專利名稱：微型加熱器及其制造方法以及形成圖案的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種孩i型加熱器、微型加熱器的制造方法以及形成圖案的方法。
背景技術：
有機電致發(fā)光(electroluminescent, EL)材料在有源矩陣有機發(fā)光二極管 (active matrix organic light-emitting diode, AMOLED )中普遍地4吏用。然而， 有機EL材料具有較弱的穩(wěn)定性。因此，采用常規(guī)的光刻工藝從有機EL材 料形成圖案是相對困難的。
案。蒸發(fā)方法通過將有機EL材料蒸發(fā)并沉積到安裝有遮光板的基板上來形 成圖案。采用激光的轉(zhuǎn)移方法(例如，激光轉(zhuǎn)寫(laser-induced thermal imaging, UTI )、激光誘導圖案升華(laser-induced pattern-wise sublimation, LIPS ))通 常也用于形成圖案。LITI和LIPS方法使用激光掃描來加熱隨后沉積為所需 圖案的材料。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)示例性實施例的微型加熱器可以包括金屬圖案、支撐件(support) 和間隔物(spacer)。金屬圖案可以在基板上形成。支撐件可以在金屬圖案的 下面形成，支撐件在將金屬圖案與基板間隔開的同時將金屬圖案固定到基 板。間隔物可以在基板上形成并且鄰近金屬圖案，從基板到間隔物的頂表面 的第 一距離大于從基板到金屬圖案的頂表面的第二距離。根據(jù)示例性實施例 的多個微型加熱器可以平行地布置以形成微型加熱器陣列。
根據(jù)示例性實施例的微型加熱器的制造方法可以包括在基板上形成加 熱層并圖案化該加熱層。絕緣層可以在基板上形成，該絕緣層比圖案化的加 熱層更厚?；宓囊徊糠趾徒^緣層可以被蝕刻以形成鄰近圖案化的加熱層的 間隔物以及處于圖案化的加熱層與被蝕刻的基板之間的支撐件。根據(jù)示例性實施例的采用微型加熱器形成圖案的方法可以包括設置基
板上的金屬圖案以及鄰近該金屬圖案的間隔物。轉(zhuǎn)移材料(transfer material) 可以在金屬圖案上形成。目標基板(target substrate )可以置于間隔物上并在 金屬圖案的上面。電源可以施加到金屬圖案，以將轉(zhuǎn)移材料從金屬圖案選擇 性地蒸發(fā)并轉(zhuǎn)移到目標基板以形成圖案。


通過結(jié)合附圖并參照下面詳細的描述，示例性實施例的上述和其它的特
征可以被更好地理解，附圖中
圖1是根據(jù)示例性實施例的微型加熱器的透視圖2是沿線I-I，剖取的圖1的微型加熱器的橫截面圖3是沿線J-J，剖取的圖1的微型加熱器的橫截面圖4是圖1的微型加熱器的平面圖5是根據(jù)示例性實施例的另一個微型加熱器的透視圖6是根據(jù)示例性實施例的微型加熱器陣列的透視圖7A到7F是根據(jù)示例性實施例的微型加熱器的制造方法的橫截面圖8A到8C是根據(jù)示例性實施例的采用微型加熱器形成圖案的方法的
橫截面圖；以及
圖9是示出根據(jù)示例性實施例的方法形成的圖案的照片。
具體實施例方式
應當理解，當稱一個元件或?qū)釉诹硪粋€元件或?qū)?上"、"連接到"、"耦 合到，，或"覆蓋"另一個元件或?qū)訒r，它可以直接在另一個元件或?qū)由?、?接連接到、耦合到或覆蓋另一個元件或?qū)?，或者還可以存在插入的元件或?qū)印?相反，當稱一個元件"直接在"另一個元件或?qū)由稀?直接連接到"或"直 接耦合到"另一個元件或?qū)訒r，不存在插入的元件或?qū)?。整個說明書中相同 的標記指代相同的元件。如此處所用的，術語"和/或"包括一個或多個所列 相關項目的任何及所有組合。
應當理解，雖然這里可以使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、 組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應受 限于這些術語。這些術語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，以下討論的第一元件、組件、 區(qū)域、層或部分可以在不背離示例性實施例的教導的前提下被稱為第二元 件、組件、區(qū)域、層或部分。
為便于描述此處可以-使用諸如"在…之下(beneath)"、"在…下面 (below)"、"下(lower)"、"在…之上(above)"、"上(upper)"等等空間 相對性術語以描述如附圖所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征 之間的關系。應當理解，空間相對性術語是用來概括除附圖中所示取向之外 的使用或操作中的器件的不同取向的。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過來， 被描述為"在"其它元件或特征"之下"或"下面"的元件將會在其它元件 或特征的"上面"。這樣，術語"在...下面"就能夠涵蓋之上和之下兩種取向。 器件可以采取另外的取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向)并且此處所用的空間 相對性描述符相應地解釋。
這里所用的術語僅僅是為了描述不同的實施例，并非要限制示例性實施 例。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，單數(shù)形式"一(a)"、 "一(an)" 和"該(the )"均同時旨在包括復數(shù)形式。還應當理解，術語"包括(comprises )，， 和/或"包含(comprising)",當在本說明書中使用時，指定了所述特征、整 體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、 整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。
這里參照橫截面圖描述示例性實施例，這些橫截面圖為示例性實施例的 理想化的實施例(和中間結(jié)構)的示意圖。因而，舉例來說，由制造技術和 /或公差引起的插圖形狀的變化是可能發(fā)生的。因此，示例性實施例不應被解 釋為僅限于此處示出的區(qū)域的形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在 內(nèi)。例如，示出為長方形的注入?yún)^(qū)域通常具有圓形的或彎曲的特征和/或在其 邊緣的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣 地，由注入形成的掩埋區(qū)域可以導致在掩埋區(qū)域與注入通過其發(fā)生的表面之 間的區(qū)域中的一些注入。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它 們的形狀并非要示出區(qū)域的精確形狀，也并非要限制示例性實施例的范圍。
除非另行定義，此處使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)都具 有示例性實施例所屬領域的技術人員所通常理解的相同的含義。應當進一步 理解的是，諸如通用詞典中所定義的術語，除非此處加以明確定義，應當解 釋為具有與它們在相關領域的語境中的含義相一致的含義，而不應解釋為理想化的或過度形式化的意義。
圖i是根據(jù)示例性實施例的微型加熱器的透視圖。圖2是沿線i-r剖取
的圖1的微型加熱器的橫截面圖。圖3是沿線J-J，剖取的圖1的微型加熱器 的橫截面圖。圖4是圖1的微型加熱器的平面圖。
參照圖1到4，微型加熱器1可以設置在基板10上。微型加熱器1可以 包括金屬圖案20、支撐件30和間隔物40?；錓O可以由硅晶片或玻璃材 料形成。例如，當基板10由玻璃材料形成時，輻射熱(通過可見光或紅外 (IR)線)可以透射通過基板10。因此，較高溫度的加熱是可能的。
金屬圖案20可以固定在基板10上，同時還通過支撐件30與基板10間 隔開。金屬圖案20可以由鉬、鎢、碳化硅或其它合適的材料形成。通過向 金屬圖案20施加電源，可以發(fā)出光和熱。
金屬圖案20可以分別包括第一區(qū)域Al、第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3。 金屬圖案20的第一區(qū)域Al可以在基板IO上沿第一方向Dl延伸。另一方 面，金屬圖案20的第二區(qū)域A2可以從第一區(qū)域Al的兩側(cè)沿第二方向D2 延伸。第二方向可以垂直于第一方向Dl。金屬圖案20的第三區(qū)域A3可以 是在第二區(qū)域A2的端部的擴展的區(qū)域(enlargedregion)。金屬圖案20可以 通過支撐件30經(jīng)由第三區(qū)域A3固定到基板IO。
盡管第二區(qū)域A2被示出為對稱地設置在第一區(qū)域Al的兩側(cè)上，應當 理解，附圖中的描繪僅僅是為了說明的目的而給出。因此，其它的構造是可 以的。例如，第二區(qū)域A2可以被交替地設置在第一區(qū)域A1的兩側(cè)上。
支撐件30的每個可以設置在基板10與金屬圖案20的第三區(qū)域A3之間， 從而允許金屬圖案20固定到基板10。支撐件30可以通過濕法蝕刻形成。支 撐件30可以形成為與基板IO接觸的面積的大小大于與金屬圖案20的第三 區(qū)域A3接觸的面積的大小。
金屬圖案20的第三區(qū)域A3和與第三區(qū)域A3接觸的支撐件30的橫截 面可以具有圓形的形狀。然而，第三區(qū)域A3和支撐件30的橫截面可以取決 于蝕刻條件而具有其它的形狀(例如，橢圓形、多邊形)。
支撐件30可以由具有較低的熱導率的材料形成以減小或阻止來自金屬 圖案20的熱量的損失。例如，支撐件30可以包括玻璃和氧化物(例如，SiOx ) 中的一種或多種。
間隔物40可以在基板10上形成并鄰近金屬圖案20。像支撐件30 —樣，間隔物40可以包括玻璃和氧化物(例如，SiOx)中的一種或多種。間隔物 40可以允許另 一個基板(例如，目標基板)設置在基板10的上面，同時還 通過所期望的距離與金屬圖案20間隔開。
參照圖2和3,從基板10到間隔物40的頂表面的第一距離Ll可以大 于從基板10到金屬圖案20的頂表面的第二距離L2。因此，當?shù)诙逶O 置在間隔物40上并且在基板10的上面時，第二基板仍與金屬圖案20間隔 開。
如上所述構造的微型加熱器可以用于形成轉(zhuǎn)移材料(例如，電致發(fā)光 (F丄)材料)的圖案。例如，轉(zhuǎn)移材料可以最初在金屬圖案20上形成。通 過向金屬圖案20施加電源，金屬圖案20可以被加熱。當金屬圖案20被加 熱到轉(zhuǎn)移材料的熔點以上的溫度時，轉(zhuǎn)移材料被蒸發(fā)并轉(zhuǎn)移到置于金屬圖案 20上面的目標基板上。因此，圖案可以在金屬圖案20上面的目標基板上形 成。
通過調(diào)整金屬圖案20的加熱溫度和加熱時間，金屬圖案20上的轉(zhuǎn)移材 料可以被選擇性地蒸發(fā)。例如，金屬圖案20可以被加熱從而只有第一區(qū)域 Al上的轉(zhuǎn)移材料被蒸發(fā)。轉(zhuǎn)移材料的選擇性蒸發(fā)將在后面更詳細地描述。
圖5是根據(jù)示例性實施例的另一個微型加熱器的透視圖。參照圖5，微 型加熱器可以設置在基板IO上。微型加熱器可以包括金屬圖案21、支撐件 30和間隔物40。金屬圖案21可以具有沿一個方向Dl延伸的線性形狀。金 屬圖案21可以分別包括多個第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2。金屬圖案21的第 一區(qū)域A1可以是直線部分。第二區(qū)域A2可以是處于第一區(qū)域A1之間的擴 展的區(qū)域。支撐件30可以連接在第二區(qū)域A2的每個的下面以將金屬圖案 21固定到基板10。
雖然圖5的金屬圖案21的形狀可以不同于圖1-4的金屬圖案20,金屬 圖案21、支撐件30和間隔物40的構造和功能可以與前面參照圖1到4所描 述的相應的特征相同。因此，為了簡潔的目的，前述的特征的詳細描述將被 省略。
金屬圖案可以具有各種形狀，并可以通過結(jié)合圖1-5中示出的金屬圖案 的形狀來構造。例如，可選地，圖5中示出的金屬圖案可以包括另外的區(qū)域 (未示出)，該另外的區(qū)域從金屬圖案21的第一區(qū)域A1的一側(cè)或多側(cè)延伸。 可選地，金屬圖案可以被構造從而金屬圖案的一部分被形成為具有圖1中示出的金屬圖案20的形狀，而金屬圖案的另一部分被形成為具有圖5中示出 的金屬圖案21的形狀。
間隔物可以形成為具有矩形橫截面的塊狀結(jié)構。多個間隔物可以在基板 IO上彼此間隔開。然而，圖1-5中示出的間隔物40僅僅是為了說明的目的 而提供。例如，間隔物可以根據(jù)蝕刻條件具有不同的橫截面(例如，圓形的、 橢圓形的)?？蛇x地，間隔物可以形成為沿基板IO上的金屬圖案延伸的單個 線性形狀。
圖6是根據(jù)示例性實施例的微型加熱器陣列的透視圖。參照圖6，多個 微型加熱器1可以平行地布置在基板10上以形成微型加熱器陣列。在微型 加熱器陣列中，通過將微型加熱器1并行地連接，可以向它們施加相同的電源。
微型加熱器1或微型加熱器陣列可以在各種電子裝置中使用，該電子裝 置需要較高溫度的制造工藝或較高溫度的操作工藝。該電子裝置的示例包括 碳納米管晶體管、較低溫度的多晶硅或薄膜晶體管和用于背光單元的TE場 發(fā)射源。
在電子裝置中，微型加熱器1的結(jié)構允許基板10與處于基板IO上的另 一個基板之間的間隔距離由間隔物來控制。因此，微小地圖案化可以被進行。
盡管圖6示出了具有并行連接的根據(jù)圖1的微型加熱器的微型加熱器陣 列，應當理解，該描繪僅僅是為了說明的目的而提供。例如，微型加熱器陣 列可以采用根據(jù)圖5的微型加熱器或根據(jù)示例性實施例的其它微型加熱器來 構造。
圖7A到7F是用于制造根據(jù)示例性實施例的微型加熱器的方法的橫截面 圖。參照圖7A，犧牲層100可以在基板10上形成。犧牲層100可以包括氧 化硅(SiOx)或另外的合適的氧化物?；?0的一部分和犧牲層100可以 在隨后的工藝中被蝕刻以形成支撐件。然而，應當理解，犧牲層100可以被 省略，支撐件可以只通過蝕刻基板10來形成。
參照圖7B，加熱層200可以在犧牲層100上形成。加熱層200可以由 鴒、鉬、氧化硅或另外合適的材料來形成。
參照圖7C，金屬圖案20可以通過圖案化加熱層200而形成。加熱層200 可以被圖案化為根據(jù)示例性實施例的前述金屬圖案的形狀。例如，加熱層200 可以被圖案化為圖1-5中的金屬圖案20和/或金屬圖案21的形狀。參照圖7D,絕緣層300可以在金屬圖案20和犧牲層100上形成。絕緣 層300可以在隨后的工藝中被蝕刻以形成間隔物。絕緣層300可以包括氧化 硅或另外的合適的氧化物。絕緣層300的厚度T2可以大于金屬圖案20的厚 度Tl 。因此最終的間隔物的頂表面可以高于金屬圖案20的頂表面。
參照圖7E，金屬層400可以在絕緣層300上形成。金屬層400可以4是 高絕緣層300與光致抗蝕劑層(未示出)之間的接觸性能，在隨后的工藝中 為了蝕刻，該光致抗蝕劑層在絕緣層300上形成。金屬層400可以由金屬材 料形成?？蛇x地，金屬層400可以被省略，在隨后的蝕刻工藝期間光致抗蝕 劑層可以直接在絕緣層300上形成。
參照圖7F，支撐件30和間隔物40可以通過蝕刻金屬層400、絕緣層 300、犧牲層IOO和基板IO的一部分而形成。盡管沒有示出，蝕刻工藝可以 包括在金屬層400上形成光致抗蝕劑層、進行光學曝光以及蝕刻被曝光的層。
圖8A到8C是根據(jù)示例性實施例的形成圖案的方法的橫截面圖。用于 形成圖案的方法可以根據(jù)示例性實施例采用微型加熱器來進行。
參照圖8A，可以制備具有金屬圖案20和間隔物40的基板10，轉(zhuǎn)移材 料500和501可以在基板10上形成。轉(zhuǎn)移材料500和501可以是有4幾EL材 料或金屬材料。例如，轉(zhuǎn)移材料500和501可以包括有機鋁化合物(例如， p奎啉鋁(tris(8-quinilinolato)-aluminum(Alq3)))。可選地，轉(zhuǎn)移材料500和501 可以是較低熔點的金屬材料，該金屬材料具有小于金屬圖案20的加熱溫度 的熔點。例如，轉(zhuǎn)移材料500和501可以包括銅(Cu)或鋁(Al)。
參照圖8B,目標基板50可以置于間隔物40上從而處于金屬圖案20的 上面。目標基板50可以由硅晶片或玻璃材料形成。目標基板50可以結(jié)合到 間隔物40。例如，目標基板50可以采用機械壓力或壓力差(例如，降低基 板10與目標基板50之間的空間的壓力以形成真空效應)而結(jié)合到間隔物40。 目標基板50也可以采用本領域已知的其它的結(jié)合方法而結(jié)合到間隔物40。 可選地，目標基板50可以通過預定的距離與間隔物40間隔開。
參照圖8C，電源可以施加到金屬圖案20以加熱金屬圖案20。金屬圖案 20可以通過間隔物40與目標基板50間隔開。當金屬圖案20被加熱到高于 轉(zhuǎn)移材料500和501的熔點的溫度時，金屬圖案20上的轉(zhuǎn)移材料501可以 被蒸發(fā)并轉(zhuǎn)移到目標基板50上。因此，對應于金屬圖案20的形狀的圖案可 以在目標基板50上形成。根據(jù)示例性實施例的形成圖案的方法可以被重復以形成目標基板50上的多個圖案。
如上所述，金屬圖案20可以通過間隔物40與目標基板50間隔開。此 外，金屬圖案20與目標基板50之間的間隔距離可以通過間隔物40來改變。 因而，間隔物40的尺寸可以被調(diào)整以控制轉(zhuǎn)移材料501在被蒸發(fā)后移動到 目標基板50的距離。因此，可以減小或阻止形成于目標基板50上的圖案的 線寬的展寬，較精細的圖案可以被實現(xiàn)。
通過控制施加到金屬圖案20的電源，金屬圖案20上的轉(zhuǎn)移材料501可 以以特定區(qū)域(area-specific)的方式被選擇性地蒸發(fā)。當電源以方形波形 (square wave form )施加到金屬圖案20時，金屬圖案20上的轉(zhuǎn)移材料501 可以通過控制所施加的電源的大小、電源施加時間或其它相關的變量而#皮選 擇性地蒸發(fā)。
例如，參照圖4,可以控制施加到金屬圖案20的電源的強度和持續(xù)時間， 從而只有形成于金屬圖案20的第一區(qū)域Al處的轉(zhuǎn)移材料被蒸發(fā)，形成于第 二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3處的轉(zhuǎn)移材料沒有被蒸發(fā)。在非限制性的示例中， 第一區(qū)域A1的寬度W為大約15^m,通過將金屬圖案20加熱到大約350。C 的溫度大約30秒，第一區(qū)域Al上的轉(zhuǎn)移材料可以-陂選擇性地蒸發(fā)。
如果電源被施加到金屬圖案20足夠的持續(xù)時間，那么金屬圖案20上的 所有預期的轉(zhuǎn)移材料501可以被蒸發(fā)。然而，如果電源施加時間過長，那么 整個微型加熱器被加熱的時候，基板10的其它區(qū)域上的非預期的轉(zhuǎn)移材料 500 (以及金屬圖案20上的預期的轉(zhuǎn)移材料501 )可以被蒸發(fā)。另一方面， 如果電源施加時間不夠，那么金屬圖案20上的預期的轉(zhuǎn)移材料501不會被 完全地蒸發(fā)。
圖9是示出根據(jù)示例性實施例的方法形成的圖案的照片。通過控制施加 到金屬圖案的電源，金屬圖案上的轉(zhuǎn)移材料可以被選擇性地蒸發(fā)和轉(zhuǎn)移以形 成目標基板上的線形的發(fā)光材料層(EML)圖案。根據(jù)示例性實施例的方法 可以被重復以形成目標基板上的多個EML圖案。
如上所述，電源可以以方形波形施加到金屬圖案。然而，應當理解，此 觀測只是為了說明的目的而提供。因此，電源可以以另外的合適的波形(例 如，三角波形)施加到金屬圖案。
當根據(jù)示例性實施例的形成圖案的方法被應用于有源矩陣有機發(fā)光二 極管(AMOLED)時，該方法可以用于在薄膜晶體管(TFT)基板的背板上形成EL材料的圖案，該EL材料具有不同的顏色(例如紅色(R )、橙色(G) 和藍色(B))。而且，因為微型加熱器自身在圖案形成工藝中沒有被損壞或 改變，多個圖案可以只使用 一個微型加熱器在多個目標基板上形成。
雖然示例性實施例已經(jīng)在這里公開，應當理解，其它的變化是可以的。 該變化不應被認為是背離本發(fā)明的示例性實施例的精神和范圍，對本領域的 技術人員來說所有的這些修改將是明顯的，這些修改均旨在被包括于所附的 權利要求的范圍內(nèi)。
本申請要求于2008年6月10日提交到韓國知識產(chǎn)權局(KIPO)的韓 國專利申請No. 10-2008-0053974號的優(yōu)先權，其全部內(nèi)容在此引入以做參 考。
權利要求
1.一種微型加熱器，包括基板上的金屬圖案；支撐件，在所述金屬圖案的下面，所述支撐件將所述金屬圖案固定到所述基板同時將所述金屬圖案與所述基板間隔開；以及間隔物，在所述基板上并鄰近所述金屬圖案，從所述基板到所述間隔物的頂表面的第一距離大于從所述基板到所述金屬圖案的頂表面的第二距離。
2. 如權利要求1所述的微型加熱器，還包括所述金屬圖案上的轉(zhuǎn)移材料，當所述金屬圖案被加熱時所述轉(zhuǎn)移材料蒸 發(fā)。'
3. 如權利要求2所述的微型加熱器，其中所述轉(zhuǎn)移材料包括電致發(fā)光材 料或金屬材料。
4. 如權利要求1所述的微型加熱器，還包括 所述間隔物上的金屬層。
5. 如權利要求1所述的微型加熱器，其中所述金屬圖案包括鴒、鉬和碳 化硅中的一種或多種。
6. 如權利要求1所述的微型加熱器，其中所述支撐件或所述間隔物包括 玻璃和氧化硅中的 一種或多種。
7. 如權利要求1所述的微型加熱器，還包括 目標基板，在所述間隔物上并在所述金屬圖案的上面。
8. 如權利要求7所述的微型加熱器，其中所述目標基板與所述間隔物間 隔開。
9. 一種微型加熱器陣列，具有平行地布置的兩個或多個根據(jù)權利要求1 所述的微型加熱器。
10. —種微型加熱器的制造方法，包括 形成并圖案化基板上的加熱層；在所述基板上形成絕緣層，所述絕緣層比圖案化的加熱層更厚；以及 蝕刻所述基板的一部分和所述絕緣層以形成鄰近所述圖案化的加熱層 的間隔物以及置于所述圖案化的加熱層與蝕刻的基板之間的支撐件。
11. 如權利要求IO所述的方法，還包括在形成所述加熱層之前在所述基板上形成犧牲層，其中形成所述間隔物和所述支撐件包括蝕刻所述犧牲層。
12. 如權利要求11所述的方法，其中所述犧牲層包括氧化硅。
13. 如權利要求IO所述的方法，還包括 在所述絕緣層上形成金屬層，其中形成所述間隔物包括蝕刻所述金屬層。
14. 如權利要求IO所述的方法，其中所述加熱層包括鴒、鉬和碳化硅中 的一種或多種。
15. 如權利要求IO所述的方法，其中所述絕緣層包括氧化硅。
16. —種采用根據(jù)權利要求1所述的微型加熱器形成圖案的方法，包括 在所述金屬圖案上形成轉(zhuǎn)移材料；將目標基板置于所述間隔物上且在所述金屬圖案的上面；以及施加電源到所述金屬圖案以將所述轉(zhuǎn)移材料從所述金屬圖案選擇性地蒸發(fā)并轉(zhuǎn)移到所述目標基板從而形成所述圖案。
17. 如權利要求16所述的方法，其中所述目標基^1結(jié)合到所述間隔物或 與所述間隔物間隔開。
18. 如權利要求16所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移材料包括電致發(fā)光材料或 金屬材料。
19. 如權利要求16所述的方法，還包括 重復所述方法以在所述目標基板上形成多個圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了微型加熱器及其制造方法以及形成圖案的方法。示例性實施例涉及微型加熱器、微型加熱器陣列、該微型加熱器的制造方法以及采用微型加熱器形成圖案的方法。根據(jù)示例性實施例的微型加熱器可以包括形成于基板上的金屬圖案。支撐件可以在金屬圖案的下面形成，支撐件將金屬圖案固定到基板同時將金屬圖案與基板間隔開。間隔物可以在基板上形成并且鄰近基板，從基板到間隔物的頂表面的第一距離大于從基板到金屬圖案的頂表面的第二距離。微型加熱器與設置在金屬圖案上面的目標基板之間的距離可以通過間隔物控制，從而允許在目標基板上形成較精細的圖案。
文檔編號H01L51/56GK101603168SQ20081017885
公開日2009年12月16日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權日2008年6月10日
發(fā)明者崔濬熙 申請人:三星電子株式會社