專利名稱：電路模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有所謂的COB結構的電路模塊。
背景技術：
迄今為止，在保護作為攜帶裝置的電源使用的電池的電池保護電路模塊等 的要求小型化的電路模塊中使用了具有所謂COB (板上的芯片)結構的印刷基 板。所謂COB結構，是在印刷基板上直接安裝IC、 FET等的棵芯片并用引線 4定合與印刷基板上的布線圖案連接后用樹脂密封的結構。通過采用COB結構， 可實現(xiàn)電路模塊的小型化(也包含薄型化)。
圖9是例示具有以前的COB結構的電路;f莫塊的圖，是沿后述的圖10的E -E線的剖面圖。在圖9中，IO是電路模塊，lla是基板，12是布線圖案， 13是通孔，14是焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)，15是導電性固定劑，16是IC棵 芯片，16a是鍵合引線，17是FET棵芯片，17a是鍵合引線，18是膏狀焊錫， 19是片狀部件，20是樹脂。
在圖9中表示的電路模塊10中，在基板lla的一個面上形成了布線圖案 12，在布線圖案12上形成了在與所安裝的部件電連接的部分(以下稱為焊盤 (pad))中具有開口部的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)14。在布線圖案12上利用 導電性固定劑15固定了 IC棵芯片16和FET棵芯片17,經(jīng)導電性固定劑15 電連接了處于IC棵芯片16和FET棵芯片17的各自的下面的焊盤(未圖示) 與在IC棵芯片16和FET棵芯片17的下部配置的布線圖案12。
此外，經(jīng)引線鍵合工序利用鍵合引線16a和17a將IC棵芯片16和FET棵 芯片17與對應的焊盤電連接。片狀部件19經(jīng)回流工序利用在對應的焊盤上 印刷的膏狀焊錫18進行錫焊，與對應的焊盤進行了電連接。此外，在基板lla 的另一個面上形成了布線圖案12,在布線圖案12上形成了焊料抗蝕劑(抗蝕 劑膜)14。在焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)14中根據(jù)需要設置開口部，實現(xiàn)部件的安裝或與外部電路等的電連接。
利用通孔13電連接了在基板lla的一個面上形成的規(guī)定的布線圖案12與 在基板lla的另一個面上形成的規(guī)定的布線圖案12。樹脂20密封了 IC棵芯 片16等。再有，電路模塊10具有基板lla的一個面的未利用樹脂20密封的 區(qū)域，或在基板lla的另一個面上具有用于進行與外部電路等的電連接的外 部連接用端子(未圖示)。
圖IO是示意性地表示電路模塊10中的樹脂20內(nèi)部的狀況的俯視圖。在 該圖中，關于與圖9為同一的部件，附以同一符號，省略其說明。在圖10中， 13a表示在通孔13的周圍必要的接合區(qū)。如圖IO中所示，在以前的電路模塊 10中，利用多個(在圖10的例子中是6個)通孔13電連接了在基板lla的 一個面上形成的規(guī)定的布線圖案12與在基板lla的另一個面上形成的規(guī)定的 布線圖案12(例如，參照專利文獻l)。
專利文獻1特開2006 - 4773號公報
但是， 一般來說通孔13的孔徑約為())O. 3mm，此外，在通孔13的周圍，需 要約([)O. 6mm的接合區(qū)13a。如圖10中所示，在以前的電路模塊10中，通孔 13和其周圍成所需要的接合區(qū)13a的面積占據(jù)了基板1 la的較大的一部分， 通孔13和其周圍所需要的接合區(qū)13a的存在成為妨礙具有COB結構的電路模 塊的小型化這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的問題而進行的，其目的在于提供具有可實現(xiàn)小型化的 COB結構的電路模塊。
為了達到上述目的，本發(fā)明的第1方面是一種具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了 布線圖案(120)和抗蝕劑膜(140)的基板(110)上安裝包含棵芯片(160、 170)的電子部件(160、 170、 190)并用密封劑(200 )密封了上述電子部件 (160、 170、 190)的COB結構的電路模塊(100、 200、 300 )，其特征在于
固定了上述棵芯片(160、 170)。
本發(fā)明的第2方面是與本發(fā)明的第1方面有關的電路模塊(100、 200、 300 ),其特征在于在固定了上述棵芯片(160、 170)的區(qū)域的上述抗蝕劑膜(140) 的下層具有上述布線圖案(120)和/或通孔(130)。
本發(fā)明的第3方面是一種具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案(120)和 抗蝕劑膜(140)的基板(110)上安裝包含棵芯片(160、 170)的電子部件 (160、 170、 190)并用密封劑(200 )密封了上述電子部件(160、 170、 190) 的COB結構的電路模塊(100、 200、 300 )，其特征在于在上述基板(IIO) 上的未形成上述布線圖案(120)和上述抗蝕劑膜(140)的區(qū)域中用固定劑 (150)固定了上述棵芯片(160、 170)。
本發(fā)明的第4方面是與本發(fā)明的第l至第3方面的任一方面有關的電路模 塊(IOO、 200、 300 ),其特征在于上述固定劑(150 )是非導電性的固定劑。 本發(fā)明的第5方面是一種具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案(120)和 抗蝕劑膜(140)的基板(110)上安裝包含棵芯片(160、 170)的電子部件 (160、 170、 190)并用密封劑(200 )密封了上述電子部件(160、 170、 190) 的COB結構的電路模塊(100、 200、 300 )，其特征在于在上述基板(IIO) 上的形成了上述布線圖案(120)而未形成上述抗蝕劑膜(140)的區(qū)域中用 非導電性的固定劑(151)固定了上述^^果芯片(160、 170)。
本發(fā)明的第6方面是與本發(fā)明的第5方面有關的電贈4莫塊(100、200、 300 )， 其特征在于在固定了上述棵芯片(160、 170)的區(qū)域的上述固定劑(151) 的下層具有通孔(130)。
再有，上述括弧內(nèi)的參照符號是為了使理解變得容易而附加的，不過是一 例，并非被圖示的方式所限定。
按照本發(fā)明，可提供具有可實現(xiàn)小型化的COB結構的電路模塊。


圖l是例示具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊的圖。 圖2是示意性地例示電贈4莫塊100中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯^L圖。 圖3是例示具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊的制 造工序流程的圖。
圖4是例示形成具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊的集合基板的俯視圖。
圖5是例示具有與本發(fā)明的第2實施方式有關的COB結構的電路模塊的圖。 圖6是示意性地例示電路才莫塊200中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯^f見圖。 圖7是例示具有與本發(fā)明的第3實施方式有關的C0B結構的電路模塊的圖。 圖8是示意性地例示電路模塊300中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯視圖。 圖9是例示具有以前的COB結構的電路模塊的圖。 圖IO是示意性地例示電路模塊10中的樹脂20內(nèi)部的狀況的俯4見圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，進行用于實施本發(fā)明的最佳的方式的說明。 (第1實施方式)
圖l是例示具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊的圖， 是沿后述的圖2的B-B線的剖面圖。在圖1中，100是電路模塊，110a是基 板，120是布線圖案，130是通孔，140是焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)，150是導 電性固定劑，160是IC棵芯片，160a是鍵合引線，170是FET棵芯片，170a 是鍵合引線，180是膏狀焊錫，190是片狀部件，200是密封劑。
在圖1中表示的電路模塊100中，在基板110a的一個面上形成了布線圖 案120，在布線圖案120上形成了在與所安裝的部件電連接的部分(以下稱為 焊盤)中具有開口部的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140。作為基板110a,例如可 使用玻璃環(huán)氧基板等?；?10a的厚度例如可定為0. 30mm~ 0. 80mm。作為布 線圖案120,例如可使用Cu等。布線圖案120的厚度，例如可定為35|im。可 在各焊盤部分上進行鍍Au等。焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140的厚度例如可定 為30jim。
利用固定劑150在焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140上固定了 IC棵芯片160和 FET棵芯片170。具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊IOO 與具有以前的COB結構的電路模塊10不同，由于在IC棵芯片160和FET棵 芯片170的下部未配置應與處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的焊 盤(未圖示)連接的布線圖案120，故可使用環(huán)氧樹脂等的非導電性的熱固化 性粘接劑等作為固定劑150。此外，由于利用焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140對布線圖案120進行了絕緣， 故也可使用導電性的Ag膏等。但是，如果考慮到固定劑150溢出而與鍵合引 線160a和/或170a接觸(電短路)的危險性，則最好使用環(huán)氧樹脂等的非導 電性的熱固化性粘接劑等。
此外，利用鍵合引線160a和170a經(jīng)引線鍵合工序?qū)C棵芯片160和FET 棵芯片170與對應的焊盤進行了電連接。作為鍵合引線160a和170a，例如可 使用Au引線等。再有，在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的抗蝕劑 膜140的下層配置了布線圖案120和通孔130。
片狀部件190經(jīng)回流工序利用在對應的焊盤上印刷的膏狀焊錫180進行錫 焊，與對應的焊盤進行了電連接。片狀部件190例如是片狀電阻、片狀電容 器、片狀熱敏電阻等。此外，在基板110a的另一個面上形成了布線圖案120， 在布線圖案120上形成了焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140。在焊料抗蝕劑(抗蝕 劑膜)140中根據(jù)需要設置開口部，實現(xiàn)部件的安裝或與外部電路等的電連接。
利用通孔130電連接了在基板110a的一個面上形成的規(guī)定的布線圖案120 與在基板110a的另一個面上形成的規(guī)定的布線圖案120。密封劑200密封了 IC棵芯片160等。作為密封劑200，例如可使用環(huán)氧樹脂等的熱固化性樹脂 或UV樹脂等。再有，電路模塊100具有基板110a的一個面的未利用樹脂200 密封的區(qū)域，或在基板110a的另一個面上具有用于進行與外部電路等的電連 接的外部連接用端子(未圖示)。作為外部連接用端子，例如可使用在基板上 形成的布線圖案120等的導電部，或例如可使用在布線圖案120等的導電部 上安裝了Ni等的部分。此時，可在導電部上進行助焊劑、焊料涂敷、Au電鍍 等。
圖2是示意性地例示電路模塊100中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯視圖。 在該圖中，關于與圖1為同一的部件，附以同一符號，省略其說明。在圖2 中，130a表示在通孔130的周圍必要的接合區(qū)。如圖1和圖2中所示，具有 與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路沖莫塊100的特征是，在IC棵 芯片160和FET棵芯片170的下部未配置應與處于IC棵芯片160和FET棵芯 片170的下面的焊盤(未圖示)連接的布線圖案120，代之以配置了應與處于 IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)以外的部分連接的布線圖案120和通孔130。
其次，簡單地說明具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模 塊100的工序流程。圖3是例示具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結 構的電路模塊的制造工序流程的圖。此外，圖4是例示形成具有與本發(fā)明的 第1實施方式有關的COB結構的電路模塊的集合基板的俯視圖。在該圖中， 關于與圖l為同一的部件，附以同一符號，省略其說明。在圖4中，IIO是集 合基板，A是表示在后述的工序5中分割集合基板110的分割位置。集合基板 110是在后述的工序5中通過在A部分割成為基板110a的基板，在集合基板 110上的用點劃線包圍的區(qū)域中形成多個(在該情況下是27個)電路模塊100。
在圖3中表示的工序流程中，工序l是片狀部件安裝工序，準備形成了規(guī) 定的布線圖案120并形成了在與在布線圖案120上安裝的部件電連接的焊盤 部分中具有開口部的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140的集合基板110，在與安裝 了片狀部件190的位置對應的焊盤部分中印刷膏狀焊錫180。其次，在印刷了 膏狀焊錫180的部分中利用規(guī)定的安裝機安裝片狀部件190。在安裝了片狀部 件190后，將集合基板110放入規(guī)定的回流爐中，利用膏狀焊錫180電連接 各焊盤部分與與各焊盤部分對應的片狀部件190的接合區(qū)部分。
工序2是棵芯片安裝工序，在與安裝IC棵芯片160和FET棵芯片170的 位置對應的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140上涂敷固定劑150。其次，在固定劑 150上利用規(guī)定的安裝機安裝IC棵芯片160和FET棵芯片170。在安裝后， 用爐等使固定劑150固化。工序3的引線鍵合工序，用鍵合引線160a和170a 將IC棵芯片160和FET棵芯片170與對應的焊盤部分電連接。
工序4是密封工序，在安裝了集合基板110的IC棵芯片160等的一側的 面上使用規(guī)定的掩模、刮板等印刷密封劑200。此時，在用密封劑200密封的 一側的面上有外部連接端子的情況下，使用規(guī)定的掩模印刷密封劑200,以使 外部連接端子從密封劑200露出。在印刷了密封劑200后，利用加熱、UV照 射等使密封劑200固化，密封IC棵芯片160和FET棵芯片170、片狀部件190 等。
工序5是集合^^反分割工序，通過使用規(guī)定的切割器等在A部分割集合基 板110使其成為各個小片，制造具有與圖1中表示的本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊100。再有，希望在清潔室中進行工序2至工序4。 此外，可根據(jù)需要在從密封劑200露出的外部連接端子上安裝Ni板等或?qū)嵤?電特性檢查、外觀檢查等。
這樣，按照本發(fā)明的第1實施方式，通過在IC棵芯片160和FET棵芯片 170的下部配置通孔130，可減少在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部 以外的區(qū)域中配置的通孔130的數(shù)目，因此，與具有以前的COB結構的電路 模塊10相比，可縮小基板110a的面積，，可實現(xiàn)電路模塊100的小型化。此 外，由于利用電路模塊100的小型化可增加在集合基板110上可形成的電路 模塊100的數(shù)目，故可降低電路模塊100的單價。
此外，由于沒有必要電連接處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面 的焊盤(未圖示)與IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120, 故可在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部配置任意的布線圖案120,可 提高IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120的設計的自由度。
此外，由于處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的坪盤(未圖示) 可不與布線圖案120電連接，故沒有必要使用Ag膏等的高價的導電性的固定 劑作為固定劑150，例如可使用廉價的環(huán)氧樹脂等的非導電性的熱固化性粘接 劑等，可降低電路才莫塊100的單價。
此外，在使用非導電性的固定劑作為固定劑150的情況下，即使固定劑150 從規(guī)定的位置溢出并與鍵合引線160a和/或170a接觸，也沒有與處于IC棵 芯片160和/或FET棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)電連接(短路)的危 險性，因此，可提高電路模塊100的可靠性。
此外，在使用非導電性的固定劑作為固定劑150的情況下，沒有4建合引線 160a和/或170a與處于IC棵芯片160和/或FET棵芯片170的下面的焊盤(未 圖示)電連接(短路)的危險，可縮短連接鍵合引線160a和170a的焊盤與 IC棵芯片160和FET^果芯片170的距離，因此，可縮小安裝面積，同時可縮 短使用高價的Au引線等的鍵合引線160a和170a的長度，可降低電路模塊100 的單價。再者，通過縮短鍵合引線160a和170a的長度，由于可降低鍵合引 線160a和170a的電阻值，故可提高電路模塊100的電特性。 (第2實施方式)圖5是例示具有與本發(fā)明的第2實施方式有關的COB結構的電路模塊的圖， 是沿后述的圖6的C-C線的剖面圖。在該圖中，關于與圖l為同一的部件， 附以同一符號，省略其說明。在圖5中，151是非導電性的固定劑。
在圖5中表示的電路模塊200中，與圖1中表示的電路模塊100相比，IC 棵芯片160和FET棵芯片170的周邊的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140的開口部 不同。在圖1中，利用固定劑150將IC棵芯片160和FET棵芯片170固定在 布線圖案120上形成的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140上，但在圖5中，在IC 棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120上不形成焊料抗蝕劑(抗 蝕劑膜)140,利用非導電性的固定劑151將IC棵芯片160和FET棵芯片170 固定在布線圖案120上。再有，在電路模塊200中，由于未利用焊料抗蝕劑 (抗蝕劑膜)140對布線圖案120進行絕緣，故不能使用導電性的Ag膏等作 為固定劑，必須使用環(huán)氧樹脂等的非導電性的熱固化性粘接劑等。
圖6是示意性地例示電路模塊200中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯視圖。 在該圖中，關于與圖5為同一的部件，附以同一符號，省略其說明。在圖6 中，130a表示在通孔130的周圍必要的接合區(qū)。如圖5和圖6中所示，具有 與本發(fā)明的第2實施方式有關的COB結構的電路模塊200的特征是，在IC棵 芯片160和FET棵芯片170的下部未配置應與處于IC凈果芯片160和FET棵芯 片170的下面的焊盤(未圖示)連接的布線圖案120,代之以配置了應與處于 IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)以外的部分連接的 布線圖案120和通孔130，在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線 圖案120上未形成焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140。再有，由于具有與本發(fā)明的 第2實施方式有關的COB結構的電路模塊200的工序流程和與具有與本發(fā)明 的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊100的工序流程是相同的，故省 略其說明。
這樣，按照本發(fā)明的第2實施方式，通過在IC棵芯片160和FET棵芯片 170的下部配置通孔130,可減少在IC^果芯片160和FEI^果芯片170的下部 以外的區(qū)域中配置的通孔130的數(shù)目，因此，與具有以前的COB結構的電路 模塊10相比，可縮小基板110a的面積，可實現(xiàn)電路模塊200的小型化。此 外，由于利用電路模塊200的小型化可增加在集合基板110上可形成的電路模塊200的數(shù)目，故可降低電路模塊200的單價。
此外，由于沒有必要電連接處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面 的焊盤(未圖示)與IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120, 故可在I(^果芯片160和FET棵芯片170的下部配置任意的布線圖案120，可 提高IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120的設計的自由度。
此外，由于處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的焊盤與在IC棵 芯片160和FET ^f果芯片170的下部配置的布線圖案120和通孔130在電連接-方面應沒有關系，沒有必要對兩者進行絕緣，故不使用Ag膏等的導電性的固 定劑作為固定劑，必須使用非導電性的例如環(huán)氧樹脂等的熱固化性粘接劑等。 由于非導電性的環(huán)氧樹脂等的熱固化性粘接劑與Ag膏等的導電性的固定劑相 比是廉價的，故可降低電路模塊200的單價。
此外，由于固定劑151是非導電性的固定劑，故即使固定劑151從規(guī)定的 位置溢出并與鍵合引線160a和170a接觸，也沒有與處于IC棵芯片160和FET 棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)電連接(短路)的危險性，因此，可提 高電路模塊200的可靠性。
此外，由于沒有鍵合引線160a和170a與處于IC棵芯片160和FET棵芯 片170的下面的焊盤(未圖示)電連接(短路)的危險，故可縮短連接鍵合 引線160a和170a的焊盤與IC棵芯片160和FET棵芯片170的距離，因此， 可縮小安裝面積，同時可縮短使用高價的Au引線等的4建合引線160a和170a 的長度，可降低電路模塊200的單價。再者，通過縮短鍵合引線160a和170a 的長度，由于可降低鍵合引線160a和170a的電阻值，故可提高電路模塊200 的電特性。
此外，由于具有與本發(fā)明的第2實施方式有關的COB結構的電路模塊200 在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部的布線圖案120上未形成焊料抗蝕 劑(抗蝕劑膜)140，故與與本發(fā)明的第1實施方式有關的C0B結構的電鴻4莫 塊100相比，可P爭低焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140的厚度部分的安裝高度，可 在高度方向上實現(xiàn)電路模塊200的小型化(薄型化)。再有，在本申請中所說 的小型化中，假定也包含薄型化。 (第3實施方式)圖7是例示具有與本發(fā)明的第3實施方式有關的C0B結構的電路模塊的圖， 是沿后述的圖8的D-D線的剖面圖。在該圖中，關于與圖l為同一的部件， 附以同一符號，省略其說明。
圖7中表示的電路沖莫塊300與圖1中表示的電路模塊100和圖5中表示的 電路模塊200在下述的方面不同。在圖1中，利用固定劑150將IC棵芯片160 和FET棵芯片170固定在布線圖案120上形成的焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140 上，在圖5中，利用非導電性的固定劑151將IC棵芯片160和FET棵芯片170 固定在布線圖案120上，但在圖7中，在IC棵芯片160和FET棵芯片170的 下部既不形成布線圖案120也不形成焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140，利用固定 劑150將IC棵芯片160和FET棵芯片170直接固定在基板110a上。
在圖7中，由于利用固定劑150將IC棵芯片160和FET棵芯片170直接 固定在基板110a上，在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部未配置應與 處于IC棵芯片160和FET棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)連接的布線圖 案，故可使用環(huán)氧樹脂等的非導電性的熱固化性粘接劑等作為固定劑150。此 外，也可使用導電性的Ag膏等。但是，如果考慮固定劑150溢出并與鍵合引 線160a和/或170a接觸(電短路)的危險性，則最好使用環(huán)氧樹脂等的非導 電性的熱固化性粘接劑等。
圖8是示意性地例示電路模塊300中的密封劑200內(nèi)部的狀況的俯視圖。 在該圖中，關于與圖7為同一的部件，附以同一符號，省略其說明。在圖8 中，130a表示在通孔130的周圍必要的接合區(qū)。如圖7和圖8中所示，具有 與本發(fā)明的第3實施方式有關的COB結構的電路模塊300的特征是，在IC棵 芯片160和FET棵芯片170的下部既不形成布線圖案120也不形成焊料抗蝕 劑(抗蝕劑膜)140,利用固定劑150將IC棵芯片160和FET^果芯片170直 接固定在基板110a上。
再有，由于具有與本發(fā)明的第3實施方式有關的COB結構的電路模塊300 的工序流程和與具有與本發(fā)明的第1實施方式有關的COB結構的電路模塊IOO 和具有與本發(fā)明的第2實施方式有關的COB結構的電路模塊200的工序流程 是相同的，故省略其說明。
這樣，按照本發(fā)明的第3實施方式，由于在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部既不形成布線圖案120也不形成焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140，利 用固定劑150將IC棵芯片160和FET棵芯片170直接固定在基板110a上， 故與具有以前的COB結構的電路^^塊10、電鴻^莫塊100和電鴻4莫塊200相比， 可在高度方向上實現(xiàn)電路模塊300的小型化(薄型化)。
此外，由于在IC棵芯片160和FET棵芯片170的下部既不形成布線圖案 120也不形成焊料抗蝕劑(抗蝕劑膜)140,利用固定劑150將IC棵芯片160 和FET棵芯片170直接固定在基板110a上，故不使用Ag膏等的高價的導電 性的固定劑作為固定劑，可使用非導電性的、例如廉價的環(huán)氧樹脂等的熱固 化性粘接劑等，可降低電路模塊300的單價。
此夕卜，在使用非導電性的固定劑作為固定劑150的情況下，即使固定劑150 從規(guī)定的位置溢出并與鍵合引線160a和/或170a接觸，也沒有與處于IC棵 芯片160和/或FET棵芯片170的下面的焊盤(未圖示)電連接(短路)的危 險性，因此，可提高電路模塊300的可靠性。
此外，在使用非導電性的固定劑作為固定劑150的情況下，由于沒有鍵合 引線160a和/或170a與處于IC棵芯片160和/或FET棵芯片170的下面的焊 盤(未圖示)電連接(短路)的危險，故可縮短連接鍵合引線160a和170a 的悍盤與IC^果芯片160和FET棵芯片170的距離，因此，可縮小安裝面積， 同時可縮短使用高價的Au引線等的鍵合引線160a和170a的長度，可降低電 路模塊300的單價。再者，通過縮短鍵合引線160a和170a的長度，由于可 降低鍵合引線160a和170a的電阻值，故可提高電路模塊300的電特性。
根據(jù)以上所述，具有與在第1實施方式至第3實施方式中已說明的本發(fā)明 有關的COB結構的電路模塊適合于例如在使用鋰離子電池的攜帶裝置用的電 池組件內(nèi)安裝的電池保護電路模塊。所謂電池保護電路模塊，是具備為了防 止作為攜帶裝置的電源使用的鋰離子電池成為過充電、過放電和過電流而在 容納鋰離子電池的電池組件內(nèi)安裝的電池保護電路的電路^^塊。
對這樣的攜帶裝置用的電池組件因攜帶裝置的性能特點而強烈地要求小 型化，另一方面，由于攜帶裝置的工作時間長，故存在電池容量擴大的趨勢， 這一點伴隨安裝鋰離子電池的空間的擴大。如果將具有與本發(fā)明有關的COB 結構的電路模塊應用于電池保護電路模塊，則由于實現(xiàn)電池保護電路模塊的小型化，故如果使用與以往相同的大小的鋰離子電池，則可減小電池組件本 身的大小，此外，如果使用與以往相同的大小的鋰離子電池，則由于可擴大 安裝鋰離子電池的空間，故可使用電池容量大的鋰離子電池。
以上詳細地說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但本發(fā)明不限制于上述的實施 方式，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可對上述的實施方式附加各種各樣 的變形和置換。
例如，本發(fā)明如上所述可適用于電池保護電路模塊，但也可適用于其他的 電路模塊。
此外，在第1實施方式至第3實施方式中說明了使用在兩面(2層)形成 了布線圖案的兩面(2層)基板作為集合基板的例子，但本發(fā)明也可同樣地適 用于利用通孔連接了可成為布線圖案的多個層的例如4層等的所謂多層基板。
此外，在第1實施方式至第3實施方式中說明了在集合基板上安裝IC棵 芯片、FET棵芯片和片狀部件的例子，但所安裝的部件不限于這些部件，例如 也可包含帶有引線的部件等。
此外，在第1實施方式至第3實施方式中說明了通過在IC棵芯片160和 FET棵芯片170的下部配置通孔130來實現(xiàn)電路模塊的小型化的例子，也可只 在IC棵芯片160或FET棵芯片170的某一方的下部配置通孔130。在該情況 下，也可實現(xiàn)電路模塊的小型化和降低電路模塊的單價。
權利要求
1. 一種電路模塊，具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案和抗蝕劑膜的基板上安裝包含裸芯片的電子部件并用密封劑密封了上述電子部件的COB結構，其特征在于在上述基板上的形成了上述抗蝕劑膜的區(qū)域中用固定劑固定了上述裸芯片。
2. 如權利要求l所述的電路模塊，其特征在于 或通孑L
3. —種電路模塊，具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案和抗蝕劑膜的基 板上安裝包含^^果芯片的電子部件并用密封劑密封了上述電子部件的COB結構， 其特征在于在上述基板上的未形成上述布線圖案和上述抗蝕劑膜的區(qū)域中用固定劑 固定了上述棵芯片。
4. 如權利要求1至3的任一項所述的電路模塊，其特征在于 上述固定劑是非導電性的固定劑。
5. —種電路模塊，具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案和抗蝕劑膜的基 板上安裝包含棵芯片的電子部件并用密封劑密封了上述電子部件的COB結構， 其特征在于在上述基板上的形成了上述布線圖案但未形成上述抗蝕劑膜的區(qū)域中用 非導電性的固定劑固定了上述棵芯片。
6. 如權利要求5所述的電路模塊，其特征在于在固定了上述棵芯片的區(qū)域的上述固定劑的下層具有通孔。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供具有可實現(xiàn)小型化的COB結構的電路模塊。一種具有在規(guī)定的區(qū)域中層疊了布線圖案和抗蝕劑膜的基板上安裝包含裸芯片的電子部件并用密封劑密封了上述電子部件的COB結構的電路模塊，其特征在于在上述基板上的形成了上述抗蝕劑膜的區(qū)域中用固定劑固定了上述裸芯片。
文檔編號H01L23/31GK101436588SQ200810174119
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月7日 優(yōu)先權日2007年11月12日
發(fā)明者宮本欣明, 田島修, 金亨則 申請人:三美電機株式會社