專利名稱：具有熱端子的串并聯(lián)開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及開關(guān)，并且更具體而言涉及一種用于具有熱導(dǎo)體的串聯(lián)PIN 二極管的串并聯(lián)(series-shunt )表面安裝射頻(RF )和微波單極單擲(single pole single throw, SPST )開關(guān)的連接電路。
背景技術(shù)：
SPST固態(tài)開關(guān)通常用于切換或控制RF電源。對(duì)于高均值功率(典型地 10瓦(W)到200 W連續(xù)波)和寬波段RF應(yīng)用(典型地l-l,OOOMHz),陶 瓷金屬電才及無引線端面(ceramic metal electrode leadless face, MELF )封裝 中的P型、本征、N型(PIN ) 二極管經(jīng)常用于SPST開關(guān)。這些MELF封 裝主要由于低熱阻特性而用于管芯拓樸(即，器件設(shè)計(jì))和陶瓷封裝。然而， 這些MELF封裝不易設(shè)計(jì)成包括熱傳輸管，這些熱傳輸管不妨礙PIN 二極管 的陽極(輸入)和陰極(輸出)電端子，特別是就RF性能而言。而且，例 如相對(duì)于陶瓷MELF封裝本體，連接至電路板的PIN 二極管輸入和輸出電端 子通常具有最低的熱阻路徑。因此，用于SPST開關(guān)的高均值功率PIN 二極 管嚴(yán)重依賴于作為主要熱傳輸管的電路板。這個(gè)方法對(duì)于電路設(shè)計(jì)者不僅沒 有優(yōu)勢(shì)，還會(huì)影響電路性能。這些封裝中的用于散熱的其它方法是已知的。例如，已知在PIN二極管 上方使用RF蓋結(jié)合在PIN二極管下方的絕緣墊圈用于散熱。然而，這樣的 布置增加了電路的電容性負(fù)荷效應(yīng)，這是不期望的。還已知的是，在PIN二 極管的陽極和陰極之間的間隙軌跡中使用熱傳導(dǎo)材料。然而，這又增加電路 的電容性負(fù)荷效應(yīng)。因此，這些已知的用于散熱的方法會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)操作產(chǎn)生不利的影響并 且會(huì)影響系統(tǒng)設(shè)計(jì)。例如，這些已知的散熱方法會(huì)增加不期望的電容性負(fù)荷 并導(dǎo)致設(shè)計(jì)限制。發(fā)明內(nèi)容通過提供一種包括輸入電端子、輸出電端子和熱端子的PIN二極管來提 供一種解決方法。熱端子構(gòu)造成提供二極管熱接地相對(duì)于電路熱接地節(jié)點(diǎn)的連續(xù)性。還通過提供串并聯(lián)SPST開關(guān)連接布置提供了一種解決方法。連接布置 包括至少一個(gè)PIN 二極管，PIN 二極管嵌在硅半導(dǎo)體和玻璃的組合材料中， 并且其中也提供了輸入電端子、輸出電端子和熱端子。熱端子構(gòu)造成提供在 串聯(lián)PIN 二極管熱節(jié)點(diǎn)和電路熱接地節(jié)點(diǎn)之間的連續(xù)熱接地路徑。


現(xiàn)在通過示例并參考附圖來描述本發(fā)明，附圖中 圖1為根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例構(gòu)造的串并聯(lián)SPST開關(guān)的電路圖。 圖2為根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例構(gòu)造的串并聯(lián)SPST開關(guān)的俯視拓樸圖。 圖3為根據(jù)本發(fā)明的不同實(shí)施例形成的具有熱端子的SPST開關(guān)的PIN 二極管的一部分的斷面圖。開關(guān)的予貞期對(duì)員誄毛/電壓馬主波比率(expected loss/voltage standing wave ratio， VSWR)的曲線圖。圖5為根據(jù)本發(fā)曰, 關(guān)的預(yù)期RF絕緣性能的曲線圖具體實(shí)施方式
為了簡(jiǎn)潔并且易于解釋，這里將結(jié)合本發(fā)明的不同實(shí)施例來描述本發(fā) 明。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員了解，不同的實(shí)施例的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)可以通過不 同的配置來完成。因此可以理解，這里描述的實(shí)施例是解釋性的，而非限制 性的。如這里使用的，提到的單數(shù)的以及前綴有單詞"一"或"一個(gè)，，的元件或步 驟應(yīng)該理解為不排除多個(gè)所述的元件或步驟，除非這樣的排除特別地指出。 另外，提到本發(fā)明的"一個(gè)實(shí)施例"不期望解釋為排除了也結(jié)合了所提到特征 的另外實(shí)施例的存在。而且，除非特別地指明相反的情況，"包含"或"具有" 具有特殊性能的一元件或多個(gè)元件的實(shí)施例可以包含不具有該性能的額外 的這種元件。另外，這里所描述的不同元件的布置和結(jié)構(gòu)可以變形或改變，例如，用其它元件替代特定元件或改變?cè)捻樞蚧蛳鄬?duì)位置。本發(fā)明的各種實(shí)施例提供了一種開關(guān)，例如單極單擲(SPST)開關(guān)，其具有p型、本征、N型("PIN") 二極管以及分離的熱端子。參考圖1，根據(jù) 本發(fā)明各種實(shí)施例構(gòu)造的串并聯(lián)SPST開關(guān)100總體上包括串聯(lián)PIN 二極管 102 (這里也稱為PIN 二極管102 ), PIN 二極管102連接在RF輸入端子104 和RF輸出端子106之間。RF線也可被提供以將RF輸入端子104或RF輸 出端子106中的至少一個(gè)連接到RF電路。并聯(lián)PIN二極管108電連接在串 聯(lián)PIN 二極管102的陰極和射頻/直流(RF/DC )接地端子110之間。因此， 輸入電端子(RF輸入端子104)、輸出電端子(RF輸出端子106)和RF/DC 回路端子(RF/DC接地端子110)由此被提供。與PIN二極管102結(jié)合的熱 端子112也被提供。特別是，熱端子112在PIN二極管102和熱接地節(jié)點(diǎn)之 間提供直接熱接地^各徑，例如，該熱接地節(jié)點(diǎn)為諸如熱沉或者如這里更詳細(xì) 描述的其它散熱元件。因此，熱端子112構(gòu)造成提供在PIN二極管102的熱 接地與例如印刷電路板或RF電路的電路的熱接地節(jié)點(diǎn)之間的連續(xù)熱接地。在操作中，當(dāng)針對(duì)低損耗開關(guān)狀態(tài)，RF信號(hào)被施加時(shí)，PIN二極管102 和并聯(lián)二極管108被驅(qū)動(dòng)到導(dǎo)通的相反狀態(tài)，也就是，PIN二極管102正向 偏置"導(dǎo)通(ON)",并且并聯(lián)二極管108反向偏置"截止(OFF )"。相應(yīng)地， 在RF輸入端子104上接收到的RF信號(hào)以低的介入損耗(insertion loss )直 接傳輸?shù)絉F輸出端子106。在共軛的RF隔離狀態(tài)中，PIN二極管102反向 偏置"截止，，且并聯(lián)二極管108正向偏置"導(dǎo)通"，以在RF輸入104和RF輸出 106之間產(chǎn)生高損耗態(tài)。因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)是表面安裝單片微波集成電路 (MMIC)，全部的輸入/輸出(1/0)端口，即RF輸入端子104、 RF輸出端 子106、接地端子110和熱端子112,使用例如共晶焊料或?qū)щ娿y環(huán)氧樹脂 而直接連接到(不使用相關(guān)的引線結(jié)合或條)例如RF微帶傳輸線(未示出)。圖2說明示為在模具120上形成的串并聯(lián)SPST開關(guān)100的拓樸圖。開 關(guān)100的物理連接被示出，其中PIN二極管102的歐姆接觸直接設(shè)置在半導(dǎo) 體基底上，并且熱端子112直接布置在熱通路(thermal via) 114(示于圖3) 上從而在PIN二極管102和熱接地節(jié)點(diǎn)(未示出)之間提供連續(xù)的熱路徑。如圖2所示，RF輸入端子104通過金屬軌跡122連接到熱端子112。 RF輸入端子104包括將RF輸入端子104的頂面連4妾到RF輸入端子104的 底面的硅通路124，其包括用于連接到例如電路板的結(jié)合墊126 (例如，金層)。因此，歐姆連接設(shè)置在模具120的下面或后面。來自RF輸入端子104 的金屬軌跡122通過多個(gè)空氣橋接130 (例如，由金形成)而連接到熱端子 112。多個(gè)空氣橋接130界定了降低寄生電容的多個(gè)電連接。更具體而言，且如圖3所示，熱端子112包括本征硅層140，本征硅層 140中注入形成有P+硅節(jié)點(diǎn)142，該P(yáng)+珪節(jié)點(diǎn)142定義PIN 二極管102的 正陽極并且連接到多個(gè)空氣橋接130 (僅示出一個(gè))。本征硅層140形成在 N+硅層144的頂部上，N+硅層144定義PIN 二極管的負(fù)陰極。本征硅層140 和N+硅層144形成為反向截頭圓錐體形狀，且在每一側(cè)以及一部分的頂面 被歐姆連接元件146圍繞，該歐姆連接元件146在一個(gè)實(shí)施例中由硅化鈷形 成。本征硅層140和N+硅層144連同歐姆連接元件146 —起定義PIN 二極 管102 (示于圖1 )。歐姆連接元件146提供了貫穿其中的電流路徑并且也將 PIN 二極管102和玻璃區(qū)域148分離。二氧化硅(Si02)或硅土 ( silica)層 150形成在不被歐姆連接元件146覆蓋的本征硅層140上以保護(hù)有源半導(dǎo)體 區(qū)域。熱傳導(dǎo)區(qū)域152，例如，諸如氮化硼的熱環(huán)氧樹脂，設(shè)置在N+硅層144 下，并且定義介質(zhì)區(qū)域或熱通^各114。熱傳導(dǎo)區(qū)域152可由熱傳導(dǎo)且電絕緣 的任何合適材料(例如，熱傳導(dǎo)介質(zhì)材料)形成。在一個(gè)實(shí)施例中，定義熱 通路114的熱傳導(dǎo)區(qū)域152形成在N +硅已被蝕刻掉的區(qū)域內(nèi)。熱節(jié)點(diǎn)連接 154(例如，金層)沿底面154設(shè)置，并且也提供歐姆接觸到，例如，諸如 在印刷電路板上形成的電路(未示出)。氮化硅層(Si3N4) 155也可以設(shè)置 在該結(jié)構(gòu)的頂部上，例如，在具有歐姆連接元件146的本征珪層140的一部 分的頂部上。應(yīng)注意，保護(hù)層(未示出)可以設(shè)置在圖3所示的結(jié)構(gòu)的頂面上。例如， 苯丙環(huán)丁烯(BCB )基聚合物層(未示出)可被設(shè)置例如作為標(biāo)準(zhǔn)層(nominal layer)(例如，12微米)以密封地封裝該結(jié)構(gòu)。還應(yīng)注意，并非圖3的結(jié)構(gòu) 中示出的全部的層或金屬化(metallization)都必須示于圖2的結(jié)構(gòu)中。圖3 所示的結(jié)構(gòu)可以具有從頂面到底面大約125微米的總厚度。因此，PIN二極管102與熱通^各114結(jié)合地設(shè)置以形成熱端子112。熱 通路114由熱傳導(dǎo)和電絕緣材料形成，且與熱端子112 —起使用傳統(tǒng)混合微 波集成電路(HMIC)工藝生產(chǎn)方法形成。各種實(shí)施例的其它部分也可以使 用HMIC工藝形成。用于熱通路114的材料例如氮化硼按照下述方式選擇，/8頁即，熱端子112可以構(gòu)造為提供相對(duì)于RF/DC接地端子110的充分的RF隔 離，以維持合適的低介入損耗。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道的是，通過 熱端子112的構(gòu)造，熱傳導(dǎo)且電絕緣的其它材料也可以用于獲得RF隔離和 低介入損耗。再參考圖2，熱端子112通過金屬軌跡160也連接到RF/DC接地端子 110,以及通過金屬軌跡162連接到RF輸出端子106。 RF/DC接地端子110 包括將RF/DC接地端子110的頂面連接到RF/DC接地端子110的底面的硅 通路164。多個(gè)空氣橋接166將熱端子112連接到金屬軌跡160,以及多個(gè) 空氣橋接168將金屬軌跡160連接到RP/DC接地端子110。多個(gè)空氣橋接 166和168定義降低寄生電容的多個(gè)電連接。與RF輸入端子104類似的RF輸出端子106包4舌將RF輸出端子106的 頂面連接到RF輸出端子106的底面的硅通路170，硅通路170包括用于連 接到例如電路板的結(jié)合墊172 (例如，金層)。因此，歐姆連接再次設(shè)置在模 具120的下面或后面。應(yīng)注意，金屬環(huán)157也i殳置在RFllT入端子104和RF 輸出端子106上。一個(gè)或多個(gè)探針點(diǎn)(probe point) 174可被設(shè)置以用于測(cè)試，例如DC測(cè) 試。探針點(diǎn)174可以是金屬連接測(cè)試點(diǎn)，從在模具120的頂側(cè)涂層中蝕刻形 成的開口可以達(dá)到該金屬連接測(cè)試點(diǎn)。在4喿作中，電流開始于RF輸入104的歐姆連接，即RF輸入104的結(jié) 合墊126，并且通過硅通路124繼續(xù)向上。然后，電流隨后通過沿著模具120 的頂面的金屬軌跡122從RF輸入104繼續(xù)流到熱端子112。然后，電流繼 續(xù)流過多個(gè)空氣橋接130,在熱端子112處流入PIN二極管102的陽極142 (圖3中所示)，并且向下流過由本征硅層140和N+硅層144 (定義PIN 二 極管102的陰極)定義的硅通路128，并且在熱傳導(dǎo)區(qū)域152 (圖3所示) 終止。特別地，電流繼續(xù)沿硅通路128向下流動(dòng)大約2到3毫米，然后在也 是電絕緣的熱傳導(dǎo)區(qū)域152終止。然后，電流被阻止，但是熱流動(dòng)/傳導(dǎo)通過 熱傳導(dǎo)區(qū)域152或熱通路114繼續(xù)向下。電流然后通過歐姆連接元件146 (圖3中所示)向上往回，且在熱端子 112流出PIN 二極管102。電流繼續(xù)流過多個(gè)空氣橋接166，并且然后通過 多個(gè)空氣橋接168流過金屬軌跡160至RF/DC接地端子110。在RF/DC接 地端子110,電流在RF/DC接地端子110繼續(xù)流入陽極180沿硅通路164向的底面的電路板)，并且然后在RF/DC接地端 子110向上流過陰極182。陽極180和陰極182定義并聯(lián)PIN 二極管108。 電流通過多個(gè)空氣橋接168繼續(xù)回流入金屬軌跡160，并且然后再沿才莫具120 的頂部通過金屬軌跡162 (連接至金屬軌跡160 )流到RF輸出端子106。電 流然后繼續(xù)沿RF輸出端子106的硅通路170繼續(xù)向下，并且終止在模具120 的底面上的輸出端子106的歐姆接觸，即結(jié)合墊172,該模具120的底面例 如連接到例如電路板。應(yīng)注意，為了為PIN二極管102提供直接可焊接至半導(dǎo)體基底的歐姆接 觸(例如輸入、輸出和熱端子)，各種實(shí)施例中的PIN二極管102是"無封裝 的(packageless )"，其含義是PIN 二極管102構(gòu)造為沒有外部封裝。在無 封裝設(shè)計(jì)中，相對(duì)于典型的PIN二極管封裝，例如陶瓷金屬電極無引線端面 (MELF)或塑料封裝而言，"寄生效應(yīng)，，(例如，非故意串?dāng)_、電阻、接地 反彈等)降低。而且，如上所述，"可表面安裝的"歐姆接觸構(gòu)造在鄰接半導(dǎo)體基底的可安裝表面上，從而減少對(duì)于可增加寄生效應(yīng)且降低電路性能范圍 的引線結(jié)合或其它電學(xué)結(jié)合元件的需求。如此，與無封裝PIN二極管相關(guān)的 降低的'寄生效應(yīng)允許在超出lGHz有效極限的更高頻操作，lGHz有效極限 為陶資MELF封裝二極管的典型值。因此，無封裝設(shè)計(jì)對(duì)于更高頻響應(yīng)和 RF功率處理應(yīng)用是有效的。在至少一個(gè)實(shí)施例中，熱端子112的熱傳導(dǎo)介質(zhì)區(qū)域位于硅通路114(定 義熱通路114)下，并且因此構(gòu)造為布置在半導(dǎo)體材料(例如模具120)的 基底中。例如，串并耳關(guān)SPST開關(guān)IOO可位于基底的頂側(cè)平面上，同時(shí)熱沉 可位于基底的后側(cè)平面上。熱傳導(dǎo)介質(zhì)區(qū)域可以依次構(gòu)造為將可安裝到基底 頂側(cè)平面的熱端子112連接到后側(cè)平面的熱沉。在各種實(shí)施例中，PIN二極 管102分別包括每個(gè)RF輸入和輸出端子104和106，以及在可直接安裝到 半導(dǎo)體材料基底的表面上的熱端子112。這樣，熱傳導(dǎo)介質(zhì)區(qū)域可構(gòu)造為布 置在半導(dǎo)體材料內(nèi)，熱端子112相對(duì)于該基底直接布置在熱傳導(dǎo)介質(zhì)區(qū)域上。 因此，引線結(jié)合、熱脂、介質(zhì)墊圏和其它典型熱連接元件不必將熱端子112 安裝到基底或者為熱端子112提供連續(xù)的接地到熱接地節(jié)點(diǎn)。因此，這種結(jié) 構(gòu)可允許到(例如，如電路設(shè)計(jì)者安置的)熱接地的直接可焊接低歐姆接觸， 實(shí)現(xiàn)沿著PIN二極管102和熱接地節(jié)點(diǎn)之間的熱接地路徑的熱傳導(dǎo)，其中該 熱接地節(jié)點(diǎn)也是由例如電鴻4殳計(jì)者安置的。在操作中，具有如此處所述的熱端子112的PIN二極管102可以使用于以及可按比例縮放用于微波頻率。例如，各種實(shí)施例允許在大約30MHz到 大約2.5GHz的操作(例如，切換)，從而實(shí)現(xiàn)在例如但不限于高功率軍用無 線電的應(yīng)用中的操作。具有根據(jù)各種實(shí)施例構(gòu)造的熱端子的串并聯(lián)SPST開 關(guān)100的操作特性以及在利用10 kHz重復(fù)率的具有+5 V和-12 V電源的TTL PIN二極管驅(qū)動(dòng)器時(shí)，在某一實(shí)施例中在熱端子112提供預(yù)期的介入損耗， 在1 GHz,在-20mA(g-10V偏置條件下的介入損耗為0.1 dB。在2.5 GHz， 介入損耗估計(jì)為0.35 dB (-20mA@-10V的偏置條件)。在圖4所示的圖解曲 線200中，說明了從2MHz到2.5 GHz在全部頻率范圍上的預(yù)期介入損耗。具有根據(jù)各種實(shí)施例構(gòu)造的熱端子的串并聯(lián)SPST開關(guān)100的操作特性 還包括對(duì)于熱端子112相對(duì)于RF/DC接地的預(yù)期RF隔離性能。例如，在1 GHz，對(duì)于+ 1 V@ + 10 mA的偏置條件，RF隔離估計(jì)為45 dB。在2.5 GHz, 在熱端子112的RF隔離估計(jì)為27 dB，在2.5 GHz ( + 1 V@ + 10 mA的偏 置條件)。在圖5所示的圖解曲線300中，說明了從2MHz到2.5 GHz在全 部頻率范圍上的RF隔離性能。因此，本發(fā)明的各種實(shí)施例提供了在PIN二極管的可安裝表面上的熱端 子，其可以包括串并聯(lián)SPST開關(guān)以提供直接可焊接的低歐姆接觸到例如電 路板熱沉的熱接地節(jié)點(diǎn)。各種實(shí)施例的構(gòu)造和拓樸形成改善的電源耗散串聯(lián) 二極管到周圍熱接地的熱傳導(dǎo)性。熱端子也提供與RF/DC接地的改善的RF 隔離，以相對(duì)于例如熱脂和介質(zhì)墊圏的熱端子維持低的介入損耗，同時(shí)仍然 將二極管封裝緊固到電路熱接地。另外，各種實(shí)施例的相對(duì)于陶瓷MELF或 塑料封裝的相對(duì)低的寄生效應(yīng)實(shí)現(xiàn)在45W的平均功率，頻率超過l GHz的 操作。這樣，各種實(shí)施例改善了可用于不同RF功率應(yīng)用的串并聯(lián)SPST開 關(guān)的RF功率處理和高頻響應(yīng)性能需求。應(yīng)注意，還可以考慮對(duì)各種實(shí)施例進(jìn)行變形和改變。例如，端子和節(jié)點(diǎn) 的安置和尺寸可以基于特殊的應(yīng)用、使用等而調(diào)整。該調(diào)整可基于例如不同 的期望或需求的操作特性。另外，可以理解的是，上面的描述目的是解釋而非限制。例如，上述實(shí) 施例(和/或其方面)可以彼此相互結(jié)合使用。另外，不脫離本發(fā)明的范圍， 依據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)可以作出許多變形以適應(yīng)具體情形或材料。這里描述的各 種元件的直徑、材料類型、取向以及各種元件的數(shù)量和位置，其目的在于定義某一實(shí)施例的參數(shù)，并且無意于限定而僅僅是解釋性的實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng) 域技術(shù)人員來說，在回顧上面的描述時(shí)，在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的許多 其它實(shí)施例和變形是顯而易見的。
權(quán)利要求
1、一種PIN二極管(102)，包括輸入電端子(104)；輸出電端子(106)；以及熱端子(112)，該熱端子(112)構(gòu)造成提供二極管熱接地相對(duì)于電路熱接地節(jié)點(diǎn)的連續(xù)性。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的PIN二極管(102)，進(jìn)一步包括構(gòu)造成嵌入半導(dǎo) 體材料(120)的基底內(nèi)的表面，該表面包括該輸入電端子(104)、輸出電 端子(106)和熱端子(112)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1的PIN二極管(102)，進(jìn)一步包括RF/DC接地端子 (110),其中該熱端子(112)構(gòu)造成提供相對(duì)于RF/DC接地端子(110)的RF隔離。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1的PIN 二極管(102)，其中該P(yáng)IN二極管構(gòu)造成用 于與串并聯(lián)SPST開關(guān)(100) —起操作。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1的PIN二極管(102)，其中該熱接地節(jié)點(diǎn)包括熱沉。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1的PIN二極管(102)，其中該熱端子(112)包括由 氮化硼形成的熱傳導(dǎo)介質(zhì)區(qū)域(152)。
7、 一種串并聯(lián)SPST開關(guān)連接布置(100)，該連接布置包括至少一個(gè) PIN 二極管(102 )， PIN 二極管構(gòu)造成嵌入到硅半導(dǎo)體和玻璃的組合材料中， 且PIN二極管包括輸入電端子(104)、輸出電端子(106)以及熱端子(112)， 熱端子(112)構(gòu)造成提供在PIN二極管熱接地節(jié)點(diǎn)(154)和電路熱接地節(jié) 點(diǎn)之間的連續(xù)熱接地路徑。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7的連接布置(100),進(jìn)一步包括RF/DC接地端子 (110)，其中該熱端子(112)構(gòu)造成提供熱接地路徑和該RF/DC接地端子 (110)之間的RF隔離。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7的連接布置(100),其中該熱端子(112)連接到熱 通路(114)，該熱通路(114)構(gòu)造成布置在半導(dǎo)體材料的基底中。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9的連接布置(100 )，其中該P(yáng)IN 二極管(102 )構(gòu) 造成布置在相對(duì)于半導(dǎo)體材料的基底的平面的熱通路(114)上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9的連接布置(100)，其中該熱通路(114)被實(shí)心填充，并包括熱傳導(dǎo)介質(zhì)材料(152)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7的連接布置(100 )，進(jìn)一步包括RF線以將輸入端 子(104)和輸出端子(106)中的至少一個(gè)連接到RF電路。
13、 根據(jù)權(quán)利要求7的連接布置(100)，其中該熱接地節(jié)點(diǎn)包括熱沉。
14、 根據(jù)權(quán)利要求7的連接布置(100)，進(jìn)一步包括多個(gè)PIN二極管， 該多個(gè)PIN二極管包含串聯(lián)PIN二極管(102)和并聯(lián)PIN二極管(108)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有熱端子的串并聯(lián)開關(guān)。一種串并聯(lián)開關(guān)(100)，該開關(guān)(100)包括具有輸入電端子(104)、輸出電端子(106)和熱端子(112)的PIN二極管(102)。熱端子(112)構(gòu)造成提供二極管熱接地相對(duì)于電路熱接地節(jié)點(diǎn)的連續(xù)性。
文檔編號(hào)H01L29/868GK101615633SQ200810209888
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2008年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月26日
發(fā)明者安東尼·P·蒙迪, 約瑟夫·G·布科夫斯基 申請(qǐng)人:科巴姆防御電子系統(tǒng)公司