專利名稱：超薄封裝工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝工藝，尤其是一種超薄封裝工藝。
背景技術：
傳統(tǒng)的半導體芯片的封裝工藝，尤其是針對如圖IA所示的引線框架的封裝工藝， 具體包括如下步驟步驟1，如圖IA所示，刻蝕；對引線框架進行頂部刻蝕，形成載片臺和若干引腳，并 且該引線框架的底部仍保有完整的銅基面；步驟2，如圖IB所示，貼片；將芯片貼附在載片臺上；步驟3，如圖IC所示，打線；用金屬線連接芯片和引腳；步驟4，如圖ID所示，塑封；將芯片、載片臺和引腳包封在塑封體內；步驟5，如圖IE所示，底部刻蝕；對引線框架進行底部刻蝕，使載片臺和引腳之間 完全分隔；步驟6，如圖IF所示，電鍍；在載片臺和引腳的底部鍍上金屬層；步驟7，如圖IG所示，切割；對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，形成若干 獨立的器件。其缺陷在于1，由于銅基面具有一定的厚度，導致整個封裝體的厚度也相對較大； 2，因封裝體較厚而導致浪費封裝材料；3，在底部刻蝕步驟中，由于無法準確的定位，易產(chǎn)生 刻蝕偏移，影響刻蝕效果。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種超薄封裝工藝，采用研磨工藝來代替底部刻蝕工藝，能 有效的解決封裝厚度的問題，由于避免了底部刻蝕步驟，從而降低了成本，并且保證了操作 步驟的高精確度。為了達到上述目的，本發(fā)明的技術方案是提供一種超薄封裝工藝，包括以下步 驟步驟1、刻蝕對引線框架進行頂部刻蝕，形成載片臺和若干引腳；該刻蝕步驟并 未將引線框架腐蝕穿，該引線框架的底部仍保有完整的金屬基面；步驟2、貼片將芯片貼附在載片臺上；步驟3、金屬連接用金屬導體連接芯片和引腳；步驟4、塑封將芯片、載片臺和引腳包封在塑封體內，而引線框架的金屬基面露 出于塑封體的底部；步驟5、研磨對引線框架的底部進行研磨，研磨至塑封體和金屬基面的交界處， 完全去除底部的金屬基面后，繼續(xù)研磨一定厚度(該厚度可根據(jù)實際尺寸，預先計算)，確 保載片臺和引腳之間完全分隔；步驟6、電鍍在載片臺和引腳的底部鍍上金屬層；
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步驟7、切割對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，形成若干獨立的器件。其中，在所述的步驟5和步驟6之間，還可包含釋放應力的步驟，即使用退火烘烤 或者表面微刻蝕的方法釋放研磨應力。進一步，在所述的步驟5中還包含對塑封體的頂部進行研磨的步驟，即將塑封體 的頂部研磨除掉一部分，研磨的厚度可根據(jù)實際尺寸預先計算，以不露出連接芯片和引腳 的金屬導體為適宜。所述的步驟6中的金屬層為錫層或金層。本發(fā)明由于用研磨步驟替代了現(xiàn)有技術的底部刻蝕操作，使超薄封裝成為可能； 由于在研磨步驟中設置了應力釋放操作，使研磨中和研磨前，封裝體內部各層間的應力得 以釋放，提高了產(chǎn)品的可靠性。封裝工藝具有高密度，高精度，低成本的優(yōu)點。


圖IA IG為現(xiàn)有封裝工藝的流程圖；圖2A 2G為本發(fā)明超薄封裝工藝的流程圖。圖3為本發(fā)明超薄封裝工藝的流程圖框圖。
具體實施例方式如圖3所示，本發(fā)明超薄封裝工藝的一種較佳實施例，包括以下步驟步驟1 刻蝕；如圖2A所示，對引線框架1進行頂部刻蝕，形成載片臺3和若干引腳4 ；該刻蝕步 驟并未將引線框架腐蝕穿，該引線框架1的底部仍保有完整的銅基面；步驟2:貼片；如圖2B所示，將芯片2貼附在載片臺3上；步驟3:金屬連接；用金屬導體5連接芯片2和引腳4;其中，可如圖2C-1所示通過金屬線來連接芯片2和引腳4 ；另外，也可如圖2C_2所 示通過金屬帶或金屬片等連接芯片2和引腳4 ；步驟4:塑封；如圖2D所示，將芯片2、載片臺3和引腳4包封在塑封體6內，而引線框架1的銅 基面露出于塑封體6的底部；步驟5 研磨；如圖2E所示，對引線框架1的底部進行研磨，研磨至塑封體6和銅基面的交界處， 完全去除底部的銅基面后，繼續(xù)研磨一定厚度，確保載片臺3和引腳4之間完全分隔；將塑封體的頂部研磨除掉一部分，研磨的厚度可根據(jù)實際尺寸預先計算，以不露 出連接芯片和引腳的金屬導體為適宜；使用溫度在160攝氏度至175攝氏度之間的退火烘烤或者表面微刻蝕的方法釋放 研磨應力；步驟6:電鍍；如圖2F所示，在載片臺3和引腳4的底部鍍上金屬層8 ；所述的步驟6中的金屬層8為錫層。步驟7:切割；如圖2G所示，對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，形成若干獨立的器件。在上述的步驟6中，金屬層8也可以為金層。本發(fā)明由于用研磨步驟替代了現(xiàn)有技術的底部刻蝕操作，使超薄封裝成為可能。 由于在研磨步驟中設置了應力釋放操作，使研磨中和研磨前，封裝體內部各層間的應力得 以釋放，提高了產(chǎn)品的可靠性。而且，在超薄封裝工藝中，使用研磨步驟也將成為一種趨勢。盡管本發(fā)明的內容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的 描述不應被認為是對本發(fā)明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容后，對于本發(fā)明的 多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護范圍應由所附的權利要求來限定。
權利要求
1.一種超薄封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟 步驟1 刻蝕；對引線框架⑴進行頂部刻蝕，形成載片臺⑶和若干引腳⑷；該刻蝕步驟并未將引 線框架腐蝕穿，該引線框架(1)的底部仍保有完整的金屬基面； 步驟2:貼片；將芯片⑵貼附在載片臺⑶上； 步驟3:金屬連接；用金屬導體(5)連接芯片(2)和引腳⑷； 步驟4:塑封；將芯片(2)、載片臺(3)和引腳(4)包封在塑封體(6)內，而引線框架(1)的金屬基面 露出于塑封體(6)的底部； 步驟5 研磨；對引線框架(1)的底部進行研磨，研磨至塑封體(6)和金屬基面的交界處，完全去除底 部的金屬基面后，繼續(xù)研磨一定厚度，確保載片臺(3)和引腳(4)之間完全分隔； 步驟6:電鍍；在載片臺⑶和引腳⑷的底部鍍上金屬層⑶； 步驟7:切割；對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，形成若干獨立的器件。
2.如權利要求1所述的超薄封裝工藝，其特征在于所述的步驟5和步驟6之間，還包 含步驟使用退火烘烤或者表面微刻蝕的方法釋放研磨應力。
3.如權利要求1所述的超薄封裝工藝，其特征在于所述的步驟5還包含對塑封體的 頂部進行研磨的步驟將塑封體的頂部研磨除掉一部分，研磨的厚度可根據(jù)實際尺寸預先計算，以不露出連 接芯片和引腳的金屬導體為適宜。
4.如權利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于所述的步驟3中的金屬導體(5)為金屬線，或金屬片，或金屬帶。
5.如權利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于 所述的步驟6中的金屬層(8)為錫層。
6.如權利要求1所述的一種超薄封裝工藝，其特征在于 所述的步驟6中的金屬層(8)為金層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種超薄封裝工藝，包括步驟1刻蝕；對引線框架進行頂部刻蝕，形成載片臺和若干引腳；步驟2貼片；將芯片放置在載片臺上；步驟3金屬連接；用金屬導體連接芯片和引腳；步驟4塑封；將芯片，載片臺和引腳包封在塑封體內，基板的底部凸出于塑封體的底部；步驟5研磨；將基板的底部研磨除掉；步驟6電鍍；在載片臺和引腳底座的底部鍍上金屬層；步驟7切割；對已經(jīng)鍍好金屬層的半成品進行切割操作，將芯片一顆顆獨立開來。本發(fā)明由于用研磨步驟替代了現(xiàn)有技術的底部刻蝕操作，能有效的減小封裝的厚度，可實現(xiàn)超薄的半導體封裝，并且可降低成本，保證封裝工藝的高精確度。
文檔編號H01L21/50GK101996889SQ20091016731
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月13日 優(yōu)先權日2009年8月13日
發(fā)明者汪利民, 石磊, 趙良 申請人:萬國半導體股份有限公司