專利名稱：半導(dǎo)體封裝體以及使用半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝體以及使用這種半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體 器件，更具體地說，本發(fā)明涉及包括倒裝芯片連接焊盤和用于球柵陣 列(BGA， Ball Grid Array)連接或矩柵陣列(LGA， Land Grid Array)連接的連接盤焊盤的半導(dǎo)體封裝體，以及使用這種半導(dǎo)體封裝體的半 導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
在用于便攜電話或數(shù)字相機(jī)的半導(dǎo)體封裝體和使用這種半導(dǎo)體 封裝體的半導(dǎo)體器件中，希望提高密度并且減小尺寸。在密度提高并 且尺寸減小的半導(dǎo)體封裝體和半導(dǎo)體器件的組裝技術(shù)中，采用半導(dǎo)體 芯片的倒裝芯片連接結(jié)構(gòu)作為有效措施。在倒裝芯片連接結(jié)構(gòu)中，在芯片安裝區(qū)域，半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo) 體封裝體的基板之間的間隔非常小，也就是說，在高密度連接結(jié)構(gòu)中 該間隔大約為30pm。因此，使用低粘度的樹脂作為底部填充樹脂。在使用低粘度的底部填充樹脂的情況下，底部填充樹脂或多或 少地會從倒裝芯片連接區(qū)域流出。通常，這對外觀只有輕微的影響并 且可以忽視。然而，當(dāng)半導(dǎo)體芯片自身的尺寸減小并且半導(dǎo)體芯片與 其它電子元件的密度提高時，存在底部填充樹脂的流出會有害地影響 外圍芯片和電子元件的可能性。在最近幾年中，存在通過以下方式形成的層疊式半導(dǎo)體器件， 艮口在連接有半導(dǎo)體元件倒裝芯片的半導(dǎo)體器件上安裝另一半導(dǎo)體器 件，然后通過LGA連接使這些半導(dǎo)體器件相互連接。在半導(dǎo)體器件 中，需要一種形成圍堰的方法，所述圍堰防止底部填充樹脂經(jīng)由設(shè)置 成包圍芯片安裝區(qū)域的保護(hù)阻擋層流出，從而使底部填充樹脂不會流 向布置在半導(dǎo)體封裝體的芯片安裝區(qū)域外側(cè)的用于BGA連接或LGA連接的連接盤焊盤。[專利文獻(xiàn)1] JP-A-2006-351559圖14是說明性視圖，示出了制造包括倒裝芯片連接焊盤和用于 BGA連接或LGA連接的連接盤焊盤的半導(dǎo)體封裝體的中間步驟。形成在半導(dǎo)體元件10 (見圖12)上的凸點12 (金凸點)與倒裝 芯片連接焊盤16結(jié)合，焊球或連接插腳與用于BGA連接或LGA連 接的連接盤焊盤18連接。為此，將焊料覆蓋在倒裝芯片連接焊盤16 中的銅焊盤表面上。此外，在用于BGA連接或LGA連接的連接盤 焊盤18中也可以使用銅焊盤。然而，為了使連接盤焊盤18更合適， 理想的是應(yīng)當(dāng)在銅焊盤表面上施加金屬鍍層36 (例如，鎳鍍層和金 鍍層)。在向連接盤焊盤18施加鎳鍍層和金鍍層的情況下，在形成基板 14的步驟中，在基板14的表面上形成配線圖案、倒裝芯片連接焊盤 16和連接盤焊盤18，隨后，首先將金屬鍍層36施加在用作連接盤焊 盤18的焊盤部分上，然后將焊料52a覆蓋在用作倒裝芯片連接焊盤 16的焊盤部分上。更具體地說，當(dāng)要將金屬鍍層36施加在用作連接盤焊盤18的 焊盤部分18a上時，用抗鍍層涂覆用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤 部分16a以便施加金屬鍍層36;當(dāng)要將焊料粉末52涂覆在用作倒裝 芯片連接焊盤16的焊盤部分16a上時，把掩模帶42粘在連接盤焊盤 18上并因此蓋住連接盤焊盤18。連接盤焊盤18設(shè)置在包圍形成有倒裝芯片連接焊盤16的區(qū)域 的外部區(qū)域內(nèi)，由包圍形成有倒裝芯片連接焊盤16的區(qū)域的保護(hù)阻 擋層形成圍堰D。圍堰D用于防止底部填充樹脂37 (見圖12)流向 形成有連接盤焊盤18的區(qū)域，并且設(shè)置成從樹脂基板30或阻焊層 38向上突起。如上文所述，粘貼掩模帶42以遮蔽連接盤焊盤18。然 而，由于形成了圍堰D，所以掩模帶42不能平整地粘在形成有連接 盤焊盤18的區(qū)域上。因此，如圖14所示，存在如下問題，即在掩 模帶42與形成有連接盤焊盤18的區(qū)域之間產(chǎn)生間隙S。在用焊料粉 末52涂覆用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a的情況下，把粘性溶液粘在焊盤部分16a上。因此，當(dāng)在這種狀態(tài)下提供粘性溶液時， 該粘性溶液會從形成有連接盤焊盤18的區(qū)域與掩模帶42之間的間隙 S流入形成有連接盤焊盤18的區(qū)域，或者焊料粉末52會粘在連接盤 焊盤18上，使得不能保護(hù)連接盤焊盤18表面上的金屬鍍層36，從 而產(chǎn)生有缺陷的產(chǎn)品。發(fā)明內(nèi)容因此，提出了本發(fā)明來解決這些問題，并且本發(fā)明的目的是提 供一種半導(dǎo)體封裝體和一種使用該半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體器件，該半 導(dǎo)體封裝體具有通過包括倒裝芯片連接和BGA連接或LGA連接在內(nèi)的不同連接方法獲得的連接悍盤，其中可以可靠地在每個連接焊盤 內(nèi)進(jìn)行表面處理并且生產(chǎn)效率高。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝體，包括形成有連接盤焊盤的區(qū)域；形成有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域，所述形成有連接盤焊盤的區(qū) 域位于所述形成有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域的外側(cè)；以及保護(hù)部件，其使形成有連接盤焊盤的區(qū)域內(nèi)的連接盤焊盤露出， 其中，所述保護(hù)部件包括框架形結(jié)構(gòu)部分，其布置成包圍所述倒裝芯片連接焊盤；以及 支撐膜部分，其布置在所述框架形結(jié)構(gòu)部分的外側(cè)。 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了根據(jù)第一方面的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述支撐膜部分形成為類似從外側(cè)包圍所述框架形結(jié)構(gòu)部分的 框架。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了根據(jù)第一方面的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述支撐膜部分形成為類似位于所述框架形結(jié)構(gòu)部分外側(cè)的離 散點。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了根據(jù)第一至第三方面中任一方 面的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述支撐膜部分形成在所述連接盤焊盤的最外圍位置的外側(cè)。 通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以粘貼掩模帶，并且掩模帶與形成有用于實現(xiàn)BGA連接或LGA連接的連接盤焊盤的區(qū)域之間沒有間隙。 因此，可以提高半導(dǎo)體封裝體的產(chǎn)出率，從而可以降低半導(dǎo)體封裝體 的制造成本。此外，根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了根據(jù)第一至第四方面中任一方面的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述框架形結(jié)構(gòu)部分與所述支撐膜部分的高度相同。因此，易于平整地粘貼掩模帶，并且掩模帶與形成有用于實現(xiàn)BGA連接或LGA連接的連接盤焊盤的區(qū)域之間沒有間隙。因此，可以進(jìn)一步提高半導(dǎo)體封裝體的產(chǎn)出率。另外，可以進(jìn)一步降低半導(dǎo)體封裝體的制造成本。另外，根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體器件中，將半導(dǎo)體元件安裝在根據(jù)第一至第五方面中任一方面的半導(dǎo)體封裝體上的，其中，所述安裝在半導(dǎo)體封裝體上的半導(dǎo)體元件是通過倒裝芯片連接方式來連接的。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，其中， 在豎直方向上層疊多個根據(jù)第六方面的半導(dǎo)體器件，并且 上層半導(dǎo)體器件中的外部連接端子與下層半導(dǎo)體器件中的連接盤焊盤連接。此外，可以在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝體上層疊不同類型的半 導(dǎo)體封裝體。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝體和使用半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體器 件，即使在具有包括倒裝芯片連接和BGA連接或LGA連接在內(nèi)的 不同連接部分的半導(dǎo)體封裝體和使用這種半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體器 件中形成用于防止底部填充樹脂流出的框架形結(jié)構(gòu)部分，也可以可靠 地在每個連接焊盤內(nèi)進(jìn)行表面處理。此外，通過阻焊層在形成有連接 盤焊盤的區(qū)域內(nèi)形成支撐膜部分。因此，可以減輕每一個半導(dǎo)體封裝 體和半導(dǎo)體器件的翹曲。這樣，可以獲得小尺寸、高質(zhì)量的半導(dǎo)體封裝體和半導(dǎo)體器件。


圖1是剖視圖，示出了在單面覆蓋銅的樹脂基板上形成抗蝕圖 案的狀態(tài)。圖2是剖視圖，示出了在樹脂基板上形成配線圖案、并同時形 成用作倒裝芯片連接焊盤和連接盤焊盤的焊盤的狀態(tài)。圖3是剖視圖，示出了涂覆阻焊層并且在樹脂基板表面上僅露 出用作倒裝芯片連接焊盤和連接盤焊盤的焊盤部分的狀態(tài)。圖4是剖視圖，示出了將鍍層施加在用作連接盤焊盤的焊盤部 分以形成連接盤焊盤的狀態(tài)。圖5是剖視圖，示出了框架形結(jié)構(gòu)部分和支撐膜部分以包圍布 置有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域的方式形成在連接盤焊盤的區(qū)域內(nèi)的 狀態(tài)。圖6是剖視圖，示出了形成有連接盤焊盤的區(qū)域被掩模帶掩蓋 的狀態(tài)。圖7是剖視圖，示出了在倒裝芯片連接焊盤表面上形成粘性層 的狀態(tài)。圖8是剖視圖，示出了將焊料粉末粘在用作倒裝芯片連接焊盤 的焊盤部分上的狀態(tài)。圖9是剖視圖，示出了基板表面被焊劑覆蓋的狀態(tài)。圖IO是剖視圖，示出了在回流焊步驟之后通過熔化焊料粉末獲 得的焊料覆蓋在倒裝芯片連接焊盤表面上的狀態(tài)。圖IIA和圖11B是剖視圖，示出了根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝 體的結(jié)構(gòu)。圖12是剖視圖，示出了使用根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝體的半 導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的實例。圖13是剖視圖，示出了具有POP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，在 POG結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件是豎直層疊的。圖14是說明性視圖，示出了制造包括倒裝芯片連接焊盤和BGA或L G A連接盤焊盤的半導(dǎo)體封裝體的中間步驟。
具體實施方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例。圖1-圖10為示出制造根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝體的步驟的剖視圖。圖ll包括示出根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝體的平面圖(圖11A)和沿著平面 圖中的A-A線截取的剖視圖(圖11B)。圖1-圖IO中的剖視圖均為 沿著圖IIA中的A-A線截取的。圖1是剖視圖，示出了在單面覆蓋銅的樹脂基板上形成抗蝕圖 案的狀態(tài)。通過以下方式形成抗蝕圖案34:在粘貼在樹脂基板30上 的銅箔31上覆蓋抗蝕膜33，然后使抗蝕膜33曝光并顯影。抗蝕圖 案34形成為覆蓋預(yù)定的配線圖案(未示出)、以及用于實現(xiàn)BGA(球 柵陣列)連接或LGA (矩柵陣列)連接的倒裝芯片連接焊盤16和連 接盤焊盤18的圖案部分。圖2是剖視圖，示出了在樹脂基板上形成配線圖案并同時形成 用作倒裝芯片連接焊盤和連接盤焊盤的焊盤的狀態(tài)。在形成抗蝕圖案 34之后，通過使用該抗蝕圖案作為掩模對銅箔進(jìn)行蝕刻，從而形成 配線圖案、用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a和用作連接盤 焊盤18的焊盤部分18a。在蝕刻之后，將抗蝕圖案34去掉。圖3是剖視圖，示出了涂覆阻焊層、并且在樹脂基板表面上僅 露出用作倒裝芯片連接焊盤和連接盤焊盤的焊盤部分的狀態(tài)。將阻焊 層38涂覆在樹脂基板30的表面上，然后進(jìn)行曝光和顯影，以便從樹 脂基板30的表面上僅露出用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a 和用作連接盤焊盤18的焊盤部分18a。圖4是剖視圖，示出了在用作連接盤焊盤的焊盤部分進(jìn)行鍍覆 以形成連接盤焊盤的狀態(tài)。在本實施例中，按順序施加作為金屬鍍層 36的鎳鍍層和金鍍層。當(dāng)要在用作連接盤焊盤18的焊盤部分18a上 施加金屬鍍層時，用掩模擋住形成有焊盤部分16a的區(qū)域，從而以鍍 覆溶液不會粘在用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a上的方式 進(jìn)行鍍覆，這些在圖中未示出。例如，可以使用抗鍍層作為掩模。圖5是剖視圖，示出了框架形結(jié)構(gòu)部分和支撐膜部分以包圍布 置有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域的方式形成在連接盤焊盤的區(qū)域內(nèi)的狀態(tài)。在布置連接盤焊盤18的區(qū)域內(nèi)，在阻焊層38的上表面覆蓋將 要成為用作保護(hù)部件的第二層的阻焊層39，其中用于防止底部填充 樹脂37流出的框架形結(jié)構(gòu)部分39A和與框架形結(jié)構(gòu)部分39A等高的 支撐膜部分39B是同時形成的。框架形結(jié)構(gòu)部分39A沿著形成有焊 盤部分16a區(qū)域的周邊設(shè)置，而支撐膜部分39B具有與框架形結(jié)構(gòu) 部分39A相同的高度，并且在平面圖上呈類似框架的形狀，從而包 圍框架形結(jié)構(gòu)部分39A。如圖5所示，框架形結(jié)構(gòu)部分39A形成足以防止底部填充樹脂 37流出的高度和寬度。此外，在形成有焊盤部分18的區(qū)域內(nèi)，支撐 膜部分39B呈類似框架的形狀，并且厚度與框架形結(jié)構(gòu)部分39A的 厚度相同。因此，可以抑制半導(dǎo)體封裝體60 (見圖IIA和圖11B) 和使用半導(dǎo)體封裝體60的半導(dǎo)體器件70 (見圖12)翹曲。這樣，可 以提供具有高平整度的半導(dǎo)體封裝體60和半導(dǎo)體器件70。更具體地說，已經(jīng)知道，在倒裝芯片連接之后將半導(dǎo)體元件10 翻轉(zhuǎn)到上側(cè)的狀態(tài)下，在從正面?zhèn)扔^看半導(dǎo)體器件70時，半導(dǎo)體器 件70發(fā)生變形并呈向上凸起的形狀。因此，經(jīng)過兩次向半導(dǎo)體封裝 體60的基板施加阻焊層38，可以增大使半導(dǎo)體器件70變形并呈凸 起形狀的應(yīng)力。這樣，可以減輕在半導(dǎo)體器件70上產(chǎn)生的翹曲。圖6是剖視圖，示出了形成有連接盤焊盤的區(qū)域被掩模帶掩蓋 的狀態(tài)。掩模帶42用于防止在將焊料覆蓋在焊盤部分16a的表面上 時焊料粉末粘在連接盤焊盤18的表面上。如圖6所示，框架形結(jié)構(gòu) 部分39A和支撐膜部分39B的表面位于連接盤焊盤18的表面的上 側(cè)。因此，掩模帶42分別粘接在框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分 39B的上表面上，從而鋪設(shè)在框架形結(jié)構(gòu)部分39A與支撐膜部分39B 之間。為了使掩模帶42可靠地覆蓋形成連接盤焊盤18的區(qū)域，優(yōu)選 的是在設(shè)置有最外側(cè)連接盤焊盤18的位置更外側(cè)的位置布置至少一 個支撐膜部分39B。在用于本實施例的掩模帶42中，基材由基于聚氯乙烯的樹脂形 成，粘合劑由丙烯酸樹脂形成。掩模帶42的粘性層由如下材料形成， 即即使粘合劑殘留在連接盤焊盤18中，該材料也不會妨礙BGA 連接和LGA連接。然而，如圖6所示，因為掩模帶42在遠(yuǎn)離連接盤 焊盤18的表面位置進(jìn)行粘貼，所以粘合劑不會粘在連接盤焊盤18 的表面上。在使用時，實際上將掩模帶42從由樹脂膜形成的分離器上剝離 并粘在目標(biāo)上。通過將掩模帶42分別粘在框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支 撐膜部分39B的表面上，使連接盤焊盤18與外側(cè)密封。接下來，將焊料覆蓋在用作倒裝芯片連接焊盤的焊盤的表面上。 首先，在圖6所示的工件40中，在用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤 部分16a的表面上形成粘性層50。通過以下方式形成粘性層50:將 工件40浸入盛有由丙烯酯化合物構(gòu)成的粘合劑的溶液容器中，以便 使粘合劑粘在焊盤部分16a的表面上。粘性溶液選擇性地粘在由銅制 成的焊盤部分16a的表面上。然而，連接盤焊盤18被掩模帶42覆蓋。 因此，即使將工件40浸入粘合劑的溶液容器中，粘合劑溶液也不會 粘在連接盤焊盤18上。圖7是剖視圖，示出了進(jìn)行處理的狀態(tài)。接下來，將焊料粉末52粘在用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤 部分16a (在下面的一些情況中將簡稱為焊盤部分16a)上。圖8是 剖視圖，示出了焊料粉末粘在用作倒裝芯片連接焊盤的焊盤部分上的 狀態(tài)。從工件40的上面噴灑焊料粉末52，從而使焊料粉末粘在焊盤 部分16a的表面上。落到焊盤部分16a上的焊料粉末52被粘性層50 粘在焊盤部分16a的表面上。在清潔步驟中，去除落到基板的除焊盤 部分16a以外的表面上的焊料粉末52。此外，在清潔步驟中，因為 連接盤焊盤18被掩模帶42覆蓋，所以不會造成妨礙。在本實施例中， 使用由錫-金形成的焊料粉末52。在回流焊步驟中，使粘在焊盤部分16a表面上的焊料粉末52熔 化并因此粘在焊盤部分16a表面上。在本實施例中，作為回流焊步驟 的前一步驟，使焊料粉末52臨時粘在焊盤部分16a上。該臨時粘貼 步驟用于使焊料粉末52略微熔化，并且使以這種方式熔化的焊料粉末52粘貼在焊盤部分16a上。實際上，可以在大約170。C的溫度加 熱基板大約1小時，從而臨時粘住焊料粉末52。在處理進(jìn)行到臨時 粘貼步驟之前使掩模帶42剝離。在臨時粘貼步驟之后，即使連接盤 焊盤18不被掩模帶42所覆蓋，雜質(zhì)也不會粘在連接盤焊盤18的表 面上。圖9是剖視圖，示出了基板表面被焊劑覆蓋的狀態(tài)。在一些情 況下，在回流焊步驟之前進(jìn)行圖9所示的用焊劑54覆蓋樹脂基板30 的上表面的步驟。焊劑54用于增強(qiáng)通過使焊料粉末52熔化而獲得的 焊料52a的流動性、和焊料52a與焊盤部分16a的結(jié)合性。優(yōu)選使用 已知方法涂覆焊劑54。圖10是剖視圖，示出了在回流焊步驟之后，通過使焊料粉末熔 化而獲得的焊料覆蓋在倒裝芯片連接焊盤表面上的狀態(tài)。在覆蓋焊劑 54之后，處理進(jìn)行到回流焊步驟，在回流焊步驟中，使焊料粉末52 熔化并且將焊料52a覆蓋在用作倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a 的表面上。在回流焊步驟之后，清潔并去除焊劑。對于通過粘性層50將焊料粉末52粘在焊盤部分16a的表面上 以及通過回流焊將焊料52a覆蓋在焊盤部分16a的表面上的方法，可 以采用例如JP-A-7-7244公開出版物中描述的方法。通過按照上述方式形成包含有倒裝芯片連接焊盤16和連接盤焊 盤18的基板，然后將外部連接端子15連接到形成在樹脂基板30的 下表面上的焊盤P上，就可以獲得圖IIA和圖IIB所示的半導(dǎo)體封 裝體60。在半導(dǎo)體封裝體60中，通過將要成為用作保護(hù)部件的第二 層的阻焊層39形成框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分39B，以便在 形成有連接盤焊盤18的區(qū)域內(nèi)露出連接盤焊盤18，其中所述支撐膜 部分39B呈類似框架形狀并在框架形結(jié)構(gòu)部分39A外側(cè)包圍框架形 結(jié)構(gòu)部分39A，所述形成有連接盤焊盤18的區(qū)域位于形成有倒裝芯 片連接焊盤16區(qū)域的外側(cè)。在圖IIA和圖IIB所示的半導(dǎo)體封裝體 60中，通過位于兩個位置的支撐膜部分39B形成框架部件。此外，框架形結(jié)構(gòu)部分39A與包圍框架形結(jié)構(gòu)部分39A的支撐 膜部分39B和39B具有彼此相同的高度。因此，當(dāng)要將粘合劑溶液施加在倒裝芯片連接焊盤16的焊盤部分16a上時，可以用掩模帶42 可靠地覆蓋形成有連接盤焊盤18的區(qū)域。因此，對于倒裝芯片連接 焊盤16，焊料52a可以僅覆蓋在焊盤部分16a的表面上。此外，對 于連接盤焊盤18，預(yù)定的金屬鍍層36可以僅施加在焊盤部分18a的 表面上。因此，可以通過倒裝芯片連接和BGA連接或LGA連接安 裝半導(dǎo)體元件或其它半導(dǎo)體封裝體。根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝體60的制造方法的特征在于執(zhí)行以 下步驟當(dāng)在樹脂基板30中形成倒裝芯片連接焊盤16和連接盤焊盤 18時，將類似橋形的掩模帶42連接在框架形結(jié)構(gòu)部分39A和具有與 框架形結(jié)構(gòu)部分39A相同的高度并且布置為包圍框架形結(jié)構(gòu)部分 39A的支撐膜部分39B上，從而平整地粘貼掩模帶42，然后在防止 連接盤焊盤18暴露于形成有連接盤焊盤18的部分以外的部分的狀態(tài) 下，形成倒裝芯片連接焊盤16。通過用掩模帶42無間隙地完全覆蓋 連接盤焊盤18，可以可靠地保護(hù)連接盤焊盤18，從而防止焊料覆蓋 在連接盤焊盤18上。此外，可以容易地進(jìn)行將掩模帶42粘在框架形 結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分39B上的操作，或從框架形結(jié)構(gòu)部分39A 和支撐膜部分39B上剝離掩模帶42的操作。在半導(dǎo)體封裝體60的制造方法中，還可以提出施加液態(tài)抗蝕劑 覆蓋連接盤焊盤18的方法作為涂覆連接盤焊盤18以將焊料覆蓋在倒 裝芯片連接焊盤16上的另一種方法。然而，在這種方法的情況下， 需要施加抗蝕劑，然后通過曝光和顯影露出形成有倒裝芯片連接焊盤 16的區(qū)域。所以存在由于步驟復(fù)雜而降低生產(chǎn)率的問題。此外，在 該方法中，在粘貼焊料粉末52之后還要去掉抗蝕層。因此，存在這 樣的問題，即在去掉抗蝕層時焊料粉末52也可能被去掉。使用掩模帶42制造半導(dǎo)體封裝體60的方法不會產(chǎn)生問題，所 以是極好的和高效的方法，因而可以適當(dāng)?shù)赜米鞔笠?guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體封 裝體60的實際方法。在將半導(dǎo)體元件10安裝在半導(dǎo)體封裝體60上的情況下，優(yōu)選 的是將半導(dǎo)體元件10倒裝連接在倒裝芯片連接焊盤16上，并且將底 部填充樹脂37注入半導(dǎo)體元件10與倒裝芯片連接焊盤16的結(jié)合區(qū)在注入底部填充樹脂37的一些情況下會產(chǎn)生放氣現(xiàn)象。在形成 連接盤焊盤18的區(qū)域中，框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分39B突 起到高于連接盤焊盤18表面位置的位置。因此，可以防止放出的氣 體接觸連接盤焊盤18，從而保護(hù)連接盤焊盤18的表面。因此，可以 適當(dāng)?shù)乇３诌B接盤焊盤18的表面處理(例如，鎳鍍層和金鍍層)的 狀態(tài)。圖12是剖視圖，示出了使用根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體封裝體的 半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的實例。如圖13所示，本發(fā)明可以構(gòu)造成具有所謂POP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器 件70，在該P(yáng)OP結(jié)構(gòu)中，按照上述方式形成的半導(dǎo)體器件70A和70B 豎直層疊在一起。下層半導(dǎo)體器件70B與上層半導(dǎo)體器件70A通過 焊球15A彼此電連接，其中該焊球為上層半導(dǎo)體器件70A的外部連 接端子?？梢苑乐沟撞刻畛錁渲?7流向連接盤焊盤18，而且保持結(jié) 合性。因此，也可以可靠地實現(xiàn)上層半導(dǎo)體器件70A與下層半導(dǎo)體 器件70B的電連接。如上文所述，在通過框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分39B注 入底部填充樹脂37時，下層半導(dǎo)體器件70B的連接盤焊盤18不會 受到放氣現(xiàn)象的影響。因此，可以實現(xiàn)上層半導(dǎo)體器件70A中的焊 球15A與下層半導(dǎo)體器件70B的連接盤焊盤18的高質(zhì)量連接。這樣， 可以增強(qiáng)連接的可靠性。雖然已經(jīng)基于上面的實施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并 不限于該實施例，相反，不脫離本發(fā)明范圍的各種變化形式必然屬于 本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如，雖然在本實施例中已經(jīng)描述了以下這種構(gòu) 造，即在把掩模帶42粘貼在形成有連接盤焊盤18的區(qū)域上時，形 成具有與框架形結(jié)構(gòu)部分39A相同的高度并且從外側(cè)包圍框架形結(jié) 構(gòu)部分39A的框架形支撐膜部分39B，但是支撐膜部分39B不必一 定呈類似框架的形狀。此外，支撐膜部分39B的高度不必一定與框 架形結(jié)構(gòu)部分39A的高度相同，只要能實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點即可。只要支撐膜部分39B能夠與框架形結(jié)構(gòu)部分39A —起利用掩模 帶42平整地?fù)踝⌒纬捎羞B接盤焊盤18的區(qū)域的內(nèi)部就足夠了，并且支撐膜部分39B可以形成為類似柵格或離散的點，此外，還可以采用如下構(gòu)造，即在形成有連接盤焊盤18的區(qū)域的整個內(nèi)部都布置支撐膜部分39B，并且僅露出連接盤焊盤18部分。另外，還可以采 用在框架形結(jié)構(gòu)部分39A外側(cè)形成多個支撐膜部分39B的構(gòu)造。此外，當(dāng)然，在制造中可以采用能夠防止在半導(dǎo)體封裝體60和 半導(dǎo)體器件70中產(chǎn)生翹曲的支撐膜部分39B的配線圖案。此外，雖然在本實施例中已經(jīng)描述了以下這種構(gòu)造，即如圖4 所示，樹脂基板30的整個表面都被作為第一層的阻焊層38覆蓋，并 且通過曝光和顯影在樹脂基板30的表面上僅露出用作倒裝芯片連接 焊盤16的焊盤部分16a和用作連接盤焊盤18的焊盤部分18a，并且 如圖5所示，作為第二層的阻焊層覆蓋在形成有連接盤焊盤18的區(qū) 域上，從而形成框架形結(jié)構(gòu)部分39A和支撐膜部分39B，但是，也 可以通過采用以下這種結(jié)構(gòu)獲得與本實施例相同的功能和優(yōu)點，艮P: 作為第一層的阻焊層38不覆蓋形成有倒裝芯片連接焊盤16的區(qū)域， 而是由作為第一層的阻焊層38形成框架形結(jié)構(gòu)部分和支撐膜部分。此外，雖然在本實施例中已經(jīng)描述了以下這種構(gòu)造，即通過 BGA連接在半導(dǎo)體封裝體60上安裝半導(dǎo)體元件10，其中半導(dǎo)體封 裝體60安裝在半導(dǎo)體封裝體60的基板上部，但是，當(dāng)然也可以通過 除BGA連接以外的引線結(jié)合使半導(dǎo)體元件10與安裝在半導(dǎo)體封裝 體60的基板的上部的半導(dǎo)體封裝體60連接。雖然在本實施例中已經(jīng)描述了單個基板部分或者半導(dǎo)體封裝 體，但是也可以制造其中將大量半導(dǎo)體封裝體60組裝到大塊樹脂基 板中的半導(dǎo)體封裝體作為工件，然后在實際制造過程的最后制造階段 中將該工件分成多個塊。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝體，包括形成有連接盤焊盤的區(qū)域；形成有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域，所述形成有連接盤焊盤的區(qū)域位于所述形成有倒裝芯片連接焊盤的區(qū)域的外側(cè)；以及保護(hù)部件，其使所述形成有連接盤焊盤的區(qū)域內(nèi)的連接盤焊盤露出，其中，所述保護(hù)部件包括框架形結(jié)構(gòu)部分，其布置成包圍所述倒裝芯片連接焊盤；以及支撐膜部分，其布置在所述框架形結(jié)構(gòu)部分的外側(cè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中， 所述支撐膜部分形成為類似從外側(cè)包圍所述框架形結(jié)構(gòu)部分的框架。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中， 所述支撐膜部分形成為類似位于所述框架形結(jié)構(gòu)部分外側(cè)的離散點。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中， 所述支撐膜部分形成在所述連接盤焊盤的最外圍位置的外側(cè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體，其中， 所述框架形結(jié)構(gòu)部分與所述支撐膜部分的高度相同。
6. —種半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體器件中，將半導(dǎo)體元件安裝 在根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝體上，其中，所述安裝在半導(dǎo)體封裝體上的半導(dǎo)體元件是通過倒裝芯片連接 方式來連接的。
7. —種半導(dǎo)體器件，其中，在豎直方向上層疊多個根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，并且上層半導(dǎo)體器件中的外部連接端子與下層半導(dǎo)體器件中的連接 盤焊盤連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體封裝體(60)以及使用這種半導(dǎo)體封裝體(60)的半導(dǎo)體器件(70)。在所述半導(dǎo)體封裝體(60)中，形成有連接盤焊盤(18)的區(qū)域位于形成有倒裝芯片連接焊盤(16)的區(qū)域的外側(cè)，保護(hù)部件(39)使形成有連接盤焊盤(18)的區(qū)域內(nèi)的連接盤焊盤(18)露出，并且保護(hù)部件(39)包括框架形結(jié)構(gòu)部分(39A)，其布置成包圍倒裝芯片連接焊盤(16)；以及支撐膜部分(39B)，其布置在框架形結(jié)構(gòu)部分(39A)的外側(cè)。
文檔編號H01L23/498GK101335253SQ20081012613
公開日2008年12月31日 申請日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
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