專利名稱：電子元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元件(electric component)，該電子元件包括具有由至少一 個介電層所隔開的第一導(dǎo)電層(first electricallyconductive layer)和第二導(dǎo)電層的 疊層(stack)。本發(fā)明還涉及一種制造該電子元件的方法。
背景技術(shù)：
諸如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電路、P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)電路或 n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NM0S)電路的電子電路包括大量的有源和無源電子元件，諸如薄 膜晶體管(TFT)和電容器。典型的TFT結(jié)構(gòu)包括適當(dāng)摻雜的半導(dǎo)體，在該半導(dǎo)體中或者鄰
近該半導(dǎo)體設(shè)置了漏極區(qū)和源極區(qū)，該半導(dǎo)體由合適的介電材料將其與柵電極隔開。單個 TFT通常實(shí)現(xiàn)為一個疊層，該疊層包括襯底、第一導(dǎo)電層、半導(dǎo)體、電介質(zhì)(dielectric)以 及第二導(dǎo)電層。電子電路可以包括多個這樣的電子元件，尤其是電容器、薄膜晶體管(TFT) 以及導(dǎo)電層的交叉，這決定了基本上夾在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的介電層的幾何形 狀。 應(yīng)當(dāng)理解的是，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，對于很多電子電路元件來說，電介質(zhì)厚度的 減小改善了它們的電學(xué)特性，如開關(guān)速度、操作電壓、功耗。此外，臨界橫向器件尺寸(例 如，TFT溝道長度)的小型化使得有必要同時(shí)減小電介質(zhì)的厚度，以確?；镜钠骷s放規(guī) 則(device scaling rule)。在半導(dǎo)體物理學(xué)中，通常都知道，當(dāng)TFT的溝道長度變得太短 時(shí)，TFT的開關(guān)特性會變得少于限定。這樣的短溝道效應(yīng)(short-channel effect)包括差 的亞閾值斜率(sub-threshold slope)、閥值電壓的改變以及故障或電流飽和，而這樣的短 溝道效應(yīng)通常是不期望出現(xiàn)的。S.M. Sze，Wiley & Sons (紐約)在1981年的"Physics of Semiconductor Devices"中描述了這些現(xiàn)象。通過同時(shí)按比例減小電介質(zhì)的厚度，可以避 免這些短溝道效應(yīng)。因此，為了達(dá)到更高的開關(guān)速度(通常通過減小溝道長度來獲得)，還 必須按比例減小電介質(zhì)的厚度。 此外，期望減小存儲電容器的表面面積，以降低電短路風(fēng)險(xiǎn)。這需要利用更薄和/ 或更高介質(zhì)常數(shù)的介電層。 然而，隨著電介質(zhì)厚度的減小，介電層相對側(cè)上的導(dǎo)電層之間的電短路風(fēng)險(xiǎn)增加。 這種現(xiàn)象通常稱作擊穿。對于一些電介質(zhì)，電擊穿不僅可以取決于所施加的電壓，也可以取 決于所施加的電壓的持續(xù)時(shí)間和流過電介質(zhì)的電流總量。具體地，光敏材料經(jīng)常表現(xiàn)出相 對差的擊穿特性。這可歸因于它們相對較高的離子含量，例如，由于光敏引發(fā)劑材料(混合 在光致抗蝕劑中)的使用，其中，該光敏引發(fā)劑材料包含離子成分或離子基或者可以形成 離子成分或離子基，以在(UV)光刻(photo-lithography)期間暴露于(UV)光之后使得光 致抗蝕劑發(fā)生合適的化學(xué)反應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電子元件，諸如薄膜晶體管、存儲電容器或各導(dǎo)電層的交叉，其中，降低了電擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，這使得這種電子元件的操作壽命得到改善，從而，也改 善了包括這種電子元件的器件的操作壽命。 為此，在根據(jù)本發(fā)明的電子元件中，介電層包括電絕緣材料的夾層，該夾層至少部 分被另一層可光圖案化的電絕緣材料覆蓋。 已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過向包括可光圖案化材料的介電層提供具有高時(shí)變電擊穿強(qiáng)度 的介電材料的附加夾層，產(chǎn)生了對時(shí)變擊穿特性具有實(shí)質(zhì)改進(jìn)的介電雙層(dielectric bi-layer)。由于形成夾層的電絕緣層位于由此形成的介電雙層中的下部位置，并且不是直 接可光圖案化的，因此可以使用可光圖案化的頂部層作為掩膜來圖案化夾層。這種雙層可 以用于柵極電介質(zhì)和存儲電容器電介質(zhì)以及導(dǎo)電層交叉之間的絕緣體。優(yōu)選地，將聚合物 用于夾層。例如，夾層由多于一種材料的疊層組成。 根據(jù)本發(fā)明的電子元件中的雙層具有另外的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)槭褂昧丝晒鈭D案化的尤其 是有機(jī)材料作為介電雙層的上部層，所以減少了所需的加工步驟，例如，通孔的圖案化。可 光圖案化材料通常具有相對高的離子含量和相對差的時(shí)變電擊穿特性。通過提供根據(jù)本發(fā) 明的雙層，提供了一種電介質(zhì)，該電介質(zhì)結(jié)合了光敏性(可光圖案化層)和低離子含量或遷 移率的優(yōu)點(diǎn)。還發(fā)現(xiàn)，介電層，特別是光敏層，使得能夠簡單經(jīng)濟(jì)地沉積和圖案化。這種介 電材料是用于低成本有機(jī)電子器件尤其是用于包括柔性顯示器的電子器件的重要組成。
應(yīng)當(dāng)注意的是，在第一導(dǎo)電層與夾層之間以及在另一可光圖案化得材料與第二導(dǎo) 電層之間可以存在合適的半導(dǎo)體層。 為了產(chǎn)生在介電疊層的相對側(cè)面上的導(dǎo)電層(尤其為金屬層)之間的互連，可以 將包括絕緣材料的夾層沉積在第一導(dǎo)電層的頂部，然后例如旋轉(zhuǎn)涂覆可光圖案化的層。包 括至少部分被可光圖案化的層覆蓋的絕緣材料的夾層可以組成TFT、存儲電容器或兩個導(dǎo) 電層的交叉的介電層。在通過使用例如標(biāo)準(zhǔn)UV光刻或激光來結(jié)構(gòu)化可光圖案化的層之后， 可以使用合適的蝕刻劑或溶劑來去除下面的夾層。優(yōu)選在濕化學(xué)蝕刻或干蝕刻上的溶解， 以防止對電介質(zhì)表面的不期望的修改。如果相對于介電雙層的隨后的層是例如對表面化學(xué) 性質(zhì)敏感的有機(jī)半導(dǎo)體，這就尤其重要。 通過使用疊加的可光圖案化層(該可光圖案化層形成根據(jù)本發(fā)明的電子元件的 一部分)作為掩膜用來對包括絕緣材料的夾層合適地圖案化，不需要附加的掩膜步驟(例 如，對準(zhǔn)和暴露)。優(yōu)選地，夾層被選擇為在另一層(光致抗蝕劑)的合適顯影液中是可 溶的。因此，在使用正極型可光圖案化的材料的情況下，暴露于UV輻射的可光圖案化層 的區(qū)域和下面的包括絕緣體材料的夾層的區(qū)域在單個步驟中是可去除的。在使用負(fù)極型 可光圖案化的材料的情況下，未暴露于UV輻射的可光圖案化層的區(qū)域和下面的包括絕緣 體材料的夾層區(qū)域可以在單個步驟中去除。為了防止包括絕緣體材料的夾層的向下蝕刻 (under-etching)，夾層在普通顯影劑中的溶解度優(yōu)選地不超過可光圖案化層在顯影劑中 的溶解度。優(yōu)選地，絕緣體材料是無機(jī)的。優(yōu)選地，可光圖案化的材料是有機(jī)的。此外，在 所附權(quán)利要求中闡述根據(jù)本發(fā)明的電子元件的進(jìn)一步有利的實(shí)施例。 應(yīng)當(dāng)注意的是，包括雙層的電介質(zhì)材料是已知的，例如，從S.Y.Park等人在 "Appl.Phys. Lett. ， 85 (2004) 2283-2285"發(fā)表的文章可以得知。該文本公開了一種電介質(zhì)， 該電介質(zhì)包括旨在組合期望的特性的兩個層，尤其包括具有良好介電特性和特定表面化學(xué) 性質(zhì)的層。美國專利第4， 907， 046號公開了一種具有改進(jìn)的介質(zhì)擊穿特性的多層電介質(zhì)。
5其中所公開的包括多個無機(jī)層的設(shè)計(jì)并不適用于低成本電子器件。
根據(jù)本發(fā)明的方法包括以下步驟 在襯底上形成包括電子元件的第一 電極的第一導(dǎo)電層， 在第一導(dǎo)電層上沉積介電材料的夾層，該介電材料包括電絕緣材料； 在介電材料的夾層上沉積另一介電材料層，該另一介電材料層包括可光圖案化的
電絕緣材料； 將另一層和夾層兩者結(jié)構(gòu)化，其中，另一介電材料層用作夾層的掩膜；
形成包括電子元件的第二電極的第二導(dǎo)電層 應(yīng)當(dāng)注意的是，形成一個層的步驟可以包括沉積層的步驟以及圖案化沉積的層的 步驟?？蛇x擇地，在單個制造步驟期間可以執(zhí)行形成一個層的步驟。此外，在所附權(quán)利要求 中闡述了根據(jù)本發(fā)明的方法的進(jìn)一步有利的實(shí)施例。 將參考附圖進(jìn)一步詳細(xì)討論本發(fā)明的這些和其他方面，其中，相同的參考標(biāo)號表 示相同的部件。


圖1(a)和圖1(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的電子元件的示例性實(shí)施例的示意圖。
圖2(a)、圖2(b)以及圖2(c)示出了在根據(jù)制造本發(fā)明的電子元件的方法的實(shí)施 例的制造過程中的電子元件的一系列示意圖。 圖3示出了一個電子器件的實(shí)施例的示意圖，其中，該電子器件與根據(jù)本發(fā)明描 述的示例性實(shí)施例制造的電子元件相結(jié)合。
具體實(shí)施例方式
圖1(a)和圖1(b)示出了根據(jù)本發(fā)明的電子元件的實(shí)施例的示意圖。該示例性實(shí) 施例示意性地描述了結(jié)合到顯示單元(尤其是柔性顯示單元(flexible display unit)) 中的像素元件布置(pixelcomponent arrangement)。例如，這種像素元件布置包括薄膜晶 體管15、存儲電容器18和/或兩個導(dǎo)電層的交叉19。 圖l視圖(b)的器件l示意性示出了形成這種結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的疊層。疊層l包 括襯底8，在該襯底上沉積有形成電極6的第一導(dǎo)電層。由第二導(dǎo)電層形成的第二電極 2通過介電層與第一電極6隔開，該介電層包括電絕緣材料(優(yōu)選地具有抗電擊穿的高 阻抗)的夾層4a，以及可光圖案化的(photo-patternable)絕緣材料(尤其為光致抗蝕 劑材料)的另一層4b。適合夾層4a的材料包括例如聚酰亞胺(polyimide)、聚降冰片烯 (polynorbornene)、聚碳酸酉旨(polycarbonate)、聚對苯二甲撐(polyparaxylylene)或聚 對二甲苯基(parylene)的有機(jī)材料或者具有高的時(shí)變電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度的無機(jī)材料。適合 用于另一層4b的可光圖案化的絕緣體材料的實(shí)例包括SC-100材料、SU-8或AZ-5214E材 料。應(yīng)當(dāng)注意的是，包括層4a和4b的雙層被實(shí)現(xiàn)為例如有機(jī)/有機(jī)雙層、或有機(jī)/無機(jī)雙 層、或無機(jī)/有機(jī)雙層。在本領(lǐng)域中，落在各種化學(xué)分類中的合適絕緣體材料和可光圖案化 的材料是公知的。例如，對于有機(jī)絕緣體材料，可以選擇聚降冰片烯，而對于可光圖案化層， 可以選擇SU8材料。對于包括130nm的聚降冰片烯和300nm的SU8的雙層4a/4b，電場強(qiáng) 度3. 5MV/cm的擊穿時(shí)間大約是1250s。與在單層SU8上所進(jìn)行的擊穿相比，這提供了約是通常擊穿時(shí)間的60倍的改進(jìn)。對于無機(jī)絕緣體層，可以使用Si0x、SiNx、A10x、AlN、A10xNy HfOx、TiOx、BZT[Ba(ZrTi)0]、BST[Ba(SrTi)0]等。這樣的絕緣體層結(jié)合例如SU8可光圖案 化層還提供了對擊穿時(shí)間特性的實(shí)質(zhì)改進(jìn)。 優(yōu)選地，夾層4a的厚度選擇為至少20nm?？梢园l(fā)現(xiàn)，厚度小于20nm的層具有 針孔(pin hole)，這對于提供具有改進(jìn)的電擊穿特性的介電層來說是不能接受的。特別 地，可以發(fā)現(xiàn)具有單層厚度的夾層不適于本發(fā)明，這是因?yàn)榫哂凶銐蚪^緣特性的無針孔 (pinhole-free)單層通常不能通過大規(guī)模制造的方法來實(shí)現(xiàn)。例如，這種夾層由多于一種 材料的疊層組成。 應(yīng)當(dāng)理解的是，在結(jié)構(gòu)1涉及一種TFT的情況下，該結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一個或多個半 導(dǎo)體，在半導(dǎo)體中或者鄰近于半導(dǎo)體設(shè)置了導(dǎo)電源極和漏極區(qū)。多個合適的結(jié)構(gòu)都可用于 將電子元件(例如，TFT、存儲電容器或者兩個導(dǎo)電層的交叉)集成到合適的電子器件(例 如柔性顯示裝置)中。特別地，可以使用合適的三維集成電路。應(yīng)當(dāng)注意的是，在根據(jù)本發(fā) 明的電子元件涉及一種TFT的情況下，可以設(shè)想一種底部柵極(bottom-gate)或頂部柵極 (top-gate)結(jié)構(gòu)。對于半導(dǎo)體，可以選擇有機(jī)或無機(jī)材料。優(yōu)選地，對于襯底8，選擇柔性 載體尤其是金屬薄片。為了控制TFT 15或存儲電容器18或兩個導(dǎo)電層的交叉19的操作， 向電極2、6提供來自外部電源5的合適的電控電壓(electric control voltage)。
圖l視圖(a)所示出的電路10示意性地示出了部分合適的電子器件，尤其是像 素，其中，該電子器件包括多個合適的元件，如集成的TFT 15、存儲電容器18以及導(dǎo)電層的 交叉19。例如，電路10形成顯示器尤其是柔性電子顯示器的一部分。柔性顯示器可以用在 便攜式電子器件中，如移動電話、管理器等。例如，電路10包括設(shè)置有多個合適的集成TFT 15的有源矩陣、存儲電容器18以及導(dǎo)電層的交叉19。有源矩陣優(yōu)選布置成從合適的數(shù)據(jù) 元件矩陣(如像素)收集數(shù)據(jù)。為此，提供了與像素電極13協(xié)作的列數(shù)據(jù)線11，其中，該像 素電極經(jīng)由合適的TFT 15與數(shù)據(jù)線11通信。行數(shù)據(jù)由TFT 15的柵極線17收集。
圖2視圖(a) 、 (b)和(c)示出了制造根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)20的方法的 實(shí)施例的一系列示意圖。首先，在由視圖(a)中所示的結(jié)構(gòu)所表示的步驟中，包括具有高 時(shí)變擊穿強(qiáng)度材料的合適的電絕緣夾層23沉積在優(yōu)選地圖案化的第一導(dǎo)電層上，該第一 導(dǎo)電層具有沉積在襯底21上并在該襯底上結(jié)構(gòu)化的部分22a、22b。例如，導(dǎo)電層用于提供 柵電極或源/漏電極以控制TFT，從而使得電子器件的電路能夠合適操作。在高時(shí)變電擊 穿絕緣體層23沉積之后，該絕緣體層至少部分地由另一個可光圖案化的電絕緣材料(尤其 是光致抗蝕劑材料)層覆蓋。例如，通過使用旋轉(zhuǎn)涂覆(spin-coating)、噴射涂覆(spray coating)、縫隙涂覆(slit coating)或其他任何傳統(tǒng)的抗蝕劑涂覆方法來沉積光致抗蝕劑 材料，例如，隨后通過使用UV光刻將光致抗蝕劑材料結(jié)構(gòu)化，以形成部分24a、24b。
在隨后由視圖(b)中所示的結(jié)構(gòu)所表示的步驟中，將具有高時(shí)變電擊穿特性的夾 層23適當(dāng)?shù)亟Y(jié)構(gòu)化，其中，使用光致抗蝕劑材料24a、24b例如作為該結(jié)構(gòu)化的掩膜。優(yōu)選 地，使用溶解技術(shù)(dissolution technique)來結(jié)構(gòu)化夾層23，以便不改變介電材料23的 表面。應(yīng)當(dāng)注意的是，當(dāng)同時(shí)結(jié)構(gòu)化層24a、24b以及23時(shí)(其中，光致抗蝕劑材料用作層 23的掩膜)，減少了加工步驟，從而提高了制造工藝的成本效率。 優(yōu)選地，考慮用顯影液來處理可光圖案化層。在該情況下，提供一種在光致抗蝕層 的顯影液中可溶的材料用于夾層23是有利的。因此，在單個步驟中去除了暴露于UV輻射的光致抗蝕層的區(qū)域和下面的夾層23的區(qū)域。更優(yōu)選地，當(dāng)圖案化夾層23時(shí)，結(jié)構(gòu)20不 必完全浸入在溶劑中。例如，通過將結(jié)構(gòu)20部分浸入到溶劑中，可以將溶解曝光(solvent e鄧osure)限制到希望圖案化的區(qū)域。除部分浸入到溶液或蝕刻劑中之外，可以使用具有溶 解特性或蝕刻特性的漿料(paste)?？梢酝ㄟ^各種技術(shù)(包括印刷)局部涂覆這種漿料。
在由圖2視圖(c)中所示的結(jié)構(gòu)所表示的步驟期間，在圖2視圖(b)中所示的結(jié) 構(gòu)上沉積包括電導(dǎo)材料的合適的第二層。在合適地圖案化第二導(dǎo)電層之后，提供了接觸部 25a、25b。應(yīng)當(dāng)注意的是，所描述的方法適用于制造無機(jī)或有機(jī)電子器件，例如，適用于制造 平板顯示器。所描述的處理(processing)與薄的聚合體襯底是兼容的，使得能夠制造柔性 器件，諸如可巻起或可纏繞的顯示器。 如參考前文所討論的，雖然上述在圖1視圖(a)和(b)示出的實(shí)例指的是所謂的 底部柵極TFT結(jié)構(gòu)，但也可以將同樣的方法應(yīng)用于頂部柵極TFT結(jié)構(gòu)，其中，在頂部柵極TFT 結(jié)構(gòu)中，所得的介電雙層通過在涂覆絕緣夾層之后涂覆可光圖案化材料來堆疊。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的電子器件的實(shí)施例的示意圖。電子器件30(以器件30a 表示其閉合形式，以器件30b表示其打開形式)包括外罩(housing) 31的本體(body)，其 中，柔性顯示器35被設(shè)置為纏繞該本體。例如，外罩31包括例如剛性蓋子32，該剛性蓋子 基本上被設(shè)置成容納柔性顯示器35，并與柔性顯示器35 —起被折疊或展開。柔性顯示器 35包括如參考圖l視圖(a)和(b)所討論的有源矩陣電子器件。以閉合的器件30a和以打 開的器件30b示出的電子器件通過作為掌上電腦(palm-top computer)或移動電話的實(shí)例 的方式來實(shí)現(xiàn)。應(yīng)當(dāng)注意的是，也可以考慮電子器件的其他實(shí)施例，諸如電腦監(jiān)視器、電子 顯示屏等。由于顯示器35有源矩陣的制造工藝的成本效益，因此可以降低電子器件的零售 價(jià)。蓋子32可以包括鉸接的彎曲區(qū)32a、32b。電子器件30a/30b還可以包括設(shè)置有剛性部 33a和柔性部34a、34b的邊緣保護(hù)部(protector) 33，柔性部34a、34b對應(yīng)于蓋子32的鉸 接區(qū)32a、32b。除側(cè)保護(hù)外，還設(shè)置了柔性顯示器35的背部保護(hù)。 應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然為了清晰的目的單獨(dú)討論了根據(jù)本發(fā)明的電子元件的具體實(shí) 施例，但也設(shè)想了參考單個圖所討論的兼容特征的互換性。在上文已經(jīng)描述了具體實(shí)施例 時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明可以以不同于所描述的方式來實(shí)施。上文的描述旨在是說明性 的，但并不限于這些描述。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離下文所闡述的 權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對如前文所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
一種電子元件，包括疊層，所述疊層具有至少由介電層隔開的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，其中，所述介電層包括電絕緣材料的夾層，所述夾層至少部分地被另一層可光圖案化的電絕緣材料覆蓋。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，其中，所述另一層被設(shè)計(jì)為由化學(xué)試劑來處理，所 述夾層在所述化學(xué)試劑中是可溶的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元件，其中，所述夾層在所述化學(xué)試劑中的溶解度小 于所述另 一層在所述化學(xué)試劑中的溶解度。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，其中，所述夾層包括無機(jī)材料。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，其中，所述夾層包括一層以上的有 機(jī)和/或無機(jī)材料。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，其中，所述另一層包括有機(jī)材料。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，其中，所述第一導(dǎo)電層或所述第二 導(dǎo)電層中的至少一層包括有機(jī)材料。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，包括薄膜晶體管、電容器、或堆疊器 件的組成部分，優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的交叉。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件，其中，所述夾層至少為20nm厚。
10. —種包括根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子元件的電子電路。
11. 一種電子器件，優(yōu)選地柔性顯示器，包括根據(jù)權(quán)利要求io所述的電子電路。
12. —種制造電子元件的方法，包括以下步驟在襯底上形成第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括所述電子元件的第一電極； 在所述第一導(dǎo)電層上沉積介電材料的夾層，所述介電材料包括電絕緣材料； 在所述介電材料的夾層上沉積另一層介電材料，所述另一層介電材料包括可光圖案化的電絕緣材料；將所述另一層和所述夾層兩者均結(jié)構(gòu)化，其中，所述另--層介電材料用作所述夾層的形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括所述電子元件的第二電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過利用顯影所述另一層的步驟和隨后的溶 解所述夾層的步驟的結(jié)合來執(zhí)行所述結(jié)構(gòu)化。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在所述的結(jié)構(gòu)部分地浸入到溶液中期間，執(zhí)行 所述的顯影步驟或所述的溶解步驟中的一個步驟或兩個步驟，在所述顯影和/或溶解步驟 中，溶液曝光被基本限制到被設(shè)計(jì)為要被處理的區(qū)域。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過利用顯影所述另一層的步驟和隨后的濕 蝕刻所述夾層的步驟的結(jié)合來執(zhí)行所述結(jié)構(gòu)化。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，在所述的結(jié)構(gòu)部分地浸入到溶液中期間，執(zhí)行 所述的顯影步驟或所述的濕蝕刻步驟中的一個步驟或兩個步驟，在所述顯影和/或濕蝕刻 步驟中，溶液曝光被基本限制到被設(shè)計(jì)為要被處理的區(qū)域。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過利用顯影所述另一層的步驟和隨后的干 蝕刻所述夾層的步驟的結(jié)合來執(zhí)行所述結(jié)構(gòu)化。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，在干蝕刻期間或之后將包含氟的氣體引入到 蝕刻腔體中，以產(chǎn)生介電疊層的較低的能量表面。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，在干蝕刻期間或之后將包含氮的氣體引入到 蝕刻腔體中，以降低在所述干蝕刻步驟中產(chǎn)生的氧化表面組。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12至19中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，在同一處理步驟中結(jié)構(gòu)化所 述夾層和所述另一層。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12至20中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述絕緣體材料包括有機(jī)材 料，所述絕緣體材料的所述夾層是由氣相沉積的。
22. 根據(jù)權(quán)利要求12至21中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述絕緣體材料的所述夾層 是被聚合的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子元件，特別是，例如一種包括TFT、存儲電容器或疊層器件的導(dǎo)電層之間的交叉的電子元件。電子元件包括襯底，在該襯底上設(shè)置有形成電極的第一導(dǎo)電層。由第二導(dǎo)電層形成的第二電極通過至少一個介電層與第一電極隔開，該介電層包括電絕緣材料(優(yōu)選地具有抗電擊穿的高阻抗)的夾層以及另一可光圖案化的電絕緣材料層。
文檔編號H01L51/00GK101772848SQ200880101248
公開日2010年7月7日 申請日期2008年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月17日
發(fā)明者亞爾馬·埃德澤爾·愛科·胡伊特馬, 克里斯托夫·威廉·塞萊, 尼古拉斯·阿爾德貢達(dá)·揚(yáng)·瑪麗亞·范阿爾勒, 格溫·赫爾曼納斯·格林克, 莫妮卡·約翰內(nèi)斯·貝恩哈克斯 申請人:聚合物視象有限公司