專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及可容易地實(shí)現(xiàn)內(nèi)裝的半導(dǎo)體芯片與控制電路間 的電氣連接的功率用半導(dǎo)體裝置。 迄今為止，半導(dǎo)體裝置在各式各樣的技術(shù)領(lǐng)域中得到應(yīng)用，其中，對(duì)大功率的電動(dòng) 機(jī)進(jìn)行控制、輸出大電流的電源模塊作為在近未來(lái)產(chǎn)業(yè)中的重要關(guān)健器件而受到越來(lái)越多 的注目。 這樣的電源模塊(未作圖示)大致設(shè)有外殼；設(shè)在外殼內(nèi)的絕緣基板；裝在絕緣 基板上的功率器件芯片(絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)芯片及續(xù)流二極管(FWD)芯片)；包 含向功率器件芯片供給控制信號(hào)(控制電流)的控制電路的控制基板；以及根據(jù)控制信號(hào) 將用以從功率器件芯片輸出的被控電流向電動(dòng)機(jī)等的外部負(fù)載導(dǎo)出的引線框。
依據(jù)現(xiàn)有的功率模塊，控制基板一般由用環(huán)氧樹脂等板狀形成的堅(jiān)固的印刷電路 布線基板構(gòu)成。另外，在印刷電路布線基板上形成有至少一個(gè)控制電路和多個(gè)連接用端子， 通過(guò)多根導(dǎo)線(金屬絲)，將例如IGBT芯片的柵電極電氣連接到連接用端子上。這樣一來(lái)， 從控制電路向IGBT芯片的柵電極供給柵信號(hào)，IGBT芯片根據(jù)該柵信號(hào)進(jìn)行高速開關(guān)動(dòng)作。
另一方面，在現(xiàn)有的功率模塊中，IGBT芯片和反向并聯(lián)連接的FWD芯片的陽(yáng)極電 極以及IGBT芯片的發(fā)射極電極同樣是通過(guò)多根導(dǎo)線(金屬細(xì)線)電氣連接到引線框上。亦 即(未作詳細(xì)圖示)，用4根導(dǎo)線將各IGBT芯片的發(fā)射極電極和FWD芯片的陽(yáng)極電極電氣 連接到引線框上，同樣，在用4根導(dǎo)線將各IGBT芯片的控制電極(柵電極、電流傳感電極以 及溫度傳感電極)電氣連接到控制基板的電極用端子上的情況下，共需8根導(dǎo)線。另外，在 電源模塊整體中有6組(三個(gè)相的相腳)的IGBT芯片以及FWD芯片的情況下，至少需48 根導(dǎo)線。 但是，將這樣數(shù)量眾多的導(dǎo)線用現(xiàn)有的超聲導(dǎo)線焊接方法連接，需要太多的時(shí)間， 存在著制造成本增大，不能便宜制造電源模塊的問題。 因此，已經(jīng)找到了用以在多個(gè)端子間容易且總括地進(jìn)行電氣連接的技術(shù)。例如，專 利文獻(xiàn)1公開了半導(dǎo)體芯片1的芯片電極通過(guò)焊錫球2及焊錫層而連接到柔性基板5的銅 布線5b上的電源模塊，其中設(shè)有絕緣基板4 ;包含形成在絕緣基板4上的銅布線8b的一 對(duì)樹脂基板8 ;在一對(duì)樹脂基板8之間配置在絕緣基板4上的散熱片3 ;安裝在散熱片3上 的半導(dǎo)體芯片(IGBT芯片)1 ;以及包含用焊錫固定在一對(duì)樹脂基板8的銅布線8b上的銅 布線5b的柔性基板5。亦即，柔性基板5的設(shè)置在兩端部的端子被連接至樹脂基板8上，設(shè) 置在其中央部的一對(duì)端子(柵電極用及發(fā)射極電極用)通過(guò)焊錫連接至IGBT芯片1的芯 片電極(柵電極及發(fā)射極電極)上。
背景技術(shù)：
3
專利文獻(xiàn)1特開2004-111619號(hào)公報(bào)(圖1 圖3)

發(fā)明內(nèi)容
但是，將柔性基板5的柵電極用和發(fā)射極電極用的端子連接至各IGBT芯片1上的 相互鄰接的柵電極和發(fā)射極電極時(shí)，如果它們不能相互正確對(duì)位，則柵電極用(或發(fā)射極 電極用)的端子往往會(huì)橋接(短接)柵電極和發(fā)射極電極。但是，柔性基板5的基材5a由 樹脂構(gòu)成，容易受周圍溫度的影響，特別是在焊錫連接(曝露在高溫狀態(tài)下)時(shí)，難以將柔 性基板5相對(duì)于IGBT芯片1正確對(duì)位。換言之，如果不能將柔性基板5相對(duì)于IGBT芯片1 正確對(duì)位，則會(huì)產(chǎn)生短路缺陷，成品率下降，如果要正確對(duì)位，則由于裝配作業(yè)性低，生產(chǎn)成 本會(huì)上升。 再者，由于形成在柔性基板5上的銅布線5b是設(shè)置在樹脂上方的導(dǎo)電性薄膜，在 減小其布線電阻上存在限度。因而，在IGBT芯片1的集電極-發(fā)射極間流過(guò)大電流的情況 下，銅布線5b發(fā)生過(guò)熱，往往會(huì)導(dǎo)致柔性基板5軟化、熔融，不能確保動(dòng)作的充分可靠性。
因此，本發(fā)明一個(gè)形態(tài)的目的在于，提供具有下列特征的半導(dǎo)體裝置，其中設(shè)有 外殼；設(shè)在上述外殼內(nèi)的絕緣基板；安裝在絕緣基板上的、含有流過(guò)控制電流的第一芯片 電極的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及含有主體部及從該主體部延伸的多個(gè)引線部的柔性基板；上 述第一芯片電極的各電極電氣連接至對(duì)應(yīng)的上述引線部。 依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置，可以容易且高可靠地實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體芯 片上的多個(gè)芯片電極的連接。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖2是從圖1的II-II線觀看的剖面圖。
圖3是示于圖1和圖2的半導(dǎo)體裝置的電路圖。
圖4是表示實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖5是從圖4的IV-IV線觀看的剖面圖。 圖6是表示柔性基板的引線部、引線框及芯片電極的放大平面圖。 圖7是從圖6的VI-VI線觀看的剖面圖。 圖8是與表示實(shí)施例2的變形例的圖7同樣的剖面圖。 圖9是與表示實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的圖2同樣的剖面圖。 圖10是表示將柔性基板的引線部連接到芯片電極前后的狀態(tài)的放大剖面圖。 圖11是與表示實(shí)施例3的變形例的圖4同樣的平面圖。 圖12是從圖11的VI-VI線觀看的剖面圖。 圖13是與表示實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的圖4同樣的平面圖。 圖14是與表示實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的圖5同樣的剖面圖。 標(biāo)記說(shuō)明 1 4電源模塊(功率用半導(dǎo)體裝置)、10基板、12外殼、14絕緣基板、16， 17金屬 薄板、20絕緣柵型雙極晶體管(IGBT) 、22續(xù)流二極管(FWD) 、26控制電極、28發(fā)射極電極、 30陽(yáng)極電極、32，33平坦部、34柔性基板、36引線部、37下面、38端部、39上面、4Q主體部、42引線框、44連接件、45引腳、46導(dǎo)線(金屬細(xì)線)、50引線框、52， 54突出部、56，60焊錫、 58導(dǎo)電凸起、62彈性構(gòu)件、64壓緊構(gòu)件、66控制IC芯片。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的功率用半導(dǎo)體裝置(電源模塊)的實(shí)施例。在各實(shí) 施例的說(shuō)明中，為便于理解，適當(dāng)使用了表示方向的用語(yǔ)(例如，「上方」及「下方」等)，這 些用語(yǔ)是為了說(shuō)明之目的而使用的，并不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。
實(shí)施例1 下面參照?qǐng)D1及圖2，就本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(電源模塊)的實(shí)施例1進(jìn)行說(shuō)明。 實(shí)施例1的電源模塊1如圖1及圖2所示，大體上設(shè)有由具有良好熱傳導(dǎo)性的銅等金屬板 構(gòu)成的金屬基板10 ;以及由固定在金屬基板10上的樹脂等絕緣材料構(gòu)成的外殼12。
另外，在電源模塊1的外殼12的內(nèi)部，設(shè)有通過(guò)焊錫等導(dǎo)電性接合材料(未圖示) 固定在金屬基板10上的絕緣基板14。絕緣基板14的一對(duì)主面(表面及背面)上有經(jīng)圖 案化的金屬薄板16、17。再者，在表面?zhèn)鹊慕饘俦“?6的上方，同樣通過(guò)焊錫等導(dǎo)電性接 合材料(未圖示)裝有至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(在圖1及圖2中，例如，絕緣柵型雙極晶體管 (IGBT) 20和續(xù)流二極管(FWD) 22)。而且，IGBT20在上側(cè)主面上有控制電極26及發(fā)射極電 極28，F(xiàn)WD22在上側(cè)主面上有陽(yáng)極電極30?？刂齐姌O26不限于僅為控制電極，也包含柵電 極、電流傳感電極以及溫度傳感電極。 外殼12在圖2中，具有設(shè)在與IGBT20和FWD22的上側(cè)主面大致相同高度(水平 位置)上的一對(duì)平坦部32、33。而且，實(shí)施例1的電源模塊1在鄰近IGBT20的一方的平坦 部32上設(shè)有用任意接合手段固定的柔性基板34 ;以及支持在鄰近FWD22的另一平坦部33 上，貫通外殼12而向外側(cè)延伸的多個(gè)引線框42。亦即，柔性基板34的背面37與IGBT20的 控制電極26和發(fā)射極電極28的表面基本上設(shè)在同一平面上。 在實(shí)施例1的柔性基板34的聚酰亞胺樹脂等可撓性絕緣膜上層疊銅圖案，即使在 彎折等機(jī)械應(yīng)力和機(jī)熱周期(heat cycle)時(shí)有熱應(yīng)力產(chǎn)生的情況下，也會(huì)柔軟地變形，可 以緩和這些應(yīng)力。 另外，如圖l所示，具有多根(圖1中是6根)細(xì)長(zhǎng)的引線部36和具有大致成矩 形的平面形狀的主體部40，在各引線部36的下面37上，疊層多根(例如4根)細(xì)長(zhǎng)的銅圖 案(未圖示)。 再者，IGBT20的各控制電極26經(jīng)由引線部36的各銅圖案的端部38電氣連接至 安裝在柔性基板34上的控制IC芯片66的各端子上。另外，在柔性基板34上配設(shè)連接件 44，控制IC芯片66的各端子經(jīng)由柔性基板34上的銅圖案以及連接件44的引腳45電氣連 接至外部的控制電路(未圖示)。 這樣，柔性電路基板34的主體部40具有朝向絕緣基板14的邊，圖1所示的引線
部36從朝向絕緣基板34的主體部40的一邊延伸。但是，引線部36也可以從具有由4邊
構(gòu)成的大致矩形的平面形狀的主體部40的任意一邊或多邊(未作圖示)延伸。 另一方面，各引線框42通過(guò)由鋁等金屬構(gòu)成的導(dǎo)線(金屬細(xì)線)46連接至各
FWD22的陽(yáng)極電極30和各IGBT20的發(fā)射電極28。這樣，各IGBT20和FWD22相互反向并聯(lián)連接。
通常，電源模塊1中，在絕緣基板14、半導(dǎo)體元件(IGBT20和FWD22)、柔性基板34 以及導(dǎo)線46的上方，為了保護(hù)這些構(gòu)成部件，設(shè)有充填在外殼12內(nèi)的硅凝膠、用以密封其 上方的環(huán)氧樹脂以及覆蓋其上方的蓋，為了便于說(shuō)明，附圖中省略了這些硅凝膠、環(huán)氧樹脂及蓋。 以下參照?qǐng)D3，就圖1及圖2所示的電源模塊1的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
該電源模塊1設(shè)有3相(U相、V相、W相)的變換器電路，各變換器電路由低電位 側(cè)的IGBT20與FWD22的管對(duì)和高電位側(cè)的IGBT20與FWD22的管對(duì)構(gòu)成。例如，在圖1和 圖3中，最上方所示的是低電位側(cè)的IGBT20與FWD22的一對(duì)，構(gòu)成U相的變換器電路的一 部分。另外，鄰近于最上方的(下方)圖示的是高電位側(cè)的IGBT20和FWD22的一對(duì)，同樣 構(gòu)成U相的變換器電路的一部分。再者，依次圖示V相的低電位側(cè)及V相的高電位側(cè)、W相 的低電位側(cè)及W相的高電位側(cè)的IGBT20和FWD22的一對(duì)。 另外，在各相的變換器電路中，低電位側(cè)的IGBT20和FWD22具有各自的發(fā)射極電 極28和陽(yáng)極電極30，這些電極通過(guò)導(dǎo)線46電氣連接至引線框42上。該引線框連接至直流 驅(qū)動(dòng)電源(未圖示)的負(fù)極端子上。在各相的變換器電路中，高電位側(cè)的IGBT20與FWD22 具有各自的集電極電極和陰極電極，這些電極通過(guò)同樣的金屬薄板16及(圖1)中最下方 圖示的)導(dǎo)線46電氣連接至引線框42上，該引線框被連接至直流驅(qū)動(dòng)電源的正極端子上。
再者，圖3中安裝有低電位側(cè)的IGBT20與FWD22的金屬薄板16，通過(guò)導(dǎo)線46電氣 連接至引線框42和對(duì)應(yīng)的高電位側(cè)的IGBT20的發(fā)射極電極28和FWD22的陽(yáng)極電極30。 圖1中未詳細(xì)圖示引線框的平面形狀，圖中，配置在最上方的引線框42連接至U相的驅(qū)動(dòng) 端子，其下方依次圖示出連接至V相及W相的驅(qū)動(dòng)端子上的引線框42。
還有，在圖1中未詳細(xì)圖示但如圖3所示各IGBT20具有包括柵電極、電流傳感電 極以及溫度傳感電極的控制電極26，通過(guò)設(shè)在各引線部36上的細(xì)長(zhǎng)的銅圖案與控制IC芯 片66電氣連接。 在這樣構(gòu)成的電源模塊1中，引線部36的銅圖案的各端部38 (后文詳述)通過(guò)焊 錫等任意的導(dǎo)電性接合劑或連接手段可以容易地總括連接到IGBT20的控制電極26。這樣， 外部的控制電路可以通過(guò)連接件44的引腳45、控制IC芯片66以及柔性基板34的引線部 36 (及其端部38)實(shí)現(xiàn)與IGBT20的數(shù)據(jù)信號(hào)收發(fā)(通信)。 其結(jié)果，IGBT20根據(jù)加在控制電極26上的控制信號(hào)進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作，發(fā)射極電極 28、通過(guò)導(dǎo)線46及引線框42向外部負(fù)載供給大電流(被控電流)。亦即，依據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例l，作為大電流的被控電流通過(guò)比上述現(xiàn)有技術(shù)的柔性基板上的銅布線更小的布線電 阻的導(dǎo)線46流動(dòng)，因此不會(huì)發(fā)生導(dǎo)線過(guò)熱，可以實(shí)現(xiàn)高可靠性的電源模塊。
另外，如上所述，由于柔性基板34的背面37和IGBT20的控制電極26及發(fā)射極電 極28的表面基本上配置在同一平面上，可以使引線部36上產(chǎn)生的應(yīng)力變得極小，可以得到 高可靠性的電源模塊。再者，可以合理地縮短引線部36的長(zhǎng)度，因此可降低制造成本。
實(shí)施例2 參照?qǐng)D4 圖8，下面就本發(fā)明的功率用半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例2進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例 2的電源模塊2中，為了電氣連接各IGBT20的發(fā)射極電極28、各FWD22的陽(yáng)極電極30及引 線框，除了用延伸的引線框50代替導(dǎo)線46這一點(diǎn)以外，具有與實(shí)施例1同樣的結(jié)構(gòu)，因此 省略有關(guān)重復(fù)部分的詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)于與實(shí)施例1同樣的構(gòu)成部件，使用同樣的標(biāo)記進(jìn)行說(shuō)明。 如上所述，實(shí)施例2的引線框50，如圖5所示，設(shè)有被支持在外殼12上、延伸至各 FWD22的陽(yáng)極電極30及各IGBT20的發(fā)射極電極28的上方、朝向陽(yáng)極電極30及發(fā)射極電極 28彎折的彎折部(突出部)52、54。如圖6和圖7的放大圖所示，各引線框50的彎折部52、 54向各FWD22的陽(yáng)極電極30和各IGBT20的發(fā)射極電極28突出，通過(guò)焊錫56等的導(dǎo)電性 接合劑電氣連接至陽(yáng)極電極30和發(fā)射極電極28。 另外，在柔性基板34的引線部36的端部38上，形成導(dǎo)電性的凸起58，同樣，通過(guò) 焊錫60等導(dǎo)電性接合劑電氣連接至各IGBT20的控制電極26。如此，可以將引線部36與控 制電極26之間牢固連接。再者，導(dǎo)電性接合劑除了焊錫56、60之外，也可以是任意的導(dǎo)電 再者，各引線框50的彎折部52、54除了圖7所示的形狀以外，也可以是如圖8所 示的、向陽(yáng)極電極30及發(fā)射極電極28突出的突出部52、54，同樣，也可以在控制電極26上 形成導(dǎo)電凸起58，而不是將該凸起設(shè)置在柔性基板34的端部38上。 同樣，構(gòu)成一個(gè)相腳的一組IGBT20和FWD22中，連接低電位側(cè)的IGBT20的發(fā)射極 電極28和FWD22的陽(yáng)極電極30的引線框50具有用以電氣連接至搭載了高電位側(cè)的IGBT20 及FWD22的絕緣基板14的金屬薄板16的彎折部(如圖4的虛線所示)68。還有，彎折部 68和絕基板14的金屬薄板16可以通過(guò)焊錫等任意的導(dǎo)電性接合劑進(jìn)行電氣連接。
在這樣構(gòu)成的電源模塊2中，各IGBT20的發(fā)射極電極28和各FWD22的陽(yáng)極電極 30與控制電極26 —樣，容易通過(guò)引線框50總括地連接。 另外， 一旦IGBT20根據(jù)加在控制電極26上的控制信號(hào)進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作，就可以通過(guò) 發(fā)射極電極28及引線框50向外部負(fù)載供給大電流的被控電流。亦即，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例2，由于大電流的被控電流通過(guò)比布線電阻更小的引線框50流動(dòng)，電源模塊2的一部分的 電流路徑不會(huì)發(fā)生過(guò)熱、斷線，可以實(shí)現(xiàn)高可靠性的電源模塊。
實(shí)施例3 下面參照?qǐng)D9 圖12，就本發(fā)明的功率用半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例3進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施 例3的電源模塊3中，除了柔性基板34的引線部36包含彈性構(gòu)件且外殼12的一方的平坦 部32設(shè)在比IGBT20及FWD22的上側(cè)主面更高的位置上這一點(diǎn)之外，具有與實(shí)施例2同樣 的結(jié)構(gòu)，因此省略重復(fù)部分的詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)于與實(shí)施例2同樣的構(gòu)成部件，用同樣的 標(biāo)記進(jìn)行說(shuō)明。 如上所述，電源模塊3的柔性基板34的主體部40，如圖9所示，設(shè)在比IGBT20及 FWD22的上側(cè)主面更高的的位置上，如圖10(a)及(b)所示，引線部36包含沿縱向延伸的彈 性構(gòu)件62。圖10 (a)和(b)分別表示柔性基板34的主體部40固定在外殼12的一方的平 坦部32上，引線部36的端部38連接在IGBT20的控制電極26上的前后狀態(tài)的剖面圖，而 彈性構(gòu)件62固定在主體部40上，一旦引線部36的端部38連接至控制電極26上方，設(shè)在 端部38的導(dǎo)電凸起58就向控制電極26的一方壓緊(被壓上)。亦即，彈性構(gòu)件62只要在 被裝配后能向控制電極26壓上，可以具有任意的形狀，例如，可以是金屬薄板。另外，彈性 構(gòu)件62在圖10(a)及(b)中設(shè)于引線部36內(nèi)部，而也可以粘貼于引線部36的上面39。
因而，依據(jù)電源模塊3，由于彈性構(gòu)件62將被設(shè)置在端部38上的導(dǎo)電凸起58壓在 控制電極26上，無(wú)需使用焊錫等導(dǎo)電性接合劑，容易總括地連接與各引線部36對(duì)應(yīng)的控制電極26。這樣，可以省略焊錫連接時(shí)的熱處理工序，因此柔性基板34上不必采用高耐熱性 的構(gòu)件，可以使用更便宜的柔性基板。再者，在電源模塊3內(nèi)的IGBT芯片20有缺陷時(shí)，由 于控制電極26沒有通過(guò)焊錫來(lái)連接，可容易地將引線部36從控制電極26卸下。
但是，為了將導(dǎo)電凸起58與控制電極26間的電連接做得更加強(qiáng)固，也可在將導(dǎo)電 凸起58壓在控制電極26上之后追加焊錫工序。 再者，如圖11和圖12所示，也可將用以向IGBT芯片20壓緊柔性基板34的引線 部36的壓緊構(gòu)件64安裝在外殼上。另外，在圖11和圖12中，壓緊構(gòu)件64在接近于柔性 基板34的主體部40的位置處固定在外殼12上，但也可配置在接近于柔性基板34的端部 38的位置或?qū)щ娡蛊?8的正上方。這樣，可以將導(dǎo)電凸起58連接至控制電極26上，可以 取得與實(shí)施例3同樣的效果。
實(shí)施例4 參照?qǐng)D13和圖14，下面就本發(fā)明的功率用半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例4進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施 例4的電源模塊4除了沒有將用以將控制信號(hào)供給控制電極26的控制IC芯片安裝在柔性 基板34的主體部40上這一點(diǎn)之外，具有與實(shí)施例2同樣的結(jié)構(gòu)，因此省略有關(guān)重復(fù)部分的 詳細(xì)說(shuō)明。另外，對(duì)于與實(shí)施例2同樣的構(gòu)成部件，使用同樣的標(biāo)記進(jìn)行說(shuō)明。
依據(jù)實(shí)施例2的電源模塊2，設(shè)有用以將控制信號(hào)供給控制電極26的多個(gè)控制IC 芯片66，但實(shí)施例4的電源模塊4上沒有控制IC芯片，控制信號(hào)從外部電路裝置(未圖示) 直接供給引線部36的各端部38。 因而，依據(jù)實(shí)施例4，與至此為止說(shuō)明過(guò)的實(shí)施例的電源模塊一樣，可以實(shí)現(xiàn)可以 將引線部36的各端部38容易地總括連接至IGBT20的控制電極26的高可靠性的電源模塊 4。 另外，如實(shí)施例1中說(shuō)明過(guò)的那樣，引線部36也可以從大致具有矩形的平面形 狀的主體部的任意邊延伸而構(gòu)成，例如，在圖13中，將絕緣基板14配置在柔性基板34的 左側(cè)，而將另一絕緣基板(未圖示)配置在柔性基板34的右側(cè)，可以將向各絕緣基板上的 IGBT芯片供給的柵信號(hào)用安裝在同一柔性基板34上的多個(gè)控制IC芯片66進(jìn)行控制。這 樣，可以增大電源模塊的設(shè)計(jì)自由度。 再者，在上述的實(shí)施例中，F(xiàn)WD芯片(第2半導(dǎo)體芯片)22不是本發(fā)明必需的構(gòu)成 部件，可以省略，本發(fā)明的第一半導(dǎo)體芯片20除了 IGBT芯片之外，也可以是雙極達(dá)林頓晶 體管、M0SFET以及將SiC用作基板材料的任意半導(dǎo)體芯片。
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權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括外殼；配設(shè)在所述外殼內(nèi)的絕緣基板；安裝在所述絕緣基板上的、具有流過(guò)控制電流的第1芯片電極的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及具有主體部和從該主體部延伸的多個(gè)引線部的柔性基板，在所述主體部和所述引線部，所述柔性基板在可撓性絕緣膜上層疊銅圖案，各所述引線部的銅圖案，使用導(dǎo)電性接合劑總括連接至對(duì)應(yīng)的所述第1芯片電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片的所述第1芯片電 極和所述柔性基板的所述弓I線部通過(guò)焊錫電氣連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片的所述第1芯片 電極和所述柔性基板的所述引線部中的任一方上形成導(dǎo)電凸起。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片的所述第1芯片電極和所述柔性基板的所述引線部通過(guò)將所述引線 部向所述第1芯片電極壓接而電氣連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述柔性基板的所述引線部包含將該引線部向所述第1芯片電極壓上的彈性構(gòu)件。
6. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于用以將所述柔性基板的所述引線部向所述第1芯片電極壓緊的壓緊構(gòu)件固定在所述 外殼上。
7. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述柔性基板的所述主體部具有由4邊構(gòu)成的任意的矩形平面形狀； 所述引線部從所述柔性基板的所述主體部的任意邊延伸。
8. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述柔性基板的背面配置成與所述第1芯片電極的表面實(shí)質(zhì)在同一平面上。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述柔性基板的所述主體部設(shè)有向 所述第1芯片電極供給控制電流的控制電路部。
10. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片具有流過(guò)由流過(guò)所述第1芯片電極的控制電流控制的被控電流的第2 芯片電極；半導(dǎo)體裝置還設(shè)有電氣連接至各自的所述第2芯片電極的、向所述外殼的外側(cè)延伸的 多個(gè)引線框。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述引線框具有突出部，經(jīng)由該突出部和焊錫電氣連接至所述半導(dǎo)體芯片的所述第2 芯片電極。
12. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述半導(dǎo)體芯片是絕緣柵型雙極晶體管；還設(shè)有搭載在所述控制基板上的多個(gè)續(xù)流二極管，它們與各自的所述絕緣柵型雙極晶 體管反向并聯(lián)連接。
全文摘要
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)，提供可容易且高可靠性地實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體芯片上的多個(gè)芯片電極連接的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)的半導(dǎo)體裝置設(shè)有外殼；設(shè)在所述外殼內(nèi)的絕緣基板；安裝在所述絕緣基板上的、具有流過(guò)控制電流的第一芯片電極的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及具有主體部及從該主體部延伸的多個(gè)引線部的柔性基板，其特征在于，所述第一芯片電極的各電極電氣連接至對(duì)應(yīng)的所述引線部。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101714545SQ20091022572
公開日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者角田哲次郎 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社