專利名稱：：電磁噪聲抑制器、使用該抑制器的半導體器件及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及半導桐于底，該襯底用于制造工業(yè)和日常使用的各種半導體器件，并且涉及半^#芯片和其表面上形成有集成電路的半導體晶片，特別是涉及噪聲抑制的電磁波吸收半導桐于底及其制造方法，以及使用這種半導桐t底制造的半導體器件。本發(fā)明還涉及呈現(xiàn)突出的高頻電磁噪聲抑制效果的電磁噪聲抑制體，特別是涉及能有效抑制電磁噪聲的電磁噪聲抑制體，這種電磁噪聲對工作在高速或高頻電子器件和電子設備的有源器件是成問題的，并且涉及使用這種抑制體的高頻電磁噪聲抑制方法
背景技術：
：近年來高速工作的高度集成的半導體器件得到顯著地M。例子包括隨才踏耳踏儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、微處理器(MPU)、中央處理對CPU)、圖像處理運算邏褲單元(IPALU)、及其他邏輯電路裝置。在這些有源器件中，在計算速度和信號處理速度方面，以驚人的速率實現(xiàn)了更高的速度，通過高速電子電路傳送的電信號變成感應和高頻噪聲的主要原因，這是因為與此關聯(lián)的快速電壓和電流變化。同時，對于電子器件和電子設備，在更輕的重量、更薄的外形、和更小的尺寸方面的趨勢快速地持續(xù)J^艮并且沒有減弱。與這種趨勢相關，在半導體器件中實現(xiàn)的集成度和在印制導線襯底中實現(xiàn)的更高電子元件安裝密度也是顯著的。因此，過度密集地集成或安裝的電子器件和信號線變得彼此極為靠近，目前的情況是這樣的，與實現(xiàn)的更高信號處理速度相關，正如早先說明的，容易引起高頻寄生輻射噪聲。對于傳統(tǒng)的半導體襯底，在襯底本身沒有實施防噪聲措施。因此，在半導體器件制造之后，從半導體器件電路圖形區(qū)產(chǎn)生噪聲時，噪聲原樣泄漏到外面，有時在其他的裝置或設備中引起操作誤差。既然這樣，在用于半導體器件的防噪聲措施方面已經(jīng)對每個單個半導體器件的背面施加電磁波吸收材料或類似物，形成附加的電磁波吸收層。然而，對于這樣的傳統(tǒng)的半導體器件防噪聲措施，存在如下問題，必須在后續(xù)工序中對每個單個半導體器件的背部施加噪聲吸收材料、例如電磁波吸收材料，因jtt^實施防噪聲措施中需要大量的時間。并且，因為施加到每個單個半導體器件的背部，所以噪聲吸收部件、例如電磁波吸收材料的厚度容易產(chǎn)生變化，單個半導體器件的噪聲吸收特性也發(fā)生變化，這也構成問題。而且正如通常已知的，通過切割作為半"Wt底的半導體晶片，獲得構成半導體器件的半，寐芯片，其表面上形成集成電路。已經(jīng)指出與來自這種半導體昧芯片的電源線的寄生輻射相關的問題，對此的解決手段已經(jīng)提供，即在電源線中插入去耦電容器或其它集總常數(shù)元件。還已經(jīng)指出與電子集成器件和布線襯底中從電源線到有源器件的寄生輻射相關的問題，對此的解決手段同樣已經(jīng)提供，即在電源線中插入去耦電容器或其它集中常數(shù)元件。然而，在半導體寐芯片、電子集成器件和布線襯底中，其表面上形成更高速度執(zhí)行的集成電路，產(chǎn)生的噪聲包舍諧波分量，因此信號通路已經(jīng)呈現(xiàn)分布常數(shù)特性。結果，已經(jīng)出現(xiàn)的情況是意味著傳統(tǒng)的集總常數(shù)電路的阻止噪聲的手段是無效的。因此，需要開發(fā)一種電磁噪聲抑制體，對以高速工作的這種半導體器件和電子電路中的電磁噪聲進行有效適度地抑制。更具體地，需要開發(fā)能夠以較小體積有效地實現(xiàn)阻止電磁噪聲的電磁噪聲抑制體。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效地吸收^WslH2頻帶到GH2頻帶的干擾電磁波的半導銅于底，當分成單個半導體器件時能夠呈現(xiàn)電磁波吸收效應，有助于噪聲-抑制半導體器件的批量生產(chǎn)，及其制造方法和其中使用那些半導徊于底的半導體器件。本發(fā)明的另一個目的在于提供一種半導體昧芯片和半導體晶片，能夠有效地減少從集成電路產(chǎn)生的寄生輻射，在半導^^寐芯片和半導體晶片表面上形成這種以高速工作的集成電路。本發(fā)明的又一個目的在于提供一種電磁噪聲抑制體，即使當還使用呈現(xiàn)突出的磁損耗掙l"生的導電磁性薄膜時，也能夠在例如半導體器件內(nèi)部的微型電子電路中實現(xiàn)無反射電磁噪聲抑制，以及使用這些抑制體的電磁噪聲抑制方法。根據(jù)本發(fā)明的一個方案，4是供一種其表面上形成集成電路的半導芯片。在本發(fā)明的該方案中，在半導體寐芯片的背側上形成磁損耗薄膜。根據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提供一種其表面上形成集成電路的半導體晶片。在本發(fā)明的該方案中，在半導體晶片的背側上形成磁損耗薄膜。根據(jù)本發(fā)明的又一個方案，IC供一種在其一部分形成磁損耗部件的半導飼于底。在本發(fā)明的該方案中，該磁損耗部件按預定圖形形成在一個半導桐于底的表面附近。磁損耗部件和該表面上的半導俗于底區(qū)被絕緣薄膜均勻地覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的再一個方案，提供一種半導桐于底，通過第一半導銅于底部件和第二半導^N"底部件結合在一起而形成，并且在其一部分形成有磁損耗部件。在本發(fā)明的該方案中，第一半導^N"底部件和第二半導銅于底部件中，至少一個或另一個半導銅十底部件設置有溝槽，溝槽形成在結合在一起的一側的表面上，其中該磁損耗部件嵌入這種溝槽。根據(jù)本發(fā)明的進一步的方案，提供一種半導^H"底制造方法，包括形成層的工藝，該層在該半"f^t底的至少一部分中包含磁損耗部件。根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種電磁噪聲抑制體，該抑制體包括一種導電軟磁薄膜，具有一種結構，其中該軟磁薄膜^c細微地分成相對于電磁噪聲波長是足夠小的構成單元。在這些構成單元之間的直流電傳導被間斷。根據(jù)本發(fā)明的再一方案，提供一種電磁噪聲抑制方法，通itt微帶線或信號傳輸線類似物的正上方形成上述的電磁噪聲抑制體，來抑制傳導的電磁噪聲。>^據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提^供一種用于抑制傳導的電磁噪聲的電磁噪聲抑制體，包括在微帶線或信號傳輸線類似物正上方附近形成的導電軟磁薄膜。在本發(fā)明的該方案中，導電軟磁薄膜的形狀是這樣的，其寬度基本等于或窄于該微帶線或信號傳輸線類似物的線寬度。^4居本發(fā)明的另一個方案，"^供一種傳導的噪聲抑制方法，用于通過形成一種電磁噪聲抑制體控制傳導電磁噪聲，該電磁噪聲抑制體包括在微帶線或信號傳輸線類似物正上方附近形成的導電軟磁薄膜。在本發(fā)明的該方案中，導電軟磁薄膜的形狀是這樣的，其寬度基本等于或窄于該微帶線或信號傳輸線類似物的線寬度。圖1A是傳統(tǒng)的半科晶片的平面圖。圖1B是圖1A中的圈出部分的放大圖。圖1C是沿圖1B中的線IC-IC剖切的剖面圖。圖2A是傳統(tǒng)的半導銜t底的總平面圖。圖2B是沿圖2A中的^JIB-KB的剖面圖。底最終形態(tài)的平面圖。圖3B是沿圖A中的線EIB-DIB的剖面圖。圖4A是分割傳統(tǒng)的半導體襯底之后完成的一個半導體器件的普通透視圖。圖4B是沿圖4A中的線IVB-IVB的剖面圖。圖5A是在防噪聲措施之后的普通透視圖，提供用于說明傳統(tǒng)的半導體器件中的防噪聲措施的一種例子。圖5B是沿圖5A中的線VB-VB的剖面圖。圖6A是本發(fā)明一個實施例中的半#晶片的平面圖。圖6B是圖6A中的圈出部分的放大圖。圖6C是沿圖6B中的線VIB-VIB剖切的剖面圖。圖7是使用濺射方法的樣品制造設備的剖面示意圖。圖8是作為磁損耗薄膜的樣品l的磁損耗系數(shù)[x"與頻率相關性的一個例子的曲線圖。圖9是用于觀察由作為磁損耗薄膜的樣品l組成的高頻電流抑制體的抑制效果的測量系統(tǒng)的透4見圖。圖IO是作為磁損耗薄膜的樣品l的傳輸棒f生(S21)的頻率響應曲線。圖ll是作為磁損耗薄膜的磁體的等效電路圖。圖12是從作為磁損耗薄膜的樣品1的傳輸特性(S21)計算的電阻值R的頻率響應曲線。圖13A是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導銅于底的平面圖。圖13B是沿圖13A中的線XIHB-xmB的剖面圖。圖14A是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導俗十底制造方法的圖，表示的狀態(tài)是在硅襯底的全部表面上形成磁損耗部件。圖14B表示的狀態(tài)是在圖14A所示的半導飼于底的磁損耗部件層上形成光致抗蝕圖形。圖14C表示的狀態(tài)是已經(jīng)形成具有預定圖形的磁損耗部件2，該磁損耗部件僅僅存在于圖14B所示工序添加的磁損耗部件光致抗蝕圖形留存的那些部位。圖14D表示的狀態(tài)是在圖14C所示工序中形成磁損耗部件2的表面M蓋絕緣薄膜。圖15A是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導銅于底的平面圖。圖15B是沿圖15A中的線(XVB-XVB的剖面圖。圖16A是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導#^#底的制造方法的圖，表示的狀態(tài)是在第一硅襯底上形成二氧化硅圖形，并且對暴露的硅部4立進行干法腐蝕。圖16B表示的狀態(tài)是在圖16A所示的半導^#底中形成預定深度L1的溝槽4U圖16C表示的狀態(tài)是，從圖16B所示狀態(tài)，去除二氧化硅并且暴露具有溝槽的硅襯底的表面。圖16D表示狀態(tài)是，在圖16C所示襯底一側的全部表面上形成磁損耗部件層。圖16E表示的狀態(tài)是，對"^則進行拋光處理，暴露出硅襯底表面和溝槽之內(nèi)的磁損耗部件。圖16F表示的狀態(tài)是，在與第一硅襯底結合之前立即制備第二硅襯底。圖16G表示的狀態(tài)是，第一硅襯底和第二硅^J"底已經(jīng)結合。圖17A是;^據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件的外形透視圖。圖17B是沿圖17A中的CXVIIB-XVEB的剖面圖。圖18是說明用于評價本發(fā)明實施例的電磁噪聲的樣品的圖。圖19是電磁噪聲評價系統(tǒng)的圖。圖20&艮示根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體樣品的電磁噪聲抑制效果的曲線圖，是針對反射特性(Sl1)的曲線值。圖21l艮示根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體樣品的電磁噪聲抑制效果的曲線圖，是針對反射特性(S21)的曲線值。圖22是說明本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體的樣品的圖。圖23是用于本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體的傳導電磁噪聲評價系統(tǒng)的結構示意圖。圖24a示根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體樣品的電磁噪聲抑制效果的曲線圖，是針對反射特性(S11)的曲線。圖25;^示根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁噪聲抑制體樣品的電磁噪聲抑制效果的曲線圖，是針對反射掙I"生(S21)的曲線。JM本實施方式首先，在^兌明本發(fā)明實施例之前，為了便于理解本發(fā)明，參考圖l-5說明現(xiàn)有技術的半導體晶片。參考圖1A、1B和1C,例如使用通常已知的晶片制造技術制造半導芯片。半導體晶片27具有多個芯片晶片29，每個晶片的表面上形成有集成電斷未示出)，并且每個晶片在其上面形成有芯片電紀l(電極焊盤)。所示芯片電^31沿著芯片晶片29的外圓周邊》彖形成，但是芯片電^L31可以形成在有源區(qū)中。鋁合金通常被用做形成芯片電極的金屬。半導體晶片27還包括鈍化膜33。更具體地說，半導體晶片27的4^P表面被鈍化膜33覆蓋。鈍化膜33例如由聚酰亞胺、氮化硅薄膜或二氧化硅薄膜組成，使用的是爿^p方法例如旋涂。鈍化膜33的厚^是2CVm以下。形成鈍化膜33之后，通過暴露和腐蝕半導體晶片27,使芯片電^131暴露于大氣。結果，除了形成有芯片電^31的那些位置，鈍化膜33將覆蓋半導體晶片27的4^P表面。然后沿刻線35把芯片晶片29相互分成單個半導體寐芯片。通過通常已知的使用劃片機的劃片方法完成分離。這些芯片晶片29是半"^^芯片37。參見圖2A和迅，半^N"底39具有硅作為其基^H"料，這里所示半導^N"底是處于半導體器件制造工藝初始條件中的。通過使半"H^N"底39經(jīng)過各種通常已知的半導體制造工藝，獲得圖3A和3B所示半導^N"底，于其上形成有早先說明的單個半導沐器件電路圖形。參見圖3A和3B，半導#^#底39中的單個電路圖形區(qū)域4A對應于幾個半爭沐器件的功能部分。通過把包括它們各自電路圖形區(qū)域41在內(nèi)的單個半導體器件從半^N"底39切割，制作幾個半爭沐器件。參見圖4，對于傳統(tǒng)的半導^M于底39，在其襯底本身沒有實施防噪聲措施。因此，在制作半導體器件43之后，如果從半導體器件43的電路圖形區(qū)45產(chǎn)生噪聲，則該噪聲原樣地泄漏到外面，有時在其他裝置或設備中引起誤操作。參見圖5A和5B,在用于半導體器件的防噪聲措施方面已經(jīng)對每個單個半導體器件的背面施加電磁波吸收材料或類似物，形成附加的電磁波吸收層。對于圖5A和5B所示半導體器件47，從半導^M于底分割單個半導體器件之后，已經(jīng)把電磁波吸收材料49施加到該半導體47的背側，即在沒有形成電路圖形區(qū)域45的該側表面上或類似表面上，形成附加的電磁波吸收層。然而對于在這些傳統(tǒng)的半導體器件47中的防噪聲措M在以下問題，在后續(xù)處理中對每個半導體器件47的背面施加噪聲吸收部件即電磁波吸收材料49，實現(xiàn)防噪聲措施需要大量的時間。并且，因為施加到每個單個半導體器件的背部，所以噪聲吸收部件即電磁波吸收材料49的厚度容易產(chǎn)生變化，單個半導體器件的噪聲吸收特性也發(fā)生變化，這是又一個問題。以下給出本發(fā)明的簡要歷史。本發(fā)明人早先已經(jīng)發(fā)明了在高頻呈現(xiàn)大的磁損耗的復合磁體，并且發(fā)現(xiàn)了其方法，通過在寄生輻射來源附近形成該復合磁體，有效地抑制從上述半導體器件和電子電路產(chǎn)生的寄生輻射。從對使用這種磁損耗衰減寄生輻射的作用機制近來進行的研究已知，是由于對構成寄生輻射來源的電子電路給予等效電阻元件。這里，等效電阻取決于由復數(shù)磁導率的虛部給出的磁#^茲損耗系％"。更具體地說，相當于插入電子電路中的電阻元件的阻抗值，當磁體的面積是常數(shù)時，基本與[X"和磁體的厚度成正比。因此，為了以較小或更薄的磁體獲得要求的寄生輻射衰減，大的(JL"是必需的。例如，為了在較小區(qū)域、例如在半導體器件模具內(nèi)部使用磁損耗體實施阻止寄生輻射的措施，極大的磁損耗系數(shù)值是必需的，因此已經(jīng)在尋求其具有的pt"明顯地大于傳統(tǒng)的磁損耗材料的磁體。鑒于這種情況作出了本發(fā)明。而且，本發(fā)明A^M吏用濺射或汽相淀積方法研究軟磁材料的過程中，注意到粒狀磁體的突出的磁導率，其中細微磁性金屬顆粒均勻地M在非磁性體例如陶資中，對磁性金屬顆粒的微觀結構和圍繞它們的非磁性體進行了研究。結果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)當粒狀磁體中的磁性金屬顆粒濃度在一定范圍內(nèi)時，在高頻區(qū)域獲得突出的磁損耗特性。迄今為止對具有M-X-Y組成成分的粒狀磁體已經(jīng)進行了許多研究，其中M是磁性金屬元素，Y是O、N好，X是除了M或Y之外的元素，已知這些是低損耗的并且呈現(xiàn)大的飽和磁化。在這些M-X-Y粒狀磁體中，飽和磁化的大小取決于由M成分計算的體積比。因此，M成分的比例必須是高的，以便獲得大的飽和磁化。因此，對于普通應用例如用做高頻電感器件或變壓器等中的磁心，M-X-Y粒狀磁體中M成分的比例限于這樣的范圍，即其飽和磁化基本是僅由M成分組成的塊狀金屬磁體可以實現(xiàn)的飽和磁化的80%或以上。本發(fā)明人研究了具有M-X-Y組成成分的粒狀磁體中的M成分比例，其中M是磁性金屬元素，Y是O、N兩者ilF，X是除了M或者Y之外的元素，結果在廣泛的范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)對于每個組成成分體系，當在特定的濃度范圍之內(nèi)存在磁性金屬M時，在高頻區(qū)域呈現(xiàn)大的磁損耗，從而完成了本發(fā)明。最高區(qū)域，其中M成分呈現(xiàn)的飽和磁化是僅由M成分組成的塊狀金屬磁體的飽和磁化的80%或以上，是在高飽和磁化的低損耗M-X-Y粒狀磁體區(qū)域，對其已經(jīng)廣泛地研究了一定時間。在這個區(qū)域中的材料用于高頻微型磁性器件，例如上迷的高頻電感器，因為實部磁導率Oi卩和飽和磁化兩^Ki都是大的，但是影響電阻的由x-y成分所占比例是小的，因此電阻率還是小的。因此，當薄膜厚度變薄時，高頻磁導率與高頻區(qū)域中的渦流損耗的產(chǎn)生連同地劣化，因此這些材料不適合用于例如抑制噪聲用的比爭誘的磁膜。在JM成分比例的該區(qū)域呈現(xiàn)的飽和磁化是僅由M成分構成的塊狀金屬磁體的飽和磁化的80。/?；蛞韵隆?0%以上，電阻率比傘i大，基本上是IOOpQ.cm或更大。因此，即使該材料厚度在幾pm的數(shù)量級，由于渦流引起的損耗也是小的，幾乎所有的磁損耗將是由于自然諧振。因此，對于磁損耗系％"的頻率^:寬度將變窄，因此這種材料適合于窄帶頻率范圍的防，乘聲措施。在M成分比例的該區(qū)域的飽和磁化是僅由M成分組成的塊狀金屬磁體的飽和磁化的60。/?；蛞韵?、35%或以上時，電阻率將是更大的，基本上是5(XVQ.cm或以上，所以由于渦流引起的損耗極小，這是因為M成分之間磁相互作用變小，自旋熱擾動變大，在發(fā)生自然諧振的頻率中產(chǎn)生顫動。因此，磁損耗系lt^"在寬范圍內(nèi)將呈現(xiàn)大的值。因此，該組成成分區(qū)域適合于寬帶高頻電流抑制。另一方面，在M成分比例即使小于本發(fā)明區(qū)域的區(qū)域中，由于M成分之間的磁相互作用幾乎都不出現(xiàn)，所以磁性將出現(xiàn)異常。當磁損耗材料形成在緊接靠近于電子電路并且高頻電流被抑制時，該材料設計標準是由磁損耗系％"和磁損耗材料厚度S的乘積給出，那就是說，p".S，為了有效地抑制在數(shù)百MH2頻率的高頻電流，粗略的要求將~".S》1000m)。因此，對于呈5%"=1000的磁損^N"料，Vm或以上的厚度是必需的，因itt^渦流損^4t感的低電阻材料是不適當?shù)?，而適當?shù)慕M成成分是電阻率為100Q.cm或以上的，即在本發(fā)明的組成成分體系中，M成分比例處于這樣的區(qū)域，其飽和磁化呈現(xiàn)為僅由M成分組成的塊狀金屬磁體的飽和磁化的80%或以下，磁性沒有出現(xiàn)異常，亦即該區(qū)域呈現(xiàn)的飽和磁化是僅由M成分組成的塊狀金屬磁體的飽和磁化的35%或以上。本發(fā)明是這樣一種發(fā)明，其中施加磁損耗薄膜例如上述粒狀磁薄膜。"粒狀磁薄膜"意思是指在幾十MHz到幾GH2的高頻呈現(xiàn)很大磁損耗的磁薄膜，其細徵結構呈現(xiàn)從;Lnm到幾十nm直徑的極細顆粒。在本
技術領域：
中這種薄膜也稱作"微晶的薄膜"。以下將參考本發(fā)明的實施例。參見圖6A到6C,^iJt明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的半導體晶片。所示半導體晶片51具有與圖1所示半導體晶片相同的結構，只是其背側用磁損耗薄膜55覆蓋。具有與圖l所示相同功能的元件由相同的參考符號標明，為了避免多余的說明，這里不再給予說明。沿劃線35把芯片部分53相互分成單個半導體寐芯片。通過使用劃片機的通常已知的劃片方法完成分隔。這些芯片部分53是半導體寐芯片57。這里，對于磁損耗薄膜55，可以使用粒狀磁薄膜，這是由本發(fā)明M20m年l月24日申請的國際專利申請No.PCT/JP01/00437中提出的，對應于2000年1月24日申請的日本專利申請No.2000-52507，以下稱為"在先申請"。這種粒狀磁薄膜可以通過利用濺射方法、反應濺射方法、或汽相淀積方法來制造，正如在該在先申請的說明書所說明的。換言之，粒狀磁薄膜可以是通過濺射或反應'減射形成的濺射薄膜，另外也可以是通過汽相淀積形成的蒸汽淀積膜。事實上，制造粒狀磁薄膜時，對這種濺射薄膜或蒸汽淀積膜，在預定溫度的真空磁場中進行預定時間的熱處理。請參閱用于詳細說明粒狀磁薄膜制造方法的在先申請。本發(fā)明人已經(jīng)在測試中證實，用這樣的方式形成的粒狀磁薄膜在從幾十MHz到幾GHz的高頻呈現(xiàn)極大的磁損耗，即使是例如2.0|_1m或以下的薄膜厚度也是這樣的。本發(fā)明人也在測試中已經(jīng)證實，根據(jù)本發(fā)明的并且在亞微波段中呈現(xiàn)p"離散的粒狀磁薄膜，呈現(xiàn)的高頻電流抑制效果的數(shù)量級與具有大約500倍厚度的復合磁片相同。因此，根據(jù)本發(fā)明的粒狀磁薄膜，可以用做以接近lGHz的高時鐘速度工作的半導體集成器件等中的抗電磁干擾措施的材料。下面，參考圖7，作為用于制造作為磁損耗薄膜55的粒狀磁薄膜的設備的一個例子，說明濺射制造設備。本濺射制造設備包括真空室59、和連接到該室的氣體供應單元61和真空敘3。在該室59中，襯底63和le;67相對設置，中間插入閘板65。輩Cj67由成分M構成，其中芯片69由成分X和Y、或成分X構成，形成在預定間隔。在芯片69和IM7支持側上，連4M]"頻電源71的一端，射頻電源71的另一端接地。以下，將說明使用這種結構的濺射制造設備來制造粒狀磁薄膜樣品l的一個例子。首先，在直徑cp=100mm的由鐵制成的圓板(^57)上，形成總共120個"2〇3芯片，尺寸二5mm高x5mm^x2mm厚。然后，通過真空泵73在真空室59內(nèi)保持大約1.33x10-4Pa的真空，通過氣體供給單元61向真空室69供給氬氣，從而在真空室59之內(nèi)建立氬氣氣氛。在這種狀態(tài)下，通過射頻電源26供給高頻電功率。在例如這種情況下，通過'減射在玻璃襯底上形成磁薄膜，形成該襯底63。然后把獲得的磁薄膜在低于300t的溫度條件下，在真空磁場中進行2小時熱處理，得到根據(jù)早先說明的粒狀磁薄膜的樣品l。把如此獲得的樣品l進行熒^tX射線分析，發(fā)現(xiàn)具有Fe72AlnO,7組成成分，2.0(am的薄膜厚度和53(^Q'cm的直流電阻率。樣品1的各向異I"生電場Hk是18(Oe)，飽和磁^MS是1說T(特斯拉)。此夕卜，樣品l的相對帶寬bwr是148%。相對帶寬bwr是通過在二個頻率之間提取頻帶寬度而獲得的，在該兩個頻率處的p〃值(磁損耗系數(shù)或復數(shù)磁導率的虛部)是最#〃max的50%，并且在其中心頻率歸一化該頻帶寬度。在樣品l飽和磁^Ms(M-X-Y)與僅由成分M組成的金屬磁體的飽和磁^Ms(M)之間的比例，即(Ms(M-X-Y)/Ms(M))x曹/o'是72.2%。為了證實樣品l的磁損耗掙t生，如下地研究磁導率^掙f生(H-f響應)。通過把樣品1插入帶狀檢測線圈中測量P-f響應，同時施加偏置磁場測量阻抗。根據(jù)這些結果，獲得磁損耗系凄^"的頻率響應(^"-f響應)。這種樣品l的ja"-f響應標繪在圖8中。在圖8中，頻率f(MHz)標繪在橫軸上，磁損耗系lt^"在垂直軸上。從圖8中，可見樣品1的磁損耗系凄^"呈現(xiàn)很大的離散，峰值不太尖銳，諧振頻率在700MHz附近也較高。還使用圖9所示的高頻電磁干擾抑制效果測量設^H3進行測試，以便證實樣品l的高頻電磁干擾抑制效果。應該注意，這種高頻電磁干擾抑制效果測量設^"65能夠測量雙端口之間的傳輸特性S^，這是通過首先形成與微帶線77連接的同軸線32,網(wǎng)絡分析器(HP8753D未示出)與其兩端任意連接，在長尺寸方向，微帶線77的線長度是75mm，掙f生阻抗Zc=50Q，然后把磁體樣品33放置在微帶線77的形成樣品31a的位置的正上方。當用形成傳輸線緊鄰的附近的磁損耗材料，對傳輸線增加等效電阻成分從而控制高頻電流時，正如高頻電磁干擾抑制效果測量設^65的結構那樣，確信高頻電流抑制效果的大小將基本與磁損耗系％"的大小和磁偉、厚度S的乘積成正比，亦即p".5。在圖10中標繪了對于頻率f(MHz)的傳輸特f生S^(dB)，這是使用高頻電磁干擾抑制效果測量設翻5，測量樣品磁體的高頻電流抑制效果的結果所顯示的。從圖10中可見，樣品l的傳輸掙f生S2,在100MHz之上下降，在接必GH2處呈現(xiàn)-10dB的最小值之后再次上升。從這些結果可見，雖然傳輸特性S^取決于磁體磁損耗系數(shù)^"的離散，但抑制效果的大小取決于上述乘積p目前，磁體例如樣品l可以處理成為具有磁導率l^和介電常數(shù)s的分配常數(shù)線的構成，尺寸是l。在這種情況下，每單位長度(A1)有許多等效電路常數(shù)，即串聯(lián)連接結構的單位電感AL和單位電阻AR,以及存在于那些和地線之間的單位接地電導AG和單位靜電電名AC，。當把這些變?yōu)榛趥鬏斕匦許^的樣品尺寸時，樣品l可以處理成為具有電感L和電l!aR、以及靜電電和接地電導G作為等效電路常數(shù)的等效電路。在這里考察高頻電磁干擾抑制效果時，從以下事實來看，在形成于磁體徵帶線77上的情況，傳輸掙f生S"的變化主要起因于與等效電路中的電感L串粉卩入的電阻R成分，通過發(fā)現(xiàn)電阻R的值可以研究其頻率相關性。圖12中標繪的值是根據(jù)與圖11所示等效電路中的電感L串聯(lián)加入的電PiLR的值計算的。圖12表示對于頻率f(MHz)的電阻做(Q)的特性。從圖12可見，在亞微波段區(qū)域電阻值R簡單地上升，在3GHz成為幾十Q，其頻率相關性呈現(xiàn)不同于接近lGHz具有最大值的磁損耗系數(shù)ia"的頻率分歉的趨勢。這些被認為是由以下事實引起的，即除了如前所述的乘積)1".S之外，反映了樣品尺寸與波長簡單地增加的比例?；谏鲜鼋Y果，不妨說在亞微波段顯示磁損耗系麵"離散的樣品，呈現(xiàn)高頻電流抑制效果，其相當于具有其厚度的大約500倍的復合磁體片，因此，在lGHz的高頻電磁干擾抑制措施上是有效的。然而，本發(fā)明并不限于上述實施例，在不脫離本發(fā)明主概念的范圍之內(nèi)，不言而喻可以作出各種改進。例如，在本發(fā)明的實施例中，僅介紹了使用濺射作為制遽啦狀磁薄膜的方法的制造例子，但是該方法可以是另一制造方法，例如真空汽相淀積、離子束汽相淀積、或氣體沉淀等。對制造方法沒有限制，只要能夠均勻地實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的磁損耗薄膜即可。此外在本發(fā)明的實施例中，形成該薄膜之后在真空磁場中實施熱處理，但是對于淀積膜，只要組成成分和薄膜形成方法能夠獲得本發(fā)明的性能即可，對在本實施例介紹的薄膜形成后的處理沒有限制。而JL^上迷實施例中，僅對半導芯片57或半導體晶片51背側直接地涂敷磁損耗薄膜55的情況進行了說明。然而，當然可以規(guī)定，把其背側表面上形成有磁損耗膜的粘合帶施加于半導##芯片57或半導體晶片51的背面。此外在上述實施例中，介紹了磁損耗薄膜55例如是粒狀磁薄膜的情況。然而，并沒有限制，任何薄膜都可以使用，只要在從幾十MHz到幾GHz的高頻呈^W艮大磁損耗即可。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，如上所述，半導芯片或半導體晶片的背面^皮磁損耗薄膜覆蓋，因此能夠有效地減少從其正面所形成的集成電路產(chǎn)生的寄生輻射。以下，說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導^N"底和制造方法，以及其中使用那些半導銅t底的半導體器件。參見圖13A和13B，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導，于底8S具有磁損耗部件89，在硅襯底或硅晶片87上形成的預定區(qū)域中布圖，其4r^被絕緣薄膜91覆蓋。而且，正如圖13B所示，在本實施例的半導銅t底85中，其上形成有半導體器件的表面，是與其上形成有磁損耗部件89的表面的相反側。此外在硅襯底1中，根據(jù)將成為最終構成產(chǎn)品的各種半導體器件，建立預定的雜質(zhì)濃度。磁損耗部件89的物質(zhì)由M-X-Y組成，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物。這種磁損耗部件89的組成成分例如是Fe72AluO，這種組成成分的磁損耗部件呈現(xiàn)突出的吸收特性，特別是對于^MHz頻帶到GHz頻帶的電磁波，能夠有效地吸收從形成在硅襯底87上的各種半導體器件所產(chǎn)生的上述頻帶的電磁波。此外，具有上述組成成分的磁損耗部件89是一種混合物，呈現(xiàn)由于電磁波吸收的極高磁損耗，磁損耗部件89的厚度能夠顯箸地更薄。從而磁損耗部件89的厚度能夠制成幾十纟鼓米或以下。對于使用本實施例的半導^N"底85制備的半導體器件，研究了由磁損耗部件89呈現(xiàn)的電磁波吸收掙f生。結果，和使用傳統(tǒng)的半導^M于底例如圖2A和2B所示半導，t底39的半導體器件相比，其中傳統(tǒng)半導桐于底沒有采取阻止電磁輻射的措施，發(fā)現(xiàn)在大約3GHz頻率由磁損耗部件2產(chǎn)生的電磁波吸收-i^基本上是l0分貝(dB)。對于在硅襯底87上形成磁損耗部件89的方法，首先，使用濺射或汽相淀積，例如在硅襯底87上與形成上述的半導體器件的表面相反側上的4r^表面上形成磁損耗部件89的層，通過光刻技術按預定布圖形狀例如條紋、點陣或島狀形成磁損耗部件2。為了在硅襯底87上形成磁損耗部件89的層，相生長(CVD)方法等。用于絕緣薄膜91的物質(zhì)假定為二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。每一磁損耗部件89形成的區(qū)域面積，至少窄于從半導銅十底85分別地分隔的每一半導體器件區(qū)域(在圖13A中其一側的長度標明為LO的面積。以下說明第二實施例的半導^M十底85的制造方法。為了制造第二實施例中的半導#^#底101，首先如圖14A所示，使用如前所述的'減射或汽相淀積方法等，在與其上形成了上述半爭沐器件的硅襯底87相反的一側上的全部表面上，形成磁損耗部件層93。接著，使用上述光刻法按預定圖形由磁損耗部件層93形成磁損耗部件89。更具體地說，如圖14B所示，在磁損耗部件93上形成光致抗蝕圖形7，然后如圖14C所示，把磁損耗部件89形成為預定圖形，如前所述是條紋、點陣狀或島狀，僅保留磁損耗部件層93的部分，其中已經(jīng)添加了光致抗t蟲圖形7,如圖14B所示。于是，如圖14D所示，其上已經(jīng)形成了磁損耗部件89的硅襯底87的表面，如圖14C所示，涂敷如前所述的由二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅組成的絕緣薄膜91。從而制成圖14D所示的本實施例的半導^N于底85。在半導銅于底85形成有磁損耗部件89的相反側表面上的每一單個區(qū)域，形成用于每一半導體器件的電路圖形，并且通過切割那些單個區(qū)域來制備半導體器件。而且，如上所述，當按例如條紋、點陣或島狀物形成磁損耗部件89時，假定每一半導體器件包括至少一個其中形成了磁損耗部件89的單元區(qū)域。根據(jù)第二實施例，能夠在稱為襯底本身的級別實施防噪聲措施，因此能夠提供在批量生產(chǎn)噪聲抑制的半導體器件方面優(yōu)異的技術。更具體地說，當使用本半導飼于底85制造半導體器件時，如果噪聲是從該半導體器件產(chǎn)生的，則噪聲不外泄，而是被形成在該半導體器件背側表面上的磁損耗部件89所吸收。結果，不在其它器件或設備中引起誤操作。與在后續(xù)處理中一次一個地對每個單個半導體器件的背側表面施加噪聲吸收部件、從而實施防噪聲措施的傳統(tǒng)例子相比，本實施例的方法不需要大量時間來用于實施防噪聲措施的處理。并且，從以下事實來看，在同一個處理工序中，在半導^#底85上的單個半導體器件形成區(qū)域的背側表面上形成磁損耗部件89，磁損耗部件89的厚度不容易出現(xiàn)變化，因此，能夠防止單個半導體器件的噪聲吸收特性出現(xiàn)變化。參考圖15A和15B，根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導^N"底S)7具有接合在一起的第一硅襯底99和第二硅襯底101,可以是把兩個硅襯底接合在一起，或者是通過靜電鍵合把它們接合。這里，在第一硅襯底99中按預定圖形形成溝槽103，而磁損耗部件103形成嵌入在該溝槽103內(nèi)。這里，如圖15B所示，其上形成半導體器件的半導^H"底97的表面，可以是對應于第一硅襯底99的第一半導體器件形成表面，或者是對應于第二硅襯底101的第二半導體器件形成表面。在硅襯底99或者101兩方，根據(jù)最終要制備的半導體器件預先建立預定的雜質(zhì)濃度。磁損耗部件l05的物質(zhì)由M-X-Y組成，其中M是Fe、CO和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和0之一或其混合物。這種磁損耗部件105的組成成分例如是Fe72AluO，這種組成成分的磁損耗部件呈現(xiàn)突出的吸收特性，特別是對于^MHz頻帶到GH2頻帶的電磁波，能夠有效地吸收從形成在第一硅襯底99或者第二硅襯底101上的各種半導體器件所產(chǎn)生的上述頻帶的電磁波。此外，由于具有上述組成成分的磁損耗部件105是一種混合物，呈現(xiàn)由于電磁波吸收的極高磁損耗，磁損耗部件105的厚度能夠顯箸地更薄，亦即達到幾十微米或者以下。每一溝槽103形成的區(qū)域面積，至少窄于從半導^M于底97分別地分隔的每一半爭本器件區(qū)域的面積，在圖15A中其一側的長度標明為L2。此外，可以適當?shù)刂贫▓D15B注明的第一硅襯底99的厚度t,和第二硅襯底101的厚度t^，以便滿足以下兩個條件。第一條件是獲得的半導^H"底中實現(xiàn)了要求的厚度t,+t2。第二條件是制定t，、t2和該溝槽103的深度，以便根據(jù)分別形成在第一硅襯底99和第二硅襯底101上的半導體器件的噪聲電阻掙性和所產(chǎn)生的噪聲量，使磁損耗部件105形成在最佳位置。以下說明第三實施例的半"f^M十底97的制造方法。首先如圖16A所示，在第一硅襯底99上形成二氧化硅107圖形之后，干法腐蝕第一硅襯底99。結果，第一硅襯底99上除了二氧化硅107圖形部分之外，硅的暴露部分被腐蝕掉，形成溝槽109的圖形達到預定深度，如圖16B所示。然后，如圖16C所示，去除二氧化硅107暴露具有溝槽109的硅襯底表面。接著，如圖16D所示，在包含溝槽109的第一硅襯底S)9—側全部表面上形成磁損耗部件層lll，溝槽109在圖16E所示工序中暴露。對于磁損耗部件層lll的形成方法，如第一實施例早先說明的，使用成膜方法例如濺射、汽相淀積或者化學汽相生長(CVD)。然后，如圖16E所示，對在圖16D所示工序形成磁損耗部件層11一側上的第一硅襯底99表面，進行拋光處理，以便獲得硅襯底表面和嵌入溝槽109內(nèi)部的磁損耗部件層lll部分被暴露的狀態(tài)。結果，如圖16E所示，根據(jù)第一硅襯底99上的溝槽109的圖形形成磁損耗部件105。而且，如圖16F所示，制備上述第二硅襯底IOI，與在圖16E所示工序中被拋光的第一珪襯底99表面一側接合，如圖16G所示。而且，在圖16F所示工序中，與第一硅襯底99對置的第二硅襯底111一側的全部表面預先進行熱氧化。然后，第二硅襯底101被熱氧化的相對一側通過靜電鍵合與第一珪襯底99接合。從而制備圖16G所示的半^M于底97，其中第一硅襯底99和第二硅襯底101接合在一起。在圖16G中，符號113表示接合界面。圖16G所示半^H"底97是本實施例的半導桐于底的完成狀態(tài)。由于是^^據(jù)形成圖16A所示二氧化石圭107的圖形來確定溝槽109的圖形，所以可以形成二氧化硅107圖形，以使嵌入溝槽109內(nèi)部的磁損耗部件105的圖形成為預定圖形，形成條紋、點陣或者島狀等。而且在本第三實施例中，在磁損耗部件l05嵌入的一側上，第二硅襯底l01與第一硅襯底99的表面接合，因此，與早先說明的第一實施例不同，不必用絕緣薄膜例如二氧化硅等覆蓋形成磁損耗部件l05的表面。目前，如上所述，在本實施例的半導^H"底115中，半導體器件可以形成在對應于第一硅襯底99的第一半導體器件形成表面，或者是對應于第二硅襯底IOI的第二半導體器件形成表面。半導體器件電路圖形形成在這些第一或者第二表面中的每一單個區(qū)域。并且通過切割那些單個區(qū)域制備半導體器件。而且，如上所述，當按條紋、點陣或島狀形成磁損耗部件21時，每個半導體器件將包含至少一個其中形成了磁損耗部件"的單元區(qū)域。根據(jù)本實施例，能夠在襯底本身的階段實施防噪聲措施，因此能夠提供在批量生產(chǎn)噪聲抑制的半導體器件方面優(yōu)異的技術。更具體地說，當使用本半^#底97制造半導體器件時，如果噪聲是從該半導體器件產(chǎn)生的，則噪聲不會無阻地外泄，而是被嵌入該半導體器件內(nèi)部的磁損耗部件105所吸收。結果，不會在其它器件或設備中引起誤操作。與在后續(xù)處理中一次一個地對每個單個半導體器件的背側表面施加噪聲吸收部件、從而實施防噪聲措施的傳統(tǒng)例子相比，本實施例的方法不需要大量時間來用于實施防噪聲措施的處理。并且，由于在對應于半導^N"底97中的各個半導體器件形成區(qū)域的內(nèi)部位置，在同一個處理工序中形成磁損耗部件105,所以磁損耗部件105的厚度不容易出現(xiàn)變化，因此，能夠防止各個半導體器件的噪聲吸收掙f生出現(xiàn)變化。參見圖17A和17B,使用根據(jù)上述第三實施例的半導俗于底，制備根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件l17。這個半導體器件lH形成有與第二硅襯底123接合的第一硅襯底121,磁損耗部件119嵌入第一硅襯底121，電路圖形區(qū)域125形成在第二硅襯底123背側表面附近。對于第四實施例的半導體器件117，由于其結構，從電路圖形區(qū)域125附近產(chǎn)生的電磁噪聲被磁損耗部件l19有效地吸收。當對本實施例的半導體器件117產(chǎn)生的電磁波吸收特性進行研究時，與其中沒有實施防噪聲措施的圖4所示傳統(tǒng)半導體器件相比，發(fā)現(xiàn)電磁波吸收效應大約是10分貝左右。并且，由本實施例的半爭沐器件117產(chǎn)生的電磁波吸收掙f生，與其中沒有實施防噪聲措施的圖5所示傳統(tǒng)半導體器件相比，在大約3GHz的頻率，獲得大約7分貝左右的電磁波吸收tt。以上說明了本發(fā)明的各種實施例，但是本發(fā)明并不限于那些實施例，在權利要求書說明的本發(fā)明的范圍內(nèi)，不言而喻可以采用其它實施例。在上述第二到第四實施例中，例如半導^Mf底的材料是硅制成的，但是利用除硅之外的材料也可以獲得同樣的效果，例如鎵-砷材料或者硅-鍺材料。基于本發(fā)明的第二和第三實施例，可以才是供能夠有效地吸收從MHz頻帶到GHz頻帶的干擾電磁波的半導^N"底，當分成各個器件時能夠呈現(xiàn)噪聲吸收效果，而且呈現(xiàn)突出的器件批量制造生產(chǎn)率，以及"^供其制造方法，還提供了其中使用那些半導銅十底的半導體器件。以下說明本發(fā)明的第五實施例。利用本發(fā)明的導電軟磁薄膜制造的電磁噪聲抑制體中，軟磁薄膜被細微地分成相對于電磁噪聲波長是足夠小的構成單元，并且那些構成單元之間的直流電傳導被間斷。在抑制電磁噪聲的方法中，通過在微帶線或者信號傳輸線類似物的正上方，形成所述電磁噪聲抑制體，抑制傳導的電磁噪聲。首先，說明可被用于本發(fā)明的導電磁薄膜制造方法的一個具體例子，該磁薄膜具有包括M-X-Y組成的粒狀結構，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物。在表l所示條件下，通過濺射在玻璃襯底上制備粒狀磁薄膜，用于證實本發(fā)明。如此獲得的濺射薄膜在真空磁場中、300。C下進行2小時熱處理，得到電磁噪聲評價樣品。對那些樣品進行熒^tX射線分析，發(fā)現(xiàn)薄膜的組成成分是Fe7oAluC^。該樣品的直流電阻是33(VQ.cm，Hk是21Oe(1.66kA/m)，Ms是l"00高斯(1.43T)。通過采用SEM觀察其橫截面，發(fā)現(xiàn)本樣品的薄膜厚度是2jam0表l<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>研究p-f響應以便證實樣品的磁損耗掙f生。通過在帶狀檢測線圈中插入樣品，測量[X-f響應，在施加偏置磁場的同時測量阻4、從而獲得磁損耗系數(shù)[Jl"的頻率響應。磁損耗系數(shù)fx"在930MHz的頻率呈現(xiàn)945的極大值。從這些樣品分割出邊長為20mm的三個正方形樣品。這三個樣品之一制成樣品2，而另兩個樣品分別精細地分成0.8mm見方和3.8mm見方的構成單元(分別以1mm和被間斷,如圖18所示。這里，圖18中,雙頭箭頭127表示對磁化的軸向高阻抗。樣品2、3和4的長寬比分別是5000、400和1000,保持形狀各向異f生，以便即佳_在精細地分成構成單元時，也可使反向磁場系數(shù)能夠被實際上視為零。使用圖19所示傳導磁性噪聲評價系統(tǒng)，研究如此獲得的樣品2、3和4的電磁噪聲抑制效果。在圖19中,磁性噪聲評價系統(tǒng)是這樣構成的，符號133表示的樣品放在電介質(zhì)襯底129的微帶線131上，采用通過同軸電纜135和137連*接到微帶線131兩端的網(wǎng)絡分析器139,進行測量和評價。這里,全部樣品都形成為磁化阻抗的軸與評價系統(tǒng)的電介質(zhì)襯底129的微帶線131的長尺寸方向垂直。為了對比樣品證實短線(stub)效果制備正方形銅箔(具有玻璃板襯底)，其邊長是20mm，厚度是18pm，通過把首先提到的銅箔精細地分成為0.8mm見方的構成單&制成篩網(wǎng)形狀銅箔,構成為構成單元之間的傳導直流電被間斷。這些作為對比樣品1和對比樣品2與本發(fā)明的樣品一起進行測量。電磁噪聲抑制效果標繪在圖20和21中。這里,通過在評價系統(tǒng)中形成樣品產(chǎn)生的反射特性(S11)表示在圖20中，而傳輸掙1"生(S21)同樣地表示在圖21中。參見圖20,對于本發(fā)明的樣品2和見通過直接在傳輸線之上形成樣品從而產(chǎn)生反射。對于本發(fā)明的由粗線表示的樣品3或者由細線表示的樣品4和由虛線表示的對比樣品2,這些是精細地分成為0.8mm見方或者3.8mm見方的構成單元，并且給予的結構使得在構成單元之間的傳導直流電被間斷,呈現(xiàn)大沐20dB或者以下的反射特性，即使在GH2帶區(qū)也是如A可以看作無反射，并且可見，通過把導電軟磁薄膜精細地分成尺寸足夠地小于電磁噪聲的波長，并且電氣隔離每個精細地分成的單元，可以抑制該短線(stub)效果。參見圖21,以類似于圖20的線條表示類似的樣品2至4,對于精細地分成相對于波長是足夠小的構成單元的非磁性的對比樣品2，沒有觀察到衰減,但是在精細地分割的軟磁體樣品的本發(fā)明樣品3或者樣品4中，在GHz頻帶觀察到傳輸性損耗，這被認為是由于磁損耗很清楚可以呈現(xiàn)無反射電磁噪聲抑制效果，這是本發(fā)明的效果。基于本發(fā)明的第五實施例，如上所迷，可以提供在抑制高速工作的半導體器件和電子電路中的電磁噪聲方面有效的電磁噪聲抑制體。而且基于本發(fā)明的第五實施例，可以提供能夠以較小體積有效地抑制電磁噪聲的電磁噪聲抑制體。此外在本發(fā)明的第五實施例中,通過使用本發(fā)明,具有粒狀結構的軟磁薄膜具有2(am的極薄厚度，能夠控制傳導電磁噪聲而在微小面積中沒有反射，例如在半導體集成器件之內(nèi)，因此其工業(yè)價值可以i兌是極高的。最后，說明本發(fā)明的第六實施例。利用本發(fā)明的導電軟磁薄膜制造的電磁噪聲抑制體用于抑制傳導的電磁噪聲，其中包括在微帶線或者信號傳輸線類似物上面附近連接的導電軟磁薄膜，其中，導電軟磁薄膜具有的形狀的寬度基本等于或者窄于所述微帶線或者信號傳輸線類似物的線寬。在抑制傳導的電磁噪聲的方法中，通過在微帶線或者信號傳輸線類似物上面附近，形成包括導電軟磁薄膜的電磁噪聲抑制體，其中，所述導電軟磁薄膜具有的形狀的寬度基本等于或者窄于所述孩么帶線或者信號傳輸線類似物的線寬。首先，說明可被用于本發(fā)明的導電磁薄膜制造方法的一個具體例子，該磁薄膜具有包括M-X-Y組成的粒狀結構，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物。在表2所示條件下，通過'減射在玻璃襯底上制備粒狀磁薄膜，用于證實本發(fā)明。如此獲得的濺射薄膜在真空磁場中、300°C下進行2'j、時熱處理，得到電磁噪聲評價樣品。對那些樣品進行熒光X射線分析,發(fā)現(xiàn)薄膜的組成成分是Fe70Al12018。該才羊品的直流電阻是330iaQcm，Hk是21Oe(1.66kA/m),Ms是4300高斯(1.43T)。通過采用SEM觀察其橫截面，發(fā)現(xiàn)本樣品的薄膜厚度是2pim。研究f響應以便證實樣品的磁損耗特性。通過在構成為帶狀檢測線圈中插入樣品，測量pi-f響應,在施加偏置磁場的同時測量阻私從而獲得磁損耗系數(shù)[x"的頻率響應。磁損耗系數(shù)pT在930MHz的頻率呈現(xiàn)945的極大值。從這些樣品中分割出四個形狀不同但表面面積相同的矩形樣品，如以下表3表示的，并且如圖22所示，標明為樣品5到8。圖22中的雙頭箭頭表示每個樣品中的磁化阻抗軸向。使用圖23所示傳導電磁噪聲評價系統(tǒng)，研究如此獲得的證實樣品5到8的電磁噪聲抑制效果。參見圖23,在這種傳導電磁噪聲評價系統(tǒng)中,微帶線141形成在電介質(zhì)襯底129上，其全部背表面是導體，微帶線141的兩端借助于同軸電纜135和137與網(wǎng)絡分析器139連接,樣品處于微帶線141上由符號143表示的部位。用于這種評價系統(tǒng)的微帶線141的線寬度是3mm，樣品5呈現(xiàn)相對于微帶線141是足夠寬的寬度。另一方面，樣品6具有的寬度基本與微帶線141的寬度相同，而樣品7具有的寬度窄于微帶線141的寬度。馬封正樣品8由寬度窄于微帶線141的寬度的三個小塊組成。除樣品5外,形成每個樣品使得從微帶線141突出，從樣品5到8的全部樣品形成為，樣品的磁化阻抗軸與微帶線的長度尺寸垂直。在每個情況，在微帶線l41寬度尺寸方向的樣品長寬比是10或者以上。對于用于證實短線(stub)效果的對比樣品，制備具有玻璃板襯底的銅箔，形狀分別與樣品5和樣品6相同，寬度是18pm，標明為對比樣品3和對比樣品4,與本發(fā)明的樣品一起進行測量。電磁噪聲抑制效果的測量結果標繪在圖24和25中。這里，通過在評價系統(tǒng)中形成樣品產(chǎn)生的反射特性(Sll)表示在圖24中，而傳輸掙f生(SZ1)同樣地表示在圖25中。參見圖24,對于本發(fā)明的樣品5和對比樣品3兩者,在GHz帶區(qū)的反射現(xiàn)反射。本發(fā)明的樣品6、7和8以及非磁性對比樣品4具有的寬度等于或者窄于微帶線141的寬度，并且呈現(xiàn)-20dB或者以下的反射掙f生，即使在GHz帶區(qū)也是如此，這可以被認為是無反射。在這種場合，可見通過使軟磁薄膜的寬度等于或者窄于微帶線的寬度，可以抑制起因于軟磁薄膜的導電性的短線(stub)效果。參見圖25,雖然對于非磁性對比樣品4沒有看到衰成但是在具有的寬度等于或者窄于微帶線的寬度的樣品6和7中，由寬度窄于微帶線的三個小塊組成的樣品8中，和非磁性對比樣品4中，在GH2頻帶觀察到傳輸性損耗，可以認為是由于磁損耗。這樣很清楚呈現(xiàn)了作為本發(fā)明效果的無反射電磁噪聲抑制效果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>如上所述，雖然通過形成粒狀磁體有效地抑制了電磁噪聲的溢出，但也會出現(xiàn)電磁噪聲成分被部分地反射，以致回到信號源的情況，因》b^在在信號源產(chǎn)生二次干擾的情況。然而，用于本發(fā)明的具有粒狀結構的軟磁薄膜，具有2m的極薄厚度,當用于本發(fā)明時，能夠抑制傳導電磁噪聲而沒有反射，即使在例如半導體集成器件內(nèi)的微小面積中也是如此，因此本發(fā)明的工業(yè)價值可以說是極高的。權利要求1.一種電磁噪聲抑制體，用于抑制傳導的電磁噪聲，包括在微帶線或者信號傳輸線類似物上面附近連接的導電軟磁薄膜，其中，所述導電軟磁薄膜具有的形狀的寬度基本等于或者窄于所述微帶線或者信號傳輸線類似物的線寬。2.根據(jù)權利要求l的電磁噪聲抑制體，其中，配置所述電磁噪聲抑制體，以4吏其難磁化軸基本平行于所述微帶線或者信號傳輸線類似物的寬度方向。3.根據(jù)權利要求l的電磁噪聲抑制體，其中，所述軟磁薄膜的形狀具有的寬度基本等于或者窄于所述微帶線或者類似信號傳輸線的線寬，在寬度方向具有10或者以上的長寬比。4.根據(jù)權利要求l的電磁噪聲抑制體，其中，所述軟磁薄膜由M—X—Y的組成成分組成，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物，并且具有粒狀結構。5.—種傳導的電磁噪聲抑制方法，用于抑制傳導的電磁噪聲，通#微帶線或者信號傳輸線類似物上面附近，形成包括導電軟磁薄膜的電磁噪聲抑制體，其中，所述導電軟磁薄膜具有的形狀的寬度基本等于或者窄于所述微帶線或者信號傳輸線對以物的線寬。6.根據(jù)權利要求5的電磁噪聲抑制方法，其中，配置所述電磁噪聲抑制體，以使其難磁化軸基本平行于所述微帶線或者信號傳輸線類似物的寬度方向。7.根據(jù);f又利要求5的電磁噪聲抑制方法，其中，所述軟磁薄膜的形狀具有的寬度基本等于或者窄于所述微帶線或者類似信號傳輸線的線寬，并且在寬度方向具有10或者以上的長寬比。8.根據(jù)權利要求5的電磁噪聲抑制方法，其中，所述軟磁薄膜由M—X—Y的組成成分組成，其中M是Fe、Co和Ni之一或其混合物，X是除了M和Y之外的元素或其混合物，Y是F、N和O之一或其混合物,并且具有粒狀結構。全文摘要本發(fā)明涉及電磁噪聲抑制器、使用該抑制器的半導體器件及其制造方法。在半導體裸芯片(57)的前表面上形成集成電路，在半導體裸芯片的背側表面上形成磁損耗薄膜(55)。文檔編號H01L27/04GK101388378SQ20081014906公開日2009年3月18日申請日期2001年4月4日優(yōu)先權日2000年4月4日發(fā)明者吉田榮吉,小野裕司,山中英二,山口正洋,島田寬,栗倉由夫,根本道夫申請人:Nec東金株式會社