專利名稱：貫通型層疊電容器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及貫通型層疊電容器陣列。
背景技術(shù)：
作為這種貫通型層疊電容器陣列己知一種貫通型層疊電容器陣 列，其具有多層電介質(zhì)層形成的層疊體；設(shè)置于該層疊體的外表面 的輸入電極、輸出電極以及接地電極；被連接在輸入電極和輸出電極 之間的電阻體；被分離的一部分連接于輸入電極而另一部分連接于輸 出電極的第1導(dǎo)體電極；被連接于接地電極的第2導(dǎo)體，靜電電容產(chǎn) 生于第1及第2導(dǎo)體電極之間。(參考例如日本特開平2000-58382號(hào)公 報(bào))。在日本特開平2000-58382號(hào)公報(bào)所記載的層疊電容器中，通過改 變用于形成所謂的CR濾波器的電阻體的電阻膏中電介質(zhì)粉末的配比， 來調(diào)整電阻體的電阻值。
發(fā)明內(nèi)容
然而，如日本特開平2000-58382號(hào)公報(bào)所記載的層疊電容器那樣， 若具有電阻體，同時(shí)通過變更電阻漿料的電介質(zhì)粉末的配合比例來調(diào) 整該電阻體的電阻值，則高精度地管理CR濾波器中電阻成分的電阻值 是極為困難的。在日本特開平2000-58382號(hào)公報(bào)所記載的層疊電容器 中，將上述電阻成分的電阻值設(shè)定為較大是特別困難的。
本發(fā)明的目的在于提供可以精確管理電阻成分的電阻值的貫通型 層疊電容器陣列。
本發(fā)明所涉及的貫通型層疊電容器陣列具有電容器素體、配置于 電容器素體的外表面上的至少2個(gè)第1信號(hào)用端子電極、配置于電容 器素體的外表面上的至少2個(gè)第2信號(hào)用端子電極、配置于電容器素 體的外表面上的至少2個(gè)接地用端子電極、配置于電容器素體的外表 面上的至少1個(gè)第1外部連接導(dǎo)體、配置于電容器素體的外表面上的 至少1個(gè)第2外部連接導(dǎo)體。電容器素體具有層疊的多層絕緣體層、接地用內(nèi)部電極、第1信號(hào)用內(nèi)部電極、第2信號(hào)用內(nèi)部電極、第3 信號(hào)用內(nèi)部電極、第4信號(hào)用內(nèi)部電極。接地用內(nèi)部電極被配置為， 夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第1或第2信號(hào)用內(nèi)部
電極相對(duì)、且夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第3或第4 信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)，同時(shí)至少與2個(gè)接地用端子電極連接。第1信 號(hào)用內(nèi)部電極與至少2個(gè)第1信號(hào)用端子電極和至少1個(gè)第1外部連 接導(dǎo)體連接，第2信號(hào)用內(nèi)部電極與至少1個(gè)第1外部連接導(dǎo)體連接， 第3信號(hào)用內(nèi)部電極與至少2個(gè)第2信號(hào)用端子電極和至少1個(gè)第2 外部連接導(dǎo)體連接，第4信號(hào)用內(nèi)部電極與至少1個(gè)第2外部連接導(dǎo) 體連接。
在本發(fā)明所涉及的貫通型層疊電容器陣列中，信號(hào)用內(nèi)部電極具 有連接于第1信號(hào)用端子電極的第1信號(hào)用內(nèi)部電極、連接于第2信 號(hào)用端子電極的第3信號(hào)用內(nèi)部電極、通過第1外部連接導(dǎo)體而間接 地連接于第1信號(hào)用端子電極的第2信號(hào)用內(nèi)部電極、通過第2外部 連接導(dǎo)體而間接地連接于第2信號(hào)用端子電極的第4信號(hào)用內(nèi)部電極。
然而，在所有的信號(hào)用內(nèi)部電極連接于信號(hào)用端子電極的情況下， 在各電容器中，由各信號(hào)用內(nèi)部電極形成的各個(gè)電阻成分與信號(hào)用端 子電極并聯(lián)，由各信號(hào)用內(nèi)部電極形成的電阻成分的合成電阻值變小。 若為了增加貫通型層疊電容器陣列中所包含的各電容器的靜電容量而 進(jìn)一步增加絕緣體層以及內(nèi)部電極的層疊數(shù)，則上述合成電阻值將進(jìn) 一步變小。
本發(fā)明者對(duì)可以高精度地管理電阻成分的電阻值的貫通型層疊電 容器陣列進(jìn)行了潛心研究。其結(jié)果，發(fā)明者們首次發(fā)現(xiàn)，在貫通型層 疊電容器陣列所包含的各電容器中，若利用配置于電容器素體的外表 面上的外部連接導(dǎo)體連接信號(hào)用內(nèi)部電極、并能改變連接于信號(hào)用端 子電極的信號(hào)用內(nèi)部電極的數(shù)量，則可以將由信號(hào)用內(nèi)部電極形成的 電阻成分的合成電阻值設(shè)定為期望值。此外，本發(fā)朋者還首次發(fā)現(xiàn)， 在貫通型層疊電容器陣列所包含的各電容器中，若利用配置于電容器 素體的外表面上的外部連接導(dǎo)體連接信號(hào)用內(nèi)部電極、并能改變連接 于信號(hào)用端子電極的信號(hào)用內(nèi)部電極的位置，則同樣地可以將由信號(hào) 用內(nèi)部電極形成的電阻成分的合成電阻值設(shè)定為期望值。特別地，在貫通型層疊電容器陣列所包含的各電容器中，如果使連接于信號(hào)用端 子電極的信號(hào)用內(nèi)部電極的數(shù)量少于信號(hào)用內(nèi)部電極的總數(shù)，即，如 果具有通過外部連接導(dǎo)體而間接地連接于信號(hào)用端子電極的信號(hào)用內(nèi) 部電極，則可以將上述合成電阻值向其值增大的方向進(jìn)行調(diào)整。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在貫通型層疊電容器陣列所包含的各電 容器中，可以高精度地管理各電阻成分的電阻值。特別地，根據(jù)本發(fā) 明，在各電容器中，可以將靜電容量設(shè)定為較大，同時(shí)也可以將CR 濾波器的電阻成分的電阻值設(shè)定為較大。
在這種情況下，可以為至少2個(gè)第1信號(hào)用端子電極至少一個(gè) 一個(gè)地分別配置于電容器素體的相對(duì)的一對(duì)側(cè)面上，至少2個(gè)第2信 號(hào)用端子電極至少一個(gè)一個(gè)地分別配置于電容器素體的相對(duì)的一對(duì)側(cè) 面上，至少2個(gè)接地用端子電極至少一個(gè)一個(gè)地分別配置于電容器素 體的相對(duì)的一對(duì)側(cè)面上。
優(yōu)選第1以及第3信號(hào)用內(nèi)部電極在電容器素體內(nèi)被配置在絕
緣體層的層疊方向上的相同位置上，第2以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極在
電容器素體內(nèi)被配置在絕緣體層的層疊方向上的相同位置上。在這種 情況下，可以實(shí)現(xiàn)貫通型層疊電容器陣列的薄型化。
第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極的雙方或一方也可以呈曲折狀 (meander)。在這種情況下，由于可以使電流的流經(jīng)路徑變長，因此 可以進(jìn)一步使包含第1信號(hào)用內(nèi)部電極的電容器的電阻成分的電阻值 增大。
根據(jù)本發(fā)明可以提供一種能夠精確管理電阻成分的電阻值的貫通 型層疊電容器陣列。
由以下的詳細(xì)說明及附圖可以更為全面地理解本發(fā)明，但這些描述 和附圖僅以示例方式給出，不能被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。
本發(fā)明進(jìn)一步的應(yīng)用范圍從以下的詳細(xì)說明中可以顯而易見。但 應(yīng)理解的是，這些詳細(xì)的說明和具體的實(shí)施例僅僅表示本發(fā)明的優(yōu)選 方式，是僅以示例方式給出的，因?yàn)樵诒景l(fā)明的精神和范圍內(nèi)根據(jù)這 些詳細(xì)的說明而做出各種變化和修改對(duì)本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員而言是顯 而易見的。
圖1為第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列的立體圖。
圖2為第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列所包含的電 容器素體的分解立體圖。
圖3為第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列的等效電路圖。
圖4為第1實(shí)施方式的變形例所涉及的貫通型層疊電容器陣列所
包含的電容器素體的分解立體圖。
圖5為第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列的立體圖。 圖6為第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列所包含的電
容器素體的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式。在說明時(shí)，對(duì) 同一要素或具有同一功能的要素賦予同一符號(hào)，省略重復(fù)的說明。 (第1實(shí)施方式)
參照?qǐng)D1以及圖2說明第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器 陣列CA1的結(jié)構(gòu)。圖1為第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣 列的立體圖。圖2為第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列所 包含的電容器素體的分解立體圖。
如圖1所示，第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA1 具有電容器素體B1;以及配置在電容器素體B1的外表面上的第1 信號(hào)用端子電極l、 2;第2信號(hào)用端子電極3、 4;接地用端子電極5、
6;第1外部連接導(dǎo)體7;第2外部連接導(dǎo)體8。貫通型層疊電容器陣
列CA1可以作為例如噪聲濾波器而使用，其用于防止通過配線而發(fā)生
的信號(hào)等的噪聲的泄漏或入侵。
第l以及第2信號(hào)用端子電極1 4、接地用端子電極5、 6、以及 第l及第2外部連接導(dǎo)體7、 8可以通過以下方法形成，即，將包含例 如導(dǎo)電性金屬粉以及玻璃粉的導(dǎo)電性漿料，涂敷在電容體素體的外表 面，然后進(jìn)行燒接。根據(jù)需要，也可以在燒接的端子電極以及外部連 接導(dǎo)體上形成電鍍層。這些第1及第2信號(hào)用端子電極1 4、接地用
7端子電極5、 6、以及第1及第2外部連接導(dǎo)體7、 8在電容器素體B1 的表面上被形成為彼此電絕緣。
如圖1所示，電容器素體B1為長方體狀，具有彼此相對(duì)的長方 形的第1及第2主面Ble、 Blf;以連接第1及第2主面Ble、 Blf之 間的方式在第1及第2主面的短邊方向上延伸且彼此相對(duì)的第1及第2 端面Bla、 Blb;以及，以連接第1及第2主面Ble、 Blf之間的方式 在第1及第2主面Ble、 Blf的長邊方向上延伸且彼此相對(duì)的第1及第 2側(cè)面Blc、 Bld。
第1信號(hào)用端子電極1、 2被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體 Bl的相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上。g卩，第l信號(hào)用端子電極 1被配置在電容器素體B1的第l側(cè)面Blc上，而第l信號(hào)用端子電極 2被配置在與第1側(cè)面Blc相對(duì)的電容器素體Bl的第2側(cè)面Bid上。 第l信號(hào)用端子電極l、 2在第l及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上 相對(duì)。
第2信號(hào)用端子電極3、 4被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體 Bl的相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上。艮卩，第2信號(hào)用端子電極 3被配置在電容器素體Bl的第1側(cè)面Blc上，而第2信號(hào)用端子電極 4被配置在與第1側(cè)面Blc相對(duì)的電容器素體Bl的第2側(cè)面Bld上。 第2信號(hào)用端子電極3、 4在第l及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上 相對(duì)。
接地用端子電極5、 6被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體B1的 相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上。即，接地用端子電極5被配置在 電容器素體B1的第l側(cè)面Blc上，而接地用端子電極6被配置在與第 1側(cè)面Blc相對(duì)的電容器素體Bl的第2側(cè)面Bid上。接地用端子電極 5、 6在第l及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上相對(duì)。
被配置在第1側(cè)面Blc上的第1及第2信號(hào)用端子電極1、 3以及 接地用端子電極5，在電容器素體B1的第l側(cè)面Blc上，以第l信號(hào) 用端子電極l、接地用端子電極5、第2信號(hào)用端子電極3的順序被配 置在從第1端面Bla至第2端面Blb的方向上。被配置在第2側(cè)面Bid 上的第1及第2信號(hào)用端子電極2、 4以及接地用端子電極6，在電容 器素體B1的第2側(cè)面Bld上，以第1信號(hào)用端子電極2、接地用端子
8電極6、第2信號(hào)用端子電極4的順序被配置在從第1端面Bla至第2 端面Blb的方向上。
第1外部連接導(dǎo)體7被配置在電容器素體Bl的第1端面Bla上， 第2外部連接導(dǎo)體8被配置在電容器素體Bl的第2端面Bib上。
如圖2所示，電容器素體B1通過層疊多層(在本實(shí)施方式中為8 層)絕緣體層11 18而形成。各絕緣體層11 18由例如包含電介質(zhì) 陶瓷的陶瓷坯片的燒結(jié)體構(gòu)成。在此，以下將電容器素體B1的絕緣體 層11 18的層疊方向簡稱為"層疊方向"。另外，在實(shí)際的層疊電容 器陣列CA1中，絕緣體層11 18之間的邊界被一體化為不能目視分 辨的程度。
電容器素體Bl在其內(nèi)部具有第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、第2 信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42、第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32、第4信號(hào)用內(nèi) 部電極51、 52、以及接地用內(nèi)部電極61 63。
第1 第4信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 41、 42、 31、 32、 51、 52分 別包含矩形的主電極部分21a、 22a、 41a、 42a、 31a、 32a、 51a、 52a。 各主電極部分21a、 22a、 41a、 42a、 31a、 32a、 51a、 52a被配置為， 其各邊與電容器素體B1的第l及第2主面Ble、 Blf的長邊或短邊相 平行。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22還包含從主電極部分21a、 22a向 第1端面Bla延伸的引出部分21b、 22b;從主電極部分21a、 22a向第 1側(cè)面Blc延伸的引出部分21c、 22c;從主電極部分21a、 22a向第2 側(cè)面Bld延伸的引出部分21d、 22d。各引出部分21b、 22b與第l外 部連接導(dǎo)體7相連接。各引出部分21c、 22c與第1信號(hào)用端子電極1 相連接。各引出部分21d、 22d與第l信號(hào)用端子電極2相連接。艮口， 各第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22與2個(gè)第1信號(hào)用端子電極1、 2和1 個(gè)第1外部連接導(dǎo)體7相連接。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42還包含從主電極部分41a、 42a向第1 端面Bla延伸的引出部分41b、 42b。各引出部分41b、 42b與第1外部 連接導(dǎo)體7相連接。SP，各第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42與1個(gè)第1外 部連接導(dǎo)體7相連接。第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32還包含從主電極部分31a、 32a向 第2端面Blb延伸的引出部分31b、 32b;從主電極部分31a、 32a向第 1側(cè)面Blc延伸的引出部分31c、 32c;從主電極部分31a、 32a向第2 側(cè)面Bld延伸的引出部分31d、 32d。各引出部分31b、 32b與第2外 部連接導(dǎo)體8相連接。各引出部分31c、 32c與第2信號(hào)用端子電極3 相連接。各引出部分31d、 32d與第2信號(hào)用端子電極4相連接。艮P， 各第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32與2個(gè)第2信號(hào)用端子電極3、 4和1 個(gè)第2外部連接導(dǎo)體8相連接。
第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52還包含從主電極部分51a、 52a向第2 端面Blb延伸的引出部分51b、 52b。各引出部分51b、 52b與第2外 部連接導(dǎo)體8相連接。目卩，各第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52與1個(gè)第2 外部連接導(dǎo)體8相連接。
接地用內(nèi)部電極61 63分別包含矩形的主電極部分61a 63a。各 主電極部分61a 63a被配置為，其各邊與電容器素體Bl的第1及第2 主面Ble、 Blf的長邊或短邊相平行。
接地用內(nèi)部電極61 63還包含從主電極部分61a 63a向第1側(cè) 面Blc延伸的引出部分61b 63b，和從主電極部分61a 63a向第2 側(cè)面Bid延伸的引出部分61c 63c。各引出部分61b 63b與接地用端 子電極5相連接。各引出部分61c 63c與接地用端子電極6相連接。 即，接地用內(nèi)部電極61 63與2個(gè)接地用端子電極5、 6相連接。
第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 31在電容器素體B1內(nèi)被配置在 層疊方向上的相同位置上。第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極22、 32在電容 器素體Bl內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。第2及第4信號(hào)用內(nèi) 部電極41、51在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。 第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊 方向上的相同位置上。
接地用內(nèi)部電極61 63被配置為，夾著多層絕緣體層11 18中 的至少一層絕緣體層而與第1或第2信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 41、 42 相對(duì)，且夾著多層絕緣體層11 18中的至少一層絕緣體層而與第3或 第4信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32、 51、 52相對(duì)。具體而言，接地用內(nèi)部電極61的主電極部分61a夾著絕緣體層12 而與第l信號(hào)用內(nèi)部電極21的主電極部分21a以及第3信號(hào)用內(nèi)部電 極31的主電極部分31a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極61的主電極部 分61a還夾著絕緣體層13而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極41的主電極部分 41a以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極51的主電極部分51a的雙方相對(duì)。
接地用內(nèi)部電極62的主電極部分62a夾著絕緣體層14而與第2 信號(hào)用內(nèi)部電極41的主電極部分41a以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極51的 主電極部分51a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極62的主電極部分62a還 夾著絕緣體層15而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極42的主電極部分42a以及 第4信號(hào)用內(nèi)部電極52的主電極部分52a的雙方相對(duì)。
接地用內(nèi)部電極63的主電極部分63a夾著絕緣體層16而與第2 信號(hào)用內(nèi)部電極42的主電極部分42a以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極52的 主電極部分52a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極63的主電極部分63a還 夾著絕緣體層17而與第1信號(hào)用內(nèi)部電極22的主電極部分22a以及 第3信號(hào)用內(nèi)部電極32的主電極部分32a的雙方相對(duì)。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22均被配置于電容器素體B1的第1端 面Bla側(cè)。第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32均被配置于電容器素體B1的 第2端面Blb側(cè)。第l信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22與第3信號(hào)用內(nèi)部電極 31、 32在沿第1及第2端面Bla、 Blb的相對(duì)方向上設(shè)置，并且在層
疊方向上沒有重疊的部分。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42均被配置于電容器素體B1的第1端 面Bla側(cè)。第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52均被配置于電容器素體B1的 第2端面Blb側(cè)。第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42與第4信號(hào)用內(nèi)部電極 51、 52在沿第1及第2端面Bla、 Blb的相對(duì)方向上設(shè)置，并且在層
疊方向上沒有重疊的部分。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42的主電極部分41a、 42a與接地用內(nèi) 部電極61 63的主電極部分61a 63a中對(duì)應(yīng)的主電極部分彼此夾著 絕緣體層13 16而相對(duì)。由此，形成具有規(guī)定的靜電容量的電容成分。 在本實(shí)施方式中，第l信號(hào)用內(nèi)部電極21的主電極部分21a和接地用 內(nèi)部電極61的主電極部分61a也夾著絕緣體層12而相對(duì)，且第1信號(hào)用內(nèi)部電極22的主電極部分22a和接地用內(nèi)部電極63的主電極部 分63a也夾著絕緣體層17而相對(duì)，形成電容成分。
第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52的主電極部分51a、 52a與接地用內(nèi) 部電極61 63的主電極部分61a 63a中對(duì)應(yīng)的主電極部分彼此夾著 絕緣體層13 16而相對(duì)。由此，形成具有規(guī)定的靜電容量的電容成分。 在本實(shí)施方式中，第3信號(hào)用內(nèi)部電極31的主電極部分31a和接地用 內(nèi)部電極61的主電極部分61a也夾著絕緣體層12而相對(duì)，且第3信 號(hào)用內(nèi)部電極32的主電極部分32a和接地用內(nèi)部電極63的主電極部 分63a也夾著絕緣體層17而相對(duì)，形成電容成分。
如圖3所示，在如上所述構(gòu)成的貫通型層疊電容器陣列CA1中， 形成有電容成分CC1 CC6和電阻成分RC1 RC4。在這種情況下， 第1及第2信號(hào)用端子電極1 4連接于信號(hào)導(dǎo)線，同時(shí)，接地用端子 電極5、 6連接于接地連接導(dǎo)線，外部連接導(dǎo)體7、 8與信號(hào)線和接地 連接導(dǎo)線不直接相連。圖3為本實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器 陣列的等效電路圖。
電容成分CC1由絕緣體層13 16以及夾著絕緣體層13 16而相 對(duì)的第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42和接地用內(nèi)部電極61 63構(gòu)成。電 容成分CC2以及CC3由絕緣體層12、以及由夾著絕緣體層12而相對(duì) 的第1信號(hào)用內(nèi)部電極21和接地用內(nèi)部電極61構(gòu)成的電容成分、絕 緣體層17、以及由夾著絕緣體層17而相對(duì)的第1信號(hào)用內(nèi)部電極22 和接地用內(nèi)部電極63構(gòu)成的電容成分來構(gòu)成。
電阻成分RC1以及RC2由第l及第2信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 41、 42以及第1外部連接導(dǎo)體7構(gòu)成。因此，電阻成分RC1以及RC2 串聯(lián)于第1信號(hào)用端子電極1和第1信號(hào)用端子電極2之間。
電容成分CC4由絕緣體層13 16以及夾著絕緣體層13 16而相 對(duì)的第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52和接地用內(nèi)部電極61 63構(gòu)成。電 容成分CC5以及CC6由絕緣體層12、以及由夾著絕緣體層12而相對(duì) 的第3信號(hào)用內(nèi)部電極31和接地用內(nèi)部電極61構(gòu)成的電容成分、絕 緣體層17、以及由夾著絕緣體層17而相對(duì)的第3信號(hào)用內(nèi)部電極32 和接地用內(nèi)部電極63構(gòu)成的電容成分構(gòu)成。電阻成分RC3以及RC4由第3及第4信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32、 51、 52以及第2外部連接導(dǎo)體8構(gòu)成。因此，電阻成分RC3以及RC4 串聯(lián)于第2信號(hào)用端子電極3和第2信號(hào)用端子電極4之間。
這樣，本實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA1不僅具有 電容成分CC1 CC6，還具有電阻成分RC1 RC4。因此，由圖3可明 顯看出，貫通型層疊電容器陣列CA1具有CR濾波器。
然而，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42不直接連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2。在貫通型層疊電容器陣列 CA1中，只有第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22直接連接于第1信號(hào)用端子 電極l、 2，第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42通過第1外部連接導(dǎo)體7以及 第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、22而間接地連接于第1信號(hào)用端子電極1、2。 即，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，多個(gè)第1及第2信號(hào)用內(nèi)部電 極21、 22、 41、 42通過第l外部連接導(dǎo)體7而相互連接， 一個(gè)以上的 第l信號(hào)用內(nèi)部電極(在本實(shí)施方式中，2個(gè)第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22)連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，從第l信號(hào)用端子電極 1的角度而言，第1外部連接導(dǎo)體7的電阻成分相對(duì)于第1信號(hào)用端子 電極1為串聯(lián)。另外，從第1信號(hào)用端子電極2的角度而言，第1外 部連接導(dǎo)體7的電阻成分相對(duì)于第1信號(hào)用端子電極2為串聯(lián)。
由此，與具有如下結(jié)構(gòu)的，即所有的第1及第2信號(hào)用內(nèi)部電極 21、 22、 41、 42都通過引出部分而與第l信號(hào)用端子電極l、 2直接連 接的結(jié)構(gòu)的貫通型層疊電容器陣列相比，貫通型層疊電容器陣列CA1 的電阻成分RC1、 RC2的電阻值變大。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，通過變更直接連接于第 l信號(hào)用端子電極l、 2的第l信號(hào)用內(nèi)部電極的個(gè)數(shù)，可以使電阻成 分RC1、 RC2的電阻值變化。此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中， 通過變更直接連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2的第1信號(hào)用內(nèi)部電極 21、 22的位置(在電容器素體B1的層疊方向上的位置)，也可以使第 1外部連接導(dǎo)體7的電阻成分的連接狀態(tài)(并聯(lián)或串聯(lián))發(fā)生變化，從 而使電阻成分RC1、 RC2的電阻值變化。
13如上所述，在本實(shí)施方式中，通過調(diào)整通過引出部分21c、 21d、 22c、 22d而直接連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2的第1信號(hào)用內(nèi)部電 極21、 22的個(gè)數(shù)與位置的一方或雙方，可以將貫通型層疊電容器陣列 CA1的電阻成分RC1、 RC2的電阻值設(shè)定為期望值，由此可以容易且 精確地控制電阻成分RC1、 RC2的電阻值。
在本實(shí)施方式中，即使為了應(yīng)對(duì)大容量化而增加第2信號(hào)用內(nèi)部 電極41、 42以及接地用內(nèi)部電極61 63的層疊數(shù)以使電容成分CC1 的靜電容量增大的情況下，也可以抑制貫通型層疊電容器陣列CA1的 電阻成分RC1、 RC2的電阻值的減小。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52與第2信號(hào)用端子電極3、 4不直接連接。在貫通型層疊電容器陣列 CA1中，只有第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32與第2信號(hào)用端子電極3、 4直接連接，第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52通過第2外部連接導(dǎo)體8以 及第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32而間接地與第2信號(hào)用端子電極3、 4 連接。即，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，多個(gè)第3及第4信號(hào)用 內(nèi)部電極31、 32、 51、 52通過第2外部連接導(dǎo)體8而相互連接，l個(gè) 以上的第3信號(hào)用內(nèi)部電極(在本實(shí)施方式中，2個(gè)第3信號(hào)用內(nèi)部電 極31、 32)與第2信號(hào)用端子電極3、 4連接。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，從第2信號(hào)用端子電極 3的角度而言，第2外部連接導(dǎo)體8的電阻成分相對(duì)于第2信號(hào)用端子 電極3為串聯(lián)。此外，從第2信號(hào)用端子電極4的角度而言，第2外 部連接導(dǎo)體8的電阻成分相對(duì)于第2信號(hào)用端子電極4為串聯(lián)。
由此，與具有如下結(jié)構(gòu)的，即所有的第3及第4信號(hào)用內(nèi)部電極 31、 32、 51、 52都通過引出部分而與第2信號(hào)用端子電極3、 4直接連 接的結(jié)構(gòu)的貫通型層疊電容器陣列相比，貫通型層疊電容器陣列CA1 的電阻成分RC3、 RC4的電阻值變大。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，通過變更直接連接于第 2信號(hào)用端子電極3、 4的第2信號(hào)用內(nèi)部電極的個(gè)數(shù)，可以使電阻成 分RC3、 RC4的電阻值變化。此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中， 通過變更直接連接于第2信號(hào)用端子電極3、 4的第3信號(hào)用內(nèi)部電極 31、 32的位置(在電容器素體B1的層疊方向上的位置)，也可以使第2外部連接導(dǎo)體8的電阻成分的連接狀態(tài)(并聯(lián)或串聯(lián))發(fā)生變化，從
而使電阻成分RC3、 RC4的電阻值變化。
如上所述，在本實(shí)施方式中，通過調(diào)整通過引出部分31c、 31d、 32c、 32d而直接連接于第2信號(hào)用端子電極3、 4的第3信號(hào)用內(nèi)部電 極31、 32的個(gè)數(shù)與位置的一方或雙方，可以將貫通型層疊電容器陣列 CA1的電阻成分RC3、 RC4的電阻值設(shè)定為期望值，由此可以容易且 精確地控制電阻成分RC3、 RC4的電阻值。
在本實(shí)施方式中，即使為了應(yīng)對(duì)大容量化而增加第4信號(hào)用內(nèi)部 電極51、 52以及接地用內(nèi)部電極61 63的層疊數(shù)以使電容成分CC4 的靜電容量增大的情況下，也可以抑制貫通型層疊電容器陣列CA1的 電阻成分RC3、 RC4的電阻值的減小。
這樣，在本實(shí)施方式的貫通型層疊電容器陣列CA1中，可以容易 且高精度地控制包含于該電容器陣列的電阻成分RC1 RC4的電阻 值。
在本實(shí)施方式中，第l信號(hào)用端子電極l、 2被一個(gè)一個(gè)地分別配 置在電容器素體B1的相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上，且在第l 及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上相對(duì)。此外，第2信號(hào)用端子電極 3、 4被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體Bl的相對(duì)的第1及第2側(cè) 面Blc、 Bld上，且在第1及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上相對(duì)。 此外，接地用端子電極5、 6被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體Bl 的相對(duì)的第1及第2側(cè)面Blc、 Bid上，且在第1及第2側(cè)面Blc、 Bid 的相對(duì)方向上相對(duì)。
為此，可以容易地實(shí)現(xiàn)例如相對(duì)于直線狀的信號(hào)線的第1信號(hào) 用端子電極l、 2的連接；相對(duì)于直線狀的信號(hào)線的第2信號(hào)用端子電 極3、 4的連接；相對(duì)于直線狀的接地連接導(dǎo)線的接地用端子電極5、 6 的連接，從而容易實(shí)現(xiàn)貫通型層疊電容器陣列CA1的安裝。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA1中，第1及第3信號(hào)用內(nèi)部 電極21、 31在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上， 第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極22、 32在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊 方向上的相同位置上，第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極41、 51在電容器素
15體B1內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上，第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電
極42、 52在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。
為此，例如在將第1信號(hào)用端子電極1及第2信號(hào)用端子電極4 連接于輸入端、將第1信號(hào)用端子電極2及第2信號(hào)用端子電極3連 接于輸出端的情況下，通過使電流在連接于第l信號(hào)用端子電極l、 2 的信號(hào)導(dǎo)線以及連接于第2信號(hào)用端子電極3、 4的信號(hào)導(dǎo)線雙方中同 時(shí)流動(dòng)，可以使通過在層疊方向上被配置在相同位置的內(nèi)部電極的電 流的方向相反。
艮口，可以使在第1信號(hào)用內(nèi)部電極21中流動(dòng)的電流的方向，與在 第3信號(hào)用內(nèi)部電極31中流動(dòng)的電流的方向相反?？梢允乖诘趌信號(hào) 用內(nèi)部電極22中流動(dòng)的電流的方向，與在第3信號(hào)用內(nèi)部電極32中 流動(dòng)的電流的方向相反。
其結(jié)果，在本實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA1中， 由在這些信號(hào)用內(nèi)部電極中流動(dòng)的電流而產(chǎn)生的磁場相互抵消，從而 能夠降低等效串聯(lián)電感。
此外，第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 31、第1及第3信號(hào)用內(nèi) 部電極22、 32、第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極41、 51、以及第2及第4 信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52，在電容器素體B1內(nèi)分別被配置于層疊方向 上的相同位置上，因此在貫通型層疊電容器陣列CA1中，可以實(shí)現(xiàn)元 件的薄型化。
以下，參照?qǐng)D4說明本實(shí)施方式的變形例所涉及的貫通型層疊電 容器陣列。本變形例所涉及的貫通型層疊電容器陣列與上述實(shí)施方式 所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA1的不同之處在于，第1及第2信 號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32的形狀。圖4為本實(shí)施方式的變形例所
涉及的貫通型層疊電容器陣列所包含的電容器素體的分解立體圖。
此外，由于第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32的主電極 部分21a、 22a、 31a、 32a呈矩形，因此可以使靜電容量增大。此外，
容易設(shè)計(jì)并制造用于實(shí)現(xiàn)所期望的電容成分的內(nèi)部電極。
如圖4所示，第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32 (主電 極部分21a、 22a、 31a、 32a)也可以呈曲折狀。在這種情況下，第1 及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32的線路長度(電流路徑)變長，電阻值變得較大，從而可以將電阻成分RC1 RC4的電阻值設(shè)定為更大。
(第2實(shí)施方式)
參照?qǐng)D5及圖6說明第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣 列CA2的結(jié)構(gòu)。第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA2 與第1實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA1的不同之處在 于，形成于電容器素體上的接地用端子電極以及第1及第2外部連接 導(dǎo)體的配置。圖5為第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列的 立體圖。圖6為第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列所包含 的電容器素體的分解立體圖。
如圖5所示，第2實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA2 具有電容器素體B1以及配置在電容器素體B1的外表面上的第l信號(hào) 用端子電極l、 2、第2信號(hào)用端子電極3、 4、接地用端子電極5、 6、 第1外部連接導(dǎo)體7、以及第2外部連接導(dǎo)體8。
第1信號(hào)用端子電極1、 2被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體 Bl的相對(duì)的第1及第2側(cè)面Blc、 Bld上。即，第l信號(hào)用端子電極 1被配置在電容器素體B1的第1側(cè)面Blc上，而第1信號(hào)用端子電極 2被配置在與第l側(cè)面Blc相對(duì)的電容器素體Bl的第2側(cè)面Bld上。 第1信號(hào)用端子電極1、 2在第1及第2側(cè)面Blc、 Bid的相對(duì)方向上 相對(duì)。
第2信號(hào)用端子電極3、 4被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體 Bl的相對(duì)的第1及第2側(cè)面Blc、 Bld上。即，第2信號(hào)用端子電極 3被配置在電容器素體B1的第l側(cè)面Blc上，而第2信號(hào)用端子電極 4被配置在與第1側(cè)面Blc相對(duì)的電容器素體Bl的第2側(cè)面Bid上。 第2信號(hào)用端子電極3、 4在第1及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上 相對(duì)。
接地用端子電極5、 6被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體Bl的 相對(duì)的第l及第2端面Bla、 Blb上。g卩，接地用端子電極5被配置在 電容器素體Bl的第1端面Bla上，而接地用端子電極6被配置在與第 1端面Bla相對(duì)的電容器素體Bl的第2端面Blb上。接地用端子電極 5、 6在第l及第2端面Bla、 Blb的相對(duì)方向上相對(duì)。第1及第2外部連接導(dǎo)體7、 8被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素
體B1的相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上。即，第l外部連接導(dǎo)體 7被配置在電容器素體Bl的第2側(cè)面Bid上，而第2外部連接導(dǎo)體8 被配置在與第2側(cè)面Bid相對(duì)的電容器素體Bl的第1側(cè)面Blc上。 第1及第2外部連接導(dǎo)體7、 8在第1及第2側(cè)面Blc、 Bid的相對(duì)方 向上相對(duì)。
在電容器素體Bl的第1側(cè)面Blc上，配置于第1側(cè)面Blc上的 第1及第2信號(hào)用端子電極1、 3以及第2外部連接導(dǎo)體8，在從第1 端面Bla至第2端面Bib的方向上，以第1信號(hào)用端子電極1、第2 外部連接導(dǎo)體8、第2信號(hào)用端子電極3的順序配置。在電容器素體 Bl的第2側(cè)面Bid上，配置于第2側(cè)面Bid上的第1及第2信號(hào)用端 子電極2、 4以及第1外部連接導(dǎo)體7，在從第1端面Bla至第2端面 Blb的方向上，以第1信號(hào)用端子電極2、第1外部連接導(dǎo)體7、第2 信號(hào)用端子電極4的順序配置。
如圖6所示，電容器素體B1通過層疊多層(在本實(shí)施方式中為8 層)絕緣體層11 18而形成。
第1 第4信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 41、 42、 31、 32、 51、 52分 別包含呈大小不同的兩個(gè)矩形相互組合的形狀的主電極部分21a、 22a、 41a、 42a、 31a、 32a、 51a、 52a。
各主電極部分21a、 22a呈如下的形狀，§卩，較大的矩形的長邊被 配置為與第1及第2端面Bla、 Blb平行，而較小的矩形以從較大的矩 形的第2端面Blb側(cè)的長邊向第2端面Blb突出的方式組合。各主電 極部分41a、 42a呈如下的形狀，即，較大的矩形的長邊被配置為與第 l及第2端面Bla、 Blb平行，而較小的矩形以從較大的矩形的第2端 面Blb側(cè)的長邊向第2端面Blb突出的方式組合。
各主電極部分31a、 32a呈如下的形狀，g卩，較大的矩形的長邊被 配置為與第1及第2端面Bla、 Blb平行，而較小的矩形以從較大的矩 形的第1端面Bla側(cè)的長邊向第1端面Bla突出的方式組合。各主電 極部分51a、 52a呈如下的形狀，g卩，較大的矩形的長邊被配置為與第 l及第2端面Bla、 Blb平行，而較小的矩形以從較大的矩形的第l端 面Bla側(cè)的長邊向第1端面Bla突出的方式組合。第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22包含從主電極部分21a、 22a向第2 側(cè)面Bid延伸的引出部分21b、 22b;從主電極部分21a、 22a向第1 側(cè)面Blc延伸的引出部分21c、 22c;從主電極部分21a、 22a向第2側(cè) 面Bld延伸的引出部分21d、 22d。各引出部分21b、 22b與第l外部 連接導(dǎo)體7相連接，各引出部分21c、 22c與第l信號(hào)用端子電極l相 連接，各引出部分21d、 22d與第l信號(hào)用端子電極2相連接。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42包含從主電極部分41a、 42a向第2 側(cè)面Bld延伸的引出部分41b、 42b。各引出部分41b、 42b與第l外 部連接導(dǎo)體7相連接。
第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32包含從主電極部分31a、 32a向第1 側(cè)面Blc延伸的引出部分31b、 32b;從主電極部分31a、 32a向第1 側(cè)面Blc延伸的引出部分31c、 32c;從主電極部分31a、 32a向第2側(cè) 面Bld延伸的引出部分31d、 32d。各引出部分31b、 32b與第2外部 連接導(dǎo)體8相連接，各引出部分31c、 32c與第2信號(hào)用端子電極3相 連接，各引出部分31d、 32d與第2信號(hào)用端子電極4相連接。
第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52包含從主電極部分51a、 52a向第1 側(cè)面Blc延伸的引出部分51b、 52b。各引出部分51b、 52b與第2外部 連接導(dǎo)體8相連接。
接地用內(nèi)部電極61 63包含從主電極部分61a 63a向第1端面 Bla延伸的引出部分61b 63b、以及從主電極部分61a 63a向第2端 面Blb延伸的引出部分61c 63c。各引出部分61b 63b與接地用端子 電極5相連接。各引出部分61c 63c與接地用端子電極6相連接。
第1及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 31在電容器素體B1內(nèi)被配置在 層疊方向上的相同位置上。第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極22、 32在電容 器素體Bl內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。第2及第4信號(hào)用內(nèi) 部電極41、 51在電容器素體Bl內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。 第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52在電容器素體B1內(nèi)被配置在層疊
方向上的相同位置上。
接地用內(nèi)部電極61的主電極部分61a夾著絕緣體層12而與第1 信號(hào)用內(nèi)部電極21的主電極部分21a以及第3信號(hào)用內(nèi)部電極31的 主電極部分31a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極61的主電極部分61a還
19夾著絕緣體層13而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極41的主電極部分41a以及 第4信號(hào)用內(nèi)部電極51的主電極部分51a的雙方相對(duì)。
接地用內(nèi)部電極62的主電極部分62a夾著絕緣體層14而與第2 信號(hào)用內(nèi)部電極41的主電極部分41a以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極51的 主電極部分51a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極62的主電極部分62a還 夾著絕緣體層15而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極42的主電極部分42a以及 第4信號(hào)用內(nèi)部電極52的主電極部分52a的雙方相對(duì)。
接地用內(nèi)部電極63的主電極部分63a夾著絕緣體層16而與第2 信號(hào)用內(nèi)部電極42的主電極部分42a以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極52的 主電極部分52a的雙方相對(duì)。接地用內(nèi)部電極63的主電極部分63a還 夾著絕緣體層17而與第1信號(hào)用內(nèi)部電極22的主電極部分22a以及 第3信號(hào)用內(nèi)部電極32的主電極部分32a的雙方相對(duì)。
第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22均被配置于電容器素體B1的第1端 面Bla側(cè)。第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32均被配置于電容器素體B1的 第2端面Blb側(cè)。第l信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22與第3信號(hào)用內(nèi)部電極 31、 32在沿第1及第2端面Bla、 Blb相對(duì)的方向上設(shè)置且在層疊方
向上沒有重疊的部分。
第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42均被配置于電容器素體B1的第1端 面Bla側(cè)。第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52均被配置于電容器素體B1的 第2端面Blb側(cè)。第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42與第4信號(hào)用內(nèi)部電極 51、 52在沿第1及第2端面Bla、 Blb相對(duì)的方向上設(shè)置且在層疊方 向上沒有重疊的部分。
與第1實(shí)施方式的貫通型層疊電容器陣列CA1相同，本實(shí)施方式 的貫通型層疊電容器陣列CA2也不僅具有電容成分，而且還具有電阻 成分。因此，貫通型層疊電容器陣列CA2具有CR濾波器。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42不與第1信號(hào)用端子電極1、 2直接連接。在貫通型層疊電容器陣列 CA2中，只有第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22直接與第1信號(hào)用端子電極 1、 2連接，第2信號(hào)用內(nèi)部電極41、 42通過第1外部連接導(dǎo)體7以及 第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22而與第1信號(hào)用端子電極1、 2間接連接。 為此，與具有如下結(jié)構(gòu)的，即所有的第1及第2信號(hào)用內(nèi)部電極21、22、 41、 42都通過引出部分而與第1信號(hào)用端子電極1、 2直接連接的 貫通型層疊電容器陣列相比，貫通型層疊電容器陣列CA2的電阻成分 的電阻值變大。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，通過變更直接連接于第 l信號(hào)用端子電極l、 2的第1信號(hào)用內(nèi)部電極的個(gè)數(shù)，可以使電阻成 分的電阻值變化。此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，通過變更 直接連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2的第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22 的位置，也可以使電阻成分的電阻值變化。
如上所述，在本實(shí)施方式中，通過調(diào)整經(jīng)由引出部分21c、 21d、 22c、 22d而直接連接于第1信號(hào)用端子電極1、 2的第1信號(hào)用內(nèi)部電 極21、 22的個(gè)數(shù)與位置的一方或雙方，可以將貫通型層疊電容器陣列 CA2的電阻成分的電阻值設(shè)定為期望值，由此可以容易且高精確地控 制電阻成分的電阻值。
在本實(shí)施方式中，即使為了應(yīng)對(duì)大容量化而增加第2信號(hào)用內(nèi)部 電極41、 42以及接地用內(nèi)部電極61 63的層疊數(shù)以使電容成分的靜 電容量增大的情況下，也可以抑制貫通型層疊電容器陣列CA2的電阻 成分的電阻值的減小。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52與第2信號(hào)用端子電極3、 4不直接連接。在貫通型層疊電容器陣列 CA2中，只有第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32與第2信號(hào)用端子電極3、 4直接連接，而第4信號(hào)用內(nèi)部電極51、 52則通過第2外部連接導(dǎo)體 8以及第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32間接地與第2信號(hào)用端子電極3、 4 連接。為此，與具有如下結(jié)構(gòu)的，即所有的第3及第4信號(hào)用內(nèi)部電 極31、 32、 51、 52都通過引出部分而與第2信號(hào)用端子電極3、 4直 接連接的貫通型層疊電容器陣列相比，貫通型層疊電容器陣列CA2的 電阻成分的電阻值變大。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，通過變更直接連接于第 2信號(hào)用端子電極3、 4的第2信號(hào)用內(nèi)部電極的個(gè)數(shù)，可以使電阻成 分的電阻值變化。此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，通過變更 直接連接于第2信號(hào)用端子電極3、 4的第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32 的位置，也可以使電阻成分的電阻值變化。
21如上所述，在本實(shí)施方式中，通過調(diào)整經(jīng)由引出部分31c、 31d、
32c、 32d而直接連接于第2信號(hào)用端子電極3、 4的第3信號(hào)用內(nèi)部電 極31、 32的個(gè)數(shù)與位置的一方或雙方，可以將貫通型層疊電容器陣列 CA2的電阻成分的電阻值設(shè)定為期望值，由此可以容易且高精確地控 制電阻成分的電阻值。
在本實(shí)施方式中，即使為了應(yīng)對(duì)大容量化而增加第4信號(hào)用內(nèi)部 電極51、 52以及接地用內(nèi)部電極61 63的層疊數(shù)以使電容成分的靜 電容量增大的情況下，也可以抑制貫通型層疊電容器陣列CA2的電阻 成分的電阻值的減小。
這樣，在本實(shí)施方式的貫通型層疊電容器陣列CA2中，可以容易 且高精度地控制包含于該電容器陣列的電阻成分的電阻值。
在本實(shí)施方式中，第l信號(hào)用端子電極l、 2被一個(gè)一個(gè)地分別配 置在電容器素體B1的相對(duì)的第l及第2側(cè)面Blc、 Bld上，且在第l 及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上相對(duì)。此外，第2信號(hào)用內(nèi)部電極 3、 4被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體Bl的相對(duì)的第1及第2側(cè) 面Blc、 Bld上，且在第l及第2側(cè)面Blc、 Bld的相對(duì)方向上相對(duì)。 此外，接地用端子電極5、 6被一個(gè)一個(gè)地分別配置在電容器素體Bl 的相對(duì)的第1及第2端面Bla、 Blb上且在第1及第2端面Bla、 Blb 的相對(duì)方向上相對(duì)。
為此，可以容易地實(shí)現(xiàn)例如相對(duì)于直線狀的信號(hào)線的第1信號(hào) 用端子電極l、 2的連接；相對(duì)于直線狀的信號(hào)線的第2信號(hào)用端子電 極3、 4的連接；相對(duì)于直線狀的接地連接導(dǎo)線的接地用端子電極5、 6 的連接，從而容易實(shí)現(xiàn)貫通型層疊電容器陣列CA2的安裝。
此外，在貫通型層疊電容器陣列CA2中，第1及第3信號(hào)用內(nèi)部 電極21、 31以及第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極22、 32分別在電容器素 體Bl內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電 極41、 51以及第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52分別在電容器素體 Bl內(nèi)被配置在層疊方向上的相同位置上。為此，可以使在層疊方向上 被配置在相同位置的內(nèi)部電極中通過的電流的方向相反。
22其結(jié)果，在本實(shí)施方式所涉及的貫通型層疊電容器陣列CA2中， 由在這些信號(hào)用內(nèi)部電極中流動(dòng)的電流所產(chǎn)生的磁場相互抵消，從而 能夠降低等效串聯(lián)電感。
此外，第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 31、第1及第3信號(hào)用內(nèi) 部電極22、 32、第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極41、 51、以及第2及第4 信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52，在電容器素體B1內(nèi)分別被配置于層疊方向 上的相同位置上，因此在貫通型層疊電容器陣列CA2中可以實(shí)現(xiàn)元件 的薄型化。
以上詳細(xì)說明了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式，但本發(fā)明不局限于上 述實(shí)施方式以及變形例。例如，與第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22連接的 第1信號(hào)用端子電極的數(shù)量不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中所記 載的數(shù)量，也可以為例如3個(gè)以上。與第3信號(hào)用內(nèi)部電極3K 32連 接的第2信號(hào)用端子電極的數(shù)量不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中 所記載的數(shù)量，也可以為例如3個(gè)以上。與接地用內(nèi)部電極61 63連 接的接地用端子電極的數(shù)量不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中所記 載的數(shù)量，也可以為例如3個(gè)以上。第1外部連接導(dǎo)體的數(shù)量不局限 于上述實(shí)施方式以及變形例中所記載的數(shù)量，也可以為例如2個(gè)以上。 第2外部連接導(dǎo)體的數(shù)量不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中所記載 的數(shù)量，也可以為例如2個(gè)以上。
此外，第1及第2信號(hào)用端子電極1 4、接地用端子電極5、 6、 以及第1及第2外部連接導(dǎo)體7、 8的配置方式不局限于上述實(shí)施方式 以及變形例中所記載的配置方式，只要配置于電容器素體的外表面上 即可。因此，例如在電容器素體的第1及第2側(cè)面相對(duì)的方向上，第l 信號(hào)用端子電極也可以互不相對(duì)。此外，例如在電容器素體的第1及 第2側(cè)面相對(duì)的方向上，第2信號(hào)用端子電極也可以互不相對(duì)。此外， 例如在電容器素體的第1及第2側(cè)面相對(duì)的方向上，或第1及第2端 面相對(duì)的方向上，接地用端子電極也可以互不相對(duì)。此外，例如在電 容器素體的第1及第2側(cè)面相對(duì)的方向上，或第1及第2端面相對(duì)的 方向上，第1及第2外部連接導(dǎo)體也可以互不相對(duì)。
絕緣體層11 18的層疊數(shù)、第1 第4信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32、 41、 42、以及接地用內(nèi)部電極61 63的層疊數(shù)不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中所記載的數(shù)量。第1 第4信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22、 31、 32、 41、 42、以及接地用內(nèi)部電極61 63的形狀不局限于上 述實(shí)施方式以及變形例中所記載的形狀。
此外，第1信號(hào)用內(nèi)部電極21、 22在層疊方向上的位置不局限于 上述實(shí)施方式以及變形例中所記載的位置。第3信號(hào)用內(nèi)部電極31、 32在層疊方向上的位置不局限于上述實(shí)施方式以及變形例中所記載的 位置。
此外，也可以為例如多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的任一個(gè)被配置為， 夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第1信號(hào)用內(nèi)部電極相 對(duì)，且夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第3信號(hào)用內(nèi)部 電極相對(duì)。在這種情況下，位于接地用內(nèi)部電極和第1信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層，可以與位于接地用內(nèi)部電極和第3信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層相同，也可以與其不同。
此外，也可以為例如多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的任一個(gè)被配置為， 夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第1信號(hào)用內(nèi)部電極相 對(duì)，且夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第4信號(hào)用內(nèi)部 電極相對(duì)。在這種情況下，位于接地用內(nèi)部電極和第1信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層，可以與位于接地用內(nèi)部電極和第4信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層相同，也可以與其不同。
此外，也可以為例如多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的任一個(gè)被配置為， 夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極相 對(duì)，且夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第3信號(hào)用內(nèi)部 電極相對(duì)。在這種情況下，位于接地用內(nèi)部電極和第2信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層，可以與位于接地用內(nèi)部電極和第3信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層相同，也可以與其不同。
此外，也可以為例如多個(gè)接地用內(nèi)部電極中的任一個(gè)被配置為，
夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第2信號(hào)用內(nèi)部電極相 對(duì)，且夾著多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與第4信號(hào)用內(nèi)部 電極相對(duì)。在這種情況下，位于接地用內(nèi)部電極和第2信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層，可以與位于接地用內(nèi)部電極和第4信號(hào)用內(nèi)部電 極之間的絕緣體層相同，也可以與其不同。此外，夾在相對(duì)的接地用內(nèi)部電極61 63與第1或第2信號(hào)用內(nèi)
部電極之間的絕緣體層的數(shù)量，只要至少有1層就不局限于上述實(shí)施
方式以及變形例中所記載的數(shù)量，例如也可以為2層以上。夾在相對(duì) 的接地用內(nèi)部電極61 63與第3或第4信號(hào)用內(nèi)部電極之間的絕緣體 層的數(shù)量，只要至少有1層就不局限于上述實(shí)施方式以及變形中例所 記載的數(shù)量，例如也可以為2層以上。
此外，在電容器素體B1內(nèi)，第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極21、 31、 以及第l及第3信號(hào)用內(nèi)部電極22、 32也可以不是被配置在層疊方向 上的相同位置上，而是被配置在不同位置上。在電容器素體B1內(nèi)，第 2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極41、 51、以及第2及第4信號(hào)用內(nèi)部電極42、 52也可以不是被配置在層疊方向上的相同位置上，而是被配置在不同 位置上。
此外，對(duì)于本發(fā)明所涉及的層疊電容器陣列的電容器素體可進(jìn)一 步層疊絕緣體層，或者，絕緣體層可以與內(nèi)部電極交錯(cuò)層疊。
根據(jù)上述的發(fā)明，很明顯其有許多變化的可能，這些發(fā)明不能被 認(rèn)為是超出了本發(fā)明的要旨和范圍，并且，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說顯而易見的這些變化都應(yīng)被認(rèn)為包含于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 貫通型層疊電容器陣列，其特征在于，具有電容器素體；配置于所述電容器素體的外表面上的至少2個(gè)第1信號(hào)用端子電極；配置于所述電容器素體的所述外表面上的至少2個(gè)第2信號(hào)用端子電極；配置于所述電容器素體的所述外表面上的至少2個(gè)接地用端子電極；配置于所述電容器素體的所述外表面上的至少1個(gè)第1外部連接導(dǎo)體；以及配置于所述電容器素體的所述外表面上的至少1個(gè)第2外部連接導(dǎo)體，所述電容器素體具有層疊的多層絕緣體層、接地用內(nèi)部電極、第1信號(hào)用內(nèi)部電極、第2信號(hào)用內(nèi)部電極、第3信號(hào)用內(nèi)部電極、第4信號(hào)用內(nèi)部電極，所述接地用內(nèi)部電極被配置為，夾著所述多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與所述第1或第2信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)、且夾著所述多層絕緣體層中的至少一層絕緣體層而與所述第3或第4信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)，同時(shí)與所述至少2個(gè)接地用端子電極連接，所述第1信號(hào)用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)所述第1信號(hào)用端子電極和所述至少1個(gè)第1外部連接導(dǎo)體連接，所述第2信號(hào)用內(nèi)部電極與所述至少1個(gè)所述第1外部連接導(dǎo)體連接，所述第3信號(hào)用內(nèi)部電極與所述至少2個(gè)所述第2信號(hào)用端子電極和所述至少1個(gè)第2外部連接導(dǎo)體連接，所述第4信號(hào)用內(nèi)部電極與所述至少1個(gè)第2外部連接導(dǎo)體連接。
2. 如權(quán)利要求l所述的貫通型層疊電容器陣列，其特征在于，所述至少2個(gè)第1信號(hào)用端子電極至少一個(gè)一個(gè)地分別配置于所 述電容器素體的相對(duì)的一對(duì)側(cè)面上，所述至少2個(gè)第2信號(hào)用端子電極至少一個(gè)一個(gè)地分別配置于所 述電容器素體的相對(duì)的一對(duì)側(cè)面上，所述至少2個(gè)接地用端子電極至少一個(gè)一個(gè)地分別配置于所述電 容器素體的相對(duì)的一對(duì)側(cè)面上。
3. 如權(quán)利要求l所述的貫通型層疊電容器陣列，其特征在于，所述第1以及第3信號(hào)用內(nèi)部電極在所述電容器素體內(nèi)被配置在所述絕緣體層的層疊方向上的相同位置上，所述第2以及第4信號(hào)用內(nèi)部電極在所述電容器素體內(nèi)被配置在 所述絕緣體層的層疊方向上的相同位置上。
4. 如權(quán)利要求l所述的貫通型層疊電容器陣列，其特征在于， 所述第1以及第3信號(hào)用內(nèi)部電極的雙方或一方呈曲折狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種層疊電容器陣列，其具有電容器素體、配置于電容器素體外表面上的2個(gè)第1信號(hào)用端子電極、2個(gè)第2信號(hào)用端子電極、2個(gè)接地用端子電極、第1外部連接導(dǎo)體、第2外部連接導(dǎo)體。電容器素體具有層疊的多層絕緣體層、接地用內(nèi)部電極、第1～第4信號(hào)用內(nèi)部電極。接地用內(nèi)部電極被配置為，夾著絕緣體層與第1或第2信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)、且夾著絕緣體層與第3或第4信號(hào)用內(nèi)部電極相對(duì)，并連接于接地用端子電極。第1信號(hào)用內(nèi)部電極連接于第1信號(hào)用端子電極和第1外部連接導(dǎo)體，第2信號(hào)用內(nèi)部電極連接于第1外部連接導(dǎo)體，第3信號(hào)用內(nèi)部電極連接于第2信號(hào)用端子電極和第2外部連接導(dǎo)體，第4信號(hào)用內(nèi)部電極連接于第2外部連接導(dǎo)體。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101471179SQ20081018944
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者富樫正明 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社