專利名稱：可提高耐電流的晶片型電源電感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶片型電源電感器，尤其涉及一種可提高耐電流的晶 片型電源電感器。
背景技術(shù)：
中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)第0921 33495號(hào)提供了 一種晶片電源電感器及其制造方法， 請(qǐng)參閱圖l所示，其磁性材料與非磁性材料以堆迭方式，堆迭形成磁性材料區(qū) 域11及非磁性材料區(qū)域12，所述磁性材料區(qū)域11包覆于所述非磁性材料區(qū)域 12外圍，又所述非磁性材料區(qū)域12內(nèi)設(shè)有至少兩個(gè)電極圖樣13,所述兩非磁 性材料區(qū)域12間設(shè)有一非磁性材料層14,通過(guò)所述非磁性材料區(qū)域12及非磁 性材料層14將磁性材料區(qū)域11區(qū)隔成兩個(gè)磁力線15;
上述的技術(shù)，其雖可通過(guò)所述非磁性材料區(qū)域12及非磁性材料層14將磁 性材料區(qū)域11區(qū)隔成兩個(gè)》茲力線15,如圖1所示，而可抑制所述磁性材料區(qū)域 11形成磁性飽和，但在電感器通電時(shí)，往往因所述磁性材料區(qū)域11》茲性飽和， 而造成電感的感值下降，如圖4所示，導(dǎo)致耐電流降低，因而造成影響整體電 路的效能；
現(xiàn)有技術(shù)并不能提供一種在降低磁性飽和的同時(shí)，還可提高耐電流的晶片 型電源電感器。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種可提高耐電流的晶片型電源 電感器，在降低磁性飽和的同時(shí)，還可提高耐電流。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種可提高耐電流的晶片型電源 電感器，其包含
磁性材料區(qū)，所述磁性材料區(qū)設(shè)有兩非磁性材料區(qū)，所述非磁性材料區(qū)內(nèi) 各設(shè)有至少兩個(gè)電極層，又所述兩非磁性材料區(qū)同 一側(cè)延伸設(shè)有一非磁性材料層。
通過(guò)將所述非磁性材料層設(shè)置在兩非磁性材料區(qū)的同一側(cè)，使得所述磁性 材料區(qū)可被區(qū)隔為兩磁區(qū)，因而使所述磁性材料區(qū)不易磁飽和，進(jìn)而可提高耐 電流。
本實(shí)用新型還提供了一種可提高耐電流的晶片型電源電感器，其包含 磁性材料區(qū)，所述磁性材料區(qū)設(shè)有兩非磁性材料區(qū)，所述非磁性材料區(qū)內(nèi)
各設(shè)有至少兩個(gè)電極層，又所述兩非磁性材料區(qū)兩側(cè)各延伸設(shè)有一非磁性材料層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器， 具有不易達(dá)到磁性飽和和具較高耐電流的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)和磁力線分布示意圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例所述的晶片型電源電感器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的磁力線分布示意圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例所述晶片型電源電感器與現(xiàn)有的晶片型電源電感 器的特性區(qū)線比較示意圖5是本實(shí)用新型的另 一 實(shí)施例所述的晶片型電源電感器的結(jié)構(gòu)示意圖6是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的磁力線分布示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明l-電感器；ll-磁性材料區(qū)域；12-非磁性材料區(qū)域；13-電 極圖樣；14-非磁性材料層；15-磁力線；2-非磁性材料層；3-非磁性材料區(qū)； 31-電極層；4-磁性材料區(qū)；5-磁力線；A-本實(shí)用新型的感值降幅曲線；B-現(xiàn)有 技術(shù)的感值降幅曲線；
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型上迷的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的 說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖2,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種可提高耐電流的晶片型電源電感 器，其包含
磁性材料區(qū)4,所述磁性材料區(qū)4可由Ni基材亞鐵、或Ni-Zn基材亞鐵、 或Ni-Zn-Cu基材亞鐵等制成，所述磁性材料區(qū)4設(shè)有兩非磁性材料區(qū)3;所述
非磁性材料區(qū)3可由B203-Si02基材玻璃、或A1203-Si02基材玻璃等制成，所 述非磁性材料區(qū)3內(nèi)各設(shè)有至少兩個(gè)電極層31,又所述兩非磁性材料區(qū)3同一 側(cè)延伸設(shè)有一非磁性材料層2,所述非磁性材料層2可由B203-Si02基材玻璃、 或A1203-Si02基材玻璃等制成；
當(dāng)所述晶片型電源電感器導(dǎo)通時(shí)，所述磁性材料區(qū)4會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，通過(guò)所 述非磁性材料區(qū)3和非磁性材料層2,可使所述磁性材料區(qū)4產(chǎn)生數(shù)個(gè)磁力線5, 如圖3所示，因而可降低磁性飽和、提高耐電流，而如圖4的感值降幅曲線A 所示；
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D4,本實(shí)用新型實(shí)施例所述晶片型電源電感器與現(xiàn)有的晶片型電 源電感器的特性曲線比較示意圖，當(dāng)電流在0. 9A(安培)時(shí)，本實(shí)用新型實(shí)施例 所述晶片型電源電感器的感值降幅曲線A約-15. 0 % ,而現(xiàn)有的晶片型電源電感 器感值降幅曲線B約-30. 0% ,由此可得知本實(shí)用新型確實(shí)具較高的耐電流功效。
請(qǐng)參閱圖5,本實(shí)用新型實(shí)施例所述晶片型電源電感器也可令所述兩非磁性 材料區(qū)3在兩側(cè)，各延伸設(shè)有一非磁性材料層2,也可使所述磁性材料區(qū)4產(chǎn)生 至少兩個(gè)^茲力線5，如圖6所示，因而也可達(dá)到降低磁性々包和、提高耐電流的效 果。
為使本實(shí)用新型更加顯現(xiàn)出其進(jìn)步性與實(shí)用性，與現(xiàn)有技術(shù)作一比較分析 如下
現(xiàn)有技術(shù)
1、 容易達(dá)到磁性飽和。
2、 不耐電i充。
本實(shí)用新型實(shí)施例所述晶片型電源電感器的優(yōu)點(diǎn)
1、 不易達(dá)到^f茲性飽和。
2、 具較高耐電 流。
以上說(shuō)明對(duì)本實(shí)用新型而言只是說(shuō)明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員理解，在不脫離以下所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下， 可做出許多修改，變化，或等效，但都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于，其包含磁性材料區(qū)，所述磁性材料區(qū)設(shè)有兩非磁性材料區(qū)，所述非磁性材料區(qū)內(nèi)各設(shè)有至少兩個(gè)電極層，又所述兩非磁性材料區(qū)同一側(cè)延伸設(shè)有一非磁性材料層。
2、 如權(quán)利要求1所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述磁性材料區(qū)材質(zhì)由Ni基材亞鐵、或Ni-Zn基材亞鐵、或Ni-Zn-Cu基材亞 鐵制成。
3、 如權(quán)利要求1所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述非磁性材料區(qū)材質(zhì)由B203-Si02基材玻璃、或A1203-Si02基材玻璃制成。
4、 如權(quán)利要求1所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述非磁性材料層材質(zhì)由B203-Si02基材玻璃、或A1203-Si02基材玻璃制成。
5、 一種可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于，其包含 磁性材料區(qū)，所述磁性材料區(qū)設(shè)有兩非磁性材料區(qū)，所述非磁性材料區(qū)內(nèi)各設(shè)有至少兩個(gè)電極層，又所述兩非磁性材料區(qū)兩側(cè)各延伸設(shè)有一非磁性材料 層。
6、 如權(quán)利要求5所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述磁性材料區(qū)由Ni基材亞鐵、或Ni-Zn基材亞4失、或Ni-Zn-Cu基材亞鐵制 成。
7、 如權(quán)利要求5所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述非磁性材料區(qū)由B203-Si02基材玻璃、或A1203-Si02基材玻璃制成。
8、 如權(quán)利要求5所述的可提高耐電流的晶片型電源電感器，其特征在于， 所述非磁性材料層由B203-Si02基材玻璃、或A1203-Si02基材玻璃制成。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種可提高耐電流的晶片型電源電感器，其包含磁性材料區(qū)，所述磁性材料區(qū)設(shè)有兩非磁性材料區(qū)，所述非磁性材料區(qū)內(nèi)各設(shè)有至少兩個(gè)電極層，又所述兩非磁性材料區(qū)同一側(cè)延伸設(shè)有一非磁性材料層；通過(guò)所述兩非磁性材料區(qū)同一側(cè)延伸設(shè)有一非磁性材料層，使得所述磁性材料區(qū)可被區(qū)隔為兩磁區(qū)，因而使磁性材料區(qū)不易磁飽和，進(jìn)而可提高耐電流。
文檔編號(hào)H01F1/34GK201213084SQ20082011409
公開(kāi)日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日
發(fā)明者張榮泉 申請(qǐng)人:西北臺(tái)慶科技股份有限公司