專利名稱：發(fā)光二極管封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子組件封裝體，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝體。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode，簡(jiǎn)稱LED)是一種半導(dǎo)體組件，具有P型半導(dǎo) 體和N型半導(dǎo)體，當(dāng)施加一順向偏壓時(shí)，電子和電洞會(huì)從電極流向P型和N型半導(dǎo)體的界面 區(qū)域而結(jié)合，并將能量以光的形式釋放出來。發(fā)光二極管因具有高亮度、體積小、重量輕、不 易破損、低耗電量和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用在各式光源及顯示裝置中。圖1為顯示一種傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖，其利用一射出成型的塑料材 料10包覆金屬導(dǎo)線架12，以作為發(fā)光二極管芯片14的承載座。將發(fā)光二極管芯片14黏著 于導(dǎo)線架12上，并利用導(dǎo)線16電性連接發(fā)光二極管芯片14和導(dǎo)線架12，然后以封裝膠18 填充承載座的塑料材料10的開口，從而覆蓋發(fā)光二極管芯片14，即完成傳統(tǒng)的發(fā)光二極管 封裝體。然而，由于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝體中，其承載座的塑料材料10與金屬導(dǎo)線架12 的熱膨脹系數(shù)差異較大，一般而言，塑料材料10的熱膨脹系數(shù)通常約為100ppm/°C，而金屬 導(dǎo)線架12的熱膨脹系數(shù)通常約為20ppm/°C，因此承載座的塑料材料10與導(dǎo)線架12之間接 著性不佳，當(dāng)發(fā)光二極管封裝體受到冷熱沖擊時(shí)，承載座的塑料材料10與導(dǎo)線架12之間會(huì) 產(chǎn)生間隙，使得水氣容易由間隙處滲透，進(jìn)而導(dǎo)致可靠性問題產(chǎn)生。此外，由于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝體中，導(dǎo)線架12的形狀利用機(jī)械加工方式將其 折彎而形成，因此在導(dǎo)線架12與承載座的塑料材料10之間容易產(chǎn)生較大的間隙，導(dǎo)致發(fā)光 二極管封裝體的可靠性不佳。因此，業(yè)界亟需一種發(fā)光二極管封裝體及其制造方法，以克服上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種改進(jìn)的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法，以克服上述 現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提升發(fā)光二極管封裝體的可靠性。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管封裝體，包括導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有支架 主體以及包覆該支架主體的導(dǎo)電層；反射蓋，具有夾設(shè)該導(dǎo)線架的第一部分及第二部分，其 中反射蓋的第一部分具有開口以暴露出導(dǎo)線架；以及發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于開口內(nèi)的導(dǎo) 線架上。本發(fā)明的另一實(shí)施例則提供一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，包括形成支架 主體，并形成導(dǎo)電層來包覆支架主體，以形成導(dǎo)線架；形成反射蓋的夾設(shè)導(dǎo)線架的第一部分 及第二部分，其中反射蓋的第一部分具有開口以暴露出導(dǎo)線架，且導(dǎo)線架延伸至反射蓋的 第二部分的側(cè)面及部分的底部表面上；以及提供發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置 于開口內(nèi)的導(dǎo)線架上。通過本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法可增加反射蓋與導(dǎo)線架之間的密合度，避免反射蓋與導(dǎo)線架之間產(chǎn)生間隙，以減少水氣滲透入發(fā)光二極管封裝體中，進(jìn)而提 升發(fā)光二極管封裝體的可靠性。為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖，作詳細(xì)說 明如下



圖1為示出了傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖。圖2為示出了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下10 承載座的塑料材料；12 金屬導(dǎo)線架；14 發(fā)光二極管芯片；16 導(dǎo)線；18 封裝膠；100 反射蓋；IOOa 反射蓋的第一部分；IOOb 反射蓋的第二部分；101、108 開口；102 導(dǎo)電層；103 反射蓋第二部分的側(cè)面； 104 支架主體；105 反射蓋第二部分的底部表面；106 導(dǎo)線架；110 發(fā)光二極管芯片；112 導(dǎo)線；114 封裝膠。
具體實(shí)施例方式以下以實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明，在附圖或說明書描述中，相似或相同 的組件使用相同的附圖標(biāo)記。且在附圖中，實(shí)施例的組件的形狀或厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是 方便標(biāo)示?？梢粤私獾氖?，未示出或描述的組件，可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的各種形式。請(qǐng)參閱圖2，其為示出了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝體的剖面圖。首 先，提供一導(dǎo)線架106的支架主體104，支架主體104的材料可以是熱塑性的塑料材料， 例如為聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide，簡(jiǎn)稱PPA)或液晶高分子(Liquid Crystal Polymer，簡(jiǎn)稱LCP)等其它合適的材料，支架主體104可利用射出成型或壓模成型等方式形 成。然后，在支架主體104的表面上形成一導(dǎo)電層102，導(dǎo)電層102的材料可以是銦錫 氧化物(ΙΤ0)、金屬或其它導(dǎo)電材質(zhì)，金屬材料例如為鋁、金或銀等，導(dǎo)電層102的厚度可約 為5μπι，可利用物理氣相沉積法(physical vapor exposition，簡(jiǎn)稱PVD)或化學(xué)氣相沉積 法(chemical vapor exposition，簡(jiǎn)稱CVD)、涂布法、電鍍法等方式將導(dǎo)電層102形成于支 架主體104上，以完成導(dǎo)線架106的制作。接著，將熱塑性的塑料材料以沖壓成型或射出成型等方式，形成反射蓋100的第 一部分100a和第二部分100b，以上下夾設(shè)導(dǎo)線架106，其中導(dǎo)線架106延伸至反射蓋100 的第二部分100b的側(cè)面103及部分的底部表面105上。反射蓋100的材料可以是聚鄰苯 二甲酰胺或液晶高分子等其它合適的材料。反射蓋100的第一部分100a具有一開口 101，以暴露出導(dǎo)線架106，開口 101的形 狀可以是任意形狀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射蓋100的第二部分100b的底部表面105上還可以具有多個(gè)開口 108，開口 108的形狀可以是任意形狀，并且開口 108的數(shù)量及排列 方式也不受限。上述的反射蓋100第一部分IOOa的開口 101以及第二部分IOOb的開口 108 可以在反射蓋100的沖壓成型步驟中同時(shí)形成，不需要額外的步驟形成開口 101和108。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體的特征之一在于反射蓋100的熱膨脹系數(shù)與導(dǎo)線架 106的支架主體104的熱膨脹系數(shù)相近，反射蓋100與導(dǎo)線架106的支架主體104的熱膨脹 系數(shù)的差距小于40ppm/°C，可介于約20至40ppm/°C之間，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射蓋 100的熱膨脹系數(shù)可約為100ppm/°C，而導(dǎo)線架106的支架主體104的熱膨脹系數(shù)則可約在 60至120ppm/°C之間。由于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體中，反射蓋100與導(dǎo)線架106的支 架主體104的熱膨脹系數(shù)接近，因此當(dāng)發(fā)光二極管封裝體受到冷熱沖擊時(shí)，反射蓋100與導(dǎo) 線架106之間不易產(chǎn)生間隙，可避免水氣由反射蓋100與導(dǎo)線架106之間的間隙處滲透，進(jìn) 而提升發(fā)光二極管封裝體的可靠性。另外，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體中，反射蓋100的第二部分IOOb的底部表 面105上具有多個(gè)開口 108，因此可增加反射蓋100的散熱面積。同時(shí)，由于開口 108底部 與導(dǎo)線架106之間的距離d較小，在一實(shí)施例中，距離d可約為0. 2mm,因此也可以增加發(fā)光 二極管封裝體的散熱性，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝體的穩(wěn)定性。此外，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體的制造方法中，導(dǎo)線架106先成型，接著才 形成反射蓋100的上下夾設(shè)導(dǎo)線架106的第一部分IOOa和第二部分100b，因此反射蓋100 的第二部分IOOb可充分地填充入導(dǎo)線架106中，使得導(dǎo)線架106與反射蓋100之間產(chǎn)生的 間隙較小，以避免水氣由反射蓋100與導(dǎo)線架106之間的間隙處滲透，進(jìn)而提升發(fā)光二極管 封裝體的可靠性。接著，將發(fā)光二極管芯片110設(shè)置于反射蓋100的開口 101中的導(dǎo)線架106上，使 得發(fā)光二極管芯片110的一接點(diǎn)(未示出)直接與導(dǎo)線架106接觸，并利用一導(dǎo)線112電 性連接發(fā)光二極管芯片110的另一接點(diǎn)(未示出)至導(dǎo)線架106上。然后，以封裝膠114 填充反射蓋100的開口 101，從而覆蓋發(fā)光二極管芯片110和導(dǎo)線112，完成本發(fā)明一實(shí)施 例的發(fā)光二極管封裝體。綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法可增加反射蓋與導(dǎo)線架之間 的密合度，避免反射蓋與導(dǎo)線架之間產(chǎn)生間隙，以減少水氣滲透入發(fā)光二極管封裝體中，進(jìn) 而提升發(fā)光二極管封裝體的可靠性。同時(shí)，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體中，其反射蓋底部的 多個(gè)開口設(shè)計(jì)還可以增加發(fā)光二極管封裝體的散熱性，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝體的穩(wěn)定 性。雖然本發(fā)明已揭露較佳實(shí)施例如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許變動(dòng)與修飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視所附權(quán)利要求書所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管封裝體，包括一導(dǎo)線架，具有一支架主體以及一包覆該支架主體的導(dǎo)電層；一反射蓋，具有夾設(shè)該導(dǎo)線架的一第一部分及一第二部分，其中該第一部分具有一開口以暴露出該導(dǎo)線架；以及一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該開口內(nèi)的該導(dǎo)線架上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其中該導(dǎo)線架的該支架主體的熱膨脹系數(shù) 與該反射蓋的熱膨脹系數(shù)的差距小于40ppm/°C。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其中該反射蓋的該第二部分的一底部表面 上具有多個(gè)開口。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝體，其中該導(dǎo)線架延伸至該反射蓋的該第二部 分的一側(cè)面及部分的該底部表面上。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，還包括一封裝膠，以填充該反射蓋的該第 一部分的該開口，從而覆蓋該發(fā)光二極管芯片。
6.一種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，包括形成一支架主體；形成一包覆該支架主體的導(dǎo)電層，以形成一導(dǎo)線架；形成一反射蓋，該反射蓋的一第一部分及一第二部分夾設(shè)該導(dǎo)線架，其中該第一部分 具有一開口以暴露出該導(dǎo)線架，且該導(dǎo)線架延伸至該反射蓋的該第二部分的一側(cè)面及部分 的一底部表面上；以及提供一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該開口內(nèi)的該導(dǎo)線架上。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其中該導(dǎo)線架的該支架主體的 熱膨脹系數(shù)與該反射蓋的熱膨脹系數(shù)的差距小于40ppm/°C。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，還包括形成一導(dǎo)線以電性連接 該發(fā)光二極管芯片的一接點(diǎn)與該導(dǎo)線架。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，還包括提供一封裝膠以填充該 反射蓋的該開口，從而覆蓋該發(fā)光二極管芯片。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝體的制造方法，其中該反射蓋的該第二部分 的該底部表面上具有多個(gè)開口。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝體及其制造方法，發(fā)光二極管封裝體包括導(dǎo)線架，具有支架主體以及導(dǎo)電層包覆支架主體；反射蓋，具有夾設(shè)導(dǎo)線架的第一部分及第二部分，其中第一部分具有開口以暴露出導(dǎo)線架；以及發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于開口內(nèi)的導(dǎo)線架上。其制造方法包括形成支架主體；形成包覆支架主體的導(dǎo)電層，以形成導(dǎo)線架；形成反射蓋，反射蓋的第一部分及第二部分夾設(shè)導(dǎo)線架，其中第一部分具有開口以暴露出導(dǎo)線架；以及提供發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于開口內(nèi)的導(dǎo)線架上。通過本發(fā)明可增加反射蓋與導(dǎo)線架之間的密合度，避免反射蓋與導(dǎo)線架之間產(chǎn)生間隙，以減少水氣滲透入發(fā)光二極管封裝體中，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝體的可靠性。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101800271SQ20091000588
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者劉宇桓 申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司