專利名稱：封裝電路基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種運(yùn)用無導(dǎo)線電鍍 技術(shù)制造封裝電路基板的方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在新世代的電子產(chǎn)品中，不斷地追求元件的輕薄短小，使得集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)元件朝高密度發(fā)展，因此，印刷電路板(Printed Circuit Board，簡稱 PCB)也隨之對應(yīng)進(jìn)行微小化設(shè)計(jì)，使電性連接線路的配置更加地密集化。目前常使用影像轉(zhuǎn)移技術(shù)制作連接線路，即所謂的影像轉(zhuǎn)移技術(shù)，經(jīng)由上光致抗 蝕劑、曝光、顯影、電鍍、去膜與蝕刻的一連串工藝，以圖案化所需的線路，然而，使用影像轉(zhuǎn) 移技術(shù)時(shí)，工藝中的每一步驟皆需最佳化地控制，特別是關(guān)于微細(xì)線路的電鍍工藝，更需精 準(zhǔn)地控制，才能得到所需的線路。因此，對于封裝電路基板而言，電鍍工藝是很重要的工藝 步驟，特別是在欲電鍍區(qū)域形成可靠度佳的電鍍層，且在綠漆后制作背面導(dǎo)通，電路基板上 無痕跡的連接線路。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一目的在于解決無導(dǎo)線設(shè)計(jì)之欲電鍍區(qū)的電鍍方法。本發(fā)明另一目的在于解決在電鍍鎳金后，涂布綠漆所造成綠漆與鎳金層因結(jié)合力 不佳，而使綠漆容易脫落的問題。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板，具有至少 一圖案化第一導(dǎo)電層于該基板上；形成一圖案化的第一阻擋層于該第一導(dǎo)電層上，定義出 一電鍍區(qū)域和一導(dǎo)電開口區(qū)域，其中該電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域露出該第一導(dǎo)電層；順 應(yīng)性地形成一第二導(dǎo)電層于該基板上，覆蓋該第一阻擋層、該電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域； 形成一第二阻擋層于該第二導(dǎo)電層上；圖案化該第二阻擋層與該第二導(dǎo)電層，顯露出該電 鍍區(qū)域；電鍍一金屬層于該電鍍區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層上，其中該電鍍步驟的一電流路徑 是經(jīng)由該第二導(dǎo)電層與該導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一 導(dǎo)電層；以及移除該第二阻擋層與該第二導(dǎo)電層。本發(fā)明的實(shí)施例另提供一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板，其具有 一導(dǎo)通孔、一圖案化第一上導(dǎo)電層于該基板的一第一面上、及一圖案化第一下導(dǎo)電層于該 基板的一第二面上；形成一第一上阻擋層于該第一面上且形成一第一下阻擋層于該第二面 上；圖案化該第一上阻擋層，以定義出一電鍍區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域，且圖案化該第一 下阻擋層，以定義出一第二導(dǎo)電開口區(qū)域，其中該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層通過該導(dǎo) 通孔與該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層構(gòu)成一連續(xù)導(dǎo)體；順應(yīng)性地形成一第二上 導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第一上阻擋層、該電鍍區(qū)域和該第一導(dǎo)電開口區(qū)域，且形成一 第二下導(dǎo)電層于該第二面上，覆蓋該第一下阻擋層和該第二導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第二上 阻擋層于該第二上導(dǎo)電層上，及形成一第二下阻擋層于該第二下導(dǎo)電層上；圖案化該第二上阻擋層與該第二上導(dǎo)電層，顯露出該電鍍區(qū)域；施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一電鍍層于該 電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層上，其中該無導(dǎo)線電鍍步驟的一第一電鍍電流路徑是經(jīng)由該 第二上導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一 上導(dǎo)電層，以及其中該無導(dǎo)線電鍍步驟的一第二電鍍電流路徑是經(jīng)由該第二下導(dǎo)電層與該 第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層，通過該導(dǎo)通孔，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一上 導(dǎo)電層；以及移除該第二上阻擋層與該第二上導(dǎo)電層及該第二下阻擋層與該第二下導(dǎo)電 層。本發(fā)明的實(shí)施例另提供一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板結(jié)構(gòu)，其 具有一圖案化第二上導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上、及一圖案化第二下導(dǎo)電層于該基 板結(jié)構(gòu)的一第二面上；形成一圖案化的第一上阻擋層于該第一面上，定義出一第一電鍍區(qū) 域、一第二電鍍區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域，及形成一圖案化第一下阻擋層于該第二面上， 定義出一第二導(dǎo)電開口區(qū)域；順應(yīng)性地形成一第三上導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第一上 阻擋層、該第一電鍍區(qū)域、該第二電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域，并且形成一第三下導(dǎo)電層于 該第二面上，覆蓋該第一下阻擋層和該第二導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第二上阻擋層于該第三 上導(dǎo)電層上，并且形成一第二下阻擋層于該第三下導(dǎo)電層上；圖案化該第二上阻擋層與該 第三上導(dǎo)電層，以顯露出該第一電鍍區(qū)域和該第二電鍍區(qū)域；施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一 第一電鍍層于該第一電鍍區(qū)域與該第二電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層上，其中該電鍍步驟 的一第一電鍍電流路徑是經(jīng)由該第三上導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電 層，傳導(dǎo)至該第一電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層，及其中該電鍍步驟的一第二電鍍電流路 徑是經(jīng)由該第三下導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第二下導(dǎo)電層，通過該基板結(jié)構(gòu)， 傳導(dǎo)至該第二電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層；移除該第二上阻擋層及移除該第二下阻擋 層；順應(yīng)性地形成一第四導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第三上導(dǎo)電層、該第一電鍍區(qū)域、該 第二電鍍區(qū)域和該第一導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第三上阻擋層于該第四導(dǎo)電層上，及形成一 第三下阻擋層于該第三下導(dǎo)電層上；移除該第三下阻擋層與該第三下導(dǎo)電層；施以無導(dǎo)線 電鍍法，以形成一電鍍層于該第二下導(dǎo)電層上；以及移除該第三上阻擋層、該第三上導(dǎo)電層 與該第四導(dǎo)電層。本發(fā)明的實(shí)施例又提供一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)，包括一基板，具有一導(dǎo)通孔、一圖案化第一上導(dǎo)電層于該基板的一第一面上、及一圖案 化第一下導(dǎo)電層于該基板的一第二面上；一圖案化第一上阻擋層于該第一面上，定義出一 電鍍區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域；一圖案化第一下阻擋層于該第二面上，定義出一第二導(dǎo) 電開口區(qū)域；一上電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層上；以及一下電鍍層于該第二 導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層上。本發(fā)明的實(shí)施例又再提供一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)，包括一基板結(jié)構(gòu)，其具有一圖 案化第二上導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上、及一圖案化第二下導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的 一第二面上；一圖案化的第一上阻擋層于該第一面上，定義出一第一電鍍區(qū)域、一第二電鍍 區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域；一圖案化第一下阻擋層于該第二面上，定義出一第二導(dǎo)電開 口區(qū)域；一第一電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層上；以及一第二電鍍層于該第二 導(dǎo)電開口區(qū)域的該第二下導(dǎo)電層上。本發(fā)明的實(shí)施例可形成三面完整包覆電鍍區(qū)域，以獲得較佳的可靠度。并且，在完成綠漆步驟后，制作背面導(dǎo)通，電路基板上無痕跡。再者，輔以設(shè)置于電路板內(nèi)的導(dǎo)通孔，將 電鍍電流由背面導(dǎo)通至正面欲電鍍的區(qū)域，使得無導(dǎo)線電鍍技術(shù)的電鍍效果更佳。為使本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖IA 圖IF是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例封裝基板的制造方法各工藝步驟的剖 面示意圖；圖2A顯示于圖IF中電鍍區(qū)域的電鍍層150a的局部區(qū)域2的平面示意圖；圖2B是顯示于圖2A中沿切割線2B-2B的剖面示意圖；以及圖3A 圖3J是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例封裝電路基板的制造方法各工藝步驟 的剖面示意圖上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下110 基板；113 導(dǎo)通孔；115 第一導(dǎo)電層；120a、120b 第一上、下阻擋層；P 電鍍區(qū)域；121、122 導(dǎo)電開口區(qū)域；125a、125b 欲電鍍的第一導(dǎo)電層的表面；130a、130b 第二上、下導(dǎo)電層；140a、140b 第二上、下阻擋層；150a、150b、150c 電鍍層；2 局部區(qū)域；A、B 電鍍電流路徑；
200 電路基板結(jié)構(gòu)；201 基板；204 導(dǎo)通孔；205a,205b 上、下介電層；206 導(dǎo)電盲孔；207a,207b 第二上、下導(dǎo)電層；209a、209b 第一上、下阻擋層；211a、211b 第二上導(dǎo)電層的表面；213a、213b 導(dǎo)電開口區(qū)域；214a、214b 電鍍區(qū)域；215a、215b 第二上、下阻擋層；220a、222a 電鍍層；220b、222b 電鍍層；225a 第四導(dǎo)電層；230a、230b 第三上、下阻擋層；
235a、235b 欲電鍍表面；240、242 電鍍層
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，作為本發(fā)明的參考依據(jù)。在 附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或 是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之， 值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式， 另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。有鑒于此，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種利用無導(dǎo)線電鍍技術(shù)制造封裝電路基板的方 法。更明確地說，通過電路基板上互連的無電鍍區(qū)，形成與欲電鍍區(qū)相連的電性連接，以此 為導(dǎo)電路徑所形成的電鍍層，其特性在于可形成三面完整包覆電鍍區(qū)域，其可靠度較佳。再 者，在完成綠漆步驟后，制作背面導(dǎo)通，在電路基板上無留下痕跡。例如，中國臺(tái)灣專利第 1240400號揭示一種封裝基板的制造方法，通過設(shè)置于電路板內(nèi)的導(dǎo)通孔，將電鍍電流由背 面導(dǎo)通至正面欲電鍍的區(qū)域。圖1A 圖1F是顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例封裝電路基板的制造方法各工藝步驟 的剖面示意圖。請參閱圖1A，首先提供一基板110，其中基板110的材料可包括紙質(zhì)酚醛樹 月旨(paper phenolic resin)、復(fù)合環(huán)氧樹脂(composite epoxy)、聚酰亞胺樹脂(polyimide resin)或玻璃纖維(glass fiber)。在基板110中，包含至少一導(dǎo)通孔(through hole) 113， 形成導(dǎo)通孔113的目的在于建立導(dǎo)通基板110上下兩面的導(dǎo)電通路(例如圖案化的第一導(dǎo) 電層115)，構(gòu)成電路基板結(jié)構(gòu)，以利后續(xù)的雙面增層線路。此處需注意的是，適用于本發(fā)明 的電路基板的形式并非以此為限，另可為單面板、雙面板或多層電路基板。請參閱圖1B，形成一第一阻擋層于電路基板的兩面上，例如可依序形成一第一上 阻擋層120a于電路基板的正面與形成一第一下阻擋層120b于電路基板的背面。接著，進(jìn) 行圖案化該第一上阻擋層120a，以定義出一電鍍區(qū)域P露出欲電鍍的第一導(dǎo)電層的表面 125a、125b，并同步定義出一導(dǎo)電開口區(qū)域121。接著，進(jìn)行圖案化第一下阻擋層120b，以定 義出導(dǎo)電開口區(qū)域122。請參閱圖1C，順應(yīng)性地形成一第二上導(dǎo)電層130a于電路基板的正面上，覆蓋該第 一上阻擋層120a、電鍍區(qū)域P和導(dǎo)電開口區(qū)域121。且形成一第二下導(dǎo)電層130b于電路基 板的背面上，覆蓋該第一下阻擋層120b和導(dǎo)電開口區(qū)域122。形成第二導(dǎo)電層130a、130b的 方法包括濺鍍法(sputtering)、電子槍蒸鍍(E_gun evaporation)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、 物理氣相沉積(PVD)，或其他公知的鍍膜法。第二導(dǎo)電層130a、130b的材料為可移除的金 屬，例如Cu、Al、Ni、Fe、Cr或其他金屬材料。接著，分別形成第二上阻擋層140a于第二上 導(dǎo)電層130a上，和形成第二下阻擋層140b于第二下導(dǎo)電層130b上。再施以圖案化步驟， 以定義第二上阻擋層140a和第二上導(dǎo)電層130a，露出電鍍區(qū)域P，如圖1D所示。接著，請參閱圖1E，施以無導(dǎo)線電鍍工藝，以形成電鍍層150a、150b (例如Au/Ni復(fù) 合層)于欲電鍍的第一導(dǎo)電層的表面125a、125b上。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，電鍍層150a、 150b的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、Sn、Cr或其他金屬材料構(gòu)成。形成電鍍層150a的電鍍 電流路徑依序?yàn)殡娫?未圖示)、第二下導(dǎo)電層130b、第一導(dǎo)電層115、電路基板內(nèi)導(dǎo)通孔、第一導(dǎo)電層的表面125a，如虛線路徑A所示。電鍍層150b的電鍍電流路徑依序?yàn)殡娫?未 圖示)、第二上導(dǎo)電層130a、第一導(dǎo)電層115、第一導(dǎo)電層的表面125b，如虛線路徑B所示。請參閱圖1F，依序移除第二上阻擋層140a、第二下阻擋層140b與第二上導(dǎo)電層 130a、第二下導(dǎo)電層130b。接著，進(jìn)行后續(xù)的工藝步驟，以完成封裝電路基板的制作。例如， 施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一電鍍層150c于基板背面的第一導(dǎo)電層115上，詳細(xì)的步驟可 參考圖3E 圖3J的實(shí)施例。圖2A顯示于圖IF中電鍍區(qū)域的電鍍層150a的局部區(qū)域2的平面示意圖，圖2B 顯示于圖2A中沿切割線2B-2B的剖面示意圖。本發(fā)明實(shí)施例的無導(dǎo)線電鍍技術(shù)的特點(diǎn)在 于，通過電路基板上無電鍍區(qū)與電鍍區(qū)形成電性連接，以此為電鍍電流路徑所形成的電鍍 層，其特性在于可形成三面完整包覆電鍍區(qū)域，如圖2B所示，可靠度較佳。并且，在完成綠 漆步驟后，制作背面導(dǎo)通，電路基板上無痕跡，如圖2A所示。圖3A 圖3J顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例封裝電路基板的制造方法各工藝步驟的 剖面示意圖。請參閱圖3A，提供一電路基板結(jié)構(gòu)200，其包括基板201、導(dǎo)通孔204形成于 基板201中、圖案化的第一導(dǎo)電層203構(gòu)成的導(dǎo)電通路、上、下介電層205a和205b、及多個(gè) 導(dǎo)電盲孔206于介電層205a和205b中。接著，形成一圖案化第二上導(dǎo)電層207a于電路基 板結(jié)構(gòu)200的第一面(例如正面)上，且形成一圖案化第二下導(dǎo)電層207b于電路基板結(jié)構(gòu) 200的第二面(例如背面)上。再形成一圖案化的第一上阻擋層209a于電路基板結(jié)構(gòu)200 的第一面上，定義出第一電鍍區(qū)域214a露出欲電鍍的第二上導(dǎo)電層207a的表面211a、第二 電鍍區(qū)域214b露出欲電鍍的第二上導(dǎo)電層207a的表面211b，并且定義出第一導(dǎo)電開口區(qū) 域213a，以及形成一圖案化第一下阻擋層209b于第二面上，定義出導(dǎo)電開口區(qū)域213b于該 電路基板結(jié)構(gòu)的第二面上。接著，選擇性地施以一表面預(yù)處理步驟處理該電路基板結(jié)構(gòu)的第一面與第二面。 表面預(yù)處理步驟處理可通過過硫酸鈉(Sodium persulfate，簡稱SPS)、硫酸、雙氧水等處理。請參閱圖3B，順應(yīng)性地形成一第三上導(dǎo)電層210a于該第一面上，覆蓋第一上阻 擋層209a、電鍍區(qū)域214a和214b、以及導(dǎo)電開口區(qū)域213a。并且，形成一第三下導(dǎo)電層 210b于該第二面上，覆蓋第一下阻擋層209b和導(dǎo)電開口區(qū)域213b。形成第三導(dǎo)電層210a、 210b的方法包括濺鍍法(sputtering)、電子槍蒸鍍(Ε-gun evaporation)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、物理氣相沉積(PVD)，或其他公知的鍍膜法。第三導(dǎo)電層210a、210b的材料為可移除 的金屬，例如Cu、Al、Ni、Fe、Cr或其他金屬材料。接著，形成一第二上阻擋層215a于第三上導(dǎo)電層210a上，及形成一第二下阻擋層 215b于第三下導(dǎo)電層210b上。第二阻擋層215a、215b的材料可為干光致抗蝕劑膜或濕光 致抗蝕劑膜。接著，請參閱圖3C，進(jìn)行圖案化該第二上阻擋層215a與第三上導(dǎo)電層210a，顯露 出電鍍區(qū)域中欲電鍍的表面211a、211b。施以無導(dǎo)線電鍍步驟，形成電鍍層于電鍍區(qū)域中的 欲電鍍的表面211a、211b上。電鍍層的材料可為Au/Ni復(fù)合鍍層，或者由Cu、Fe、Au、Ag、Ni、 SruCr或其他金屬材料構(gòu)成。電鍍層220a、222a的電鍍電流路徑依序?yàn)殡娫?未圖示)、第 三下導(dǎo)電層210b、第二下導(dǎo)電層207b、電路基板結(jié)構(gòu)內(nèi)的導(dǎo)電盲孔206和導(dǎo)通孔、第二上導(dǎo) 電層207a的表面21 Ia (虛線路徑A)。電鍍層220b、222b的電鍍電流路徑依序?yàn)殡娫?未圖示)、第三上導(dǎo)電層210a、第二上導(dǎo)電層207a的表面211b (虛線路徑B)，如圖3D所示。接著，請參閱圖3E，移除第二上阻擋層215a及第二下阻擋層215b。接著，順應(yīng)性地 形成一第四導(dǎo)電層225a，例如濺鍍一銅金屬層于電路基板結(jié)構(gòu)的第一面上，覆蓋第三上導(dǎo) 電層、電鍍區(qū)域和導(dǎo)電開口區(qū)域。接著，形成一第三上阻擋層230a于第四導(dǎo)電層225a上， 并且形成一第三下阻擋層230b于該第三下導(dǎo)電層210b上，如圖3F所示。根據(jù)本發(fā)明另一 實(shí)施例，亦可選擇不形成第三下阻擋層230b，直接移除第三下導(dǎo)電層210b后，進(jìn)行后續(xù)的 工藝。接著，請參閱圖3G，移除該第三下阻擋層230b與第三下導(dǎo)電層210b，露出欲電鍍 表面235a和235b。再施以無導(dǎo)線電鍍步驟，形成電鍍層240、242 (例如Au/Ni復(fù)合層)于 電鍍區(qū)域中的第二下導(dǎo)電層207b上，如圖3H所示。接著，請參閱圖31，移除第三上阻擋層230a與第四導(dǎo)電層225a及第三上導(dǎo)電層 210a。接著，進(jìn)行后續(xù)的工藝步驟，以完成封裝電路基板的制作，如圖3J所示。本發(fā)明的實(shí)施例利用無導(dǎo)線電鍍技術(shù)形成電鍍層于封裝電路基板上，其特點(diǎn)在 于，通過電路基板上無電鍍區(qū)與電鍍區(qū)形成電性連接，以此為電鍍電流路徑所形成的電鍍 層，其特性在于可形成三面完整包覆電鍍區(qū)域，以獲得較佳的可靠度。并且，在完成綠漆步 驟后，制作背面導(dǎo)通，電路基板上無痕跡。再者，輔以設(shè)置于電路板內(nèi)的導(dǎo)通孔，將電鍍電流 由背面導(dǎo)通至正面欲電鍍的區(qū)域，可使得無導(dǎo)線電鍍技術(shù)的電鍍效果更佳。本發(fā)明雖以優(yōu)選實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板，具有至少一圖案化第一導(dǎo)電層于該基板上；形成一圖案化的第一阻擋層于該第一導(dǎo)電層上，定義出一電鍍區(qū)域和一導(dǎo)電開口區(qū)域，其中該電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域露出該第一導(dǎo)電層；順應(yīng)性地形成一第二導(dǎo)電層于該基板上，覆蓋該第一阻擋層、該電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第二阻擋層于該第二導(dǎo)電層上；圖案化該第二阻擋層與該第二導(dǎo)電層，顯露出該電鍍區(qū)域；電鍍一金屬層于該電鍍區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層上，其中該電鍍步驟的一電流路徑是經(jīng)由該第二導(dǎo)電層與該導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層；以及移除該第二阻擋層與該第二導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板的材料包括紙質(zhì)酚醛樹 脂、復(fù)合環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或玻璃纖維。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中形成第二導(dǎo)電層的步驟包括濺 鍍法、電子槍蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中該第二導(dǎo)電層的材料為可移除 的金屬，包括01、々1、附、？6、或0。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料為Au/M復(fù)合層。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料包括Cu、Fe、 Au、Ag、Ni、Sn^Cr。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板包括一單面板、一雙面 板、或一多層電路板。
8. 一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板，其具有一導(dǎo)通孔、一圖案化第一上導(dǎo)電層于該基板的一第一面上、及一圖 案化第一下導(dǎo)電層于該基板的一第二面上；形成一第一上阻擋層于該第一面上且形成一第一下阻擋層于該第二面上； 圖案化該第一上阻擋層，以定義出一電鍍區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域，且圖案化該第 一下阻擋層，以定義出一第二導(dǎo)電開口區(qū)域，其中該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層通過該 導(dǎo)通孔與該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層構(gòu)成一連續(xù)導(dǎo)體；順應(yīng)性地形成一第二上導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第一上阻擋層、該電鍍區(qū)域和該 第一導(dǎo)電開口區(qū)域，且形成一第二下導(dǎo)電層于該第二面上，覆蓋該第一下阻擋層和該第二 導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第二上阻擋層于該第二上導(dǎo)電層上，及形成一第二下阻擋層于該第二下導(dǎo)電層上；圖案化該第二上阻擋層與該第二上導(dǎo)電層，顯露出該電鍍區(qū)域； 施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層上，其中該無 導(dǎo)線電鍍步驟的一第一電鍍電流路徑是經(jīng)由該第二上導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層，以及其中該無導(dǎo)線電鍍步驟的 一第二電鍍電流路徑是經(jīng)由該第二下導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層， 通過該導(dǎo)通孔，傳導(dǎo)至該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層；以及移除該第二上阻擋層與該第二上導(dǎo)電層及該第二下阻擋層與該第二下導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板的材料包括紙質(zhì)酚醛樹 脂、復(fù)合環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或玻璃纖維。
10.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中形成第二上、下導(dǎo)電層的步驟 包括濺鍍法、電子槍蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法。
11.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中該第二上、下導(dǎo)電層的材料為 可移除的金屬，包括01、々1、附、？6、或0。
12.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料為Au/Ni復(fù)合層。
13.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料包括Cu、Fe、 Au、Ag、Ni、Sn、或 Cr。
14.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板包括一單面板、一雙面 板、或一多層電路板。
15.如權(quán)利要求8所述的封裝電路基板的制造方法，于移除該第二下阻擋層與該第二 下導(dǎo)電層后，更包括施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一背面電鍍層于該基板背面的該第一導(dǎo)電層上。
16.一種封裝電路基板的制造方法，包括提供一基板結(jié)構(gòu)，其具有一圖案化第二上導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上、及一圖 案化第二下導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第二面上；形成一圖案化的第一上阻擋層于該第一面上，定義出一第一電鍍區(qū)域、一第二電鍍區(qū) 域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域，及形成一圖案化第一下阻擋層于該第二面上，定義出一第二導(dǎo) 電開口區(qū)域；順應(yīng)性地形成一第三上導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第一上阻擋層、該第一電鍍區(qū)域、 該第二電鍍區(qū)域和該導(dǎo)電開口區(qū)域，并且形成一第三下導(dǎo)電層于該第二面上，覆蓋該第一 下阻擋層和該第二導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第二上阻擋層于該第三上導(dǎo)電層上，并且形成一第二下阻擋層于該第三下導(dǎo)電 層上；圖案化該第二上阻擋層與該第三上導(dǎo)電層，以顯露出該第一電鍍區(qū)域和該第二電鍍區(qū)域；施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一第一電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層上，其中 該電鍍步驟的一第一電鍍電流路徑是經(jīng)由該第三上導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電開口區(qū)域中的該 第二上導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至該第一電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層，及其中該電鍍步驟的一第二 電鍍電流路徑是經(jīng)由該第三下導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第二下導(dǎo)電層，通過該 基板結(jié)構(gòu)，傳導(dǎo)至該第二電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層；以及 移除該第二上阻擋層及移除該第二下阻擋層。
17.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，更包括順應(yīng)性地形成一第四導(dǎo)電層于該第一面上，覆蓋該第三上導(dǎo)電層、該第一電鍍區(qū)域、該 第二電鍍區(qū)域和該第一導(dǎo)電開口區(qū)域；形成一第三上阻擋層于該第四導(dǎo)電層上，及形成一第三下阻擋層于該第三下導(dǎo)電層上；移除該第三下阻擋層與該第三下導(dǎo)電層； 施以無導(dǎo)線電鍍法，以形成一電鍍層于該第二下導(dǎo)電層上；以及 移除該第三上阻擋層與該第四導(dǎo)電層。
18.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板結(jié)構(gòu)包括一基板、一 導(dǎo)通孔形成于該基板中、圖案化的一第一導(dǎo)電層構(gòu)成的導(dǎo)電通路、一介電層、及多個(gè)導(dǎo)電盲 孔于介電層中。
19.如權(quán)利要求18所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板的材料包括紙質(zhì)酚醛 樹脂、復(fù)合環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或玻璃纖維。
20.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，在形成一第三上、下導(dǎo)電層步驟 之前，更包括施以一表面預(yù)處理步驟于該基板結(jié)構(gòu)表面。
21.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中形成第三上、下導(dǎo)電層的步 驟包括濺鍍法、電子槍蒸鍍法、化學(xué)氣相沉積法、或物理氣相沉積法。
22.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中該第三上、下導(dǎo)電層的材料 為可移除的金屬，包括Cu、Al、Ni、Fe、或Cr。
23.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料為Au/M復(fù)合層 o
24.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中該電鍍層的材料包括Cu、Fe、 Au、Ag、Ni、Sn、或 Cr。
25.如權(quán)利要求16所述的封裝電路基板的制造方法，其中該基板包括一單面板、一雙 面板、或一多層電路板。
26.一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)，包括一基板，具有一導(dǎo)通孔、一圖案化第一上導(dǎo)電層于該基板的一第一面上、及一圖案化第 一下導(dǎo)電層于該基板的一第二面上；一圖案化第一上阻擋層于該第一面上，定義出一電鍍區(qū)域和一第一導(dǎo)電開口區(qū)域； 一圖案化第一下阻擋層于該第二面上，定義出一第二導(dǎo)電開口區(qū)域； 一上電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第一上導(dǎo)電層上；以及 一下電鍍層于該第二導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一下導(dǎo)電層上。
27.如權(quán)利要求26所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該基板的材料包括紙質(zhì)酚醛樹脂、 復(fù)合環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或玻璃纖維。
28.如權(quán)利要求26所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，該電鍍層的材料為Au/M復(fù)合層。
29.如權(quán)利要求26所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該電鍍層的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、 ■、511、或0。
30.如權(quán)利要求26所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該基板包括一單面板、一雙面板、或一多層電路板。
31.如權(quán)利要求26所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該圖案化第一上阻擋層直接接觸于該第一上導(dǎo)電層，且該圖案化第一下阻擋層直接接觸于該第一下導(dǎo)電層。
32.一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)，包括一基板結(jié)構(gòu)，其具有一圖案化第二上導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上、及一圖案化 第二下導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第二面上；一圖案化的第一上阻擋層于該第一面上，定義出一第一電鍍區(qū)域、一第二電鍍區(qū)域和 一第一導(dǎo)電開口區(qū)域；一圖案化第一下阻擋層于該第二面上，定義出一第二導(dǎo)電開口區(qū)域；一第一電鍍層于該電鍍區(qū)域中的該第二上導(dǎo)電層上；以及一第二電鍍層于該第二導(dǎo)電開口區(qū)域的該第二下導(dǎo)電層上。
33.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該基板結(jié)構(gòu)包括一基板、一導(dǎo)通孔 形成于該基板中、圖案化的一第一導(dǎo)電層構(gòu)成的導(dǎo)電通路、一介電層、及多個(gè)導(dǎo)電盲孔于介 電層中。
34.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該基板的材料包括紙質(zhì)酚醛樹脂、 復(fù)合環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂或玻璃纖維。
35.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該電鍍層的材料為Au/M復(fù)合層。
36.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該電鍍層的材料包括Cu、Fe、Au、Ag、 Ni、Sn、或 Cr。
37.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該基板包括一單面板、一雙面板、或 一多層電路板。
38.如權(quán)利要求32所述的封裝電路基板結(jié)構(gòu)，其中該圖案化第一上阻擋層直接接觸于 該第二上導(dǎo)電層，且該圖案化第一下阻擋層直接接觸于該第二下導(dǎo)電層。
全文摘要
一種封裝電路基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。該方法包括提供一基板，具有至少一圖案化第一導(dǎo)電層于該基板上。形成一圖案化的第一阻擋層于第一導(dǎo)電層上，定義出一電鍍區(qū)域和一導(dǎo)電開口區(qū)域，其中電鍍區(qū)域和導(dǎo)電開口區(qū)域露出該第一導(dǎo)電層。順應(yīng)性地形成一第二導(dǎo)電層于第一面上，覆蓋第一阻擋層、電鍍區(qū)域和導(dǎo)電開口區(qū)域。形成一第二阻擋層于第二導(dǎo)電層上。圖案化第二阻擋層與第二導(dǎo)電層，顯露出電鍍區(qū)域。電鍍一金屬層于電鍍區(qū)域中的第一導(dǎo)電層上，其中電鍍步驟的一電流路徑是經(jīng)由該第二導(dǎo)電層與該導(dǎo)電開口區(qū)域中的該第一導(dǎo)電層，傳導(dǎo)至電鍍區(qū)域中的第一導(dǎo)電層，移除第二阻擋層與第二導(dǎo)電層。本發(fā)明可形成三面完整包覆電鍍區(qū)域，以獲得較佳的可靠度。
文檔編號H01L23/13GK101930931SQ200910146178
公開日2010年12月29日 申請日期2009年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月18日
發(fā)明者林維新, 游舜名 申請人:南亞電路板股份有限公司