顯示基板及其制造方法和具有顯示基板的顯示裝置的制作方法

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導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：顯示基板及其制造方法和具有顯示基板的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示基板。更具體地，本發(fā)明涉及一種顯示基板，制造該顯示基板的方法和具有該顯示基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
制造液晶顯示器(LCD)面板的顯示基板方法包括在校準(zhǔn)膜上形成沿預(yù) 定方向延伸的紋理的摩擦(rubbing)過程。摩擦過程可導(dǎo)致在顯示裝置上釋放靜電。例如，在帶有正電荷的顯示基板上摩擦帶有負(fù)電荷的布料可導(dǎo)致破壞顯示裝置的靜電放電。相應(yīng)地，在顯示基板中可能出現(xiàn)由于靜電放電導(dǎo)致的缺陷，這些缺陷主要出現(xiàn)在顯示基板上形成的金屬薄膜暴露的地方。因此，制造顯示基板的方法已經(jīng)包括用與像素電極基本相同的材料，在顯示基板邊緣處形成保護(hù)環(huán)，以便在整個基板上驅(qū)散靜電。然而，當(dāng)顯示基板包括保護(hù) 環(huán)時，顯示基板的缺陷將更頻繁的出現(xiàn)和/或更嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例提供一種能夠降低由于靜電放電造成的缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性的顯示基板。
本發(fā)明的示例性實施例提供一種能夠降低由于靜電放電造成的缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性的制造顯示基板的方法。
本發(fā)明的示例性實施例提供一種能夠降低由于靜電放電造成的缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性的顯示裝置。
本發(fā)明的示例性實施例提供一種具有良好抗蝕性的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基板包括基板，保護(hù)環(huán)和連接線?；?板包括多個有效區(qū)域(active area),每個有效區(qū)域具有其中定義有多個單元像素的像素區(qū)域和其中形成施加信號至像素區(qū)域的襯墊(或稱焊盤，pad) 的外圍區(qū)域。在基板上形成保護(hù)環(huán)以圍住每個有效區(qū)域，并由與像素電極基本相同的層形成，其中像素電極形成在單元像素中。由與保護(hù)環(huán)不同的層形成連接線，以將保護(hù)環(huán)和襯墊電連接。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基板制造方法包括在基板上形成包括柵極線的第一金屬圖案。有效區(qū)域具有在基板中定義的外圍區(qū)域和^(象素區(qū) 域。在其上形成有第一金屬圖案的基板上形成第一絕緣層。在第一絕緣層上形成包括數(shù)據(jù)線的第二金屬圖案。在形成有第二金屬圖案的基板上形成第二絕緣層。在第二絕緣層上形成保護(hù)環(huán)，保護(hù)環(huán)圍住與單元像素對應(yīng)的像素電極和有效區(qū)域。在外圍區(qū)域中形成包括第一襯墊層的襯墊，其中第一襯墊層由第一和第二金屬圖案中的至少一個形成。由與保護(hù)環(huán)不同的層形成連接線，連接線將保護(hù)環(huán)和襯墊電連接。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置包括第一基板和連接線保留部分。第一基板具有其中定義有多個單元像素的像素區(qū)域，和其中形成有將信號應(yīng)用至像素區(qū)域的襯墊的外圍區(qū)域。連接線保留部分連接至每個襯墊以向第一基板的邊緣延伸，并在第一基板的邊緣被切割。連接線保留部分由與保護(hù)環(huán)不同的層形成。保護(hù)環(huán)為第一基板在母板上形成以封閉第一基板。在這種情況下，通過使用劃線過程，通過切斷封閉第一基;f反的保護(hù)環(huán)和將襯墊彼此電連接的連接線，從而形成連接線保留部分。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置包括第一顯示面板，第二顯示面
板和柔性印刷電路板(FPCB)。在第一顯示面板上安裝驅(qū)動芯片。第二顯示面板包括電連接至形成在數(shù)據(jù)線的邊緣的FPC襯墊的第一連接線，從第一連接線間隔開且電連接至在底部基板的外圍區(qū)域形成的短路棒的第二連接線，和連接第一連接線與第二連接線的橋。FPCB電連接第一顯示面板和第二顯示面板并電連接至FPC襯墊，以將來自驅(qū)動芯片的驅(qū)動信號傳輸給第二顯示面板。
根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置包括第一顯示面板，第二顯示面板和一柔性印刷電路板FPCB。在第一顯示面板上安裝驅(qū)動芯片。第二顯示面板包括一電連接FPC襯墊與短路棒的連接線，具有在數(shù)據(jù)線邊緣形成的金屬襯墊層的FPC襯墊和由金屬襯墊層之上的透明導(dǎo)電層形成的的電極圖形。由位于電極圖形與底部基板的外部區(qū)域的透明導(dǎo)電層形成短路棒。FPCB電連接第一顯示面板和第二顯示面板并電連接至每一個FPC襯墊，以將來自驅(qū) 動芯片的驅(qū)動信號傳輸給第二顯示面板。根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例，電連接保護(hù)環(huán)和襯墊的連接線在形成第二絕緣層之前形成，以便降低或防止在第二絕緣層的階梯部分？ 1起的連接線圖案化缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。因此，可防止襯墊之間的短路，并且通過保護(hù)環(huán)可有效地驅(qū)散在制造過程中從襯墊中流出的靜電。
此外，與短路棒接觸的第二連接線通過橋與第一連接線相連，或者FPC 襯墊和短路棒通過連接線彼此相連，所以可最小化數(shù)據(jù)線的腐蝕并增加顯示裝置的抗蝕性。

本發(fā)明示例性實施例的上述和其它特點將在下面結(jié)合參考附圖詳細(xì)描
述，其中
圖1是例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基板的平面圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的圖1中"A"部分的放大平面
圖3是沿圖2的線I-I，和II-II'的截面圖;
圖4至9例示了4艮據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基^1制作方法的截面
圖IO是例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的圖1中的"A"部分的放大平面圖ii是沿圖io的線ni-in'和iv-iv，的截面圖;
圖12至18例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基板制作方法的截面圖19例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置平面圖；圖20例示了圖19中"B"部分的放大平面圖；圖21例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置的平面圖；圖22例示了圖21中根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的第二顯示面板的放大平面圖23例示了沿圖22的線V-V，和VI-VI'的截面圖; 圖24例示了圖21中根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板的放大平面圖25是沿圖24的線V-V，和V1-VI，的截面圖。
具體實施例方式
在下文中將結(jié)合參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式體現(xiàn)，并不應(yīng)解釋為只限于此處提出的實施例。在附圖中，為了清楚起見可放大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
當(dāng)稱元件或?qū)訛?上"、"連接至"或"耦合至"另一元件或?qū)訒r，應(yīng)該理解為它可以直接在其上、連接或耦合至另一元件或?qū)踊蛑虚g插有元件或層。
圖1是例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基板200的平面圖。
參見圖1，顯示基板200包括底部基板GS。在底部基板GS中定義有效區(qū);或10。
有效區(qū)域10包括像素區(qū)域PA和外圍區(qū)域CA。在^f象素區(qū)域PA中定義包括薄膜晶體管和像素電極的單元像素。從外圍區(qū)域CA施加驅(qū)動信號至像素區(qū)域PA。
印刷電路板(PCB )產(chǎn)生控制信號來控制圖像。柔性PCB(FPCB)將PCB 與像素區(qū)域PA電連接。將控制信號改變?yōu)轵?qū)動信號的驅(qū)動芯片設(shè)置在外圍區(qū)域CA中。此外，多個襯墊11例如集成電路(IC)襯墊將驅(qū)動芯片和數(shù) 據(jù)線電連接。將FPCB連接至基板的FPC襯墊在外圍區(qū)域CA中形成。
此外，保護(hù)環(huán)20形成在底部基板GS上以封閉每個有效區(qū)域10，所以可驅(qū)散生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的靜電至整個底部基板GS。封閉每個有效區(qū)域的每個保護(hù)環(huán)20彼此電連接。
顯示基板200的有效區(qū)域10基本上用做諸如液晶顯示(LCD)裝置的顯示裝置。通過劃線過程切割有效區(qū)域10以用作顯示裝置的陣列基板。
因此，形成保護(hù)環(huán)20的區(qū)域在劃線過程之后不再4吏用，并且通過劃線過程切割連接線15。
通過劃線過程生產(chǎn)將有效區(qū)域10用作陣列基板的多個顯示裝置，在每個顯示裝置中保留部分連接線15。
圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的圖1中"A"部分的放大平面
圖。圖3是圖2沿線i-r和n-ir的截面參見圖1至圖3，在像素區(qū)域PA中，柵極線GL沿第一方向延伸，數(shù)據(jù) 線DL沿第二方向延伸，第二方向基本上垂直于第一方向。此外，在像素區(qū)域PA中定義多個單元像素P。在底部基板GS上形成柵極線GL,并由第一金屬圖案形成。柵極絕緣層110在其上形成有第一金屬圖案的底部基板GS 上形成金屬圖案。柵極絕緣層IIO可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
在柵極絕緣層110上形成數(shù)據(jù)線DL,并由第二金屬圖案形成。在單元電極P中形成一作為開關(guān)元件的薄膜晶體管TFT和一電連接至薄膜晶體管 TFT的像素電極PE。
例如，每個薄膜晶體管TFT包括一柵極G, —溝道層A，一源極S和一漏極D。柵極G由與柵極線GL中突出的第一金屬圖案基本上相同的層形成。
在柵極絕緣層110上形成溝道層A以與4冊極G重疊。例如，具有無定形硅的半導(dǎo)體層121和具有摻雜有離子的無定形硅的歐姆接觸層122結(jié)合在一起形成溝道層A。
源極S是從數(shù)據(jù)線DL中突出的第二金屬圖案。在這種情況下，源極S 與溝道層A部分重疊。漏極D由作為源極S的第二金屬圖案形成，并從源極S中隔開預(yù)定距離從而與溝道層A部分重疊。
移開源極S和漏極D之間的部分歐姆接觸層122以暴露半導(dǎo)體層121。
在其上形成有薄膜晶體管TFT的底部基板GS上形成鈍化層130。例如，鈍化層130可包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。 A匕外，包括有機材料的有機絕緣層140在鈍化層130上形成。通過鈍化層130和有機絕緣層形成接觸孔CH以暴露漏部分極D。例如，與外圍區(qū)域CA相對應(yīng)的有機絕緣層140具有相對較薄的厚度，因此諸如驅(qū)動芯片F(xiàn)PCB之類的驅(qū)動元件可容易地連接至外圍區(qū)域CA。
像素電極PE與單元像素P相對應(yīng)并形成在有機絕》彖層140上。像素電極PE包括透明導(dǎo)電材料。例如，像素電極PE可包括氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)，無定形ITO等。像素電極PE通過接觸孔CH電連接至漏極 D，該接觸孔CH通過鈍化層130和有機絕緣層140形成。
參見圖1如所描述的，例如電連接驅(qū)動芯片與數(shù)據(jù)線DL的IC襯墊和將FPCB連接到顯示基板200的FPC襯墊的多個襯墊11在外圍區(qū)域CA中形成。在這種情況下，F(xiàn)PC襯墊12，作為襯墊11的一個范例在圖2和圖3 中例示并將結(jié)合附加參考數(shù)字進(jìn)行解釋。
例如，F(xiàn)PC襯墊12與形成柵極線GL的第一金屬圖案在基本同一層中形成，并包括金屬村墊層13和透明襯墊層14。金屬襯墊層13由形成數(shù)據(jù)線的至少一個第二金屬圖案形成。透明襯墊層14電連接至金屬村墊層13并與像素電極PE在基本同一層中形成。
在圖3中，金屬襯墊層13由第二金屬圖案形成。例如，金屬村墊層13 可由第二金屬圖案單獨形成?？蛇x擇地，第二金屬圖案集成在第一金屬圖案上以形成金屬襯墊層13。當(dāng)?shù)诙饘賵D案集成在第一金屬圖案上以形成金屬襯墊層13時，第一金屬圖案與第二金屬圖案電連接所穿過的孔通過柵極絕緣層110而形成。
在金屬襯墊層13和透明襯墊層14之間形成鈍化層130和有機絕緣層 140，通過鈍化層130和有機絕緣層140形成第一孔H1以部分暴露金屬村墊層13。
透明襯墊層14通過第一孔H1與金屬襯墊層13接觸，優(yōu)選地具有大于金屬襯墊層13的面積。
可在形成有像素電極PE和透明電極層14的底部基4反GS上進(jìn)一步形成校正膜150,以便液晶分子沿預(yù)定方向排列。校正膜150只在與具有液晶分子的液晶層接觸的像素區(qū)域PA中形成。沿特定方向延伸的紋理形成在校正膜150表面上以排列這些液晶分子。制造顯示基板的過程包括摩擦過程。在摩擦過程中，校正膜150通過摩擦布摩擦以形成紋理。然而，在摩擦過程中產(chǎn)生靜電，在導(dǎo)電材料例如襯墊11暴露在顯示基板的表面的區(qū)域更常產(chǎn)生靜電。
相應(yīng)地，結(jié)合參考圖l如所解釋的，保護(hù)環(huán)20形成在顯示基板200上，以便擴(kuò)散靜電至顯示基板200的整個表面，并因此保護(hù)有效區(qū)域IO。保護(hù)環(huán) 20封閉每個有效區(qū)域10，并與像素電極PE和透明電才及層14在基本同一層中形成。保護(hù)環(huán)20通過連接線15電連接至FPC襯墊12,當(dāng)產(chǎn)生靜電時，通過連接線15擴(kuò)散FPC襯墊12中的電荷至保護(hù)環(huán)20。
相應(yīng)于保護(hù)環(huán)20和FPC襯墊12的第一開口圖樣(pattern ) 0PA1通過有機絕緣層140形成，以便可容易地連接FPCB 。
因此，具有與有機絕緣層140的厚度基本上相同高度的階梯部分在保護(hù) 環(huán)20和FPC村墊12之間形成。連接線15可與透明電才及層14和保護(hù)環(huán)20 在基本上相同的層中形成。然而，當(dāng)有機絕緣層140的第一開口圖樣0PA1 形成階梯部分時，形成連接線15的透明導(dǎo)電材料可^f呆留在第一開口圖樣 0PA1的邊緣處，從而導(dǎo)致連接線15的布線形成缺陷。當(dāng)連接線15的出現(xiàn)布線缺陷時，在FPC襯墊12之間可出現(xiàn)短路，因此可防止在制造顯示基板的過程中產(chǎn)生的靜電發(fā)生擴(kuò)散。
相應(yīng)地，在本發(fā)明的示例性實施例中，在形成有機絕緣層140之前形成連接線15,可降低和/或防止連接線布線缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。
例如，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的連接線15由第二金屬圖案形成并直接連接至FPC襯墊的金屬襯墊層13。
通過鈍化層130和有機絕緣層140形成第二孔H2,以便保護(hù)環(huán)20通過第二孔H2與連接線15接觸。相應(yīng)地，每個FPC襯墊12電連接至每個保護(hù) 環(huán)20,在FPC襯墊12中的靜電沿由第二金屬圖案形成的連接線15擴(kuò)散至保護(hù)環(huán)20。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在形成有機絕緣層140之前形成連接線 15,所以可降低和/或防止由于連接線15的布線缺陷在FPC襯墊12之間造成的短路，可有效地擴(kuò)散靜電。因此，可降低由于靜電放電導(dǎo)致的缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。
連接FPC襯墊12和保護(hù)環(huán)20的連接線15已結(jié)合本發(fā)明的示例性實施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不僅限于這種連接線。例力o,連接線可連接外圍區(qū)域CA中形成的襯墊和保護(hù)環(huán)20。
圖4至9例示了4艮據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示基4反200制作方法的截面圖。
參見圖2和圖4，在底部基板GS上形成第一金屬層(未示出)。例如，第一金屬層可包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀等，或者它們的合金，也可包括物理特性彼此不同的兩層或多層。
隨后，通過使用第一掩膜的光刻過程圖案化(pattern)第一金屬層(未示出)，以形成包括柵極線GL和柵極G的第一金屬圖案。例如，光刻過程可包括濕法腐蝕過程。
參見圖2和圖5,柵極絕緣層110、半導(dǎo)體層121和歐姆接觸層122依次在通過化學(xué)氣相沉淀(CVD)過程而在形成第一金屬圖案的底部基板GS 上形成。例如，柵極絕緣層110包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。半導(dǎo)體層121包括不定形^圭。歐姆接觸層122包括摻雜有離子的不定形硅。
接著，通過使用第二掩膜的光刻過程在同一時間圖案化歐姆接觸層122 和半導(dǎo)體層121，以形成覆蓋柵極G的溝道層A。
13例如，形成溝道層A的光刻過程包括干法腐蝕過程。
參見圖2和圖6，在其上形成有溝道層A的底部基4反GS上形成第二金屬層(未示出)。例如，第二金屬層可包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀等，或者它們的合金，也可包括物理特性彼此不同的兩層或多層。
隨后，通過使用第三掩膜的光刻過程圖案化第二金屬層，以形成具有數(shù) 據(jù)線DL、源極S、漏極D、如FPC襯墊12的金屬襯墊13和連接線15的第二金屬圖案。連接線15直接連接至金屬襯墊層13。
在圖6中，由第二金屬圖案形成金屬襯墊層13，集成第一和第二金屬圖案以形成金屬襯墊層13。當(dāng)集成第一和第二金屬圖案以形成金屬襯墊層13 時，由附加光刻過程穿過柵極絕緣層IIO形成電連接第一和第二金屬圖案的孔。
隨后，腐蝕暴露在源極S和漏極D之間的分離部分的歐姆接觸層122。例如，使用干法腐蝕過程腐蝕歐姆接觸層122。
相應(yīng)地，包括柵極G、溝道層A、源極S和漏極D的薄膜晶體管TFT 在底部基板GS上形成。
參見圖2和圖7，通過CVD過程在其上形成有薄月莫晶體管TFT的底部基板GS上形成鈍化層130。例如，鈍化層130可包4舌氮化硅(SiNx)或氧化珪(SiOx )。
隨后，包括有機材料的有機絕緣層140在鈍化層130上形成。例如，有機絕緣層140包括感光有機材料，并整平在其上形成有薄膜晶體管TFT的底部基板GS的表面。
隨后，通過使用第四掩膜的光刻過程圖案化有機絕緣層140。例如，當(dāng) 通過光刻過程圖案化有機絕緣層140時，控制輻射到像素區(qū)域PA和外圍區(qū) 域CA上的光的數(shù)量，以便改變在顯影過程之后剩余的有機絕緣層140的厚度。
例如，將對應(yīng)于外圍區(qū)域CA的有機絕緣層140圖案化的相對較薄，以便容易地連接用作驅(qū)動和連接至外圍區(qū)域CA的例如驅(qū)動芯片、FPC等元件。
此外，第一、第二、第三和第四開口圖樣OPAl、 OPA2、 OPA3和OPA4 經(jīng)過有機絕緣層140由光刻過程形成。第一開口圖樣OPAl對應(yīng)于其上形成有保護(hù)環(huán)20的有機絕緣層140的第一部分和其上形成有FPC襯墊12的有機絕緣層140的第二部分之間的部分。第二開口圖樣OPA2對應(yīng)于漏極D的末端部分。第三開口圖樣OPA3對應(yīng)于金屬襯墊層13。第四開口圖樣OPA4對應(yīng)于連接線15與其上形成有保護(hù)環(huán)20的第一部分彼此重疊的區(qū)域。
參見圖2、 7和8,通過第一、第二、第三和第四開口圖樣0P1、 OP2、 OP3和OP4暴露的鈍化層130由將有機絕緣層140作為腐蝕掩模的干法腐蝕過程進(jìn)行腐蝕。相應(yīng)地，穿過有機絕緣層140和4屯4匕層130形成接觸孔 CH、第一孔H1和第二孔H2。接觸孔CH暴露部分漏才及D。第一孔H1暴露金屬襯塾層13。第二孔H2暴露連接線15與其上形成有保護(hù)環(huán)20的第一部分彼此重疊的區(qū)域。在這種情況下，穿過圖7中第一開口圖樣0PA1暴露的鈍化層130具有大于第二、第三和第四開口圖樣OPA2、 OPA3和OPA4任意一個的暴露區(qū)域。因此，在腐蝕鈍化層130時，穿過第一開口圖樣OPAl暴露的鈍化層130比穿過第二、第三和第四開口圖樣OPA2、 OPA3和OPA4 暴露的鈍化層被腐蝕的少。因此，對應(yīng)于第一開口圖樣OPAl的鈍化層130 在干法腐蝕過程之后保留預(yù)定的厚度以保護(hù)連接線15 。
參見圖2和圖9,在有機絕緣層140上沉積一透明導(dǎo)電層(未示出)。穿過有機絕緣層140形成接觸孔CH、第一孔H1和第二孔H2。例如，透明導(dǎo) 電層可包括ITO, IZO,無定形ITO等。通過濺射過程沉積透明導(dǎo)電層。
隨后，由使用第五掩膜的光刻過程腐蝕透明導(dǎo)電層，以形成對應(yīng)于單元像素P的像素電極PE、對應(yīng)于金屬襯墊層13的透明襯墊層14和封閉有效區(qū)域10的保護(hù)環(huán)20。
像素電極PE穿過接觸孔CH與漏極D接觸，并4^收一來自于薄膜晶體管TFT的像素電壓。透明襯墊層14穿過第一孔H1與金屬襯墊層13電連接，金屬襯墊層13和透明襯墊層14形成FPC襯墊12。保護(hù)環(huán)20穿過第二孔 H2與連接線15電連接。
盡管在圖中未示出，制造顯示基板200的過程進(jìn)一步包括在其上形成有像素電極PE的像素區(qū)域PA上形成校正層，和通過摩4察過程在校正層上形成紋理。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在形成有機絕緣層140之前形成連接線 15，以便可降低和/或防止在階梯部分諸如第一開口圖樣OPA1處出現(xiàn)的連接線15的布線缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。因此，可防止由于連接線15的布線缺陷導(dǎo)致的FPC襯墊12之間的短路，并可有效地耗散在摩擦過程中產(chǎn)生的靜電。圖10是例示了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板200的圖1中"A"
部分的放大平面圖。圖ii是圖io沿線in-in，和iv-iv，的截面圖。根據(jù)本發(fā)
明示例性實施例的顯示基板基本上與上述的一致，除了關(guān)于例如FPC襯墊 12和在外圍區(qū)域CA中形成的連接線15之間的連接。因此，相同的標(biāo)號表示與那些之前描述的實施例相同或相似的部分。
參見圖10和圖11 ， FPC襯墊12連接至在外圍區(qū)域CA中形成的電路線 CL。 FPC襯墊12包4舌金屬襯墊層13和透明襯墊層14。由形成斥冊極線GL 的第一金屬圖案和形成翁:據(jù)線DL的第二金屬圖案的至少一個形成金屬襯墊層13。透明襯墊層14電連接至金屬襯墊層13并與像素電極PE在基本上同一層中形成。
在圖ll中，由第二金屬圖案形成金屬襯墊層13。例如，金屬襯墊層13 可僅由第二金屬圖案形成。可選擇地，第二金屬圖案集成在第一金屬圖案上以形成金屬襯墊層13。當(dāng)?shù)诙饘賵D案集成在第一金屬圖案上形成金屬襯墊層13時，穿過柵極絕緣層110形成孔以電連接第一金屬圖案和第二金屬圖案。
鈍化層130和有^L絕緣層140在金屬襯墊層13和透明襯墊層14之間形成。部分地暴露金屬襯墊層13的第一孔Hl穿過鈍卩匕層130和有機絕緣層 140而形成。
透明襯墊層14穿過第一孔H1電連接至金屬襯墊層13。例如，透明襯墊層14具有比金屬襯墊層13更大的面積。
連接線15以預(yù)定距離與FPC襯墊12的金屬襯墊層13間隔開，并由作為柵極線GL的第一金屬圖案形成。在這種情況下，可在柵極絕緣層110上形成第一和第二覆蓋圖案17和18以對應(yīng)于連接線15的兩端。由第二金屬圖案形成第一和第二覆蓋圖案17和18，并且第一和第二覆蓋圖案17和18 穿過通過柵極絕緣層110形成的孔(未示出)與連接線15接觸。
此外，暴露第一覆蓋圖案17的第三孔H3和暴露第二覆蓋圖案18的第二孔H2穿過鈍化層130和有機絕緣層140而形成?？煞謩e地形成一個第二孔H2和一個第三孔H3?？商鎿Q地，如圖10所示，可分別地形成多個第二孔H2和多個第三孔H3。
透明襯墊層14通過第三孔H3與第一覆蓋圖案17接觸。保護(hù)環(huán)20通過第二孔H2與第二覆蓋圖案18接觸。相應(yīng)地，F(xiàn)PC襯墊12、連接線15和保護(hù)環(huán)20彼it匕電連接。因此，當(dāng)在制造顯示基板200期間產(chǎn)生靜電時，通過透明襯墊層14、連接線15和保護(hù) 環(huán)20可將顯示基板200表面上的靜電驅(qū)散至整個底部基板GS表面。
根據(jù)本發(fā)明實施例，在形成有機絕緣層140之前形成連接線15,因此可降低或防止在有機絕緣層140階梯部分中形成的連接線15的布線缺陷的頻率和/或嚴(yán)重姓。因此，可防止由于連接線15的布線缺陷導(dǎo)致的FPC襯墊 12之間的短路，并有效驅(qū)散在顯示基板制造中產(chǎn)生的靜電。相應(yīng)地，可減少由于靜電放電導(dǎo)致的缺陷。
此外，F(xiàn)PC襯墊12的金屬襯墊層13與連接線15隔開，連接線15通過具有良好耐蝕性的透明襯墊層14電連接至FPC襯墊12。因此，即使在底部基板GS上形成的金屬線受到腐蝕，由于金屬線與連接線15是分隔的，所以可防止整個底部基板GS受到腐蝕。
圖12至18例示了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板200制作方法的截面圖。
參見圖10和12，在底部基板上形成第一金屬層(未示出)。例如，第一金屬層可包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀等，或者它們的合金，也可包括物理特性彼此不同的兩層或多層。
隨后，由使用第一掩膜的光刻過程圖案化第一金屬層(未示出)，以形成包括柵極線GL、柵極G和連接線15的第一金屬圖案。
例如，光刻過程可包括濕法腐蝕過程。
參見圖10和圖13，通過CVD過程，在其上形成有第一金屬圖案的底部基板GS上形成柵極絕緣層110。
隨后，通過使用第二掩膜的光刻過程圖案化柵極絕緣層110，以形成暴露連接線15兩端的孔H。
參見圖10和圖14，在柵極絕緣層IIO上依次形成半導(dǎo)體層121和歐姆接觸層122，通過它們形成孔H。例如，半導(dǎo)體層121包:fe不定形硅，歐姆接觸層122包括摻雜有離子的不定形硅。通過CVD過程形成半導(dǎo)體層121 和歐姆纟妾觸層122。
隨后，由使用第三掩膜的光刻過程同時圖案化歐姆接觸層122和半導(dǎo)體層121，以形成覆蓋斥冊才及G的溝道層A。
參見圖IO和圖15，在其上形成有溝道層A的柵極絕緣層IIO上形成第二金屬層(未示出)。例如，第二金屬層可包括鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鴒、銅、銀等，或者它們的合金，也可包括物理特性彼此不同的兩層或多層。
隨后，由使用第四掩膜的光刻過程圖案化第二金屬層，以形成包括數(shù)據(jù)
線DL、源極S、漏極D、 FPC襯墊12的金屬襯墊層13、第一覆蓋圖案17 和第二覆蓋圖案18的第二金屬圖案。金屬襯墊層13以預(yù)定距離與連接線15隔開。
圖15顯示了由第二金屬圖案形成的金屬襯墊層13?？商鎿Q地，集成第一和第二金屬圖案以形成金屬襯墊層13。例如，當(dāng)集成第一和第二金屬圖案以形成金屬襯墊層13時，進(jìn)一步在使用如附圖14中所解釋的第三掩膜的光刻過程中形成電連接第一和第二金屬圖案的孔(未示出)。
隨后，腐蝕在源極S和漏極D之間的間隔部分暴露的歐姆接觸層122。例如，通過干法腐蝕過程腐蝕歐姆接觸層122。
相應(yīng)地，包括柵極G、溝道層A、源極S和漏極D的薄膜晶體管TFT 在底部基板GS上形成。
參見圖10和圖16，通過CVD過程，在其上形成有薄膜晶體管TFT的底部基板GS上形成鈍化層130。例如，鈍化層130可包括氮化硅(SiNx) 或氧化硅(SiOx)。
隨后，包括有機材料的有機絕緣層140在鈍化層130上形成。例如，有機絕緣層140包括感光有機材料。有機絕緣層140平面化其上形成有薄膜晶體管TFT的底部基板GS的表面。
隨后，由使用第五掩膜的光刻過程圖案化有機絕緣層140。例如，當(dāng)通過光刻過程圖案化有機絕緣層140時，控制輻射到像素區(qū)域PA和外圍區(qū)域 CA上的光的數(shù)量，以便改變在顯影過程之后剩余的有機絕緣層140的厚度。
例如，由于用作驅(qū)動的例如驅(qū)動芯片、FPCB等元件連接至外圍區(qū)域CA，優(yōu)選地將對應(yīng)于外圍區(qū)域CA的有機絕緣層140圖案^f匕的相對較薄，以便容易地連接這些元件。此外，第一、第二、第三、第四和第五開口圖樣OPAl、 OPA2、 OPA3、 OPA4和OPA5由光刻過程通過有機絕^彖層140形成。第一開口圖樣OPA1對應(yīng)于其上形成有保護(hù)環(huán)20的有機絕緣層140的第一部分和其上形成有FPC襯墊12的有機絕緣層140的第二部分之間的部分。第二開口圖樣OPA2對應(yīng)于漏極D的末端部分。第三開口圖樣OPA3對應(yīng)于金屬襯墊層13。第四開口圖樣OPA4對應(yīng)于連接線15的第一覆蓋圖案17。第五開口圖樣OPA5對應(yīng)于連接線15的第二覆蓋圖案18。
參見圖10和圖17,通過將有機絕緣層作為腐蝕掩4莫的干法腐蝕過程對鈍化層130進(jìn)行腐蝕，以形成暴露部分漏極D的接觸孔CH、暴露金屬襯墊層13的第一孔H1、暴露連接線15的第二覆蓋圖案18的第二孔H2和暴露第一覆蓋圖案17的第三孔H3。
參見圖1、圖10和圖18，在有機絕緣層140上堆積透明導(dǎo)電層(未示出)，通過該有機絕緣層140形成接觸孔CH、第一孔Hl、第二孔H2和第三孔H3。例如，透明導(dǎo)電層可包括ITO、 IZO、不定形ITO等。通過'減射過程堆積透明導(dǎo)電層。
隨后，通過使用第六掩膜的光刻過程腐蝕該透明導(dǎo)電層，以形成對應(yīng)于單元像素P的像素電極PE、對應(yīng)于金屬襯墊層13的透明襯墊層14和封閉有效區(qū)域10的保護(hù)環(huán)20。
像素電極PE通過接觸孔CH與漏極D接觸，并接收來自于薄膜晶體管 TFT的像素電壓。
通過第一孔m將透明襯墊層14電連接至金屬襯墊層13，金屬襯墊層 13和透明襯墊層14形成FPC襯墊12。在這種情況下，金屬襯墊層通過第三孔H3與第一覆蓋圖案17接觸。由于第一覆蓋圖案17與連接線15接觸，F(xiàn)PC 襯墊12和連接線15彼此電連接。
保護(hù)環(huán)20通過第二孔H2與第二覆蓋圖案18接觸。由于第二覆蓋圖案 17與連接線15接觸，保護(hù)環(huán)20電連接至連接線15。因此，F(xiàn)PC襯墊12、連接線15和保護(hù)環(huán)20彼此電連接，以便于當(dāng)在制造顯示基板200期間產(chǎn)生靜電時，保護(hù)有效區(qū)域10并將靜電驅(qū)散至整個底部基板GS。
盡管在圖中未示出，制造顯示基板200的過程進(jìn)一步包括在其上形成有像素電極PE的像素區(qū)域PA上形成校正層，和通過摩4察過程在校正層上形成紋理。在摩擦過程之后顯示基板200的制造過程結(jié)束。
根據(jù)本發(fā)明的一示例性實施例，在形成有機絕緣層140之前形成連接線 15,以便于在有機絕緣層140中階梯部分出現(xiàn)的連接線15的圖案化缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性降低或防止圖案化缺陷。因此，可降l氐或防止由于連接線 15的布線缺陷導(dǎo)致的FPC襯墊12之間的短路，并可有效驅(qū)散在摩擦過程期間產(chǎn)生的靜電。相應(yīng)地，可降低或防止由于靜電放電導(dǎo)致的顯示基板200的缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。此外，F(xiàn)PC襯墊12的金屬村墊層13與連接線15隔開，因此連接線15 通過具有良好耐蝕性的透明村墊層14電連接至FPC襯墊12。因此，即使在底部基板GS上形成的金屬線受到腐蝕，由于金屬線與連接線15是分隔的，所以可防止整個底部基板GS受到腐蝕。
完整地制造顯示基板200之后，可切割顯示基板200以制造使用有效區(qū) 域1 0為陣列基板的顯示裝置。
圖19例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置600平面圖。
參見圖1和圖19,例如，根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置600可為LCD 裝置600。 LCD裝置600包括第一基板300、第二基澤反400和插入第一和第二基板300和400之間的液晶層(未示出)。在這種情況下LCD裝置600使用上述參照圖1描述的顯示基板200的陣列區(qū)域10為第一基板300。
例如，如圖1所示沿顯示基板200的陣列區(qū)域10切割第一基板300。第一基板300是其上形成有薄膜晶體管TFT和信號線的陣列基板。
在圖1至圖3中，包括在第一基板300中的元件參考圖1至3中的陣列區(qū)域IO描述。
第二基板400對應(yīng)于第一基板300的像素區(qū)域PA，例如，可以是其上形成有對應(yīng)于單元像素的彩色濾光片的彩色濾光片基才反。
第二基板400連接至顯示基板200，以與圖1至圖3中描述的顯示基板 200的像素區(qū)域PA對應(yīng)，在顯示基板200和第二基^反400之間注入液晶層 (未示出)。隨后，沿有效區(qū)域10切割顯示基板200。因此，可制造LCD裝置600。
圖20例示了圖19中"B"部分的放大平面圖。
參見圖1、圖2和圖20,在顯示基板200上形成的連接線15沿有效區(qū) 域10由切割顯示基板200的劃線過程切割，使得作為連接線15 —部分的連接線保留部分30保留在顯示裝置600的第一基板300上。
例如，連接線保留部分30分別連接至襯墊11，例如FPC襯墊12，并向第一基板300的邊緣延伸。因此，具有切割狀的連接線保留部分30保留在第一基板300的邊緣上。
連接線保留部分30與上述連接線15在基本上同一層和基本上同一過程中形成。
圖21例示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的顯示裝置的平面圖。參見圖21 ，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示裝置包括其上安裝有驅(qū)動芯
片540的第一顯示面板510，以及FPCB530和第二顯示面板520。
第一顯示面板510通過形成多個單元像素(未示出)的第一有效區(qū)域PA1 顯示第一圖像。在第一有效區(qū)域PA1中形成多條線(未示出)、分別對應(yīng)單元像素開閉的多個薄膜晶體管(未示出)，和多個分別電連接至相應(yīng)TFT的單元電極(未示出)。在環(huán)繞第一顯示面板510的第一有效區(qū)域PA1的第一外圍區(qū)域CA1中安裝驅(qū)動芯片540， FPCB 530連接至第二外圍區(qū)域CA2。
驅(qū)動芯片540電連接至第一顯示面板510的線，將一驅(qū)動信號傳送至第一有效區(qū)域PA1。電連接至這些線并用作可視檢查的可視襯墊部分(未示出) 可在其中安裝有驅(qū)動芯片540的第一外圍區(qū)域CA中形成。
FPCB 530連接至第一顯示面板510的第二外圍區(qū)域CA2。例如，通過在高溫下施壓于置于第一顯示面板510的第二外圍區(qū)域CA2和FPCB 530之間的各向異性導(dǎo)電膜(未示出)，F(xiàn)PCB 530可連接至第二外圍區(qū)域CA2。 FPCB 530連接至環(huán)繞第二顯示面板520的第二有效區(qū)域PA2的第三外圍區(qū)域 CA3 ，以電連接和物理連接第一顯示面板510和第二顯示面板520。
第二顯示面板520通過其上形成有多個單元像素(未示出)的第二有效區(qū)域PA2顯示第二圖像。在第二有效區(qū)域PA2中形成多條線(未示出)、分別對應(yīng)單元像素開閉的多個薄膜晶體管TFTs (未示出)，和多個各自電連接至相應(yīng)TFT的單元電極(未示出)。通過連接至環(huán)繞第二顯示面板520的第三外圍區(qū)域CA3的FPCB530，將來自于第一顯示面板510上安裝的驅(qū)動芯片540中的驅(qū)動信號傳送至第二顯示面板520。通過FPCB 530傳送到第二顯示面板520的驅(qū)動信號對第二顯示面板520進(jìn)行驅(qū)動。
圖22例示了圖21中根據(jù)本發(fā)明一示例性實施例的第二顯示面板的放大平面圖。
參見圖22,在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520的第二有效區(qū)域PA2中形成柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、 TFTs和像素電極PE。在根據(jù)本發(fā) 明示例性實施例的第二顯示面板520的第三外圍區(qū)域CA3中形成FPC襯墊 12、第一連接線150、第二連接線151、橋152和短鴻4奉124和126。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板基本上與上述相同，除了關(guān)于例如第一和第二連接線150和151。因此，與上面的描述一樣，相同的標(biāo)號表示相同或相似部分。每個FPC村墊12在從第二有效區(qū)域PA2延伸至第三外圍區(qū)域CA3的每條數(shù)據(jù)線DL的末端形成。FPC襯墊12包括電連接至數(shù)據(jù)線DL的金屬襯墊層13和與金屬襯墊層13接觸的第一透明襯墊層14。
第一連接線150在第三外圍區(qū)域CA3中形成并電連接至金屬襯墊層13。
第二連接線151與第一連接線150間隔開并在第三外圍區(qū)域CA3中形成。第一和第二連接線150和151彼此間隔開并物理隔離。第一和第二電連接線 150和151通過橋152彼此電連接。
在第三外圍區(qū)域CA3中形成橋152以電連接第一連接線150與第二連接線151。橋152的第一末端部分與第一連接線150接觸，橋152的第二末端部分與第二連接線151接觸，以便于橋152電連接第一連接線150和第二連接線151。
在第三外圍區(qū)域CA3中形成短路棒124和126以與第二連接線151接觸。短路棒124和126連接至為可視化檢查施加信號的可視化村墊(未示出)。短路棒124和126沿第一方向Dl延伸，并包括沿與第一方向Dl基本上垂直的第二方向D2彼此平行設(shè)置的第一檢查線124和第二檢查線126。
例如，沿著第一方向D1，第一檢查線124可連接至第k條數(shù)據(jù)線DLk, 第二檢查線126可連接至與第k條數(shù)據(jù)線DLk相鄰的第(k+l )條數(shù)據(jù)線 DL(k+l)。第一條檢查線可沿第一方向Dl連接至與第(k+l )條數(shù)據(jù)線DL(k+l) 相鄰的第(k+2)條數(shù)據(jù)線DL(k+2)。例如，第k條和第(k+2)條數(shù)據(jù)線DLK 和DL(k+2)可為奇數(shù)列數(shù)據(jù)線，第(k+l )條數(shù)據(jù)線DL(k+l)可為偶數(shù)序列數(shù) 據(jù)線。例如，第一和第二檢查線124和126的每一個沿底部基板的外部區(qū)域 SA可分別為棒形。短路棒124和126可電連接至施加4企查信號的檢查村墊 (未示出)。
短路棒124和126與第二連接線151接觸以將多條數(shù)據(jù)線DL彼此電連接。短路棒124和126電連接至施加檢查信號的可視襯墊以傳送檢查信號至數(shù)據(jù)線DL。在可視檢查之后，切斷第二連接線151,因此第二連接線151 與短路棒124和126電隔離。例如，第二連接線151可通過激光微調(diào)(laser trimming )過程與數(shù)據(jù)線DL電隔離。
圖23例示了沿圖22的線V-V，和VI-VI，的截面圖。
參見圖22和圖23，在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520的底部基板GS上形成電連接至柵極線GL的TFT的柵極G、橋152和第一檢查線124。第一檢查線124將作為短路棒124和126的示例得到解釋。
底部基板GS可包括透明材料。例如，底部基板GS可為一玻璃基板、一塑料基板、一堿石灰基板等。
通過圖案化在底部基板GS上形成的柵極金屬層來形成柵極G、橋152 和第一4全查線124。
在其上形成有柵極G、橋152和第一檢查線124的底部基板GS上形成柵極絕緣層IIO。例如，柵極絕緣層IIO可包括氮化硅(SiNx)。柵極絕緣層 110包括部分暴露橋152的第十二孔H12和第十一孔H11,以及部分暴露第一檢查線124的第十三孔H13。
在其上形成有柵極絕緣層110的底部基板GS上形成溝道層A。
在其上形成溝道層A的底部基板GS上形成TFT的源極S和漏極D、電連接至數(shù)據(jù)線DL的金屬襯墊層13、第一和第二連接線150和151。由光刻過程通過圖案化源極金屬層形成源極S和漏極D、金屬襯墊層13和第一和第二連接線150和151。
在其下形成有柵極G的溝道層A上形成源極S和漏極D，以使源極S 和漏極D部分地覆蓋柵極G。源極S和漏極D彼此間隔開。金屬襯墊層13 電連接至數(shù)據(jù)線DL。
第一連接線150電連接至金屬襯墊層13。第一連接線150穿過柵極絕緣層llO的第十一孔Hll與橋152接觸。第二連接線151與第一連接線150間隔開，第二連接線151通過柵極絕緣層110的第十二孔H12與橋152接觸。第一和第二連接線150和151通過橋152彼此電連接。第二連接線151穿過柵極絕緣層110的第十三孔H13與第一檢查線124接觸。
在其上形成有源極S、漏極D、金屬襯墊層13和第一和第二連接線150 和151的底部基板GS上形成鈍化層130。鈍化層130包括部分暴露漏極D 的接觸孔CH、部分暴露金屬村墊層13的第十四孔H14，以及部分暴露與第一檢查線124接觸的第二連接線151的第十五孔H15。鈍化層130覆蓋源極 S和漏極D,并覆蓋第一和第二連接線150和151。例如，鈍化層130可包括氮化硅(SiNx)。
盡管在圖中未示出，相對較厚的有機層(未示出)可形成在鈍化層130 上。當(dāng)?shù)诙@示面板520包括有機層時，有機層進(jìn)一步包括與鈍化層130的接觸孔CH和第十五孔H15相對應(yīng)的孔。
在其上形成有鈍化層130的底部基板GS上形成像素PE、 FPC襯墊12 的第一透明襯墊層14和第二透明襯墊層16。像素電極PE在單元像素P上形成，并通過鈍化層130的接觸孔CH與漏極D的末端接觸。第一透明襯墊層14通過第十四孔H14與金屬襯墊層13接觸。第二透明襯墊層16通過第十五孔H15與第二連接線151的末端接觸。通過圖案化包括透明材料和導(dǎo)電材料的透明導(dǎo)電層形成像素電極PE、第一和第二透明襯墊層14和16。例如，透明導(dǎo)電層可包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，第一連接線150與第二連接線151間隔開，第一連接線150與第二連接線151通過橋152彼此電連接，因此可使得數(shù)據(jù) 線DL的腐蝕最小。例如，當(dāng)將通過激光微調(diào)過程已調(diào)的第二連接線151暴露至水汽，水汽依次滲入第二連接線151、橋152和第一連接線150,所以水汽需要一個相對較長的時間到達(dá)金屬村墊層13。因此，可使得金屬襯墊層 13和數(shù)據(jù)線DL的腐蝕最小。
圖24例示了圖21中根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板的放大平面圖。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520基本上與上述圖22所討論的相同，除了FPC襯墊12、連接線15和短路棒124和126。因此，相同的標(biāo)號表示與上面描述的相同或相似的部分。
參見圖24，在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520的第二有效區(qū)域PA2中形成柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管和像素電極PE,在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520的第三外圍區(qū)域CA3中形成FPC 襯墊12、連接線15和短路棒124和126。
在從第二有效區(qū)域PA2延伸至第三外圍區(qū)域CA3的每個數(shù)據(jù)線DL的末端形成每個FPC襯墊12。 FPC襯墊12包括電連接至數(shù)據(jù)線DL的金屬村墊層13和與金屬襯墊層13接觸的第一透明襯墊層14。
每個連接線15在第三外圍區(qū)域CA3中形成并電連接至第一透明襯墊層 14。例如，連接線15從FPC襯墊12延伸至底部基板GS的外圍區(qū)域SA。
短路棒124和126在第三外圍區(qū)域CA3中形成并與連接線15接觸。短路棒124和126可包括沿第一方向Dl延伸并沿第二方向D2彼此平行順序地設(shè)置的第一和第二連接線124和126。例如，第一4全查線124可電連接至奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL,第二檢查線126可平行于第一檢查線124并電連接至偶數(shù) 數(shù)據(jù)線DL。短路棒124和126可以以條狀沿底部基板GS的外圍區(qū)域SA而形成。
根據(jù)本示例性實施例的FPC襯墊12和短路棒124和126之間的距離小于上述討論的FPC和短路棒之間的距離，因此可降低連接線15的電阻。
短路棒124和126與連接線15接觸以使得多條數(shù)據(jù)線DL彼此電連接。短路棒124和126為可視檢查傳送檢查信號至數(shù)據(jù)線DL。可視化檢查之后，切斷連接線15，以便短路才奉124和126從連接線15電隔離。例如，可通過激光微調(diào)過程從數(shù)據(jù)線DL電隔離連接線15。
圖25是沿圖24的線V-V，和VI-VI，的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520與上述圖23所討論的基本相同，除了例如，F(xiàn)PC襯墊12、連接線15和短路棒124和126。因此，相同的標(biāo)號表示與上述相同或相似的部分。
參見圖24和圖25，在根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二顯示面板520上形成電連接至柵極線GL的薄膜晶體管TFT的柵極和第一檢查線124。由柵極金屬層形成柵極G和第一檢查線124。
在其上形成有柵極G和第一檢查線124的底部基板GS上形成柵極絕緣層110。柵極絕緣層110包括部分暴露第一檢查線124的第十六孔H16。
在其上形成有柵極絕緣層110的底部基板GS上形成薄膜晶體管TFT的源極S和漏極D,和連接至數(shù)據(jù)線DL末端的金屬襯墊層13。由源極金屬層形成源極S、漏極D和金屬襯墊層13。
在其上形成有源極S、漏極D、金屬襯墊層13的底部基板GS上形成鈍化層130。鈍化層130包括暴露漏極D末端的接觸孔CH、部分地暴露金屬襯墊層13的第十七孔H17和部分地暴露對應(yīng)于柵極絕緣層的第十六孔H16 的第一^r查線124的第十八孔H18。
盡管在圖中未示出，可在鈍化層130上形成相對較厚的有機層(未示出)。當(dāng)?shù)诙@示面板520包括有機層時，有機層可進(jìn)一步包括與鈍化層130的接觸孔CH和第十七孔H17相對應(yīng)的孔。
在其上形成有鈍化層130的底部基板GS上形成像素PE、第一透明襯墊層14和連接線15。像素電極PE通過接觸孔CH與漏極D接觸，第一透明襯墊層14通過第十七孔H17與金屬襯墊層13接觸。連接線15與第一透明襯墊層14接觸，連接線15的末端與通過鈍化層130的第十八孔H18和柵極絕緣層110的第十六孔H16而暴露的第一檢查線124接觸。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，連接至FPC襯墊12的第一透明襯墊層14 的連接線15連接至第一檢查線124,因此可最小化數(shù)據(jù)線DL腐蝕的頻率和 /或嚴(yán)重性。例如，通過圖案化包括ITO、 IZO或其他具有良好抗蝕性的材料的透明導(dǎo)電層形成連接線15，因此當(dāng)通過激光微調(diào)過程調(diào)整連接線15時，可降低或防止由于濕氣導(dǎo)致的連接線15和第一透明襯墊層14的腐蝕的頻率和/或嚴(yán)重性。因而，可最小化金屬襯墊層13和數(shù)據(jù)線DL腐蝕的頻率和/或嚴(yán)重性。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，電連接襯墊和保護(hù)環(huán)的連接線在形成有機絕緣層之前形成，因此可降低或防止在有機絕緣層階梯部分出現(xiàn)的連接線布線缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。相應(yīng)地，可防止由有機絕緣層階梯部分上保留的導(dǎo)電層導(dǎo)致的短路并可有效驅(qū)散靜電。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，連接線與第一襯墊層間隔開，連接線通過包括具有高抗蝕性材料例如ITO的第二襯墊層電連接至第二襯墊層。因而，即使沿連接線金屬線受到了腐蝕，連接線與第一襯墊層間隔開，因此可防止整個襯墊受到腐蝕。
此外，電連接保護(hù)環(huán)和襯墊的連接線在形成有機絕緣層之前形成，因此可防止襯墊之間的短路。從而，可有效驅(qū)散電荷。
此外，連接線與第一襯墊層隔離并且連接線通過第二襯墊層電連接至第二襯墊層，連接線具有良好的抗蝕性并包括ITO。從而，當(dāng)腐蝕沿連接線繼續(xù)時，可防止襯墊受到腐蝕。
此外，改變短路棒與第一模塊中的第二顯示面板的FPC襯墊之間的連接，以便最小化數(shù)據(jù)線的腐蝕，其中該第一模塊使用第一顯示面板的驅(qū)動芯片驅(qū)動第二顯示面板。因而，提高了顯示面板的抗蝕性和可靠性。
應(yīng)當(dāng)指出在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，此處可以有不同的變化、替換和改變。
2權(quán)利要求
1、一種顯示基板，包括包括多個有效區(qū)域的基板，每個所述有效區(qū)域具有其中定義有多個單元像素的像素區(qū)域和其中形成有將信號施加到所述像素區(qū)域的多個襯墊的外圍區(qū)域；保護(hù)環(huán)，該保護(hù)環(huán)在基板上形成用以封閉每個所述有效區(qū)域，該保護(hù)環(huán)由與在每個所述單元像素中形成的像素電極基本上相同的層形成；和由不同于所述保護(hù)環(huán)的層形成的連接線，該連接線電連接所述保護(hù)環(huán)與襯墊。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中所述像素區(qū)域包括信號線，該信號線包括柵極線，其在所述基板上形成且由第一金屬圖案形成；和數(shù)據(jù)線，其在所述基板上形成的且有第二金屬圖案形成。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，進(jìn)一步包括在所述第一和第二金屬圖案之間形成的第一絕緣層；和在所述第二金屬圖案和所述像素電極之間形成的第二絕緣層。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其中所述第二絕緣層包括有機絕緣層。
5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中所述連接線由所述第二金屬圖案形成并在所述第二絕緣層下形成。
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其中每個所述襯墊包括連接至所述連接線并由所述第二金屬圖案形成的第一襯墊層；和由與所述像素電極基本上相同的層形成并與所述第一襯墊層電接觸的的第二襯墊層。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板，其中第一孔通過所述第二絕緣層形成并且所述保護(hù)環(huán)通過該第一孔與所述連接線接觸。
8、根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中所述連接線由所述第一金屬圖案形成并在所述第二絕緣層下形成。
9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中每個所述襯墊包括第一襯墊層，其從所述連接線伸展并由所述第一金屬圖案形成；和第二襯墊層，其由與所述像素電極基本上相同的層形成并與所述連接線和第一襯墊層接觸。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，通過所述第二絕緣層形成第一孔、第二孔和第三孔，所述保護(hù)環(huán)通過所述第一孔與所述連接線接觸，所述連接線通過所述第二孔與所述第二襯墊層接觸，所述第一村墊層通過所述第三孔與所述第二襯墊層接觸。
11、根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其中每個所述襯墊包括第一襯墊層，其從所述連接線伸展并由所述第一金屬圖案形成；第二襯墊層，其由所述第二金屬圖案形成，且通過所述第一孔與所述第一襯墊層接觸，所述第一孔通過所述第一絕緣層形成；和第三襯墊層，其由與所述像素電極基本上相同的層形成，并與所述連接線和第二襯墊層接觸。
12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，通過所述第二絕緣層形成第二孔、第三孔和第四孔，所述保護(hù)環(huán)通過該第二孔與所述連接線接觸，所述連接線通過該第三孔與所述第三襯墊層接觸，所述第二襯墊層通過該第四孔與所述第三襯墊層接觸。
13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示基板，其中所述第二金屬圖案進(jìn)一步包括第一覆蓋圖案，其與所述第二孔對應(yīng)并與所述連接線接觸；和第二覆蓋圖案，其與所述第三孔對應(yīng)并與所述連接線接觸。
14、根據(jù)權(quán)利要求1的顯示基板，其中每個所述襯墊是與FPC接觸的柔性印刷電路(FPC)襯墊。
15、一種制造顯示基板的方法，該方法包括在基板上形成包括柵極線的第一金屬圖案、具有像素區(qū)域和外圍區(qū)域的有效區(qū)域，所述有效區(qū)域定義在所述基板中；在所述基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第二金屬圖案，包括數(shù)據(jù)線；在所述基板上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成保護(hù)環(huán)，所述保護(hù)環(huán)封閉與所述單元像素和有效區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極；在所述外圍區(qū)域中形成包括第一襯墊層的襯墊，由第一或第二金屬圖案中的至少一個形成所述第一襯墊層；和由不同于所述保護(hù)環(huán)的層形成連接線，該連接線電連接所述保護(hù)環(huán)和襯墊。
16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述連接線由所述第二金屬圖案形成并連接至所述第一襯墊層。
17、根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述襯墊進(jìn)一步包括由與所述像素電極基本上相同的層形成第二襯墊層，該第二襯墊層覆蓋所述第一襯墊層。
18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括通過圖案化所述第二絕緣層形成第一和第二孔，所述^f呆護(hù)環(huán)通過該第一孔與所述連接線接觸，所述第一襯墊層通過該第二孔與所述第二襯墊層接觸。
19、根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述連接線由所述第一金屬圖案形成，并從所述第一襯墊層延伸預(yù)定距離。
20、根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括通過圖案化所述第二絕緣層形成第一、第二和第三孔，所述保護(hù)環(huán)通過該第一孔與所述連接線接觸，所述連接線通過該第二孔與所述第二襯墊層接觸，所迷第一襯墊層通過該第三孔與所述第二襯墊層接觸。
21、根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第二金屬圖案的形成包括形成第一覆蓋圖案，其與所述第一孔對應(yīng)并與所述連接線接觸；和形成第二覆蓋圖案，其與所述第二孔對應(yīng)并與所述連接線接觸。
22、根據(jù)權(quán)利要求15所迷的方法，其中通過在其上形成有所述第二金屬圖案的基板上形成鈍化層來形成所述第二絕緣層。
23、根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括在所述鈍化層上形成第三絕緣層。
24、一種顯示裝置包括第一基板，其具有其中定義有多個單元像素的像素區(qū)域和其中形成有多個施加信號至所述像素區(qū)域的襯墊的外圍區(qū)域；和連接線的連接線保留部分，其連接至每個所述襯墊以向所述第一基板的邊緣伸展，并且該連接線保留部分在所述第一基板的邊緣被切斷，所述連接線由不同于保護(hù)環(huán)的層形成，所述保護(hù)環(huán)在母板上形成并封閉所述第一基板。
25、根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其中通過使用劃線過程，切斷封閉所述第一基板的保護(hù)環(huán)和切斷電連接各個襯墊的所述連接線，從而形成所述連接線保留部分。
26、根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述第一基板進(jìn)一步包括具有柵極線的第一金屬圖案；在所述第一金屬圖案上形成的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成并具有數(shù)據(jù)線的第二金屬圖案；在所述第二金屬圖案上形成的第二絕緣層；和與所述單元像素對應(yīng)并在所述第二絕緣層上形成的像素電極。
27、根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其中所述連接線保留部分由所述第一或第二金屬圖案其中之一形成并在所述第二絕緣層下形成。
28、根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括與所述所述像素區(qū)域?qū)?yīng)并在第一基板上設(shè)置的第二基板；和設(shè)置在所述第一和第二基板之間的液晶層。
29、一種顯示裝置，包括其上安裝有驅(qū)動芯片的第一顯示面板；第二顯示面板，其包括電連接至在數(shù)據(jù)線邊緣形成的柔性印刷電路 (FPC)襯墊的第一連接線、與所述第一連接線間隔開并電連接至在底部基板的外部區(qū)域形成的短路棒的第二連接線，和連接所述第一連接線與第二連才妄線的橋；和電連接所述第一顯示面板和第二顯示面板的FPC板(FPCB)，其中所述 FPCB電連接至FPC襯墊并從所述驅(qū)動芯片傳送驅(qū)動信號至所述第二顯示面板。
30、根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中所述第一和第二連接線由形成所述數(shù)據(jù)線的源極金屬層形成。
31、根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中所述橋由形成與所述數(shù)據(jù) 線相交的柵極線的柵極金屬層形成。
32、根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示裝置，其中FPC襯墊包括由所述源極金屬層形成并電連接至所述數(shù)據(jù)線的金屬襯墊層；和在所述金屬襯墊層上形成并與所述FPCB接觸的電圖案。
33、根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中所述短路棒包括第一檢查線，其電連接至傳送第一檢查信號到奇數(shù)位數(shù)據(jù)線的奇數(shù)位第二連接線；和第二檢查線，其電連接至傳送第二檢查信號到偶數(shù)位數(shù)據(jù)線的偶數(shù)位第二連接線，所述偶數(shù)位數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述奇數(shù)位數(shù)據(jù)線和與其臨近的所述奇數(shù)位數(shù)據(jù)線之間。
34、一種顯示裝置包括其上安裝有驅(qū)動芯片的第一顯示面板；第二顯示面板，其包括電連接柔性印刷電路(FPC)襯墊與短路棒的連接線，該FPC襯墊具有在數(shù)據(jù)線邊緣形成的金屬襯墊層和由金屬襯墊層上的透明導(dǎo)電層形成的電極圖案，所迷短路棒由所述電極圖案的和底部基板的外部區(qū)域處的透明導(dǎo)電層形成；和電連接所述第一顯示面板與第二顯示面板的FPCB，其中所述FPCB電連接至所述FPC襯墊，并從所述驅(qū)動芯片中傳送驅(qū)動信號至所述第二顯示面板。
35、根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其中所述第二顯示面板進(jìn)一步包括由所述透明導(dǎo)電層形成的像素電極。
36、根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示裝置，其中所述短路棒包括第一檢查線，其電連接到傳送第一檢查信號至奇數(shù)位數(shù)據(jù)線的奇數(shù)位連接線；和第二檢查線，其電連接到傳送第二檢查信號至偶數(shù)位數(shù)據(jù)線的偶數(shù)位連接線，所述偶數(shù)位數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述奇數(shù)位數(shù)據(jù)線和與其臨近的所述奇數(shù)位數(shù)據(jù)線之間。
全文摘要
一種顯示基板包括基板，保護(hù)環(huán)和連接線?；灏ǘ鄠€有效區(qū)域，每個有效區(qū)域具有像素區(qū)域和外圍區(qū)域。保護(hù)環(huán)形成在基板上以封閉每個有效區(qū)域，并由與單元像素中形成的像素電極基本上相同的層形成。連接線由不同于保護(hù)環(huán)的層形成，以電連接保護(hù)環(huán)和襯墊。連接線在形成有機絕緣層之前形成，因此可降低或防止連接線圖案化缺陷的頻率和/或嚴(yán)重性。相應(yīng)地，可防止襯墊之間的短路，提高顯示裝置的抗蝕性。
文檔編號H01L27/12GK101320147SQ20081014289
公開日2008年12月10日申請日期2008年2月22日優(yōu)先權(quán)日2007年2月22日
發(fā)明者樸镕漢, 羅衡敦, 鄭旼京, 金炫榮申請人:三星電子株式會社

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