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用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線的制作方法

文檔序號:6915871閱讀:269來源:國知局

專利名稱::用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本實用新型屬于三層絕緣繞組線
技術(shù)領(lǐng)域
,它應(yīng)用于安全標(biāo)準(zhǔn)符合UL195(KIEC60950的變壓器及高頻繞組線圈,尤其涉及一種用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線。
背景技術(shù)
:目前用在變壓器上的三層絕緣繞組線,由銅導(dǎo)體、兩層聚酯絕緣和外層聚酰胺絕緣組成,這類三層絕緣線耐熱等級為E級(120°C)和B級(130°C)。隨著電子、電訊、電源設(shè)備的發(fā)展趨勢,E級(120°C)、B級(130°C)的耐溫等級已不能滿足安全、可靠、穩(wěn)定性能的要求,市場也迫切需求耐熱等級更高的三層絕緣繞組線。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種耐熱等級更高的用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線。本實用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線,其特征在于,包括銅導(dǎo)體、鍍錫層、兩層聚苯硫醚絕緣層、聚酰胺樹脂層,所述的鍍錫層鍍于銅導(dǎo)體外面,所述的兩層聚苯硫醚絕緣層依次擠包于鍍錫層外面,所述的聚酰胺樹脂層擠包于兩層聚苯硫醚絕緣層外面。所述的銅導(dǎo)體的規(guī)格為①0.201.00mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的耐熱等級達(dá)F級(155°C),采用本實用新型的變壓器及高頻繞組線圈安全可靠、穩(wěn)定性高,同時,采用本實用新型的變壓器由于省去了層間絕緣層和內(nèi)骨架檔板,使初次級繞組緊耦合,變壓器可縮小體積1/2以及1/3重量,可降低材料費和加工費,而且明顯減小漏感和分布電容,顯著提高了變壓器的高頻特性和抗干擾性。圖1為用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步說明。如圖1所示,一種用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線,包括銅導(dǎo)體1、鍍錫層2、兩層聚苯硫醚絕緣層3、聚酰胺樹脂層4,所述的鍍錫層2鍍于銅導(dǎo)體l外面,所述的兩層聚苯硫醚絕緣層3依次擠包于鍍錫層2外面,所述的聚酰胺樹脂層4擠包于兩層聚苯硫醚絕緣層3外面。使用①3mm銅桿經(jīng)拉絲機拉細(xì)后進(jìn)行退火涂錫,然后通過30型三頭擠塑機將兩層聚苯硫醚絕緣層3和聚酰胺樹脂絕緣層4擠包在鍍錫銅導(dǎo)體外面。用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線的性能為(1)生產(chǎn)規(guī)格范圍0.201.00mm;(2)耐溫等級F級(155°C);(3)由于Sn電子結(jié)構(gòu)排列為(2,8,18,18,4)最外層電子為4個,而Cu電子結(jié)構(gòu)為(2,8,18,1)最外層電子為l個,因此鍍錫銅導(dǎo)體其抗干擾性和高頻性都比銅導(dǎo)線佳;(4)鍍錫銅線比純銅導(dǎo)線抗氧化性要佳,因此F級(155°C)導(dǎo)體必須使用鍍錫銅線;(5)耐電壓特性優(yōu)良,擊穿電壓大于15kV,獲得強化絕緣(試驗電壓=3000Vrms,lmin)的鑒定;(6)無須剝離外層就可直接焊接,焊錫性420。C《3S;(7)優(yōu)良的耐磨性和表面光滑性,靜摩擦系數(shù)《0.133;(8)耐化學(xué)溶劑和浸漬漆性能好。用于變壓器的GPX-F三層絕緣繞組線與普通GPX-B三層絕緣繞組線性能比較如表1所示。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>權(quán)利要求1.用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線,其特征在于,包括銅導(dǎo)體、鍍錫層、兩層聚苯硫醚絕緣層、聚酰胺樹脂層,所述的鍍錫層鍍于銅導(dǎo)體外面,所述的兩層聚苯硫醚絕緣層依次擠包于鍍錫層外面,所述的聚酰胺樹脂層擠包于兩層聚苯硫醚絕緣層外面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線,其特征在于,所述的銅導(dǎo)體的規(guī)格為O0.201.00mm。專利摘要本實用新型涉及用于變壓器的鍍錫三層絕緣繞組線,包括銅導(dǎo)體、鍍錫層、兩層聚苯硫醚絕緣層、聚酰胺樹脂層,所述的鍍錫層鍍于銅導(dǎo)體外面,所述的兩層聚苯硫醚絕緣層依次擠包于鍍錫層外面,所述的聚酰胺樹脂層擠包于兩層聚苯硫醚絕緣層外面。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的耐熱等級達(dá)F級(155℃),采用本實用新型的變壓器及高頻繞組線圈安全可靠、穩(wěn)定性高,而且可明顯減小漏感和分布電容,顯著提高了變壓器的高頻特性和抗干擾性。文檔編號H01B7/02GK201278275SQ20082015435公開日2009年7月22日申請日期2008年10月22日優(yōu)先權(quán)日2008年10月22日發(fā)明者方澄秋,剛沈申請人:上海川葉電子科技有限公司
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