專(zhuān)利名稱(chēng)：雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于晶體管技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻的 結(jié)構(gòu)改進(jìn)。
背景技術(shù)：
在大功率雙極結(jié)型晶體管器件的使用中，隨著器件工作溫度的提高，器件
的輸入阻抗降低，在外加電壓一定的情況下會(huì)導(dǎo)致EB結(jié)的電流增大，產(chǎn)生大量 的熱量，進(jìn)而導(dǎo)致EB結(jié)的溫度進(jìn)一步升高，形成惡性循環(huán)，最終器件因"熱奔" 燒毀。為此，在大功率雙極結(jié)型晶體管的設(shè)計(jì)中，為避免此類(lèi)現(xiàn)象的發(fā)生，一 般采用發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻來(lái)形成電流負(fù)反饋。由于鎮(zhèn)流電阻的存在，當(dāng)發(fā)射極電 流出現(xiàn)增大趨勢(shì)時(shí)，鎮(zhèn)流電阻上的電壓降增大，在一定程度上減小了雙極結(jié)型 晶體管的EB結(jié)電壓，從而發(fā)射極電流減小了，有效避免了器件燒毀的問(wèn)題。
傳統(tǒng)、常用的鎮(zhèn)流電阻參看圖1 圖3，可以看出在雙極結(jié)型晶體管發(fā)射 極串聯(lián)一鎮(zhèn)流電阻，鎮(zhèn)流電阻的結(jié)構(gòu)包括鎮(zhèn)流電阻本體、與鎮(zhèn)流電阻本體連接 的輸入引線和輸出引線。在圖1結(jié)構(gòu)中，輸入引線與輸出引線的端平面平行相 對(duì)，構(gòu)成電流通路。在兩端面之間的距離一定的情況下，端面的面積越小，電 流通過(guò)能力越小，隨著高頻雙極結(jié)型晶體管的發(fā)展，相鄰發(fā)射極之間的距離越 來(lái)越小，電流通過(guò)能力越來(lái)越差，功耗也越來(lái)越大。
在圖3結(jié)構(gòu)中，輸入引線和輸出引線呈等間距平面梳狀排布，從發(fā)射極流 出的電流經(jīng)輸入引線后分流到輸出引線，相當(dāng)于兩電阻并聯(lián)，電流通過(guò)能力較 強(qiáng)，但鎮(zhèn)流電阻的限流作用較差，隨著高頻雙極結(jié)型晶體管的發(fā)展，容易導(dǎo)致 器件燒毀。
因此，對(duì)于雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，不僅需要考慮鎮(zhèn)流電阻的限流效果，即阻值的大小，同時(shí)還需要考慮鎮(zhèn)流電阻的電流通過(guò)能力，即功耗問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是在現(xiàn)有鎮(zhèn)流電阻本體不變的情況下，提供一 種能同時(shí)兼顧電流的通過(guò)能力和限流效果的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電 阻，本發(fā)明主要是對(duì)現(xiàn)有雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中包括鎮(zhèn)流電阻本體、與鎮(zhèn)流電阻本體連 接的輸入引線和輸出引線，輸入引線和輸出引線呈平面梳狀排布，關(guān)鍵的改進(jìn) 是輸出引線呈等間距排布，輸入引線呈疏密相間排布，形成電流的單向傳輸 通路。
現(xiàn)有的技術(shù)方案中， 一條輸入引線對(duì)應(yīng)一條輸出引線，而上述改進(jìn)的方案 中，兩條輸入引線對(duì)應(yīng)一條輸出引線，因此，在鎮(zhèn)流電阻本體上空出較大的面 積，并重新排布輸入引線和輸出引線。輸入引線呈疏密相間排布，輸出引線呈 等間距排布，輸入引線與輸出引線之間的距離增大了，且電流由原來(lái)的雙向分 流，變成了單向傳輸。
與圖3相比，假定圖3中輸入引線與輸出引線間電阻為R,，電流由輸入引 線向輸出引線的雙向分流相當(dāng)于兩電阻并聯(lián)，并聯(lián)結(jié)果小于R1;而改進(jìn)的技術(shù) 方案中，輸入引線與輸出電阻之間的距離增大了，且電流單向傳輸，其阻值為 R,+ AR，顯然，在鎮(zhèn)流電阻本體不變的情況下，改進(jìn)的方案中鎮(zhèn)流電阻增大了。
與圖1相比，電流由輸入引線流向輸出引線的距離相差不多的情況，本發(fā) 明改進(jìn)的技術(shù)方案中，電流流經(jīng)的截面積增大了，即電流的通過(guò)能力增大，功 耗減小。
采用本發(fā)明產(chǎn)生的有益效果是在不改變器件及鎮(zhèn)流電阻基本結(jié)構(gòu)的條件
下，做到了在保證電流通過(guò)能力較強(qiáng)的情況下，提高了鎮(zhèn)流電阻的阻值，即有 效降低了功耗，同時(shí)避免大功率器件因"熱奔"而燒毀。


圖1是現(xiàn)有的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1的A-A向剖面圖3是現(xiàn)有的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻的結(jié)構(gòu)示意圖4是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖中，1、輸入引線；2、鎮(zhèn)流電阻本體；3、輸出引線；E代表發(fā)射極；B 代表基極；C代表集電極。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述。
參看圖4，雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，結(jié)構(gòu)中包括鎮(zhèn)流電阻本體2、 與鎮(zhèn)流電阻本體2連接的輸入引線1和輸出引線3，輸入引線1和輸出引線3呈 平面梳狀排布，關(guān)鍵的改進(jìn)是輸出引線3呈等間距排布，輸入引線l呈疏密 相間排布，形成電流的單向傳輸通路。
以上所述的輸入引線1和輸出引線3為金屬薄片。
以上所述的鎮(zhèn)流電阻本體2為平面型電阻。
以上所述的鎮(zhèn)流電阻本體2的表面附有一層絕緣保護(hù)層。絕緣保護(hù)層的作 用防止潮氣、靜電、空氣中的塵埃等玷污鎮(zhèn)流電阻表面，使鎮(zhèn)流電阻的阻值 發(fā)生變化。當(dāng)輸入引線l、輸出引線3與鎮(zhèn)流電阻本體2連接時(shí)，須在連接處開(kāi) 孔，去除上述絕緣保護(hù)層，在輸入引線l、輸出引線3與鎮(zhèn)流電阻本體2的連接 處，得到接觸良好的歐姆結(jié)。
以上所述的鎮(zhèn)流電阻的成份為摻雜的鈦酸鋇陶瓷或者合金或者多晶硅或者 單晶硅。
綜上，參看圖3，現(xiàn)有的鎮(zhèn)流電阻， 一條輸入引線1對(duì)應(yīng)一條輸出引線3， 形成電流雙向分流通路，在鎮(zhèn)流電阻本體結(jié)構(gòu)不變的條件下，改進(jìn)的結(jié)構(gòu)為 兩條輸入引線1對(duì)應(yīng)一條輸出引線3，這樣空出較多的空間，重新排布輸入引線
和輸出引線，形成電流的單向傳輸通路，限流作用增大，參看圖4;與圖1相比，電流傳輸距離相差不多的情況下，傳輸?shù)慕孛娣e增大，即電流通過(guò)能力增大。 改進(jìn)的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，既能有效降低功耗，又能避免因"熱 奔"而燒毀器件。
權(quán)利要求
1、雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，結(jié)構(gòu)中包括鎮(zhèn)流電阻本體(2)、與鎮(zhèn)流電阻本體(2)連接的輸入引線(1)和輸出引線(3)，輸入引線(1)和輸出引線(3)呈平面梳狀排布，其特征在于輸出引線(3)等間距排布，輸入引線(1)呈疏密相間排布，形成電流的單向傳輸通路。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，其特征在于:所述的輸入引線(1)和輸出引線(3)為金屬薄片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，其特征在于: 所述的鎮(zhèn)流電阻本體(2)為平面型電阻。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，其特征在于: 所述的鎮(zhèn)流電阻本體(2)的表面附有一層絕緣保護(hù)層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，其特征在于:所述的鎮(zhèn)流電阻本體(2)的成份為多晶硅或者摻雜的鈦酸鋇陶瓷或者合金或者單晶硅。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種雙極結(jié)型晶體管發(fā)射極的鎮(zhèn)流電阻，屬于晶體管制作領(lǐng)域。其結(jié)構(gòu)中包括鎮(zhèn)流電阻本體、與鎮(zhèn)流電阻本體連接的輸入引線和輸出引線，輸入引線和輸出引線呈平面梳狀排布，關(guān)鍵的改進(jìn)是輸出引線呈等間距排布，輸入引線呈疏密相間排布，形成電流的單向傳輸通路。本發(fā)明在不改變器件及鎮(zhèn)流電阻基本結(jié)構(gòu)的條件下，有效降低了功耗，同時(shí)避免大功率器件因“熱奔”而燒毀。
文檔編號(hào)H01L29/417GK101567363SQ20091007471
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2009年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月11日
發(fā)明者商慶杰, 潘宏菽, 霍玉柱 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所