專(zhuān)利名稱(chēng)：平板顯示器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制備平板顯示器的方法，更特別地，本發(fā)明涉及能夠減 小對(duì)有機(jī)薄膜晶體管("TFT")的特性的損害的平板顯示器。
背景技術(shù)：
平板顯示器("FPD")包括具有TFT的TFT基板，這些TFT作為開(kāi)關(guān) 和驅(qū)動(dòng)裝置用于控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的操作。TFT包括柵電極、源電極和漏 電極以及半導(dǎo)體層，其中源電極和漏電極由柵電極分離開(kāi)從而界定溝道區(qū) 域。半導(dǎo)體層通常由非晶硅或多晶硅形成。但是，現(xiàn)在有機(jī)半導(dǎo)體可以獲得， 并提供了可以在室溫和大氣壓下形成的優(yōu)點(diǎn)，而且可以施加到不耐熱的塑料 基板上。但是，有機(jī)半導(dǎo)體有著差的耐化學(xué)性和耐等離子體性。為了解決這 個(gè)問(wèn)題，已經(jīng)提出了在形成柵極、源極和漏極之后通過(guò)將厚的半導(dǎo)體層插入 到電極和有機(jī)半導(dǎo)體層之間來(lái)形成有機(jī)半導(dǎo)體層。然后，可以通過(guò)使用鈍化 層將有機(jī)半導(dǎo)體層構(gòu)圖，由此僅在溝道區(qū)域上保留有機(jī)半導(dǎo)體層。
在構(gòu)圖工藝中，將鈍化層涂覆在有機(jī)半導(dǎo)體層的整個(gè)表面上，僅暴露對(duì) 應(yīng)于溝道區(qū)域的層。但是，可能的是，有機(jī)半導(dǎo)體層可能受到構(gòu)圖中使用的 化學(xué)品的侵襲，所以鈍化層必須由不會(huì)不利地影響有機(jī)半導(dǎo)體層的材料形 成。這種希望的材料作為涂層可能有問(wèn)題。
當(dāng)構(gòu)圖有機(jī)半導(dǎo)體層時(shí)，由鈍化層涂覆的部分有機(jī)半導(dǎo)體層被安全地保 護(hù)。但是，由于有機(jī)半導(dǎo)體層的兩側(cè)沒(méi)有被鈍化層涂覆而暴露，所以它們可 能受到構(gòu)圖鈍化層時(shí)使用的化學(xué)品的侵襲。而且，如果在構(gòu)圖時(shí)使用的蝕刻 工藝進(jìn)行來(lái)減小對(duì)暴露的側(cè)面的侵襲，則構(gòu)圖可能使得一些有機(jī)半導(dǎo)體暴露 在像素電極上，導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種制備平板顯示器的方法，該顯示器使用耐受處理?yè)p害
的有機(jī)TFT。根據(jù)本發(fā)明的方法，源電極和漏電極形成在絕緣基板上從而在 它們之間界定溝道區(qū)域；在源電極和漏電極上形成第一鈍化層；具有對(duì)應(yīng)于 溝道區(qū)域的開(kāi)口的金屬層形成在第一鈍化層上來(lái)作為掩模；溝道區(qū)域通過(guò)第 一鈍化層中的開(kāi)口暴露；有機(jī)半導(dǎo)體層和第二鈍化層依次通過(guò)沉積開(kāi)口而沉 積；除了在沉積開(kāi)口中存在的留下之外去除金屬層、有機(jī)半導(dǎo)體層和第二鈍 化層。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，通過(guò)剝離工藝進(jìn)行去除金屬層、有機(jī)半導(dǎo)體層 和第二鈍化層的步驟，使用基本上不影響第二鈍化層的蝕刻劑進(jìn)行該剝離工 藝。有利的是，同時(shí)去除金屬層和在該金屬層上的上層。
本發(fā)明還獲得了一種平板顯示器，其包括絕緣基板；源電極和漏電極， 形成在絕緣基板上并彼此分隔開(kāi)以界定溝道區(qū)域；第一鈍化層，形成在源電 極和漏電極上從而具有暴露源電極和漏電極每個(gè)的至少 一部分的沉積開(kāi)口 ； 形成在沉積開(kāi)口上的有機(jī)半導(dǎo)體層；以及第二鈍化層，形成在有機(jī)半導(dǎo)體層 并且具有與第一鈍化層不同的高度。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施方式的一方面，第 二鈍化層的高度比第一鈍化層的低。


和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更易于理解，在附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的TFT基板的平面圖。 圖2是沿圖1的線II-II的剖面圖。
圖3A到3K是依次形成根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的制造TFT基板的 方法的剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的制備TFT基板的方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，在附圖中對(duì)本發(fā)明 的示例進(jìn)行說(shuō)明，其中通篇類(lèi)似的參考標(biāo)號(hào)指代類(lèi)似的元件。通過(guò)參考附圖 對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明以解釋本發(fā)明。在附圖中，為了清楚夸大了層、膜和區(qū)域的厚度和大小。應(yīng)該理解，當(dāng)提及比如層、膜、區(qū)域或基板的元件在(形 成于)另外的元件"上"時(shí)，它可以直接在其他元件上，或者也可以存在中 間元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管(TFT)基板的平面圖， 圖2是沿圖1的線II-II的剖面圖。本發(fā)明的平板顯示器(FPD)包括具有 TFT的TFT基板100，這些TFT作為開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)裝置用于控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè) 像素的操作。TFT基板100包括絕緣基板110、形成在絕緣基板110上的數(shù) 據(jù)線120、形成在勒:據(jù)線120上的層間絕^彖膜130、形成在層間絕緣膜130 上的柵極線140、形成在柵極線140上的柵極絕緣膜150、形成在柵極絕緣 膜150上的透明電極層160、形成在柵極絕緣膜150上并與透明電極層160 的至少一部分相連接的有機(jī)半導(dǎo)體層l卯。
絕緣基板110可以由玻璃或塑料形成，塑料提供了平板顯示器可以為柔 性的優(yōu)點(diǎn)。但是，塑料絕緣基板110并不耐熱?？梢栽谑覝睾痛髿鈮合滦纬?的半導(dǎo)體層可以同由塑料材料形成的塑料絕緣基板110使用，這些塑料材料 比如為聚碳酸酯、聚酰亞胺、PES、 PAR、 PEN、 PET等。
形成在絕緣基板110的數(shù)據(jù)線120包括在一個(gè)方向上延伸的數(shù)據(jù)線121 和形成在數(shù)據(jù)線121 —端以接受外部提供的驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)的數(shù)據(jù)墊123。 數(shù)據(jù)線120可以由導(dǎo)電率好且相對(duì)低價(jià)的金屬形成，比如A1、 Cr和Mo，或 者可以由相對(duì)高價(jià)的材料形成，比如Au、 Pt、 Pd、 ITO (氧化銦錫)和IZO (氧化銦鋅)，并且可以由單層或多層構(gòu)成，該多層含有至少一種上述材料。
根據(jù)本發(fā)明，為了保護(hù)數(shù)據(jù)絕緣膜150免受數(shù)據(jù)線形成工藝中使用的化 學(xué)材料的影響，首先，形成數(shù)據(jù)線120，然后在數(shù)據(jù)線120上形成層間絕緣 膜130。層間絕緣膜130覆蓋在絕緣基板110上的數(shù)據(jù)線。層間絕緣膜130 由無(wú)機(jī)材料形成，比如SiNx或SiOx等，從而在數(shù)據(jù)線120和柵極線140之 間電絕緣。雖然在圖中未示出，但是層間絕緣膜130還可以包括在無(wú)機(jī)層上 的有機(jī)材料的厚膜。該額外的厚有機(jī)膜將完好地保護(hù)對(duì)形成數(shù)據(jù)線時(shí)使用的 化學(xué)品或等離子體耐受力較差的有機(jī)半導(dǎo)體層190。這些化學(xué)品可能通過(guò)接 觸開(kāi)口 151、 152的間隙(對(duì)該開(kāi)口將在下面說(shuō)明)、通過(guò)層間的界面流入到 有機(jī)半導(dǎo)體層190種，由此侵襲有機(jī)半導(dǎo)體層190。層間絕緣膜130形成有 第一接觸開(kāi)口 151和第二接觸開(kāi)口 152，以分別暴露數(shù)據(jù)線121和數(shù)據(jù)墊123。
柵極線140形成在層間絕緣膜130上。柵極線140包括形成來(lái)與數(shù)據(jù)線121交叉并界定^f象素區(qū)域的柵極線141、在柵極線141的一端形成以接受來(lái) 自外部的驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)的柵墊145、以及在對(duì)應(yīng)于有機(jī)半導(dǎo)體層190的位 置形成為柵極線141的分支的柵電極143。柵極線140也可以由Al、 Cr、 Mo、 Au、 Pt、 Pd等形成，并且具有單層或多層。
柵極絕緣膜150形成在柵極線140上。柵極絕緣膜150將數(shù)據(jù)線120與 柵極線140絕緣，同時(shí)保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層190。柵極絕緣膜150可以含有至 少一種無(wú)機(jī)和有機(jī)材料，比如SiNx、 SiOx、 BCB、 Si聚合物、PVV等。柵 極絕緣膜150具有第三接觸開(kāi)口 153以暴露柵極墊145以及對(duì)應(yīng)于第一接觸 開(kāi)口 151和第二接觸開(kāi)口 152的開(kāi)口。
透明電極層160形成在柵極絕緣膜150上并且通過(guò)第一接觸開(kāi)口 151與 數(shù)據(jù)線121連接。層160包括與有機(jī)半導(dǎo)體層190部分接觸的源電極161、 通過(guò)在其間插入有機(jī)半導(dǎo)體層190從源電極161分開(kāi)的漏電極163、以及位 于像素區(qū)域從而與漏電極163連接的像素電極165。透明電極層160還包括 與數(shù)據(jù)墊123連接的數(shù)據(jù)墊接觸構(gòu)件167以及通過(guò)第三接觸開(kāi)口 153與柵極 墊145連接的柵極墊接觸構(gòu)件166。透明電極層160由比如ITO、 IZO等的 透明導(dǎo)電材料形成。源電極161通過(guò)第一接觸開(kāi)口 151與數(shù)據(jù)線121物理和 電氣上連接，從而接收?qǐng)D像信號(hào)。漏電極163從源電極161分開(kāi)從而界定溝 道區(qū)域A，其同^f電才及143 —道形成TFT。該TFT作為開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)裝置用于 控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素電極165的操作。
第一鈍化層170形成在柵極絕緣膜150上，并且具有暴露溝道區(qū)域A和 其中沉積了有機(jī)半導(dǎo)體層190的沉積開(kāi)口 171。第一鈍化層170可以由聚乙 烯醇(PVA)、苯并環(huán)丁稀(BCB)等的有機(jī)膜或丙稀酸基感光有機(jī)膜形成。 而且，優(yōu)選的是，鈍化層170應(yīng)該形成得厚，以通過(guò)使用金屬層180的濕法 蝕刻工藝來(lái)形成其中沉積了有機(jī)半導(dǎo)體層190的沉積開(kāi)口。有機(jī)半導(dǎo)體層 190沉積在形成于鈍化層170中的沉積開(kāi)口 171中。有機(jī)半導(dǎo)體層190覆蓋 溝道區(qū)域A,并且至少部分地與部分暴露的源電極161和漏電極163接觸。 有機(jī)半導(dǎo)體層190可以由彼此連接的苯環(huán)、花四加酸二酐(PTCDA)、寡p塞 吩、聚噻吩、聚噻吩乙烯等形成，也可以由現(xiàn)有的有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。
第二鈍化層200在沉積開(kāi)口 171中形成在有機(jī)半導(dǎo)體層l卯上。第二鈍 化層200在隨后說(shuō)明的剝離工藝時(shí)防止有機(jī)半導(dǎo)體層190的特性劣化。其可 以由與第一鈍化層170相同的材料或其他材料形成。第二鈍化層200具有不同于第一鈍化層170的高度，優(yōu)選比第一鈍化層170低的高度。并且，優(yōu)選 第二鈍化層200由不受下述剝離工藝中使用的蝕刻劑影響的材料形成。
進(jìn)一步鈍化層210可以選擇性地形成在第二鈍化層200上以覆蓋從第一 接觸開(kāi)口 151到溝道區(qū)域A的面積。鈍化層210防止有機(jī)半導(dǎo)體層190的特 性劣化。它也可以由有機(jī)材料形成，它可以由丙稀酸基感光有機(jī)膜形成。
之后，將參考圖3A到3K形成具有有機(jī)TFT的平板顯示器的制造方法。 如圖3A所示，制備含有比如玻璃、石英、陶瓷、塑料等的絕緣材料的絕緣 基板IIO。優(yōu)選在制造柔性FPD中使用塑料基板。然后，如圖3B所示，在 使用濺鍍方法在絕緣基板110上沉積數(shù)據(jù)線材料之后等，通過(guò)光刻工藝形成 數(shù)據(jù)線121。如圖3C所示，包括比如SiNx、 SiOx等的無(wú)機(jī)材料或比如PVA、 BCB等的有機(jī)材料中至少一種的層間絕緣材料涂覆在基板110和數(shù)據(jù)線120 上來(lái)形成層間絕緣膜130。如果該層間絕緣材料是一種有機(jī)材料，則層間絕 緣膜130可以通過(guò)旋涂或狹縫涂覆方法等形成。如果該層間絕緣材料是一種 無(wú)機(jī)材料，則它可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)等形成。
如上所述，可以施加有機(jī)膜以及無(wú)機(jī)膜作為層間絕緣膜130。暴露數(shù)據(jù) 線121的第一接觸開(kāi)口 151通過(guò)使用感光有機(jī)膜作為屏蔽掩模以蝕刻工藝形 成。如圖l所示，暴露數(shù)據(jù)墊123的第二接觸開(kāi)口 152通過(guò)與第一接觸開(kāi)口 151相同的方法形成。然后如圖3D所示，在含有A1、 Cr、 Mo、 Au、 Pt、 Pd 等中至少一種的柵極線材料通過(guò)濺鍍方法等沉積在層間絕緣膜130上之后， 柵極線141、柵電極143和柵極墊145通過(guò)光刻工藝形成。
隨后，由比如PVA、 BCB等形成的厚的柵極絕緣膜150通過(guò)旋涂或狹 縫涂覆方法等形成柵極線140和層間絕緣膜130上。如圖1和圖2所示，在 柵極絕緣膜150中，第三接觸開(kāi)口 153以及對(duì)應(yīng)于第一接觸開(kāi)口 151的開(kāi)口 通過(guò)使用感光有機(jī)膜用作屏蔽掩模而同時(shí)形成。柵極絕緣膜150可以由比如 SiNx或SiOx的無(wú)機(jī)材料通過(guò)CVD或PECVD方法形成。
如圖3F所示，比如ITO或IZO的透明導(dǎo)電金屬氧化物材料(透明導(dǎo)電 材料)通過(guò)濺鍍方法涂覆在柵極絕緣膜150上，然后通過(guò)使用光刻工藝或蝕 刻工藝形成透明電極層160。透明電極層160通過(guò)第一接觸開(kāi)口 151與邀:據(jù) 線121相連接，并且包括源電極161、漏電極163和像素電極165，其中源 電極161至少部分與有機(jī)半導(dǎo)體層170接觸，漏電極163與源電極161通過(guò)它們之間插入的有機(jī)半導(dǎo)體層1卯分隔開(kāi)從而界定溝道區(qū)域A,像素電極165 設(shè)置在像素區(qū)域中從而與漏電極163連接。如圖l所示，透明電極層160還 包括與數(shù)據(jù)墊123連接的數(shù)據(jù)墊接觸構(gòu)件167和通過(guò)第三接觸開(kāi)口 153與柵 極墊145連接的柵極墊接觸構(gòu)件166。
然后，如圖3G所示，由PVA、 BCB、丙烯酸基感光有機(jī)材料等形成的 第一鈍化層材料涂覆在透明電極層160上從而形成第一鈍化層170。并且如 圖3H所示，金屬層材料通過(guò)濺鍍方法形成在第一鈍化層170上，然后具有 對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域A的開(kāi)口 181的金屬層180通過(guò)光刻工藝或蝕刻工藝形成。 金屬層180中的開(kāi)口 181的寬度d2優(yōu)選大于溝道區(qū)域A的層160的寬度d3 (圖3H)。
如圖3I所示，暴露溝道區(qū)域A的沉積開(kāi)口 171通過(guò)使用具有開(kāi)口 181 的金屬層180作為掩模而形成在笫一鈍化層170中。由于層180由金屬材料 形成，第一鈍化層170由有機(jī)材料形成，并且第一鈍化層170通過(guò)濕法蝕刻 工藝蝕刻得較多。因此，至少部分金屬層180在沉積開(kāi)口 171上延伸，同時(shí) 第一鈍化層170被底切。換言之，沉積開(kāi)口 171的寬度dl要大于鈍化層中 的開(kāi)口 181的寬度d2。
如圖3J所示，有機(jī)半導(dǎo)體層施加到金屬層180的上側(cè)以及沉積開(kāi)口 171 內(nèi)，由此形成有機(jī)半導(dǎo)體層190。又如圖3K所示，第二#<化層200通過(guò)旋 涂或狹縫涂覆方法形成在有機(jī)半導(dǎo)體層190上。此時(shí)，由于第二鈍化層200 由有機(jī)材料形成，因此它覆蓋了有機(jī)半導(dǎo)體層190的上表面和側(cè)表面。
由于沉積開(kāi)口 171的內(nèi)部通過(guò)它的階梯部分從沉積開(kāi)口 171的周邊區(qū)域 分開(kāi)，有機(jī)半導(dǎo)體層190形成在沉積開(kāi)口 171,然后有機(jī)半導(dǎo)體層190以希 望的形狀構(gòu)圖。
然后，金屬層180及其上層190和200通過(guò)金屬剝離工藝去除。但是， 在其中在層190和200之下不存在金屬層180的沉積開(kāi)口 171中的有機(jī)半導(dǎo) 體層190和第二鈍化層200沒(méi)有被去除而得以保留。金屬剝離方法指的是將 基板浸入金屬蝕刻劑中，該蝕刻劑特別地與金屬反應(yīng)從而去除金屬層180并 因此去除上層190和200。即，在金屬層18(M皮分離時(shí)，上層190和20(H皮 一起剝離并去除。優(yōu)選地，在金屬剝離工藝中使用的蝕刻劑基本上不會(huì)影響 第二鈍化層200。換言之，第二鈍化層200優(yōu)選不會(huì)由金屬剝離工藝中使用 的蝕刻劑蝕刻。如果除了位于沉積開(kāi)口 171中的部分之外的所有金屬層180及上層190和200都被同時(shí)去除，則完成對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層190的構(gòu)圖工藝。 在該工藝中，有機(jī)半導(dǎo)體層190的上表面和側(cè)表面受到第二鈍化層200的保 護(hù)而免受化學(xué)材料或等離子體的侵襲，由此防止了有機(jī)半導(dǎo)體層190的特性 的劣化。
如圖2所示，有機(jī)鈍化膜210還形成在第一接觸開(kāi)口 151上。有機(jī)鈍化 膜可以選擇性地施加。在有機(jī)鈍化膜210由感光有機(jī)膜構(gòu)成的情形，鈍化膜 210可以通過(guò)涂覆、曝光和顯影工藝形成。在鈍化膜210由類(lèi)似氮化硅的無(wú) 機(jī)膜構(gòu)成的情形，其可以通過(guò)沉積和光刻工藝形成。有機(jī)TFT可以如上所述 形成?？梢酝ㄟ^(guò)公知的方法形成比如液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光顯示器或無(wú) 機(jī)電致發(fā)光顯示器等的FPD。
根據(jù)本發(fā)明，如上所述沒(méi)有通過(guò)光刻工藝和/或蝕刻工藝形成有機(jī)半導(dǎo)體 層190的圖案。在本發(fā)明中，通過(guò)使用金屬層180將其中沉積了有機(jī)半導(dǎo)體 層190的沉積開(kāi)口 171形成在第一鈍化層170中，通過(guò)使用不受金屬蝕刻劑 影響的第二鈍化層200保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層l卯的上表面和所有側(cè)表面，有機(jī) 半導(dǎo)體層190除在沉積開(kāi)口 171中的之外通過(guò)金屬剝離工藝而去除，由此將 有機(jī)半導(dǎo)體層190構(gòu)圖。由于根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體層190的構(gòu)圖方法不 使用光刻或蝕刻工藝，可以最小化有機(jī)半導(dǎo)體層190的特性的劣化，由此最 小化有機(jī)TFT的特性的劣化。
由于第二鈍化層200覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層190的上表面和所有側(cè)面，所以 可以有效地最小化有機(jī)半導(dǎo)體層190的特性的劣化，并且可以充分地進(jìn)行蝕 刻工藝。因此，還可以最小化了由于保留在像素電極上的有機(jī)半導(dǎo)體材料所 導(dǎo)致的缺陷。而且，由于通過(guò)筒單的剝離工藝進(jìn)行對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層190的構(gòu) 圖工藝，而不像傳統(tǒng)的復(fù)雜光刻工藝那樣，所以也可以簡(jiǎn)化制造工藝并制造 高質(zhì)量的有機(jī)TFT。
之后，將參考圖4對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，其中對(duì)于與第一 實(shí)施方式相同的那些元件使用相同的參考標(biāo)號(hào)，并將不再提供對(duì)于這些元件 的詳細(xì)說(shuō)明。在第一實(shí)施方式中，通過(guò)蒸鍍和光刻工藝形成有機(jī)半導(dǎo)體層 190。但是，第二實(shí)施方式應(yīng)用了噴墨方法。
如圖4所示，通過(guò)使用沉積開(kāi)口 171作為分隔壁，將有機(jī)半導(dǎo)體材料噴 射在溝道區(qū)域A。根據(jù)要使用的溶劑，該有機(jī)半導(dǎo)體材料可以水性的或油質(zhì) 的。通過(guò)溶劑去除工藝處理有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成有機(jī)半導(dǎo)體層190。然后，鈍化層溶液195噴射在有機(jī)半導(dǎo)體層190上。根據(jù)要使用的溶劑，該鈍化層 溶液可以水性的或油質(zhì)的。通過(guò)溶劑去除工藝處理該鈍化層溶液以形成具有 平坦表面的鈍化層200。因此，該實(shí)施方式可以提供制造有機(jī)TFT的簡(jiǎn)單方 法，這可以最小化有機(jī)半導(dǎo)體層190的特性的劣化。
如上所述，本發(fā)明提供了制造FPD的簡(jiǎn)單方法，這可以最小化有機(jī)TFT 的特性的劣化。
而且，本發(fā)明提供了其中有機(jī)TFT的特性的劣化被最小化的FPD。雖 然已經(jīng)說(shuō)明和示出了本發(fā)明的一些實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將 理解，不脫離本發(fā)明的原理和精神可以在這些實(shí)施方式中進(jìn)行改變，本發(fā)明 的范圍由權(quán)利要求和它們的等同特征限定。而且，術(shù)語(yǔ)第一、第二等的使用 不表示任何順序或重要性，相反術(shù)語(yǔ)第一、第二等用來(lái)將一個(gè)元件與另一個(gè) 元件相區(qū)別。而且，使用單數(shù)形式的術(shù)語(yǔ)也不表示任何數(shù)量的限制，相反表 示存在至少一個(gè)提及的項(xiàng)。
雖然已經(jīng)示出和說(shuō)明了本發(fā)明的一些實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員將理解，不脫離本發(fā)明的原理和精神可以在這些實(shí)施方式中進(jìn)行改變， 本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求和它們的等同特征限定。
權(quán)利要求
1、一種制造平板顯示器的方法，包括如下步驟制備絕緣基板；在所述絕緣基板上形成分開(kāi)的源電極和漏電極來(lái)界定溝道區(qū)域；在所述源電極和漏電極上形成第一鈍化層；在所述第一鈍化層上形成具有對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)域的開(kāi)口的金屬層；通過(guò)使用所述金屬層作為掩模在所述第一鈍化層中形成沉積開(kāi)口來(lái)通過(guò)所述第一鈍化層的沉積開(kāi)口暴露所述溝道區(qū)域；在所述沉積開(kāi)口內(nèi)依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層和第二鈍化層；以及去除所述金屬層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中通過(guò)剝離工藝進(jìn)行去除所述金屬層的 步驟。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述剝離工藝使用不影響所述第二鈍 化層的蝕刻劑進(jìn)行。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中通過(guò)濕法蝕刻工藝形成所述沉積開(kāi)口。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述沉積開(kāi)口具有大于所述金屬層的 開(kāi)口的寬度。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中與所述第一鈍化層相比，所述金屬層 的至少部分還在 一方向上向所述沉積開(kāi)口延伸。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在形成所述源電極和漏電極之前在 所述絕緣基板上形成數(shù)據(jù)線的步驟。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括形成具有第一接觸開(kāi)口以暴露至少 部分所述it據(jù)線的層間絕緣層的步驟。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8的方法，還包括在溝道區(qū)域上形成對(duì)應(yīng)于所述層間 絕緣層的柵電極的步驟。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括在所述柵電極和所述源電極及漏電 極之間形成柵極絕緣膜的步驟。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體層通過(guò)噴墨方法形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制造平板顯示器的方法，包括如下步驟制備絕緣基板；在所述絕緣基板上形成分開(kāi)的源電極和漏電極來(lái)界定溝道區(qū)域；在所述源電極和漏電極上形成第一鈍化層；在所述第一鈍化層上形成具有對(duì)應(yīng)于所述溝道區(qū)域的開(kāi)口的金屬層；通過(guò)使用所述金屬層作為掩模在所述第一鈍化層中形成沉積開(kāi)口來(lái)通過(guò)所述第一鈍化層的沉積開(kāi)口暴露所述溝道區(qū)域；在所述沉積開(kāi)口內(nèi)依次形成有機(jī)半導(dǎo)體層和第二鈍化層；以及去除所述金屬層。
文檔編號(hào)H01L27/28GK101419944SQ20081017102
公開(kāi)日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2006年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者宋根圭, 崔泰榮, 洪雯杓, 金俊亨 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社