專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有由利用半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管構(gòu)成的電路的半導(dǎo) 體裝置及其制造方法。另外，本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
已廣泛普及的顯示裝置的大部分如電視機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器、 以及便攜式電話機(jī)等使用將利用非晶硅的薄膜晶體管(下面，也稱為
非晶硅TFT)用作開關(guān)元件的液晶顯示裝置。如專利文獻(xiàn)l所示那樣， 該非晶硅TFT通常利用五個(gè)光掩模并通過已知的光刻工序形成在玻璃 襯底上。
在此說明的五個(gè)光掩模是如下光掩模，即用于形成柵電極的第一 光掩模；用于分離半導(dǎo)體層的第二光掩模；用于形成源電極及漏電極 的第三光掩模；用于對(duì)保護(hù)絕緣膜設(shè)置開口的第四光掩模；用于形成 像素電極的第五光掩模。日本專利申請(qǐng)公開2001-53283
使用光掩模的光刻工序包括涂敷光致抗蝕劑；預(yù)烤(prebaking); 使用光掩模的曝光工序；顯影工序;沖洗工序；后烤(postbaking); 蝕刻工序；抗蝕劑剝離工序等。除了上述工序之外，還包括清洗工序 和檢驗(yàn)工序等多個(gè)工序。如此，因?yàn)樾枰鄠€(gè)工序，所以一個(gè)光刻工 序需要很大的成本和時(shí)間。
另外伴隨液晶顯示器的高精細(xì)化及寬視角化，有像素結(jié)構(gòu)越來越 小并且構(gòu)成像素的圖案越來越精細(xì)的趨勢(shì)。因此要求更高度的精密性。 尤其是，由光刻掩模形成的圖案越精細(xì)，與其他光掩模的位置偏離就 越會(huì)影響到成品率。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提供可以減少掩模個(gè)數(shù)的半導(dǎo)體裝置 及其制造方法。本發(fā)明渉及一種將現(xiàn)有的五個(gè)光刻掩模工序的工序個(gè)數(shù)減少到總 共使用四個(gè)或三個(gè)光刻掩模和背面曝光技術(shù)而制造的半導(dǎo)體裝置及其 制造方法。
.本發(fā)明的特征在于，作為第一導(dǎo)電層應(yīng)用透明導(dǎo)電層及金屬層的 疊層，其特征還在于通過利用第一多級(jí)灰度掩模，將第一導(dǎo)電層用作 柵電極或像素電極。
另外，本發(fā)明的特征還在于通過利用第二多級(jí)灰度掩模形成接觸 孔及加工半導(dǎo)體層。
再者，本發(fā)明的特征還在于通過利用背面曝光法及回流技術(shù)來減 少一個(gè)光掩模。注意，本發(fā)明不但可以應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置及其制造方
法，而且還可以應(yīng)用于EL顯示裝置的制造方法。 通過本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)下面說明的效果。
通過與現(xiàn)有的利用五個(gè)光掩模的制造方法相比減少掩模個(gè)數(shù)，來 減少光掩模的位置對(duì)準(zhǔn)的次數(shù)，而可以抑制因與其它光掩模的位置偏 離而導(dǎo)致的成品率的降低。
另外，通過減少光掩模個(gè)數(shù)，可以省略光刻工序的一部分。因此 可以縮減其工序所需要的成本并提高生產(chǎn)率。
再者，通過刪去光刻工序的一部分，可以防止該工序中有可能發(fā) 生的污染(例如微粒)。因此可以提高成品率和可靠性。
本發(fā)明的目的在于在半導(dǎo)體裝置制造工序中可以減少光掩模的個(gè) 數(shù)，即，通過本發(fā)明的工序制造半導(dǎo)體裝置，可以縮減現(xiàn)有工序所需 要的時(shí)間及成本。制造現(xiàn)有的非晶硅TFT —般需要五個(gè)光掩模，但是 本發(fā)明可以利用三個(gè)光掩?；蛩膫€(gè)光掩模來制造TFT,因此可以縮減制 造時(shí)間及制造成本。
另外，通過使用絕緣膜完全覆蓋TFT,可以提高元件的可靠性。當(dāng) 溝道部分的表面露出時(shí)，起因于襯底及周圍環(huán)境氣氛中的雜質(zhì)，如硼、 磷等侵入溝道部分。因?yàn)檫@些雜質(zhì)有可能成為受體(donor)而有使TFT 的漏電流變大，因此使TFT的閾值電壓發(fā)生變化的不良影響，但是通 過使用絕緣膜完全覆蓋TFT，可以抑制上述情況。另外，保護(hù)膜當(dāng)為底柵型時(shí)發(fā)揮防止源電極及漏電極的氧化的功能。保護(hù)膜當(dāng)為頂柵型時(shí) 發(fā)揮防止柵電極的氧化的功能。
再者，與現(xiàn)有的像素電極形成在疊層最上面的結(jié)構(gòu)相比，在本發(fā) 明中像素電極位于保護(hù)絕緣膜及柵極絕緣膜下面，并且其開口區(qū)域位 于底面。因此，柵極絕緣膜及保護(hù)絕緣膜作為隔離墻而發(fā)揮作用，而 減少相鄰的像素電極之間的電場(chǎng)相互作用。就是說，有助于抑制串?dāng)_。 而且，在現(xiàn)有的像素電極和信號(hào)線之間僅形成保護(hù)膜作為層間膜。但 是，在本發(fā)明中還設(shè)置有柵極絕緣膜，因此可以減少在信號(hào)線和像素 電極之間的寄生電容。


圖1A至1C是說明根據(jù)實(shí)施方式1的TFT襯底的制造方法的截面
圖2A至2D是說明根據(jù)實(shí)施方式1的TFT襯底的制造方法的截面
圖3A至3C是說明根據(jù)實(shí)施方式1的TFT襯底的制造方法的截面
圖4A至4C是說明根據(jù)實(shí)施方式1的TFT襯底的制造方法的截面
圖5A和5B是說明根據(jù)實(shí)施方式1的液晶面板的截面圖6A至6C是說明根據(jù)實(shí)施方式2的TFT襯底的制造方法的截面
圖7A和7B是在回流處理中的光致抗蝕劑的形狀變化的平面圖； 圖8A至8C是說明根據(jù)實(shí)施方式3的TFT襯底的制造方法的截面
圖9A至9C是說明根據(jù)實(shí)施方式3的TFT襯底的制造方法的截面
圖10是說明根據(jù)實(shí)施方式4的液晶面板的截面圖； 圖11是示出根據(jù)實(shí)施方式1的TFT襯底的平面圖； 圖12是示出根據(jù)實(shí)施方式3的TFT襯底的平面圖；圖13A至13D是示出根據(jù)實(shí)施方式5的電子設(shè)備的實(shí)例的圖。圖 14是示出根據(jù)實(shí)施方式5的電子設(shè)備的實(shí)例的圖。 本發(fā)明的選擇圖為圖5A。
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式給予詳細(xì)說明。但是，本發(fā)明可以 以多個(gè)不同形式來實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地 理解一個(gè)事實(shí)，就是，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形 式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅 限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
實(shí)施方式1
作為顯示方式的一個(gè)方式，使用液晶顯示裝置進(jìn)行說明。圖ll是 根據(jù)實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的TFT襯底的平面圖。由掃描線1101 和信號(hào)線1102分區(qū)的區(qū)域成為一個(gè)像素，在像素中，形成像素電極的 區(qū)域稱為像素區(qū)域。位于像素的左下部的是作為像素的開關(guān)元件的 TFT1103 。從掃描線1101接受TFT的導(dǎo)通/截止信號(hào),并且從信號(hào)線1102 接受圖像信號(hào)。TFT1103和像素電極105通過接觸孔113a電連接，當(dāng) TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)來自信號(hào)線的圖像信號(hào)通過TFT傳送到像素電極。 在像素右上部形成有保持電容1104。保持電容1104具有將輸入到像素 電極105的圖像信號(hào)保持到直到下一個(gè)信號(hào)輸入進(jìn)來之前的功能。在 圖11中，以虛線A-B表示的部分相當(dāng)于圖1A至6C的像素部TFT的截 面圖。襯底100在襯底端部中具有與FPC (柔性印刷電路)電連接的端 子連接部1105。以虛線C-D表示的部分相當(dāng)于圖1A至6C的端子連接 部的截面圖。
在圖1A至4C中表示應(yīng)用本發(fā)明的四個(gè)光掩模工序的反交錯(cuò)TFT。 在圖1A中，在例如玻璃等絕緣襯底100上通過濺射法層疊形成由
透明導(dǎo)電層101和金屬層102構(gòu)成的第一導(dǎo)電層。該工序可以連續(xù)地
進(jìn)行，也可以通過使甩多室裝置進(jìn)行連續(xù)濺射。
此外，因?yàn)樵诒景l(fā)明的結(jié)構(gòu)中透明導(dǎo)電層101形成在金屬層102
的下層，所以可以使用市場(chǎng)上出售的ITO玻璃通過濺射法僅形成金屬層102。
作為透明導(dǎo)電層101的材料使用IT0 (氧化銦錫)。該透明導(dǎo)電層 101的一部分之后成為像素電極。另外，作為金屬層102，優(yōu)選使用主 要成為電極或布線如鋁等的低電阻金屬材料。另外，也可以釆用以難 熔金屬為阻擋層并中間夾有鋁的疊層結(jié)構(gòu)，如；第一層為鉬(Mo),第 二層為鋁(Al),第三層為鉬(Mo)的疊層；或第一層為鈦(Ti),第 二層為鋁(Al)，第三層為鈦(Ti)的疊層；或第一層為鉬(Mo)，第 二層為含有微量釹(Nd)的鋁，第三層為鉬(Mo)的疊層。如此，通 過采用疊層結(jié)構(gòu)作為金屬層102，可以抑制發(fā)生鋁的小丘。
注意，雖然未圖示，在襯底100和透明導(dǎo)電層101之間作為基底 膜可以形成氧化硅膜、氮化硅膜、以及氧氮化硅膜等。通過形成基底 膜，可以抑制可動(dòng)離子或雜質(zhì)等從玻璃襯底擴(kuò)散到元件，而對(duì)防止元 件的特性退化有效。
在圖1B中，形成光致抗蝕劑103。在此光致抗蝕劑103形成在第 一導(dǎo)電層上，并且使用第一多級(jí)灰度掩模201曝光而被顯影。
通常光掩模在透過光的襯底上由金屬形成圖案。因此，由該金屬 構(gòu)成的圖案成為遮光部分。此外，沒有形成由金屬構(gòu)成的圖案的部分 成為透過部分。另一方面，通常的光掩模僅具有透過部分和遮光部分， 但是多級(jí)灰度掩模除了上述透過部分和遮光部分之外，還形成有中間 透過部分。該中間透過部分的形成方法大致分為半色調(diào)曝光技術(shù)和灰 度色調(diào)曝光技術(shù)。
灰度色調(diào)曝光技術(shù)在透過部分形成分辨率以下的槽縫，通過利用 該槽縫遮蔽光的一部分，實(shí)現(xiàn)中間透過。另一方面，半色調(diào)曝光技術(shù) 可以通過在中間透過部分形成中間透過膜而實(shí)現(xiàn)。通過使用這種多級(jí) 灰度掩模，被曝光的光致抗蝕劑分別形成有曝光部分、半曝光部分、 未曝光部分。當(dāng)對(duì)半曝光部分的光致抗蝕劑進(jìn)行顯影時(shí)，其厚度介于 曝光部分和未曝光部分的光致抗蝕劑之間。
注意，光致抗蝕劑有正型和負(fù)型。在使用正型光致抗蝕劑的情況 下，當(dāng)顯影時(shí)曝光部分的光致抗蝕劑被去除，而殘留未曝光部分的光致抗蝕劑。與此相反，在使用負(fù)型光致抗蝕劑的情況下，殘留曝光部 分的光致抗蝕劑而去除未曝光部分的光致抗蝕劑。從分辨率的觀點(diǎn)來 看，優(yōu)選采用正型，但是即使采用負(fù)型也可以形成圖案。在本發(fā)明的 實(shí)施方式中，對(duì)采用正型光致抗蝕劑的情況進(jìn)行說明。
第一多級(jí)灰度掩模201具有遮光部分201a和半透過部分201b，被 顯影的光致抗蝕劑103具有兩種厚度。將殘留第一導(dǎo)電層的部分設(shè)計(jì) 為像光致抗蝕劑103a那樣厚。另一方面，將使用單層的透明導(dǎo)電層101 的部分設(shè)計(jì)為像光致抗蝕劑103b那樣薄。在此，在之后成為柵電極、 保持電容的下部電極、端子連接部的布線的部分形成較厚的光致抗蝕 劑103a，在之后成為像素電極及端子連接部的接觸孔的部分形成較薄 的光致抗蝕劑103b。
將該光致抗蝕劑103a及103b用作為抗蝕劑掩模，對(duì)第--導(dǎo)電層 進(jìn)行蝕刻。在蝕刻方法中有在氣相中進(jìn)行的干蝕刻法和在液相中進(jìn)行 的濕蝕刻法，在此情況下使用任一種蝕刻法都可以。
接著對(duì)光致抗蝕劑103進(jìn)行灰化(ashing)處理。就是說，如圖 1C那樣，其厚度形成為厚的光致抗蝕劑103a在覆蓋上述殘留的第一導(dǎo) 電層的部分的情況下從表面被灰化，而作為光致抗蝕劑104殘留。另 一方面，通過該處理完全去除其厚度形成為薄的光致抗蝕劑103b,而 使在該光致抗蝕劑103b下面的金屬層102露出。如此，通過利用使用 多級(jí)灰度掩模形成的光致抗蝕劑103，可以形成光致抗蝕劑104，而不
使用追加的光掩模。
在圖2A中，將光致抗蝕劑104作為抗蝕劑掩模進(jìn)行蝕刻，而去除 露出了的金屬層102。其結(jié)果，在像素部中形成由單層的透明導(dǎo)電層 101構(gòu)成的像素電極105，而在端子連接部中形成接觸孔106。另外， 形成有光致抗蝕劑104的第一導(dǎo)電層的端部也被蝕刻。這是因?yàn)?，?過灰化處理光抗蝕劑104的接地面積變得比光致抗蝕劑103a的接地面 積小，而使第一導(dǎo)電層的端部露出的緣故。因此，與此同時(shí)超出光抗 蝕劑104的金屬層102也被蝕刻。從而形成臺(tái)階形狀，即金屬層102 的幅度窄于透明導(dǎo)電層101的幅度，這樣可以提高之后形成的絕緣膜的覆蓋性。
在使用濕蝕刻僅去除金屬層102，而殘留透明導(dǎo)電層101的情況 下，使用透明導(dǎo)電層和金屬層的選擇比高的蝕刻溶液。當(dāng)作為金屬層 102使用第-層為鉬(Mo)、第二層為鋁(Al)、第三層為鉬(Mo)的疊 層；或者利用第一層為鉬(Mo)、第二層為含有微量釹(Nd)的鋁(Al)、 第三層為鉬(Mo)的疊層等時(shí)，可以使用由磷酸、硝酸、醋酸、以及 水構(gòu)成的混酸作為蝕刻溶液來進(jìn)行該濕蝕刻。而且，當(dāng)使用該混酸時(shí)， 可以提供均勻優(yōu)質(zhì)的錐形狀。如此，濕蝕刻不但可以提高錐形狀的覆 蓋性，而且其工序是使用蝕刻液的蝕刻、使用純水的沖洗、以及千燥 等的簡(jiǎn)單的工序，生產(chǎn)率高，所以適合應(yīng)用于上述金屬層的蝕刻。
在圖2B中，剝離并去除使用了的光致抗蝕劑。通過上述工序，形 成由單層的透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極105、接觸孔106、由第一導(dǎo)電 層構(gòu)成的柵電極107、保持電容部11的下部電極108、端子連接部12 的布線。另外，雖然未圖示，但與此同時(shí)形成掃描線。以上是使用第 一多級(jí)灰度掩模201的光刻工序。
接下來，如圖2C所示，形成柵極絕緣膜109、 I型半導(dǎo)體層110 以及具有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜，尤其是n+型半導(dǎo)體層 111。柵極絕緣膜109如由氮化硅膜或氧氮化硅膜、或者它們的疊層構(gòu) 成。I型半導(dǎo)體層110是不摻雜賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)的無摻雜的非晶半導(dǎo) 體層，n+型半導(dǎo)體層lll是添加有五價(jià)的元素如磷(P)或砷(As)而 賦予n型的導(dǎo)電性的非晶半導(dǎo)體層。它們通過已知的CVD法而形成。
注意，為了使TFT的特性穩(wěn)定，需要控制柵極絕緣膜109和I型 半導(dǎo)體層110的界面。再者，I型半導(dǎo)體層110和n+型半導(dǎo)體層111 的界面也需要為良好的歐姆接觸。在此，優(yōu)選使用多室型的CVD裝置， 在不破壞真空狀態(tài)的情況下連續(xù)形成柵極絕緣膜109至n+型半導(dǎo)體層 111。另外，當(dāng)柵極絕緣膜109采用疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，從與I型半導(dǎo)體層110
接近的柵極絕緣膜在不進(jìn)行大氣開放的情況下連續(xù)形成即可。
接下來，如圖2D那樣利用具有遮光部202a和半透過部202b的第 二多級(jí)灰度掩模202，形成具有不同的厚度的光致抗蝕劑112。就是說，在殘留上述I型半導(dǎo)體層110及n+型半導(dǎo)體層111的部分形成其厚度 厚的光致抗蝕劑U2a,在去除上述I型半導(dǎo)體層110及n+型半導(dǎo)體層 111而僅殘留柵極絕緣膜109的部分形成薄的光致抗蝕劑112b。
將光致抗蝕劑112用作為抗蝕劑掩模，進(jìn)行干蝕刻。其結(jié)果，如 圖3A那樣，不使用光致抗蝕劑112覆蓋的部分的透明導(dǎo)電層101露出， 而形成接觸孔113a和113b。該接觸孔113a用于像素TFT和像素電極 105的連接，并且接觸孔113b用于像素電極105和之后形成的保持電 容的上部電極120的連接。
接下來，通過使用灰化處理由光致抗蝕劑112形成光致抗蝕劑 114。這樣通過使用多級(jí)灰度掩模，可以形成光致抗蝕劑114，而不使 用追加的光掩模。將該光致抗蝕劑114用作為抗蝕劑掩模，加工I型 半導(dǎo)體層110及n+型半導(dǎo)體層111?？梢酝ㄟ^使用Ch及02或SFs及02 氣體的RIE模式的干蝕刻法進(jìn)行該加工。
在圖3B中，剝離并去除光抗蝕劑114，而形成I型半導(dǎo)體層110 及n+型半導(dǎo)體層lll的島(island) 115。當(dāng)在掃描線上殘留半導(dǎo)體層 時(shí)，由于要制造的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，有可能產(chǎn)生因光的電流泄漏或 線之間的短路，因此鑒于要制造的半導(dǎo)體裝置的可靠性及工業(yè)上的利 用可能性，優(yōu)選去除不必要的半導(dǎo)體層。以上是使用第二多級(jí)灰度掩 模202的光刻工序。
接下來，圖3c示出通過濺射法形成的第二導(dǎo)電層116、使用第三 光掩模(未圖示)形成的光致抗蝕劑117。在圖4A中利用該光致抗蝕 劑117作為抗蝕劑掩模對(duì)第二導(dǎo)電層116進(jìn)行濕蝕刻。加工了的第二 導(dǎo)電層116形成源電極118、漏電極119、以及保持電容部的上部電極 120。雖然未圖示，但是與此同時(shí)，也形成信號(hào)線。另外，作為第二導(dǎo) 電層116的材料與金屬層102相同，優(yōu)選使用主要成為電極或布線如 鋁等的低電阻金屬材料，可以采用以難熔金屬為阻擋層并中間夾有鋁 的疊層結(jié)構(gòu)，如第一層為鉬(Mo)，第二層為鋁(Al),第三層為鉬 (Mo)的疊層；或第一層為鈦(Ti)，第二層為鋁(Al),第三層為鈦 (Ti);或第一層為鉬(Mo)，第二層為含有微量釹(Nd)的鋁，第三層為鉬(Mo)的疊層。
再者，將光致抗蝕劑117用作為掩模，對(duì)ri+型半導(dǎo)體層111進(jìn)行 干蝕刻而使其分離。分離了的n+型半導(dǎo)體層分別形成源區(qū)域121和漏 區(qū)域122。
在此情況下，如圖4A所示那樣，當(dāng)進(jìn)行源電極118及漏電極119 的濕蝕刻時(shí)，成為源電極119及漏電極119的端部比源區(qū)域121及漏 區(qū)域122的端部后退的臺(tái)階形狀。因此，可以獲得如下效應(yīng)，即在不 增加光掩模的個(gè)數(shù)的情況下，提高后面所說明的保護(hù)絕緣膜123的覆 蓋性；并減少在柵電極107和源電極118及漏電極119之間產(chǎn)生的不 必要的寄生電容。注意，也可以通過干蝕刻形成為非臺(tái)階形狀。
在剝離并去除使用了的光致抗蝕劑117之后，如圖4B那樣形成保 護(hù)絕緣膜123。保護(hù)絕緣膜123如由氮化硅膜或氧氮化硅膜、或者它們 的疊層構(gòu)成。之后，使用第四光掩模(未圖示)形成光致抗蝕劑124。 將該光致掩模124用作為抗蝕劑掩模，對(duì)保護(hù)絕緣膜123和柵極絕緣 膜109進(jìn)行蝕刻。如圖4C那樣,去除保護(hù)絕緣膜123及柵極絕緣膜109， 形成露出像素電極105的開口區(qū)域125和與FPC的接觸孔126。因?yàn)樵?開口區(qū)域125中除了之后形成的取向膜(未圖示)，沒有使光減退的層， 所以可以提高光透過率而實(shí)現(xiàn)高亮度。
圖5A表示與相對(duì)襯底貼合之后的對(duì)于襯底正交地施加電壓的縱電 場(chǎng)方式的液晶面板的截面圖。注意，在圖5中仍然使用與圖1A至4C 共用的標(biāo)記。將透明的相對(duì)襯底500和形成有TFT的襯底100布置為 彼此相對(duì)。在相對(duì)襯底500上形成用于像素TFT和布線的遮光的黑矩 陣501，而分離相鄰的像素并防止光的干涉或來自外部的光的反射。黑 矩陣501由金屬膜或黑色樹脂膜構(gòu)成，但是黑色樹脂膜因?yàn)椴粫?huì)給所 希望的電場(chǎng)分布帶來負(fù)面影響，所以是更優(yōu)選的。將由黑矩陣501分 離的區(qū)域分為紅、藍(lán)、綠而形成彩色濾光片502。
再者，形成由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的相對(duì)電極504，并使其與像素電極 105之間形成電場(chǎng)。形成甩于保持襯底間隔的間隔物505。在相對(duì)襯底 500和形成有TFT的襯底100之間夾有液晶510,密封劑506圍繞襯底的外周而將一對(duì)襯底粘結(jié)，因此在襯底之間密封液晶510。另外，每個(gè) 襯底的與液晶接觸的面上形成有取向膜(未圖示)。在此，為了使相對(duì) 電極504和像素電極105的間隔為一定，在彩色濾光片502和相對(duì)電 極504之間形成由有機(jī)樹脂構(gòu)成的平坦化膜503，來可以防止發(fā)生起因 于電極的凹凸的不均勻的電場(chǎng)。
在形成有TFT的襯底100的端部上形成用于與外部電路連接的端 子連接部?？梢允褂玫谝粚?dǎo)電層形成用于與連接到像素TFT的端子連 接部連接的布線127。另外，在該布線127中形成的接觸孔126中填充 含有導(dǎo)電性粒子507的樹脂密封劑508，而與連接到外部電路的FPC509 電連接。注意，如圖5B所示那樣，布線127可以作為使用第二導(dǎo)電層 的布線128而形成。不管上述任何情況，都可以使用4個(gè)光掩模而制 造端子連接部。
如此，通過使用本發(fā)明，可以使用四個(gè)光掩模工序而形成包括用 于與外部電路連接的端子連接部的有源矩陣襯底。注意，雖然在本實(shí) 施方式中示出了利用四個(gè)光掩模工序而制造圖5A和5B的液晶顯示裝 置的實(shí)例，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于在圖4C的像素電極105上層疊發(fā) 光層、相對(duì)電極而獲取的EL顯示裝置的制造方法。
實(shí)施方式2
接下來，在圖6A至7B中，說明本發(fā)明的三個(gè)光掩模工序。在該 工序中，直到形成源電極及漏電極的工序，與在實(shí)施方式1的圖1A至 4A所示的四個(gè)光掩模工序相同。因此省略其說明。
在圖6A中，在襯底整個(gè)面上通過CVD法形成由氮化硅膜等構(gòu)成的 保護(hù)絕緣膜123。之后，通過利用背面曝光法從襯底的背面進(jìn)行曝光工 序，在存在有第一及第二的導(dǎo)電膜的部分上形成光致抗蝕劑601。在此, 重要的是，因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜以單層而形成，并且不被由第二導(dǎo)電層構(gòu) 成的電極覆蓋的部分透過光，所以不形成光致抗蝕劑。
在圖6B中，對(duì)通過上述的背光曝光形成的光致抗蝕劑601進(jìn)行熱 處理，并且進(jìn)行回流(Re-Flow)處理，而形成將光致抗蝕劑的端部稍 加寬距離AW的光致抗蝕劑602。在此，回流處理是指通過將光致抗蝕劑加熱或放在有機(jī)溶劑的蒸
氣中，來使其形狀變化的方法。圖7A和7B表示在回流處理中的像素 TFT部中的光致抗蝕劑的形狀變化的平面圖。當(dāng)進(jìn)行回流處理時(shí)，在光 致抗蝕劑中產(chǎn)生流動(dòng)性，在圖7A的虛線部701中的光致抗蝕劑向外側(cè) 擴(kuò)廣到圖7B的虛線部702。雖然該現(xiàn)象相應(yīng)于光致抗蝕劑的下面的形 狀，但是根據(jù)如下條件被精密控制，即有機(jī)溶劑的種類、有機(jī)溶劑的 蒸氣的溫度、放在有機(jī)溶劑的蒸氣中的時(shí)間、TFT襯底的溫度等。
在圖6C中，將回流處理了的光致抗蝕劑602用作為抗蝕劑掩模， 加工柵極絕緣膜109及保護(hù)絕緣膜123。因此，由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像 素電極105露出，而形成開口區(qū)域603。另外，因?yàn)樵措姌O及漏電極的 端部或布線的端部被保護(hù)絕緣膜123完全覆蓋，所以提高了元件的可 靠性。因此通過利用背面曝光和回流技術(shù)，可以節(jié)省一個(gè)光掩模，而 可以省略第四次的光刻工序的一部分。
注意，在利用本實(shí)施方式的情況下，也與實(shí)施方式1相同可以形 成用于與外部端子連接的端子連接部。
如此，通過本發(fā)明，可以利用三個(gè)光掩模工序來形成包括用于與 外部電路連接的端子連接部的有源矩陣襯底。注意，在本實(shí)施方式中， 可以利用與實(shí)施方式1相同的材料。
實(shí)施方式3
說明應(yīng)用本發(fā)明的頂柵型TFT的三個(gè)光掩模工序。圖12是根據(jù)實(shí) 施方式3的液晶顯示裝置的TFT襯底的平面圖。由掃描線1201和信號(hào) 線1202分區(qū)的區(qū)域成為一個(gè)像素。位于像素的左下部的是作為像素的 開關(guān)元件的TFT1203。從掃描線1201接受TFT的導(dǎo)通/截止信號(hào)，并且 從信號(hào)線1202接受圖像信號(hào)。TFT和像素電極811電連接，當(dāng)TFT處 于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)來自信號(hào)線的圖像信號(hào)811通過TFT傳送到像素電極。 在像素右上部形成有保持電容1204。保持電容1204具有將輸入到像素 電極811的圖像信號(hào)保持到直到下一個(gè)信號(hào)輸入進(jìn)來之前的功能。在 圖12中，以虛線A-B表示的部分相當(dāng)于圖8A至9C的截面圖。襯底 803在襯底端部中具有與FPC (柔性印刷電路)電連接的端子連接部1205。以虛線C-D表示的部分相當(dāng)于圖8A至9C的端子連接部的截面 圖。
首先，與實(shí)施方式1的圖1A或圖2B相同，利用多級(jí)灰度曝光技 術(shù)加工透明導(dǎo)電層804和金屬層805、金屬層806、金屬層807。接下 來，在其上形成添加有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜、尤其形 成n+型半導(dǎo)體層808。再者，利用背面曝光技術(shù)，僅在加工了的金屬層 805、金屬層806、以及金屬層807的上部殘留光致抗蝕劑809，并且 分別形成像素TFT部800、保持電容部801、端子連接部802 (圖8A)。 在對(duì)該光致抗蝕劑進(jìn)行回流處理之后進(jìn)行蝕刻，而將n+型半導(dǎo)體層808 分成為源區(qū)域和漏區(qū)域(圖8B)。
再者，在襯底的整個(gè)面上形成I型半導(dǎo)體層812之后，通過使用 通常的光掩模僅在像素TFT部上形成光致抗蝕劑813，并且加工n+型半 導(dǎo)體層808和I型半導(dǎo)體層812而獲得如圖8C所示的形狀。在該工序 中，n+型半導(dǎo)體層808及I型半導(dǎo)體層812島化。就是說，去除TFT 部之外的n+型半導(dǎo)體層808及I型半導(dǎo)體層812。當(dāng)在掃描線及掃描線 上殘留半導(dǎo)體層時(shí)，由于要制造的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，有可能產(chǎn)生因 光的電流泄漏或線之間的短路，因此鑒于要制造的半導(dǎo)體裝置的可靠 性及工業(yè)上的利用可能性，優(yōu)選去除上述n+型半導(dǎo)體層808及I型半 導(dǎo)體層812。
之后，形成柵極絕緣膜814、導(dǎo)電層815。而且利用多級(jí)灰度曝光 技術(shù)，形成具有兩種不同的厚度的光致抗蝕劑816。在圖9A中，將厚 的光致抗蝕劑表示為816a，并將薄的光致抗蝕劑表示為816b。接下來， 如圖9B那樣進(jìn)行灰化處理，在像素TFT部800、保持電容部801中殘 留抗蝕劑817，而在本工序中完全去除端子連接部802的光致抗蝕劑。
之后，通過利用抗蝕劑817蝕刻導(dǎo)電層815，形成柵電極819。然 后，在襯底的整個(gè)面上形成保護(hù)絕緣膜818，且通過背面曝光法形成光 致抗蝕劑并在回流處理之后進(jìn)行蝕刻，而形成開口區(qū)域(圖9C)。圖 12是通過到此為止的工序而完成的頂柵型TFT襯底的俯視圖。注意， 在本實(shí)施方式中可以使用與實(shí)施方式1相同的材料。實(shí)施方式4
在實(shí)施方式1中表示了應(yīng)用非晶半導(dǎo)體層的TFT，但是在本發(fā)明的 實(shí)施方式中表示應(yīng)用微晶半導(dǎo)體層的TFT的實(shí)例。圖10示出其截面圖。 在本實(shí)施方式中，采用微晶半導(dǎo)體層110a和非晶半導(dǎo)體層110b的疊 層作為實(shí)施方式1中的I型半導(dǎo)體層110。注意，在此所說明的方式可 以應(yīng)用于實(shí)施方式1至實(shí)施方式3的任一方式中。
微晶半導(dǎo)體層110a用作溝道。通過利用幾十MHz至幾百M(fèi)Hz的頻 率的高頻等離子體CVD法或lGHz以上的頻率的微波等離子體CVD裝置， 可以形成微晶半導(dǎo)體層110a。典型的是，使用氫稀釋Si仏、Si孔等的 氫化硅而形成。另外除了氫化硅和氫之外，還可以使用選自氦、氬、 氪、氖中的一種或多種的稀有氣體元素進(jìn)行稀釋而形成微晶半導(dǎo)體膜。 此時(shí)，氫的流量比設(shè)定為氫化硅的5倍以上且,200倍以下，優(yōu)選為50 倍以上且150倍以下，更優(yōu)選為100倍。注意，也可以釆用SiH2Cl2、 SiHCl,、 SiCl" Si民等，而代替氫化硅。另外，非晶半導(dǎo)體層110b利 用實(shí)施方式1所示的I型半導(dǎo)體層110即可，當(dāng)要減少TFT的截止電 流、防止微晶半導(dǎo)體層110a的氧化、以及形成源區(qū)域或漏區(qū)域時(shí)，非 晶半導(dǎo)體層110b用作緩沖層。
另外，可以采用n+型微晶半導(dǎo)體層(未圖示)，而代替實(shí)施方式l 中的n+型半導(dǎo)體層111。這樣，可以將溝道和源電極或漏電極之間的寄 生電阻抑制為低，因此可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電流的提高。
實(shí)施方式5
作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置以及電子設(shè)備，可以舉出以下電視機(jī)、 攝像機(jī)、數(shù)字相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭盔式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲 音再現(xiàn)裝置(汽車音響、音響組件等)、筆記本式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便 攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、便攜式電話、便攜式游戲機(jī)、電子書籍 等)、以及配備有記錄媒體的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體地說是能夠再現(xiàn)數(shù)字 通用盤(DVD)等記錄媒體且包括顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖 13A至14示出這種電子設(shè)備的具體例子。
圖13A是一種數(shù)字相機(jī)，包括主體2000、顯示部2001、攝像部、操作鍵2002、以及快門按鈕2003等。注意，圖13A是從顯示部2001 一側(cè)看到的圖，因此不顯示攝像部。根據(jù)本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)具有更廉價(jià) 的顯示部且可靠性高的數(shù)字相機(jī)。
圖l犯是一種筆記本式計(jì)算機(jī)，包括主體2004、框體2005、顯示 部2006、鍵盤2007、外部連接端口 2008、以及定位裝置2009等。根 據(jù)本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)具有更廉價(jià)的顯示部且可靠性高的筆記本式計(jì)算 機(jī)。
圖13C是一種具備記錄媒體的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(具體地說是 例如DVD再現(xiàn)裝置)，包括主體2010、框體20U、顯示部A2012、顯示 部B2013、記錄媒體(DVD等)讀取部2014、操作鍵2015、以及揚(yáng)聲 器部2016等。顯示部A2012主要顯示圖像信息，而顯示部B2013主要 顯示文字信息。此外，具備記錄媒體的圖像再現(xiàn)裝置包括家用游戲機(jī) 等。根據(jù)本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)具有更廉價(jià)的顯示部且可靠性高的圖像再現(xiàn) 裝置。
另外，圖13D是一種顯示裝置，包括框體2017、支撐臺(tái)2018、顯 示部2019、揚(yáng)聲器部2020、視頻輸入端子2021等。通過將利用上述 實(shí)施方式所示的制造方法形成的TFT應(yīng)用于上述顯示部2019及驅(qū)動(dòng)電 路而制造該顯示裝置。注意，顯示裝置包括液晶顯示裝置、發(fā)光裝置 等，具體包括所有信息顯示用顯示裝置，如用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、電視廣 播接收、以及廣告顯示等顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)具有更廉價(jià) 的顯示部且可靠性高的顯示裝置，尤其是具有22英寸至50英寸的大 屏幕的大型顯示裝置。
另外，圖14表示是一種便攜式電話機(jī)3000,其中主體(A) 3001 和主體(B) 3002使用鉸鏈3010以可以打開和關(guān)閉的方式彼此連接， 該主體(A) 3001具備操作開關(guān)類3004、麥克風(fēng)3005等，上述主體(B) 3002具備顯示面板(A) 3008、顯示面板(B) 3009、揚(yáng)聲器3006等。 顯示面板(A) 3008和顯示面板(B) 3009與電路襯底3007 —起收納 到主體(B) 3002的框體3003中。將顯示面板(A) 3008及顯示面板 (B) 3009的像素部布置為可以從形成在框體3003中的窗口看到。根據(jù)該便攜式電話機(jī)3000的功能，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定顯示面板(A) 3008和顯示面板(B) 3009的像素等的規(guī)格。例如，可以以顯示面板 (A) 3008為主屏幕，以顯示面板(B) 3009為子屏幕而組合。
根據(jù)本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)具有更廉價(jià)的顯示部且可靠性高的便攜式信 息終端。
根據(jù)本實(shí)施方式的便攜式電話機(jī)3000，按照其功能和用途可以變 化為各種模式。例如，將攝像元件安裝到鉸鏈3010的部分中來實(shí)現(xiàn)裝 配有照相機(jī)的便攜式電話機(jī)。另外，即使采用將操作開關(guān)類3004、顯 示面板(A) 3008、顯示面板(B) 3009容納在一個(gè)框體中的結(jié)構(gòu)，也 可以發(fā)揮上述功能。另外，當(dāng)將本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于具備多個(gè)顯 示部的信息顯示終端時(shí)，也可以獲得同樣的效果。
如上所述，通過實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式1至4中任一種的制造方 法，可以完成各種各樣的電子設(shè)備。
本說明書根據(jù)2007年10月23日在日本專利局受理的日本專利 申請(qǐng)編號(hào)2007-275782而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在絕緣襯底上形成由透明導(dǎo)電層及金屬層的疊層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層；通過應(yīng)用第一多級(jí)灰度掩模，形成第一抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第一抗蝕劑蝕刻所述透明導(dǎo)電層及所述金屬層形成柵電極及成為像素電極的像素區(qū)域；以在所述柵電極上殘留所述第一抗蝕劑的一部分的方式使所述第一抗蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第一抗蝕劑蝕刻所述像素區(qū)域上的所述金屬層，形成使用所述透明導(dǎo)電層而形成的所述像素電極；在所述絕緣襯底上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層；通過應(yīng)用第二多級(jí)灰度掩模形成第二抗蝕劑；蝕刻所述像素電極上的所述柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、以及所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層來形成接觸孔；以在所述柵電極上殘留所述第二抗蝕劑的一部分的方式使所述第二抗蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第二抗蝕劑蝕刻所述半導(dǎo)體層及所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層，來形成與所述柵電極重疊的島狀的所述半導(dǎo)體層及所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層；在所述絕緣襯底上形成第二導(dǎo)電層；通過應(yīng)用第三掩模形成第三抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第三抗蝕劑蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成源電極及漏電極，并且還蝕刻所述島狀的含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層來形成源區(qū)域及漏區(qū)域；在所述絕緣襯底上形成保護(hù)膜；通過應(yīng)用第四掩模形成第四抗蝕劑；以及通過應(yīng)用所述第四抗蝕劑蝕刻所述像素電極上的所述柵極絕緣膜及所述保護(hù)膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述半導(dǎo) 體裝置包括與所述像素電極連接的保持電容，并且所述保持電容的上 部電極使用與所述柵電極及所述漏電極相同的材料而形成，并且所述 保持電容的下部電極使用與所述柵電極相同材料而形成。
3. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括-在絕緣襯底上形成由透明導(dǎo)電層及金屬層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層； 通過應(yīng)用第一多級(jí)灰度掩模形成第一抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第一抗蝕劑蝕刻所述透明導(dǎo)電層及所述金屬層形成 柵電極及成為像素電極的像素區(qū)域；以在所述柵電極上殘留所述第一抗蝕劑的一部分的方式使所述第 一抗蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第一抗蝕劑蝕刻所述像素區(qū)域上的所述金屬 層，形成由所述透明導(dǎo)電層構(gòu)成的所述像素電極； 在所述絕緣襯底上形成柵極絕緣膜； 在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層；通過應(yīng)用第二多級(jí)灰度掩模形成第二抗蝕劑，使用所述第二抗蝕劑蝕刻所述像素電極上的所述柵極絕緣膜、所 述半導(dǎo)體層、以及所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層來形 成接觸孔；以在所述柵電極上殘留所述第二抗蝕劑的一部分的方式使第二抗 蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第二抗蝕劑蝕刻所述半導(dǎo)體層及所述含有賦 予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層，來形成與所述柵電極重疊的島狀的所述半導(dǎo)體層及所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層； 在所述絕緣襯底上形成第二導(dǎo)電層； 通過應(yīng)用第三掩模形成第三抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第三抗蝕劑蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成源電極及所述 漏電極，并且還蝕刻所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層形 成源區(qū)域及漏區(qū)域；在所述絕緣襯底上形成保護(hù)膜；通過背面曝光法在所述柵電極、所述源電極及所述漏電極上形成 第四抗蝕劑，并且通過對(duì)所述第四抗蝕劑進(jìn)行回流處理，使所述第四 抗蝕劑的形狀變化為覆蓋所述源電極及所述漏電極的端部；以及蝕刻所述像素電極上的所述柵極絕緣膜及所述保護(hù)膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述半導(dǎo)體裝置包括與像素電極連接的保持電容，并且所述保持電容的上部電 極使用與所述源電極及所述漏電極相同的材料而形成，并且所述保持 電容的下部電極使用與所述柵電極相同材料而形成。
5. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在絕緣襯底上形成由透明導(dǎo)電層及金屬層的疊層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層；通過應(yīng)用第一多級(jí)灰度掩模形成第一抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第一抗蝕劑蝕刻所述透明導(dǎo)電層及所述金屬層形成 源電極、漏電極、以及成為像素電極的像素區(qū)域；以在所述源電極及所述漏電極上殘留所述第一抗蝕劑的一部分的 方式使所述第一抗蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第一抗蝕劑蝕刻所述像素區(qū)域上的所述金屬 層，形成由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極；在所述絕緣襯底上形成含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層；通過背面曝光法在所述源電極及所述漏電極上形成第二抗蝕劑， 并且通過對(duì)所述第二抗蝕劑進(jìn)行回流處理，使所述第二抗蝕劑的形狀變化為覆蓋所述源電極及漏電極的端部；通過應(yīng)用所述第二抗蝕劑蝕刻所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素 的半導(dǎo)體層；在所述絕緣襯底上形成半導(dǎo)體層；通過應(yīng)用第二掩模形成第三抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第三抗蝕劑，以在所述源電極和所述漏電極之間且 在所述源電極和所述漏電極上存在有所述含有賦予一導(dǎo)電性的雜質(zhì)元 素的半導(dǎo)體層及所述半導(dǎo)體層的方式進(jìn)行蝕刻；在所述絕緣襯底上形成柵極絕緣膜及導(dǎo)電膜；通過應(yīng)用第三多級(jí)灰度掩模形成第四抗蝕劑；通過應(yīng)用所述第四抗蝕劑蝕刻所述柵極絕緣膜及所述導(dǎo)電膜形成 島狀的導(dǎo)電膜；以在所述半導(dǎo)體層上殘留所述第四抗蝕劑的一部分的方式使所述 第四抗蝕劑灰化；通過應(yīng)用殘留的所述第四抗蝕劑蝕刻所述島狀的導(dǎo)電膜形成柵電極；在所述絕緣襯底上形成保護(hù)膜；通過背面曝光法在所述柵電極、所述源電極及漏電極上形成第五 抗蝕劑；通過對(duì)所述第五抗蝕劑進(jìn)行回流處理，使所述第五抗蝕劑的形狀變化為覆蓋所述柵極絕緣膜；以及通過應(yīng)用所述第五抗蝕劑蝕刻所述像素電極上的所述保護(hù)膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述半導(dǎo)體裝置包括與像素電極連接的保持電容，并且所述保持電容的上部電極使用與所述柵電極相同的材料而形成，并且所述保持電容的下部電極使用與所述源電極及所述漏電極相同材料而形成。
全文摘要
本發(fā)明的制造方法包括如下工序在襯底上形成由透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層構(gòu)成的第一導(dǎo)電層，并且使用第一多級(jí)灰度掩模來形成由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的柵電極和由單層的透明導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極；在形成柵極絕緣膜和I型半導(dǎo)體層和n⁺型半導(dǎo)體層之后使用第二多級(jí)灰度掩模形成像素電極中的接觸孔及I型半導(dǎo)體層和n⁺型半導(dǎo)體層的島；在形成第二導(dǎo)電層之后使用第三光掩模形成源電極及漏電極；在形成保護(hù)膜之后使用第四光掩模來形成開口區(qū)域。注意，該使用第四光掩模的工序可以通過使用背面曝光技術(shù)及回流技術(shù)而省略掩模。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101419945SQ20081017503
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2008年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月23日
發(fā)明者千葉陽子, 細(xì)谷邦雄, 藤川最史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所