專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體組件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件的制造方法，特別是一種可簡(jiǎn)化制造步驟的半導(dǎo)體組件的制造方法?，F(xiàn)有技術(shù)隨著消費(fèi)性產(chǎn)品的生命周期越來(lái)越短，半導(dǎo)體封裝業(yè)者必須全力尋求低成本、高生產(chǎn)效率的新技術(shù)，以加速產(chǎn)品上市周期，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。半導(dǎo)體組件的制造方法可采用倒裝芯片(flip-chip)的技術(shù)，其制造步驟包含晶片切割(diesaw)、黏晶(diemount/diebond)、上底膠(underfilled)、切單(singulation)及檢驗(yàn)(inspection)等流程。圖la所示，將預(yù)切割的晶片IO利用刀具20進(jìn)行切割分離；接下來(lái)，請(qǐng)參閱圖la及圖lb所示，晶片10切割分離形成芯片30可置于基板32上并利用金屬凸塊34電性連接基板32;下一步，如圖lc所示，芯片30與基板32之間可以填入膠體(glue)36以黏著固定于基板32上，或包覆一塑封體(圖中未示)防止?jié)駳庥赏獠壳秩?；接著，?jīng)由切單步驟后，可裁切形成多個(gè)半導(dǎo)體組件40;最后針對(duì)半導(dǎo)體組件40可進(jìn)行電性功能的測(cè)試，以除去電性功能不完全的芯片。然而，由上述說(shuō)明可知，在將晶片切割成芯片后，需要依次將一顆顆芯片置于基板上，這會(huì)增加芯片置放于基板的時(shí)間；再者，晶片切割時(shí)間及半導(dǎo)體組件切單時(shí)間也會(huì)造成生產(chǎn)時(shí)間的增加。因此，如何有效地縮短生產(chǎn)整體半導(dǎo)體組件的制造時(shí)間成為制造廠商極需解決的問(wèn)題之一。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其將晶片直接黏著并電性連接于基板上，該晶片和基板可同時(shí)進(jìn)行切單步驟，由此縮短半導(dǎo)體組件的制造時(shí)間。本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體組件的制造方法，其將晶片直接黏著并電性連接于基板上，由此消除單顆芯片需連續(xù)置放于基板上的時(shí)間。本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體組件的制造方法，可消除如晶片貼片及晶片切割等前置工序的時(shí)間及其費(fèi)用。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制造方法包括提供一基板，基板的上表面具有一跡線(xiàn)(traceline);將基板電性連接至晶片上，由此輸入或輸出信號(hào)；將一膠體黏著于晶片與基板之間，由此使晶片牢固地設(shè)置于基板上；及切單基板及晶片，使晶片及基板分離，以形成多個(gè)半導(dǎo)體組件。圖la至圖ld所示為現(xiàn)有半導(dǎo)體組件的制造方法的示意圖。圖2a至第2d所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制造方法的示意圖。圖3所示為根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的晶片及基板之間是以金屬凸塊相互連接的部分放大示意圖。5圖4所示為根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的基板設(shè)置有球狀門(mén)陣列的部分放大示意圖。圖5所示為根據(jù)圖2a至圖2d所示的半導(dǎo)體組件的制造方法的流程圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>具體實(shí)施例方式圖2a至圖2d所示為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的制造方法示意圖。首先，在如圖2a所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體組件的制造方法包括提供一基板100，此基板100的上表面100a具有一跡線(xiàn)(圖中未示)；接著，將基板100電性連接到晶片200上，由此輸入或輸出信號(hào)；接下來(lái)，如圖2b所示，將黏著膠體300于晶片200與基板100之間，由此使晶片200牢固地設(shè)置于基板IOO上；最后，如圖2c所示，切單基板IOO及晶片200，使晶片200及基板IOO分離，例如，可利用刀具la對(duì)晶片200及基板IOO進(jìn)行切單操作，而完成切割的半導(dǎo)體組件400，如圖2d所示。如上所述，晶片直接黏著于基板上可免除在線(xiàn)切割作業(yè)，在將晶片電性連接基板及黏著步驟后，僅需進(jìn)行一次切割作業(yè)以分離晶片及基板，從而形成多個(gè)獨(dú)立的半導(dǎo)體組件。因此，本發(fā)明可以減少晶片切割時(shí)間以及半導(dǎo)體組件切割步驟，從而實(shí)現(xiàn)縮短整體制造時(shí)間。在優(yōu)選實(shí)施例中，如圖3所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制造方法的基板100具有跡線(xiàn)(圖中未示)和接墊500，而晶片200具有呈陣列排列的電路層(圖中未示)及多個(gè)金屬凸塊600，由此，基板100的接墊500可與晶片200的金屬凸塊600電性連接；另外，接墊500可與金屬凸塊600以熱融接的方法接合，以達(dá)到電性連接的目的。再者，可將膠體300加壓灌入晶片200與基板100之間，或者可利用毛細(xì)現(xiàn)象使膠體300流入晶片200與基板100之間，以達(dá)到黏固晶片200及基板IOO的目的；另外，膠體300可以是高介電或高導(dǎo)熱高分子材料，由此防止半導(dǎo)體組件在操作中會(huì)產(chǎn)生高熱，破壞半導(dǎo)體組件的電性能。在優(yōu)選實(shí)施例中，基板及晶片可釆用激光或切割刀具沿著預(yù)定的切割路徑進(jìn)行切割，例如，切割刀具可沿著晶片的切割道進(jìn)行切割，或者在基板上預(yù)先形成切割記號(hào)，以便沿著切割記號(hào)進(jìn)行切割操作，以分離基板及晶片，以形成多個(gè)半導(dǎo)體組件。在又一優(yōu)選實(shí)施例中，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制造方法還包含測(cè)試步驟，由此測(cè)試半導(dǎo)體組件的電性能；此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制造方法可包含塑封步驟，由此密封半導(dǎo)體組件，防止?jié)駳庥赏獠壳秩氚雽?dǎo)體組件。7另外，如圖4所示，基板100可預(yù)先在基板100的下表面100b上制造球狀門(mén)陣列(BGA)700，作為信號(hào)的輸入或瑜出(I/0)的外接端子，而基板IOO可以是印刷電路板(PCB)，而膠體300的材料可以是環(huán)氧樹(shù)月旨(epoxy)。另外，如圖5所示為根據(jù)圖2a至圖2d所示的半導(dǎo)體組件的制造方法的流程圖，該方法包含提供一基板100，此基板100的上表面100a上具有一電路層(Sl);將基板100電性連接至一晶片200上，由此輸入或輸出信號(hào)(S2);將一膠體300黏著于晶片200與基板100之間，由此使得晶片200牢固地設(shè)置于基板100上(S3);以及切單基板100和晶片200，使基板100及晶片200分離形成多個(gè)半導(dǎo)體組件400(S4)。綜合上述，本發(fā)明半導(dǎo)體組件的制造方法，可將晶片直接黏著并電性連接到基板上，晶片及基板可同時(shí)切單步驟，實(shí)現(xiàn)了縮短整體制造時(shí)間；另外，晶片直接黏著并電性連接于基板上，可省略現(xiàn)有的將單顆芯片放置于基板上的制造步驟，由此縮短了芯片連續(xù)放置于基板的時(shí)間；此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制造方法可以省略如晶片貼片及切割晶片等的前置作業(yè)及其費(fèi)用。以上所述的實(shí)施例僅僅為了說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)此實(shí)施，而不是用來(lái)限定本發(fā)明的專(zhuān)利范圍；而是，所有根據(jù)本發(fā)明的精神的改進(jìn)或改變，都涵蓋在本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體組件的制造方法，包含提供一基板，該基板的一上表面具有一跡線(xiàn)；將所述基板電性連接至一晶片上，由此輸入或輸出信號(hào)；將一膠體黏著在所述晶片和所述基板之間，由此使所述晶片牢固地設(shè)置于所述基板上；以及切單所述基板和所述晶片，使所述晶片和所述基板分離形成多個(gè)半導(dǎo)體組件。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述跡線(xiàn)具有多個(gè)接墊，該晶片具有陣列排列的一電路層及多個(gè)金屬凸塊。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述金屬凸塊與所述接墊以熱融接的方式接合。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述基板是一印刷電路板。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，還包含一測(cè)試步驟，由此測(cè)試所述半導(dǎo)體組件的電性能。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，還包含一塑封步驟，由此密封所述半導(dǎo)體組件。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于在所述晶片上形成多個(gè)切割道，由此沿著所述切割道進(jìn)行切單步驟。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述基板形成有多個(gè)切割記號(hào)，以便沿著這些切割記號(hào)進(jìn)行切單步驟。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述膠體以加壓灌入在所述晶片和所述基板之間。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述膠體的材料是高介電或高導(dǎo)熱高分子材料。11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述半導(dǎo)體組件采用刀具或激光切單而成。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于所述基板的下表面具有球狀門(mén)陣列，由此作為外接端子。全文摘要一種半導(dǎo)體組件的制造方法，包括提供一基板，此基板的上表面具有一跡線(xiàn)；將基板電性連接至一晶片上，以輸入或輸出信號(hào)；將一膠體黏著在晶片與基板之間，以牢固地設(shè)置晶片及基板；以及切單基板及晶片，使晶片及基板分離形成多個(gè)半導(dǎo)體組件。因此，晶片及基板可同時(shí)進(jìn)行切單步驟，以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體組件的制造步驟。文檔編號(hào)H01L21/02GK101640177SQ20081014445公開(kāi)日2010年2月3日申請(qǐng)日期2008年7月31日優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日發(fā)明者陳錦弟申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司