專利名稱：光電裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體元件及其制造方法，特別涉及一種光電裝 置及其制造方法。
背景技術：
目前，常見的光電裝置如發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)
是由周期表中三族、五族的半導體材料制作而成的發(fā)光元件，其具有 體積小、亮度高、發(fā)熱量低、耗電量低、沒有輻射、不含水銀、壽命 長、反應速度快以及可靠度高等優(yōu)點，因而其應用范圍遍及日常生活 中的各項用品，如家電制品及各式儀器的指示燈或光源等。近來由于 多色彩及高亮度化的發(fā)展應用范圍已朝向戶外顯示器發(fā)展，而紅藍綠 為全彩顯示的三原色，因而制作高效率的藍色及綠色發(fā)光二極管是不 可或缺的要件。
請參照圖1所示， 一種公知發(fā)光二極管元件的制造方法包含將 一半導體發(fā)光結構12形成于一基板11。其中，基板11為一藍寶石材 質基板，而半導體發(fā)光結構12為氮化鎵(GaN)化合物所構成，并以 一有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)磊晶形成于基板11上。半導 體發(fā)光結構12形成后具有一離基板11較近的氮極性側(N-polar) N 以及一離基板較遠的鎵極性側(Ga-polar) G。接著，電鍍一金屬層13 于半導體發(fā)光結構12上以作為替代基板。接著，以雷射去除(laser lift-off)基板11之后，翻轉半導體發(fā)光結構12及金屬層13。最后，在 光電元件12上設置一外部電極14以形成一發(fā)光二極管元件1。于此， 替代基板可以解決因藍寶石基板導致的散熱不佳的問題。
然而，發(fā)光二極管元件及其工藝雖解決藍寶石基板散熱不佳的問 題，但卻衍生金屬電極與光電元件之間所產生的歐姆電阻或注入電流 過于集中等問題，另外，發(fā)光二極管整體發(fā)光效率也無法有效提升。
因此，如何提供一種光電裝置及其制造方法使光電裝置具有良好的歐姆接觸并具有均勻電流分布及提高發(fā)光效率，已成為重要課題之

發(fā)明內容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的是提供一種能夠同時具有良好的 歐姆接觸、均勻的電流分布及高反射率結構的光電裝置及其制造方法。 為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種光電裝置的制造方法包含形成
一光電元件于一基板；形成一反射歐姆接觸膜于光電元件上，其中反 射歐姆接觸膜具有一圖案介電層及一第一導電層，圖案介電層與第一 導電層沉積于光電元件的上方；以及形成一第二導電層于反射歐姆接 觸膜上。
為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種光電裝置包含一光電元件、--反射歐姆接觸膜以及一第二導電層。反射歐姆接觸膜位于光電元件上， 反射歐姆接觸膜具有一圖案介電層及一第一導電層。圖案介電層與第 一導電層沉積于光電元件的上方。第二導電層位于反射歐姆接觸膜上。
承上所述，依據(jù)本發(fā)明的一種光電裝置及其制造方法中，反射歐 姆接觸膜的圖案介電層及第一導電層是沉積于光電元件的上方，第一 導電層不僅與光電元件具有良好的歐姆接觸特性并可作為光線反射 層，而圖案介電層可作為電流阻障層以避免注入電流過于集中在兩個 電極的最短直線路徑，因此，光電裝置整體的發(fā)光效率得以提升。


圖1為一種公知光電裝置的制造方法的示意圖2是依據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種光電裝置的制造方法的流程
圖3是依據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種光電裝置的制造方法的示意
圖4是依據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種光電裝置的制造方法的流程
圖5是依據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種光電裝置的制造方法的示意
圖；圖6是依據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種光電裝置的制造方法的流程
圖7是依據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種光電裝置的制造方法的示意
圖8是依據(jù)本發(fā)明第四實施例的一種光電裝置的制造方法的流程
圖9是依據(jù)本發(fā)明第四實施例的一種光電裝置的制造方法的示意
圖10及圖11是依據(jù)本發(fā)明第五實施例的一種光電裝置的示意圖； 圖12至圖15是依據(jù)本發(fā)明第六實施例的一種光電裝置的示意以及
圖16是依據(jù)本發(fā)明第七實施例的一種光電裝置的示意圖。
主要元件符號說明 1:光電二極管元件
11、 21、 31、 41、 51、 91:基板
12:半導體發(fā)光結構 13:金屬層
14、 25、 35、 45、 55、 65、 75、 85、 95:外部電極 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 8a、 8b、 8c、 9:光電裝置
22、 32、 42、 52、 62、 72、 82、 82b、 82c、 92:光電元件
23、 33、 43、 53、 63、 73、 83、 83a、 83c、 93:反射歐姆接觸膜
231、 331、 431、 531、 631、 731、 831、 831a、 831c、 931:第一導電 層
232、 332、 432、 532、 632、 732、 832、 832a、 832c、 932:圖案介電
層
、 432':介電層
24、 34、 44、 54、 64、 74、 84、 94:第二導電層
821、 821b、 821c、 921:第一半導體層
822、 822b、 822c、 922:第二半導體層
823、 823b、 823c、 923:第三半導體層G、 G':鎵極性側 N、 N':氮極性側
S11—S17、 S21—S27、 S31—S37、 S41—S47:步驟 實施方式
以下將參照相關附圖，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的光電裝置及 其制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
以下所述的一種光電裝置的制造方法至少包含以下步驟形成一
光電元件于一基板；形成一反射歐姆接觸膜于光電元件上；形成一第 二導電層于反射歐姆接觸膜上。其中，反射歐姆接觸膜的一圖案介電 層及一第一導電層是沉積于光電元件的上方。詳細內容將以各不同實 施例加以說明。
請參照圖2及圖3所示，本發(fā)明第一實施例的一種光電裝置的制 造方法包含步驟Sll 步驟S17。
在步驟Sll，形成一光電元件22于一基板21。在本實施例中，以 制造藍色發(fā)光二極管為例，基板21為一藍寶石材質基板，光電元件22 為三、五族化合物半導體材料。 一般來說光電元件22可選用氮化物系 列材料例如六方晶型的氮化鎵(GaN)化合物，并以一有機金屬化學 氣相沉積法(MOCVD)或一分子束磊晶成長法(MBE)形成于基板 21上。另外，光電元件22包含多層半導體層，這些半導體層包含了一 n型半導體、 一發(fā)光層及一P型半導體層。光電元件22也可釆用更多 半導體層或更多發(fā)光層等更復雜的結構。
光電元件22在基板21上因晶格排列會有一氮極性側(N-polar) N 以及一鎵極性側(Ga-polar) G，在本實施例中，鎵極性側G相較于氮 極性側N離基板21較遠。
在步驟S12及步驟S13，形成一反射歐姆接觸膜23于光電元件22 上，反射歐姆接觸膜23具有一第一導電層231及一圖案介電層232。 在本實施例中，步驟S12首先沉積第一導電層231于光電元件22上， 亦即薄膜沉積于光電元件22的鎵極性側G，接著，再沉積一介電層232'于第一導電層231。
在步驟S13，圖案化介電層232'以形成圖案介電層232。其中，第 一導電層231為具有鉑、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦、鉻/鋁、鎳/鋁、鈦 /鋁、鈦/銀、鉻/鉬/鋁及其組合所構成的群組，或是其它適合的金屬或 金屬化合物。第一導電層231是以沉積形成，故其具有較佳的表面特 性來反射光線。第一導電層231除了具有反射功效之外，還可提供良 好的導熱路徑。
第一導電層231與光電元件22可為歐姆接觸(Ohmic contact),使 得第一導電層231與光電元件22的界面具有較小的電阻值，以減少光 電元件22的電流損耗。
圖案介電層232的材質可以是氧化硅、氮化硅等介電材料。圖案 介電層232具有多條刻紋，例如為多條矩形刻紋。
在步驟S14，形成一第二導電層24于第一導電層231及圖案介電 層232上，其經由一電鍍方式或黏合方式使第二導電層24位于第一導 電層231及圖案介電層232上，第二導電層24的厚度大于第一導電層 231的厚度十倍以上，其厚度約為100微米以上。第二導電層24為一 金屬化合物，其可作為一P型電極。
在步驟S15，雷射以剝離基板21，光電元件22的氮極性側N因而 露出。在步驟S16，蝕刻光電元件22的氮極性側N從而粗糙化氮極性 側N'，使氮極性側N'具有粗糙化的表面，因此，鎵極性側G的表面粗 糙度小于氮極性側N'。
最后，在步驟S17，設置一外部電極25，與圖案介電層232對應 設置于光電元件22的氮極性側N'，本實施例的外部電極25為一 N型 電極。
需注意的是，因藍寶石基板散熱效果不佳，第二導電層24可作為 承載基板以輔助發(fā)光二極管元件散熱。
在本實施例中，光電裝置2為一垂直式發(fā)光二極管，沉積形成的 第一導電層231不僅與光電元件22具有良好的反射特性可作為光線反 射層，同時良好的歐姆接觸特性也可減少光電元件22的電流損耗。另 外，外部電極25與圖案介電層232對應設置于光電元件22的氮極性 側N'，具有圖案的圖案介電層232可作為電流阻障層(Current BlockLayer),其中，圖案介電層232的圖案，特別是對應在外部電極25的 圖案的寬度可約略與外部電極25等寬，從而避免電流僅局限于外部電 極25的正下方流動，光電元件22的電流分布因而較為均勻，從而避 免注入的電流過于集中在外部電極25與第二導電層24的最短直線路 徑。再者，第二導電層24可作為光電裝置2的承載基板，由于其與圖 案介電層232接觸而可強化附著力，因而可避免第二導電層24脫落。
請參照圖4及圖5所示，本發(fā)明第二實施例的一種光電裝置的制 造方法包含步驟S21 步驟S27。
在步驟S21，形成一光電元件32于一基板31。其中，基板31與 光電元件32的材質及形成方式與上述第一實施例的步驟S11相同，在 此不再贅述。
在步驟S22及步驟S23，形成一反射歐姆接觸膜33于光電元件32 上。反射歐姆接觸膜33具有一第一導電層331及一圖案介電層332， 在歩驟S22，先沉積一介電層(圖未顯示)于光電元件32上并圖案化 介電層以形成圖案介電層332。再在步驟S23沉積第一導電層331于圖 案介電層332上，且第一導電層331與光電元件32的鎵極性側G接觸。 第一導電層331及圖案介電層332的構成材質及功效與上述第一實施 例的第一導電層331及圖案介電層332相同，在此不再贅述。
在步驟S24，電鍍或黏合一第二導電層34于第一導電層331上。 在本實施例中，第二導電層34的厚度也大于第一導電層331的厚度十 倍以上。在步驟S25，雷射剝離基板31后進行步驟S26，蝕刻光電元 件32的氮極性側，從而粗糙化氮極性側N'，其中蝕刻光電元件32同 樣以濕蝕刻制程進行，且使鎵極性側G的表面粗糙度小于氮極性側N'。 最后在步驟S27，設置一外部電極35，例如為一n型電極與圖案介電 層332對應設置。
與上述第一實施例的光電裝置2不同的是，第一導電層331形成 于圖案介電層332的上方，第一導電層331與光電元件32接觸。此變 化結構同樣可使光電裝置3具有良好的歐姆接觸特性，也可減少光電 元件32的電流損耗。再者，圖案介電層332可作為電流阻障層，從而 避免注入的電流過于集中在外部電極35與第二導電層34的最短直線路徑。
第三實施例
請參照圖6及圖7所示，本發(fā)明第三實施例的一種光電裝置的制
造方法包含步驟S31 步驟S37。
在步驟S31，形成一光電元件42于一基板41。其中，光電元件42 形成后具有一氮極性側N以及一鎵極性側G，在本實施例中，氮極性 側N相較于鎵極性側離基板41較遠。
與前述實施例不同的是，在步驟S32，在形成反射歐姆接觸膜43 于光電元件42之前就先蝕刻光電元件42的氮極性側N'，從而粗糙化 氮極性側N'。反射歐姆接觸膜43形成于光電元件42工藝/處理的步驟 S33至步驟S36分別與上述第一實施例的步驟S12至步驟S15相同。 本實施例在步驟36的雷射剝離基板后直接進行設置一外部電極與圖案 介電層對應設置的步驟37。
光電裝置4與光電裝置3不同之處在于，反射歐姆接觸膜43形成 于光電元件42的氮極性側N'，亦即外部電極45形成于鎵極性側G， 其余各元件的構成材質及功效與上述第一實施例的光電裝置2相同， 在此不再贅述。
第四實施例
請參照圖8及圖9所示，本發(fā)明第四實施例的一種光電裝置的制 造方法包含步驟S41 步驟S47。
在步驟S41，形成一光電元件52于一基板51。其中，光電元件52 形成后具有一氮極性側N以及一鎵極性側G，氮極性側N相較于鎵極 性側G離基板51較遠。在步驟S42，形成反射歐姆接觸膜53于光電 元件52之前，就先以蝕刻工藝將光電元件52的氮極性側N'粗糙化。 反射歐姆接觸膜53形成于光電元件52工藝或處理的步驟S43至步驟 S46分別與上述第二實施例的步驟S22至步驟S25相同。本實施例在 步驟46的雷射剝離基板后直接進行設置一外部電極與圖案介電層對應 設置的步驟47。
光電裝置5與光電裝置3不同之處在于，反射歐姆接觸膜53形成 于光電元件52的氮極性側N'，亦即外部電極55形成于鎵極性側G，其余各元件的構成材質及功效與上述第二實施例的光電裝置3相同， 在此不再贅述。
第五實施例
圖10和圖11示出了反射歐姆接觸膜的圖案介電層的變化方式，
整個光電裝置的制造流程及結構可根據(jù)前述或后續(xù)實施例來變化。請
參照圖IO所示， 一光電裝置6包含一光電元件62、 一反射歐姆接觸膜 63以及一第二導電層64。反射歐姆接觸膜63位于光電元件62上方， 并具有一圖案介電層632及一第一導電層631依序設置在光電元件62 上。圖案介電層632的圖案為多個具有曲面的凸柱，當然，圖案也可 為凸柱或凸塊，且多個凸柱對應一個外部電極65，同樣可由此避免電 流僅局限于外部電極65的正下方流動。
請參照圖ll所示， 一光電裝置7與光電裝置6不同之處在于，反 射歐姆接觸膜73的第一導電層731形成于圖案介電層732的圖案之間， 亦即圖案介電層732的圖案與第二導電層74接觸，且多個圖案對應一 個外部電極75。
第六實施例
本實施例是在前述實施例的工藝所制造的光電元件的兩側設有粗 糙面。在制造過程中，在鎵極性側G露出且近一步進行其它處理前， 對鎵極性側G先進行表面處理即可得到粗糙的表面，運用前述實施例 的制造過程并進一步處理的光電元件如圖12—圖15。
請參照圖12所示，本發(fā)明的一種光電裝置8包含一光電元件82、 一反射歐姆接觸膜83以及一第二導電層84，其可利用前述第一實施例 的方法來制造，在反射歐姆接觸膜83形成于光電元件82之前，先粗 糙化光電元件82的鎵極性側G'。光電裝置8為一垂直式發(fā)光二極管元 件，反射歐姆接觸膜83位于光電元件82上方，反射歐姆接觸膜83具 有一第一導電層831及一圖案介電層832。第一導電層831與圖案介電 層832依序沉積于光電元件82的上方以形成反射歐姆接觸膜83。第二 導電層84位于反射歐姆接觸膜83上。外部電極85設置于光電元件82 之前，先粗糙化氮極性側N'，鎵極性側G'的表面粗糙度可小于氮極性 側N'。在本實施例中，光電元件82為氮化物系列例如六方晶型的氮化鎵
(GaN)化合物，其具有一第一半導體層821、 一第二半導體層822及 --第三半導體層823。其中，第一半導體層821為一n型半導體層，第 二半導體層822為一發(fā)光層，第三半導體層823為一 p型半導體層。 第一半導體層821可為一 n型氮化鎵層、n型氮化銦鎵層或n型氮化鋁 鎵層及其組合；第二半導體層822例如但不限于一活化層、單量子井 或多量子井層以形成各半導體層的異質接面或雙異質接面；第三半導 體層823為一 p型氮化銦鎵層或一 p型氮化鋁鎵層，使光電裝置8可 產生各種顏色的光。
請參照圖13至圖15所示，第六實施例的一種光電裝置8也可具 有不同的結構變化。如圖13所示，光電裝置8a包含一光電元件82、 一反射歐姆接觸膜83a以及一第二導電層84，其可利用前述第二實施 例的方法來制造，在反射歐姆接觸膜83a形成于光電元件82之前，先 粗糙化光電元件82的鎵極性側G'。反射歐姆接觸膜83a的第一導電層 831a形成于圖案介電層832a的上方且與光電元件82接觸。
如圖14所示，光電裝置8b包含一光電元件82b、 一反射歐姆接觸 膜83以及一第二導電層84，其可利用前述第三實施例的方法來制造， 在雷射剝離基板后，粗糙化光電元件82b的鎵極性側G'，然后再設置 外部電極85。其中，光電元件82b的氮極性側N'及鎵極性側G'皆具有 粗糙化結構，鎵極性側G'的表面粗糙度可小于氮極性側N'。
如圖15所示，光電裝置8c包含一光電元件82c、 一反射歐姆接觸 膜83c以及一第二導電層84，其可利用前述第四實施例的方法來制造， 在雷射剝離基板后，粗糙化光電元件82c的鎵極性側G'，然后再設置 外部電極85。光電元件82c的氮極性側N'及鎵極性側G'皆具有粗糙化 結構，反射歐姆接觸膜83c的圖案介電層832c形成于氮極性側N'，第 一導電層831c形成于圖案介電層832c的上方且第一導電層831c與光 電元件82c接觸。
由于光電裝置8a-8c與光電裝置8對應的元件具有相同或類似的構 件、工藝及功效，在此不再贅述。
此外，光電元件也可僅粗糙化鎵極性側，而在氮極性側沒有進行 蝕刻或其它粗糙化的處理。一光電裝置9包含一基板91、 一光電元件92、 一反射歐姆接觸膜 93以及一第二導電層94。與前述實施例不同的是，光電裝置9為一水 平式發(fā)光二極管元件。光電元件92的各層結構及反射歐姆接觸膜93 均如同上述實施例的光電元件82及反射歐姆接觸膜83，在此不再贅 述。光電裝置9更包含一外部電極95其例如為一n型電極，而第二導 體層94為一 p型電極。外部電極95設置于光電元件92的第一半導體 層921，其例如為一n型氮化鎵層并緊鄰設置于一氮化鎵緩沖層(圖未 顯示)，使本發(fā)明的反射歐姆接觸膜93可設置于例如光電裝置9的水 平式發(fā)光二極管元件之中，并使光電元件92的電流分布較為均勻，從 而避免注入的電流過于集中在外部電極95與第二導電層94的最短直 線路徑。
另外，光電裝置9的結構也可有類似于前述實施例的變化方式， 例如反射歐姆接觸膜的變化、氮極性側位置的變化、氮極性側的蝕刻 處理、光電元件二側皆有粗糙面等等。由于這些變化方式已描述在前 述實施例，故此不再贅述。
另外，在以上的實施例中，除了藍光發(fā)光二極管之外，前述的制 造方法也可用于制造一綠光發(fā)光二極管、 一白光發(fā)光二極管、 一雷射 二極管(laser diode， LD)、 一光傳感器(photo detector, PD)或一太陽 能電池(solar cell)等的光電裝置。
綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的一種光電裝置及其制造方法通過將具有 圖案介電層及第一導電層的反射歐姆接觸膜沉積于光電元件的上方使 第一導電層不僅與光電元件具有良好的歐姆接觸特性及可作為光線反 射層，而圖案介電層可作為電流阻障層以避免注入電流過于集中外部 電極以提升光電裝置整體的發(fā)光效率。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明精神與 范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于權利要求范圍中。
權利要求
1.一種光電裝置的制造方法，包含以下步驟形成一光電元件于一基板；形成一反射歐姆接觸膜于該光電元件上，其中該反射歐姆接觸膜具有一圖案介電層及一第一導電層，該圖案介電層與該第一導電層沉積于該光電元件的上方；以及形成一第二導電層于該反射歐姆接觸膜上。
2. 如權利要求1所述的制造方法，其中該第二導電層的厚度大于 該第一導電層的厚度十倍以上，該第二導電層接觸該第一導電層，該 第一導電層接觸該光電元件。
3. 如權利要求1所述的制造方法，其中形成該反射歐姆接觸膜的 步驟包含沉積一介電層于該光電元件上； 圖案化該介電層以形成該圖案介電層；以及 沉積該第一導電層于該圖案介電層上，其中，形成該第二導電層的步驟包含電鍍該第二導電層于該第一導 電層上。
4. 如權利要求1所述的制造方法，其中形成該反射歐姆接觸膜的 步驟包含.-沉積該第一導電層于該光電元件上； 沉積一介電層于該第一導電層上；以及 圖案化該介電層以形成該圖案介電層，其中，形成該第二導電層的步驟包含電鍍該第二導電層于該第一導 電層及該圖案介電層上。
5. 如權利要求1所述的制造方法，其中該光電元件具有一氮極性 側以及一鎵極性側，該氮極性側相較于該鎵極性側離該基板較遠，該反射歐姆接觸膜位于該氮極性側上。
6. 如權利要求5所述的制造方法，更包含形成該反射歐姆接觸膜前，蝕刻該光電元件的該氮極性側，從而粗 糙化該氮極性側。
7. 如權利要求6所述的制造方法，更包含 雷射剝離該基板；以及粗糙化該光電元件的該鎵極性側，其中該鎵極性側的表面粗糙度小
8. 如權利要求1所述的制造方法，其中該光電元件具有一氮極性側以及一鎵極性側，該鎵極性側相較于該氮極性側離該基板較遠，該 反射歐姆接觸膜位于該鎵極性側上。
9. 如權利要求8所述的制造方法，更包含 形成該反射歐姆接觸膜前，粗糙化該光電元件的該鎵極性側。
10. 如權利要求9所述的制造方法，更包含 雷射剝離該基板；以及蝕刻該光電元件的該氮極性側，從而粗糙化該氮極性側，其中該 鎵極性側的表面粗糙度小于該氮極性側。
11. 如權利要求1所述的制造方法，其中該第二導電層作為承載基板。
12. —種光電裝置，包含 一光電元件；一反射歐姆接觸膜，位于該光電元件上，該反射歐姆接觸膜具有 一圖案介電層及一第一導電層，該圖案介電層與該第一導電層沉積于該光電元件的上方；以及一第二導電層，位于該反射歐姆接觸膜上。
13. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該圖案介電層位于該光電元件上，該第一導電層位于該圖案介電層上，該第二導電層位于該 第一導電層上。
14. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該第一導電層位于該光 電元件上，該圖案介電層位于該第一導電層上，該第二導電層位于該 第一導電層及該圖案介電層上。
15. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該光電元件具有一氮極 性側以及一鎵極性側，該反射歐姆接觸膜位于該氮極性側上。
16. 如權利要求15所述的光電裝置，其中該氮極性側具有粗糙化 表面。
17. 如權利要求16所述的光電裝置，其中該鎵極性側具有粗糙化 表面，該鎵極性側的表面粗糙度小于該氮極性側。
18. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該光電元件具有一氮極 性側以及一鎵極性側，該反射歐姆接觸膜位于該鎵極性側上。
19. 如權利要求18所述的光電裝置，其中該鎵極性側具有粗糙化表面。
20. 如權利要求19所述的光電裝置，其中該氮極性側具有粗糙化 表面，該鎵極性側的表面粗糙度小于該氮極性側。
21. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該第二導電層作為承載 基板。
22. 如權利要求12所述的光電裝置，其中該光電裝置是一發(fā)光二 極管。
全文摘要
一種光電裝置的制造方法包含以下步驟形成一光電元件于一基板；形成一反射歐姆接觸膜于光電元件上，其中反射歐姆接觸膜具有一圖案介電層及一第一導電層，圖案介電層與第一導電層沉積于光電元件的上方；以及形成一第二導電層于反射歐姆接觸膜上。本發(fā)明也揭示上述光電裝置的制造方法所形成的光電裝置。
文檔編號H01L33/00GK101621098SQ20081013031
公開日2010年1月6日 申請日期2008年7月4日 優(yōu)先權日2008年7月4日
發(fā)明者呂根泉, 富振華, 王冠儒 申請人:泰谷光電科技股份有限公司