專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有例如發(fā)光二極管等發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近年來，具有例如發(fā)光二極管等發(fā)光元件的發(fā)光裝置的開發(fā)不斷進(jìn)展。從例如消 耗功率或產(chǎn)品壽命等觀點(diǎn)出發(fā)，具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置倍受期待。對(duì)于具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置而言，要求進(jìn)一步改善例如發(fā)光強(qiáng)度等發(fā)光特性。 為了提高發(fā)光裝置的發(fā)光特性，需要降低例如從發(fā)光元件放射出的光的損耗。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，發(fā)光裝置包括發(fā)光元件、基體及透光性層?；w具有包括 第一部分及第二部分的上側(cè)部分。第一部分包括發(fā)光元件的安裝區(qū)域并且具有第一氣孔 率。第二部分包圍第一部分，含有多個(gè)透光性粒子，并具有比第一氣孔率大的第二氣孔率。 透光性層將發(fā)光元件封入其中并且以離開第二部分的狀態(tài)附著于第一部分。


從下述詳細(xì)的說明及附圖可以明確本發(fā)明的目的、特征及優(yōu)點(diǎn)。
圖1表示本發(fā)明的概要。
圖2表示圖1的視線100下的俯視圖。
圖3表示圖1及圖2所示的第二部分的結(jié)構(gòu)。
圖4表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖5表示圖4所示的發(fā)光裝置的剖視圖。
圖6表示圖1及圖2所示的基體2。
圖7表示圖1到圖3所示的發(fā)光元件1的安裝結(jié)構(gòu)。
圖8表示圖4及圖5所示的發(fā)光裝置的例示性制造方法。
圖9A表示圖8所示的工序806中所得到的結(jié)構(gòu)。
圖9B表示圖9A的視線102下的俯視圖。
圖IOA表示圖8所示的工序806中所得到的結(jié)構(gòu)。
圖IOB表示圖IOA的視線102下的俯視圖。
圖11表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖12表示圖11所示的副裝配基板221。
圖13表示本發(fā)明的又一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖14表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖15表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖16表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
圖17表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
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圖18表示本發(fā)明的再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置。
具體實(shí)施例方式以下，參照?qǐng)D1及圖2，說明本發(fā)明的概要。發(fā)光裝置包括發(fā)光元件1、基體2及透 光性層3。發(fā)光元件1安裝于基體2。例示的發(fā)光元件1是含有半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管。 發(fā)光元件1根據(jù)驅(qū)動(dòng)電力放射第一次光?；w2具有包括第一部分211及第二部分212的上側(cè)部分21。第一部分211具有 第一氣孔率。第二部分212包圍第一部分211。第二部分212含有多個(gè)透光性粒子，具有比 第一氣孔率大的第二氣孔率。參照?qǐng)D3說明第二部分212的結(jié)構(gòu)。多個(gè)透光性粒子401被局部一體化。多個(gè)小 室(cell) 402存在于多個(gè)透光性粒子401之間。透光性粒子401具有比小室402大的折射 率。從發(fā)光元件1放射出的第一次光10向透光性粒子401入射。透光性粒子401及小室 402的界面403通過全反射將入射到透光性粒子401的第一次光10反射。當(dāng)?shù)谝淮喂?0 具有臨界角Θ4(Ι3以上的入射角θ 4(11時(shí)，界面403通過全反射將第一次光10反射。臨界角
θ 403由下式表示。sin θ 4(ι3 = η402/η401η401表示透光性粒子401的折射率。η4(12表示小室402的折射率。再次參照?qǐng)D1及圖2，透光性層3以離開第二部分的狀態(tài)附著于第一部分。如圖2 所示，這里“離開”是指在透光性層3及第二部分212之間存在距離32。透光性層3將發(fā)光 元件1封入其中。以下，參照

本發(fā)明的幾個(gè)例示性實(shí)施方式。如圖4及圖5所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括發(fā)光元件1、基體2及 透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波長(zhǎng)變換部件5。在圖4中，為了表示波長(zhǎng)變換部件 5的內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)，對(duì)波長(zhǎng)變換部件5進(jìn)行了部分省略。在圖4中，發(fā)光裝置安裝在假想的xyz 空間中的xy平面上。在圖4中，上方向是指假想的ζ軸的正方向。發(fā)光元件1安裝于基體2。例示的發(fā)光元件1是含有半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管。 發(fā)光元件1根據(jù)驅(qū)動(dòng)電力放射第一次光。第一次光具有包含在395nm到410nm范圍內(nèi)的峰 值發(fā)光波長(zhǎng)。基體2具有包括第一部分211及第二部分212的上側(cè)部分21?；w2包括具有突 出部221的副基體22。發(fā)光元件1的安裝區(qū)域設(shè)置在突出部221的上表面。第一部分211 包括環(huán)狀部件213及突出部221。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置具有包括突出部221的副基體，由 此整體強(qiáng)度得以改善。從而，發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā)光特性得以改善。如圖6所示，例示的環(huán)狀部件213具有環(huán)形狀。在圖6中，以分解的狀態(tài)示出基體 2。環(huán)狀部件213設(shè)置在副基體22上，且包圍副基體22的突出部221。環(huán)狀部件213實(shí)質(zhì) 上由陶瓷構(gòu)成。環(huán)狀部件213具有包含在0.001%到范圍內(nèi)的第一氣孔率。本實(shí)施方 式的環(huán)狀部件213的氣孔率的例示性測(cè)定方法是通過麥克儀器(Micromeritics)公司制的 孔徑分析儀(Pore Sizer)9310型進(jìn)行的水銀壓入法。例示的第二部分212具有環(huán)形狀。第二部分212設(shè)置在副基體22上，且包圍第一
4部分211。第二部分212含有多個(gè)透光性粒子。多個(gè)透光性粒子被局部一體化。多個(gè)小室 存在于多個(gè)透光性粒子之間。第二部件212形成為多孔狀。第二部分212具有包含在15% 到43%范圍內(nèi)的第二氣孔率。本實(shí)施方式的第二部分212的氣孔率的例示性測(cè)定方法是通 過麥克儀器(Micromeritics)公司制的孔徑分析儀(Pore Sizer)9310型進(jìn)行的水銀壓入 法。第二氣孔率比第一氣孔率大。例示的第二部分212實(shí)質(zhì)上由陶瓷構(gòu)成。例示的副基體22實(shí)質(zhì)上由陶瓷構(gòu)成。副基體22具有包含在0. 001 %到1 %范圍內(nèi) 的氣孔率。本實(shí)施方式的副基體22的氣孔率的測(cè)定方法是通過麥克儀器(Micromeritics) 公司制的孔徑分析儀(Pore Sizer)9310型進(jìn)行的水銀壓入法。如圖7所示，副基體22具 有多個(gè)電路徑222。發(fā)光元件1經(jīng)由導(dǎo)電性結(jié)合件與多個(gè)電路徑222電連接。在例示的發(fā) 光裝置中，發(fā)光元件1通過倒裝式連接安裝于副基體22的突出部221。再次參照?qǐng)D4及圖5，透光性層3設(shè)置在基體2上。透光性層3以離開第二部分 212的狀態(tài)附著于第一部分211，將發(fā)光元件1封入其中。透光性層3的“透光性”是指從 發(fā)光元件1放射出的第一次光的至少一部分能夠透過。例示的透光性層3實(shí)質(zhì)上由硅酮樹 脂構(gòu)成。透光性層3附著于第一部分211的上表面。 透鏡4設(shè)置在透光性層3上。透鏡4具有透光性。透鏡4的透光性是指從發(fā)光元 件1放射出的第一次光的至少一部分能夠透過。例示的透鏡4實(shí)質(zhì)上由玻璃材料構(gòu)成。波長(zhǎng)變換部件5設(shè)置在基體2上。波長(zhǎng)變換部件5隔著空隙覆蓋發(fā)光元件1、透 光性層3及透鏡4。波長(zhǎng)變換部件5具有圓頂形狀。波長(zhǎng)變換部件5根據(jù)從發(fā)光元件1放 射出的第一次光放射第二次光。波長(zhǎng)變換部件5包括基質(zhì)(matrix)部件及多個(gè)熒光粒子。 基質(zhì)部件含有透光性材料。基質(zhì)部件的透光性是指從發(fā)光元件1放射出的第一次光的至少 一部分能夠透過。例示的基質(zhì)材料為硅酮樹脂。通過從發(fā)光元件1放射出的第一次光來激 勵(lì)多個(gè)熒光粒子。多個(gè)熒光粒子放射第二次光。從多個(gè)熒光材料放射出的第二次光透過基 質(zhì)材料。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括形成為多孔狀的第二部分212。因此，發(fā)光裝置的發(fā)光 強(qiáng)度得以改善。更具體而言，通過將第二部分212形成為多孔狀，而改善了第二部分的光反 射效率。第二部分212通過全反射來反射第一次光及第二次光。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括第一部分211及透光性層3。第一部分具有比第二部 分的第二氣孔率小的第一氣孔率。透光性層3以離開第二部分的狀態(tài)附著于第一部分211。 由此，發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā)光特性得以改善。第一部分具有比第二部分的第二 氣孔率小的第一氣孔率，由此透光性層3的形狀得以改善。能夠減小透光性層3在制造工 序中的變形。在本實(shí)施方式中，波長(zhǎng)變換部件5粘接于形成為多孔狀的第二部分212。因此，發(fā) 光裝置的發(fā)光強(qiáng)度得以改善。具體而言，從發(fā)光元件1放射出的第一次光被第二部分212 反射，由此增大向波長(zhǎng)變換部件5入射的第一次光。從波長(zhǎng)變換部件5放射出的第二次光 被第二部分212反射，由此，增大發(fā)光裝置的發(fā)光量。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的例示性制造方法包括圖8所示的多個(gè)工序。符號(hào)802所 示的工序是在副基體22上設(shè)置環(huán)狀部件213的工序。環(huán)狀部件213包圍副基體22的突出 部221，通過接合部件固定于副基體22。符號(hào)804所示的工序是在副基體22安裝發(fā)光元件 1的工序。符號(hào)806所示的工序是通過透光性層3將發(fā)光元件1封入其中的工序。透光性
5層3的例示性材料為硅酮樹脂。軟化狀態(tài)下的硅酮樹脂以將發(fā)光元件1封入其中的狀態(tài)設(shè) 置在第一部分211上。第一部分211不為多孔質(zhì)，從而能夠減少軟化狀態(tài)下的硅酮樹脂的 變形。設(shè)置透光性層3后，將透鏡4設(shè)置在透光性層3上。如圖9A及圖9B所示，透光性層 3整體設(shè)置在第一部分211的上表面的緣的內(nèi)側(cè)。再次參照?qǐng)D8，符號(hào)808所示的工序是在副基體22上設(shè)置第二部分的工序。第二 部分212包圍第一部分211，通過接合部件固定于副基體22。如圖IOA及圖IOB所示，透光 性層3整體設(shè)置在第二部分212的上表面內(nèi)側(cè)的緣的內(nèi)側(cè)。再次參照?qǐng)D8，符號(hào)810所示的工序是在第二部分212上設(shè)置波長(zhǎng)變換部件5的工 序。波長(zhǎng)變換部件5通過接合部件固定于第二部分212。以在粘接于第二部分212之前進(jìn) 行成形的含義出發(fā)，波長(zhǎng)變換部件5是被預(yù)先制造的部件。由此，波長(zhǎng)變換部件5在粘接于 形成為多孔狀的第二部分212的工序中，其形狀的變形得以改善。參照?qǐng)D11說明本發(fā)明的另一實(shí)施方式。另一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5 所示的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波 長(zhǎng)變換部件5。另一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的 突出部221相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施方式中，突出部221為副裝配基板。以下，在本實(shí)施方式 中，將突出部221表示為副裝配基板221。如圖12所示，副裝配基板221設(shè)置在副基體22上。圖12表示發(fā)光元件1及副裝 配基板221從副基體22分解出來的狀態(tài)。在圖12中，為了示出副裝配基板221的下面的 結(jié)構(gòu)而以透視狀態(tài)示出副裝配基板221。在副裝配基板221中，利用虛線表示透視下的結(jié) 構(gòu)。副裝配基板221具有多個(gè)導(dǎo)體圖案223。多個(gè)導(dǎo)體圖案223通過導(dǎo)電性接合件與 副基體22的多個(gè)導(dǎo)體圖案224電連接。例示的副裝配基板221實(shí)質(zhì)上由硅構(gòu)成。其它例 示的副裝配基板實(shí)質(zhì)上由陶瓷構(gòu)成。發(fā)光元件1通過導(dǎo)電性接合件而與副裝配基板221的多個(gè)導(dǎo)體圖案223電連接。 發(fā)光元件1安裝在副裝配基板221的上表面。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過包括副裝配基板221而使熱控制得以改善。更具體而 言，發(fā)光裝置通過包括導(dǎo)熱率比環(huán)狀部件213的導(dǎo)熱率高的副裝配基板221而使熱控制得 以改善。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的發(fā)光特性得以改善。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括副裝配基板221，由此，能夠利用不同的材料構(gòu)成包括 發(fā)光元件1的安裝區(qū)域的部分和環(huán)狀部件213。在例示的發(fā)光裝置中，副裝配基板221實(shí) 質(zhì)上由硅構(gòu)成，環(huán)狀部件213實(shí)質(zhì)上由陶瓷構(gòu)成。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，由于能夠利 用不同的材料構(gòu)成包括發(fā)光元件1的安裝區(qū)域的部分和環(huán)狀部件213，因此，熱控制得以改
業(yè)
口 ο參照?qǐng)D13說明本發(fā)明的又一實(shí)施方式。又一實(shí)施方式中的發(fā)光裝置與圖4及圖5 所示的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波 長(zhǎng)變換部件5。又一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的 第一部分211相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，第一部分211作為副基體22的一部分而形成。
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在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211形成為副基體22的一部分，使 整體強(qiáng)度得以改善。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā)光特性得以改善。 在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211形成為副基體22的一部分而減少了部件數(shù)量。參照?qǐng)D14說明本發(fā)明的再一實(shí)施方式。再一實(shí)施方式中的發(fā)光裝置與圖4及圖5 所示的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波 長(zhǎng)變換部件5。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的 第一部分211及第二部分212相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，第一部分211及第二部分212 作為副基體22的一部分形成。第一部分211及第二部分212 —體形成。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211及第二部分212形成為副基體 22的一部分，使整體強(qiáng)度得以改善。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā)光 特性得以改善。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211及第二部分212形成為 副基體22的一部分而減少了部件數(shù)量。參照?qǐng)D15說明本發(fā)明的再一實(shí)施方式。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5 所示的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波 長(zhǎng)變換部件5。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖4及圖5所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與透光性層 3相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，透光性層3與環(huán)狀部件213的內(nèi)側(cè)表面局部相接。透光性 層3局部進(jìn)入環(huán)狀部件213及突出部221之間。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過將透光性層3與環(huán)狀部件213的內(nèi)側(cè)表面局部相接而 使透光性層3的形狀得以改善。更具體而言，在制造工序中，通過環(huán)狀部件213來控制軟化 狀態(tài)下的透光性層3的形成區(qū)域或形狀。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過改善透光性層3的形 狀而使例如發(fā)光分布等發(fā)光特性得以改善。參照?qǐng)D16說明本發(fā)明的再一實(shí)施方式。再一實(shí)施方式中的發(fā)光裝置與圖15所示 的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波長(zhǎng)變 換部件5。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖15所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的突出 部221相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，突出部221為副裝配基板。以下，在本實(shí)施方式中， 將突出部221表示為副裝配基板221。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括副裝配基板221，由此使熱控制得以改善。更具體而 言，發(fā)光裝置通過包括導(dǎo)熱率比環(huán)狀部件213的導(dǎo)熱率高的副裝配基板221而改善了熱控 制。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的發(fā)光特性得以改善。參照?qǐng)D17說明本發(fā)明的再一實(shí)施方式。再一實(shí)施方式中的發(fā)光裝置與圖15所示 的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波長(zhǎng)變 換部件5。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖15所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的第一 部分211相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，第一部分211作為副基體22的一部分而形成。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211形成為副基體22的一部分而使
7整體強(qiáng)度得以改善。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā)光特性得以改善。 本實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過將第一部分211形成為副基體22的一部分而減少了部件數(shù)量。參照?qǐng)D18說明本發(fā)明的再一實(shí)施方式。再一實(shí)施方式中的發(fā)光裝置與圖15所示 的發(fā)光裝置同樣，包括發(fā)光元件1、基體2及透光性層3。發(fā)光裝置還包括透鏡4及波長(zhǎng)變 換部件5。再一實(shí)施方式的發(fā)光裝置與圖15所示的發(fā)光裝置的不同點(diǎn)在于與基體2的第一 部分211及第二部分212相關(guān)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，第一部分211及第二部分212作 為副基體22的一部分形成。第一部分211及第二部分212 —體形成。在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，通過將第一部分211及第二部分212形成為副基體 22的一部分而使整體強(qiáng)度得以改善。因此，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中的例如發(fā)光分布等發(fā) 光特性得以改善。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過將第一部分211及第二部分212形成為副基 體22的一部分而減少了部件數(shù)量。只要不脫離本發(fā)明的主旨或主要特征，可以以其他多種方式實(shí)施本發(fā)明。因此，上 述實(shí)施方式中所有的點(diǎn)僅為例示，本發(fā)明的范圍為權(quán)利要求書所示的內(nèi)容，并不局限于說 明書正文。另外，屬于權(quán)利要求書的變形或變更均在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種發(fā)光裝置，具備發(fā)光元件；基體，其具有包括第一部分及第二部分的上側(cè)部分，所述第一部分包括所述發(fā)光元件的安裝區(qū)域并具有第一氣孔率，所述第二部分包圍所述第一部分，含有多個(gè)透光性粒子，并具有比所述第一氣孔率大的第二氣孔率；透光性層，其將所述發(fā)光元件封入其中并且以離開所述第二部分的狀態(tài)附著于所述第一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基體具有副基體，該副基體包括具有所述安裝區(qū)域的突出部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基體具有副裝配基板，該副裝配基板具有所述安裝區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述副裝配基板含有硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述副裝配基板含有陶瓷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述基體具有包括所述第一部分的副基體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一部分及所述第二部分一體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一部分具有離開所述安裝區(qū)域的環(huán)狀部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述透光性層進(jìn)入所述安裝區(qū)域及所述環(huán)狀部件之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備覆蓋所述透光性層且粘接于所述第二部分的波長(zhǎng)變換部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二部分含有陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置。所述發(fā)光裝置包括發(fā)光元件(1)、基體(2)及透光性層(3)?；w(2)具有包括第一部分(211)及第二部分(212)的上側(cè)部分(21)。第一部分(211)包括發(fā)光元件(1)的安裝區(qū)域并且具有第一氣孔率。第二部分(212)包圍第一部分(211)，含有多個(gè)透光性粒子，并且，具有比第一氣孔率大的第二氣孔率。透光性層(3)將發(fā)光元件(1)封入其中，并且，以離開第二部分(212)的狀態(tài)附著于第一部分(211)。
文檔編號(hào)H01L33/64GK101911316SQ200880122598
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月25日
發(fā)明者作本大輔, 松浦真吾 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社