專利名稱：硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法。
背景技術(shù)：
在過去的四十年中，微電子芯片的研究、開發(fā)和生產(chǎn)一直沿著摩爾定律所預(yù)測來 進(jìn)行；直至2008年，英特爾等公司在內(nèi)存芯片的大規(guī)模生產(chǎn)中已經(jīng)開始使用45納米至50 納米線寬的加工技術(shù)。按照摩爾定律的預(yù)測，最晚到2012年，為了進(jìn)一步提高芯片的集成度，就需要用 到32納米甚至22納米線寬的加工技術(shù)。但是，32納米或者22納米的加工技術(shù)不僅遇到光 刻設(shè)備和工藝技術(shù)的局限性，而且單元穩(wěn)定性、信號延遲、CMOS電路可行性等都是懸而未決 的難題。為此，超越摩爾定律的概念于近年為提了出來。目前，超越摩爾定律的各種技術(shù)可 以分為兩大類一是基于基板的集成技術(shù)，一是基于芯片/晶圓的三維集成技術(shù)。而基于芯 片/晶圓的三維集成技術(shù)又可以分為基于金線鍵合的芯片堆疊(Die Macking)、封裝堆疊 (Package Stacking)和基于硅通孔(TSV，Through-Silicon-Via)的三維堆疊。而基于硅 通孔(TSV，Through-Silicon-Via)的三維堆疊正成為超越摩爾定律的最主要方法?，F(xiàn)有的硅通孔互連結(jié)構(gòu)的形成方法可以參考公開號為CN101483150A的中國專 利，具體參考圖1所示，包括如下步驟步驟S101，參考圖2，在晶圓100的表面刻蝕通孔101 ；步驟S102，參考圖3，在通孔101表面和底部形成絕緣層102 ；步驟S103，參考圖4，采用導(dǎo)電物質(zhì)103填充所述通孔101 ；步驟S104，參考圖5，從晶圓100的背面減薄晶圓100，直至暴露出導(dǎo)電物質(zhì)103。采用上述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)的形成工藝刻蝕所述通孔的工藝通常采用等離子體 刻蝕工藝，由于現(xiàn)有刻蝕工藝的均一性的局限性，參考圖6，在晶圓100的中心位置I、晶圓 100的邊緣位置II刻蝕的速度是不一致的，使得同一刻蝕工藝形成的通孔101在晶圓100 的中心位置I和晶圓100的邊緣位置II深度不同，使得步驟S104中減薄晶圓時，參考圖7， 深度比較淺的通孔無法暴露出導(dǎo)電物質(zhì)，導(dǎo)致硅通孔互連結(jié)構(gòu)失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是形成的硅通孔深度不同導(dǎo)致硅通孔互連結(jié)構(gòu)失效問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供襯底； 在所述襯底表面形成硬掩膜層；在所述硬掩膜層表面形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形 為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層直至暴露出襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第一刻蝕設(shè) 備刻蝕第一厚度的所述襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚 度的所述襯底，形成通孔；所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心 區(qū)域的均一性為互補(bǔ)關(guān)系。
可選的，所述襯底材料為單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺襯底?？蛇x的，所述第一刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備?？蛇x的，所述第二刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備?？蛇x的，所述第一厚度為需要形成的通孔的深度的1/4至3/4?？蛇x的，所述第一刻蝕設(shè)備刻蝕部分厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第一刻蝕設(shè) 備刻蝕腔室壓力為100毫托至150毫托，刻蝕功率為1200瓦，刻蝕頻率為15G赫茲，CHF5流 量為每分鐘40標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CF4流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘 米至每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氬氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米?？蛇x的，所述第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第二刻蝕設(shè) 備刻蝕腔室壓力為180毫托至250毫托，刻蝕功率為1000瓦，刻蝕偏壓為1000伏特，NF3流 量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，HBr流量為每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米至每分鐘250標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氧氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn) 立方厘米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過采用在襯底邊緣區(qū)域與襯底 中心區(qū)域的均一性為互補(bǔ)關(guān)系的所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備，且經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)獲得 的適用刻蝕參數(shù)，采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕襯底，直至去除1/4至3/4通孔深度的襯底，采用 第二刻蝕設(shè)備刻蝕剩余的厚度，形成在襯底的中心位置與在襯底的邊緣位置深度一致的通 孔，避免后續(xù)減薄工藝無法暴露出均一性差的深度比較淺的通孔的導(dǎo)電物質(zhì)，導(dǎo)致硅通孔 互連結(jié)構(gòu)失效。


圖1是現(xiàn)有的硅通孔互連結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖；圖2至圖5是現(xiàn)有的硅通孔互連結(jié)構(gòu)的形成方法的過程圖；圖6是現(xiàn)有的硅通孔互連結(jié)構(gòu)的形成方法形成均一性差的通孔的示意圖；圖7是現(xiàn)有工藝形成的硅通孔在后續(xù)工藝中失效的示意圖；圖8是本發(fā)明提供的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法的一實(shí)施例的流程示意圖；圖9至圖14為本發(fā)明提供的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法的一實(shí)施例的過程示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法中，晶圓的通孔通常采用等離 子體刻蝕工藝，由于現(xiàn)有刻蝕工藝的均一性的局限性，在晶圓的中心位置、晶圓的邊緣位置 刻蝕的速度是不一致的，使得同一刻蝕工藝形成的通孔在晶圓的中心位置和晶圓的邊緣位 置深度不同，使得后續(xù)步驟中減薄晶圓時，通孔深度比較淺的通孔導(dǎo)電物質(zhì)無法暴露，導(dǎo)致 硅通孔互連結(jié)構(gòu)失效。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的勞動，提出一種優(yōu)化的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方 法，包括提供襯底；在所述襯底表面形成硬掩膜層；
在所述硬掩膜層表面形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層直至暴露出襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕第一厚度的所述襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底，形成 通孔；所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域的均一性為互補(bǔ) 關(guān)系。可選的，所述襯底材料為單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺襯底?？蛇x的，所述第一刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備?？蛇x的，所述第二刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備?？蛇x的，所述第一厚度為需要形成的通孔的深度的1/4至3/4?？蛇x的，所述第一刻蝕設(shè)備刻蝕部分厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第一刻蝕設(shè) 備刻蝕腔室壓力為100毫托至150毫托，刻蝕功率為1200瓦，刻蝕頻率為15G赫茲，CHF5流 量為每分鐘40標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CF4流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘 米至每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氬氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米?？蛇x的，所述第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第二刻蝕設(shè) 備刻蝕腔室壓力為180毫托至250毫托，刻蝕功率為1000瓦，刻蝕偏壓為1000伏特，NF3流 量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，HBr流量為每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米至每分鐘250標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氧氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn) 立方厘米。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖8是本發(fā)明提供的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法的一實(shí)施例的流程示意圖，圖9至 圖14為本發(fā)明提供的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法的一實(shí)施例的示意圖。下面結(jié)合圖8至圖 14對本發(fā)明的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法進(jìn)行說明。步驟S201，提供襯底。參考圖9，提供襯底200，具體的，襯底200可以是單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅 鍺(SiGe)，或者還可以包括其它的材料，例如銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻 化鎵；襯底200還可以為多層基片(例如，具有覆蓋電介質(zhì)和金屬膜的硅襯底)、分級基片、 絕緣體上硅基片(SOI)、外延硅基片、部分處理的基片(包括集成電路及其他元件的一部 分)、圖案化或未被圖案化的基片。雖然在此描述了可以形成襯底200的幾個示例，但是可 以作為半導(dǎo)體基底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。步驟S202，在所述襯底200表面形成硬掩膜層。參考圖10，所述硬掩膜層210材料選自氮化硅、碳化硅或者氮碳化硅。所述硬掩膜層210作為后續(xù)刻蝕襯底200的硬掩膜，能夠提高刻蝕襯底200工藝的質(zhì)量，使得刻蝕形成的通孔形貌符合工藝要求。所述硬掩膜層210的形成方法可以為任何常規(guī)真空鍍膜技術(shù)，例如原子沉積 (ALD)、物理氣相淀積(PVD)、化學(xué)氣相淀積(CVD)、等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD) 等等，在這里不做贅述。步驟S203，在所述硬掩膜層210表面形成光刻膠圖形。參考圖11，在所述硬掩膜層210表面旋涂光刻膠，接著通過曝光將掩膜版上的與 通孔相對應(yīng)的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，然后利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠去除，以形成光 刻膠圖形220。步驟S204，以所述光刻膠圖形220為掩膜刻蝕所述硬掩膜層210，直至暴露出襯底 200。參考圖12，所述刻蝕工藝可以為公知的等離子體刻蝕，具體工藝參數(shù)為刻蝕設(shè) 備腔體壓力為30毫托至60毫托，頻率為13. 6M的射頻功率為500瓦至1000瓦，頻率為2M 的射頻功率為200瓦至400瓦，CF4流量為每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘120標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米，CHF3流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，以上述刻蝕工藝參 數(shù)，以所述光刻膠圖形220為掩膜刻蝕所述硬掩膜層210，直至暴露出襯底200。需要特別指出的是，在刻蝕工藝中，所述光刻膠圖形會在刻蝕硬掩膜210的過程 中被消耗完，在其他的實(shí)施例中，所述光刻膠圖形會殘留在硬掩膜210表面，現(xiàn)有的工藝會 采用化學(xué)試劑去除或者灰化法去除?，F(xiàn)有工藝會在刻蝕所述硬掩膜層210，暴露出襯底200步驟后，采用等離子體刻蝕 工藝刻蝕襯底200形成通孔，由背景技術(shù)可知，由于現(xiàn)有刻蝕工藝的均一性的局限性，在襯 底的中心位置、襯底的邊緣位置刻蝕的速度是不一致的，使得同一刻蝕工藝形成的通孔在 襯底的中心位置和襯底的邊緣位置深度不同，使得后續(xù)步驟中減薄襯底時，通孔深度比較 淺的通孔導(dǎo)電物質(zhì)無法暴露，導(dǎo)致硅通孔互連結(jié)構(gòu)失效。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)，研究發(fā)現(xiàn)，不同的刻蝕設(shè)備在在襯底的中 心位置、襯底的邊緣位置刻蝕的速度是不一致的，這是由于不同刻蝕設(shè)備由不同的廠家生 產(chǎn)，或者由同一廠家不同批次生產(chǎn)，存在一定的差異性，有的刻蝕設(shè)備在襯底的中心位置刻 蝕速率高，在襯底的邊緣位置刻蝕速率低，而有些刻蝕設(shè)備在襯底的中心位置刻蝕速率低， 在襯底的邊緣位置刻蝕速率高。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)，提出一種改進(jìn)的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成 方法，如步驟S205所述，參考圖13，以刻蝕后的硬掩膜層210為掩膜，采用第一刻蝕設(shè)備刻 蝕第一厚度的所述襯底200，形成第一溝槽201和第二溝槽202，所述第一溝槽201位于所 述襯底200的中心位置I，所述第二溝槽202位于所述襯底200的邊緣位置II，且所述第一 刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備。為了便于理解本發(fā)明，在本實(shí)施例中，所述第一刻蝕設(shè)備在襯底的中心位置I刻 蝕速率高，在襯底的邊緣位置II刻蝕速率低，所述第二溝槽202的深度小于所述第一溝槽 201，且所述第一厚度為需要形成的通孔的深度的1/4至3/4。采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕部分厚度的所述襯底200的具體工藝參數(shù)為第一刻蝕設(shè) 備刻蝕腔室壓力為100毫托至150毫托，刻蝕功率為1200瓦，刻蝕頻率為15G赫茲，CHF5流 量為每分鐘40標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CF4流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氬氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn)立方 厘米，以上是工藝條件，刻蝕部分厚度的所述襯底200。然后，如步驟S206所述，參考圖14，以刻蝕后的硬掩膜層210為掩膜，采用第二刻 蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底200，形成通孔203，且所述第二刻蝕設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備。本發(fā)明的發(fā)明人在步驟S206中，選用與所述第一刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域II與 襯底中心區(qū)域I的均一性為互補(bǔ)關(guān)系的第二刻蝕設(shè)備，刻蝕形成通孔203。為了方便理解本發(fā)明，在本實(shí)施例中，所述第二刻蝕設(shè)備在襯底的中心位置I刻 蝕速率低，在襯底的邊緣位置II刻蝕速率高。采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕所述襯底200形成通孔203的具體工藝參數(shù)為第二刻蝕 設(shè)備刻蝕腔室壓力為180毫托至250毫托，刻蝕功率為1000瓦，刻蝕偏壓為1000伏特，NF3 流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，HBr流量為每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立 方厘米至每分鐘250標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氧氣流量為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo) 準(zhǔn)立方厘米，以上是工藝條件，所述襯底200形成通孔203。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕第一厚度的所述襯底 200，形成第一溝槽201和第二溝槽202，然后采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕所述襯底形成通孔 203。由于所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域的均一 性為互補(bǔ)關(guān)系，使得形成的通孔203在襯底的中心位置I與在襯底的邊緣位置II深度一致。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明采用本發(fā)明形成的通孔在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域偏差為 10%至20%，在另一實(shí)施例中，采用本發(fā)明形成80微米深度的通孔，位于襯底邊緣區(qū)域的 通孔和位于襯底中心位置的通孔深度差約為5微米。本發(fā)明通過采用在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域的均一性為互補(bǔ)關(guān)系的所述第 一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備，且經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)獲得的適用刻蝕參數(shù)，采用第一刻蝕設(shè)備刻 蝕襯底，直至去除1/4至3/4通孔深度的襯底，采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕剩余的厚度，形成在 襯底的中心位置與在襯底的邊緣位置深度一致的通孔，避免后續(xù)減薄工藝無法暴露出均一 性差的深度比較淺的通孔的導(dǎo)電物質(zhì)，導(dǎo)致硅通孔互連結(jié)構(gòu)失效。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括提供襯底；在所述襯底表面形成硬掩膜層；在所述硬掩膜層表面形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層直至暴露出襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕第一厚度的所述襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底，形成通孔; 所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域的均一性為互補(bǔ)關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述襯底材料為單晶、 多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕設(shè)備為 等離子體刻蝕設(shè)備。
4.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕設(shè)備為 等離子體刻蝕設(shè)備。
5.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第一厚度為需要 形成的通孔的深度的1/4至3/4。
6.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕設(shè)備刻 蝕部分厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第一刻蝕設(shè)備刻蝕腔室壓力為100毫托至150毫托， 刻蝕功率為1200瓦，刻蝕頻率為15G赫茲，CHF5流量為每分鐘40標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘60 標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CF4流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氬氣流量為 每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。
7.如權(quán)利要求1所述的硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕設(shè)備刻 蝕第二厚度的所述襯底的具體參數(shù)為第二刻蝕設(shè)備刻蝕腔室壓力為180毫托至250毫托， 刻蝕功率為1000瓦，刻蝕偏壓為1000伏特，NF3流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30 標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，HBr流量為每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘250標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，氧氣流量 為每分鐘140標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘180標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。
全文摘要
一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供襯底；在所述襯底表面形成硬掩膜層；在所述硬掩膜層表面形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層直至暴露出襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第一刻蝕設(shè)備刻蝕第一厚度的所述襯底；以刻蝕后的硬掩膜層為掩膜，采用第二刻蝕設(shè)備刻蝕第二厚度的所述襯底，形成通孔；所述第一刻蝕設(shè)備與第二刻蝕設(shè)備在襯底邊緣區(qū)域與襯底中心區(qū)域的均一性為互補(bǔ)關(guān)系。
文檔編號H01L21/768GK102054746SQ20091019811
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月2日
發(fā)明者劉釗, 奚民偉, 朱虹, 高關(guān)且 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司