專利名稱：發(fā)光二極管芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管芯片及其制造方法，特別涉及芯片側(cè)壁被粗化的正裝結(jié)構(gòu)及垂直 結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片及其制造方法。
背景技術(shù)：
以GaN為代表的新一代半導(dǎo)體材料以其寬直接帶隙(Eg=3.4eV)、.高熱導(dǎo)率、高硬度、 高化學(xué)穩(wěn)定性、低介電常數(shù)、抗輻射等特點(diǎn)獲得了人們的廣泛關(guān)注，在固態(tài)照明、固體激光 器、光信息存儲(chǔ)、紫外探測器等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用潛力。按中國2002年的用電情況計(jì)算， 如果采用固態(tài)照明替代傳統(tǒng)光源， 一年可以省下三峽水電站的發(fā)電量，有著巨大的經(jīng)濟(jì)、環(huán) 境和社會(huì)效益；而據(jù)美國能源部測算，到2010年，全美半導(dǎo)體照明行業(yè)產(chǎn)值將達(dá)500億美元。 在光信息存儲(chǔ)方面，以GaN為基礎(chǔ)的固體藍(lán)光激光器可大幅度提高光存儲(chǔ)密度。正因?yàn)檫@些 優(yōu)點(diǎn)，GaN被寄予厚望。高亮度InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)LEDs已經(jīng)商品化。
通常普遍的正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片制造工藝是先在藍(lán)寶石襯底上形成N-GaN層、量子阱層、 及P-GaN層等的堆棧外延結(jié)構(gòu)，然后對所述堆棧外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕以形成各溝道，由此將堆 棧結(jié)構(gòu)分離為多個(gè)堆棧單體，如圖1A及1B所示，各堆棧單體由溝道所分隔開，其中，溝道 的深度可視具體工藝而定，通常不超過N-GaN層底部，然后再在己形成的堆棧外延結(jié)構(gòu)上制 做各電極，如圖1C所示，即制造透明電極(ITO)-做N/P電極---做鈍化(Si02展保護(hù)電極(圖 未示)---背減薄(圖未示)。當(dāng)然也可先在堆棧外延結(jié)構(gòu)上制造出透明電極后，再采用光刻和 刻蝕技術(shù)刻蝕至N-GaN層，以形成相應(yīng)的溝道，如圖1D所示，接著再做N/P電極一做鈍化 (Si02)層保護(hù)電極(圖未示)--背減薄(圖未示)。垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片則是對已形成的堆棧 外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行劃分溝道后，將P-GaN層與另一藍(lán)寶石襯底鍵合，然后剝離原先的藍(lán)寶石襯底， 制造兩端電極。然而，不論是正裝結(jié)構(gòu)或是垂直結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有工藝制造出的發(fā)光二極管，其發(fā) 光亮度難以有較大突破，且在外延生長過程中積累的應(yīng)力，容易在后續(xù)工藝中對發(fā)光二極管 造成傷害，因此，有必要對現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片制造方法作進(jìn)一步改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供能夠增加發(fā)光亮度，降低生長過程中應(yīng)力的發(fā)光二極管芯片。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片，包括生長襯底、N型GaN層、 量子阱層、P型GaN層、N電極及P電極，芯片側(cè)壁被粗化，在芯片側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述粗化的芯片側(cè)壁包括N型GaN層、量子阱層及P 型GaN層的側(cè)壁。。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述襯底為Si襯底、Cu襯底、SiC襯底、藍(lán)寶石襯底、 圖形襯底中的任一者。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，包括以下步驟步驟l、首先在生長襯底 表面利用光刻和刻蝕或激光劃片工藝形成溝道，所述溝道直接把生長襯底表面分割成和最終 芯片完全一樣尺寸的小區(qū)間，生長襯底刻蝕形成的溝道深度為15 — 50微米；步驟2、在己形 成溝道的所述生長襯底上依次生長出N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層，且使所述溝 道相應(yīng)向上延伸成長溝道，以形成由生長襯底、N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層構(gòu)成 的相互分離的各堆棧單體結(jié)構(gòu)；步驟3、采用光刻和刻蝕技術(shù)對被所述長溝道分隔的所述各堆 棧單體結(jié)構(gòu)刻蝕至各自的N型GaN層，以拓寬所述長溝道上半部的寬度；步驟4、使用溫度 范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液，對已被拓寬的所 述長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化，在芯片側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)；步 驟5、在己被粗化的各堆棧單體外延結(jié)構(gòu)上制造透明電極及N/P電極。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述步驟1完成后所形成的溝道深入所述生長襯底15 一20微米。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述步驟1完成后所形成的溝道深入襯底20微米。 作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，步驟2中所述氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度 優(yōu)選范圍為145-220度，所述容積比優(yōu)選范圍為為3-10M/L。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片，依次包括轉(zhuǎn)移襯底層、P電極層、P反射鏡層、電流 擴(kuò)散層、P型GaN層、量子阱層、N型GaN層及N電極，芯片側(cè)壁被粗化形成微結(jié)構(gòu)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述粗化的芯片側(cè)壁包括N型GaN層、量子阱層及P 型GaN層的側(cè)壁。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述P電極層為金或合金材料；所述反射鏡層為Ag 或A1材料。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括以下步驟步驟l、采用光刻和刻蝕 工藝或激光劃片工藝，對生長襯底刻蝕形成深度為15 — 50微米的溝道；步驟2、在已形成溝
道的生長襯底上依次生長出N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層，且使所述溝道相應(yīng)向 上延伸成長溝道，以形成由生長襯底、N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層構(gòu)成的相互分 離的各堆棧外延結(jié)構(gòu)；步驟3、使用溫度范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與 氫氧化鈉的混合溶液，對所述長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化， 在芯片側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)；步驟4、對已粗化的各堆棧單體結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延清洗后，再在各堆棧單 體結(jié)構(gòu)各自的P型GaN層制作包括電流擴(kuò)散層、P反射鏡、及P電極的P鍵合層，并將轉(zhuǎn)移 襯底與所述P鍵合層鍵合；步驟5、剝離所述生長襯底，清洗各堆棧外延結(jié)構(gòu)各自的N型GaN 層，在各N型GaN層上制作N電極。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述步驟1完成后所形成的溝道深入所述生長襯底15 —20微米。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述步驟1完成后所形成的溝道深入所述生長襯底20 微米。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，步驟3中所述氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度 優(yōu)選范圍為145-220度，所述容積比優(yōu)選范圍為為3-10M/L。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，還包括在所述轉(zhuǎn)移襯底一表面制作金錫層以便于與所 述P鍵合層鍵合的步驟。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，所述p電極層為金或合金材料，所述反射鏡層為Ag 或A1材料。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案之一，還包括在所述轉(zhuǎn)移襯底另一面制作金錫層的步驟。
本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片及其制造方法，能使芯片的亮度和毫瓦數(shù)均比常規(guī)工藝芯 片提升20%以上，且能夠降低外延生長過程中的應(yīng)力。
圖1A至圖1C是現(xiàn)有正裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片常規(guī)制程示意圖。 圖1D是現(xiàn)有正裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管芯片另一常規(guī)制程示意圖。 圖2A為本發(fā)明提供的正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B為本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片N型GaN層內(nèi)部光線反射示意圖。 圖4為本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片出光示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例 實(shí)施例一
請參閱圖2A，本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片為正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片， 包括生長襯底、N型GaN層(圖中表示為N-GaN)、量子阱層、P型GaN層(圖中表示為P-GaN)、 P電極及N電極。發(fā)光二極管芯片側(cè)壁部分被粗化，在芯片的側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)。被粗化的側(cè) 壁包括N型GaN層、量子阱層及P型GaN層的側(cè)壁。其中，所述生長襯底可為Si襯底或Cu 襯底或SiC襯底或藍(lán)寶石襯底或圖形襯底等。所述微結(jié)構(gòu)可以為凸起等結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的制造方法包括以下步驟。
步驟l、使用光刻和刻蝕技術(shù)或激光劃片工藝對生長襯底刻蝕，形成深度為15-50微米 的溝道， 一般溝道深度較佳的范圍為15-20微米，優(yōu)選溝道深度為20微米左右。所述溝道將 生長襯底表面分割成與最終芯片尺寸相同的小區(qū)間。所述每個(gè)小區(qū)間生長外延并經(jīng)過后續(xù)加 工后，形成各個(gè)芯片的初始結(jié)構(gòu)，在裂片工藝前，各個(gè)芯片的初始結(jié)構(gòu)是相連的，經(jīng)過裂片 工藝后，各個(gè)芯片分離。因此，上述所指的尺寸相同，并非是完全意義上的尺寸絲毫不差， 而是指小區(qū)間的尺寸基本決定了芯片的尺寸，由研磨、背減薄、裂片等造成的最終芯片尺寸 與所述小區(qū)間的尺寸之間的微小差距，是可以忽略的。
步驟2、清洗所述生長襯底，在已形成溝道的生長襯底上生長外延，由于GaN無法在所 述襯底刻蝕后形成的溝道上生長，無需刻蝕，外延自發(fā)生長成被所述溝道向上延伸形成的長 溝道分隔的、由N型GaN層、量子阱層、及P型GaN層等組成的相互分離的各堆棧單體外 延結(jié)構(gòu)，在生長外延之前對生長襯底迸行刻蝕，有助于釋放應(yīng)力，保護(hù)芯片。
步驟3、采用光刻和刻蝕技術(shù)對被所述長溝道分隔的所述各堆棧單體外延刻蝕至各自的N 型GaN層，以便拓寬所述長溝道上半部寬度，經(jīng)過刻蝕后所形成的長溝道可呈上寬下窄的形 狀，其中，處于N型GaN層的部分比處于藍(lán)寶石襯底的部分寬，以便于制造電極。
步驟4、使用溫度范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液，對深入至襯底的長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化，在芯片的 側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)。其中，所述氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度優(yōu)選范圍為145-220度，， 容積比優(yōu)選范圍為為3-10M/L。
步驟5、在已被粗化的各堆棧單體結(jié)構(gòu)上制造透明電極。
步驟6、將透明電極制造成N/P電極。
需注意的是，制造本發(fā)明提供的正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的步驟順序可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn) 線進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，例如，可將氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液用熱磷酸替代，可先在堆棧結(jié) 構(gòu)上制造出透明電極后再進(jìn)行刻蝕至N型GaN層拓寬長溝道上半部，然后使用熱磷酸腐蝕出 凸起，最后將透明電極制造成N/P電極；還可以先采用熱磷酸腐蝕出微結(jié)構(gòu)，再進(jìn)行刻蝕至 N型GaN層拓寬長溝道上半部以制造N/P電極等，但刻蝕襯底的步驟在生長外延層的步驟之 前。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)證明，以刻蝕襯底---生長外延層一對各堆桟單體外延刻蝕至N-GaN層---采用酸 性溶液或堿性溶液腐蝕出側(cè)壁微結(jié)構(gòu)---制造N/P電極的步驟順序?yàn)榧选?br>
實(shí)施例二
請參閱圖2B，本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片為垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片， 依次包括轉(zhuǎn)移襯底層、P電極層、P反射鏡層、電流擴(kuò)散層、P型GaN層(圖中表示為P-GaN)、 量子阱層、N型GaN層(圖中表示為N-GaN)及N電極，為了增加光取出率，垂直結(jié)構(gòu)的發(fā) 光二極管芯片側(cè)壁被粗化，在芯片的側(cè)壁具有微結(jié)構(gòu)。被粗化的側(cè)壁包括N型GaN層、量子 阱層及P型GaN層的側(cè)壁。其中，所述轉(zhuǎn)移襯底，其制作材料可為Si'襯底、Cu襯底、SiC 襯底、藍(lán)寶石襯底、圖形化襯底中的任一者。所述P電極層、P反射鏡層及電流擴(kuò)散層可稱為 P鍵合層。
本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的制作方法包括以下步驟 步驟l、使用光刻和刻蝕技術(shù)或激光劃片工藝對生長襯底刻蝕，形成深度為15 — 50微米 的溝道， 一般溝道深度較佳的范圍為15-20微米，優(yōu)選溝道深度為20微米左右。
歩驟2、在已形成溝道的生長襯底上生長外延，由于GaN無法在所述生長襯底刻蝕后形 成的溝道上生長，無需刻蝕，外延自發(fā)生長成被所述溝道向上延伸形成的長溝道分隔的、由N 型GaN層、量子阱層、及P型GaN層等組成的各堆棧單體外延結(jié)構(gòu)，在生長外延之前對生長 襯底進(jìn)行刻蝕，有助于釋放應(yīng)力，保護(hù)芯片。步驟3、使用溫度范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶 液，對深入至襯底的長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化，在芯片的 側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)。其中，所述氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度優(yōu)選范圍為145-220度， 容積比優(yōu)選范圍為為3-10M/L。
步驟4、對已粗化的各堆棧單體外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延清洗后，再在各堆棧單體外延結(jié)構(gòu)各自 的P型GaN層上制作包括電流擴(kuò)散層、P反射鏡、及P電極的P鍵合層，所述電流擴(kuò)散層的 材料為ITO材料，能夠起到電流擴(kuò)散的作用，所述P反射鏡為Ag或Al材料，所述P電極為 金或合金材料。
步驟5、制作轉(zhuǎn)移襯底，并在所述轉(zhuǎn)移襯底的一面制作金錫層，將所述轉(zhuǎn)移襯底制作金錫 的一面與P鍵合層電極鍵合，
步驟6、采用激光剝離所述襯底，清洗各堆棧單體結(jié)構(gòu)各自的N型GaN層，在鍵合工藝 后進(jìn)行激光剝離，可以防止芯片受損；
步驟7、在各N型GaN層上制作N電極。 步驟8、在所述轉(zhuǎn)移襯底的另一面制作金錫層。
在上述兩個(gè)實(shí)施例中，采用了氫氧化鉀與氫氧化鈉混合的堿性溶液進(jìn)行腐蝕，能夠得到 比較好的穩(wěn)定性。
再請參閱圖4，由于常規(guī)芯片的側(cè)壁是豎直的，當(dāng)輻射出的光子P以入射角&到達(dá)第一壁 wl，經(jīng)反射后會(huì)以入射角A到達(dá)第二壁w2 (即側(cè)壁)，再次反射后會(huì)以入射角A到達(dá)第三 壁w3，則由入射角&二90e—A， A = A，而對于常用的氮化鎵材料的LED芯片，其光逃逸 錐形臨界角(light escape cone critical angle)約為23.5°，因此，只要光子P的入射角A滿足條件 23.5°<^1<66.5°時(shí)，其會(huì)因不斷地被各壁反射而導(dǎo)致能量在芯片內(nèi)的消耗，最終無法出光，降 低了光取出率。
請參閱圖5，到達(dá)第二壁，即側(cè)壁w2的光子，由于側(cè)壁被粗化，改變了原有路線，因此 只要入射光子的角度垂直于側(cè)壁，光子就可逃逸出去，增加光子的逃逸率，即，增加了光取出 率。同時(shí)通過優(yōu)化腐蝕技術(shù)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)芯片側(cè)壁形成凸形圓孢或錐狀凸起，出光效果最佳。
上述凸起能夠使芯片側(cè)壁的光取出效率增加1倍多，芯片的亮度和毫瓦數(shù)均比常規(guī)工藝 芯片提升20%以上。
并且，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管在生長外延之前進(jìn)行襯底刻蝕工藝，使得外延生長過程中累積的應(yīng)力減小，能夠減輕后續(xù)工藝對芯片的損壞。
以上實(shí)施例僅用以說明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案。任何不脫離本發(fā)明精神和范圍的技 術(shù)方案，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利申請范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管芯片，包括生長襯底、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、N電極及P電極，其特征在于芯片側(cè)壁被粗化，在芯片的側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于所述粗化的芯片側(cè)壁包括N型 GaN層、量子阱層及P型GaN層的側(cè)壁。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于所述生長襯底為Si襯底、Cu 襯底、SiC襯底、藍(lán)寶石襯底、圖形化襯底中的任一者。
4、 一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步驟步驟1、首先在生長襯底表面利用光刻和刻蝕或激光劃片工藝形成溝道，所述溝道直接 把生長襯底表面分割成和最終芯片完全一樣尺寸的小區(qū)間，生長襯底刻蝕形成的溝道深度為15 — 50微米；步驟2、在己形成溝道的所述生長襯底上依次生長出N型GaN層、量子阱層、及P型 GaN層，且使所述溝道相應(yīng)向上延伸成長溝道，以形成由生長襯底、N型GaN層、量子阱層、 及P型GaN層構(gòu)成的相互分離的各堆棧單體結(jié)構(gòu)；步驟3、采用光刻和刻蝕技術(shù)對被所述長溝道道分隔的所述各堆棧單體結(jié)構(gòu)刻蝕至各自 的N型GaN層，以拓寬所述長溝道上半部的寬度；步驟4、使用溫度范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合 溶液，對已被拓寬的所述長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化，在芯 片側(cè)壁形成微結(jié)構(gòu)；步驟5、在己被粗化的各堆棧單體結(jié)構(gòu)上制造透明電極及N/P電極。
5、 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述步驟1完成后 所形成的溝道深入所述生長襯底15—20微米。
6、 如權(quán)利要求4或5所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述步驟1完 成后所形成的溝道深入所述生長襯底20微米。
7、 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟2中所述氫氧 化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度優(yōu)選范圍為145-220度，所述容積比優(yōu)選范圍為為3-10M/L。
8、 一種發(fā)光二極管芯片，依次包括轉(zhuǎn)移襯底層、P電極層、P反射鏡層、電流擴(kuò)散層、 P型GaN層、量子阱層、N型GaN層及N電極，.其特征在于芯片側(cè)壁被粗化，在芯片的側(cè) 壁形成微結(jié)構(gòu)。
9、 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于所述粗化的芯片側(cè)壁包括N型 GaN層、量子阱層及P型GaN層的側(cè)壁。
10、 如權(quán)利要求8或9所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于所述P電極層為金或合金 材料；所述反射鏡層為Ag或Al材料。
11、 一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟.-步驟l、采用光刻和刻蝕工藝或激光劃片工藝，對生長襯底刻蝕形成深度為15 — 50微米 的溝道；步驟2、在已形成溝道的生長襯底上依次生長出N型GaN層、量子阱層、及P型GaN 層，且使所述溝道相應(yīng)向上延伸成長溝道，以形成由生長襯底、N型GaN層、量子阱層、及 P型GaN層構(gòu)成的相互分離的各堆棧外延結(jié)構(gòu)； 步驟3、使用溫度范圍為140-300度、容積比為2-20M/L的氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合 溶液，對所述長溝道側(cè)壁進(jìn)行3-30分鐘的濕法腐蝕，使芯片的側(cè)壁被粗化，在芯片側(cè)壁形成 微結(jié)構(gòu)；步驟4、對已粗化的各堆棧單體結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延清洗后，再在各堆棧單體結(jié)構(gòu)各自的P型 GaN層制作包括電流擴(kuò)散層、P反射鏡、及P電極的P鍵合層，并將轉(zhuǎn)移襯底與所述P鍵合 層鍵合；步驟5、剝離所述生長襯底，清洗各堆棧外延結(jié)構(gòu)各自的N型GaN層，在各N型GaN 層上制作N電極。
12、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述步驟1完成 后所形成的溝道深入所述生長襯底15—20微米。
13、 如權(quán)利要求11或12所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述步驟l 完成后所形成的溝道深入所述生長襯底20微米。
14、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于步驟3中所述氫 氧化鉀與氫氧化鈉的混合溶液的溫度優(yōu)選范圍為145-220度，所述容積比優(yōu)選范圍為為 3-10M/L。
15、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于還包括在所述轉(zhuǎn) 移襯底一表面制作金錫層以便于與所述P鍵合層鍵合的步驟。
16、 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于所述P電極層為金或合金材料，所述反射鏡層為Ag或Al材料。
17、 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于還包括在所述轉(zhuǎn) 移襯底另一面制作金錫層的步驟。
全文摘要
一種發(fā)光二極管芯片，包括生長襯底、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、N電極、P電極，芯片側(cè)壁被粗化形成微結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，包括對生長襯底刻蝕或激光劃片形成溝道；生長外延形成長溝道；腐蝕長溝道側(cè)壁的步驟。一種發(fā)光二極管芯片，包括P電極層、轉(zhuǎn)移襯底層、反射鏡層、電流擴(kuò)散層、P型GaN層、量子阱層、N型GaN層及N電極，芯片側(cè)壁被粗化形成微結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括包括對生長襯底刻蝕形成走道；生長外延形成長溝道；腐蝕長溝道側(cè)壁的步驟。具有側(cè)壁微觀結(jié)構(gòu)的芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦數(shù)均比常規(guī)工藝芯片高20％以上。
文檔編號H01L33/00GK101661988SQ200910195849
公開日2010年3月3日 申請日期2009年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者劉亞柱, 楠 張, 李士濤, 潘堯波, 袁根如, 郝茂盛, 誠 陳 申請人:上海藍(lán)光科技有限公司;彩虹集團(tuán)公司