專利名稱：具有提高的亮度的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體而言，涉及一種提供用于驅(qū)動(dòng)顯示裝 置的電壓的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在市面上不同類型的高端(alt)屏板顯示器中，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 以其自身優(yōu)勢(shì)而風(fēng)靡，例如，其驅(qū)動(dòng)電壓要求低、厚度薄、重量輕、視角寬 并且響應(yīng)時(shí)間快。
在OLED基板上提供多個(gè)驅(qū)動(dòng)OLED的薄膜晶體管(TFT)。形成像素的 陽極電極和起著基準(zhǔn)電壓作用的陰極電極位于所述TFT上。如果向兩個(gè)電極 施加電壓，那么空和電子將復(fù)合產(chǎn)生激子。當(dāng)在插置于兩電極之間的光發(fā) 射層內(nèi)躍遷至基態(tài)時(shí)，激子發(fā)光。OLED調(diào)整所發(fā)射的光以顯示圖像。
所述多個(gè)TFT形成于OLED基板上，并且起著連接至數(shù)據(jù)線的開關(guān)晶 體管和連接至電源線的驅(qū)動(dòng)晶體管的作用。典型地，為每一像素提供一個(gè) TFT。
電源線向像素施加驅(qū)動(dòng)電壓，由此使空穴和電子遷移到光發(fā)射層中。通 過由柵極金屬材料構(gòu)成的焊盤施加所述電壓。所述焊盤形成于數(shù)據(jù)扇出(fan out)區(qū)之間，在數(shù)據(jù)輸出區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù)線匯聚于基板的非顯示區(qū)內(nèi)。由此，在未 形成數(shù)據(jù)線的部分向電源線^:供驅(qū)動(dòng)電壓。由于空間的限制，可能無法向電 源線均勻地提供驅(qū)動(dòng)電壓。
在無法均勻地向電源線提供驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，將使顯示裝置的亮度受到影 響。因此，需要一種在沒有特殊限制的情況下施加驅(qū)動(dòng)電壓的方法
發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明是一種顯示裝置，包括多條電源線；電連接到所述電 源線的第一端部的電源條；向所述電源條l^供驅(qū)動(dòng)電壓的電源焊盤；以及形 成于所述電源條和所述電源焊盤中的接觸孔。橋接電極通過所述接觸孔連接 所述電源條和所述電源焊盤。
根據(jù)本發(fā)明，所述電源條和所述電源焊盤是一體的(integrated )。 根據(jù)本發(fā)明，所述顯示裝置包括連接所述電源線的第二端部的電壓供應(yīng)
單元(
根據(jù)本發(fā)明，所述電壓供應(yīng)單元和所述橋接電極相對(duì)于一軸對(duì)稱設(shè)置:
間沿與
同的方向延伸。 根據(jù)本發(fā)明 根據(jù)本發(fā)明之一。
根據(jù)本發(fā)明 根據(jù)本發(fā)明
所述橋接電極包括至少兩個(gè)金屬層。 所述橋接電極至少包括鋁(A1)、銀(Ag)、鈣(Ca)和鋇(Ba)
所述橋接電極的厚度處于大約0.5岬到大約1卿的范圍內(nèi) 所述顯示裝置還包括柵極線；垂直于所述柵極線延伸的 數(shù)據(jù)線；開關(guān)晶體管，其設(shè)置于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處，并提供 數(shù)據(jù)電壓；連接至所述電源線和所述像素電極的驅(qū)動(dòng)晶體管；形成于所述像 素電極上的光發(fā)射層；以及形成于所述光發(fā)射層上的公共電極。 根據(jù)本發(fā)明，所述橋接電極由與所述公共電極相同的層形成。 根據(jù)本發(fā)明，所述顯示裝置還包括向所述公共電極施加公共電壓的公共 電壓施加焊盤。
根據(jù)本發(fā)明，所述公共電壓施加焊盤至少位于所述顯示裝置的顯示區(qū)的 一側(cè)。
域，且所述橋接電極形成于所述突起區(qū)域之間。
根據(jù)本發(fā)明，所述數(shù)據(jù)線至少設(shè)置于所述電源坪盤和所述電源條之間的
部分上，并且其中，所述顯示裝置還包括設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極
之間的有機(jī)絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明，所述有機(jī)絕緣層的厚度處于大約1 wm到大約7卿的范圍內(nèi)。 另一方面，本發(fā)明是一種顯示裝置，包括多條電源線；向所述電源線
提供驅(qū)動(dòng)電壓的電源焊盤；形成于所述電源線和所述電源焊盤中的接觸孔；以及通過所述接觸孔連接所述電源線和所述電源焊盤的橋接電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述顯示裝置還包括柵極線；與所述柵極線 交叉的數(shù)據(jù)線；開關(guān)晶體管，其設(shè)置于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處， 并提供數(shù)據(jù)電壓；連接至所述電源線的驅(qū)動(dòng)晶體管；連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管 的像素電極；形成于所述像素電極上的光發(fā)射層；以及形成于所述光發(fā)射層 上的公共電極。
又一方面，本發(fā)明是一種顯示裝置，包括多條電源線；電連接到所述 電源線的第 一端部的電源條；以及向所述電源條提供驅(qū)動(dòng)電壓的電源焊盤。 所述電源焊盤具有形成于其中的接觸孔。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，所述顯示裝置還包括通過所述接觸孔連接所 述電源條和所述電源焊盤的橋接電極。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，所述接觸孔是多個(gè)接觸孔之一。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述顯示裝置還包括柵極線；與所述柵極線 交叉的數(shù)據(jù)線；開關(guān)晶體管，其設(shè)置于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處， 并接收數(shù)據(jù)電壓；連接至所述電源線和所述像素電極的驅(qū)動(dòng)晶體管；形成于 所述像素電極上的光發(fā)射層；以及形成于所述光發(fā)射層上的公共電極，其中， 所述橋接電極由與所述公共電極相同的層形成。
又一方面，本發(fā)明是一種具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)的顯示裝置。所述顯示 裝置包括多條電源線；電壓供應(yīng)單元，其具有在所述非顯示區(qū)中沿第一方 向延伸的第一子部分和多個(gè)第二子部分，所述多個(gè)第二子部分連接至所述非 顯示區(qū)內(nèi)的所述第一子部分并且與所述電源線電連接；形成于電壓供應(yīng)單元 內(nèi)的接觸孔；以及通過所述接觸孔連接所述電源線和所述電源焊盤的橋接電 極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述顯示裝置還包括柵極線；垂直于所述柵 極線延伸的數(shù)據(jù)線；開關(guān)晶體管，其設(shè)置于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉 處，并提供數(shù)據(jù)電壓；連接至所述電源線和所述像素電極的驅(qū)動(dòng)晶體管；形 成于所述像素電極上的光發(fā)射層；以及形成于所述光發(fā)射層上的公共電極， 其中，所述橋接電極由與所述公共電極相同的層形成。
才艮據(jù)本發(fā)明的又一方面，所述電壓供應(yīng)單元由與所述4冊(cè)極線相同的層形成。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，所述第二子部分彼此分隔規(guī)則的預(yù)定距離。


通過下文中結(jié)合附圖對(duì)示范性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方
面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，并且更易理解，在附圖中 圖l是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的示意圖； 圖2為圖1中的區(qū)域C的放大圖； 圖3是沿圖2中的m-III線得到的截面圖； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的橋接電極和公共電極； 圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素的等效電路圖； 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的橋接電極和公共電極； 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的橋接電極和公共電極；以及 圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的顯示裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在附圖中示出了所述實(shí)施例的 實(shí)例，其中，始終以類似的附圖標(biāo)記表示類似的元件。在下文中將參考附圖 描述用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。
在下述實(shí)施例中，將描述作為OLED裝置的顯示裝置。但是，這并不是 對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的原理適用于除OLED以外的其他顯示裝置。任何 由用于為光發(fā)射層提供電力的電源線驅(qū)動(dòng)的顯示裝置均落在這些實(shí)施例的 范圍內(nèi)。
將參考圖1到圖5描述本發(fā)明第一實(shí)施例。如圖所示，顯示裝置具有顯 示區(qū)A,顯示區(qū)A具有多個(gè)像素。在圖示的實(shí)施例中，顯示區(qū)A與像素一 樣具有矩形形狀。由沿第一方向延伸的柵極線110和沿垂直于第一方向的第 二方向延伸的電源線130界定像素。
所述顯示裝置還包括與顯示區(qū)A鄰接的非顯示區(qū)B。在非顯示區(qū)B的 側(cè)面形成柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)。柵極驅(qū)動(dòng)電 路連接至柵極線110的端部，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接至數(shù)據(jù)線120的端部，由此 將從外部信號(hào)源接收的信號(hào)施加至柵極線IIO和數(shù)據(jù)線120?？梢酝ㄟ^諸如 玻璃上芯片(COG)法、帶載封裝(TCP)法、膜上芯片(COF)法等接合方法將柵 極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接至薄膜晶體管(TFT)基板。COG法要求將驅(qū)動(dòng)部分直接安裝在TFT基板上。TCP法則要求在將驅(qū)動(dòng)電路安裝到TFT基 板上之前使驅(qū)動(dòng)電路附著于聚合物膜。COF法要求使安裝到驅(qū)動(dòng)電路基板上 的驅(qū)動(dòng)部分附著于TFT基板。顯示區(qū)A中的柵極線110和數(shù)據(jù)線120延伸 至顯示區(qū)A之外，從而通過柵極焊盤(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤(未示出)連接 至柵極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。分別在柵極線IIO和數(shù)據(jù)線120連接至柵 極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域內(nèi)形成柵極線IIO之間的距離發(fā)生變化的 柵極扇出區(qū)113和數(shù)據(jù)線120之間的距離發(fā)生變化的數(shù)據(jù)扇出區(qū)123。
在非顯示區(qū)B內(nèi)形成電源條150、電源焊盤140和電壓供應(yīng)單元160。 將電源條150連接至電源線130的一個(gè)端部，電源焊盤140向電源條150提 供驅(qū)動(dòng)電壓，電壓供應(yīng)單元160連接至電源線130的另一端部。在電源條150 和電源焊盤140內(nèi)形成多個(gè)接觸孔141和151,使得電源條150和電源焊盤 140電連接至第一橋接電極170。
現(xiàn)在將參考圖5描述所述顯示裝置中的像素的等效電路。
如圖5所示， 一個(gè)像素包括開關(guān)晶體管50、驅(qū)動(dòng)晶體管60和像素電極 70，其中，開關(guān)晶體管50電連接至柵極線110之一和數(shù)據(jù)線120之一，驅(qū) 動(dòng)晶體管60電連接至開關(guān)晶體管50的源電極S和電源線130之一，像素電 極70從物理和電的角度連接至驅(qū)動(dòng)晶體管60。所述像素包括響應(yīng)于通過像 素電才及70施加的電壓而發(fā)光的光發(fā)射層80。
柵極線110相互平行并且垂直于數(shù)據(jù)線120和電源線130設(shè)置。柵極線 110、數(shù)據(jù)線120和電源線130界定像素。柵極金屬層包括柵極線110和各 晶體管50和60的柵電極G，其可以是單層或多層的。柵極線110向連接至 柵極線110的開關(guān)晶體管50施加?xùn)艠O導(dǎo)通/截止電壓。
數(shù)據(jù)金屬層包括與柵極線110交叉的數(shù)據(jù)線120、各晶體管50和60的 漏電極D和源電極S，并且其與柵極金屬層絕緣。數(shù)據(jù)線120向開關(guān)晶體管 50施加it據(jù)電壓。
電源線130以平行于數(shù)據(jù)線120并且與柵極線110交叉的方式設(shè)置，以 形成具有矩陣陣列形式的像素。電源線130通常形成于與數(shù)據(jù)金屬層的數(shù)據(jù) 線120相同的層上。如圖所示，電源線130的一個(gè)端部連接到電源條150， 另一個(gè)端部連接到電壓供應(yīng)單元160。電源線130向驅(qū)動(dòng)晶體管60提供某一 電平的驅(qū)動(dòng)電壓。
在每一個(gè)像素內(nèi)設(shè)置一條電源線130,但是兩個(gè)像素可以共享電源線。換言之，可以通過單條電源線130向鄰接該條電源線130設(shè)置的兩個(gè)像素提 供驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)兩個(gè)像素共享電源線時(shí)，電源線130的數(shù)量減少，簡(jiǎn)化了制 造工藝。而且，降低了施加電壓的區(qū)域的尺寸，因此，也減弱了電磁干擾。
開關(guān)晶體管50具有從柵極線110的一部分內(nèi)突出出來的柵電極G，耦 合至數(shù)據(jù)線120的漏電極D，與漏電極D隔開的源電極S,在漏電極D和源 電極S之間形成的半導(dǎo)體層(未示出)。將施加到柵極線110上的柵極導(dǎo)通 電壓傳輸至開關(guān)晶體管50的柵電極G。當(dāng)導(dǎo)通柵電極G時(shí)，通過漏電極D 將由數(shù)據(jù)線120傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓施加至源電極S。
驅(qū)動(dòng)晶體管60根據(jù)提供給柵電極G的數(shù)據(jù)電壓調(diào)整漏電極D和源電極 S之間的電流。通過源電極S施加至像素電極70的電壓對(duì)應(yīng)于由柵電極G 提供的數(shù)據(jù)電壓和由漏電極D提供的驅(qū)動(dòng)電壓之間的差值。
在驅(qū)動(dòng)晶體管60的漏電極D和像素電極70之間形成鈍化層(未示出)， 在鈍化層內(nèi)形成將漏電極D電連接至像素電極的接觸孔(未示出)。像素電 極70起著向光發(fā)射層80提供空穴的陽極的作用。
在像素之間形成由有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)絕緣層。所述有機(jī)絕緣層防止相 鄰的像素電極70之間短路，并將像素相互隔開。
在顯示區(qū)A的前表面上設(shè)置公共電極180。光發(fā)射層80中的電流通過 7>共電才及180逸出。
在下文中，將參考圖2和圖3描述圖1的區(qū)域C。
如圖2所示，數(shù)據(jù)線120和電源線130相互平行延伸，其中，數(shù)據(jù)線120 形成數(shù)據(jù)扇出區(qū)123。
在顯示裝置的顯示區(qū)A的整個(gè)前表面內(nèi)形成公共電極180。
電源線130通過非顯示區(qū)內(nèi)的第二橋接電極155電連接到電源條150。 為了連接設(shè)置于不同金屬層內(nèi)的電源線130和電源條150，電源線130和電 源條150分別具有接觸孔131和153。連接電源線130和電源條150的第二 橋接電極155包括諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料，并 且通常形成于與像素電極70相同的層上。
與電源線130電連接的電源條150還被電連接到電源焊盤140。通常， 電源條150和電源焊盤140含有柵極金屬材料并且作為單個(gè)整體形成于同一 層上。換言之，在對(duì)柵極金屬層構(gòu)圖時(shí)，同時(shí)形成電源條150和電源焊盤140。 通過沿非顯示區(qū)B的第一方向延伸的電源條150向電源線130提供驅(qū)動(dòng)電區(qū)B內(nèi)的電源條150上。如圖所示，電源坪 盤140具有一端比另一端寬的漏斗狀。
在常規(guī)下，就這種情況而言，電源條150和電源焊盤140僅在數(shù)據(jù)扇出 區(qū)123之間的狹窄空間內(nèi)連接。也就是說，僅能通過所述的狹窄空間向電源 條150傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。這一構(gòu)造可能是不利的，例如，其導(dǎo)致電瓶頸狀況， 阻礙向跨越寬闊區(qū)域設(shè)置的電源線130均勻、快速的傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。
有人嘗試通過提高驅(qū)動(dòng)電壓條150的厚度來降低由所述瓶頸現(xiàn)象導(dǎo)致的 高電阻。但是，在這樣做以后，柵極金屬層的電源條150與數(shù)據(jù)金屬層的數(shù) 據(jù)線120的更大部分重疊。這一增大的重疊的問題在于，其增大了在電源條 150和數(shù)據(jù)線120之間發(fā)生短路的可能性，并且在金屬層之間產(chǎn)生寄生電容。 隨著寄生電容的增大，施加至數(shù)據(jù)線120的圖像信號(hào)可能變得失真和劣化。
根據(jù)本實(shí)施例的電源焊盤140和電源條150通過多個(gè)接觸孔141和151 以及第一橋接電極170相互電連接。也就是說，電源焊盤140和電源條150 不僅相互物理連接而且還通過第一橋接電極170相互連接，由此增加了傳輸 驅(qū)動(dòng)電壓的面積。增大的電壓傳輸面積實(shí)現(xiàn)了對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的快速傳輸，降寸氐 了由高電阻引起的電流量。而且，減弱了由空間限制導(dǎo)致的瓶頸效應(yīng)，防止 任何由高電流產(chǎn)生的熱量引起的光發(fā)射層的剝落(lifting)。最后，均勻的驅(qū) 動(dòng)電壓提高了顯示裝置的整體亮度。
具有多個(gè)接觸孔141和151。接觸孔141、 151越多，電源焊盤140和電 源條150之間的驅(qū)動(dòng)電壓的傳輸越有效。
接電極170。也就是說，第 一橋接電極170由與公共電極180相同的材料構(gòu) 成，并且在對(duì)公共電極180構(gòu)圖時(shí)，使其與公共電極180間隔大約幾微米(卿) 的距離。例如，第一橋接電極170可以由鋁(A1)、銀(Ag)、鈣(Ca)和鋇(Ba) 中的至少一種構(gòu)成，并且其可以是單層或多層。
盡管未示出，還在連接至電源線130的另一端的電壓供應(yīng)單元160附近 形成第 一橋接電極170?？梢韵鄬?duì)于顯示區(qū)A大致對(duì)稱地形成位于電源條150 處的第一橋接電極170和位于電壓供應(yīng)單元160處的橋接電極。但是，電壓 供應(yīng)單元160的形狀可以不同于電源條150的形狀，因?yàn)殡妷汗?yīng)單元160 不與非顯示區(qū)B內(nèi)的數(shù)據(jù)扇出區(qū)123共享空間。如圖l所示，電壓供應(yīng)單元 160像柵極線IIO—樣沿第一方向延伸。在一些實(shí)施例中，可以將電壓供應(yīng)單元160劃分為多個(gè)區(qū)域。如果電壓供應(yīng)單元160的形狀發(fā)生改變，可以調(diào) 整第一橋接電極170的形狀，從而與電壓供應(yīng)單元160的形狀基本匹配。所 述匹配的形狀使電阻均勻。
此外，第一橋接電極170可以包括與每條電源線130上的圖案匹配的圖 案。其作用是向每條電源線130施加驅(qū)動(dòng)電壓。
圖3是沿圖2中的m-III線得到的截面圖。在絕緣基板10上形成由柵極 金屬層構(gòu)成的電源焊盤140和電源條150。
由氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的柵極絕緣層20覆蓋柵極金屬層。柵極絕緣層 20使柵極金屬層與數(shù)據(jù)金屬層電絕緣。
在電源焊盤140和電源條150之間延伸的數(shù)據(jù)線120以及由數(shù)據(jù)金屬材 料構(gòu)成的電源線130由與數(shù)據(jù)線120相同的層形成。
在柵極絕緣層20和數(shù)據(jù)金屬層上形成鈍化層30。鈍化層30包括氮化硅 (SiNx)和/或有機(jī)材料。鈍化層30具有延伸至電源焊盤140的接觸孔141a和 141b、延伸至電源條150的接觸孔151和153以及延伸至電源線130的接觸 孔131。
電源條150和電源線130通過接觸孔153和131連接到第二橋接電極 155。通過第二橋接電極155將驅(qū)動(dòng)電壓從電源條150傳輸至電源線130。
有機(jī)絕緣層40設(shè)置于鈍化層30上，其比其他絕緣層或鈍化層30厚。 有機(jī)絕緣層40具有比無機(jī)絕緣層低的電阻。有機(jī)絕緣層40的厚度d2優(yōu)選處 于大約1,到7,的范圍內(nèi)，從而防止在柵極金屬層和數(shù)據(jù)金屬層之間發(fā)生 短路，并防止在金屬層之間產(chǎn)生寄生電容。但是，可以根據(jù)顯示裝置的尺寸 和有機(jī)絕緣層40的特性而調(diào)整厚度d2。
有機(jī)絕緣層40具有延伸至電源焊盤140的接觸孔141a和141b以及延 伸至電源條150的接觸孔151，這些接觸孔141a、 141b、 151是穿過鈍化層 30的相同的接觸孔。
第一橋接電極170和公共電極180設(shè)置于有機(jī)絕緣層40上的同一水平 高度上。通常公共電極180包括諸如鋁(A1)、銀(Ag)、鈣(Ca)或鋇(Ba)的不透 明材料。如上所述，可以將第一橋接電極170形成為至少兩個(gè)金屬層。通常， 公共電極180厚度在其為單層時(shí)處于大約5000A到7000A的范圍內(nèi)。但是， 當(dāng)采用多層時(shí)，這一范圍可以發(fā)生變化。例如，在下部設(shè)置具有低電阻的金 屬，在上部設(shè)置具有良好穩(wěn)定性的金屬可以對(duì)第一橋接電極170產(chǎn)生穩(wěn)定化效果。因此，在這種情況下，橋接電極170的厚度dW尤選處于大約0.5,到 1 ,的范圍內(nèi)。使第一橋接電極170與公共電極180間隔處于幾卿到幾mm 范圍內(nèi)的距離。
公共電極180含有具有低功函數(shù)的金屬，從而向光發(fā)射層80內(nèi)有效注 入電子。公共電極180可以含有透明導(dǎo)電材料，例如像素電極70內(nèi)的材料。 在這種情況下，光可以通過與絕緣基板10相對(duì)的表面出射，這與本實(shí)施例 中光通過絕緣基板10出射不同。
所述顯示裝置還可以包括鈍化層(未示出)，以保護(hù)第一橋接電極170 和公共電極180。
圖4是示出根據(jù)本實(shí)施例的橋接電極和公共電極的顯示裝置的平面圖。 如圖4所示，第一橋接電極170沿柵極線110的方向延伸，并在同一層上與 公共電極180間隔預(yù)定距離。
在絕緣基板10上形成線110、 120和130、電源焊盤140以及電源條150, 第一橋接電極170由與公共電極180相同的材料構(gòu)成。如上所述，形成基本 與第一橋接電極170對(duì)稱的電壓供應(yīng)單元160，并在它們之間設(shè)置公共電極 180。
第一公共電壓施加焊盤181設(shè)置于絕緣基板10的右側(cè)，并向公共電極 180施加公共電壓。第一公共電壓施加焊盤181通常由柵極金屬層構(gòu)成，并 且在對(duì)柵極金屬層構(gòu)圖時(shí)獨(dú)立于電源焊盤140而形成于非顯示區(qū)內(nèi)。第一公 共電壓施加焊盤181通過多個(gè)接觸區(qū)域連接至公共電極180，由外接電源向 第一公共電壓施加焊盤181獨(dú)立提供公共電壓。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的平面圖。圖6中的第一橋接 電極171和電壓供應(yīng)單元161不同于圖4所示的實(shí)施例的第一橋接電4及170 和電壓供應(yīng)單元160。
將第一橋接電極171劃分為間隔預(yù)定距離的多個(gè)子部分。將臨近數(shù)據(jù)線 120排列的電源線130連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路和第一橋接電極171的子部分。 也就是說，在數(shù)據(jù)扇出區(qū)123之間使第一橋接電極171的每一子部分間隔預(yù) 定距離?？梢栽谝愿鞣N方式對(duì)公共電極180和第一橋接電極171構(gòu)圖的情況 下完成這一構(gòu)造。因此，公共電極180和第一橋接電極171可以根據(jù)對(duì)其構(gòu) 圖的方式而具有各種任意形狀。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電壓供應(yīng)單元161具有與第 一橋接電極171相同的構(gòu)造，并且基本與第一橋接電極171對(duì)稱設(shè)置，從而使施加驅(qū)動(dòng) 電壓時(shí)產(chǎn)生的電阻程度均衡。換言之，將驅(qū)動(dòng)電壓供應(yīng)單元161劃分為間隔 預(yù)定距離的多個(gè)子部分。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的橋接電極和公共電極的顯示裝置的 平面圖。如圖7所示，沿矩形顯示區(qū)A的每側(cè)設(shè)置公共電壓施加焊盤185a、 185b、 185c和185d，并在顯示區(qū)的四邊施加/>共電壓。
隨著顯示裝置變大，可以在各柵極線和數(shù)據(jù)線的兩端設(shè)置作為多個(gè)部分 的柵極驅(qū)動(dòng)部分和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部分，以提供柵極電壓和數(shù)據(jù)電壓。同樣地，可 以提供作為多個(gè)子部分的公共電壓施加焊盤185來施加公共電壓。
設(shè)置于顯示區(qū)的右側(cè)上的第二公共電壓施加焊盤185a具有與圖4和圖6 所示的第一公共電壓施加焊盤181相同的形狀，并且其從顯示區(qū)的右側(cè)向公 共電極183施加公共電壓，"右側(cè)"是指圖7中的取向。
將設(shè)置于顯示區(qū)的左側(cè)的第三公共電壓施加焊盤185b連接至公共電極 183。"左側(cè)"是指圖7中的取向。公共電極183擴(kuò)展至柵極線110的柵極扇 出區(qū)113。設(shè)置于柵極扇出區(qū)113之間的第三公共電壓施加焊盤185b從顯示 區(qū)的左側(cè)向公共電極183施加公共電壓。也就是說，從顯示區(qū)的左側(cè)向顯示 區(qū)施加的信號(hào)為公共電壓和柵極電壓。第三公共電壓施加焊盤185b由與柵 極線110相同的柵極金屬層形成，在這種情況下，第三公共電壓施加焊盤 l 5b與柵極線110隔開，從而避免與柵極線110短路。
如果柵極扇出區(qū)113形成于顯示區(qū)的右側(cè)，并且被施加?xùn)艠O電壓，那么 第二公共電壓施加焊盤185a將具有與第三公共電壓施加焊盤185b相同的形 狀。突起區(qū)域184從公共電極183突出，并且形成于設(shè)置了數(shù)據(jù)扇出區(qū)123 的非顯示區(qū)內(nèi)。將突起區(qū)域184與公共電極183作為整體形成，并將突起區(qū) 域184連接至第四公共電壓施加焊盤185c。也就是說，公共電極183連接至
盤185c，所述"上部"參考圖7。而且，在數(shù)據(jù)扇出區(qū)123之間臨近驅(qū)動(dòng)電 壓焊盤140設(shè)置第四公共電壓施加焊盤185c。將第四公共電壓施加焊盤185c 與數(shù)據(jù)線120和驅(qū)動(dòng)電壓焊盤140隔開，從而避免任何短路。 向顯示區(qū)提供數(shù)據(jù)電壓、公共電壓和驅(qū)動(dòng)電壓。
在顯示區(qū)的下部對(duì)應(yīng)于第四公共電壓施加焊盤185c形成第五公共電壓 施加焊盤185d。"下部"是指圖7中的取向。電壓供應(yīng)單元161與第五公共電壓施加焊盤185d相鄰，并且以交替的方式設(shè)置電壓供應(yīng)單元161和第五 公共電壓施加焊盤185d。第五公共電壓施加焊盤185d和電壓供應(yīng)單元161 之間的尺寸的比率是恒定的，但是可以根據(jù)顯示設(shè)備或所施加的電壓量而變 化。這里所采用的"公共電極183"不包括位于顯示區(qū)的上部的突起區(qū)域184。
可以從數(shù)據(jù)線120的兩端提供數(shù)據(jù)電壓以及柵極電壓。在這種情況下， 由于數(shù)據(jù)扇出區(qū)123形成于顯示區(qū)的下部和上部，因此第五公共電壓施加焊 盤185d具有與第四公共電壓施加焊盤185c類似的形狀。
如文中所述，公共電壓施加焊盤185和公共電極183的形狀取決于顯示 裝置的各種因素，例如，柵極驅(qū)動(dòng)部分和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部分的構(gòu)造和位置或所需 要的電壓。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示裝置的示意圖。更具體地說，圖8 是第四實(shí)施例中與圖1的區(qū)域C對(duì)等的部分的放大圖。下文中將省略多余的 說明。
根據(jù)第四實(shí)施例的顯示裝置具有與第一實(shí)施例類似的構(gòu)造，除了所述顯 示裝置不具有電源條150。更具體地說，在第四實(shí)施例中，電源焊盤140直 接連接至電源線130，不像在第一實(shí)施例中，電源焊盤140通過電源條150 間接連接至電源線130。
第一橋接電極173通過形成于電源線130上的接觸孔132和形成于電源 焊盤140上的接觸孔141連接電源線130和電源焊盤140。
電源焊盤140在不采用電源條150的情況下直接連接至電源線130,由 此提高了驅(qū)動(dòng)電壓的傳輸速度，并有效降低了金屬電阻。
而且，在電源條150與電源線130重疊的情況下，金屬層之間發(fā)生短路 的可能性也更大。沒有電源條的第四實(shí)施例減少了電源條與電源線130發(fā)生 短路的機(jī)會(huì)，清除了金屬層之間的寄生電容。此外，去除電源條簡(jiǎn)化了顯示 設(shè)備的制造工藝，由此有效地降低了缺陷率。
雖然已經(jīng)展示和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將要理解的 是，可以在這些實(shí)施例中做出變化，而不背離本發(fā)明總構(gòu)思的原理和精神， 本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求及其等價(jià)要件中加以界定。
本申請(qǐng)要求于2005年9月24日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng) No.2005-0089032的權(quán)益，其公開全文引入于此以做參考。
權(quán)利要求
1. 一種具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)的顯示裝置，所述顯示裝置包括多條電源線；電壓供應(yīng)單元，具有在所述非顯示區(qū)中沿第一方向延伸的第一子部分和多個(gè)第二子部分，所述多個(gè)第二子部分連接至所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述第一子部分并且電連接至所述電源線；形成于電壓供應(yīng)單元內(nèi)的接觸孔；以及通過所述接觸孔連接所述電源線和電源焊盤的橋接電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括 柵極線；垂直于所迷柵極線延伸的數(shù)據(jù)線；開關(guān)晶體管，設(shè)置于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉處；連接至所述電源線和像素電極的驅(qū)動(dòng)晶體管；形成于所述像素電極上的光發(fā)射層；以及形成于所述光發(fā)射層上的公共電極，其中所述橋接電極由與所述公共電極相同的層形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述電壓供應(yīng)單元由與所述 柵極線相同的層形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二子部分彼此分隔規(guī) 則的預(yù)定距離。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有提高的亮度的顯示裝置，其具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)且包括多條電源線；電壓供應(yīng)單元，具有在所述非顯示區(qū)中沿第一方向延伸的第一子部分和多個(gè)第二子部分，所述多個(gè)第二子部分連接至所述非顯示區(qū)內(nèi)的所述第一子部分并且電連接至所述電源線；形成于電壓供應(yīng)單元內(nèi)的接觸孔；以及通過所述接觸孔連接所述電源線和電源焊盤的橋接電極。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101431095SQ200810174049
公開日2009年5月13日 申請(qǐng)日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月24日
發(fā)明者崔埈厚, 樸承圭, 許宗茂, 金南德 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社