiàn)黑屏插入等。再者，通過(guò)增大掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的溝道寬度，或配置多個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路等，可以實(shí)現(xiàn)更高的幀頻率。在配置多個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的情況下，通過(guò)將用來(lái)驅(qū)動(dòng)偶數(shù)行的掃描線(xiàn)的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路配置在一側(cè)，并將用來(lái)驅(qū)動(dòng)奇數(shù)行的掃描線(xiàn)的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路配置在其相反一側(cè)，可以實(shí)現(xiàn)幀頻率的提高。此外，通過(guò)使用多個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)同一掃描線(xiàn)輸出信號(hào)，有利于顯示裝置的大型化。此外，在制造半導(dǎo)體裝置的一例的有源矩陣型發(fā)光顯示裝置的情況下，因?yàn)橹辽僭谝粋€(gè)像素中配置多個(gè)薄膜晶體管，因此優(yōu)選配置多個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。圖14B示出有源矩陣型發(fā)光顯示裝置的框圖的一例。圖14B所示的發(fā)光顯示裝置在襯底5400上包括具有多個(gè)具備顯示元件的像素的像素部5401;選擇各像素的第一掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5402及第二掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5404;以及控制對(duì)被選擇的像素的視頻信號(hào)的輸入的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5403。在輸入到圖14B所示的發(fā)光顯示裝置的像素的視頻信號(hào)為數(shù)字形式的情況下，通過(guò)切換晶體管的導(dǎo)通和截止，使像素處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。因此，可以采用面積灰度法或時(shí)間灰度法進(jìn)行灰度顯示。面積灰度法是通過(guò)將一個(gè)像素分割為多個(gè)子像素并根據(jù)視頻信號(hào)分別驅(qū)動(dòng)各子像素來(lái)進(jìn)行灰度顯示的驅(qū)動(dòng)法。此外，時(shí)間灰度法是通過(guò)控制像素發(fā)光的期間來(lái)進(jìn)行灰度顯示的驅(qū)動(dòng)法。因?yàn)榘l(fā)光元件的響應(yīng)速度比液晶元件等的響應(yīng)速度高，所以與液晶元件相比適合于時(shí)間灰度法。在具體地采用時(shí)間灰度法進(jìn)行顯示的情況下，將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間。然后，根據(jù)視頻信號(hào)，在各子幀期間中使像素的發(fā)光元件處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。通過(guò)將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間，可以利用視頻信號(hào)控制在一個(gè)幀期間中像素實(shí)際上發(fā)光的期間的總長(zhǎng)度，可以進(jìn)行灰度顯示。注意，在圖14B所示的發(fā)光顯示裝置中示出如下例子，其中當(dāng)在一個(gè)像素中配置兩個(gè)開(kāi)關(guān)TFT時(shí)，使用第一掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5402生成輸入到一方的開(kāi)關(guān)TFT的柵極布線(xiàn)的第一掃描線(xiàn)的信號(hào)，而使用第二掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路5404生成輸入到另一方的開(kāi)關(guān)TFT的柵極布線(xiàn)的第二掃描線(xiàn)的信號(hào)。但是，也可以共同使用一個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路生成輸入到第一掃描線(xiàn)的信號(hào)和輸入到第二掃描線(xiàn)的信號(hào)。此外，例如根據(jù)一個(gè)像素所具有的開(kāi)關(guān)TFT的數(shù)量，可能會(huì)在各像素中設(shè)置多個(gè)用來(lái)控制開(kāi)關(guān)元件的工作的掃描線(xiàn)。在此情況下，既可以使用一個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路生成輸入到多個(gè)掃描線(xiàn)的所有信號(hào)，又可以使用多個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路生成輸入到多個(gè)掃描線(xiàn)的所有信號(hào)。此外，在發(fā)光顯示裝置中也可以將能夠由n溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的一部分與像素部的薄膜晶體管形成在同一襯底上。另外，也可以?xún)H使用與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的n溝道型TFT制造信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路。此外，上述驅(qū)動(dòng)電路除了液晶顯示裝置及發(fā)光顯示裝置以外還可以用于利用與開(kāi)關(guān)元件電連接的元件來(lái)驅(qū)動(dòng)電子墨水的電子紙。電子紙也稱(chēng)為電泳顯示裝置(電泳顯示器)，并具有如下優(yōu)點(diǎn)與紙相同的易讀性、耗電量比其他的顯示裝置小、可形成為薄且輕的形狀。作為電泳顯示器可考慮各種方式。電泳顯示器是如下器件，即在溶劑或溶質(zhì)中分散有包含具有正電荷的第一粒子和具有負(fù)電荷的第二粒子的多個(gè)微囊，并且通過(guò)對(duì)微囊施加電場(chǎng)使微囊中的粒子向彼此相反的方向移動(dòng)，以?xún)H顯示集中在一方的粒子的顏色。注意，25第一粒子或第二粒子包含染料，且在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)不移動(dòng)。此外，第一粒子和第二粒子的顏色不同(包含無(wú)色)。像這樣，電泳顯示器是利用所謂的介電電泳效應(yīng)的顯示器。在該介電電泳效應(yīng)中，介電常數(shù)高的物質(zhì)移動(dòng)到高電場(chǎng)區(qū)。將在溶劑中分散有上述微囊的材料稱(chēng)作電子墨水，該電子墨水可以印刷到玻璃、塑料、布、紙等的表面上。另外，還可以通過(guò)使用濾色片或具有色素的粒子來(lái)進(jìn)行彩色顯示。此外，通過(guò)在有源矩陣襯底上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置多個(gè)上述微囊，使得微囊?jiàn)A在兩個(gè)電極之間，就完成了有源矩陣型顯示裝置，只要對(duì)微囊施加電場(chǎng)，就可以進(jìn)行顯示。例如，可以使用利用與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4的薄膜晶體管來(lái)得到的有源矩陣襯底。此外，作為微囊中的第一粒子及第二粒子，采用選自導(dǎo)電體材料、絕緣體材料、半導(dǎo)體材料、磁性材料、液晶材料、鐵電性材料、電致發(fā)光材料、電致變色材料、磁泳材料中的一種或這些材料的組合材料即可。通過(guò)上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的顯示裝置。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式6)通過(guò)制造實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管并將該薄膜晶體管用于像素部及驅(qū)動(dòng)電路，從而可以制造具有顯示功能的半導(dǎo)體裝置(也稱(chēng)為顯示裝置)。此外，可以將使用了實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路的一部分或全部與像素部一體地形成在同一襯底上，從而形成系統(tǒng)型面板(system-on-panel)。顯示裝置包括顯示元件。作為顯示元件，可以使用液晶元件(也稱(chēng)為液晶顯示元件)、發(fā)光元件(也稱(chēng)為發(fā)光顯示元件)。在發(fā)光元件的范疇內(nèi)包括利用電流或電壓控制亮度的元件，具體而言，包括無(wú)機(jī)EL(ElectroLuminescence;電致發(fā)光)元件、有機(jī)EL元件等。此外，也可以應(yīng)用電子墨水等的對(duì)比度因電作用而變化的顯示媒體。此外，顯示裝置包括密封有顯示元件的面板和在該面板中安裝有包括控制器的IC等的模塊。再者，涉及一種元件襯底，該元件襯底相當(dāng)于制造該顯示裝置的過(guò)程中的顯示元件完成之前的一個(gè)方式，并且它在多個(gè)各像素中分別具備用于將電流供給到顯示元件的單元。具體而言，元件襯底既可以是只形成有顯示元件的像素電極的狀態(tài)，又可以是形成成為像素電極的導(dǎo)電膜之后且通過(guò)蝕刻形成像素電極之前的狀態(tài)，而可以采用各種方式。注意，本說(shuō)明書(shū)中的顯示裝置是指圖像顯示裝置、顯示裝置、或光源(包括照明裝置)。另外，顯示裝置還包括安裝有連接器，諸如FPC(FlexiblePrintedCircuit;柔性印刷電路)、TAB(TapeAutomatedBonding;載帶自動(dòng)鍵合)帶或TCP(T即eCarrierPackage;載帶封裝)的模塊；將印刷線(xiàn)路板固定到TAB帶或TCP端部的模塊；通過(guò)COG(ChipOnGlass;玻璃上芯片)方式將IC(集成電路)直接安裝到顯示元件上的模塊。在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D22A-l、22A-2以及22B說(shuō)明相當(dāng)于半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的液晶顯示面板的外觀(guān)及截面。圖22A-l、22A-2是如下面板的俯視圖，其中利用密封材料4005將包括用作氧化物半導(dǎo)體層的形成在第一襯底4001上的實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜、且可靠性高的薄膜晶體管4010、4011及液晶元件4013密封在第一襯底4001和第二襯底4006之間。圖22B相當(dāng)于沿著圖22A_1、22A_2的M_N的截26面圖。以圍繞設(shè)置在第一襯底4001上的像素部4002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004的方式設(shè)置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004上設(shè)置有第二襯底4006。因此，像素部4002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004與液晶層4008—起由第一襯底4001、密封材料4005和第二襯底4006密封。此外，在與第一襯底4001上的由密封材料4005圍繞的區(qū)域不同的區(qū)域中安裝有信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003，該信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003使用單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成在另行準(zhǔn)備的襯底上。注意，對(duì)于另行形成的驅(qū)動(dòng)電路的連接方法沒(méi)有特別的限制，而可以采用COG方法、引線(xiàn)鍵合方法或TAB方法等。圖22A-1是通過(guò)COG方法安裝信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003的例子，而圖22A-2是通過(guò)TAB方法安裝信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003的例子。此外，設(shè)置在第一襯底4001上的像素部4002和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖22B中例示像素部4002所包括的薄膜晶體管4010和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004所包括的薄膜晶體管4011。在薄膜晶體管4010、4011上設(shè)置有絕緣層4020、4021。對(duì)薄膜晶體管4010、4011可以應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的包括用作氧化物半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管4010、4011是n溝道型薄膜晶體管。此外，液晶元件4013所具有的像素電極層4030與薄膜晶體管4010電連接。而且，液晶元件4013的對(duì)置電極層4031形成在第二襯底4006上。像素電極層4030、對(duì)置電極層4031和液晶層4008重疊的部分相當(dāng)于液晶元件4013。注意，像素電極層4030、對(duì)置電極層4031分別設(shè)置有用作取向膜的絕緣層4032、4033，且隔著絕緣層4032、4033夾有液晶層4008。注意，作為第一襯底4001、第二襯底4006，可以使用玻璃、金屬(典型的是不銹鋼)、陶瓷、塑料。作為塑料，可以使用FRP(Fiberglass-ReinforcedPlastics;玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜或丙烯酸樹(shù)脂膜。此外，還可以使用具有將鋁箔夾在PVF膜之間或聚酯膜之間的結(jié)構(gòu)的薄片。此外，附圖標(biāo)記4035表示通過(guò)對(duì)絕緣膜選擇性地進(jìn)行蝕刻而得到的柱狀間隔件，并且它是為控制像素電極層4030和對(duì)置電極層4031之間的距離(液晶盒間隙)而設(shè)置的。注意，還可以使用球狀間隔件。另外，對(duì)置電極層4031與設(shè)置在與薄膜晶體管4010同一襯底上的共同電位線(xiàn)電連接。使用共同連接部，可以通過(guò)配置在一對(duì)襯底之間的導(dǎo)電性粒子電連接對(duì)置電極層4031和共同電位線(xiàn)。此外，將導(dǎo)電性粒子包含在密封材料4005中。另外，還可以使用不使用取向膜的顯示藍(lán)相的液晶。藍(lán)相是液晶相的一種，是指當(dāng)使膽甾相液晶的溫度上升時(shí)即將從膽甾相轉(zhuǎn)變到均質(zhì)相之前出現(xiàn)的相。由于藍(lán)相只出現(xiàn)在較窄的溫度范圍內(nèi)，所以為了改善溫度范圍而將使用混合有5重量％以上的手性試劑的液晶組成物而使用于液晶層4008。包含顯示藍(lán)相的液晶和手性試劑的液晶組成物的響應(yīng)速度短，即為10iis至100iis，并且由于其具有光學(xué)各向同性而不需要取向處理從而視角依賴(lài)性小。另外，雖然本實(shí)施方式示出透射型液晶顯示裝置的例子，但是也可以應(yīng)用于反射型液晶顯示裝置或半透射型液晶顯示裝置。另外，雖然在本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中示出在襯底的外側(cè)(可見(jiàn)的一側(cè))設(shè)置偏振片，并在內(nèi)側(cè)依次設(shè)置著色層、用于顯示元件的電極層的例子，但是也可以在襯底的內(nèi)側(cè)設(shè)置偏振片。另外，偏振片和著色層的疊層結(jié)構(gòu)也不局限于本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，只要根據(jù)偏振片和著色層的材料或制造工序條件適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。另外，還可以設(shè)置用作黑底的遮光膜。另外，在本實(shí)施方式中，使用用作保護(hù)膜或平坦化絕緣膜的絕緣層(絕緣層4020、絕緣層4021)覆蓋在實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中得到的薄膜晶體管，以降低薄膜晶體管的表面凹凸并提高薄膜晶體管的可靠性。另外，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜用來(lái)防止懸浮在大氣中的有機(jī)物、金屬物、水蒸氣等的污染雜質(zhì)的進(jìn)入，所以?xún)?yōu)選采用致密的膜。利用濺射法并利用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜或氮氧化鋁膜的單層或疊層形成保護(hù)膜即可。雖然在本實(shí)施方式中示出利用濺射法形成保護(hù)膜的例子，但是并不局限于此，可以使用各種方法形成保護(hù)膜。在此，作為保護(hù)膜形成疊層結(jié)構(gòu)的絕緣層4020。在此，作為絕緣層4020的第一層利用濺射法形成氧化硅膜。當(dāng)作為保護(hù)膜使用氧化硅膜時(shí)，可以有效防止用作源電極層及漏電極層的鋁膜的小丘。另外，作為保護(hù)膜的第二層形成絕緣層。在此，利用濺射法形成氮化硅膜作為絕緣層4020的第二層。當(dāng)使用氮化硅膜作為保護(hù)膜時(shí)，可以抑制鈉等的可動(dòng)離子進(jìn)入到半導(dǎo)體區(qū)域中而使TFT的電特性變化。另外，也可以在形成保護(hù)膜之后進(jìn)行對(duì)氧化物半導(dǎo)體層的退火(30(TC至400°C)。另外，形成絕緣層4021作為平坦化絕緣膜。作為絕緣層4021，可以使用具有耐熱性的有機(jī)材料如聚酰亞胺、丙烯酸樹(shù)脂、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺、環(huán)氧樹(shù)脂等。另外，除了上述有機(jī)材料之外，還可以使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)、硅氧烷類(lèi)樹(shù)脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。另外，也可以通過(guò)層疊多層由這些材料形成的絕緣膜來(lái)形成絕緣層4021。另外，硅氧烷類(lèi)樹(shù)脂相當(dāng)于以硅氧烷類(lèi)材料為起始材料而形成的包含Si-O-Si鍵的樹(shù)脂。作為硅氧烷類(lèi)樹(shù)脂的取代基可以使用有機(jī)基(例如烷基、芳基)、氟基團(tuán)。另外，有機(jī)基可以具有氟基團(tuán)。對(duì)絕緣層4021的形成方法沒(méi)有特別的限制，可以根據(jù)其材料利用濺射法、SOG法、旋涂、浸漬、噴涂、液滴噴射法(噴墨法、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷等)、刮片、輥涂機(jī)、幕涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)等。在使用材料液形成絕緣層4021的情況下，也可以在進(jìn)行焙燒的工序中同時(shí)進(jìn)行對(duì)氧化物半導(dǎo)體層的退火(30(TC至40(TC)。通過(guò)兼作絕緣層4021的焙燒工序和對(duì)氧化物半導(dǎo)體層的退火，可以有效地制造半導(dǎo)體裝置。作為像素電極層4030、對(duì)置電極層4031，可以使用具有透光性的導(dǎo)電材料諸如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面表示為ITO)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化銦錫等。此外，可以使用包含導(dǎo)電高分子(也稱(chēng)為導(dǎo)電聚合物)的導(dǎo)電組成物形成像素電極層4030、對(duì)置電極層4031。使用導(dǎo)電組成物形成的像素電極的薄層電阻優(yōu)選為10000Q/□以下，并且其波長(zhǎng)為550nm時(shí)的透光率優(yōu)選為70%以上。另外，導(dǎo)電組成物所包含的導(dǎo)電高分子的電阻率優(yōu)選為O.1Q'em以下。作為導(dǎo)電高分子，可以使用所謂的Ji電子共軛類(lèi)導(dǎo)電高分子。例如，可以舉出聚28苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者上述材料中的兩種以上的共聚物等。另外，供給到另行形成的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4004或像素部4002的各種信號(hào)及電位是從FPC4018供給的。在本實(shí)施方式中，連接端子電極4015由與液晶元件4013所具有的像素電極層4030相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4016由與薄膜晶體管4010、4011的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4015通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。此外，雖然在圖22A-l、22A-2以及22B中示出另行形成信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4003并將它安裝在第一襯底4001上的例子，但是本實(shí)施方式不局限于該結(jié)構(gòu)。既可以另行形成掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路而安裝，又可以另行僅形成信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的一部分或掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的一部分而安裝。圖23示出使用應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的TFT制造的TFT襯底2600來(lái)構(gòu)成液晶顯示模塊作為半導(dǎo)體裝置的一例。圖23是液晶顯示模塊的一例，利用密封材料2602固定TFT襯底2600和對(duì)置襯底2601，并在其間設(shè)置包括TFT等的像素部2603、包括液晶層的顯示元件2604、著色層2605來(lái)形成顯示區(qū)。在進(jìn)行彩色顯示時(shí)需要著色層2605，并且當(dāng)采用RGB方式時(shí)，對(duì)應(yīng)于各像素設(shè)置有分別對(duì)應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的著色層。在TFT襯底2600和對(duì)置襯底2601的外側(cè)配置有偏振片2606、偏振片2607、擴(kuò)散板2613。光源由冷陰極管2610和反射板2611構(gòu)成，電路襯底2612利用柔性線(xiàn)路板2609與TFT襯底2600的布線(xiàn)電路部2608連接，且其中組裝有控制電路及電源電路等的外部電路。此外，也可以以在偏振片和液晶層之間具有相位差板的狀態(tài)下層疊。作為液晶顯示模塊可以采用TN(扭曲向列；TwistedNematic)模式、IPS(平面內(nèi)轉(zhuǎn)換；In-Plane-Switching)模式、FFS(邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換；FringeFieldSwitching)模式、MVA(多疇垂直取向；Multi-domainVerticalAlignment)模式、PVA(構(gòu)型垂直取向；PatternedVerticalAlignment)模式、ASM(軸對(duì)稱(chēng)排列微胞；AxiallySy騰tricalignedMicro-cell)模式、OCB(光學(xué)補(bǔ)償雙折射；OpticallyCompensatedBirefringence)模式、FLC(鐵電性液晶;FerroelectricLiquidCrystal)模式、AFLC(反鐵電性液晶;AntiFerroelectricLiquidCrystal)模式等。通過(guò)上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的液晶顯示屏。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式7)在本實(shí)施方式中，作為應(yīng)用了實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置示出電子紙的例子。在圖13中，作為半導(dǎo)體裝置的例子示出有源矩陣型電子紙。作為用于半導(dǎo)體裝置的薄膜晶體管581，可以應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管。圖13的電子紙是采用扭轉(zhuǎn)球顯示方式(twistballtype)的顯示裝置的例子。扭轉(zhuǎn)球顯示方式是指這樣的一種方法，其中通過(guò)將分別涂成白色和黑色的球形粒子配置在用于顯示元件的電極層的第一電極層及第二電極層之間，并在第一電極層及第二電極層之間產(chǎn)生電位差來(lái)控制球形粒子的方向，以進(jìn)行顯示。密封在襯底580和襯底596之間的薄膜晶體管581是底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，并且源電極層或漏電極層在形成于絕緣層583、584、585中的開(kāi)口中接觸于第一電極層587并與它電連接。在第一電極層587和第二電極層588之間設(shè)置有球形粒子589，該球形粒子589具有黑色區(qū)590a、白色區(qū)590b，且其周?chē)ǔ錆M(mǎn)了液體的空洞594，并且球形粒子589的周?chē)錆M(mǎn)有樹(shù)脂等的填料595(參照?qǐng)D13)。在本實(shí)施方式中，第一電極層587相當(dāng)于像素電極，第二電極層588相當(dāng)于共同電極。第二電極層588與設(shè)置在與薄膜晶體管581同一襯底上的共同電位線(xiàn)電連接?？梢允褂霉餐B接部、通過(guò)配置在一對(duì)襯底之間的導(dǎo)電性粒子電連接第二電極層588和共同電位線(xiàn)。此外，還可以使用電泳元件代替扭轉(zhuǎn)球。使用直徑為10iim至20iim左右的微囊，該微囊中封入有透明液體、帶正電的白色微粒和帶負(fù)電的黑色微粒。在設(shè)置在第一電極層和第二電極層之間的微囊中，當(dāng)由第一電極層和第二電極層施加電場(chǎng)時(shí)，白色微粒和黑色微粒向相反方向移動(dòng)，從而可以顯示白色或黑色。應(yīng)用這種原理的顯示元件就是電泳顯示元件，一般地稱(chēng)為電子紙。電泳顯示元件具有比液晶顯示元件高的反射率，因而不需要輔助光源。此外，耗電量低，并且在昏暗的地方也能夠辨認(rèn)顯示部。另外，即使不向顯示部供應(yīng)電源，也能夠保持顯示過(guò)一次的圖像。從而，即使使具有顯示功能的半導(dǎo)體裝置(簡(jiǎn)單地稱(chēng)為顯示裝置，或稱(chēng)為具備顯示裝置的半導(dǎo)體裝置)遠(yuǎn)離電波發(fā)送源，也能夠保存顯示過(guò)的圖像。通過(guò)上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置的可靠性高的電子紙。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式8)在本實(shí)施方式中，作為應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置示出發(fā)光顯示裝置的例子。在此，示出了將利用了電致發(fā)光的發(fā)光元件作為顯示裝置所具有的顯示元件。利用電致發(fā)光的發(fā)光元件根據(jù)其發(fā)光材料是有機(jī)化合物還是無(wú)機(jī)化合物來(lái)進(jìn)行區(qū)分，一般來(lái)說(shuō)，前者稱(chēng)為有機(jī)EL元件，而后者稱(chēng)為無(wú)機(jī)EL元件。在有機(jī)EL元件中，通過(guò)對(duì)發(fā)光元件施加電壓，電子和空穴從一對(duì)電極分別注入到包含發(fā)光有機(jī)化合物的層，以產(chǎn)生電流。然后，由于這些載流子(電子和空穴)的復(fù)合，發(fā)光有機(jī)化合物形成激發(fā)態(tài)，并且當(dāng)該激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時(shí)，進(jìn)行發(fā)光。根據(jù)這種機(jī)制，該發(fā)光元件稱(chēng)為電流激勵(lì)型發(fā)光元件。根據(jù)其元件的結(jié)構(gòu)，將無(wú)機(jī)EL元件分類(lèi)為分散型無(wú)機(jī)EL元件和薄膜型無(wú)機(jī)EL元件。分散型無(wú)機(jī)EL元件包括在粘合劑中分散有發(fā)光材料的粒子的發(fā)光層，且其發(fā)光機(jī)制是利用施主能級(jí)和受主能級(jí)的施主_受主復(fù)合型發(fā)光。薄膜型無(wú)機(jī)EL元件具有利用電介質(zhì)層夾住發(fā)光層再被電極夾住的結(jié)構(gòu)，并且其發(fā)光機(jī)制是利用金屬離子的內(nèi)殼電子躍遷的局部型發(fā)光。注意，在此使用有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件而進(jìn)行說(shuō)明。圖20示出作為應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的例子能夠應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度驅(qū)動(dòng)(digitaltimegrayscaledriving)的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。以下對(duì)能夠應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度驅(qū)動(dòng)的像素的結(jié)構(gòu)及像素的工作進(jìn)行說(shuō)明。在此示出一個(gè)像素中使用兩個(gè)實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的將氧化物半導(dǎo)體層(In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜)用作溝道形成區(qū)的n溝道型晶體管的例子。像素6400包括開(kāi)關(guān)晶體管6401、驅(qū)動(dòng)晶體管6402、發(fā)光元件6404以及電容元件6403。在開(kāi)關(guān)晶體管6401中，柵極連接于掃描線(xiàn)6406，第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接于信號(hào)線(xiàn)6405，第二電極(源電極及漏電極中的另一方)連接于驅(qū)動(dòng)晶體管6402的柵極。在驅(qū)動(dòng)晶體管6402中，柵極通過(guò)電容元件6403連接于電源線(xiàn)6407，第一電極連接于電源線(xiàn)6407，第二電極連接于發(fā)光元件6404的第一電極(像素電極)。發(fā)光元件6404的第二電極相當(dāng)于共同電極6408。共同電極6408采用與形成在同一襯底上的共同電位線(xiàn)電連接、且將該連接部分用作共同連接部的、圖1A、圖2A或圖3A所示的結(jié)構(gòu)，即可。此外，將發(fā)光元件6404的第二電極(共同電極6408)設(shè)置為低電源電位。另外，低電源電位是指，以在電源線(xiàn)6407上所設(shè)定的高電源電位為基準(zhǔn)滿(mǎn)足低電源電位<高電源電位的電位，作為低電源電位例如可以設(shè)定為GND、OV等。將該高電源電位與低電源電位的電位差施加到發(fā)光元件6404上，為了在發(fā)光元件6404中流過(guò)電流而使發(fā)光元件6404發(fā)光，以高電源電位與低電源電位的電位差為發(fā)光元件6404的正向閾值電壓以上的方式設(shè)定各自的電位。另外，還可以使用驅(qū)動(dòng)用晶體管6402的柵極電容代替電容元件6403而省略電容元件6403。至于驅(qū)動(dòng)用晶體管6402的柵極電容，可以在溝道形成區(qū)與柵電極之間形成電容。這里，在采用電壓輸入電壓驅(qū)動(dòng)方式的情況下，對(duì)驅(qū)動(dòng)用晶體管6402的柵極輸入能夠使驅(qū)動(dòng)用晶體管6402成為充分導(dǎo)通或截止的兩個(gè)狀態(tài)的視頻信號(hào)。S卩，驅(qū)動(dòng)用晶體管6402在線(xiàn)形區(qū)域進(jìn)行工作。由于驅(qū)動(dòng)用晶體管6402在線(xiàn)形區(qū)域進(jìn)行工作，將比電源線(xiàn)6407的電壓高的電壓施加到驅(qū)動(dòng)用晶體管6402的柵極上。另外，對(duì)信號(hào)線(xiàn)6405施加(電源線(xiàn)電壓+驅(qū)動(dòng)用晶體管6402的Vth)以上的電壓。另外，當(dāng)進(jìn)行模擬灰度驅(qū)動(dòng)而代替數(shù)字時(shí)間灰度驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)使信號(hào)的輸入不同，可以使用與圖20相同的像素結(jié)構(gòu)。當(dāng)進(jìn)行模擬灰度驅(qū)動(dòng)時(shí)，對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管6402的柵極施加(發(fā)光元件6404的正向電壓+驅(qū)動(dòng)晶體管6402的Vth)以上的電壓。發(fā)光元件6404的正向電壓是指得到所希望的亮度時(shí)的電壓，至少包括正向閾值電壓。此外，通過(guò)輸入使驅(qū)動(dòng)晶體管6402在飽和區(qū)域工作的視頻信號(hào)，可以將電流供給到發(fā)光元件6404。為了使驅(qū)動(dòng)晶體管6402在飽和區(qū)域工作，電源線(xiàn)6407的電位高于驅(qū)動(dòng)晶體管6402的柵極電位。通過(guò)將視頻信號(hào)設(shè)為模擬信號(hào)，對(duì)應(yīng)于該視頻信號(hào)的電流可以供給到發(fā)光元件6404，可以進(jìn)行模擬灰度驅(qū)動(dòng)。此外，圖20所示的像素結(jié)構(gòu)不局限于此。例如，也可以對(duì)圖20所示的像素另外添加開(kāi)關(guān)、電阻元件、電容元件、晶體管、或邏輯電路等。接著，參照?qǐng)D21A至21C說(shuō)明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在此，以驅(qū)動(dòng)TFT是n型的情況為例子來(lái)說(shuō)明像素的截面結(jié)構(gòu)。作為用于圖21A、21B和21C的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動(dòng)TFT7001、7011、7021可以與實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管同樣地制造，其是包括用作氧化物半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。為了從發(fā)光元件中取出發(fā)光，陽(yáng)極及陰極中之至少一方是透明的，即可。而且，有如下結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，即在襯底上形成薄膜晶體管及發(fā)光元件，并從與襯底相反的面發(fā)光的頂部發(fā)射、從襯底一側(cè)的面發(fā)光的底部發(fā)射、以及從襯底一側(cè)及與襯底相反的一側(cè)的面發(fā)光的雙面發(fā)射。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的像素結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于任何發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。參照?qǐng)D21A說(shuō)明頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖21A中示出當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT7001是n型，并且從發(fā)光元件7002發(fā)射的光穿過(guò)陽(yáng)極7005—側(cè)時(shí)的像素的截面圖。在圖21A中，發(fā)光元件7002的陰極7003和驅(qū)動(dòng)TFT7001電連接，在陰極7003上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7004、陽(yáng)極7005。作為陰極7003，只要是功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜，就可以使用各種材料。例如，優(yōu)選采用Ca、Al、MgAg、AlLi等。而且，發(fā)光層7004可以由單層或多個(gè)層的疊層構(gòu)成。在由多個(gè)層構(gòu)成時(shí)，在陰極7003上按順序?qū)盈B電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層。注意，不需要設(shè)置上述的所有層。使用具有透過(guò)光的透光性的導(dǎo)電材料形成陽(yáng)極7005，也可以使用具有透光性的導(dǎo)電膜例如包含氧化鴇的氧化銦、包含氧化鴇的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面，表示為ITO)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化銦錫等。使用陰極7003及陽(yáng)極7005夾住發(fā)光層7004的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7002。在圖21A所示的像素中，從發(fā)光元件7002發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽(yáng)極7005—側(cè)。接著，參照?qǐng)D21B說(shuō)明底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。圖21B示出在驅(qū)動(dòng)TFT7011是n型，并且從發(fā)光元件7012發(fā)射的光發(fā)射到陰極7013—側(cè)的情況下的像素的截面圖。在圖21B中，在與驅(qū)動(dòng)TFT7011電連接的具有透光性的導(dǎo)電膜7017上形成有發(fā)光元件7012的陰極7013，在陰極7013上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7014、陽(yáng)極7015。注意，在陽(yáng)極7015具有透光性的情況下，也可以覆蓋陽(yáng)極上地形成有用于反射光或遮光的遮蔽膜7016。與圖21A的情況同樣地，陰極7013只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透過(guò)光的程度(優(yōu)選為5nm至30nm左右)。例如，也可以將膜厚度為20nm的鋁膜用作陰極7013。而且，與圖21A同樣地，發(fā)光層7014可以由單層或多個(gè)層的疊層構(gòu)成。陽(yáng)極7015不需要透過(guò)光，但是可以與圖21A同樣地使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。并且，雖然遮蔽膜7016例如可以使用反射光的金屬等，但是不局限于金屬膜。例如，也可以使用添加有黑色的顏料的樹(shù)脂等。由陰極7013及陽(yáng)極7015夾住發(fā)光層7014的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7012。在圖21B所示的像素中，從發(fā)光元件7012發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陰極7013—側(cè)。接著，參照?qǐng)D21C說(shuō)明雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖21C中，在與驅(qū)動(dòng)TFT7021電連接的具有透光性的導(dǎo)電膜7027上形成有發(fā)光元件7022的陰極7023，而在陰極7023上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7024、陽(yáng)極7025。與圖21A的情況同樣地，作為陰極7023，只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透過(guò)光的程度。例如，可以將膜厚度為20nm的Al用作陰極7023。而且，與圖21A同樣地，發(fā)光層7024可以由單層或多個(gè)層的疊層構(gòu)成。陽(yáng)極7025可以與圖21A同樣地使用具有透過(guò)光的透光性的導(dǎo)電材料形成。陰極7023、發(fā)光層7024和陽(yáng)極7025重疊的部分相當(dāng)于發(fā)光元件7022。在圖21C所示的像素中，從發(fā)光元件7022發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽(yáng)極7025—側(cè)和陰極7023一側(cè)雙方。注意，雖然在此描述了有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件，但是也可以設(shè)置無(wú)機(jī)EL元件作為發(fā)光元件。注意，雖然在本實(shí)施方式中示出了控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管(驅(qū)動(dòng)TFT)和發(fā)光元件電連接的例子，但是也可以采用在驅(qū)動(dòng)TFT和發(fā)光元件之間連接有電流控制TFT的結(jié)構(gòu)。注意，本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置不局限于圖21A至21C所示的結(jié)構(gòu)而可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)思想進(jìn)行各種變形。接著，參照?qǐng)D24A和24B說(shuō)明相當(dāng)于應(yīng)用了實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中的任一個(gè)所示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的發(fā)光顯示面板(也稱(chēng)為發(fā)光面板)的外觀(guān)及截面。圖24A是一種面板的俯視圖，其中利用密封材料在第一襯底與第二襯底之間密封形成在第一襯底上的薄膜晶體管及發(fā)光元件。圖24B相當(dāng)于沿著圖24A的H-I的截面圖。以圍繞設(shè)置在第一襯底450l上的像素部4502、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b的方式設(shè)置有密封材料4505。此外，在像素部4502、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b上設(shè)置有第二襯底4506。因此，像素部4502、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b、以及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b與填料4507—起由第一襯底4501、密封材料4505和第二襯底4506密封。像這樣，為了不暴露于空氣中，優(yōu)選使用氣密性高且漏氣少的保護(hù)膜(貼合膜、紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂膜等)及覆蓋材料進(jìn)行封裝(密封)。此外，設(shè)置在第一襯底4501上的像素部4502、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖24B中，例示包括在像素部4502中的薄膜晶體管4510和包括在信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a中的薄膜晶體管4509。薄膜晶體管4509、4510可以應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的、包括用作氧化物半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管4509、4510是n溝道型薄膜晶體管。此夕卜，附圖標(biāo)記4511相當(dāng)于發(fā)光元件，發(fā)光元件4511所具有的作為像素電極的第一電極層4517與薄膜晶體管4510的源電極層或漏電極層電連接。注意，雖然發(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)是第一電極層4517、電場(chǎng)發(fā)光層4512、第二電極層4513的疊層結(jié)構(gòu)，但是不局限于本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)。可以根據(jù)從發(fā)光元件4511取出光的方向等適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)。使用有機(jī)樹(shù)脂膜、無(wú)機(jī)絕緣膜或有機(jī)聚硅氧烷形成分隔壁4520。特別優(yōu)選的是，使用感光材料，在第一電極層4517上形成開(kāi)口部，并將其開(kāi)口部的側(cè)壁形成為具有連續(xù)的曲率的傾斜面。電場(chǎng)發(fā)光層4512既可以由單層構(gòu)成，又可以由多個(gè)層的疊層構(gòu)成。也可以在第二電極層4513及分隔壁4520上形成保護(hù)膜，以防止氧、氫、水分、二氧化碳等進(jìn)入到發(fā)光元件4511中。作為保護(hù)膜，可以形成氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC膜等。另外，供給到信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b、或像素部4502的各種信號(hào)及電位是從FPC4518a、4518b供給的。在本實(shí)施方式中，連接端子電極4515由與發(fā)光元件4511所具有的第一電極層4517相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4516由與薄膜晶體管4509、4510所具有的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4515通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜4519與FPC4518a所具有的端子電連接。位于從發(fā)光元件4511取出光的方向上的第二襯底4506需要具有透光性。在此情況下，使用如玻璃板、塑料板、聚酯膜或丙烯酸膜等的具有透光性的材料。此外，作為填料4507，除了氮及氬等的惰性氣體之外，還可以使用紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂或熱固化樹(shù)脂?？梢允褂肞VC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。在本實(shí)施方式中，作為填料4507使用氮。另外，若有需要，也可以在發(fā)光元件的射出面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置諸如偏振片、圓偏振片(包括橢圓偏振片)、相位差板(A/4片、入/2片)、濾色片等的光學(xué)膜。另外，也可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置抗反射膜。例如，可以進(jìn)行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸來(lái)擴(kuò)散反射光并降低眩光的處理。信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4503a、4503b及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路4504a、4504b也可以作為在另行準(zhǔn)備的襯底上用單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成的驅(qū)動(dòng)電路安裝。此外，也可以另行僅形成信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路或其一部分、或者掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路或其一部分而安裝。本實(shí)施方式不局限于圖24A和24B的結(jié)構(gòu)。通過(guò)上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的發(fā)光顯示裝置(顯示面板)。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式9)應(yīng)用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置可以用作電子紙。電子紙可以用于顯示信息的所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。例如，可以將電子紙應(yīng)用于電子書(shū)籍(電子書(shū))、海報(bào)、電車(chē)等的交通工具的車(chē)廂廣告、信用卡等的各種卡片中的顯示等。圖25A和25B以及圖26示出電子設(shè)備的一例。圖25A示出使用電子紙制造的海報(bào)2631。在廣告媒體是紙印刷物的情況下用手進(jìn)行廣告的更換，但是如果使用電子紙，則可以在短時(shí)間內(nèi)能夠改變廣告的顯示內(nèi)容。此外，顯示不會(huì)變形而可以獲得穩(wěn)定的圖像。注意，海報(bào)也可以采用以無(wú)線(xiàn)的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。此外，圖25B示出電車(chē)等的交通工具的車(chē)廂廣告2632。在廣告媒體是紙印刷物的情況下用手進(jìn)行廣告的更換，但是如果使用電子紙，則可以不需要花費(fèi)許多人工而在短時(shí)間內(nèi)改變廣告的顯示內(nèi)容。此外，顯示不會(huì)變形而可以得到穩(wěn)定的圖像。注意，車(chē)廂廣告也可以采用以無(wú)線(xiàn)的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。另外，圖26示出電子書(shū)籍2700的一例。例如，電子書(shū)籍2700由兩個(gè)框體，即框體2701及框體2703構(gòu)成?？蝮w2701及框體2703由軸部2711形成為一體，且可以以該軸部2711為軸進(jìn)行開(kāi)閉工作。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)行如紙的書(shū)籍那樣的動(dòng)作。框體2701組裝有顯示部2705，而框體2703組裝有顯示部2707。顯示部2705及顯示部2707的結(jié)構(gòu)既可以是顯示連續(xù)畫(huà)面的結(jié)構(gòu)，又可以是顯示不同的畫(huà)面的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用顯示不同的畫(huà)面的結(jié)構(gòu)，例如在右邊的顯示部(圖26中的顯示部2705)中可以顯示文章，而在左邊的顯示部(圖26中的顯示部2707)中可以顯示圖像。此外，在圖26中示出框體2701具備操作部等的例子。例如，在框體2701中，具備電源2721、操作鍵2723、揚(yáng)聲器2725等。利用操作鍵2723可以翻頁(yè)。注意，也可以采用在34與框體的顯示部同一個(gè)面具備鍵盤(pán)及定位裝置等的結(jié)構(gòu)。另外，也可以采用在框體的背面或側(cè)面具備外部連接用端子(耳機(jī)端子、USB端子或可與AC適配器及USB電纜等的各種電纜連接的端子等)、記錄媒體插入部等的結(jié)構(gòu)。再者，電子書(shū)籍2700也可以采用具有電子詞典的功能的結(jié)構(gòu)。此外，電子書(shū)籍2700也可以采用以無(wú)線(xiàn)的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。還可以采用以無(wú)線(xiàn)的方式從電子書(shū)籍服務(wù)器購(gòu)買(mǎi)所希望的書(shū)籍?dāng)?shù)據(jù)等而下載的結(jié)構(gòu)。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。(實(shí)施方式IO)使用實(shí)施方式1至實(shí)施方式4所示的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備(包括游戲機(jī))。作為電子設(shè)備，可以舉出電視裝置(也稱(chēng)為電視或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字相框、移動(dòng)電話(huà)機(jī)(也稱(chēng)為移動(dòng)電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等的大型游戲機(jī)等。圖27A示出電視裝置9600的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯示圖像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)利用框體9601所具備的操作開(kāi)關(guān)、另行提供的遙控操作機(jī)9610進(jìn)行電視裝置9600的操作。通過(guò)利用遙控操作機(jī)9610所具備的操作鍵9609，可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對(duì)在顯示部9603上顯示的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操作機(jī)9610中設(shè)置顯示從該遙控操作機(jī)9610輸出的信息的顯示部9607的結(jié)構(gòu)。注意，電視裝置9600采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而可以進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者彼此之間等)的信息通信。圖27B示出數(shù)字相框9700的一例。例如，在數(shù)字相框9700中，框體9701組裝有顯示部9703。顯示部9703可以顯示各種圖像，例如通過(guò)顯示使用數(shù)字相機(jī)等拍攝的圖像數(shù)據(jù)，可以發(fā)揮與一般的相框同樣的功能。注意，數(shù)字相框9700采用具備操作部、外部連接用端子(USB端子、可以與USB電纜等的各種電纜連接的端子等)、記錄媒體插入部等的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)也可以組裝到與顯示部同一個(gè)面上，但是通過(guò)將它設(shè)置在側(cè)面或背面上來(lái)提高設(shè)計(jì)性，所以是優(yōu)選的。例如，可以對(duì)數(shù)字相框的記錄媒體插入部插入儲(chǔ)存有由數(shù)字相機(jī)拍攝的圖像數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器并提取圖像數(shù)據(jù)，然后可以將所提取的圖像數(shù)據(jù)顯示于顯示部9703。此外，數(shù)字相框9700既可以采用以無(wú)線(xiàn)的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)，又可以以無(wú)線(xiàn)的方式提取所希望的圖像數(shù)據(jù)并進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)。圖28A示出一種便攜式游戲機(jī)，其由框體9881和框體9891的兩個(gè)框體構(gòu)成，并且通過(guò)連接部9893可以開(kāi)閉地連接?？蝮w9881安裝有顯示部9882，并且框體9891安裝有顯示部98S3。另外，圖28A所示的便攜式游戲機(jī)還具備揚(yáng)聲器部9884、記錄媒體插入部9886、LED燈9890、輸入單元(操作鍵9885、連接端子9887、傳感器9888(即，具有測(cè)定如下因素的功能的器件力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動(dòng)數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)35物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、射線(xiàn)、流量、濕度、傾斜度、振動(dòng)、氣味或紅外線(xiàn))、以及送話(huà)器9889)等。當(dāng)然，便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，只要采用如下結(jié)構(gòu)即可至少具備根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置。因此，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其它附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖28A所示的便攜式游戲機(jī)具有如下功能讀出儲(chǔ)存在記錄媒體中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在顯示部上；以及通過(guò)與其他便攜式游戲機(jī)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信而共享信息。注意，圖28A所示的便攜式游戲機(jī)所具有的功能不局限于此，而可以具有各種各樣的功能。圖28B示出大型游戲機(jī)的一種的自動(dòng)游戲機(jī)9900的一例。在自動(dòng)游戲機(jī)9900的框體9901中安裝有顯示部9903。另外，自動(dòng)游戲機(jī)9900還具備如起動(dòng)手柄或停止開(kāi)關(guān)等的操作單元、投幣口、揚(yáng)聲器等。當(dāng)然，自動(dòng)游戲機(jī)9900的結(jié)構(gòu)不局限于此，只要采用如下結(jié)構(gòu)即可至少具備根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置。因此，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其它附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖29A示出移動(dòng)電話(huà)機(jī)1000的一例。移動(dòng)電話(huà)機(jī)1000除了安裝在框體1001的顯示部1002之外還具備操作按鈕1003、外部連接端口1004、揚(yáng)聲器1005、送話(huà)器1006等。圖29A所示的移動(dòng)電話(huà)機(jī)1000可以用手指等觸摸顯示部1002來(lái)輸入信息。此夕卜，可以用手指等觸摸顯示部1002來(lái)進(jìn)行打電話(huà)或輸入電子郵件等的操作。顯示部1002的畫(huà)面主要有三個(gè)模式。第一是以圖像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的信息的輸入為主的輸入模式，第三是顯示模式和輸入模式的兩個(gè)模式混合的顯示與輸入模式。例如，在打電話(huà)或輸入電子郵件的情況下，將顯示部1002設(shè)定為以文字輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行在畫(huà)面上顯示的文字的輸入操作，即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部1002的畫(huà)面的大多部分中顯示鍵盤(pán)或號(hào)碼按鈕。此外，通過(guò)在移動(dòng)電話(huà)機(jī)1000的內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測(cè)傾斜度的傳感器的檢測(cè)裝置，判斷移動(dòng)電話(huà)機(jī)1000的方向(豎向或橫向)，而可以對(duì)顯示部1002的畫(huà)面顯示進(jìn)行自動(dòng)切換。通過(guò)觸摸顯示部1002或?qū)蝮w1001的操作按鈕1003進(jìn)行操作，切換畫(huà)面模式。此外，還可以根據(jù)顯示在顯示部1002上的圖像種類(lèi)切換畫(huà)面模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號(hào)為動(dòng)態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時(shí)，將畫(huà)面模式切換成顯示模式，而當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號(hào)為文字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，將畫(huà)面模式切換成輸入模式。另外，當(dāng)在輸入模式中通過(guò)檢測(cè)出顯示部1002的光傳感器所檢測(cè)的信號(hào)得知在一定期間中沒(méi)有顯示部1002的觸摸操作輸入時(shí)，也可以以將畫(huà)面模式從輸入模式切換成顯示模式的方式進(jìn)行控制。還可以將顯示部1002用作圖像傳感器。例如，通過(guò)用手掌或手指觸摸顯示部1002，來(lái)拍攝掌紋、指紋等，而可以進(jìn)行個(gè)人識(shí)別。此外，通過(guò)在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測(cè)用光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。圖29B也示出移動(dòng)電話(huà)機(jī)的一例。圖29B的移動(dòng)電話(huà)機(jī)包括在框體9411中具有包括顯示部9412以及操作按鈕9413的顯示裝置9410;在框體9401中具有包括操作按鈕9402、外部輸入端子9403、送話(huà)器9404、揚(yáng)聲器9405以及接電話(huà)時(shí)發(fā)光的發(fā)光部9406的通信裝置9400，具有顯示功能的顯示裝置9410與具有電話(huà)功能的通信裝置9400可以向箭頭的兩個(gè)方向裝卸。因此，可以將顯示裝置9410和通信裝置的9400的短軸彼此安裝或?qū)@示裝置的9410和通信裝置9400的長(zhǎng)軸彼此安裝。此外，當(dāng)只需要顯示功能時(shí)，可以從通信裝置9400卸下顯示裝置9410，而單獨(dú)使用顯示裝置9410。通信裝置9400和顯示裝置9410可以以無(wú)線(xiàn)通信或有線(xiàn)通信收發(fā)圖像或輸入信息，它們分別具有能夠充電的電池。注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，說(shuō)明氧化物半導(dǎo)體膜的電導(dǎo)率的成膜時(shí)的氧氣流量的比率依賴(lài)性的調(diào)查結(jié)果。在本實(shí)施例中，通過(guò)濺射法形成In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜，并且測(cè)量所形成的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率。在成膜時(shí)的氧氣流量的比率為0體積％至100體積％的條件下制造樣品，測(cè)量每個(gè)氧氣流量的比率的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率。注意，電導(dǎo)率的測(cè)量使用安捷倫科技有限公司制造的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀HP4155C。當(dāng)濺射形成In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜時(shí)，作為靶材使用以ln203:Ga203:Zn0=i:i:i(in:Ga:zn=i:i:0.5)的比率混合的直徑為8英寸的圓盤(pán)狀的氧化物半導(dǎo)體靶材。作為其他成膜條件，設(shè)定為如下襯底和靶材之間的距離為170mm、成膜氣體壓力為0.4Pa、直流(DC)電源O.5kW、成膜溫度為室溫。作為成膜氣體使用氬氣和氧氣。在對(duì)于氬氣和氧氣的氧氣的流量比率為0體積％至100體積％的條件下成膜，并進(jìn)行In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率的測(cè)量。注意，因?yàn)檫M(jìn)行In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的原子級(jí)的重新排列，所以在形成In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜之后，在氮?dú)夥窒?，?5(TC進(jìn)行一個(gè)小時(shí)的熱處理。對(duì)應(yīng)于每個(gè)氧氣流量的比率的In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率如圖12所示。在圖12中，橫軸表示對(duì)于氬氣流量和氧氣流量的氧氣流量的比率(體積％)，縱軸表示In-Ga-Zn-O類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率(S/cm)。另外，表1示出對(duì)應(yīng)于圖12的氬氣的流量(sccm)、氧氣的流量(sccm)、氧氣的流量比率(體積％)及In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜的電導(dǎo)率(S/cm)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>根據(jù)圖12及表1的結(jié)果，可以觀(guān)察到如下趨勢(shì)在氧氣流量的比率為0體積％至11.1體積％之間時(shí)電導(dǎo)率急劇下降，在氧氣流量的比率為11.1體積％至40體積％之間時(shí)電導(dǎo)率為1.0X10—ss/cm至1.0X10、/cm左右，并且當(dāng)氧氣流量的比率為40體積％以上時(shí)，電導(dǎo)率逐漸下降。但是，在氧氣流量的比率為60體積％至70體積％之間時(shí)電導(dǎo)率的下降稍微變得急劇。在此，電導(dǎo)率的最大值為6.44S/cm，其條件為氧氣流量的比率為0體積％，即，成膜氣體僅使用氬氣。電導(dǎo)率的最小值為4.19X10—"S/cm，其條件為氧氣流量的比率為100體積％，8卩，成膜氣體僅使用氧氣。在圖12的圖表中，以電導(dǎo)率的傾斜度稍微變陡的氧氣流量的比率為70體積％附近的區(qū)域?yàn)榉纸缇€(xiàn)，通過(guò)使用作激活層的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和電導(dǎo)率比第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)低并用作激活層的保護(hù)層的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧氣流量的條件不同，可以使其電導(dǎo)率的差變大。例如，在實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中，當(dāng)形成用作第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜時(shí)，優(yōu)選將氧氣流量的比率設(shè)定為低于70體積％，并且將電導(dǎo)率設(shè)定為大于1.0X10—8S/cm。另外，當(dāng)形成用作比第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)104的In-Ga-Zn-0類(lèi)非單晶膜時(shí)，優(yōu)選將氧氣流量的比率設(shè)定為70體積％以上，并且將電導(dǎo)率設(shè)定為1.OX10—8S/cm以下。另外，至于實(shí)施方式3所示的緩沖層301a、301b，優(yōu)選其電導(dǎo)率大于第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)103的電導(dǎo)率，因此將氧氣流量的比率設(shè)定為低于10體積％，并且將電導(dǎo)率設(shè)定為大于1.0X10—3S/cm。本申請(qǐng)基于2008年11月28日在日本專(zhuān)利局提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)2008-304508，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。權(quán)利要求一種半導(dǎo)體裝置，包括襯底上的柵電極；在所述柵電極上的柵極絕緣層；所述柵極絕緣層上的源電極及漏電極；所述源電極及所述漏電極上的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)；以及所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)上的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的一部分接觸于所述柵極絕緣層且接觸于所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部，所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，并且所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和所述源電極及所述漏電極電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)及所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)分別包含銦、鎵、鋅和錫中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中將所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)形成為不同的氧化物半導(dǎo)體層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中將所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括被夾在所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的所述一部分與所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部之間的氧化膜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化膜通過(guò)熱氧化、氧等離子體處理或臭氧水處理形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括被夾在所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的所述一部分與所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部之間的側(cè)壁絕緣層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述側(cè)壁絕緣層使用硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜形成。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率為1.0X10—8S/cm以下。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度低于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置是選自海報(bào)、廣告、電子書(shū)籍、電視裝置、數(shù)字相框、游戲機(jī)及電話(huà)機(jī)中的一種。12.—種半導(dǎo)體裝置，包括襯底上的柵電極；所述柵電極上的柵極絕緣層；所述柵極絕緣層上的源電極及漏電極；所述源電極及所述漏電極上的具有n型導(dǎo)電型的緩沖層；所述緩沖層上的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)；以及所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)上的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中在所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的一部分接觸于所述柵極絕緣層且接觸于所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部，所述緩沖層的載流子濃度高于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的載流子濃度，所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率低于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，所述緩沖層的電導(dǎo)率高于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率及所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率，并且所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)與所述源電極及所述漏電極的上面通過(guò)所述緩沖層電連接。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)、所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)及所述緩沖層分別包含銦、鎵、鋅和錫中的至少一種。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述緩沖層的載流子濃度為lX1018/cm3以上。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中將所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)形成為不同的氧化物半導(dǎo)體層。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中將所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)形成在同一氧化物半導(dǎo)體層中。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，還包括被夾在所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的所述一部分與所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部之間的氧化膜。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化膜通過(guò)熱氧化、氧等離子體處理或臭氧水處理形成。19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，還包括被夾在所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的所述一部分與所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部之間的側(cè)壁絕緣層。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述側(cè)壁絕緣層使用硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜形成。21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的電導(dǎo)率為1.0X10—8S/cm以下。22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度低于所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧空位缺陷濃度。23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置是選自海報(bào)、廣告、電子書(shū)籍、電視裝置、數(shù)字相框、游戲機(jī)及電話(huà)機(jī)中的一種。24.—種半導(dǎo)體裝置，包括襯底上的柵電極；所述柵電極上的柵極絕緣層；所述柵極絕緣層上的源電極及漏電極；所述源電極及所述漏電極上的氧化物半導(dǎo)體層；以及在所述氧化物半導(dǎo)體層的一部分與所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部之間的絕緣層，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包含銦、鎵、鋅和錫中的至少一種，并且所述氧化物半導(dǎo)體層與所述源電極及所述漏電極電連接。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置是選自海報(bào)、廣告、電子書(shū)籍、電視裝置、數(shù)字相框、游戲機(jī)及電話(huà)機(jī)中的一種。26.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟在襯底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成導(dǎo)電膜；對(duì)所述導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻形成源電極及漏電極；在所述柵極絕緣層、所述源電極及所述漏電極上通過(guò)濺射法形成第一氧化物半導(dǎo)體膜；在所述第一氧化物半導(dǎo)體膜上通過(guò)濺射法形成第二氧化物半導(dǎo)體膜；以及對(duì)所述第一氧化物半導(dǎo)體膜及所述第二氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行蝕刻形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)及第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置為，該第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的一部分接觸于所述柵極絕緣層且接觸于所述源電極及所述漏電極的側(cè)面部，并且用來(lái)形成所述第二氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率高于用來(lái)形成所述第一氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體膜及所述第二氧化物半導(dǎo)體膜分別包含銦、鎵、鋅和錫中的至少一種。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過(guò)增大所述氧氣流量一步形成所述第一氧化物半導(dǎo)體膜和所述第二氧化物半導(dǎo)體膜。29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中用來(lái)形成所述第一氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率低于70體積％，并且用來(lái)形成所述第二氧化物半導(dǎo)體膜的成膜氣體中的氧氣流量的比率為70體積％以上。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其中，在將氧化物半導(dǎo)體用作激活層的薄膜晶體管中，防止用作激活層的氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成、膜質(zhì)或界面等的變化，且使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。在將第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作激活層的薄膜晶體管中，在第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和薄膜晶體管的保護(hù)絕緣層之間形成其電導(dǎo)率低于第一氧化物半導(dǎo)體的電導(dǎo)率的第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)，該第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)用作第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的保護(hù)層，而可以防止第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的組成的變化和膜質(zhì)的劣化，且使薄膜晶體管的電特性穩(wěn)定。文檔編號(hào)H01L21/82GK101752425SQ200910246370公開(kāi)日2010年6月23日申請(qǐng)日期2009年11月27日優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日發(fā)明者佐佐木俊成,桑原秀明,秋元健吾申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所