專利名稱：薄膜晶體管數(shù)組基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示器。
背景技術(shù)：
對液晶顯示器而言，像素開口率的大小會直接影響到背光源的利用率，亦 會影響顯示器的顯示亮度，而影響像素開口率大小的主要因素之一，就是薄膜
晶體管數(shù)組基板上的通孔(contacthole)的面積。 一般而言，通孔的面積越小， 像素區(qū)域的面積就會越大，像素開口率也會越大。
然而，受限于目前的蝕刻技術(shù)，若是通孔的面積過小，通孔往往無法順利 貫穿絕緣層。特別是對于彩色濾光片整于基板(COA; color filter on array)結(jié)構(gòu) 或高開口率(UHA; Ultra-High Aperture)結(jié)構(gòu)而言，由于目前蝕刻技術(shù)很難在 色阻上制作高深寬比(aspect-ratio)的通孔，因此在設(shè)計上通孔的面積必須夠大， 才能確保一定的良品率。但這種設(shè)計又勢必會影響到像素開口率，因此設(shè)計者 往往會受困于這兩難的問題中，無法突破。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為薄膜晶體管數(shù)組基板，其利用堆棧結(jié)構(gòu)墊高薄膜晶 體管的汲極的延伸電極，因此通孔不需要太深即可暴露出汲極的延伸電極，讓 像素電極接觸。
根據(jù)本發(fā)明的一實施方式， 一種薄膜晶體管數(shù)組基板包含基材、第一圖案 化導(dǎo)電層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二圖案化導(dǎo)電層、第二絕緣層、通孔與 像素電極。第一圖案化導(dǎo)電層位于基材上，且此第一圖案化導(dǎo)電層包含掃描線、 閘極及浮置電極，其中閘極電性連接掃描線。第一絕緣層位于第一圖案化導(dǎo)電 層上。半導(dǎo)體層位于第一絕緣層上，且此半導(dǎo)體層包含通道區(qū)。第二圖案化導(dǎo) 電層位于第一絕緣層上，且此第二圖案化導(dǎo)電層包含源極、汲極、和掃描線交 錯的數(shù)據(jù)線及汲極的延伸電極，上述的閘極、源極、汲極及通道區(qū)構(gòu)成薄膜晶體管，其中源極電性連接數(shù)據(jù)線且汲極的延伸電極部分和浮置電極重迭。第二 絕緣層位于第二圖案化導(dǎo)電層上。通孔貫穿第二絕緣層，并暴露出部分汲極的 延伸電極。像素電極通過通孔，電性連接汲極的延伸電極。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該半導(dǎo)體層更包含一第一半導(dǎo)體區(qū)， 位于該汲極的延伸電極與該第一絕緣層之間。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第一半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此相連。 上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第一半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此分開 設(shè)置。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該汲極的延伸電極的邊緣對齊該浮置 電極的邊緣。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該汲極的延伸電極其在遠(yuǎn)離汲極方向
的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠(yuǎn)離閘極方向的邊緣內(nèi)縮O nm至10 pm。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該汲極的延伸電極其在遠(yuǎn)離汲極方向 的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠(yuǎn)離閘極方向的邊緣凸出0nm至10)Lim。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該基材表面至該通孔所曝露出該汲極 的延伸電極的上表面的高度為3700 A至14000 A。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該基材表面至該汲極的延伸電極的與 該第一半導(dǎo)體區(qū)接觸的下表面的高度為1500 A至10000 A。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該浮置電極的形狀呈方形、多邊形、 橢圓形或圓形。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第二絕緣層的材料為有機(jī)材料或無 機(jī)材料。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，在第二絕緣層上方更包含一第三絕緣層。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第三絕緣層的材料為有機(jī)材料或無 機(jī)材料。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第二絕緣層為彩色濾光層。 上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第三絕緣層為彩色濾光層。 根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式， 一種薄膜晶體管數(shù)組基板包含基材、第一圖 案化導(dǎo)電層、第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二圖案化導(dǎo)電層、第二絕緣層、通孔與像素電極。第一圖案化導(dǎo)電層位于基材上，且此第一圖案化導(dǎo)電層包含掃描 線與閘極，其中閘極電性連接掃描線。第一絕緣層位于第一圖案化導(dǎo)電層上。 半導(dǎo)體層位于第一絕緣層上，且此半導(dǎo)體層包含通道區(qū)與第一半導(dǎo)體區(qū)。第二 圖案化導(dǎo)電層位于第一絕緣層上，且此第二圖案化導(dǎo)電層包含源極、汲極、和 掃描線交錯的數(shù)據(jù)線及汲極的延伸電極。上述的閘極、源極、汲極及通道區(qū)構(gòu) 成薄膜晶體管，其中源極電性連接數(shù)據(jù)線且汲極的延伸電極部分和第一半導(dǎo)體 區(qū)重迭。第二絕緣層位于第二圖案化導(dǎo)電層上。通孔貫穿第二絕緣層，并暴露 出部分汲極的延伸電極。像素電極，通過通孔，電性連接汲極的延伸電極。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第一半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此相連。 上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第一半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此分開 設(shè)置。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該基材表面至該通孔所曝露出該汲極
的延伸電極的上表面的高度為3200 A至13500 A。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該基材表面至該汲極的延伸電極的與 該第一半導(dǎo)體區(qū)接觸的下表面的高度為1000 A至9500 A。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第二絕緣層的材料為有機(jī)材料或無 機(jī)材料。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，在第二絕緣層上方更包含一第三絕緣層。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第三絕緣層的材料為有機(jī)材料或無 機(jī)材料。
上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第二絕緣層為彩色濾光層。 上述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其中，該第三絕緣層為彩色濾光層。 以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1為依照本發(fā)明一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的上視圖； 圖2為沿著圖1的線段2的剖面圖3為依照本發(fā)明另一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面位置與圖2相同；
圖4為依照本發(fā)明再一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面 位置與圖3相同；
圖5為依照本發(fā)明又一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面 位置與圖2相同；
圖6為依照本發(fā)明再一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面 位置與圖2相同；
圖7為依照本發(fā)明另一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的上視圖； 圖8為依照本發(fā)明再一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的上視圖； 圖9為依照本發(fā)明又一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的上視圖。 其中，附圖標(biāo)記
110基材
120第一圖案化導(dǎo)電層
122掃描線
124閘極
126置電極
130第一絕緣層
140半導(dǎo)體層
142通道區(qū)
144第一半導(dǎo)體區(qū)
150第二圖案化導(dǎo)電層
152源極
154汲極
156數(shù)據(jù)線
158延伸電極
160第二絕緣層
170通孔
180像素電極
200薄膜晶體管
205有機(jī)層210共同電極線 HT高度 HP高度 P 距離 R 距離
具體實施例方式
圖1為依照本發(fā)明一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的上視圖。圖2為沿 著圖1的線段2的剖面圖。如圖所示， 一種薄膜晶體管數(shù)組基板包含基材110、 第一圖案化導(dǎo)電層120、第一絕緣層130、半導(dǎo)體層140、第二圖案化導(dǎo)電層 150、第二絕緣層160、通孔170與像素電極180。
第一圖案化導(dǎo)電層120位于基材110上，且此第一圖案化導(dǎo)電層120包含 掃描線122(如圖1所繪示)、閘極124及浮置電極126，其中閘極124電性連 接掃描線122(如圖1所繪示)。上述的基材110的材質(zhì)可為玻璃或塑料，而第 一圖案化導(dǎo)電層120的材質(zhì)則可為金屬，例如鋁、銅、銀、金或上述金屬的 組合物或合金。
第一絕緣層130位于第一圖案化導(dǎo)電層120上。更具體地說，此第一絕緣 層130可至少覆蓋閘極124，以作為薄膜晶體管200的閘介電層。上述的第一 絕緣層130的材質(zhì)可為各種介電材料，例如二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
半導(dǎo)體層140位于第一絕緣層130上，且此半導(dǎo)體層140包含通道區(qū)142。 具體而言，上述的通道區(qū)142可位于閘極124上方，并隔著第一絕緣層130 與閘極124相對。
第二圖案化導(dǎo)電層150位于第一絕緣層130上，且此第二圖案化導(dǎo)電層 150包含源極152、汲極154、和掃描線122交錯的數(shù)據(jù)線156(如圖1所繪示) 及汲極154的延伸電極158。上述的閘極124、源極152、汲極154及通道區(qū) 142構(gòu)成薄膜晶體管200。其中，源極152電性連接數(shù)據(jù)線156(如圖1所繪示)， 而汲極154的延伸電極158則部分和浮置電極126重迭，詳細(xì)而言，汲極154 的延伸電極158至少部分被堆棧于浮置電極126上方，也就是說，汲極154 的延伸電極158隔著第一絕緣層130，部份延伸電極158和浮置電極126重迭， 使得由上視觀之時，汲極154的延伸電極158至少部分覆蓋浮置電極126。在材質(zhì)上，第二圖案化導(dǎo)電層150的材質(zhì)亦可為金屬，例如鋁、銅、銀、金或
上述金屬的組合物或合金。
第二絕緣層160位于第二圖案化導(dǎo)電層150上，第二絕緣層160的材料可
為有機(jī)材質(zhì)或無機(jī)材質(zhì)。此外，當(dāng)薄膜晶體管數(shù)組基板具有彩色濾光片整于基
板(COA; color filter on array)結(jié)構(gòu)或高開口率(UHA; Ultra-High Aperture)結(jié)
構(gòu)時，上述的第二絕緣層160之上尚可選擇性的具有第三絕緣層(圖未示)，此 第三絕緣層的材料可以是有機(jī)層205，例如色阻、彩色濾光層，或無機(jī)材料； 第二絕緣層160及第三絕緣層可平坦化薄膜晶體管數(shù)組基板，在其它實施例 中，并可提供所需要的濾光功能，且第二絕緣層材料及第三絕緣層材料可相同， 例如彩色濾光層。
為了電性接觸汲極154的延伸電極158，制造者一般會在第二絕緣層160 與有機(jī)層205上制作通孔170，此通孔170可貫穿第二絕緣層160與有機(jī)層205， 并暴露出部分汲極154的延伸電極158，以使像素電極180通過通孔170，電 性連接汲極154的延伸電極158。
在本實施方式中，由于汲極154的延伸電極158下方具有浮置電極126， 因此可有效墊高汲極154的延伸電極158。也就是說，制造者不需要制作太深 的通孔170即可暴露出汲極154的延伸電極158。如此一來，即便目前蝕刻技 術(shù)無法在色阻上制作高深寬比的通孔170，但由于所需要貫穿的深度不深，因 此通孔170仍可擁有較小的面積，使得像素開口率因而提升。
詳細(xì)而言，浮置電極126其為不與任何組件電性連接的電極，且由于浮置 電極126不與任何組件電性連接(包括直接與間接)，因此浮置電極126的電位 通常會等于或接近于接地電位。也由于浮置電極126的電位會等于或接近于接 地電位，因此浮置電極126與汲極154的延伸電極158之間將不會有顯著的電 容效應(yīng)，影響薄膜晶體管數(shù)組基板的操作。
此外，上述的半導(dǎo)體層140更可包含第一半導(dǎo)體區(qū)144，此第一半導(dǎo)體區(qū) 144可位于汲極154的延伸電極158與第一絕緣層130之間。亦即，汲極154 的延伸電極158可部分和第一半導(dǎo)體區(qū)144重迭，也就是說，汲極154的延伸 電極158至少部分被堆棧于第一半導(dǎo)體區(qū)144上方，詳細(xì)而言，汲極154的延 伸電極158隔著第一絕緣層130以及第一半導(dǎo)體區(qū)144，部份延伸電極158和 浮置電極126重迭，使得由上視觀之時，汲極154的延伸電極158至少部分覆蓋第一半導(dǎo)體區(qū)144以及浮置電極126，以進(jìn)一步墊高汲極154的延伸電極 158。
具體而言，在本實施方式中，基材110表面至通孔170所曝露出汲極154 的延伸電極158的上表面的高度HT可為3700 A至14000 A，而基材IIO表面 至汲極154的延伸電極158的與第一半導(dǎo)體區(qū)144接觸的下表面的高度HP則 為1500 A至10000 A。應(yīng)了解到，以上所述的尺寸均僅為例示，并非用以限 制本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性調(diào)整汲 極154的延伸電極158的高度。
圖3為依照本發(fā)明另一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面 位置與圖2相同。本實施方式與上一實施方式最大的不同點在于上一實施方 式的信道區(qū)142與第一半導(dǎo)體區(qū)144彼此分開設(shè)置，而本實施方式的信道區(qū) 142與第一半導(dǎo)體區(qū)144則彼此相連。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者， 應(yīng)視實際需要，彈性選擇信道區(qū)142與第一半導(dǎo)體區(qū)144的實施方式。
且在圖3繪示的實施方式中，汲極154的延伸電極158的邊緣對齊浮置電 極126的邊緣。但此并不限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者， 應(yīng)能根據(jù)實際需要，彈性選擇汲極154的延伸電極158與浮置電極126之間的 相對位置。
舉例來說，在本發(fā)明再一實施方式中，汲極154的延伸電極158其在遠(yuǎn)離 汲極154方向的邊緣的投影位置，可較浮置電極126其在遠(yuǎn)離閘極124方向的 邊緣凸出，且其凸出的距離R約為Opm至10pm，如圖4所標(biāo)示。或者，在 本發(fā)明又一實施方式中，汲極154的延伸電極158其在遠(yuǎn)離汲極154方向的邊 緣的投影位置可較浮置電極126其在遠(yuǎn)離閘極124方向的邊緣內(nèi)縮，其內(nèi)縮距 離P約為0 nm至10 |im ，如圖5所標(biāo)示。
除了以浮置電極126墊高汲極154的延伸電極158夕卜，制造者亦可依實際 需要，選擇省略浮置電極126，僅以第一半導(dǎo)體區(qū)144墊高汲極154的延伸電 極158。以下將以圖6為例，具體說明以上技術(shù)內(nèi)容。
圖6為依照本發(fā)明再一實施方式的薄膜晶體管數(shù)組基板的剖面圖，其剖面 位置與圖2相同。本實施方式與先前實施方式最大的不同點在于本實施方式 并未在基材上設(shè)置浮置電極，僅在汲極154的延伸電極158與第一絕緣層130 之間設(shè)置第一半導(dǎo)體區(qū)144，詳細(xì)而言，其中基材110表面至該通孔170所曝露出汲極154的延伸電極158的上表面的高度HT可為3200 A至13500 A，而 基材110表面至汲極154的延伸電極158的與第一半導(dǎo)體區(qū)144接觸的下表面 的高度HP可為1000 A至9500 A。
也就是說，制造者應(yīng)視實際需要選擇堆棧在汲極154的延伸電極158下方 的結(jié)構(gòu)，并不必然一定是浮置電極126。具體而言，制造者可選擇單以浮置電 極126、單以第一半導(dǎo)體區(qū)144，或者同時設(shè)置兩者來墊高汲極154的延伸電 極158。
此外，雖然圖1將浮置電極126的形狀繪示呈方形，但此并不限制本發(fā)明， 浮置電極126的形狀亦可呈多邊形(如圖7所繪示)、橢圓形(如圖8所繪示)或 圓形。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者，應(yīng)視實際需要彈性選擇。
雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí) 此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。舉例 來說，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者，亦可依實際需要將共同電極線 210整合于薄膜晶體管數(shù)組基板上(如圖9所繪示)，其并不脫離本發(fā)明的保護(hù) 范圍。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，包含一基材；一第一圖案化導(dǎo)電層位于該基材上，其中該第一圖案化導(dǎo)電層包含一掃描線、一閘極及一浮置電極，其中該閘極電性連接該掃描線；一第一絕緣層位于該第一圖案化導(dǎo)電層上；一半導(dǎo)體層，位于該第一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體層包含一通道區(qū)；一第二圖案化導(dǎo)電層位于該第一絕緣層上，其中該第二圖案化導(dǎo)電層包含一源極、一汲極、和掃描線交錯的數(shù)據(jù)線及一汲極的延伸電極，且該閘極、該源極、該汲極及該通道區(qū)構(gòu)成一薄膜晶體管，其中該源極電性連接該數(shù)據(jù)線且該汲極的延伸電極部分和該浮置電極重迭；一第二絕緣層位于該第二圖案化導(dǎo)電層上；一通孔，貫穿該第二絕緣層，并暴露出部分該汲極的延伸電極；以及一像素電極，通過該通孔，電性連接該汲極的延伸電極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該半導(dǎo)體 層更包含一第一半導(dǎo)體區(qū)，位于該汲極的延伸電極與該第一絕緣層之間。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第一半 導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此相連。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第一半 導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此分開設(shè)置。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該汲極的 延伸電極的邊緣對齊該浮置電極的邊緣。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該汲極的 延伸電極其在遠(yuǎn)離汲極方向的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠(yuǎn)離閘極方 向的邊緣內(nèi)縮0ium至10pm。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該汲極的 延伸電極其在遠(yuǎn)離汲極方向的邊緣的投影位置較該浮置電極其在遠(yuǎn)離閘極方向的邊緣凸出Oiim至10pm。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該基材表面至該通孔所曝露出該汲極的延伸電極的上表面的高度為3700 A至14000 A。
9、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該基材表 面至該汲極的延伸電極的與該第一半導(dǎo)體區(qū)接觸的下表面的高度為1500 A至 10000A。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該浮置電極的形狀呈方形、多邊形、橢圓形或圓形。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第二絕 緣層的材料為有機(jī)材料或無機(jī)材料。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，在第二絕 緣層上方更包含一第三絕緣層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第三 絕緣層的材料為有機(jī)材料或無機(jī)材料。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第二絕 緣層為彩色濾光層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第三 絕緣層為彩色濾光層。
16、 一種薄膜晶體管數(shù)組基板，包含 一基材；一第一圖案化導(dǎo)電層位于該基材上，其中該第一圖案化導(dǎo)電層包含一掃描 線及一閘極，其中該閘極電性連接該掃描線； 一第一絕緣層位于該第一圖案化導(dǎo)電層上；一半導(dǎo)體層，位于該第一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體層包含一通道區(qū)與一第 一半導(dǎo)體區(qū)；一第二圖案化導(dǎo)電層位于該第一絕緣層上，其中該第二圖案化導(dǎo)電層包含 一源極、 一汲極、和掃描線交錯的數(shù)據(jù)線及一汲極的延伸電極，且該閘極、該 源極、該汲極及該通道區(qū)構(gòu)成一薄膜晶體管，其中該源極電性連接該數(shù)據(jù)線且 該汲極的延伸電極部分和該第一半導(dǎo)體區(qū)重迭；一第二絕緣層位于該第二圖案化導(dǎo)電層上；一通孔，貫穿該第二絕緣層，并暴露出部分該汲極的延伸電極；以及 一像素電極，通過該通孔，電性連接該汲極的延伸電極。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第一半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此相連。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第一 半導(dǎo)體區(qū)與該通道區(qū)彼此分開設(shè)置。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該基材 表面至該通孔所曝露出該汲極的延伸電極的上表面的高度為3200 A至13500 A。
20、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該基材 表面至該汲極的延伸電極的與該第一半導(dǎo)體區(qū)接觸的下表面的高度為1000 A 至9500A。
21、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第二 絕緣層的材料為有機(jī)材料或無機(jī)材料。
22、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，在第二 絕緣層上方更包含一第三絕緣層。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第三 絕緣層的材料為有機(jī)材料或無機(jī)材料。
24、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第二 絕緣層為彩色濾光層。
25、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管數(shù)組基板，其特征在于，該第三 絕緣層為彩色濾光層。
全文摘要
一種薄膜晶體管數(shù)組基板，其利用堆棧結(jié)構(gòu)墊高薄膜晶體管的汲極的延伸電極，因此通孔不需要太深即可暴露出汲極的延伸電極。
文檔編號H01L29/40GK101515590SQ20091013264
公開日2009年8月26日 申請日期2009年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月30日
發(fā)明者侯鴻龍, 曾慶安, 朱公勍, 李佳育, 林以尊, 邱駿仁, 陳介偉, 陳宗凱, 黃彥衡 申請人:友達(dá)光電股份有限公司