專利名稱：片式薄膜電阻器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電阻器的制造方法，尤其涉及一種片式薄 膜電阻器的制造方法。
背景技術(shù)：
片式電阻器是片式電阻網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品的基礎(chǔ)元件，被稱作電子 設(shè)備的"細(xì)胞"，電子設(shè)備的精度、可靠性在很大程度上取決于片式電阻器 的質(zhì)量。片式薄膜電阻器傳統(tǒng)的制作方法是利用濺射工藝先在陶瓷基板上 濺射電阻膜層和電極層，然后進(jìn)行光刻，再利用化學(xué)腐蝕或等離子濺射的 方法形成電阻膜層和電極層，經(jīng)熱處理、激光調(diào)阻后按照厚膜工藝進(jìn)行生 產(chǎn)。該方法由于采用了兩次濺射成膜，而且光刻工藝費(fèi)用昂貴、光刻工作 間的凈化程度要求很高，因此存在生產(chǎn)率低、生產(chǎn)成本高等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明旨在提供一種生 產(chǎn)率高、成本低的片式薄膜電阻器的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括表電極制作、背電極 制作、電阻體制作、包封、激光調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；具體方 法如下
1) 對(duì)陶瓷基片進(jìn)行打磨，表面粗糙度控制在0.08 0. ly ;
2) 用去離子水對(duì)打磨過(guò)的陶瓷基片進(jìn)行清洗，干燥；
3) 在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到
13 22p ;印刷所用的電極漿料是按常規(guī)方法配制的銀漿料；
4) 在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到8 17U，印刷所用的電極漿料同步驟3);
5) 將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850士2。C燒結(jié)8 12min;
6) 在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃，保證表電極露出長(zhǎng)度為 0. 1 0. 5咖，干燥；
7) 以鎳鉻合金或鉻硅合金為靶材，用真空濺射的方法對(duì)印刷有二次玻 璃膜的陶瓷基片表面進(jìn)行濺射形成電阻體，保證薄膜沉積厚度為0. 1 1
8) 用濃度為95%的酒精清除附著在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使電 阻體圖形露出；
9) 對(duì)清除后的陶瓷基片300 60(TC熱處理，時(shí)間為0.5 8h;
10) 用功率為0. 5 2W、 Q開(kāi)關(guān)頻率為2 20KHz、調(diào)阻速度為20 100mm/s的激光對(duì)電阻體進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值和 精度；
11) 在電阻體的表面印刷低溫環(huán)氧樹(shù)脂，干燥；
12) 將印刷有低溫環(huán)氧樹(shù)脂的陶瓷基片200 23(TC固化燒結(jié)25 35min;
13) 將固化燒結(jié)后的陶瓷基片按照常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的 端面涂刷端電極；
14) 將涂刷有端電極膜的裂片條600土2。C燒結(jié)5 9min;
15) 按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為 2 7ix，錫鉛合金層厚度為3 18u 。與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，將原來(lái)兩次濺射 成膜改為了一次濺射成膜，并且省略了光刻工藝，同時(shí)充分結(jié)合了比較成 熟的厚膜電阻制造工藝，因此能夠極大地提高薄膜電阻器的生產(chǎn)率、降低
生產(chǎn)成本。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明
1) 對(duì)氧化鋁含量為96%的陶瓷基片進(jìn)行打磨，控制表面粗糙度為 0. 08 0. 1 U ;
2) 將上述陶瓷基片放入頻率為10 20KHz、功率為25 50W的超聲波 清洗槽中，用電阻率為2MQ以上的去離子水對(duì)其清洗2 10min，然后150 士5。C干燥25min;
3) 在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，125。C干燥10rain;保證印 刷厚度干燥后達(dá)到13 22ix ，印刷所用的電極漿料是按常規(guī)方法配制的銀 漿料；
4) 在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，125'C干燥10min;保證印 刷厚度干燥后達(dá)到8 17ix ，印刷所用的電極漿料同步驟3);
5) 將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850士2。C燒結(jié)8 12min;
6) 在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃為濺射阻擋層，125"C干燥 10min;保證表電極露出長(zhǎng)度為0. 1 0. 5mm，其余未印刷上二次玻璃的部
位作為需要濺射形成電阻體的位置；
7) 以鎳鉻合金或鉻硅合金為靶材，用真空濺射的方法對(duì)印刷有二次玻 璃膜的陶瓷基片表面進(jìn)行濺射，保證薄膜沉積厚度為0. 1 lu ;8) 用濃度為95%的酒精清除附著在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使電
阻體圖形露出；
9) 對(duì)清除后的陶瓷基片進(jìn)行300 60(TC熱處理，時(shí)間為O. 5 8h;其 目的是達(dá)到所需的電阻溫度系數(shù)；
10) 用功率為0. 5 2W、 Q開(kāi)關(guān)頻率為2 20 KHz、調(diào)阻速度為20 100mrn/s的激光對(duì)電阻體膜進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值 和精度；
11) 在電阻體的表面印刷低溫環(huán)氧樹(shù)脂，保證使電阻體被完全覆蓋， 125。C干燥10min;
12) 將印刷有低溫環(huán)氧樹(shù)脂的陶瓷基片200 23(TC固化燒結(jié)25 35min;
13) 將固化燒結(jié)后的陶瓷基片按常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端 面涂刷端電極；
14) 將涂刷有端電極膜的裂片條600土2。C燒結(jié)5 9min;
15) 按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為 2 7u，錫鉛合金層厚度為3 18ti 。
權(quán)利要求
1.一種片式薄膜電阻器的制造方法，包括表電極制作、背電極制作、電阻體制作、包封、激光調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；其特征在于具體方法如下1)對(duì)陶瓷基片進(jìn)行打磨，表面粗糙度控制在0.08～0.1μ；2)用去離子水對(duì)打磨過(guò)的陶瓷基片進(jìn)行清洗，干燥；3)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到13～22μ；印刷所用的電極漿料是按常規(guī)方法配制的銀漿料；4)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷厚度干燥后達(dá)到8～17μ，印刷所用的電極漿料同步驟3)；5)將印刷有表電極膜和背電極膜的陶瓷基片850±2℃燒結(jié)8～12min；6)在燒結(jié)后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃，保證表電極露出長(zhǎng)度為0.1～0.5mm，干燥；7)以鎳鉻合金或鉻硅合金為靶材，用真空濺射的方法對(duì)印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片表面進(jìn)行濺射形成電阻體，保證薄膜沉積厚度為0.1～1μ；8)用濃度為95％的酒精清除附著在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使電阻體圖形露出；9)對(duì)清除后的陶瓷基片300～600℃熱處理，時(shí)間為0.5～8h；10)用功率為0.5～2W、Q開(kāi)關(guān)頻率為2～20KHz、調(diào)阻速度為20～100mm/s的激光對(duì)電阻體進(jìn)行L形切割，將其阻值調(diào)到所需的目標(biāo)阻值和精度；11)在電阻體的表面印刷低溫環(huán)氧樹(shù)脂，干燥；12)將印刷有低溫環(huán)氧樹(shù)脂的陶瓷基片200～230℃固化燒結(jié)25～35min；13)將固化燒結(jié)后的陶瓷基片按照常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端面涂刷端電極；14)將涂刷有端電極膜的裂片條600±2℃燒結(jié)5～9min；15)按常規(guī)方法二次裂片，然后鍍鎳、鍍錫鉛合金；保證鎳層厚度為2～7μ，錫鉛合金層厚度為3～18μ。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種片式薄膜電阻器的制造方法，屬于片式電阻制造方法；旨在提供一種生產(chǎn)率高、成本低的片式薄膜電阻器的制造方法。它包括表、背電極和電阻體制作、包封、調(diào)阻、裂片、燒成、端涂、電鍍；其方法是基片打磨，基片清洗，印刷表電極，印刷背電極，電極燒結(jié)，印刷阻擋層，真空濺射，清除阻擋層，熱處理，激光調(diào)阻，印刷保護(hù)層，保護(hù)層固化，一次裂片、端涂電極，端電極燒結(jié)，二次裂片、鍍鎳、鍍錫鉛合金。本發(fā)明具有生產(chǎn)率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)，是一種大規(guī)模生產(chǎn)片式薄膜電阻器的理想方法。
文檔編號(hào)H01C17/00GK101593588SQ20091010254
公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者周瑞山, 平 張, 鐸 張, 青 張, 艦 楊, 楊勝艾, 栗曉帆, 羅向陽(yáng), 羅彥軍, 強(qiáng) 謝 申請(qǐng)人:中國(guó)振華集團(tuán)云科電子有限公司