專利名稱：工藝室的泄漏檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種泄漏檢測(cè)方法，更具體地講，涉及一種工藝室的泄漏檢測(cè)方法， 該方法能夠在使用光學(xué)發(fā)射光譜儀(optical emission spectrometry, 0ES)方法或智能 HMS(smart HMS)來(lái)檢測(cè)專用工藝室的泄漏時(shí)準(zhǔn)確并迅速地檢測(cè)是否發(fā)生泄漏。
背景技術(shù)：
使用等離子體的半導(dǎo)體制造工藝可大致分為干式蝕刻工藝(dry etchingprocesses)、化學(xué)氣相沉禾只工藝(chemical vapor deposition processes)以及滅 身寸工藝(sputtering processes)。 使用等離子體的半導(dǎo)體制造裝置分為根據(jù)產(chǎn)生等離子體的電極的構(gòu)造在彼此面 對(duì)的平行板之間施加射頻(radio frequency, RF)功率來(lái)產(chǎn)生等離子體的電容耦合等離子 體(c即acitively coupled plasma, CCP)型裝置、通過(guò)施加RF功率至反應(yīng)管外部的線圈來(lái) 產(chǎn)生等離子體的電感耦合等離子體(inductively coupled plasma, ICP)型裝置、通過(guò)耦合 RF功率和磁場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子體的磁強(qiáng)化反應(yīng)離子蝕刻(magnetically enhanced reactive ion etching, MERIE)型裝置以及通過(guò)耦合微波和磁場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子體的電子回旋共振 (electron cyclotron resonance, ECR)型裝置。 在使用等離子體的干式蝕刻工藝中，反應(yīng)氣體被供應(yīng)至工藝室，工藝室提供進(jìn)行 蝕刻工藝的封閉空間。然后，施加RF功率至上電極和下電極，從而形成電場(chǎng)，上電極和下電 極被安裝成在工藝室內(nèi)彼此間隔預(yù)定距離。 反應(yīng)氣體被電場(chǎng)活化，以變成等離子體。處于等離子體狀態(tài)的離子與位于下電極 上的晶片上的薄膜反應(yīng)，使得晶片上的薄膜被蝕刻成期望的形狀。 在這種情況下，使用等離子體的半導(dǎo)體制造裝置需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并控制等離子體工 藝，使得能夠以期望的方式進(jìn)行等離子體工藝。 也就是說(shuō)，在等離子體蝕刻工藝及等離子體CVD工藝中產(chǎn)生大量的反應(yīng)副產(chǎn)物， 其隨后與反應(yīng)氣體或光致抗蝕劑(photoresist)反應(yīng)，從而產(chǎn)生聚合物。因?yàn)樵摼酆衔锔?著于玻璃表面或工藝室的內(nèi)壁，所以可能使工藝參數(shù)發(fā)生變化，并且可能產(chǎn)生顆粒。因此， 在半導(dǎo)體制造工藝期間，這些情況成為玻璃的缺陷因素(defective factor)，從而導(dǎo)致良 率下降。 因此，為了減少這些缺陷因素，要以預(yù)定時(shí)間重復(fù)地進(jìn)行工藝室的預(yù)防性維護(hù) (preventive maintenance, PM)。 此時(shí)，在工藝室內(nèi)沉積預(yù)定量的膜后，進(jìn)行類似于蝕刻工藝的干式清洗工藝，以移 除工藝室內(nèi)出現(xiàn)的聚合物。在干式清洗工藝中，需通過(guò)終點(diǎn)檢測(cè)器(end point detector) 來(lái)檢測(cè)蝕刻終點(diǎn)(etching end point)，使得工藝室所使用的部件的磨損(worn-out)狀態(tài)、 反應(yīng)氣體的消耗以及生產(chǎn)力得以增強(qiáng)。 然而，當(dāng)在工藝室中進(jìn)行PM前后用0ES分析等離子體并且通過(guò)該分析檢測(cè)泄漏 時(shí)，檢測(cè)的精度下降，并且難以檢測(cè)清洗工藝的蝕刻終點(diǎn)。
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也就是說(shuō)，因?yàn)樵趯?duì)工藝室進(jìn)行PM時(shí)部件的狀態(tài)發(fā)生明顯變化，所以即使未發(fā)生 泄漏，等離子體也與進(jìn)行PM之前大不相同。在這種情況下，可能出現(xiàn)檢測(cè)到存在泄漏的錯(cuò)誤。 此外，隨著周期性或非周期性地進(jìn)行干式清洗工藝，發(fā)生等離子體的分布。在這種 情況下，通過(guò)OES進(jìn)行的泄漏檢測(cè)的規(guī)格范圍(spec range)應(yīng)大于此分布。因此，通過(guò)OES 檢測(cè)不到細(xì)微泄漏。 此外，當(dāng)發(fā)生運(yùn)行停止(run down)時(shí)，工藝室的溫度及殘余氣體量與進(jìn)行連續(xù)運(yùn) 行時(shí)相比發(fā)生變化。在運(yùn)行停止后立即進(jìn)行處理的玻璃的等離子體分布與一般情況相比略 微增加。當(dāng)該分布略微地增加時(shí)，無(wú)法精確地控制泄漏檢測(cè)的規(guī)格范圍。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題 本發(fā)明是關(guān)于一種工藝室的泄漏檢測(cè)方法，其考慮到在半導(dǎo)體制造工藝中部件的 狀態(tài)在進(jìn)行PM前后發(fā)生明顯變化，通過(guò)在進(jìn)行PM后以預(yù)定周期或時(shí)間設(shè)置對(duì)泄漏有影響 的泄漏檢測(cè)的規(guī)格范圍，直至等離子體穩(wěn)定為止，而能夠在無(wú)錯(cuò)誤的情況下準(zhǔn)確且迅速地 檢測(cè)工藝室內(nèi)是否發(fā)生泄漏。
技術(shù)方案 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種工藝室的泄漏檢測(cè)方法，其避免了在以預(yù)定時(shí) 間重復(fù)地進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)(PM)以使半導(dǎo)體制造工藝期間的工藝室的缺陷因素減少時(shí)，部 件的狀態(tài)發(fā)生明顯變化的情況下，即使未發(fā)生泄漏也檢測(cè)到泄漏的錯(cuò)誤。該泄漏檢測(cè)方法 包括第一步驟，在進(jìn)行PM之前的半導(dǎo)體制造工藝期間，設(shè)置警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及PM規(guī) 格，警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及PM規(guī)格是在任意設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)大至預(yù)定范圍；第二
步驟，基于第一步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及PM規(guī)格的范圍來(lái)判斷是否發(fā)生泄漏；
第三步驟，在進(jìn)行PM后的半導(dǎo)體制造工藝期間，在自動(dòng)重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上，將警報(bào)規(guī) 格及故障規(guī)格重設(shè)至預(yù)定范圍；第四步驟，基于在第三步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格 的范圍判斷是否發(fā)生泄漏。 第一步驟中任意設(shè)置的特征值可通過(guò)以下方式獲得在半導(dǎo)體制造工藝的系統(tǒng)操 作的初始階段引入的若干取樣玻璃的等離子體光發(fā)射中搜尋對(duì)泄漏有影響的有效波段，并 且通過(guò)對(duì)所述波段中的強(qiáng)度進(jìn)行積分來(lái)計(jì)算面積，或計(jì)算峰值強(qiáng)度。 第一步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格可在第一步驟中設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在 ±5_7%的范圍內(nèi)。 第一步驟中設(shè)置的故障規(guī)格可在第一步驟中設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在 12_15%的范圍內(nèi)。 第一步驟的PM規(guī)格可被應(yīng)用于PM的起點(diǎn)及終點(diǎn)并持續(xù)預(yù)定周期或時(shí)間，該預(yù)定
周期或時(shí)間是從用于新工藝的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的操作持續(xù)直至等離子體穩(wěn)定。 PM規(guī)格可在第一步驟中設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在± 15-20%的范圍內(nèi)。 在通過(guò)穩(wěn)定等離子體來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體制造工藝的系統(tǒng)操作時(shí)，可通過(guò)自動(dòng)分析引入
的若干取樣玻璃的等離子體的光發(fā)射并對(duì)所述光發(fā)射進(jìn)行平均，來(lái)獲得第三步驟中自動(dòng)重
設(shè)的特征值。
第三步驟中重設(shè)的警報(bào)規(guī)格可在所述重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在±5_7%的范 圍內(nèi)。 第三步驟中重設(shè)的故障規(guī)格可在所述重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在±12_15%的 范圍內(nèi)。 第二步驟及第四步驟可包括當(dāng)在半導(dǎo)體制造工藝正在進(jìn)行的狀態(tài)下于預(yù)定時(shí)間 內(nèi)未輸入數(shù)據(jù)時(shí)，認(rèn)為所述狀態(tài)為運(yùn)行停止，當(dāng)在認(rèn)為運(yùn)行停止的狀態(tài)下輸入數(shù)據(jù)時(shí)，忽略 警報(bào)規(guī)格，且僅當(dāng)變化偏離故障規(guī)格的范圍時(shí)，判斷發(fā)生泄漏并產(chǎn)生警報(bào)。
有益的效果 根據(jù)本發(fā)明，考慮到進(jìn)行PM前后部件的狀態(tài)發(fā)生顯著改變，在預(yù)定周期或時(shí)間內(nèi) 將在進(jìn)行PM后對(duì)泄漏有影響的泄漏檢測(cè)的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格以及PM規(guī)格的范圍擴(kuò)大，直 至等離子體穩(wěn)定為止。因此，可以準(zhǔn)確并迅速地判斷工藝室內(nèi)是否發(fā)生泄漏并可以檢測(cè)細(xì) 微泄漏。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的工藝室內(nèi)泄漏檢測(cè)型態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例實(shí)施例。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的工藝室內(nèi)泄漏檢測(cè)型態(tài)的示意圖。
參照?qǐng)D1，當(dāng)以預(yù)定時(shí)間重復(fù)地進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)(preventive maintenance, PM) 使得半導(dǎo)體制造工藝期間的工藝室的缺陷因素減少時(shí)，部件的狀態(tài)會(huì)發(fā)生明顯變化。在這 種情況下，即使未發(fā)生泄漏，也可能檢測(cè)到泄漏。進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的工藝室的泄 漏檢測(cè)方法，以避免這種檢測(cè)錯(cuò)誤，該方法包括第一至第四步驟。 第一步驟包括在系統(tǒng)操作的初始階段所引入的若干取樣玻璃的等離子體光發(fā)射 中，搜尋對(duì)泄漏有影響的有效波段(wavelength band)，且通過(guò)對(duì)波段中的強(qiáng)度進(jìn)行積分來(lái) 計(jì)算面積或計(jì)算峰值強(qiáng)度，從而提取并設(shè)置特征值(eigenvalue)的過(guò)程，以及在進(jìn)行PM之 前的半導(dǎo)體制造工藝中，設(shè)置警報(bào)規(guī)格(warning spec)、故障規(guī)格(fault spec)及PM規(guī)格 的過(guò)程，其中，警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格和PM規(guī)格是在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)大至預(yù)定范圍。
當(dāng)僅提取一個(gè)特征值時(shí)，在確定泄漏時(shí)可能出現(xiàn)大量錯(cuò)誤，并且準(zhǔn)確性及可靠性 會(huì)降低。因此，引入若干取樣玻璃，并且從取樣玻璃中搜尋對(duì)泄漏有影響的若干有效波段。 然后，通過(guò)對(duì)波段中的強(qiáng)度進(jìn)行積分來(lái)計(jì)算面積或計(jì)算峰值強(qiáng)度而提取若干特征值。在此 若干特征值中，任一特征值是任意設(shè)置的?？梢罁?jù)工藝室來(lái)改變?cè)O(shè)置標(biāo)準(zhǔn)。
此時(shí)，警報(bào)規(guī)格可在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在±5-7%的范圍內(nèi)，而故障規(guī)格 可在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在±12_15%的范圍內(nèi)。 PM規(guī)格被應(yīng)用于PM的起點(diǎn)及終點(diǎn)并被應(yīng)用達(dá)預(yù)定周期(例如，當(dāng)引入第300片玻 璃時(shí)的時(shí)間點(diǎn))或預(yù)定的時(shí)間段(例如，兩天)，該預(yù)定周期是從用于新工藝的半導(dǎo)體制造 系統(tǒng)的操作直至等離子體穩(wěn)定。PM規(guī)格可在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在±15_20%的范 圍內(nèi)。 也就是說(shuō)，當(dāng)假定在PM進(jìn)行期間部件的狀態(tài)發(fā)生變化，使得等離子體的變化接近±15%，并且如果發(fā)生導(dǎo)致±5%的變化的泄漏時(shí)，總變化為±20%。因此，當(dāng)在一般情況 下將PM規(guī)格設(shè)置在±5%的范圍內(nèi)來(lái)檢測(cè)泄漏時(shí)，設(shè)置的±5%的規(guī)格范圍包括在總變化 的±20%范圍內(nèi)。因此，當(dāng)進(jìn)行工藝室的PM時(shí)，出現(xiàn)檢測(cè)錯(cuò)誤，其中即使未發(fā)生泄漏，但由 于超出規(guī)格而檢測(cè)到發(fā)生泄漏。 因此，由于當(dāng)進(jìn)行PM時(shí)未應(yīng)用警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格，因此考慮到進(jìn)行PM后部件的 狀態(tài)發(fā)生變化，PM規(guī)格范圍在特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)大至± 15-20% 。 第二步驟包括基于在第一步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及PM規(guī)格的范圍來(lái) 判斷是否發(fā)生泄漏的過(guò)程。 也就是說(shuō)，在進(jìn)行PM之前對(duì)工藝室的等離子體進(jìn)行光發(fā)射分析。僅當(dāng)所分析的等
離子體光發(fā)射的變化在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上偏離警報(bào)規(guī)格的范圍(±5-7%)及故障規(guī)
格的范圍(±12-15%)時(shí)，由于超出規(guī)格，泄漏檢測(cè)器判斷工藝室內(nèi)發(fā)生泄漏。 此外，當(dāng)所分析的等離子體光發(fā)射的變化在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上未偏離警報(bào)規(guī)
格的范圍(±5-7%)及故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)，泄漏檢測(cè)器判斷工藝室內(nèi)未發(fā)生泄漏。 此時(shí)，在第二步驟中，當(dāng)在半導(dǎo)體制造工藝正在進(jìn)行的狀態(tài)下于預(yù)定時(shí)間內(nèi)未輸 入數(shù)據(jù)時(shí)，泄漏檢測(cè)器認(rèn)為其運(yùn)行停止。當(dāng)在認(rèn)為運(yùn)行停止的狀態(tài)下輸入數(shù)據(jù)時(shí)，泄漏檢測(cè) 器忽略±5-7%的警報(bào)規(guī)格，并且僅當(dāng)變化偏離故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)產(chǎn)生警報(bào)。
也就是說(shuō)，當(dāng)發(fā)生運(yùn)行停止時(shí)，工藝室的溫度及殘余氣體量與進(jìn)行連續(xù)運(yùn)行時(shí)相 比發(fā)生變化，并且在運(yùn)行停止后立即進(jìn)行處理的玻璃的等離子體分布與一般情況相比略微 地增加。因此，考慮到出現(xiàn)由分布導(dǎo)致的泄漏檢測(cè)錯(cuò)誤，在忽略±5_7%的警報(bào)規(guī)格的狀態(tài) 下，僅當(dāng)變化偏離故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)，泄漏檢測(cè)器才判斷發(fā)生泄漏。接著，半 導(dǎo)體制造系統(tǒng)的系統(tǒng)控制單元在泄漏檢測(cè)器判斷已發(fā)生泄漏后產(chǎn)生警報(bào)。
第三步驟包括在進(jìn)行PM之后的半導(dǎo)體制造工藝期間，在自動(dòng)重設(shè)的特征值的基 礎(chǔ)上重設(shè)警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格的過(guò)程。 也就是說(shuō)，當(dāng)在進(jìn)行PM之后，通過(guò)等離子體的穩(wěn)定進(jìn)行半導(dǎo)體制造工藝的系統(tǒng)操 作時(shí)，自動(dòng)地分析若干引入的取樣玻璃的等離子體的光發(fā)射，然后進(jìn)行平均，以提取并設(shè)置 特征值。此外，將警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)大至預(yù)定范圍。
此時(shí)，警報(bào)規(guī)格可在重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在± 5-7 %的范圍內(nèi)，并且故障規(guī) 格可在重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在± 12-15 %的范圍內(nèi)。 第四步驟包括基于在第三步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格的范圍判斷是否發(fā) 生泄漏的過(guò)程。 也就是說(shuō)，當(dāng)進(jìn)行PM之后在等離子體穩(wěn)定的狀態(tài)下進(jìn)行新工藝時(shí)，對(duì)工藝室的等 離子體進(jìn)行光發(fā)射分析。當(dāng)所分析的等離子體光發(fā)射的變化在重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上偏離 警報(bào)規(guī)格的范圍(±5-7%)及故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)，由于超出規(guī)格，泄漏檢測(cè) 器判斷工藝室內(nèi)發(fā)生泄漏。 此外，當(dāng)所分析的等離子體光發(fā)射的變化在重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上沒(méi)有偏離警報(bào) 規(guī)格的范圍(±5-7%)及故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)，泄漏檢測(cè)器判斷工藝室內(nèi)未發(fā) 生泄漏。 此時(shí)，在第四步驟中，當(dāng)進(jìn)行PM之后在半導(dǎo)體制造工藝正在進(jìn)行的狀態(tài)下，于
6預(yù)定的時(shí)間內(nèi)未輸入數(shù)據(jù)時(shí)，泄漏檢測(cè)器認(rèn)為其運(yùn)行停止。當(dāng)在認(rèn)為運(yùn)行停止的狀態(tài)下 輸入數(shù)據(jù)時(shí)，泄漏檢測(cè)器忽略±5-7%的警報(bào)規(guī)格，并且僅當(dāng)變化偏離故障規(guī)格的范圍 (±12-15% )時(shí)產(chǎn)生警報(bào)。 也就是說(shuō)，當(dāng)發(fā)生運(yùn)行停止時(shí)，工藝室的溫度及殘余氣體量與進(jìn)行連續(xù)運(yùn)行時(shí)相
比發(fā)生變化，并且在運(yùn)行停止后立即進(jìn)行處理的玻璃的等離子體分布與一般情況相比略微
地增加。因此，考慮到出現(xiàn)由分布導(dǎo)致的泄漏檢測(cè)錯(cuò)誤，在忽略±5_7%的警報(bào)規(guī)格的狀態(tài)
下，僅當(dāng)變化偏離故障規(guī)格的范圍(±12-15%)時(shí)，泄漏檢測(cè)器才判斷發(fā)生泄漏。接著，半
導(dǎo)體制造系統(tǒng)的系統(tǒng)控制單元在泄漏檢測(cè)器判斷已發(fā)生泄漏后產(chǎn)生警報(bào)。 在本示例實(shí)施例中，于PM前后設(shè)置任意特征值之后，在設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)
大用于泄漏檢測(cè)的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及PM規(guī)格的范圍，并且考慮PM之后的部件的變化來(lái)
避免即使未發(fā)生泄漏也檢測(cè)到泄漏的錯(cuò)誤。 雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)范例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解 的是，在不脫離由權(quán)利要求書及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)這些 實(shí)施例進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
一種工藝室的泄漏檢測(cè)方法，所述泄漏檢測(cè)方法避免在以預(yù)定時(shí)間重復(fù)地進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)以使半導(dǎo)體制造工藝期間的工藝室的缺陷因素減少時(shí)，部件的狀態(tài)發(fā)生顯著變化的情況下，即使未發(fā)生泄漏也檢測(cè)到泄漏的錯(cuò)誤，所述泄漏檢測(cè)方法包括第一步驟，在進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)之前的半導(dǎo)體制造工藝期間，設(shè)置警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及預(yù)防性維護(hù)規(guī)格，警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及預(yù)防性維護(hù)規(guī)格是在任意設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上擴(kuò)大至預(yù)定范圍；第二步驟，基于第一步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格及預(yù)防性維護(hù)規(guī)格的范圍來(lái)判斷是否發(fā)生泄漏；第三步驟，在進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)后的半導(dǎo)體制造工藝期間，在自動(dòng)重設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上，將警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格重設(shè)至預(yù)定范圍；第四步驟，基于在第三步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格及故障規(guī)格的范圍判斷是否發(fā)生泄漏。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第一步驟中任意設(shè)置的特征值是通過(guò) 以下方式獲得在半導(dǎo)體制造工藝的系統(tǒng)操作的初始階段引入的若干取樣玻璃的等離子體 光發(fā)射中搜尋對(duì)泄漏有影響的有效波段，并且通過(guò)對(duì)所述波段中的強(qiáng)度進(jìn)行積分來(lái)計(jì)算面 積，或計(jì)算峰值強(qiáng)度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第一步驟中設(shè)置的警報(bào)規(guī)格在第一步 驟中設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在5-7%的范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第一步驟中設(shè)置的故障規(guī)格在第一步 驟中設(shè)置的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在12_15%的范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第一步驟的預(yù)防性維護(hù)規(guī)格被應(yīng)用于 預(yù)防性維護(hù)的起點(diǎn)及終點(diǎn)并持續(xù)預(yù)定周期或時(shí)間，所述預(yù)定周期或時(shí)間是從用于新工藝的 半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的操作持續(xù)直至等離子體穩(wěn)定。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，預(yù)防性維護(hù)規(guī)格在第一步驟中設(shè)置的 特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在15_20%的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，在通過(guò)穩(wěn)定等離子體來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體制 造工藝的系統(tǒng)操作時(shí)，通過(guò)自動(dòng)分析引入的若干取樣玻璃的等離子體的光發(fā)射并對(duì)所述光 發(fā)射進(jìn)行平均，來(lái)獲得第三步驟中自動(dòng)重設(shè)的特征值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第三步驟中重設(shè)的警報(bào)規(guī)格在所述重 設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在5-7%的范圍內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第三步驟中重設(shè)的故障規(guī)格在所述重 設(shè)的特征值的基礎(chǔ)上設(shè)置在12-15%的范圍內(nèi)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的泄漏檢測(cè)方法，其中，第二步驟及第四步驟包括 當(dāng)在半導(dǎo)體制造工藝正在進(jìn)行的狀態(tài)下于預(yù)定時(shí)間內(nèi)未輸入數(shù)據(jù)時(shí)，認(rèn)為所述狀態(tài)為運(yùn)行停止，當(dāng)在認(rèn)為運(yùn)行停止的狀態(tài)下輸入數(shù)據(jù)時(shí)，忽略警報(bào)規(guī)格，且僅當(dāng)變化偏離故障規(guī) 格的范圍時(shí)，判斷發(fā)生泄漏并產(chǎn)生警報(bào)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種工藝室的泄漏檢測(cè)方法，其中考慮到部件的狀態(tài)在進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)(PM)前后發(fā)生明顯變化，在預(yù)定周期或時(shí)間內(nèi)將在進(jìn)行PM之后對(duì)泄漏有影響的泄漏檢測(cè)的警報(bào)規(guī)格、故障規(guī)格以及PM規(guī)格的范圍擴(kuò)大，直至等離子體穩(wěn)定為止。因此，可以準(zhǔn)確且迅速地判斷工藝室內(nèi)是否發(fā)生泄漏并可以檢測(cè)細(xì)微泄漏。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101790782SQ200880007790
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2008年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月27日
發(fā)明者李淳鐘, 禹奉周, 金學(xué)權(quán), 金泰東 申請(qǐng)人:塞米西斯科株式會(huì)社