專利名稱：用于帶有蓋層的襯底的沉積后清潔方法和配方的制作方法
用于帶有蓋層的襯底的沉積后清潔方法和配方
交叉引用本申請要求美國專利申請61/016，427 (檔案號XCR-009)的權(quán)利，主題為 "POST-DEPOSITION CLEANING METHODS ANDFORMULATIONS FOR SUBSTRATES WITH CAP LAYERS”，申請人 ArturKOLICS、Shijian Li、Tana ARUNAGIRI 和 William THIE，遞交于 12/21/2007。通過這個引用將美國專利申請61/016，427 (遞交于12/21/2007)整體結(jié)合在 這里。
背景技術(shù)：
本發(fā)明關(guān)于電子器件的制造，如集成電路；更具體地，本發(fā)明涉及清潔襯底具有蓋 層的方法和配方，在金屬和電介質(zhì)鑲嵌金屬化結(jié)構(gòu)上包含該化學(xué)元素鈷和鎳至少一種。清潔具有混雜組分的表面是有挑戰(zhàn)性的。在有些情況下更是如此，如對于經(jīng)受腐 蝕的表面和如混雜組分具有不同腐蝕速率的表面。這個問題對于具有薄膜層(如用于制造 電子器件的層)的表面更嚴(yán)重。對于電子器件制造，具有大約20nm厚的膜的表面需要清潔 同時避免該表面質(zhì)量和該膜厚度的降低。在具體的例子中，金屬蓋適用于銅互連線，其嵌入電介質(zhì)結(jié)構(gòu)以形成鑲嵌金屬化 層。為了提供良好的電氣性能(如低泄漏電流)與良好的成品率、高擊穿電壓和依賴時間的 電介質(zhì)擊穿，優(yōu)選地清潔該金屬蓋的表面和該電介質(zhì)區(qū)域的表面以便去除污染物和缺陷。 在這個處理器件，該金屬蓋不應(yīng)當(dāng)出現(xiàn)明顯的金屬損失，或受到點(diǎn)蝕或其他形式的局部腐 蝕。該金屬蓋的材料的例子是如鈷、鈷合金、鈷-鎳合金、鎳和鎳合金的材料。另外，如顆粒 和殘余物的缺陷必須從整個晶片去除。需要清潔可用于制造電子器件的襯底的清潔溶液和方法。更具體地，需要可滿足 這樣的器件的要求的改進(jìn)的溶液和方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于電子器件制造。本發(fā)明一個實(shí)施方式是制造集成電路的方法。該方法 包括提供襯底，其具有金屬和電介質(zhì)鑲嵌金屬化層和大體上沉積在該金屬上的蓋。在該蓋 沉積之后，該襯底利用溶液清潔，其包括胺以提供該清潔溶液7至大約13的pH。本發(fā)明另 一實(shí)施方式是清潔襯底的方法。本發(fā)明又一實(shí)施方式是清潔溶液的配方。應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的應(yīng)用不限于下面的說明和附圖的描述中闡述的結(jié)構(gòu)和布置的 細(xì)節(jié)。本發(fā)明可以是其他實(shí)施方式并可以多種不同的方式實(shí)施和實(shí)現(xiàn)。另外，應(yīng)當(dāng)理解這 里使用的措辭和術(shù)語是為了描述的目的，不應(yīng)當(dāng)看作限制。這樣，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到這個公開所基于的概念可容易用作其他結(jié)構(gòu)、方 法和系統(tǒng)的基礎(chǔ)用以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的概念。所以，重要的是在不背離本發(fā)明主旨和范圍的程 度內(nèi)，要把權(quán)利要求看作包括這樣的等同結(jié)構(gòu)。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的工藝流 程圖。
8
具體實(shí)施例方式本發(fā)明關(guān)于互連線金屬化，其使用帶有蓋的導(dǎo)電金屬和電介質(zhì)形成用于電子器件 (如集成電路)的鑲嵌金屬化結(jié)構(gòu)。更優(yōu)選地，本發(fā)明關(guān)于用于電子器件的互連線金屬化 層，其包括電介質(zhì)和具有包括該化學(xué)元素鈷和鎳之一的蓋的金屬(如銅)。本發(fā)明實(shí)施方式的操作將在下面、主要在處理半導(dǎo)體晶片的背景下討論，如用于 制造集成電路的硅晶片。用于該集成電路的該金屬化層包括金屬線的銅，具有無電沉積的 蓋，包括該化學(xué)元素鈷和鎳至少一種或它們的合金，形成為鑲嵌或雙鑲嵌電介質(zhì)結(jié)構(gòu)?？蛇x 地，該電介質(zhì)是低k電介質(zhì)材料，如碳摻雜氧化硅(SiOC :H)。然而，應(yīng)當(dāng)理解按照本發(fā)明的 實(shí)施方式可用于別的半導(dǎo)體器件、除銅之外的金屬和除半導(dǎo)體晶片之外的晶片。現(xiàn)在參考圖1，其中示出按照本發(fā)明一個實(shí)施方式、用于制造電子器件工藝流程 20。工藝流程20包括提供襯底，其具有金屬和電介質(zhì)鑲嵌金屬化，步驟25。工藝流程20還 包括使用無電沉積以在該金屬上沉積蓋，其包括該化學(xué)元素鈷和鎳至少一種，步驟35。步驟 35之后，工藝流程20包括利用清潔溶液清潔該襯底，該溶液包括胺以提供該清潔溶液7至 13的pH，步驟40。更具體地，該胺能夠提高該該清潔溶液的pH至7至13范圍內(nèi)的值以及 其中包含的所有值和子范圍。作為一種選擇，該清潔溶液可包括兩種或多種胺，該兩種或多 種胺的至少一種能夠提高該清潔溶液的PH至7至13范圍內(nèi)的值以及其中包含的所有值和 子范圍。按照本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，該清潔溶液的PH是從大約8至大約11. 5的值。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式中的胺。適用于本發(fā)明的實(shí)施方式的胺 的例子包括，但不限于，伯烷基胺；仲烷基胺；叔烷基胺；季烷基胺；伯芳基胺；仲芳基胺； 叔芳基胺；季芳基胺；氨；伯烷醇胺；仲烷醇胺；叔烷醇胺如乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，膽 堿；混有烷基和烷醇功能性的胺；四甲基胍；羥胺；及其組合。胺分子通常具有通式R3-xNHx， 其中R是烴，0 < X ^ 3。本發(fā)明一些實(shí)施方式包括一種或多種胺在該清潔溶液中存在的量 的方位從大約1克每升至大約100克每升(g/L)。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式包括在該清潔溶 液中的去離子水。為了本公開的目的，清潔該襯底包括去除污染物，去除缺陷，或去除污染物和去除 缺陷。該清潔溶液的組分選擇為促進(jìn)從該襯底的表面去除缺陷和/或污染物，更具體地從 該蓋的表面和該電介質(zhì)表面去除。更優(yōu)選地，該清潔溶液的組分選擇為清潔該蓋的表面和 該電介質(zhì)表面而該蓋的厚度的減少可忽略不計的或基本上沒有。優(yōu)選地，該蓋的厚度由于 清潔減少小于15%。更優(yōu)選地，該蓋的厚度由于清潔減少小于10%。按照本發(fā)明一個實(shí)施 方式，該蓋的厚度減少小于1. 5nm。如圖1所表示的本發(fā)明的實(shí)施方式可包括使用清潔溶液，其包含一種或多種額外 的添加劑。本發(fā)明一些實(shí)施方式的作為一種選擇，該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種絡(luò)合 劑且該一種或多種絡(luò)合劑的至少一種不是胺。對于本公開，該不是胺的絡(luò)合劑稱作非胺絡(luò) 合劑。該胺絡(luò)合劑這里定義為這樣的化合物，其中該形成絡(luò)合的化合物中的唯一官能團(tuán)具 有通式NRR' R"，其中N是氮原子，R、R'和R"可以是氫、烷基或芳香基。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式的絡(luò)合劑。用于本發(fā)明的實(shí)施方式的絡(luò)合 劑清單包括，但不限于，羧酸，羥基烴酸，氨基酸，膦酸，植酸，有機(jī)酸，其中對于CoL的Ig K > 2，及其組合。本發(fā)明一些實(shí)施方式包括一種或多種絡(luò)合劑，在該清潔溶液中存在的量的 范圍從大約0. 5克每升至大約50克每升。
作為一種選擇，如圖1所表示的本發(fā)明一些實(shí)施方式可包括使用清潔溶液，其還 包含一種或多種防蝕劑以基本上保護(hù)該蓋膜或延緩該蓋在該清潔溶液中溶解。如上指出 的，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式能夠清潔該襯底而該蓋的厚度的減少可忽略不計的或基本上沒 有；為了那個目的，一種或多種防蝕劑化合物可包含在本發(fā)明的實(shí)施方式中。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式中防蝕劑。用于本發(fā)明的實(shí)施方式的防蝕 劑的清單包括，但不限于，三唑及其衍生物如苯并三唑，甲基_苯并三唑，羧基_苯并三唑， 羥基苯并三唑；噻唑及其衍生物如巰基苯并噻唑；聚乙烯吡咯烷酮；聚乙烯醇及其衍生物； 聚烷基亞胺；聚乙烯亞胺；長鏈烷基胺；四唑；正磷酸鹽；偏磷酸鹽；亞磷酸鹽；膦酸鹽；硅 酸鹽；烷基膦酸鹽；烷氧基硅烷，亞硝酸鹽；雙環(huán)已烷銨亞硝酸鹽；及其組合。本發(fā)明一些實(shí) 施方式包括一種或多種防蝕劑，在該清潔溶液中存在的量的范圍從大約0.01克每升至大 約20克每升。作為一種選擇，如圖1所表示的本發(fā)明一些實(shí)施方式可包括使用清潔溶液，其還 包含一種或多種去氧劑化合物以從該清潔溶液去除溶解氧。更具體地，該去氧劑提供較低 的該清潔溶液中溶解氧的濃度。優(yōu)選地，溶解氧的量保持最小以便基本上防止該蓋被該溶
解氧氧化。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式中用于溶解氧的去氧劑。用于本發(fā)明的實(shí) 施方式的去氧劑的清單包括，但不限于，羥基1胺和衍生物如二乙基羥胺；甲基-乙基酮肟； 碳酰胼；L-抗壞血酸；D-抗壞血酸，抗壞血酸的衍生物；氯原酸；胼，胼鹽；胼的衍生物；咖 啡酸；植酸；毛地黃黃酮；亞硫酸鹽；及其組合。本發(fā)明一些實(shí)施方式包括一種或多種去氧 劑，在該清潔溶液中存在的量的范圍從大約0. 05克每升至大約10克每升。優(yōu)選的本發(fā)明 的實(shí)施方式將在該清潔溶液中溶解氧的濃度保持為小于1百萬分之一(ppm)。對于本發(fā)明 一些實(shí)施方式，可通過提供足夠量的一種或多種去氧劑來獲得低程度的溶解氧。作為一種選擇，本發(fā)明一些實(shí)施方式如圖1所表示的可包括使用清潔溶液，還包 含一種或多種還原劑。該還原劑選擇為基本上不能清除溶解氧。更具體地，該還原劑選擇 為提供除了清除在該清潔溶液中溶解氧之外的功能。該還原劑的主要作用是最小化該蓋的 不希望的陽極溶解。這通過在該清潔溶液中引入還原劑來完成。取決于還原劑的類型，化 合物的氧化比該蓋的氧化和溶解更積極。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式中的還原劑。用于本發(fā)明的實(shí)施方式的還 原劑的清單包括，但不限于，含硼還原劑，次磷酸鹽，硫代亞硫酸鹽，乙醛，及其組合。本發(fā)明 一些實(shí)施方式包括一種或多種還原劑在該清潔溶液中存在的量的范圍從大約0. 1克每升 至大約10克每升。作為一種選擇，本發(fā)明一些實(shí)施方式如圖1所表示的可包括使用清潔溶液，還包 含一種或多種表面活性劑。引入該表面活性劑以便在清潔過程中提供該襯底的充分潤濕。 優(yōu)選地，該襯底的整個表面被該清潔溶液充分潤濕從而該襯底的該電介質(zhì)區(qū)域潤濕以及該 襯底的該蓋區(qū)域潤濕。許多化合物適于用作本發(fā)明的實(shí)施方式中的表面活性劑。用于本發(fā)明的實(shí)施方式 的表面活性劑的清單包括，但不限于，陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，非離子表面 活性劑，兩性的表面活性劑，及其組合。本發(fā)明一些實(shí)施方式包括一種或多種表面活性劑， 其在該清潔溶液中存在的量的范圍從大約0. 02克每升至大約2克每升。優(yōu)選地，如果有兩種或多種表面活性劑，那么每種表面活性劑在該清潔溶液中的量從大約0. 02克每升至大 約2克每升。作為一種選擇，如圖1所表示的本發(fā)明一些實(shí)施方式可包括使用清潔溶液，還包 含一種或多種水溶性溶劑。包括該水溶性溶劑是為了執(zhí)行如幫助從該襯底表面去除有機(jī)污 染物的任務(wù)。包含該水溶性溶劑還為了執(zhí)行如幫助溶解包含在在該清潔溶液中的一種或多 種添加劑的任務(wù)，這種添加可能在水中具有較低或者不夠的溶解度。許多化合物適于用作水溶性溶劑本發(fā)明的實(shí)施方式。用于本發(fā)明的實(shí)施方式的水 溶性溶劑的清單包括，但不限于，伯醇，仲醇，叔醇，多元醇，乙二醇，二甲基亞砜，碳酸丙烯 酯，及其組合。本發(fā)明一些實(shí)施方式包括一種或多種水溶性溶劑，其在該清潔溶液中存在的 量的范圍從大約10克每升至大約100克每升。作為一種選擇，本發(fā)明一些實(shí)施方式如圖1所表示的，利用該清潔溶液清潔該襯 底(步驟40)可使用刷子以施加該清潔溶液至該襯底來執(zhí)行。其他本發(fā)明的實(shí)施方式可執(zhí) 行為包括不使用刷子施加該清潔溶液至該襯底；更具體地，該清潔溶液可通過如下方法施 加，如將該襯底浸入該清潔溶液，如將該清潔溶液噴射到該襯底和如使用臨近頭施加該溶 液。如圖1所表示的按照優(yōu)選的本發(fā)明的實(shí)施方式，用于執(zhí)行(步驟40)利用清潔溶 液清潔該襯底的溫度優(yōu)選地從大約5°C至大約90°C的范圍。優(yōu)選地控制該清潔溶液的溫 度。作為一種選擇，可控制該襯底的溫度。如圖1所表示的優(yōu)選的本發(fā)明的實(shí)施方式使用清潔溶液，其還包括一種或多種添 加劑，如基本上如上文所述的非胺絡(luò)合劑、基本上如上文所述的防蝕劑、基本上如上文所述 的表面活性劑、基本上如上文所述的去氧劑、基本上如上文所述的還原劑和基本上如上文 所述的水溶性溶劑。這意味著通過為圖1所示該工藝流程在該清潔溶液中提供的這些添加 劑的組合描述本發(fā)明額外的實(shí)施方式。更具體地，該添加劑和該添加劑的組合產(chǎn)生具有不 同的組分的清潔溶液，其形成與圖1所示不同的本發(fā)明的實(shí)施方式。如圖1所表示的優(yōu)選 的本發(fā)明的實(shí)施方式的清潔溶液的額外的優(yōu)選的組分的清單包括但不限于下列清潔溶液 1、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑和一定量的防蝕劑。2、圖1表示的該清潔溶 液包括一定量的絡(luò)合劑和一定量的去氧劑。3、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑 和一定量的還原劑。4、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑和一 定量的去氧劑。5、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑和一定量 的還原劑。6、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑和一定量的還 原劑。7、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑和 一定量的防蝕劑。8、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑和一定 量的表面活性劑。9、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑和一定 量的表面活性劑。10、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的還原劑和一定 量的表面活性劑。11、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定 量的去氧劑和一定量的表面活性劑。12、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定 量的防蝕劑、一定量的還原劑和一定量的表面活性劑。13、圖1表示的該清潔溶液包括一定 量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑和一定量的表面活性劑。14、圖1表示的該 清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑、一定量的防蝕劑和一定
11量的表面活性劑。15、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑和一定 量的水溶性溶劑。16、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑和一定 量的水溶性溶劑。17、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的還原劑和一定 量的水溶性溶劑。18、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定 量的去氧劑和一定量的水溶性溶劑。19、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定 量的防蝕劑、一定量的還原劑和一定量的水溶性溶劑。20、圖1表示的該清潔溶液包括一定 量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑和一定量的水溶性溶劑。21、圖1表示的該 清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑、一定量的防蝕劑和一定 量的水溶性溶劑。22、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定 量的表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。23、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、 一定量的去氧劑、一定量的表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。24、圖1表示的該清潔溶液 包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的還原劑、一定量的表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。25、 圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定量的去氧劑、一定量的 表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。26、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定 量的防蝕劑、一定量的還原劑、一定量的表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。27、圖1表示 的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑、一定量的表面活性 劑和一定量的水溶性溶劑。28、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑、一定量的去氧 劑、一定量的還原劑、一定量的防蝕劑、一定量的表面活性劑和一定量的水溶性溶劑。29、圖 1表示的該清潔溶液包括防蝕劑，其存在的濃度大約0. 01g/L至大約10g/L，以及去氧劑， 其存在的濃度大約0. 05g/L至大約10g/L。30、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合 劑，防蝕劑存在的濃度大約0. 01g/L至大約20g/L和還原劑存在的濃度大約0. lg/L至大約 10g/L。31、圖1表示的該清潔溶液包括一定量的絡(luò)合劑，去氧劑存在的濃度大約0.05g/L 至大約10g/L和還原劑存在的濃度大約0. lg/L至大約10g/L。32、圖1表示的該清潔溶液 包括一定量的絡(luò)合劑，防蝕劑存在的濃度大約0. 01g/L至大約20g/L，去氧劑存在的濃度大 約0. 05g/L至大約10g/L和還原劑存在的濃度大約0. lg/L至大約10g/L。33、圖1表示的 該清潔溶液包括一定量的非胺絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定量的表面活性劑、一定量的去 氧劑、一定量的還原劑和一定量的水溶性溶劑。34、圖1表示的該清潔溶液具有該胺，濃度 從大約lg/L至大約100g/L，該清潔溶液還包括下面至少一種一定量的非胺絡(luò)合劑、一定 量的防蝕劑、一定量的表面活性劑、一定量的去氧劑、一定量的還原劑和一定量的水溶性溶 劑。35、圖1表示的該清潔溶液具有該胺，濃度從大約lg/L至大約100g/L，該清潔溶液還包 括一定量的非胺絡(luò)合劑、一定量的防蝕劑、一定量的表面活性劑、一定量的去氧劑、一定量 的還原劑和一定量的水溶性溶劑。36、圖1表示的該清潔溶液具有胺，濃度從大約lg/L至大 約100g/L，該清潔溶液還包括下列至少一種非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0.5g/L至大約50g/ L ；防蝕劑，濃度從大約0. 01g/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃度0. 02至2g/L ；去氧劑，濃 度從大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L ；以及水溶性溶 劑，濃度從大約10g/L至大約100g/L。37、圖1表示的該清潔溶液具有該胺，濃度從大約Ig/ L至大約100g/L和該清潔溶液還包括非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L至大約50g/L ；防蝕 劑，濃度從大約0. 01g/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/L ；去氧劑，濃度從 大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L ；以及水溶性溶劑濃度從大約10g/L至大約100g/L。38、圖1表示的該清潔溶液具有該胺，濃度從大約lg/L至 大約100g/L，該胺從下列物質(zhì)組成的組中選擇伯烷基胺，仲烷基胺，叔烷基胺，季烷基胺， 伯芳基胺，仲芳基胺，叔芳基胺，季芳基胺，氨，伯烷醇胺，仲烷醇胺，叔烷醇胺，乙醇胺，二乙 醇胺，三乙醇胺，膽堿，混有烷基和烷醇功能性的胺，四甲基胍和羥胺；以及該清潔溶液還包 括下列至少一種絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L至大約50g/L，并從下列物質(zhì)組成的組中選擇 羧酸，羥基烴酸，氨基酸，膦酸，植酸和有機(jī)酸，其中對于CoL的Ig K > 2 ；防蝕劑，濃度從大 約0. Olg/L至大約20g/L，從下列物質(zhì)組成的組中選擇三唑，苯并三唑，甲基-苯并三唑，羧 基_苯并三唑，羥基苯并三唑，噻唑，巰基苯并噻唑，聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇，聚烷基亞 胺，聚乙烯亞胺，長鏈烷基胺，四唑，正磷酸鹽，偏磷酸鹽，亞磷酸鹽，膦酸鹽，硅酸鹽，烷基膦 酸鹽，烷氧基硅烷，亞硝酸鹽和雙環(huán)已烷銨亞硝酸鹽；表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/L，從 下列物質(zhì)組成的組中選擇陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，非離子表面活性劑，兩性 的表面活性劑，及其組合；去氧劑，濃度從大約0. 05g/L至大約10g/L，從下列物質(zhì)組成的組 中選擇羥胺，二乙基羥胺，甲基_乙基酮肟，碳酰胼，L-抗壞血酸，D-抗壞血酸，抗壞血酸的 衍生物，氯原酸，胼，胼鹽，胼的衍生物，咖啡酸，植酸，毛地黃黃酮和亞硫酸鹽；還原劑，濃度 從大約0. lg/L至大約10g/L，從下列物質(zhì)組成的組中選擇含硼還原劑，次磷酸鹽，硫代亞硫 酸鹽和乙醛；以及水溶性溶劑，濃度從大約10g/L至大約100g/L，從下面的組中選擇伯醇， 仲醇，叔醇，多元醇，乙二醇，二甲基亞砜，碳酸丙烯酯，及其混合物。作為如圖1所表示的本發(fā)明一些實(shí)施方式的一種選擇，任何該清潔溶液組分(如 上文所述的清潔溶液組分)可使用刷子施加到該襯底?；蛘撸魏卧撉鍧嵢芤航M分(如上 文所述的清潔溶液組分)可通過除了使用刷子之外的方法施加到該襯底。如圖1所表示的 本發(fā)明一些實(shí)施方式的另一選擇，任何該清潔溶液組分(如上文所述的清潔溶液組分)用 在從大約5°C至大約90°C范圍的溫度使用以清潔該襯底。如上文所述，許多清潔溶液組分適于本發(fā)明的實(shí)施方式。按照本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施 方式，步驟40，清潔該襯底使用上文所述的清潔溶液組分執(zhí)行，在該清潔溶液中溶解氧的濃 度保持在小于大約1百萬分之一。這意味著對于任何所選擇的用于本發(fā)明的實(shí)施方式的清 潔溶液，優(yōu)選的是在該清潔溶液中該溶解氧濃度在清潔該襯底時小于大約1百萬分之一。本發(fā)明另一實(shí)施方式包括清潔電子器件的襯底的方法。更具體地，是清潔具有 銅和電介質(zhì)鑲嵌金屬化的襯底的方法。該銅表面具有蓋，其包括鈷、鈷合金、鎳、鎳合金或 鈷_鎳合金。該方法包括施加清潔溶液至該襯底以去除缺陷和/或污染物而該蓋的溶解可 忽略不計，該溶液包括一種或多種胺，該一種或多種胺的至少一種在該清潔溶液中提供從7 至13的pH。按照本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式，該清潔溶液的pH是從大約8至大約11. 5的值。為了本公開的目的，清潔該襯底包括去除污染物、去除缺陷或去除污染物和去除 缺陷。該清潔溶液的組分選擇為促進(jìn)從該襯底表面去除缺陷和/或污染物，更具體地從該 蓋的表面和該電介質(zhì)表面。更優(yōu)選地，該清潔溶液的組分選擇為清潔該蓋的表面和該電介 質(zhì)表面而該蓋的厚度的減少可忽略不計的或基本上沒有。優(yōu)選地，該蓋的厚度由于清潔減 少小于15%。更優(yōu)選地，該蓋的厚度由于清潔減少小于10%。按照本發(fā)明一個實(shí)施方式， 該蓋的厚度減少小于1. 5nm。該清潔襯底的方法的優(yōu)選實(shí)施方式使用清潔溶液，還包括一種或多種添加劑，如 基本上如上文所述的絡(luò)合劑、基本上如上文所述的防蝕劑、基本上如上文所述的表面活性上如上文所述的還原劑和基本上如上文所述的水溶性 溶劑。這意味著通過組合在該清潔溶液中提供的這些添加劑來描述額外的本發(fā)明的實(shí)施方 式。更具體地，該添加劑和該添加劑的組合產(chǎn)生具有不同組分的清潔溶液，其限定該清潔襯 底的方法的不同的實(shí)施方式。該添加劑的組合和該添加劑的量選擇為該清潔溶液有效清潔 該襯底而不會顯著減少該蓋的厚度。該清潔襯底的方法的優(yōu)選的實(shí)施方式的額外的優(yōu)選的 組分的清單包括但不限于上文所述的、用于工藝流程20的實(shí)施方式清潔溶液。本發(fā)明另一實(shí)施方式是用于集成電路襯底的清潔溶液。該清潔溶液包括胺，濃度 從大約lg/L至大約100g/L，以提供該清潔溶液7至13以及其中包含的所有值和子范圍的 PH。更具體地，該胺能夠提高該溶液的pH至高于7并小于大約13的值。按照本發(fā)明優(yōu)選 的實(shí)施方式，該清潔溶液的PH是從大約8至大約11. 5的值。該溶液還包括至少一種添加 劑，從下列物質(zhì)組成的組中選擇非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L至大約50g/L ；防蝕劑，濃 度從大約0. 01g/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/L ；去氧劑，濃度從大約 0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L，該還原劑基本上沒有氧 清除屬性；以及水溶性溶劑，濃度從大約10至大約100g/L?；蛘?，該清潔溶液還包括至少兩 種添加劑，從下列物質(zhì)組成的組中選擇非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L至大約50g/L ；防 蝕劑，濃度從大約0. 01g/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/L ；去氧劑，濃度 從大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L，該還原劑基本上 沒有氧清除屬性；以及水溶性溶劑，濃度從大約10g/L至大約100g/L。另一種選擇，該清潔 溶液還包括至少三種添加劑從下列物質(zhì)組成的組中選擇非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L 至大約50g/L ；防蝕劑，濃度從大約0. 0lg/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/ L ；去氧劑，濃度從大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L，該 還原劑基本上沒有氧清除屬性；以及水溶性溶劑，濃度從大約10g/L至大約100g/L。又一 種選擇，該清潔溶液還包括至少四種添加劑從下列物質(zhì)組成的組中選擇非胺絡(luò)合劑，濃度 從大約0. 5g/L至大約50g/L ；防蝕劑，濃度從大約0. 01g/L至大約20g/L ；表面活性劑，濃 度0. 02g/L至2g/L ；去氧劑，濃度從大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. Ig/ L至大約10g/L，該還原劑基本上沒有氧清除屬性；以及水溶性溶劑，濃度從大約10g/L至大 約 100g/L。本發(fā)明另一實(shí)施方式是集成電路襯底的清潔溶液。該清潔溶液包括胺(以提供該 清潔溶液7至13以及其中包含的所有值和子范圍的pH)、絡(luò)合劑、防蝕劑、表面活性劑、去氧 劑、還原劑和水溶性溶劑。所包括的該溶液每種成分和每種成分的量使得該清潔溶液有效 清潔該集成電路襯底。本發(fā)明的實(shí)施方式的溶液的成分的化合物和屬性的更多描述如上文 所述?，F(xiàn)在參照表1，其中示出本發(fā)明的實(shí)施方式的溶液組分的概述以及使用該溶液組 分的七個實(shí)驗的結(jié)果。該溶液用來清潔具有蓋層的襯底表面，該蓋包括鈷鎢磷合成物。該 清潔步驟在室溫下進(jìn)行。該表面活性劑Triton X-100 注冊商標(biāo)為Union Carbide，并具 有化學(xué)式(C14H22O(C2H4O)n)。該蓋的蝕刻速率低并滿足制造操作的要求。在前面的具體說明中，本發(fā)明參照具體實(shí)施方式
描述。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識 到可進(jìn)行各種修改和改變而不背離如下面的權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的范圍。因而，該說 明書和附圖應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是說明性的而非限制意圖，并且所有這樣的修改都認(rèn)為是包括在本發(fā)
14明的范圍內(nèi)。上面關(guān)于實(shí)施方式描述了多種好處、其他有點(diǎn)以及問題的解決方案。然而，這些好 處、優(yōu)點(diǎn)、問題的解決方案和任何可以導(dǎo)致任何好處、有點(diǎn)或解決方案產(chǎn)生或變得更顯然的 要素不應(yīng)當(dāng)解釋成任何或者全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必須的或核心的特征或要素。如這里所使用的，屬于“包括”、“包含”、“具有”，“以下至少一種”或其任何別的變化 是為了非排他性的覆蓋。例如，工藝、方法、產(chǎn)品或包括元件列表的設(shè)備不必僅限于那些要 素，而是可包括其他沒有特意列出的或者這種工藝、方法、產(chǎn)品或設(shè)備本身固有的要素。進(jìn) 而，除非相反地特意指出，“或”邏輯上指的是“或”而不是“異或”。例如，狀態(tài)或B可通過 下列任一滿足是真(或存在)和B是假(或不存在)，是假(或不存在)和B是真(或存 在)，以及和B兩者都真(或存在)。表權(quán)利要求
一種清潔具有銅和電介質(zhì)鑲嵌金屬化的襯底的方法，該銅表面具有鈷、鈷合金、鎳、鎳合金或鈷 鎳合金膜組成的蓋，該方法包括施加清潔溶液至該襯底以去除缺陷和污染物的至少一種，該蓋的溶解可以忽略不計，該溶液包括一種或多種胺，該一種或多種胺的至少一種在該清潔溶液提供從7至大約13的pH。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該pH從大約8至大約11.5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種絡(luò)合劑，該絡(luò) 合劑的至少一種是非胺絡(luò)合劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種防蝕劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種去氧劑以在該清 潔溶液中提供較低的溶解氧濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種還原劑；該至少 一種還原劑基本上不能清除溶解氧。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種去氧劑以便降低 在該清潔溶液中的溶解氧濃度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種還原劑；該至少 一種還原劑基本上不能清除溶解氧。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種還原劑；該一 種或多種還原劑基本上不能清除溶解氧。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種防蝕劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種表面活性劑 以便提供該襯底充分的潤濕。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種水溶性溶劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該一種或多種胺的濃度從大約lg/L至大約 100g/L。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該一種或多種胺從下列物質(zhì)組成的組中選擇 伯烷基胺，仲烷基胺，叔烷基胺，季烷基胺，伯芳基胺，仲芳基胺，叔芳基胺，季芳基胺，氨，伯 烷醇胺，仲烷醇胺，叔烷醇胺，乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，膽堿，混有烷基和烷醇功能性的 胺，四甲基胍和羥胺。
15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該至少一種絡(luò)合劑濃度是從大約0.5g/L至大約 50g/L。
16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該至少一種絡(luò)合劑是從下列物質(zhì)組成的組中選 擇羧酸，羥基烴酸，氨基酸，膦酸，植酸和有機(jī)酸，其中對于CoL的Ig K > 2。
17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該防蝕劑濃度是在0.01g/L至20g/L之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中該防蝕劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇三唑，苯 并三唑，甲基-苯并三唑，羧基-苯并三唑，羥基苯并三唑，噻唑，巰基苯并噻唑，聚乙烯吡咯 烷酮，聚乙烯醇，聚烷基亞胺，聚乙烯亞胺，長鏈烷基胺，四唑，正磷酸鹽，偏磷酸鹽，亞磷酸 鹽，膦酸鹽，硅酸鹽，烷基膦酸鹽，烷氧基硅烷，亞硝酸鹽和雙環(huán)已烷銨亞硝酸鹽。
19.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中該至少一種去氧劑濃度是在0.05g/L至10g/L之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中該至少一種去氧劑是從下列物質(zhì)組成的組中選 擇羥胺，二乙基羥胺，甲基-乙基酮肟，碳酰胼，L-抗壞血酸，D-抗壞血酸，抗壞血酸的衍 生物，氯原酸，胼，胼鹽，胼的衍生物，咖啡酸，植酸，毛地黃黃酮和亞硫酸鹽。
21.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該至少一種還原劑濃度是0.lg/L至10g/L之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該還原劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇含硼還 原劑，次磷酸鹽，硫代亞硫酸鹽和乙醛。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括防蝕劑，其存在的濃度在 大約0. 01g/L至大約10g/L，以及去氧劑，存在的濃度在大約0. 05g/L至大約10g/L。
24.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該至少一種防蝕劑濃度是大約0.01g/L至大約 20g/L，該至少一種還原劑濃度在大約0. lg/L至大約10g/L。
25.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該去氧劑濃度是大約0.05g/L至大約10g/L，該 還原劑濃度是大約0. lg/L至大約10g/L。
26.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中該防蝕劑濃度是大約0.01g/L至大約20g/L，該 至少一種去氧劑濃度是大約0. 05g/L至大約10g/L，該至少一種還原劑濃度是大約0. lg/L 至大約10g/L。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種表面活性劑，對 于該至少一種表面活性劑的每種，存在的濃度為大約0. 02g/L至大約2g/L。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種表面活性劑，其 從下列物質(zhì)組成的組中選擇陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，非離子表面活性劑， 兩性的表面活性劑，及其組合。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種水溶性溶劑，存 在的濃度從大約10g/L至大約100g/L。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種水溶性溶劑，其 從下列物質(zhì)組成的組中選擇伯醇，仲醇，叔醇，多元醇，乙二醇，二甲基亞砜，碳酸丙烯酯， 及其組合。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在該清潔溶液中溶解氧的濃度小于lppm。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括不使用刷子施加該清潔溶液至該襯底。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括使用刷子施加該清潔溶液至該襯底。
34.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在從大約5°C至大約90°C的溫度范圍利用 該清潔溶液清潔該襯底。
35.一種用于集成電路襯底的清潔溶液，包括一種或多種胺，以提供該清潔溶液7至13以及其中包含的所有值和子范圍的pH ；至少一種絡(luò)合劑；至少一種防蝕劑；至少一種表面活性劑；至少一種去氧劑以降低該清潔溶液中的溶解氧濃度至小于Ippm ；至少一種基本上沒有氧清除屬性的還原劑；以及至少一種水溶性溶劑。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中該pH是從大約8至大約11.5。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種絡(luò)合劑是非胺。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該一種或多種胺的濃度從大約lg/L至大約 100g/L。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該一種或多種胺的濃度從大約lg/L至大 約100g/L，該一種或多種胺從下列物質(zhì)組成的組中選擇伯烷基胺，仲烷基胺，叔烷基胺， 季烷基胺，伯芳基胺，仲芳基胺，叔芳基胺，季芳基胺，氨，伯烷醇胺，仲烷醇胺，叔烷醇胺，乙 醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，膽堿，混有烷基和烷醇功能性的胺，四甲基胍和羥胺。
40.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種絡(luò)合劑濃度是從大約0.5g/L至 大約50g/L。
41.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種絡(luò)合劑濃度是從大約0.5g/L至 大約50g/L的值，該至少一種絡(luò)合劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇羧酸、羥基烴酸，氨基 酸，膦酸，植酸和有機(jī)酸，其中對于CoL的Ig K > 2。
42.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該防蝕劑濃度是0.01g/L至20g/L。
43.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該防蝕劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇三 唑，苯并三唑，甲基-苯并三唑，羧基_苯并三唑，羥基苯并三唑，噻唑，巰基苯并噻唑，聚乙 烯吡咯烷酮，聚乙烯醇，聚烷基亞胺，聚乙烯亞胺，長鏈烷基胺，四唑，正磷酸鹽，偏磷酸鹽， 亞磷酸鹽，膦酸鹽，硅酸鹽，烷基膦酸鹽，烷氧基硅烷，亞硝酸鹽和雙環(huán)已烷銨亞硝酸鹽。
44.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種去氧劑濃度是0.05g/L至IOg/L0
45.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種去氧劑是從下列物質(zhì)組成的組 中選擇羥胺，二乙基羥胺，甲基-乙基酮肟，碳酰胼，L-抗壞血酸，D-抗壞血酸，抗壞血酸 的衍生物，氯原酸，胼，胼鹽，胼的衍生物，咖啡酸，植酸，毛地黃黃酮和亞硫酸鹽。
46.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種還原劑濃度是0.lg/L至IOg/L0
47.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該還原劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇 含硼還原劑，次磷酸鹽，硫代亞硫酸鹽和乙醛。
48.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種防蝕劑存在的濃度大約0.Olg/ L至大約10g/L，該至少一種去氧劑存在的濃度大約0. 05g/L至大約10g/L。
49.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種防蝕劑濃度是大約0.01g/L至 大約20g/L和該至少一種還原劑濃度是大約0. lg/L至大約10g/L。
50.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種去氧劑濃度是大約0.05g/L至 大約10g/L，該至少一種還原劑濃度是大約0. lg/L至大約10g/L。
51.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種防蝕劑濃度是大約0.01g/L至 大約20g/L，該至少一種去氧劑濃度是大約0. 05g/L至大約10g/L，該至少一種還原劑濃度 是大約0. lg/L至大約10g/L。
52.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中對于該至少一種表面活性劑的每種，該至 少一種表面活性劑存在的濃度大約0. 02g/L至大約2g/L。
53.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種表面活性劑是陰離子表面活性劑，陽離子表面活性劑，非離子表面活性劑，兩性的表面活性劑，或其組合。
54.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種水溶性溶劑是存在的濃度從大 約10g/L至大約100g/L。
55.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中該至少一種水溶性溶劑包括伯醇，仲醇，叔 醇，多元醇，乙二醇，二甲基亞砜，或碳酸丙烯酯。
56.根據(jù)權(quán)利要求35所述的清潔溶液，其中在該清潔溶液中溶解氧的濃度是小于 Ippm0
57.一種用于集成電路襯底的清潔溶液，包括胺，濃度從大約lg/L至大約100g/L，以提供該清潔溶液7至13以及其中包含的所有值 和子范圍的PH ；以及 下列至少一種非胺絡(luò)合劑，濃度從大約0. 5g/L至大約50g/L ； 防蝕劑，濃度從大約0. 01g/L至大約20g/L ； 表面活性劑，濃度0. 02g/L至2g/L ； 去氧劑，濃度從大約0. 05g/L至大約10g/L ；還原劑，濃度從大約0. lg/L至大約10g/L，該還原劑基本上沒有氧清除屬性；以及 水溶性溶劑，濃度從大約10g/L至大約100g/L。
58.一種制造集成電路的方法，該方法包括 提供具有金屬和電介質(zhì)鑲嵌金屬化層的襯底；使用無電沉積以基本上在該金屬上沉積包括化學(xué)元素鈷和鎳至少一種的蓋； 在該蓋的沉積之后利用清潔溶液清潔該襯底，該溶液包括胺以提供該清潔溶液7至13 以及其中包含的所有值和子范圍的PH。
59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種絡(luò)合劑，該 一種或多種絡(luò)合劑的至少一種是非胺。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種防蝕劑。
61.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種去氧劑以在該 清潔溶液中提供較低的溶解氧的濃度。
62.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種還原劑；該至 少一種還原劑基本上不能清除溶解氧。
63.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種去氧劑以便降 低在該清潔溶液中溶解氧的濃度。
64.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種還原劑；該至 少一種還原劑基本上不能清除溶解氧。
65.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種還原劑；該 一種或多種還原劑基本上不能清除溶解氧。
66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種防蝕劑以保 護(hù)該蓋或延緩該蓋溶解在該清潔溶液中。
67.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種表面活性劑 以便提供該襯底的充分潤濕。
68.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括一種或多種水溶性溶劑。
69.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該胺的濃度是從大約lg/L至大約100g/L。
70.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中該胺是從下列物質(zhì)組成的組中選擇伯烷基胺， 仲烷基胺，叔烷基胺，季烷基胺，伯芳基胺，仲芳基胺，叔芳基胺，季芳基胺，氨，伯烷醇胺，仲 烷醇胺，叔烷醇胺，乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，膽堿，混有烷基和烷醇功能性的胺，四甲基 胍和羥胺。
71.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該至少一種絡(luò)合劑濃度是從大約0.5g/L至大約 50g/L。
72.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中該至少一種絡(luò)合劑濃度是從大約0.5g/L至大 約50g/L的值，該至少一種絡(luò)合劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇 >羧酸，羥基烴酸，氨基酸， 膦酸，植酸和有機(jī)酸，其中對于CoL的Ig K > 2。
73.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該防蝕劑濃度是0.01g/L至20g/L。
74.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中該防蝕劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇三唑， 苯并三唑，甲基_苯并三唑，羧基_苯并三唑，羥基苯并三唑，噻唑，巰基苯并噻唑，聚乙烯吡 咯烷酮，聚乙烯醇，聚烷基亞胺，聚乙烯亞胺，長鏈烷基胺，四唑，正磷酸鹽，偏磷酸鹽，亞磷 酸鹽，膦酸鹽，硅酸鹽，烷基膦酸鹽，烷氧基硅烷，亞硝酸鹽和雙環(huán)已烷銨亞硝酸鹽。
75.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中該去氧劑濃度是0.05g/L至10g/L。
76.根據(jù)權(quán)利要求61所述的方法，其中該去氧劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇羥胺， 二乙基羥胺，甲基-乙基酮肟，碳酰胼，L-抗壞血酸，D-抗壞血酸，抗壞血酸的衍生物，氯原 酸，胼，胼鹽，胼的衍生物，咖啡酸，植酸，毛地黃黃酮和亞硫酸鹽。
77.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中該還原劑濃度是0.lg/L至10g/L。
78.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中該還原劑是從下列物質(zhì)組成的組中選擇含硼 還原劑，次磷酸鹽，硫代亞硫酸鹽和乙醛。
79.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括防蝕劑，其存在的濃度 大約0. 01g/L至大約10g/L，以及去氧劑，其存在的濃度大約0. 05g/L至大約10g/L。
80.根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中該至少一種防蝕劑濃度是大約0.01g/L至大約 20g/L和該至少一種還原劑濃度是大約0. lg/L至大約10g/L。
81.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中該去氧劑濃度是大約0.05g/L至大約10g/L，該 還原劑濃度是大約0. lg/L至大約10g/L。
82.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中該防蝕劑濃度是大約0.01g/L至大約20g/L，該 至少一種去氧劑濃度是大約0. 05g/L至大約10g/L，該至少一種還原劑濃度是大約0. lg/L 至大約10g/L。
83.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種表面活性劑， 該至少一種表面活性劑的每種存在的濃度大約0. 02g/L至大約2g/L，該至少一種表面活性 劑是陰離子，陽離子，非離子，兩性，或其組合。
84.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種水溶性溶劑， 其存在的濃度從大約10g/L至大約100g/L。
85.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中該清潔溶液進(jìn)一步包括至少一種水溶性溶劑，包括伯醇，仲醇，叔醇，多元醇，乙二醇，二甲基亞砜，或碳酸丙烯酯。
86.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中在該清潔溶液中溶解氧的濃度小于lppm。
87.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，進(jìn)一步包括不使用刷子施加該清潔溶液至該襯底。
88.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，進(jìn)一步包括使用刷子施加該清潔溶液至該襯底。
89.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，進(jìn)一步包括在從大約5°C至大約90°C的溫度范圍利 用該清潔溶液清潔該襯底。
全文摘要
本發(fā)明的一個實(shí)施方式是制造集成電路的方法。該方法包括提供具有金屬和電介質(zhì)鑲嵌金屬化層的襯底和大體上沉積在該金屬上的蓋。在該蓋沉積之后，該襯底利用溶液清潔，其包括胺以為該清潔溶液提供7至大約13的pH。本發(fā)明另一實(shí)施方式是清潔襯底的方法。本發(fā)明又一實(shí)施方式是清潔溶液的配方。
文檔編號H01L21/306GK101971296SQ200880127389
公開日2011年2月9日 申請日期2008年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者威廉·蒂, 李時健, 蒂魯吉拉伯利·阿魯娜, 阿爾圖爾·科利奇 申請人:朗姆研究公司