專利名稱：具有支架觸點(diǎn)以及管芯附墊的無(wú)引腳集成電路封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及一種集成電路(IC)封裝技術(shù)，更具體地說(shuō)，涉及一種無(wú)引腳IC封 裝技術(shù)以及相關(guān)的制作方法。
背景技術(shù)：
IC封裝是制作IC器件的最終步驟。在IC封裝過(guò)程中，一個(gè)或多個(gè)IC芯片被安裝 到封裝襯底上，與電觸點(diǎn)相連接，之后覆蓋包括諸如環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂的模塑混合物的電 絕緣物的模塑材料。得到的結(jié)構(gòu)一通常稱作“IC封裝”一之后連接到其他的電組件， 例如，在印刷電路板(PCB)上的電組件。在大多數(shù)IC封裝中，在電觸點(diǎn)至少部分地暴露使其可以與其他電組件接觸的同 時(shí)，IC芯片完全由模塑材料所覆蓋。換言之，電觸點(diǎn)被設(shè)計(jì)為形成模塑材料內(nèi)的IC芯片與 模塑材料之外的電組件之間的連接。這些電觸點(diǎn)的最通常的設(shè)計(jì)為其中形成延伸出模塑材 料的“引腳”的設(shè)計(jì)。引腳通常被向下彎曲以形成與PCB上的電子組件之間的連接。不幸的是，外部引腳的存在往往會(huì)顯著地增加IC封裝的尺寸。例如，由于引腳的 水平延伸，其往往會(huì)增加整個(gè)IC封裝的長(zhǎng)度和寬度。這些增加的尺寸可能在PCB的空間被 限制的系統(tǒng)中是不利的。此外，因?yàn)橥獠恳_通常沿著IC封裝的側(cè)面布置，所以IC封裝的 針腳數(shù)目由圍繞IC封裝的線性距離所限制。此外，這些引腳需要對(duì)其直度、共面度以及其 他需要的機(jī)械尺寸進(jìn)行額外的檢查步驟(如果它們不滿足規(guī)格，還需要進(jìn)行返工或廢棄)。 最后，引腳(從焊指開(kāi)始向下到外部部分的末端)增加了整個(gè)電信號(hào)長(zhǎng)度，這影響了 IC芯 片的電性能。認(rèn)識(shí)到了傳統(tǒng)IC封裝的這些和其他問(wèn)題，研究人員已經(jīng)發(fā)展了外部引腳由電觸 點(diǎn)所替代的IC封裝，其中電觸點(diǎn)在其頂部由模塑材料所覆蓋但是在IC封裝的底部暴露，因 此，電氣觸點(diǎn)可以與IC封裝下方的電組件相連接。由于沒(méi)有外部引腳，這些IC封裝一被 稱作“無(wú)引腳”IC封裝——往往相對(duì)于傳統(tǒng)的IC封裝占據(jù)更少的空間。此外，這些IC封裝 消除了彎曲引腳以形成連接的需要。傳統(tǒng)無(wú)引腳IC封裝的一些例子的公開(kāi)涉及或通常指向美國(guó)專利號(hào)6，498，099和 7，049，177，他們各自公開(kāi)的內(nèi)容都被結(jié)合在這里作為參考。除去其他內(nèi)容之外，這些專利 描述并示出了無(wú)引腳IC封裝的各種設(shè)計(jì)變化以及制作和使用無(wú)引腳IC封裝的各種技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
公開(kāi)的實(shí)施例包括無(wú)引腳IC封裝，其中電觸點(diǎn)延伸到模塑層之下形成“支架”接 觸。這些IC封裝也可以包括由相同的引線框架帶所形成的作為電觸點(diǎn)并延伸到模塑層的 表面之下的管芯連接焊盤(pán)。這些管芯安裝焊盤(pán)可以通過(guò)模塑層暴露以形成從IC芯片到PCB上的銅層的直接 熱路徑。銅層可以作為散發(fā)通常工作過(guò)程中由IC芯片所產(chǎn)生的熱量的散熱片。根據(jù)IC芯 片的尺寸以及是否需要接地連接到該焊盤(pán)的內(nèi)部部分，可以改變暴露的管芯連接焊盤(pán)的尺寸。在一些實(shí)施例中，暴露的管芯連接焊盤(pán)可以比IC芯片小很多以便于給封裝之下的PCB 上的跡線或路徑留出空間。在另一些實(shí)施例中，也可能期望根本沒(méi)有任何暴露的管芯連接 焊盤(pán)，因?yàn)樵诜庋b之下的PCB上鄰近電路跡線的暴露的金屬的出現(xiàn)，可能會(huì)導(dǎo)致干涉和不 期望的電耦合。在另一些實(shí)施例中，為了方便向PCB上的表面安裝或者為了在管芯連接焊 盤(pán)內(nèi)部提供額特殊的電連通性，暴露的管芯連接焊盤(pán)可以具有特殊的結(jié)構(gòu)，諸如分段部分 的陣列。在分段部分的情況下，這些分段之間所產(chǎn)生的通道也可以允許表面安裝過(guò)程中焊 接助焊劑的排氣。在一個(gè)實(shí)施例中，一種無(wú)引腳集成電路(IC)封裝，包括管芯連接焊盤(pán)，安裝到管 芯連接焊盤(pán)上的IC芯片，電氣地連接到IC芯片的多個(gè)電觸點(diǎn)，以及形成在IC芯片、管芯連 接焊盤(pán)、電觸點(diǎn)以及用于將IC芯片連接 到電觸點(diǎn)的材料(諸如接合線)上的模塑層。模塑 層有頂部分和底部分，頂部分覆蓋管芯連接焊盤(pán)和電觸點(diǎn)并且管芯連接焊盤(pán)和電觸點(diǎn)的底 部通過(guò)底部分暴露。管芯連接焊盤(pán)的底部的至少一部分延伸到模塑層的底部分之外相對(duì)于 一個(gè)或多個(gè)電觸點(diǎn)的底部分更小的距離。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種無(wú)引腳集成電路(IC)封裝，包括粘合劑層，安裝到粘合 劑層上IC芯片，連接到IC芯片的多個(gè)電觸點(diǎn)以及形成在IC芯片、粘合劑層以及電觸點(diǎn)上 的模塑層。模塑層有頂部分和底部分，頂部分覆蓋管芯連接焊盤(pán)和電觸點(diǎn)并且粘合劑層的 底部和電觸點(diǎn)的底面通過(guò)底部分暴露。管芯連接焊盤(pán)延伸到模塑層的底部分之外，粘合劑 層形成在模塑層中由管芯連接焊盤(pán)產(chǎn)生的區(qū)域，管芯連接焊盤(pán)與電觸點(diǎn)一起由公共金屬層 形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種制作無(wú)引腳集成電路(IC)封裝的方法，包括除去引線框 架帶的一部分以形成限定用于管芯連接焊盤(pán)和多個(gè)電觸點(diǎn)的區(qū)域的凹陷。將IC芯片安裝 到管芯連接焊盤(pán)區(qū)域中，之后形成電觸點(diǎn)區(qū)域與IC芯片之間的電連接。使用模塑層覆蓋IC 芯片、管芯連接焊盤(pán)區(qū)域和電觸點(diǎn)區(qū)域以及電連接，模塑層填充凹陷。在引線框架帶的底面 上的電觸點(diǎn)區(qū)域形成抗蝕刻層，選擇性地蝕刻引線框架帶的底面，使用抗蝕刻層作為蝕刻 掩模，由此使電觸點(diǎn)和管芯連接焊盤(pán)形成為分離的組件。引線框架帶的底面的選擇性蝕刻 除去了管芯連接焊盤(pán)的至少一部分，使得管芯連接焊盤(pán)的底部分從模塑層的底面延伸出相 對(duì)于一個(gè)或多個(gè)電觸點(diǎn)的底部分更小的距離。


圖1示出了作為用于解釋在此書(shū)面描述中出現(xiàn)的其他無(wú)引腳IC封裝的參考的無(wú) 引腳IC封裝。圖2A和圖2B示出了具有與模塑層的底面在相同水平的部分地被蝕刻的管芯連接 焊盤(pán)的無(wú)引腳IC封裝。圖3A和圖3B示出了管芯連接焊盤(pán)被從其上完全除去并且被以黑色物體示出的保 護(hù)層和/或絕緣層所覆蓋的無(wú)引腳IC封裝。圖4A和圖4B示出了管芯連接焊盤(pán)被從其上完全如圖3中除去并且在管芯連接焊 盤(pán)的覆蓋位置形成凹陷的無(wú)引腳IC封裝。圖5A和圖5B示出了管芯連接焊盤(pán)的外周部分被從其上蝕刻掉并且管芯連接焊盤(pán) 的中央部分的底部與外部觸點(diǎn)的底部在相同水平的無(wú)引腳IC封裝。
圖6A和圖6B示出了管芯連接焊盤(pán)的外周部分被從其上蝕刻第一量并且管芯連接 焊盤(pán)的中央部分被從其上蝕刻第二量的無(wú)引腳IC封裝。圖7A到圖9B示出了管芯連接焊盤(pán)已經(jīng)圖案化以形成多個(gè)不連續(xù)的凸起部的一種 無(wú)引腳IC封裝。圖IOA到圖IOC示出了具有成形為各種備選形狀和結(jié)構(gòu)的管芯連接焊盤(pán)和電觸點(diǎn) 各種無(wú)引腳IC封裝。圖IlA到圖14B示出了具有形成在相應(yīng)的管芯連接焊盤(pán)和電觸點(diǎn)的底部的焊接材 料的無(wú)引腳IC封裝。圖15A到圖15E示出了制作根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝的方法。圖16A到圖16E示出了制作根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝的方法。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖描述精選的實(shí)施例。這些實(shí)施例被提供作為教學(xué)例子并且不應(yīng)該被 認(rèn)為是限制權(quán)力要求的范圍。在附圖中，相同的參考數(shù)字表示相同的特征。當(dāng)相同的特征 被包括在一個(gè)或多個(gè)示出的實(shí)施例中時(shí)，將僅對(duì)這些特征進(jìn)行一次描述以免贅言。大體上，實(shí)施例涉及具有設(shè)置為各種結(jié)構(gòu)的支架觸點(diǎn)和/或管芯連接焊盤(pán)的無(wú)引 腳封裝。這些不同的結(jié)構(gòu)可以被用來(lái)實(shí)現(xiàn)任何各種不同的目的，諸如防止管芯連接焊盤(pán)與 封裝下方的PCB上的電路跡線之間的電氣和/或物理干擾，改善管芯連接焊盤(pán)的熱傳遞特 性，使其更容易表面安裝到PCB上，提供管芯連接焊盤(pán)和/或電觸點(diǎn)內(nèi)的特殊電連通以及解 決基于空間的IC封裝限制(諸如管腳數(shù)目)，在此僅列舉部分。在以下的描述中，以具體的結(jié)構(gòu)表示出多個(gè)實(shí)施例，諸如多行四側(cè)小中心距無(wú)引 腳封裝(QFN)結(jié)構(gòu)，其中支架觸點(diǎn)設(shè)置在IC芯片四周上的多重交錯(cuò)行中。但是，公開(kāi)的結(jié)構(gòu) 僅為了舉例說(shuō)明而沒(méi)有任何限制目的。例如，可以以并排結(jié)構(gòu)將多個(gè)IC芯片安裝到管芯連 接焊盤(pán)上，這種結(jié)構(gòu)公知為多芯片組件(MCM)。如果多個(gè)芯片不能共享相同的底板，管芯連 接焊盤(pán)自身可以為一片或分段的。可選擇地，IC芯片可以以堆疊的管芯結(jié)構(gòu)堆疊在其他管 芯的上方。此外，如果封裝需要盡量的小，那么封裝可以根本沒(méi)有管芯連接焊盤(pán)。例如，可 以使用電絕緣粘合劑將IC芯片直接的或部分地連接到電觸點(diǎn)上方(公知為引腳上芯片)。 也可以使用覆晶技術(shù)將IC芯片直接地連接到電觸點(diǎn)上，其中安裝焊盤(pán)具有可以回流到電 觸點(diǎn)的上表面的焊接凸塊。一些實(shí)施例也描述了具體的組件，諸如包括半導(dǎo)體處理器管芯的特定類型的IC 芯片。但是，這些和其他的組件可以由其他部分組成、修改或用其他組件替換。例如，諸如 芯片電阻或電容的被動(dòng)組件可以與IC芯片一起被連接到電觸點(diǎn)上(封裝的系統(tǒng))。此外， 描述的實(shí)施例中的具體材料，諸如特定類型的材料，可以被類似材料替換。為了解釋的方便，說(shuō)明書(shū)中包括多個(gè)特定方位詞，諸如“上”、“下”、“上方”以及“之 上”等等。這些詞不應(yīng)該被理解為限制所描述的物體的方位，而是僅為了表示其中各個(gè)組件 或部分的相對(duì)位置。例如，“底面”可以被解釋為與“頂面”相反的表面，而不考慮具有底面 與頂面的物體的方位。圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝100的例子。圖1中示出的實(shí)施例 用作解釋以下多個(gè)實(shí)施例的參考。因此，圖1中示出的參考數(shù)字也在其他幾個(gè)附圖一起使用。參考圖1，IC封裝100包括IC芯片105、管芯連接焊盤(pán)110、電觸點(diǎn)125、線接合130 以及模塑層120。通過(guò)粘合劑層115將IC芯片105安裝到管芯連接焊盤(pán)110上。粘合劑層 115可以包括，例如，諸如環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺和熱塑性材料的聚合物材料(糊狀或 薄膜狀均可)或者諸如金-錫或各種錫和鉛合金的組合的軟焊材料。IC芯片105可以包 括，例如，從半導(dǎo)體晶片上切割下來(lái)的處理器管芯或存儲(chǔ)器芯片。IC芯片105包括作為輸入/輸出(I/O)端子并通過(guò)線接合130連接到電觸點(diǎn)125 的焊焊盤(pán)140。管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125在其頂面都由鍍的可焊金屬層135所覆蓋。 可焊金屬層135可以包括金屬，諸如堆疊的鎳(Ni)、鈀(Pd)和金(Au)或者堆疊的鎳(Ni) 和金(Au)或銀(Ag)。管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125的底面可以鍍有與頂面相同的金屬 層，或者由其他的金屬涂層覆蓋，諸如銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)和金(Au)、電鍍或沉浸錫 (311)、錫/鉛(Sn/Pb)、錫合金或其他焊料涂層或者涂有有機(jī)保焊劑(OSP)的熱浸鍍銅或裸 銅(Cu)。層135可以適合多種功能中的任何功能，包括例如增強(qiáng)頂層的焊線接合能力、保護(hù) 涂層使其不受氧化、改善可焊性以及改善導(dǎo)電性。模塑層120覆蓋IC芯片105、線接合130、管芯連接焊盤(pán)110以及電觸點(diǎn)125，僅 留出管芯連接焊盤(pán)Iio和電觸點(diǎn)125的部分暴露在IC封裝100的底面上。管芯連接焊盤(pán) 110和電觸點(diǎn)125暴露的部分從模塑層120突出以分別形成“支架”管芯連接焊盤(pán)以及“支 架”觸點(diǎn)。換言之，術(shù)語(yǔ)“支架”表示電觸點(diǎn)125和管芯連接焊盤(pán)110以可測(cè)量的距離突出 或離開(kāi)于模塑層120的底面，例如，0. 0005到0. 020英寸。管芯連接焊盤(pán)110暴露的部分可以被用作將IC封裝100焊接到PCB或其他襯底 上的焊接表面。它也可以作為工作過(guò)程中用于從IC芯片105吸收熱量的熱擴(kuò)散表面或散 熱片。在另一方面，電觸點(diǎn)125暴露的部分可以建立IC芯片105與IC封裝100之外的電 組件之間的電連接。管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125通常由單條的金屬所形成，諸如銅。這一條帶—— 表示引線框架帶——可以被用作用于連續(xù)制作多個(gè)IC封裝的平臺(tái)。例如，通過(guò)以下步驟可 以連續(xù)地制作多個(gè)IC封裝在一個(gè)引線框架帶上蝕刻多個(gè)管芯連接焊盤(pán)以及相應(yīng)的電觸 點(diǎn)的圖案，將IC芯片放置在管芯連接焊盤(pán)上，將芯片引線連接到電觸點(diǎn)，使用模塑層覆蓋 整個(gè)結(jié)構(gòu)，之后將得到的結(jié)構(gòu)通過(guò)例如切割或沖模分為獨(dú)立的IC封裝。因?yàn)楣苄具B接焊盤(pán) 110和電觸點(diǎn)125通常由相同的引線框架帶形成，它們也通常(但是不一定)具有相同的初 始厚度。當(dāng)IC封裝100被安裝到PCB或其他襯底上時(shí)，可以位于非常靠近其它電組件的位 置。例如，其可以直接被放置在諸如布線的組件上，以最大化的利用PCB上的空間。如果IC 封裝100距離其它組件足夠近的話，管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125暴露的部分可能產(chǎn)生 與其它組件的電氣和/或物理干涉。作為例子，由于其位置和/或外形，管芯連接焊盤(pán)110 暴露的部分可能在布線過(guò)程中產(chǎn)生電器短路或電容干涉。因此，下述各個(gè)實(shí)施例包括可以 減少這種干涉的發(fā)生幾率的特征。此外，也可以方便地使管芯連接焊盤(pán)110圖案化以在IC 封裝之下的PCB上實(shí)現(xiàn)改善的電路布線能力。此外，管芯連接焊盤(pán)110的圖案可以提供通 道，熱處理過(guò)程中來(lái)自焊膏的氣體可以在IC封裝被安裝到PCB或其他襯底時(shí)通過(guò)這個(gè)通道 排出。已經(jīng)公知當(dāng)這些氣體被阻攔住時(shí)可能產(chǎn)生大的空隙和/或抬升IC封裝，引起不期望的焊接附著物。所描述的許多實(shí)施例都包括可以向這些改善的能力做出貢獻(xiàn)的特征。圖2A示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝200。如通過(guò)公用的參考數(shù)字表 示的一樣，IC封裝200與IC封裝100之間具有許多相似點(diǎn)。只是在IC封裝200中，已經(jīng) 通過(guò)使用化學(xué)蝕刻或者機(jī)械研磨將管芯連接焊盤(pán)110的突出部分移除，以產(chǎn)生相對(duì)薄的基 本與模塑層220的底面齊平的管芯連接焊盤(pán)21。此外，管芯連接焊盤(pán)210的頂部鍍有金屬 層135以形成用于管芯連接焊盤(pán)210上的接地連接應(yīng)用的接地環(huán)245。通過(guò)將一個(gè)或更多電觸點(diǎn)125焊接到相應(yīng)的PCB連接焊盤(pán)上，可以將IC封裝200 連接到PCB或者其他襯底上?？蛇x擇地，管芯連接焊盤(pán)210可以保持分離于(沒(méi)有焊接到) PCB或襯底的狀態(tài)。因?yàn)楣苄具B接焊盤(pán)210比電觸點(diǎn)125更薄，所以它可以與IC封裝200 下方的PCB或襯底上的電組件或電路跡線之間保持一定的距離，以避免產(chǎn)生電或物理的干 涉。當(dāng)以四側(cè)都具有電觸點(diǎn)125的交錯(cuò)的多行QFN結(jié)構(gòu)形成IC封裝200時(shí)，圖2B示 出了其底部。如圖2B所示，管芯連接焊盤(pán)210覆蓋相對(duì)大的IC封裝200的底面表面面積， 允許電路PCB上由IC芯片105所限定的面積之下可以存在與暴露的管芯連接焊盤(pán)210沒(méi) 有電或物理的干涉的跡線或者其他組件。觸點(diǎn)125形成為兩行交錯(cuò)圍繞管芯連接焊盤(pán)210 的形式，在根據(jù)這個(gè)交錯(cuò)的結(jié)構(gòu)允許將電觸點(diǎn)125與IC芯片105相連接的線接合130充分 地相互遠(yuǎn)離的同時(shí)，可以產(chǎn)生高的熱傳導(dǎo)率。圖3A示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝300。IC封裝300同樣類似于IC 封裝100，并具有以下區(qū)別。在IC封裝300中，IC芯片105被直接安裝到諸如銅的金屬帶上由金屬觸點(diǎn)125 所限制的帶的中央部分。在形成模塑層120之前，通過(guò)使用黑色環(huán)氧樹(shù)脂或其他聚合物材 料的粘合劑層將IC芯片105連接，其中其他聚合物材料諸如硅樹(shù)脂、聚酰亞胺或熱塑性塑 料(糊狀或薄膜狀)。在IC芯片105被安裝到由金屬觸點(diǎn)125所限制的銅帶的中央部分 之前，銅帶的頂部被預(yù)蝕刻，因此IC芯片105可以被安裝到位于電觸點(diǎn)125的上表面以下 的平面中。之后在IC芯片105上形成模塑層120、線接合130以及電觸點(diǎn)125。在模塑層 120形成之后，通過(guò)化學(xué)蝕刻或者機(jī)械研磨將管芯連接焊盤(pán)的剩余部分全部除去。其后，IC 芯片105下方的表面由環(huán)氧樹(shù)脂層310所覆蓋。在本例子中，環(huán)氧樹(shù)脂層310與模塑層120 具有相同的顏色(例如黑色)，因此如圖3B的中間由大的空白區(qū)域所示出的，不能從IC封 裝300的底部看到IC芯片105。圖4A示出了無(wú)引腳封裝400，其為IC封裝300的變體。在IC封裝400中，IC芯 片105和環(huán)氧樹(shù)脂層310從模塑層120的底面凹進(jìn)模塑厚度的5%到30%——例如，1到3 密耳(28到76微米)。通過(guò)例如改變管芯連接焊盤(pán)的預(yù)蝕刻量，可以控制凹陷的深度。較 少的預(yù)蝕刻可以導(dǎo)致更深的凹陷而更多的預(yù)蝕刻可以導(dǎo)致更淺的凹陷。通過(guò)使用化學(xué)蝕刻或機(jī)械研磨將剩余管芯連接焊盤(pán)除去以產(chǎn)生凹陷。在管芯連接 焊盤(pán)被完全除去之后，IC芯片105的底面由環(huán)氧樹(shù)脂層310所覆蓋，其可以與模塑層120具 有相同的顏色。如圖4B所示，得到的結(jié)構(gòu)在其底面上具有區(qū)域410。圖5A示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝500。IC封裝500類似于IC封 裝100，只是在IC封裝500中，通過(guò)化學(xué)蝕刻或者機(jī)械研磨使得暴露的管芯連接焊盤(pán)110的 外周部分510變薄。因此，管芯連接焊盤(pán)110的外部邊緣基本上與模塑層120的底面齊平。圖5B示出了包括已經(jīng)變薄的管芯連接焊盤(pán)110上的外周部分510的IC封裝500的底面。 注意到這個(gè)變薄的部分510增加了觸點(diǎn)125與暴露的管芯連接焊盤(pán)110之間的物理間隔， 并允許PCB上的電路跡線或路徑直接位于IC封裝500的該區(qū)域的下方，以及減少在將IC 封裝焊接到PCB或襯底上時(shí)，管芯安裝區(qū)域與電觸點(diǎn)的第一行之間發(fā)生短路的幾率。
圖6A示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的無(wú)引腳IC封裝600。IC封裝600類似于IC封 裝100，只是通過(guò)化學(xué)蝕刻或者機(jī)械研磨使得管芯連接焊盤(pán)的外周部分610和中央部分615 都變薄了，從而使得管芯連接焊盤(pán)110的外周部分610與模塑層120的底面齊平并且中央 部分615仍然比外周部分610稍厚。換言之，中央部分615已經(jīng)被蝕刻或研磨到第一深度 而外周部分610被蝕刻或研磨到大于第一深度的第二深度。圖6B示出了包括已經(jīng)在管芯 連接焊盤(pán)110上變薄的部分610和615的IC封裝600的底面。圖7A和7B示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的IC封裝700。IC封裝700類似于IC封裝 100，只是管芯連接焊盤(pán)110在特定區(qū)域已經(jīng)被蝕刻以形成圖7A和圖7B中示出的圖案。管 芯連接焊盤(pán)110的圖案在IC封裝700的底部以規(guī)律的間隔形成了不連續(xù)凸出部715。雖 然它們不一定被用作電觸點(diǎn)，但是凸出部715可以被認(rèn)為是管芯連接焊盤(pán)電觸點(diǎn)部分(DAP ECM)。但是，這些DAP ECM 715與觸點(diǎn)125具有相同的暴露的底部尺寸，這允許分配相同量 的焊膏，由此方便到PCB上的表面安裝。這些不連續(xù)的突出部的另一個(gè)好處是他們提供了 在表面安裝操作中助熔劑的排氣可以通過(guò)其離開(kāi)的通道。圖8A和8B示出了類似于無(wú)引腳IC封裝700的無(wú)引腳IC封裝800。但是，IC封 裝800包括相對(duì)于IC封裝700中的突出部715更窄并且更短的突出部815。因此，突出部 815的底面所在的平面相對(duì)于電觸點(diǎn)125的底面更靠近于模塑層120。圖9A和9B示出了類似于無(wú)引腳IC封裝700的無(wú)引腳IC封裝900。但是，IC封 裝900在管芯連接焊盤(pán)110中包括相對(duì)于IC封裝700中的突出部715更寬并且更短的突出 部915。作為更寬并且更短的突出部915的替換，IC封裝也可以被改變?yōu)榘ǜL(zhǎng)并且更 窄、更長(zhǎng)并且更短或者更寬并且更長(zhǎng)的突出部分。換言之，雖然突出部通常不會(huì)延伸的比電 觸點(diǎn)125更長(zhǎng)，但是基于電路需要，不連續(xù)的突出部分915可以具有許多尺寸和形狀變化。 圖9B示出了包括更寬并且更短的突出部915的IC封裝900的底面。圖10AU0B和IOC示出了電觸點(diǎn)125和DAP ECM的各種備選結(jié)構(gòu)1000?？梢酝ㄟ^(guò) 例如當(dāng)電觸點(diǎn)125最初被限定時(shí)修改框架帶的蝕刻圖案以實(shí)現(xiàn)電觸點(diǎn)125的備選結(jié)構(gòu)。另 一方面，可以在形成模塑層120之前或者之后通過(guò)使管芯連接焊盤(pán)110圖案化以實(shí)現(xiàn)DAP ECM的備選結(jié)構(gòu)。圖IOA示出了管芯連接焊盤(pán)110的結(jié)構(gòu)1005，其具有不一致成形的凸出部，其中當(dāng) 從底面觀察時(shí)凸出部形成為具有不同尺寸的矩形或者方形。圖IOA同樣示出了電觸點(diǎn)125 的結(jié)構(gòu)1010，其中當(dāng)從底面觀察時(shí)某些觸點(diǎn)形成為具有不同尺寸的矩形或者方形。圖IOB示出了電觸點(diǎn)125的結(jié)構(gòu)1020，其中當(dāng)從底面觀察時(shí)每個(gè)觸點(diǎn)都具有圓的 輪廓。在圖IOB的例子中，管芯連接焊盤(pán)110并沒(méi)有被圖案化。圖IOC示出了管芯連接焊盤(pán)110的結(jié)構(gòu)1025，其具有不一致成形的凸出部，其中當(dāng) 從底面觀察時(shí)凸出部形成為圓形和卵形或者橢圓形。圖IOC同樣示出了電觸點(diǎn)125的結(jié)構(gòu) 1030，其中當(dāng)從底面觀察時(shí)某些觸點(diǎn)形成為卵形或者圓形。除了圖IOA到圖IOC中所示出的之外，可以使管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125形成許多備選形狀和圖案。例如，它們可以被形成為圓形和直線的形狀、更大和更小的形狀， 等等。此外，根據(jù)具體IC封裝的電觸點(diǎn)和/或連接規(guī)格的需要，它們可以被形成為定制的 形狀和圖案。圖IlA和圖IlB示出了類似于無(wú)引腳封裝100的無(wú)引腳封裝1100。只是在IC封 裝100中，已經(jīng)有焊接材料1105附著在電觸點(diǎn)125和管芯連接焊盤(pán)110各自的接觸表面上。 圖IlB中的陰影部分表示附著到管芯連接焊盤(pán)110以及每個(gè)電觸點(diǎn)125上的焊接材料。在 已經(jīng)組裝的PCB的返工過(guò)程中，焊接材料的增加方便了壞的IC封裝的替換。返工PCB可能 涉及有缺陷的IC封裝的移除、有缺陷的IC封裝從其上移除的PCB區(qū)域的焊座(site)整修 或清潔、為焊座上助焊劑、放置替換的IC封裝1100以及回流焊。因?yàn)檫x擇性的絲網(wǎng)印刷由 于此PCB上其他組件的 存在而變得不再可能了，所以如果沒(méi)有焊接材料1105，使用者將必 須使用手動(dòng)模板手動(dòng)地將焊接材料分配到替換的IC封裝上。在一些實(shí)施例中，焊接材料1105包括錫和鉛的焊接合金。在另一些實(shí)施例中，焊 接材料包括無(wú)鉛焊接合金，諸如錫-銀、錫-銀-銅、錫-銀-銅_鎳以及其他本領(lǐng)域技術(shù) 人員所公知的高熔點(diǎn)焊接劑。圖12A和圖12B示出了類似于無(wú)引腳IC封裝1100的無(wú)引腳IC封裝1200，只是 在附著焊接材料1105之前，通過(guò)蝕刻或研磨將IC封裝1200中電觸點(diǎn)125和管芯連接焊盤(pán) 110的尺寸減小了。這個(gè)實(shí)施例結(jié)合了關(guān)于IC封裝500和1100所討論的優(yōu)點(diǎn)。圖13A和圖13B示出了類似于無(wú)引腳IC封裝1200的無(wú)引腳IC封裝1300。但是， 在IC封裝1300中，在附著焊接材料1105之前，已經(jīng)通過(guò)蝕刻或研磨將電觸點(diǎn)125和管芯 連接焊盤(pán)110除去直到它們與模塑材料120的底面齊平。圖14A和圖14B示出了類似于無(wú)引腳IC封裝700的無(wú)引腳IC封裝1400，只是在 IC封裝1400中，在施加焊接材料1405之前，管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125不被底部金屬 鍍層135所覆蓋，其中焊接材料1405可以以糊狀施加并回流以在管芯連接焊盤(pán)110和電觸 點(diǎn)125的不連續(xù)凸起部上形成多個(gè)焊接凸塊。焊接材料1405的連接可以使用多個(gè)公知應(yīng)用 技術(shù)中的任意技術(shù)制成，諸如絲網(wǎng)印刷技術(shù)或?qū)憟D案針管注射技術(shù)(patterniriteneedle dispensing)。作為附著糊狀焊接材料1405的另一選擇，焊接材料1405可以以預(yù)成型的焊料球 的形式附著到電觸點(diǎn)125和管芯連接焊盤(pán)110的凸出部?？梢允褂煤父嗷蛑竸┎牧弦约?回流處理附著焊料球。助焊劑或焊膏材料確保在回流處理的過(guò)程中管芯連接焊盤(pán)110和電 觸點(diǎn)125合適的焊料潤(rùn)濕。圖11-圖14中示出的實(shí)施例中的任意一個(gè)都可以被修改為使得焊劑只被施加到 電觸點(diǎn)125和管芯連接焊盤(pán)110的底部接觸表面的子集中。例如，在多個(gè)實(shí)施例中，管芯連 接焊盤(pán)110可以根本不被焊接。相似地，在一些實(shí)施例中，不是所有的電觸點(diǎn)125都會(huì)被焊接。圖15A-圖15E示出了一種制作諸如圖2中示出的IC封裝200的無(wú)引腳IC封裝 的方法。此方法可以被用來(lái)以一個(gè)引線框架帶連續(xù)地制作多個(gè)無(wú)引腳IC封裝。但是，為了 簡(jiǎn)便，只示出和描述一個(gè)IC封裝。在以下的描述中，示例方法步驟將會(huì)以圓括號(hào)(XXXX)表 示以將它們與示例IC封裝組件區(qū)別開(kāi)來(lái)。參考圖15A，此方法以銅或其他導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)線框架帶開(kāi)始，其中所述導(dǎo)電材料諸如各種金屬或者金屬合金之一(1501)。將帶部分地蝕刻以形成限定管芯連接焊盤(pán)110 和電觸點(diǎn)125的凹陷或圖案(1502)。可以使用諸如各種形式的化學(xué)或機(jī)械蝕刻的多種傳統(tǒng) 的蝕刻技術(shù)之一以圖案化。盡管未示出，可以首先通過(guò)在引線框架帶上形成蝕刻掩模并且 基于此蝕刻掩模執(zhí)行蝕刻而首先限定出此圖案。當(dāng)管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn)125的區(qū)域 形成時(shí)，使用雙側(cè)選擇性鍍層處理將這些區(qū)域的頂面和/或底面鍍上鍍層135 (1503)。鍍 層135也可以形成管芯連接焊盤(pán)上的接地環(huán)245以形成IC芯片105的接地。鍍層135和 245可以包括諸如堆疊的鎳(Ni)、鈀(Pd)和金(Au)，堆疊的鎳(Ni)和金(Au)或銀(Ag)。 底面上的鍍層135可以鍍有與頂面相同的金屬層或者鍍有諸如銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)和 金(Au)或錫/鉛(Sn/Pb)焊接鍍層的其他的金屬涂層。參考圖15B，之后使用粘合劑層115將IC芯片105附著到限定管芯連接焊盤(pán)110 的區(qū)域上(1504)。粘合劑層115可以包括諸如環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺或熱塑性材料 的聚合物材料的聚合物材料(糊狀或薄膜狀)，或者諸如金_ 錫或各種錫和鉛合金的組合 的軟焊接材料。其后，形成線接合130以將IC芯片105與電觸點(diǎn)125和接地環(huán)245相連接 (1505)?？梢允褂脗鹘y(tǒng)的引線接合工藝制成線接合130，諸如例如金、銅或鋁引線接合。參考圖15C，之后在線接合130、IC芯片105和限定管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn) 125的區(qū)域上形成模塑層120(1506)。其后，在限定電觸點(diǎn)125的區(qū)域上方的引線框架帶的 底面上可選擇地形成抗蝕刻層(1507)。之后背向蝕刻引線框架帶的底面以除去限定相鄰金 屬觸點(diǎn)125的區(qū)域之間、管芯連接焊盤(pán)110與電觸點(diǎn)125之間的金屬部分以及部分地除去 管芯連接焊盤(pán)110的底金屬部分(1508)。在得到的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)電觸點(diǎn)125與管芯連接焊 盤(pán)110之間以及相鄰電觸點(diǎn)125之間除去的部分使得模塑層120的底面暴露。由于背向蝕 亥IJ，管芯連接焊盤(pán)110的底面基本上與模塑層120的底面齊平。參考圖15D，將抗蝕刻層從電觸點(diǎn)125上剝離以使得鍍層135在其底面上重新暴露 出來(lái)(1509)。當(dāng)蝕刻層被剝離之后，通過(guò)諸如切割或機(jī)械沖模的切割處理將得到的封裝從 其余的引線框架帶上分離(1510)。分離的點(diǎn)在圖15D中由一對(duì)垂直條示出。分離產(chǎn)生分割 的IC封裝200 (1511)。分割的單元的放大的版本在圖15E中以與圖2相同的標(biāo)注示出。圖16A-圖16E示出了制作諸如圖5中示出的IC封裝500的無(wú)引腳IC封裝的另 一種方法。此方法可以被用來(lái)以一個(gè)引線框架帶連續(xù)地制作多個(gè)無(wú)引腳IC封裝。參考圖16A，此方法以銅或其他導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)線框架帶開(kāi)始，其中所述導(dǎo)電材 料諸如各種金屬或者金屬合金之一(1601)。將帶部分地蝕刻以形成限定管芯連接焊盤(pán)110 和電觸點(diǎn)125的凹陷或圖案(1602)。之后使用雙側(cè)選擇性鍍層處理將限定管芯連接焊盤(pán) 110和電觸點(diǎn)125的區(qū)域的頂面和/或底面鍍上鍍層135(1603)。在圖16A的例子中，鍍上 與圖15A的靠近參考數(shù)字1503的例子相同的表面，只是在圖16A中，額外的部分被鍍?cè)谙?定管芯連接焊盤(pán)110的底面上。鍍層135和245可以包括諸如堆疊的鎳(Ni)、鈀(Pd)和金 (Au)，堆疊的鎳(Ni)和金(Au)或銀(Ag)。底面上的鍍層135可以鍍有與頂面相同的金屬 層或者以諸如銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)和金(Au)或錫/鉛(Sn/Pb)焊接鍍層的其他的金 屬涂層。接下來(lái)，在圖16B中，使用粘合劑層115將IC芯片105附著到限定管芯連接焊盤(pán) 110的區(qū)域上(1604)。粘合劑層115可以包括諸如環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺或熱塑性材 料的聚合物材料的聚合物材料(糊狀或薄膜狀)，或者諸如金-錫或各種錫和鉛合金的組合的軟焊接材料。其后，形成線接合130以將IC芯片105與電觸點(diǎn)125和接地環(huán)245相連接 (1605)。隨后，在圖16C中，在線接合130、IC芯片105和限定管芯連接焊盤(pán)110和電觸點(diǎn) 125的區(qū)域上形成模塑層120(1606)。之后，在限定電觸點(diǎn)125的區(qū)域上方的引線框架帶的 底面上可選擇地形成抗蝕刻層(1607)。之后背向蝕刻引線框架帶的底面以除去限定相鄰 金屬觸點(diǎn)125的區(qū)域之間、管芯連接焊盤(pán)110與電觸點(diǎn)125之間的金屬部分以及部分地除 去管芯連接焊盤(pán)110的外周部分(16 08)。在得到的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)電觸點(diǎn)125與管芯連接焊 盤(pán)110之間以及相鄰電觸點(diǎn)125之間所除去的部分使得模塑層120的底面暴露。此外，管 芯連接焊盤(pán)110的外周部分510基本上與模塑層120的底面齊平。參考圖16D，將抗蝕刻層從電觸點(diǎn)125上剝離以使得鍍層135在其底面上重新暴露 出來(lái)(1609)。當(dāng)蝕刻層被剝離之后，通過(guò)諸如切割或機(jī)械沖模的切割處理將得到的封裝從 其余的引線框架帶上分離(1610)。分離的點(diǎn)在圖16D中由一對(duì)垂直條示出。分離產(chǎn)生分割 的IC封裝500 (1611)。分割的IC封裝500的放大的版本在圖16E中以與圖5相同的標(biāo)注 示出。鑒于上述原因，應(yīng)該理解無(wú)引腳IC封裝可以形成有具有多個(gè)不同結(jié)構(gòu)中的任意 結(jié)構(gòu)的電觸點(diǎn)和管芯連接焊盤(pán)以實(shí)現(xiàn)各種不同結(jié)果?？梢酝ㄟ^(guò)使用諸如上面討論的技術(shù)或 者本領(lǐng)域技術(shù)人員可以得到的各種變化和/或替代技術(shù)以實(shí)現(xiàn)不同的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種無(wú)引腳集成電路(IC)封裝，包括管芯連接焊盤(pán)；IC芯片，其安裝到所述管芯連接焊盤(pán)上；多個(gè)電觸點(diǎn)，其電氣地連接到所述IC芯片；模塑層，其形成在所述IC芯片、所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)上，所述模塑層有頂部分和底部分，所述頂部分覆蓋所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)并且所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)的底部通過(guò)所述底部分暴露；以及其中，與一個(gè)或多個(gè)所述電觸點(diǎn)的底部分相比，所述管芯連接焊盤(pán)的底部的至少一部分在所述模塑層的底部分之外延伸更小的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括金屬鍍層，其覆蓋所述管芯連接焊盤(pán)的底 面和所述電觸點(diǎn)的頂面和底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IC封裝，其中，所述金屬鍍層包括堆疊的鎳(Ni)、鈀(Pd)和 金(Au)，堆疊的鎳(Ni)和金(Au)或銀(Ag)，銀(Ag)，金(Au)，鎳(Ni)和金(Au)，電鍍或 沉浸錫(311)，錫/鉛(Sn/Pb)，錫合金焊料以及涂有有機(jī)保焊劑(0SP)的熱浸鍍銅或裸銅 (Cu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，所述管芯連接焊盤(pán)具有與所述模塑層的底面 基本齊平的底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中所述管芯連接焊盤(pán)包括中央部分，在所述模塑層的底部分之外延伸與所述電觸點(diǎn)基本相同的距離；以及，外周部分，其相對(duì)于所述中央部分變薄。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC封裝，其中，所述外周部分的底面與所述模塑層的底面基 本齊平。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，所述管芯連接焊盤(pán)包括中央部分，相對(duì)于所述電觸點(diǎn)，其在所述模塑層的底部分之外延伸更小的距離；以及，外周部分，其相對(duì)于所述中央部分變薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC封裝，其中，所述外周部分的底面與所述模塑層的底面基 本齊平。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，所述管芯連接焊盤(pán)包括多個(gè)不連續(xù)的凸起部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中，當(dāng)從所述管芯連接焊盤(pán)的底面下方觀察時(shí)， 所述不連續(xù)的凸起部的一個(gè)或多個(gè)具有方形或者圓形的輪廓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中，相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)所述電觸點(diǎn)的底部分，所 述不連續(xù)的凸起部在所述模塑層的底部分之外延伸更小的距離。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中，所述不連續(xù)的凸起部比所述電觸點(diǎn)更窄或更 寬并且可以以任何尺寸的組合出現(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的IC封裝，其中，當(dāng)從所述管芯連接焊盤(pán)的底面下方觀察時(shí)， 所述不連續(xù)的凸起部中的一部分具有方形或矩形輪廓，并且當(dāng)從所述管芯連接焊盤(pán)的底面 下方觀察時(shí)，所述不連續(xù)的凸起部中的一部分具有圓形或橢圓形輪廓。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，當(dāng)從所述模塑層的底部分下方觀察時(shí)，所述 電觸點(diǎn)具有圓形輪廓。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括形成在所述電觸點(diǎn)和所述管芯連接焊盤(pán)中 至少一個(gè)上的焊接材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC封裝，其中，所述焊接材料包括錫和鉛焊接合金。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的IC封裝，其中，所述焊接材料包括無(wú)鉛焊接合金，諸如， 錫_銀、錫-銀-銅、錫_銀-銅_鎳或其他高熔點(diǎn)焊接合金的組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，使用接合線將所述IC芯片接合到所述電觸點(diǎn)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中，多個(gè)所述電觸點(diǎn)沿所述IC封裝的四側(cè)的至 少一個(gè)上以交錯(cuò)結(jié)構(gòu)布置成多行。
20.一種無(wú)引腳集成電路(IC)封裝，包括 粘合劑層；IC芯片，其安裝到所述粘合劑層上； 多個(gè)電觸點(diǎn)，其電連接到所述IC芯片；模塑層，其形成在所述IC芯片、所述粘合劑層以及所述電觸點(diǎn)上，所述模塑層有頂部 分和底部分，所述頂部分覆蓋所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)，并且所述粘合劑層的底部 和所述電觸點(diǎn)的底面通過(guò)所述底部分暴露；以及其中，所述電觸點(diǎn)延伸到所述模塑層的底部分之外，所述粘合劑層形成在所述模塑層 中由管芯連接焊盤(pán)產(chǎn)生的覆蓋區(qū)域，所述管芯連接焊盤(pán)由所述電觸點(diǎn)與公共金屬層形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，其中，所述粘合劑層具有與所述模塑層的底面齊 平的底面。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，其中，所述粘合劑層具有相對(duì)于所述模塑層的底 面凹陷的底面。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，其中，所述粘合劑層的顏色為黑色以與所述模塑 層的顏色相匹配，所述粘合劑層包括糊狀或薄膜狀的環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺和熱塑性塑料。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，其中，使用接合線將所述IC芯片接合到所述電觸點(diǎn)o
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，其中，所述多個(gè)電觸點(diǎn)沿所述IC封裝的四側(cè)的至 少一個(gè)上以交錯(cuò)結(jié)構(gòu)布置成多行。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的IC封裝，還包括覆蓋所述管芯連接焊盤(pán)的底面和所述電觸 點(diǎn)的頂面和底面的金屬鍍層，其中，所述金屬鍍層包括堆疊的鎳(附)、鈀(Pd)和金(Au)，堆 疊的鎳(Ni)和金(Au)或銀(Ag)，銀(Ag)，金(Au)，鎳(Ni)和金(Au)，電鍍或沉浸錫(Sn)， 錫/鉛(Sn/Pb)，錫合金焊料以及涂有有機(jī)保焊劑(0SP)的熱浸鍍銅或裸銅(Cu)。
27.一種制作無(wú)引腳集成電路(IC)封裝的方法，包括除去引線框架帶的一部分以形成限定用于管芯連接焊盤(pán)區(qū)域和多個(gè)電觸點(diǎn)區(qū)域的凹陷；將所述IC芯片安裝到所述管芯連接焊盤(pán)區(qū)域中； 形成所述電觸點(diǎn)區(qū)域與所述IC芯片之間的電連接；使用模塑層覆蓋所述IC芯片、所述管芯連接焊盤(pán)區(qū)域和所述電觸點(diǎn)區(qū)域以及所述電連接，所述模塑層填充所述凹陷；在所述引線框架帶的底面上的所述電觸點(diǎn)區(qū)域形成抗蝕刻層；使用所述抗蝕刻層作為蝕刻掩模，選擇性地蝕刻所述引線框架帶的底面，由此使所述 電觸點(diǎn)和所述管芯連接焊盤(pán)形成為分離的組件；其中，所述引線框架帶的底面的選擇性蝕刻除去了所述管芯連接焊盤(pán)的至少一部分， 使得與一個(gè)或多個(gè)所述電觸點(diǎn)的底部分相比，所述管芯連接焊盤(pán)的底部分從所述模塑層的 底面延伸出更小的距離。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括，通過(guò)在所述管芯連接焊盤(pán)的底部分執(zhí)行化 學(xué)蝕刻或者機(jī)械研磨以完全地除去所述管芯連接焊盤(pán)。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括蝕刻所述管芯連接焊盤(pán)以在所述管芯連接焊盤(pán)的底面上形成多個(gè)不連續(xù)的凸起部。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括在所述管芯連接焊盤(pán)區(qū)域的底面的至少一部分上形成所述抗蝕刻層；使用所述抗蝕刻層作為蝕刻掩模在所述管芯連接焊盤(pán)中形成凹陷。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括將焊膏施加到所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)上；以及對(duì)所述焊膏執(zhí)行回流處理以形成多個(gè)焊接凸塊。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，還包括將多個(gè)預(yù)成型的焊料球附加到所述電觸點(diǎn)和所述管芯連接焊盤(pán)上。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，還包括將焊膏或助焊劑材料附著到所述管芯連接焊盤(pán)和所述電觸點(diǎn)上以幫助所述焊料球的 連接。
34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述引線框架帶的底面的選擇性蝕刻使得所述 管芯連接焊盤(pán)的外周部分比所述管芯連接焊盤(pán)的中央部分變薄了更大的量。
35.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中形成所述電觸點(diǎn)區(qū)域和所述IC芯片之間的電連 接包括形成所述IC芯片與所述電觸點(diǎn)區(qū)域之間的引線接合。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有支架觸點(diǎn)以及管芯附墊的無(wú)引腳集成電路封裝，該無(wú)引腳集成電路(IC)封裝包括安裝到管芯連接焊盤(pán)上的IC芯片以及電氣地連接到IC芯片的多個(gè)電觸點(diǎn)。IC芯片、電觸點(diǎn)和管芯連接焊盤(pán)都由模塑材料所覆蓋，并且電觸點(diǎn)和管芯連接焊盤(pán)的一部分從模塑材料的底面凸出。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101834166SQ20091013361
公開(kāi)日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日
發(fā)明者柯克·鮑威爾, 約翰·麥克米倫, 賽瑞凡·小潘德倫, 阿多尼斯·方戈 申請(qǐng)人:Asat有限公司