專利名稱：半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于輻射和/或接收電磁信號(hào)的半模式(half-mode)基 才反(substrate)集成天線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
因此，根據(jù)本發(fā)明的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)基于已知基板集成 波導(dǎo)技術(shù)，其中，通過(guò)將金屬層放置在介電基板的頂側(cè)和底側(cè)并通過(guò) 經(jīng)由導(dǎo)電通孔系列或行來(lái)創(chuàng)建電磁信號(hào)的通道，來(lái)創(chuàng)建用于微波和毫 米波應(yīng)用的波導(dǎo)。這類波導(dǎo)的長(zhǎng)度通常是寬度的兩倍及以上且高度與 寬度相比極小，使得這些波導(dǎo)的高度集成是可能的。此外，這些波導(dǎo) 能以低成本例如通過(guò)印刷電路板制造工藝來(lái)制造，同時(shí)仍然提供高性 能。正常(全模式)波導(dǎo)包括連接基板的頂側(cè)和底側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)電層的至 少部分平行的兩個(gè)系列或兩行導(dǎo)電通孔，由此在兩4亍或兩個(gè)系列導(dǎo)電 通孔之間引導(dǎo)電磁信號(hào)。最近的發(fā)展已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，能夠構(gòu)建半模式基板 集成波導(dǎo)，它們僅包括單行或單系列導(dǎo)電通孔，因此僅具有全模式基 板集成波導(dǎo)的一半尺寸。因此，通過(guò)基本上在長(zhǎng)度方向?qū)⑷Ｊ交?集成波導(dǎo)切成兩半，沿以前兩行導(dǎo)電通孔之間的中間創(chuàng)建開放側(cè)，由 此開放側(cè)因?qū)挾扰c高度的高比率而差不多相當(dāng)于理想磁壁。換言之， 半模式基板集成波導(dǎo)提供幾乎與全模式基板集成波導(dǎo)相同的性能，但 具有一半大小。還發(fā)現(xiàn)，這類半模式基板集成波導(dǎo)可用作天線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出 一種與現(xiàn)有技術(shù)相比實(shí)現(xiàn)高度集成和更普 遍應(yīng)用的基4反集成天線結(jié)構(gòu)。上述目的通過(guò)如權(quán)利要求1所述的用于輻射和/或接收電磁信號(hào) 的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的半模式基板集成天 線結(jié)構(gòu)包括由介電材料制成的具有頂側(cè)和底側(cè)的基板，該基板至少部 分為具有主平面的平坦形狀，導(dǎo)電層設(shè)置在基板的所述頂側(cè)且導(dǎo)電層
設(shè)置在所述底側(cè)，導(dǎo)電通孔系列在基板的頂側(cè)和底側(cè)的導(dǎo)電層之間延 伸，使得形成具有饋電端和天線端的波導(dǎo)，由此所述天線端由所述導(dǎo) 電層的端部區(qū)域和所述基板形成，使得所述天線結(jié)構(gòu)的輻射圖基本上 在主平面延伸。
根據(jù)本發(fā)明的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)特別適合工作在寬帶應(yīng) 用，優(yōu)選地工作在微波和/或毫米波范圍。本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)具有小尺 寸，因此可易于集成，制造筒單，并且能以非常靈活的方式用于各種 應(yīng)用。具體來(lái)說(shuō)，由于本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)具有基本上在天線結(jié)構(gòu)的主 平面中延伸的輻射圖，所以根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)天線結(jié)構(gòu)可有效地集
成，即換言之，能夠幾乎彼此排列根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)天線結(jié)構(gòu)。 有利的是，基板中的導(dǎo)電層在天線端形成開端結(jié)構(gòu)。 更優(yōu)選地，通孔系列沿所述天線結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度從所述饋電端延伸到 所述天線端，其中所述導(dǎo)電層的所述端部區(qū)域的端部沒有導(dǎo)電通孔。 因此，有利的是，所述端部的長(zhǎng)度在所述導(dǎo)電層的長(zhǎng)度的3%與15% 之間、優(yōu)選地在5%與10%之間。更有利的是，與所述端部相鄰的所 述端部區(qū)域的中間部分的通孔系列基本上沿所述導(dǎo)電層在長(zhǎng)度方向 的中線設(shè)置，使得所述天線結(jié)構(gòu)的輻射圖基本上在天線結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方 向延伸。備選地，與所述端部相鄰的所述端部區(qū)域的中間部分的通孔 系列基本上與所述導(dǎo)電層在長(zhǎng)度方向的中線成某角度設(shè)置，使得所述 天線結(jié)構(gòu)的輻射圖基本上在所述角度的方向延伸。有利的是，所述中 間區(qū)域的長(zhǎng)度在所述導(dǎo)電層的長(zhǎng)度的3%與15%之間、優(yōu)選地在5%與 10%之間。
有利的是，波導(dǎo)包括中間區(qū)域，其中通孔系列基本上沿直線設(shè)置。 通孔系列與磁壁配合來(lái)充當(dāng)電磁信號(hào)的波導(dǎo)或場(chǎng)導(dǎo)。因此，直線有利
5地是所述導(dǎo)電層在其長(zhǎng)度方向的中線。更有利的是，中間區(qū)域的長(zhǎng)度
在所述導(dǎo)電層的長(zhǎng)度的30%與70%之間、優(yōu)選地在40%與60%之間。 有利的是，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)還包括在波導(dǎo)的側(cè)壁上或附近與所 述波導(dǎo)的所述饋電端耦合的饋電結(jié)構(gòu)，其中所述波導(dǎo)包括與所述饋電 端相鄰的饋電區(qū)，其中，設(shè)置在所述饋電區(qū)中的通孔系列設(shè)置成更接 近波導(dǎo)的相對(duì)側(cè)壁以及在其上或附近耦合了饋電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。因此， 有利的是，
優(yōu)選地在30%與40%之間


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明， 附圖包括
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的頂-f見圖，
圖2示出圖1所示天線結(jié)構(gòu)的寬度方向的截面圖，
圖3示出圖1的天線結(jié)構(gòu)的天線端的截圖的側(cè)-現(xiàn)圖，
圖4a示出本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)的示意側(cè)-現(xiàn)圖，其中具有其輻射圖，
圖4b示出本發(fā)明的備選天線結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖，
圖5示出本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的頂視圖，
圖6示出根據(jù)本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的頂視圖，
圖7示出根據(jù)第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的輻射圖，
圖8示出第二實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的輻射圖，以及
圖9示出第三實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)的輻射圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)1 的頂視圖。天線結(jié)構(gòu)1包括基板2，其中具有例如在沿圖2所示的天 線結(jié)構(gòu)1的寬度方向的截面中可看到的頂側(cè)2a和底側(cè)2b。這個(gè)實(shí)施 例的基板2基本上具有平坦形狀，并且在主平面M中延伸(參見圖2 和圖4)。換言之，與寬度和長(zhǎng)度相比，基板具有極小的高度。在圖1、圖5和圖6中，主平面M與附圖平面相同。在圖l所示的實(shí)施例中， 基板2的長(zhǎng)度差不多是寬度的兩倍。但是，基板2的長(zhǎng)度可以是寬度 的許多倍，或者可以與寬度大致相同，取決于所需應(yīng)用?；?可包 括介電材料、即介電常數(shù)不等于1的材料或者可以完全由其制成。因 此，基板2的介電材料可以是柔性或剛性材料，取決于預(yù)期應(yīng)用。作 為替代或補(bǔ)充，基板可至少部分例如在導(dǎo)電層3a與3b之間包含空氣。
導(dǎo)電層3a設(shè)置在基板的頂側(cè)2a，導(dǎo)電層3b設(shè)置在基板2的底側(cè) 2b，參見圖2。導(dǎo)電層3a和3b相互對(duì)準(zhǔn)，換言之，導(dǎo)電層3a和3b 完全匹配并且相互成直線。在圖l(以及在圖5和圖6)中可看到，導(dǎo)電 層3a和3b的長(zhǎng)度l2小于基板2的長(zhǎng)度h。原因在于，印刷導(dǎo)線形式 的附加饋電結(jié)構(gòu)12存在于頂側(cè)2a并且可選地還存在于基板2的底側(cè) 2b。導(dǎo)電層的材料例如是金屬，但可以是任何其它導(dǎo)電材料。饋電線 12的材料也可以是例如金屬或者任何其它導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層3a和3b 例如通過(guò)印刷電路板技術(shù)印制到基板2上。還能夠通過(guò)任何其它適當(dāng) 技術(shù)、例如通過(guò)集成電路板技術(shù)來(lái)應(yīng)用導(dǎo)電層3a、 3b。在圖1、圖5 和圖6所示的實(shí)施例中，導(dǎo)電層3a、 3b的寬度W2小于基板2的寬度 Wl。但是，底側(cè)2b上的導(dǎo)電層3b的寬度W2能夠與基板2的寬度Wi 相同，換言之，導(dǎo)電層3b能夠遍布于基板2的整個(gè)寬度。
天線結(jié)構(gòu)1還包括在導(dǎo)電層3a、3b之間延伸的一系列或一行導(dǎo)電 通孔4,使得形成波導(dǎo)饋電端5和天線端6。導(dǎo)電通孔4是連接兩個(gè) 導(dǎo)電層3a、 3b的導(dǎo)電柱或?qū)щ姉U，如圖2所示。有利的是，導(dǎo)電通孔 由用作導(dǎo)電層3a、 3b的材料、如金屬制成。本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)l僅包 括單系列或單行導(dǎo)電通孔4，因而形成半模式天線結(jié)構(gòu)，由此導(dǎo)電層 3a、 3b的縱向側(cè)14a形成電磁信號(hào)的磁壁。在所示實(shí)施例中，導(dǎo)電通 孔4具有圓形，并且具有接近完全相同的直徑以及相互之間的距離。 但是，可能的是，形狀和/或直徑和/或?qū)щ娡字g的距離可根據(jù)預(yù) 期應(yīng)用而改變。例如，通孔可具有橢圓形、矩形或者任何其它適當(dāng)形 狀。在波導(dǎo)的饋電端，用于向波導(dǎo)或從波導(dǎo)提供電磁信號(hào)的饋電結(jié)構(gòu)
12連接在形成磁壁的縱向側(cè)14a的角上，所述磁壁形成電磁信號(hào)。在 不同的應(yīng)用中，饋電結(jié)構(gòu)12可以不直接設(shè)置在角上，而是可以連接 成更接近形成,茲壁的縱向側(cè)14a而不是接近波導(dǎo)的相對(duì)縱向側(cè)14b。 在波導(dǎo)的縱向的饋電端5的相對(duì)端是由導(dǎo)電層3a、 3b的端部區(qū)域7 和基板2所形成的天線端6。圖4a所示的天線結(jié)構(gòu)1的示意側(cè)視圖直 觀表明，從天線端6輻射的輻射圖基本上在天線結(jié)構(gòu)1的主平面M中 延伸。換言之，輻射圖沒有遠(yuǎn)離天線結(jié)構(gòu)的主平面M延伸，而是輻射 圖的主瓣1基本上在主平面M中并且沿其延伸。因此，天線端6是開 端結(jié)構(gòu)8，在圖3所示的天線結(jié)構(gòu)1的側(cè)視圖的截圖中可看到。換言 之，導(dǎo)電層3a、 3b在天線端的端部7a延伸到對(duì)象2的邊緣或側(cè)面， 使得沿波導(dǎo)引導(dǎo)的電磁波可以無(wú)阻礙地從這個(gè)開端8輻射。圖4a所示 的側(cè)視圖是本發(fā)明的圖1、圖5和圖6所示實(shí)施例的側(cè)視圖。圖4b示 出根據(jù)本發(fā)明的備選天線結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，其中基板2、因而整個(gè)天線 結(jié)構(gòu)彎曲，即包括彎曲部分15。天線結(jié)構(gòu)中包括天線端6的部分具有 主平面M的平坦形狀，并且輻射圖的主瓣以與上文針對(duì)圖4a所述相 同的方式沿其延伸。但是，天線結(jié)構(gòu)中包括饋電端5的部分從平面M 彎曲。在圖4b所示的示例中，天線結(jié)構(gòu)中由彎曲部分15所定義或分 隔的兩個(gè)部分包括大約90度的角。但是，任何其它角是可能的，取 決于所需的應(yīng)用。另外，在另一備選方案中，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)可呈 S形等彎曲。因此要注意，彎曲部分15(或者其它彎曲部分)應(yīng)當(dāng)具有 足以確保不損害從饋電端5導(dǎo)向天線端6的電;茲信號(hào)的半徑。要理解， 圖4b所示天線結(jié)構(gòu)的備選形狀可適用于圖1所示的第一實(shí)施例以及 圖5所示的第二實(shí)施例或者圖6所示的第三實(shí)施例。 一般來(lái)說(shuō)，本文 所述的本發(fā)明的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的所有實(shí)施例具有如圖4a所示的基本平坦 形狀，或者可具有如圖4b所示的彎曲形狀或者任何其它彎曲形狀、S 形或者任何其它適當(dāng)形狀，只要內(nèi)部結(jié)構(gòu)中包括天線端6的部分基本 上為并具有輻射圖的主瓣1在其中或沿其延伸的主平面M。導(dǎo)電通孔4系列或行以連續(xù)方式沿天線結(jié)構(gòu)1的長(zhǎng)度從饋電端5 延伸到天線端6,除了導(dǎo)電層3a、 3b的端部區(qū)域7的端部7a沒有導(dǎo) 電通孔4之外。換言之，與開端8的邊緣或側(cè)面交界的端部區(qū)域7的 端部7a沒有導(dǎo)電通孔。端部7a的長(zhǎng)度16在導(dǎo)電層3a、 3b的長(zhǎng)度12 的3%與15%之間、優(yōu)選地在5%與10%之間且在所示示例中大約為 7.5%。端部區(qū)域7還包括與端部7a和導(dǎo)電層3a、 3b的中間區(qū)域9相 鄰設(shè)置的中間部分7b。中間部分7b具有導(dǎo)電通孔4,由此中間部分 7b中的通孔4的布置影響主平面M中的輻射圖的方向。在圖1所示 的第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)1中，中間部分7b的通孔不是在導(dǎo)電層3a、 3b的縱向L沿中線C設(shè)置，而是與縱向L以例如在10°與30°之間的 角設(shè)置。換言之，第一實(shí)施例的中間部分7b的通孔系列被引導(dǎo)到其 中的方向Li相對(duì)天線結(jié)構(gòu)1的縱向L成10°至30。的任何角，它引起 天線結(jié)構(gòu)1的輻射圖的主瓣基本上導(dǎo)向方向L!(但仍然在主平面M 中)，如圖7的輻射圖所示。圖5和圖6所示的其它實(shí)施例在中間部分 7b中具有通孔4系列的不同布置，下面進(jìn)一步說(shuō)明。中間部分7b的 長(zhǎng)度15在導(dǎo)電層3a、 3b的長(zhǎng)度12的3%與15%之間、優(yōu)選地在5%與 10%之間且在所示示例中大約為7.5%。有利的是，中間部分7b和端 部7a具有相同長(zhǎng)度。
本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)1還包括與端部區(qū)域7的中間區(qū)域7b相鄰的 中間區(qū)域9。在中間區(qū)域9，導(dǎo)電通孔4系列基本上沿直線設(shè)置。在 所示實(shí)施例中，直線是導(dǎo)電層3a、 3b在長(zhǎng)度方向的中線C,它在中間、 即在與各縱向側(cè)14a、 14b的W2/2的距離分隔導(dǎo)電層3a、 3b。中間區(qū) 域9的長(zhǎng)度U有利地在導(dǎo)電層3a、 3b的長(zhǎng)度12的30%與70%之間、
如上所述，本發(fā)明的天線結(jié)構(gòu)1還可包括與饋電端5耦合的饋電 結(jié)構(gòu)12。在圖1所示的第一實(shí)施例中，饋電結(jié)構(gòu)12是天線結(jié)構(gòu)1的 一部分，這對(duì)于裝置的集成和制造是有利的。但是，在具體應(yīng)用中， 不將饋電結(jié)構(gòu)包含在天線結(jié)構(gòu)1中可能是有利的。在饋電端5與中間區(qū)域9之間，天線結(jié)構(gòu)1包括饋電區(qū)13,由此設(shè)置在所述饋電區(qū)13 中的導(dǎo)電通孔4系列設(shè)置成更接近波導(dǎo)的側(cè)面14b而不是接近在其上 或附近可耦合々貴電結(jié)構(gòu)12的側(cè)面14a (即，側(cè)面14a形成電；茲信號(hào)的 磁壁)。饋電區(qū)13的長(zhǎng)度13有利地在導(dǎo)電層3a、 3b的長(zhǎng)度12的20%與 50%之間、優(yōu)選地在30%與40%之間，在所示示例中大約為35%。
圖5所示第二實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)10以及圖6所示第三實(shí)施例的 天線結(jié)構(gòu)11與第一實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)1相同，但端部區(qū)域7的中間 部分7b中的導(dǎo)電通孔4系列的布置除外。在第二實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu) 10中，中間部分7b中的通孔4系列基本上在長(zhǎng)度方向沿著與中間區(qū) 域9中的導(dǎo)電通孔系列相同的導(dǎo)電層3a、 3b的中線C"&置，因此， 天線結(jié)構(gòu)10的輻射圖基本上在天線結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向L延伸和指向， 但是仍然在主平面M中，如圖8的輻射圖所示。
與第一實(shí)施例中相似，圖6所示第三實(shí)施例的天線結(jié)構(gòu)11的端 部區(qū)域7的中間部分7b中的通孔4系列與中線C或縱向成某角度設(shè) 置，使得第三實(shí)施例的中間部分7b中的通孔系列指向方向L2,它與 天線結(jié)構(gòu)的縱向L成例如10°與30。之間的角度設(shè)置。因此，天線結(jié)構(gòu) 11的輻射圖基本上指向方向L2，但仍然在主平面M中，如圖9的輻 射圖所示。
必須注意，圖1、圖5和圖61^又示出頂側(cè)導(dǎo)電層3a，因而以上i兌 明的大部分針對(duì)這個(gè)導(dǎo)電層3a，但是所有特征和特性同樣可適用于電 介質(zhì)2的底側(cè)2b上的導(dǎo)電層3b。
10
權(quán)利要求
1.用于電磁信號(hào)的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(1，10，11)，包括具有頂側(cè)(2a)和底側(cè)(2b)的基板(2)，所述基板至少部分為具有主平面(M)的平坦形狀，設(shè)置在所述頂側(cè)的導(dǎo)電層(3a)和設(shè)置在所述底側(cè)的導(dǎo)電層(3b)，導(dǎo)電通孔(4)系列，在所述基板的所述頂側(cè)和所述底側(cè)的所述導(dǎo)電層(3a，3b)之間延伸，使得形成具有饋電端(5)和天線端(6)的波導(dǎo)，其中，所述天線端(6)由所述導(dǎo)電層(3a，3b)的端部區(qū)域(7)和所述基板(2)來(lái)形成，使得所述天線結(jié)構(gòu)(1)的輻射圖基本上在所述主平面(M)中延伸。
2. 如權(quán)利要求1所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l, 10, 11)，其 中，所述導(dǎo)電層(3a, 3b)和所述基板(2)在所述天線端(6)形成開端結(jié)構(gòu)
3. 如權(quán)利要求1或2所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l, 10， 11), 其中，所述通孔(4)系列沿所述天線結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度(12)從所述饋電端(5)延 伸到所述天線端(6),其中所述導(dǎo)電層(3a， 3b)的所述端部區(qū)域(7)的端 部(7a)沒有導(dǎo)電通孔(4)。
4. 如權(quán)利要求3所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(1， 10, 11),其 中，所述端部(7a)的長(zhǎng)度(l6)在所述導(dǎo)電層(3a， 3b)的長(zhǎng)度(l2)的3 %與 15 %之間、優(yōu)選地在5%與10%之間。
5. 如權(quán)利要求3或4所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l, 10， 11), 其中，與所述端部(7a)相鄰的所述端部區(qū)域(7)的中間部分(7b)中的通孔 (4)系列基本上沿所述導(dǎo)電層在長(zhǎng)度方向(U)的中線(c)設(shè)置，使得所述 天線結(jié)構(gòu)的輻射圖基本上在所述天線結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度方向(L)延伸。
6. 如權(quán)利要求3或4所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l， 10， 11)， 其中，與所述端部(7a)相鄰的所述端部區(qū)域(7)的中間部分(7b)中的通孔 (4)系列基本上與所述導(dǎo)電層在長(zhǎng)度方向(L)的中線(c)成一定角度設(shè)置，使得所述天線結(jié)構(gòu)的輻射圖基本上在所述角度的方向(L!， L》延 伸。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)，其中，所 述中間區(qū)域(7b)的長(zhǎng)度(ls)在所述導(dǎo)電層(3a, 3b)的長(zhǎng)度的3 %與15 % 之間、優(yōu)選地在5 %與10 %之間。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu) (1， 10， 11),其中，所述波導(dǎo)包括所述通孔(4)系列在其中基本上沿直 線設(shè)置的中間區(qū)域(9)。
9. 如權(quán)利要求8所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(1, 10, 11)，其 中，所述直線是所述導(dǎo)電層在長(zhǎng)度方向(L)的中線(c)。
10. 如權(quán)利要求8或9所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l， 10， 11)，其中，所述中間區(qū)域(9)的長(zhǎng)度(14)在所述導(dǎo)電層的長(zhǎng)度(12)的30% 與70 %之間、優(yōu)選地在40%與60%之間。
11. 如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu) (1, 10， 11),還包括在所述波導(dǎo)的側(cè)壁(14a)上或附近與所述波導(dǎo)的所述^t電 端(5)耦合的饋電結(jié)構(gòu)(11),其中所述波導(dǎo)包括與所述饋電端(5)相鄰的 饋電區(qū)(13)，其中，設(shè)置在所述饋電區(qū)(13)中的通孔系列設(shè)置成更接近 所述波導(dǎo)的相對(duì)側(cè)壁(14b)而不是在其上或附近耦合了所述饋電結(jié)構(gòu) (12)的側(cè)壁(14a)。
12. 如權(quán)利要求11所述的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)(l, 10， 11)， 其中，所述饋電區(qū)(13)的長(zhǎng)度(13)在所述導(dǎo)電層的長(zhǎng)度(12)的20 %與50 %之間、優(yōu)選地在30%與40%之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于電磁信號(hào)的半模式基板集成天線結(jié)構(gòu)1、10、11，包括具有頂側(cè)2a和底側(cè)2b的基板2，所述基板基本上為具有主平面M的平坦形狀，導(dǎo)電層3a設(shè)置在所述頂側(cè)且導(dǎo)電層3b設(shè)置在所述底側(cè)，導(dǎo)電通孔系列在基板的頂側(cè)和底側(cè)的導(dǎo)電層3a、3b之間延伸，使得形成具有饋電端5和天線端6的波導(dǎo)，其中所述天線端6由所述導(dǎo)電層3a、3b的端部區(qū)域和所述基板2形成，使得所述天線結(jié)構(gòu)1的輻射圖基本上在主平面M中延伸。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK101552376SQ20091013329
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月31日
發(fā)明者M·古索厄爾, S·科克 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社