專(zhuān)利名稱：具有沉淀防止部分的大面積基底蝕刻設(shè)備及防沉淀方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基底蝕刻設(shè)備和一種防沉淀方法，更具體地說(shuō)，涉及一 種具有沉淀防止部分的大面積基底蝕刻設(shè)備以及一種能夠防止從濕蝕刻基底 的蝕刻設(shè)備發(fā)生沉淀的防沉淀方法。
背景技術(shù)：
通常，制造用于制造平板顯示面板的基底的過(guò)程包括這樣的步驟在基 底上沉積材料層；蝕刻所述材料層；清潔整個(gè)基底。通過(guò)反復(fù)地執(zhí)行上述步 驟來(lái)制造基底。上述步驟之一的蝕刻工藝可分為濕蝕刻工藝或千蝕刻工藝。
濕蝕刻工藝是利用化學(xué)溶液將目標(biāo)蝕刻為期望的形狀的工藝，化學(xué)溶液 與將被蝕刻的目標(biāo)的層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而使該層溶解。此外，干蝕刻工藝可分 為等離子體干蝕刻、離子束4先蝕刻(ion beam milling etching)或活性離子蝕刻。 干獨(dú)刻工藝是利用等離子體中存在的元素與蝕刻目標(biāo)的表面材料之間的化學(xué) 反應(yīng)，并利用等離子體中存在的活性種顆粒的表面碰撞促進(jìn)反應(yīng)的進(jìn)行來(lái)執(zhí) 行的。
同時(shí)，與干蝕刻工藝相比，濕蝕刻工藝具有制造成本低和產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn)。 因此，最近，濕蝕刻工藝被廣泛地使用。在這種濕蝕刻工藝中，可通過(guò)將基 底浸入蝕刻劑的方法或者將蝕刻劑注入到基底上的方法來(lái)蝕刻基底。然而， 當(dāng)基底被浸入在裝有蝕刻劑的容器中以使基底的表面被蝕刻劑蝕刻時(shí)，由于 基底自身的缺陷，導(dǎo)致基底不能被均勻地蝕刻，并且蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì) 粘附到基底，使得基底的表面不平坦。為此，主要使用將蝕刻劑注入到基底 上來(lái)蝕刻基底的方法。在下文中，將參照附圖描述傳統(tǒng)的基底蝕刻設(shè)備。
圖1是傳統(tǒng)的基底蝕刻設(shè)備的視圖。
參照?qǐng)D1，傳統(tǒng)的基底蝕刻設(shè)備包括輸送裝置10,沿一個(gè)方向輸送清 潔過(guò)的基底S;蝕刻部分20,將蝕刻劑注入到基底S上。這里，基底S具有 器件形成層，并且被感光層圖案曝光的器件形成層被蝕刻，以形成器件圖案。 在通過(guò)蝕刻來(lái)形成器件圖案之后，連續(xù)地執(zhí)行去除蝕刻副產(chǎn)物的清潔工藝。
蝕刻部分20具有入口部分21,由輸送裝置10穿過(guò)入口部分21來(lái)輸 送基底S;安裝在入口部分21處的空氣幕，以去除粘附到基底表面的清潔溶 液。當(dāng)基底S穿過(guò)入口部分21進(jìn)入蝕刻部分20時(shí)，將蝕刻劑從安裝在蝕刻 部分20的噴嘴注入到基底S上，以蝕刻基底S。所述蝕刻劑可以是草酸。同 時(shí)，在蝕刻工藝過(guò)程中產(chǎn)生的汽化的煙霧(fbme)粘附到入口部分的內(nèi)表面。 所述煙霧被從空氣幕注入的空氣干燥，產(chǎn)生固體沉淀。具體地說(shuō)，由于沉淀 在入口部分21的內(nèi)部上表面沉積并生長(zhǎng)成為石夢(mèng)，所以對(duì)進(jìn)入入口部分21 的基底S產(chǎn)生損壞(例如劃痕)。此外，為了去除入口部分21處產(chǎn)生的沉淀， 由于需要停止基底S的制造工藝并使用物理部分，所以會(huì)降低產(chǎn)率并會(huì)增加 制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面在于提供一種具有沉淀防止部分的大面積基底蝕刻設(shè) 備，以及一種能夠在蝕刻基底的工藝過(guò)程中防止沉淀的防沉淀方法。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種大面積基底蝕刻設(shè)備，該基底蝕刻設(shè)備包 括蝕刻室，具有設(shè)置在一側(cè)的入口部分，穿過(guò)入口部分輸送基底，并在蝕 刻室中蝕刻基底；沉淀防止部分，設(shè)置在入口部分處，防止蝕刻室中產(chǎn)生的 煙霧在入口部分的內(nèi)表面上沉積、干燥而產(chǎn)生沉淀。
本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種防沉淀方法，該方法包括以下步驟將 常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室的入口部分處的沉淀防止部分，其中，基 底在蝕刻室中被蝕刻；引入到沉淀防止部分中的進(jìn)口部分中的超純水停留并 蒸發(fā)。
本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種防沉淀方法，該方法包括以下步驟將 常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室的入口部分處的沉淀防止部分，其中，基 底在蝕刻室中被蝕刻；利用引入到沉淀防止部分的進(jìn)口部分中的超純水吸收 從蝕刻室產(chǎn)生的煙霧。


通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和 優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更加清楚，其中
圖1是傳統(tǒng)的基底蝕刻設(shè)備的視圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的大面積基底蝕刻設(shè)備的示意圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的透視圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖； 圖6是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖； 圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的防沉淀方法的流程圖； 圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的防沉淀方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在下文，將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的具有沉淀防止部分的大面積基底蝕 刻設(shè)備和防沉淀方法的示例性實(shí)施例。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的大面積基底蝕刻設(shè)備的示意圖，圖3 是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖。參照?qǐng)D2和圖3, 根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有沉淀防止部分的大面積基底蝕刻設(shè)備包括 輸送器100,用于輸送基底S;清潔部分200,用于清潔基底S;蝕刻室300, 用于蝕刻基底S;沉淀防止部分400。
輸送器100包括具有滾子且彼此分隔開(kāi)的多根軸，以沿平緩斜面輸送基底S。
清潔部分200是由輸送器100輸送的基底S在進(jìn)入蝕刻室300之前被清 潔的地方，并且通過(guò)設(shè)置在清潔部分200和蝕刻室300之間的入口部分310， 將清潔部分200與蝕刻室300分開(kāi)。
蝕刻室300以與基底S的傾斜角相對(duì)應(yīng)的傾斜角安裝，以蝕刻從清潔部 分200穿過(guò)入口部分310進(jìn)入的基底S?；譙被安裝在蝕刻室300內(nèi)部上 表面的蝕刻劑注入噴嘴注入的蝕刻劑蝕刻。所述蝕刻劑可以是草酸，并且可 以在大約40。C至45。C的溫度下將蝕刻劑注入到基底S。通常，當(dāng)注入具有上 述溫度的蝕刻劑時(shí)，可以提高基底S的蝕刻工藝效率。
同時(shí)，如上所述，空氣幕T安裝在入口部分310處，以向清潔過(guò)的基底 S注入空氣，從而去除粘附到基底S表面的清潔劑?？諝饽籘快速地去除包 含在清潔劑中并粘附到基底S表面的外來(lái)物(例如灰塵或霧)，以提高蝕刻工 藝的效率。此外，當(dāng)將空氣注入到穿過(guò)入口部分310進(jìn)入的基底S,以去除 粘附在基底S表面的清潔劑時(shí)，空氣沿平緩斜面注入到清潔部分200,使得
清潔劑向著清潔部分200向下流動(dòng)。然而，在蝕刻工藝過(guò)程中產(chǎn)生的汽化的
煙霧粘附到入口部分310的內(nèi)表面，所述煙霧被從空氣幕T注入的空氣干燥， 產(chǎn)生沉淀。為了防止產(chǎn)生煙霧，應(yīng)當(dāng)增大入口部分310的濕度，使得煙霧不 能粘附到入口部分310的內(nèi)表面，并使得煙霧不能被干燥。
為此，沉淀防止部分400設(shè)置在形成在蝕刻室300的一側(cè)的入口部分310 的內(nèi)部下端處，以使超純水在大約20。C至3(TC的溫度下蒸發(fā)，從而通過(guò)防止 從蝕刻室300產(chǎn)生的煙霧沉積在入口部分310的內(nèi)表面上然后被干燥來(lái)防止 產(chǎn)生固體沉淀。具體地說(shuō)，沉淀防止部分包括進(jìn)口(inlet)部分410、蒸發(fā)部分 420和收集部分430。
首先，通過(guò)輸送器100沿平緩斜面將基底S輸送到蝕刻室300中，然后 蝕刻基底S。進(jìn)口部分410設(shè)置在沉淀防止部分400的一側(cè)的下端部，常溫 的超純水通過(guò)進(jìn)口部分410進(jìn)入。
蒸發(fā)部分420以與蝕刻室300的傾斜角相對(duì)應(yīng)的傾斜角e傾斜。進(jìn)入到 進(jìn)口部分410的超純水在蒸發(fā)部分420中停留并蒸發(fā)，以防止在蝕刻室300 的入口部分310中產(chǎn)生沉淀。蒸發(fā)部分420包括彼此分開(kāi)的多個(gè)分隔壁421， 分隔壁421中的每個(gè)具有形成在其上部的槽422，使得超純水能夠平緩地從 進(jìn)口部分410向下流到收集部分430。超純水的溫度可以是大約2(TC至30°C。 當(dāng)超純水的溫度低于大約2(TC時(shí)，蒸發(fā)量太小，因而降低了濕度并降低了防 止從入口部分310產(chǎn)生沉淀的效率。當(dāng)溫度高于大約30。C時(shí)，超純水被過(guò)多 地蒸發(fā)，從而需要從外部不停地供應(yīng)額外的超純水。收集部分430將停留在 蒸發(fā)部分420中的超純水重新供應(yīng)到進(jìn)口部分410,以循環(huán)并重新利用超純 水，從而降低了成本。同時(shí)，加熱器800可安裝在將收集部分430連接到進(jìn) 口部分410的輸送通道處，以均勻地保持超純水的溫度。此外，排放閥(未示 出)可安裝在分隔壁421之間的空間的下部，來(lái)排放超純水。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖。
在本實(shí)施例中，沉淀防止部分500可包括具有朝著收集部分530逐漸減 小高度的分隔壁521。
即，安裝在沉淀防止部分500處的分隔壁521具有朝收集部分530逐漸 減小的高度，使得超純水從進(jìn)口部分510向下流動(dòng)到收集部分530。當(dāng)基底S 被水平地輸送到蝕刻室300中并被蝕刻時(shí)，這種結(jié)構(gòu)能使超純水再循環(huán)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖。
在該實(shí)施例中，沉淀防止部分600包括進(jìn)口部分610、蒸發(fā)部分620和 與第一實(shí)施例的收集部分不同的收集部分630。這里，進(jìn)口部分610可安裝 在蒸發(fā)部分620的傾斜表面的最高位置處。
即，蒸發(fā)部分620具有傾斜的上表面，使得引入到進(jìn)口部分610中的超 純水沿著傾斜的上表面向下流動(dòng)并蒸發(fā)，以防止從進(jìn)口部分610產(chǎn)生沉淀。 此外，收集部分630收集沿蒸發(fā)部分的傾斜表面流下的超純水，以將超純水 再次供給到進(jìn)口部分610。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的沉淀防止部分的剖視圖。
參照?qǐng)D6,沉淀防止部分700包括進(jìn)口部分710和吸附部分720。 通過(guò)其引入超純水的進(jìn)口部分710設(shè)置在沉淀防止部分700的一側(cè)的下
二山禍。
吸附部分720用于防止當(dāng)引入進(jìn)口部分710的超純水停留時(shí)，蝕刻室300 的入口部分310產(chǎn)生沉淀。超純水的溫度可以是大約4°C。當(dāng)超純水的溫度 為大約4。C時(shí)，其密度最大。超純水的重量與密度成比例地增加，以吸收汽 化的煙霧。此外，沉淀防止部分700還可包括收集部分730。收集部分730 利用過(guò)濾器740來(lái)過(guò)濾被吸收的煙霧污染的超純水，來(lái)將過(guò)濾后的超純水再 供應(yīng)到進(jìn)口部分710。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的防沉淀方法的流程圖。 參照?qǐng)D7，在防沉淀方法中，當(dāng)常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室(基底 在蝕刻室中被蝕刻)的入口部分的沉淀防止部分中時(shí)(S 100),引入到進(jìn)口部分 中的超純水停留在蒸發(fā)部分中(SllO)。
然后，停留在蒸發(fā)部分中的超純水被再供應(yīng)到進(jìn)口部分(S120)，并對(duì)超 純水進(jìn)4于加熱(S130)。
圖8是示出了才艮據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的防沉淀方法的流程圖。 參照?qǐng)D8，在防沉淀方法中，當(dāng)常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室(基底 在蝕刻室中^皮蝕刻)的入口部分的沉淀防止部分中時(shí)(S200)，蝕刻室中產(chǎn)生的 煙霧被引入到進(jìn)口部分中的超純水吸收(S210)。
然后，受煙霧污染的超純水被過(guò)濾并被再供應(yīng)到進(jìn)口部分(S220)。 由上可見(jiàn)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以防止由沉淀引起的基底損 壞并且平穩(wěn)地執(zhí)行制造工藝，從而提高產(chǎn)率并降低制造成本。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明所屬領(lǐng)
域的普通技術(shù)人員應(yīng)該清楚，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以 對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行各種修改，本發(fā)明限定在權(quán)利要求書(shū)及其等同物中。
權(quán)利要求
1.一種大面積基底蝕刻設(shè)備，包括蝕刻室，具有設(shè)置在一側(cè)的入口部分，穿過(guò)入口部分輸送基底，并在蝕刻室中蝕刻所述基底；沉淀防止部分，設(shè)置在入口部分處，并被構(gòu)造成防止在蝕刻室中產(chǎn)生的煙霧在入口部分的內(nèi)表面上沉積、干燥而產(chǎn)生沉淀。
2、 如權(quán)利要求1所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，沉淀防止部分包括 進(jìn)口部分，通過(guò)進(jìn)口部分引入常溫的超純水；蒸發(fā)部分，引入到進(jìn)口部分中的超純水在蒸發(fā)部分中停留并蒸發(fā)。
3、 如權(quán)利要求2所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，沉淀防止部分還包 括收集部分，所述收集部分被構(gòu)造成將停留在蒸發(fā)部分中的超純水再供給到 進(jìn)口部分。
4、 如權(quán)利要求3所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，基底以傾斜狀態(tài)在 蝕刻室中進(jìn)行輸送，蒸發(fā)部分包括沿基底的傾斜角設(shè)置并且彼此分開(kāi)的多個(gè) 分隔壁。
5、 如權(quán)利要求4所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，分隔壁中的每個(gè)具 有形成在其上部的槽。
6、 如權(quán)利要求4所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，分隔壁的高度朝著 收集部分逐漸減小。
7、 如權(quán)利要求2所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，蒸發(fā)部分具有傾斜 的上表面。
8、 如權(quán)利要求2所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，沉淀防止部分包括 被構(gòu)造成均勻地保持超純水的溫度的加熱器。
9、 如權(quán)利要求1所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，沉淀防止部分包括 進(jìn)口部分，通過(guò)進(jìn)口部分引入超純水；吸收部分，被構(gòu)造成利用引入到進(jìn)口部分中的超純水吸收從蝕刻室產(chǎn)生的煙霧。
10、 如權(quán)利要求9所述的大面積基底蝕刻設(shè)備，其中，沉淀防止部分包 括收集部分，收集部分被構(gòu)造成將在吸收部分中的受煙霧污染的超純水過(guò)濾， 并將過(guò)濾后的超純水再供應(yīng)到進(jìn)口部分中。
11、 一種防沉淀方法，該方法包括以下步驟將常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室的入口部分處的沉淀防止部分，其中，基底在蝕刻室中被蝕刻； 1入到沉淀防止部分中的進(jìn)口部分中的超純水停留并蒸發(fā)。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括將停留在蒸發(fā)部分中的超純水再供應(yīng)到進(jìn)口部分中。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，所述方法還包括加熱再次供應(yīng)到進(jìn)口部 分中的超純水。
14、 一種防沉淀方法，該方法包括以下步驟將常溫的超純水引入到設(shè)置在蝕刻室的入口部分處的沉淀防止部分，其 中，基底在蝕刻室中被蝕刻；利用引入到沉淀防止部分的進(jìn)口部分中的超純水吸收從蝕刻室產(chǎn)生的煙霧。
15、 如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括在吸收煙霧的同時(shí)過(guò)濾 受煙霧污染的超純水，并且將過(guò)濾后的超純水再供應(yīng)到進(jìn)口部分中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有被構(gòu)造成沉淀防止部分的大面積基底蝕刻設(shè)備以及一種防沉淀方法。該大面積基底蝕刻設(shè)備包括蝕刻室，具有設(shè)置在一側(cè)的入口部分，穿過(guò)入口部分輸送基底，并在蝕刻室中蝕刻基底；沉淀防止部分，設(shè)置在入口部分處，并防止在蝕刻室中產(chǎn)生的煙霧在入口部分的內(nèi)表面上沉積、干燥而產(chǎn)生沉淀。因此，能夠防止因沉淀導(dǎo)致的基底損壞，并且能夠平穩(wěn)地執(zhí)行制造工藝，從而提高了產(chǎn)率并降低了制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101369521SQ20081014615
公開(kāi)日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2008年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月13日
發(fā)明者崔泰均 申請(qǐng)人:K.C.科技股份有限公司