專利名稱：閃存及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種閃存及其制 造方法。
背景技術(shù)：
半導體制造技術(shù)方面包括非易失性存儲器件，諸如浮柵 (floating gate)存儲器件或金屬絕緣體半導體(MIS)存儲器件， 其中MIS存儲器件構(gòu)成具有兩個或更多的多層介電層。浮4冊存儲器 件-使用勢阱(potential well)體現(xiàn)存儲特性，并且可以以電可纟察除 可編禾呈只讀存卡者器(EEPROM)隧道氧4b物(ETOX)結(jié)構(gòu)來構(gòu)造。 該ETOX結(jié)構(gòu)是目前作為EEPROM^皮最廣泛應用的簡單堆疊結(jié)構(gòu)， 或是對每個單元都具有兩個晶體管的分裂4冊結(jié)構(gòu)(split gate structure )。另一方面，MIS型存儲器件使用存在于介電層主體 (dielectric layer bulk )、介電層/介電層4妄觸面以及介電層/半導體才妄 觸面處的陷阱(trap)來#1行存儲功能。目前作為閃速EEPROM應 用的金屬/硅氧化物氮化物氧化物半導體(MONOS/SONOS )結(jié)構(gòu) 是典型的實例。
閃存器件具有^f吏各個單位單元(unit cell)的源才及相互連4妄以形 成源極線的源極連接層。近年來，源極線已經(jīng)作為閃存器件的源極 連接層被廣泛地應用，上述源極線是通過用于實現(xiàn)閃存器件高度集 成的自對準源極(self-aligned source ) ( SAS )工藝獲得的摻雜物擴 散層。
如實例圖1所示，形成源才及線的方法包4舌在坤t底110中形成淺 溝槽隔離(shallow trench isolation ) 120以限定有源區(qū)130的步驟。 如實例圖2所示，然后在有源區(qū)130上和/或上方形成層疊沖冊(stack gate)并在場區(qū)(field region)中使用例如氧化膜填充淺溝槽隔離 120，然后使用光刻膠掩模通過反應性離子蝕刻(RIE )來蝕刻淺溝 槽隔離120以形成溝槽T。如實例圖3所示，通過雙離子注入，也 就是，垂直離子注入(Iv)和傾斜離子注入(It)在形成溝槽T的襯 底110中注入離子以形成共源才及(common source ) 140，該共源相_ 140具有如實例圖4所示的互相連接的4黃向延伸表面部分141和143 以及垂直表面部分142。
如實例圖4所示，在側(cè)壁(SW )氧化之前通過化學干蝕刻(CDE ) 去除了由RIE引起的損害。特別地，通過CDE工藝去除了由于離 子注入和氧化膜蝕刻(氧化物RIE)而受壓(stress)的部分。然而， 這需要氧化膜和襯底之間的高蝕刻選擇性，并因此需要昂貴的設(shè) 備，還需要附加的工藝。同樣，由于襯底和被蝕刻的淺溝槽隔離之 間4艮高的梯級差(step difference ),在后續(xù)的光工藝(photo process ) 中降低了余量(margin )。當在淺溝槽隔離被蝕刻的那部分的谷狀部 分處產(chǎn)生光刻膠(PR)殘余物時，還可能發(fā)生讀取失敗。例如，當 PR殘余物產(chǎn)生在谷狀部分時，產(chǎn)生了氧4b物蝕刻阻擋區(qū)(oxide etch block )。 從而,阻擋了對凹陷的共源極(recessed common source ) (RCS)的后續(xù)離子注入，結(jié)果源極線沒有被連接，因此，可能發(fā) 生浮動J見象(floating phenomenon )。同沖羊，當々蟲刻淺溝才曹隔離時，
造成了有源損害(active damage),結(jié)果需要對側(cè)壁(SW )進行退 火(annealing )。當實施固4匕(curing )不當時，發(fā)生4立4昔(dislocation )， 結(jié)果可能發(fā)生字線(W/L)應力失效(stress failure )。
例如，在實施氧化物蝕刻的時侯，可能造成如下有源損害。當 源才及線凈皮蝕刻時，由于應力在與其相鄰的有源區(qū)造成了損害。結(jié)果， 引起W/L應力，從而，可能發(fā)生應力失效。同樣，在蝕刻淺溝槽隔 離時，由于對控制柵極和浮柵的損害，額外地需要CDE工藝和SW 退火步驟。當不適當?shù)貙嵤┕袒瘯r，可能發(fā)生保持失敗(retention failure )。例如，在凹陷的共源極(RCS )處實施氧化物蝕刻的時候， 僅在源區(qū)造成側(cè)面多晶硅損害(side poly damage),結(jié)果當通過后 續(xù)SW氧化形成氧化物時，氧化膜生長的比漏區(qū)薄。因此，發(fā)生保 持失敗。為了消除這種現(xiàn)象，需要使用引起小損害的CDE設(shè)備來 去除引起損害的區(qū)域。結(jié)果，需要附加的工藝。此外，使用CDE 去除受損的區(qū)i或是附加的蝕刻工藝，結(jié)果，增加了凹陷的共源核_ (RCS )的薄層電阻(sheet resistance ) Rs。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例涉及一種閃存及其制造方法，該方法在實施凹陷 的共源4及(RCS )工藝時不實施場氧化物蝕刻步驟(field oxide etching step)并確保共源才及的特性小于相同的薄層電阻(Rs), 乂人而簡化工 藝并防止在實施工藝時可能發(fā)生的問題。
本發(fā)明實施例涉及一種閃存，該閃存可以包括至少以下之一 在襯底中形成的淺溝槽隔離和有源區(qū)；在有源區(qū)上和/或上方形成的 多個層疊4冊；在層疊4冊之間的淺溝槽隔離和有源區(qū)的下側(cè)形成的深 注入?yún)^(qū)；以及在層疊4冊之間的有源區(qū)的表面形成的淺注入?yún)^(qū)。
本發(fā)明實施例涉及一種閃存的制造方法，該方法可以包括至少
以下步驟之一:在襯底中形成淺溝槽隔離以限定有源區(qū)；在有源區(qū)上 形成多個層疊4冊；在層疊4冊之間的淺溝槽隔離和有源區(qū)的下側(cè)形成 深注入?yún)^(qū)；以及然后在層疊4冊之間的有源區(qū)的表面中形成淺注入 區(qū)。
發(fā)明實施例涉及一種方法，該方法可以包括至少以下步驟之一: 以第 一深度在襯底中形成限定有源區(qū)的溝槽隔離；順序?qū)嵤┯糜谝?第二深度在有源區(qū)中形成第一離子注入?yún)^(qū)的第一離子注入工藝，用 于以第三深度在有源區(qū)中形成第二離子注入?yún)^(qū)的第二離子注入工 藝，以及用于以第四深度在有源區(qū)和溝槽隔離中形成第三離子注入 區(qū)的第三離子注入工藝；以及然后以第五深度在有源區(qū)形成淺注入 區(qū)。


實例圖1至圖4示出了閃存。
實例圖5至圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的閃存器件以及制造 閃存的方法。
實例圖IO示出了閃存。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中示出了優(yōu)選 實施方式的實施例。在所有可能的任何地方，在整個附圖中使用相 同的標號以表示相同或相似的部件。在本發(fā)明實施例的描述中，在 每個層"上和/或上方"形成某物包括直接在每個層上形成某物或通 過另外的層間接地在每個層上形成某物。
如實例圖5和圖9所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的閃存包括形成在 ^H"底210中的淺溝槽隔離220和有源區(qū)230。在有源區(qū)230上和/或 上方形成多個層疊4冊260，而深注入?yún)^(qū)240a^皮形成延伸在各個層疊 4冊260之間的淺溝槽隔離220和有源區(qū)230的中部和下部區(qū)之間。 在各個層疊4冊260之間的有源區(qū)230的上部區(qū)域形成淺注入?yún)^(qū) 240b。才艮據(jù)本發(fā)明實施例，；罙注入?yún)^(qū)240a和淺注入?yún)^(qū)240b互才目電 連接以形成共源極240。每個層疊柵260具有的高度大于淺溝槽隔 離220的深度。圖9是沿圖5的線I-I，截取的根據(jù)本發(fā)明實施例的 閃存的截面圖。
深注入?yún)^(qū)240a包4舌在層疊4冊260之間的有源區(qū)230處形成的 第一離子注入?yún)^(qū)242,在層疊4冊260之間的有源區(qū)230處形成的第 二離子注7v區(qū)244,以及在層疊斥冊260之間的淺溝槽隔離220和有 源區(qū)230的下部區(qū)域處形成的第三離子注入?yún)^(qū)246。以比淺溝槽隔 離220的深度小的深度形成第一離子注入?yún)^(qū)242。以比淺溝槽隔離 220的深度大的深度形成第三離子注入?yún)^(qū)246。在第一離子注入?yún)^(qū) 242和第三離子注入?yún)^(qū)246之間形成第二離子注入?yún)^(qū)244。具體地， 以比第一離子注入?yún)^(qū)242的深度大^f旦比第三離子注入?yún)^(qū)246的深度 小的深度形成第二離子注入?yún)^(qū)244。第三離子注入?yún)^(qū)246可以被形 成為直線形狀以^使層疊柵260之間的淺溝槽隔離220和有源區(qū)230 的下部區(qū)i或相互連4妄。意p未著，可能以三維結(jié)構(gòu)，也就是以彎曲的 圖樣構(gòu)成凹陷的共源極(RCS)。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例，共源極 以直線連接至淺溝槽隔離220的下部區(qū)域。電流通路211沿著共源 才及區(qū)i或(common source region )的直纟戔路^圣。
在其他的方法中，去除了有源蝕刻工藝，該有源蝕刻工藝由于 損害而增大了薄層電阻(Rs),并因此，相比于RCS方法實現(xiàn)了電 阻變化的減小。在三維結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)這種彎曲的連接以連4矣共源;f及
140。假定單位表面的薄層電阻Rs是R，則到達第N個有源區(qū)必要 的總電阻是3NR。
如實例圖9中所示，另一方面，根據(jù)本發(fā)明實施例，共源極240 包括-深注入?yún)^(qū)240a和淺注入?yún)^(qū)240b。同樣，垂直地發(fā)生短J各，共 源才及240可以^皮形成以直線連接至淺溝槽隔離220的下部區(qū)域。特 別地，電阻(R)與阻抗物(resistant object)的長度成比例，總電 阻隨阻抗物的長度減小而減小。根據(jù)本發(fā)明實施例，與淺溝槽隔離 220下面的共源4及相連的區(qū)域以直線相互連4妄，考慮到上述事實， 有>源、區(qū)230和共〉源、才及240通過5主人區(qū)242、 244和246連才妻。jt匕時， 相比于其^f也方法由于與電阻相關(guān)的截面區(qū)非常大，所以減小了實際 電阻。因此，盡管實施具有大約E13和E14濃度的摻雜，本發(fā)明 實施例提供與具有大約E15濃度的傳統(tǒng)摻雜相同的效果。如實例圖 9所示，到達第N個有源區(qū)必要的總電阻可以是與傳統(tǒng)的方法相同 的值，也就是，3NR。
實例圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的閃存的制造方法。如實例 圖5所示，在襯底210中限定了淺溝槽隔離220和有源區(qū)230。隨 后，在有源區(qū)230上和/或上方形成多個層疊柵260。形成光刻膠圖 樣310以覆蓋漏區(qū)250。通過光刻膠圖樣310使共源極線區(qū)敞開， 也就是I-I，線區(qū)。實例圖6是沿實例圖5的線I-I，截取的截面圖。
如實例圖7所示，對有源區(qū)230和淺溝槽隔離220實施離子注 入工藝以在層疊4冊260之間的淺溝槽隔離220和有源區(qū)230中形成 深注入?yún)^(qū)240a。才艮據(jù)本發(fā)明實施例，可以通過對層疊柵260之間的 淺溝槽隔離220和有源區(qū)230實施若干次離子注入工藝來形成深注 入?yún)^(qū)240a。盡管通過實施三次離子注入工藝來形成深注入?yún)^(qū)240a 是可能的，4旦本發(fā)明實施例并不局限于此，因此，可以實施兩次或 四次或更多次離子注入工藝。例如，當實施三次離子注入工藝時， 實施第一離子注入步驟(A)以形成第一離子注入?yún)^(qū)242以l更以比
淺溝槽隔離220的深度小的深度形成第一離子注入?yún)^(qū)242。隨后， 實施第二離子注入步驟(B )以在層疊斥冊260之間的淺溝槽隔離220 和有源區(qū)230處形成第二離子注入?yún)^(qū)244以1更以比第一離子注入?yún)^(qū) 242的深度大的深度形成第二離子注入?yún)^(qū)244。然后，實施第三離 子注入步驟(C)以在層疊柵260之間的淺溝槽隔離220和有源區(qū) 230處形成第三離子注入?yún)^(qū)246以便以比淺溝槽隔離220的深度大 的深度形成第三離子注入?yún)^(qū)246。 4艮據(jù)本發(fā)明實施例，第三離子注 入?yún)^(qū)246可以以直線連4妄至淺溝槽隔離220和有源區(qū)230的下部區(qū) 域。
實例圖8是沿實例圖5的線n-n，截取的截面圖。 一些層疊柵 260和漏區(qū)250被光刻膠圖樣310覆蓋，從而通過蝕刻工藝暴露共 源極區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明實施例，層疊柵260的高度和厚度可以在2800 埃(A) 到3800埃之間的范圍內(nèi)，優(yōu)選為3400埃。淺溝槽隔離 220的深度可以在2000埃到3000埃之間的范圍內(nèi)，優(yōu)選為2600埃。 因此，層疊柵260的高度和厚度可以比淺溝槽隔離220的深度大。 例如，基于層疊柵260的厚度比淺溝槽隔離220的深度大大約800 i矣的情況來4吏用自對準方法，并因此，以更有歲文的方式實施工藝。
此外，相比于才艮據(jù)其他方法的在執(zhí)行RIE之后實施離子注入， 本發(fā)明不實施RIE。因此，防止由RIE造成的應力和深度剖面(depth profile)的不同而引起的工藝余量(process margin)的降l氐是可能 的。意味著，甚至在沒有被光刻膠圖樣310阻擋的部分處，層疊柵 260的多晶石圭區(qū)(poly region )的厚度也比淺溝槽隔離220的深度大。 因此，通過層疊柵260的多晶硅區(qū)實施阻擋，并從而，沒有獲得進 入到溝道(channel)中的入口 。同才羊，才艮凈居本發(fā)明實施例，省略了 淺溝槽隔離(STI)的蝕刻步驟，因此，相比于其他的方法，梯級 差可能降低到大約2000埃到4000埃。例如，梯級差可能降低到大 約2800埃。結(jié)果，提高了后續(xù)工藝的余量，并消除了產(chǎn)生光刻膠
殘留物的可能性。例如，^^艮據(jù)其他的方法，具有2100埃厚度的控 制柵極+具有250埃厚度的ONO+具有1000埃厚度的浮4冊+具有 2800埃厚度的STI=6150埃的組合厚度。另 一方面，根據(jù)本發(fā)明實 施例，具有2100埃厚度的控制柵極+具有250埃厚度的ONO+具有 1000埃厚度的浮柵=3350埃的組合厚度。從而，高度降低了大約 54%。
才艮據(jù)本發(fā)明實施例，如實例圖7，如下通過三個離子注入工藝 來形成深注入?yún)^(qū)240a。例如，當石粦(P)離子用于離子注入時，第 一離子注入步驟(A)包括以大約120KeV到150KeV,優(yōu)選為135 KeV的能量以及以1013 /cn^到1014 /cm2的劑量注入磷離子以在具 有大約1350埃到1650埃，優(yōu)選為1500埃的深度的注射范圍
(projection range X Rp或離子注入頂點)形成第 一 離子注入?yún)^(qū)242。 然后，第二離子注入步艱朵(B)包4舌以大約140KeV至iJ 180KeV， 優(yōu)選為160 KeV的能量以及以1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注入石粦 離子以在具有大約2000埃到2400埃，優(yōu)選為2200埃的深度的注 射范圍 (Rp或離子注入頂點)形成第二離子注入?yún)^(qū)244。隨后， 第三離子注入步驟(C)包括以大約140 KeV到220 KeV，優(yōu)選為 200KeV的能量以及以1013/(^2到10"/cm2的劑量注入磷(P)以 在具有大約2500埃到2900埃，優(yōu)選為2700埃的深度的注射范圍
(Rp或離子注入頂點)形成第三離子注入?yún)^(qū)246。
可選地，當砷(As)離子用于離子注入時，第一離子注入步驟 (A)包括以大約220KeV到280KeV，優(yōu)選為250 KeV的能量以 及以1013&1112到10"/cn2的劑量注入砷離子以在具有大約1350埃 到1650埃，優(yōu)選為1500埃的深度的注射范圍 (Rp或離子注入頂 點)形成第一離子注入?yún)^(qū)242。然后，第二離子注入步艱朵(B)包 括以大約330KeV到410KeV,優(yōu)選為370 KeV的能量以及以10 13 /cm2 到 10 14 /cm2的劑量:;主入石申離子以在具有大約2000 埃到 2400
埃，優(yōu)選為2200埃的深度的注射范圍(Rp或離子注入頂點)形 成第二離子注入?yún)^(qū)244。隨后，第三離子注入步駛《(C)包4舌以大 約410 KeV到510 KeV,優(yōu)選為460 KeV的能量以及以1013 /cm2 到10"/cm2的劑量注入砷離子以在具有大約2400埃到3000埃，優(yōu) 選為2700埃的深度的注射范圍(Rp或離子注入頂點)形成第三 離子5主入?yún)^(qū)246。
如實例圖9所示，在層疊斥冊260之間的有源區(qū)230的表面形成 淺注入?yún)^(qū)2楊。
在先前的共源才及工藝中，通過深離子注入工藝來連4妻在所期望 的區(qū)域處的淺溝槽隔離220的下部。然而，當淺溝槽隔離220的底 部和有源區(qū)230的表面不互相連接時，這樣的連接是無意義的。然 而，才艮據(jù)本發(fā)明實施例，當實施選自包括單元源極/漏才及(cell source/drain ) ( CSD )工藝、高壓輕度摻雜漏才及(high-voltage lightly doped drain) ( HV LDD)工藝和低壓輕度摻雜漏才及(low-voltage lightly doped drain ) ( LV LDD)工藝的組中的至少 一種作為連接淺溝 槽隔離220的底部和有源區(qū)230的表面的方法時，實施上述工藝而 同時暴露了層疊4冊260之間的有源區(qū)230和淺溝槽隔離220。 乂人而， 連4妻淺溝沖曹隔離220的底部和源才及線(source line )的表面而不實施 任何附加工藝是可能的。
例如，當采用單位源極/漏極(CSD)工藝時，砷(As)離子被 用于離子注入工藝，其中以大約13KeV到17KeV,優(yōu)選為15 KeV 的能量以及以2 x 1014 /cm2的劑量實施該離子注入工藝以在具有大 約130埃到170埃，優(yōu)選為大約150埃的深度的注射范圍 (Rp) 形成淺5主入?yún)^(qū)240b。
可選地，當采用高壓輕度摻雜漏極(HVLDD)工藝時，磷(P) 離子一皮用于離子注入工藝，其中以50KeV到70KeV, 4尤選為大約
60 KeV的能量以及以2 x 1013 /cm2的劑量來實施該離子注入工藝以 在具有大約720埃到880埃，優(yōu)選為800埃的深度的注射范圍(Rp ) 形成淺注入?yún)^(qū)240b。
可選地，當采用低壓輕度摻雜漏極(LVLDD)工藝時，砷(As) 離子4皮用于離子注入工藝，其中以36KeV到44KeV, 4尤選為大約 40 KeV的能量以及以2 x 1014 /cm2的劑量來實施該離子注入工藝以 在具有大約270埃到330埃，優(yōu)選為300埃的深度的注射范圍(Rp ) 形成淺注入?yún)^(qū)2楊。
例如，假定使用高壓晶體管(HV TR )的閃速工藝(flash process ) 的最大結(jié)深度(junction depth)的最小值為大約1000埃，則可以從 大約1500埃處實施用于形成共源極的工藝。這意味著使用的是現(xiàn) 有的工藝，而不需要4壬4可附加的工藝。
從上面的4笛述可以明了 ，本發(fā)明實施例在至少以下方面是有利 的。省去在其4也方法中^f吏用的兩個必要的RIE工藝(RCS氧化物 RIE和蝕刻損害CDE)是可能的，從而簡化了工藝并且防止或重 新調(diào)整(retraining)使用其他的方法可能造成的缺陷的出現(xiàn)。同樣， 不需要附加的離子注入工藝，省略了RIE步駛《。例如，在離子注入 方法中，本發(fā)明實施例使用依賴于淺溝槽隔離(STI)深度的深離 子注入來替代0度離子注入+傾斜離子注入。此外，省去了 STI蝕 刻步驟，因此，相比于其他的方法，梯級差降低到大約2000埃到 4000埃。例如，梯級差可以降低到大約2800埃。結(jié)果，提高了后 續(xù)工藝的余量并且消除了產(chǎn)生光刻膠殘留物(PR殘留物)的可能 性。甚至還，在本發(fā)明實施例中不實施氧化物蝕刻，結(jié)果^f吏對控制 柵極和浮柵的損害最小化。當在深離子注入工藝的過程中可能發(fā)生 損害時，這種損害當相比于由氧化物蝕刻造成的損害時是最小的。 而且，由于不實施氧化物蝕刻，在實施RIE時，應力不施加至STI 的邊》彖，因此，不會出iE見失敗。例如，由于當去除在凹陷的共源杉L
(RCS )區(qū)域的場(field )時損害了 STI的有源區(qū)，發(fā)生字線(W/L ) 應力失效。不實施蝕刻，并因此，由蝕刻損害引起的應力不會產(chǎn)生 在有源邊纟彖區(qū)(active edge region )。 jt匕夕卜，在實施例中，通過斗弟級 差的改善來去除PR殘留物是可能的，從而防止了缺陷的產(chǎn)生。另 夕卜，在實施后續(xù)工藝時提高PR的一致性是可能的，從而提高了 CD 均勻'1"生(CD uniformity )并卩方止了涂層缺陷(coating defectiveness ) 的產(chǎn)生。同樣，在其他的方法中，以三維結(jié)構(gòu)也就是彎曲的構(gòu)造 RCS,然而，在本發(fā)明實施例中，共源極以直線連接至STI的下部 區(qū)域，并去除了有源蝕刻工藝，該有源蝕刻工藝由于損害的原因增 大了薄層電阻(Rs)。因此，相比于其他的RCS方法，減小電阻的 變化是可能的。
盡管本文中描述了多個實施例，但是應該理解，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以想到多種其他修改和實施例，他們都將落入本公開的原則 的精神和范圍內(nèi)。更特別地，在本公開、附圖、以及所附權(quán)利要求 的范圍內(nèi)，可以在主題結(jié)合4非列的4非列方式和/或組成部分方面進4亍 各種修改和改變。除了組成部分和/或排列方面的《奮改和改變以外， 可選的4吏用對本領(lǐng)i或4支術(shù)人員來i兌也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種閃存，包括:淺溝槽隔離和有源區(qū)，形成在襯底中；多個層疊柵，形成在所述有源區(qū)上；深注入?yún)^(qū)，形成在所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的下側(cè)；以及淺注入?yún)^(qū)，形成在所述層疊柵之間的所述有源區(qū)的表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存，其中，每個層疊柵都具有比所述 淺溝槽隔離的深度大的高度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存，其中，所述深注入?yún)^(qū)包括第 一 離子注入?yún)^(qū)，以比所述淺溝槽隔離的深度小的深度 形成在所述層疊斥冊之間的所述有源區(qū)處；第二離子注入?yún)^(qū)，以比所述第一離子注入?yún)^(qū)的深度大的深 度形成在所述層疊柵之間的有源區(qū)處；以及第三離子注入?yún)^(qū)，以比所述淺溝槽隔離的深度大的深度形 成在所述層疊斥冊之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的下部 區(qū)域處。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的閃存，其中，所述第二離子注入?yún)^(qū)形成 在所述第一離子注入?yún)^(qū)和所述第三離子注入?yún)^(qū)之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的閃存，其中，所述第三離子注入?yún)^(qū)以直 線連接至所述層疊柵之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的 最下部分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存，其中，所述淺注入?yún)^(qū)電連接至所 述深注入?yún)^(qū)的上側(cè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存，其中，所述深注入?yún)^(qū)和所述淺注 入?yún)^(qū)形成共源才及。
8. —種制造閃存的方法，包括在襯底中形成限定有源區(qū)的淺溝槽隔離； 在所述有源區(qū)上形成多個層疊才冊；在所述層疊沖冊之間的所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的下 部區(qū)i或形成深注入?yún)^(qū)；以及然后在所述層疊斥冊之間的所述有源區(qū)的表面形成淺注入?yún)^(qū)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述層疊柵包括以比 所述淺溝槽隔離的深度大的高度形成所述層疊柵。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述深注入?yún)^(qū)包括以比所述淺溝槽隔離的深度小的深度在所述層疊柵之間 的所述有源區(qū)形成第一離子注入?yún)^(qū)；以比所述第 一 離子注入?yún)^(qū)的深度大的深度在所述層疊棚-之間的所述有源區(qū)形成第二離子注入?yún)^(qū)；以及然后以比所述淺溝槽隔離的深度大的深度在所述層疊柵之間 的所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的下部區(qū)域形成第三離子注 入?yún)^(qū)。
11. 4艮據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述深注入?yún)^(qū)包括 在所述第 一 離子注入?yún)^(qū)和所述第三離子注入?yún)^(qū)之間形成所述 第二離子注入?yún)^(qū)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第三離子注入?yún)^(qū)被 形成以直線連4妄至所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的下部區(qū)域。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成淺注入?yún)^(qū)包括在形成 所述深注入?yún)^(qū)之后實施選自由單元源極/漏極(CSD)工藝、 高壓輕度摻雜漏極(HV LDD )工藝和低壓輕度摻雜漏極(LV LDD )工藝組成的組中的至少 一種以暴露所述層疊斥冊之間的 所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)。
14. 一種方法，包4舌以第 一深度在襯底中形成限定有源區(qū)的溝槽隔離；順序?qū)嵤┯糜谝缘诙疃仍谒鲇性磪^(qū)中形成第 一 離子 注入?yún)^(qū)的第一離子注入工藝，用于以第三深度在所述有源區(qū)中 形成第二離子注入?yún)^(qū)的第二離子注入工藝，以及用于以第四深 度在所述有源區(qū)和所述溝槽隔離中形成第三離子注入?yún)^(qū)的第 三離子注入工藝；以及然后以第五深度在有源區(qū)形成淺注入?yún)^(qū)。
15. ^^艮據(jù);t又利要求14所述的方法，其中，所述溝槽隔離包括淺溝 槽隔離。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在形成所述溝槽隔離之 后和形成所述深注入?yún)^(qū)之前，進一步包4舌在所述有源區(qū)上形成多個層疊才冊。
17. 才艮據(jù)4又利要求14所述的方法，其中所述第二深度小于所述第 一深度；所述第三深度小于所述第一深度但大于所述第二深度； 所述第四深度大于所述第一深度；以及 所述第五深度小于所述第二深度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，順序地實施所述第一離 子注入工藝、所述第二離子注入工藝和所述第三離子注入工藝 包括以大約135 Kev的能量和1013 /cm2到10" /cm2的劑量注 入磷離子以形成所述第一離子注入?yún)^(qū)；以大約160 Kev的能量和1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注 入石粦離子以形成所述第二離子注入?yún)^(qū)；以及然后以大約200 Kev的能量和1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注 入石粦離子以形成所述第三離子注入?yún)^(qū)。
19. 才艮才居一又利要求14所述的方法，其中，順序地實施所述第一離 子注入工藝、所述第二離子注入工藝和所述第三離子注入工藝 包括以大約250 Kev的能量和1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注 入砷離子以形成所述第一離子注入?yún)^(qū)；以大約370 Kev的能量和1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注 入砷離子以形成所述第二離子注入?yún)^(qū)；以及然后以大約460 Kev的能量和1013 /cm2到1014 /cm2的劑量注 入砷離子以形成所述第三離子注入?yún)^(qū)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第三離子注入?yún)^(qū)被 形成以直線連接至所述淺溝槽隔離和所述有源區(qū)的最下區(qū)域。
全文摘要
一種閃存及其制造方法，該閃存包括形成在襯底中的淺溝槽隔離和有源區(qū)，形成在有源區(qū)上和/或上方的多個層疊柵，在層疊柵之間的淺溝槽隔離和有源區(qū)的下部形成的深注入?yún)^(qū)，以及在層疊柵之間的有源區(qū)的表面形成的淺注入?yún)^(qū)。
文檔編號H01L21/8247GK101383354SQ200810215629
公開日2009年3月11日 申請日期2008年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日
發(fā)明者樸圣根 申請人:東部高科股份有限公司