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超高頻射頻識(shí)雙頻帶抗金屬標(biāo)簽天線的制作方法

文檔序號:6897926閱讀:93來源:國知局
專利名稱:超高頻射頻識(shí)雙頻帶抗金屬標(biāo)簽天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線。
背景技術(shù)
無線射頻識(shí)別(Radio frequency identification,簡稱RFID)是一種利用射頻 實(shí)現(xiàn)的非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。RFID系統(tǒng)一般由閱讀器和標(biāo)簽組成,閱讀器 通過無線射頻讀取標(biāo)簽上的信息。與傳統(tǒng)條形碼相比,其具有讀取距離遠(yuǎn)、讀 取速度快,不懼污漬,能同時(shí)讀寫等優(yōu)點(diǎn),在物流供應(yīng)鏈、生產(chǎn)自動(dòng)化、交通 管理與安防等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用空間。RFID系統(tǒng)主要工作在低頻(LF)、
高頻(HF)、超高頻(UHF)及微波(MW)等頻段。低頻與高頻RFID系統(tǒng)主 要利用電感耦合完成識(shí)別功能,讀取距離較近。超高頻與微波頻段RFID系統(tǒng)通 過電磁波傳播來讀取數(shù)據(jù),具有較遠(yuǎn)的讀取距離。其中,超高頻由于其頻率適 中,特別適合用于遠(yuǎn)距離無源RFID系統(tǒng)使用。鑒于超高頻RFID應(yīng)用的巨大潛 力,各國相繼發(fā)布了超高頻RFID的頻率范圍和規(guī)范。國際標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC 18000-6 推薦UHF頻段RFID設(shè)備使用的頻率范圍是860MHz 960MHz。其中北美使用 的頻率為902MHz-928MHz ,歐洲使用的頻率為865 MHz-868 MHz。中國也 于2007年4月由信息產(chǎn)業(yè)部發(fā)布了超高頻RFID應(yīng)用規(guī)定,對中國超高頻RFID 無線發(fā)射設(shè)備的工作頻率、發(fā)射功率、占用帶寬等射頻指標(biāo)作了詳細(xì)的規(guī)定。 中國采用840MHz 845MHz和920MHz 925MHz兩個(gè)頻段作為超高頻RFID的 工作頻率,工作功率為2 W ERP(Effective Radiated Power),約為3.3W EIRP(Effective Isotropic Radiated Power)。
在相當(dāng)一部分RFID應(yīng)用中,需要將RFID標(biāo)簽粘貼于金屬表面,譬如汽 車、鋼瓶、集裝箱等等。但是,當(dāng)超高頻標(biāo)簽,尤其是具有類偶極天線的標(biāo)簽, 被放置在金屬表面時(shí),標(biāo)簽的讀取距離會(huì)迅速縮短,甚至不能被讀取。這是由 于金屬表面這樣的邊界條件會(huì)改變標(biāo)簽天線的輻射效率、阻抗匹配和方向圖。 為此, 一些能夠應(yīng)用于金屬表面的標(biāo)簽天線被設(shè)計(jì)出來,稱為抗金屬標(biāo)簽或金 屬標(biāo)簽。微帶貼片天線或平面倒F天線可以將金屬表面作為其地板,從而用來 設(shè)計(jì)RFID抗金屬標(biāo)簽天線。由于RFID標(biāo)簽的天線阻抗與芯片阻抗需要共軛匹 配,研究者們設(shè)計(jì)出了各種能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗靈活調(diào)節(jié)的微帶貼片天線。但是,微 帶貼片天線的帶寬往往非常有限的, 一般是針對某一單一超高頻RFID頻段設(shè) 計(jì)。雖然也有一些寬帶的抗金屬標(biāo)簽,但也無法同時(shí)覆蓋中國超高頻RFID標(biāo)準(zhǔn)
規(guī)定的兩個(gè)頻帶或北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別的兩個(gè)頻帶。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻 識(shí)別標(biāo)簽天線。
它包括金屬地面、金屬輻射面、基板、矩形凹槽、第一饋線、第二饋線、
過孔、射頻識(shí)別芯片和u形隙縫,基板為長方形,金屬輻射面位于基板上表面,
金屬地面位于基板下表面,金屬輻射面靠近短邊的一側(cè)嵌有矩形凹槽,矩形凹 槽中間設(shè)有第一饋線、第二饋線,第一饋線一端與第二饋線一端之間設(shè)有射頻 識(shí)別芯片,第一饋線另一端與金屬輻射面相連接,第二饋線上設(shè)有過孔,過孔 上端與第二饋線相連接,過孔下端與金屬地面相連接,金屬輻射面靠近長邊的
兩側(cè)上嵌有一對u形隙縫。
所述的金屬輻射面與矩形凹槽、第一饋線、第二饋線、射頻識(shí)別芯片、u 形隙縫同屬于基板的上表面,矩形凹槽與u形隙縫由金屬輻射面蝕刻而成。u 形隙縫包括一個(gè)中間的肩和連接在兩端的臂,u形隙縫的肩與金屬輻射面的長 邊平行,u形隙縫的臂與金屬輻射面的短邊平行,臂與肩成直角,u形隙縫的
開口朝向金屬輻射面內(nèi)部。矩形凹槽的長邊與金屬輻射面的長邊平行,矩形凹 槽的中軸線與金屬輻射面的中軸線重合。第一饋線、第二饋線、過孔、射頻識(shí) 別芯片位于矩形凹槽的中軸線上。過孔貫穿基板,過孔內(nèi)壁為導(dǎo)電金屬壁,使 得第二饋線與金屬地面電連接。
本天線制作的射頻識(shí)別抗金屬標(biāo)簽可以同時(shí)覆蓋中國超高頻射頻識(shí)別的兩 個(gè)頻帶或北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別的兩個(gè)頻帶。


圖1是雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是覆蓋中國超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶天線阻抗示意圖; 圖3是覆蓋中國超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶天線反射系數(shù)示意圖; 圖4是覆蓋北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶天線阻抗示意圖; 圖5是覆蓋北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶天線反射系數(shù)示 意圖中金屬地面l、金屬輻射面2、基板3、矩形凹槽4、第一饋線5、第二 饋線6、過孔7、射頻識(shí)別芯片8、 U形隙縫9。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明通過調(diào)節(jié)天線的尺寸可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)頻帶的頻率及阻抗的靈活調(diào)節(jié),
從而實(shí)現(xiàn)抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的雙頻帶特性。
如圖1所示,雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線包括金屬地面1、金屬
輻射面2、基板3、矩形凹槽4、第一饋線5、第二饋線6、過孔7、射頻識(shí)別芯 片8和U形隙縫9,基板3為長方形,金屬輻射面2位于基板3上表面,金屬 地面1位于基板3下表面,金屬輻射面2靠近短邊的一側(cè)嵌有矩形凹槽4,矩形 凹槽4中間設(shè)有第一饋線5、第二饋線6,第一饋線5—端與第二饋線6—端之 間設(shè)有射頻識(shí)別芯片8,第一饋線5另一端與金屬輻射面2相連接,第二饋線6 上設(shè)有過孔7,過孔7上端與第二饋線6相連接,過孔7下端與金屬地面1相連 接,金屬輻射面2靠近長邊的兩側(cè)上嵌有一對U形隙縫9。
所述的金屬輻射面2與矩形凹槽4、第一饋線5、第二饋線6、射頻識(shí)別芯 片8、 U形隙縫9同屬于基板3的上表面,矩形凹槽4與U形隙縫9由金屬輻 射面2蝕刻而成。U形隙縫9包括一個(gè)中間的肩和連接在兩端的臂,U形隙縫9 的肩與金屬輻射面2的長邊平行,U形隙縫9的臂與金屬輻射面2的短邊平行, 臂與肩成直角,U形隙縫9的開口朝向金屬輻射面2內(nèi)部。矩形凹槽4的長邊 與金屬輻射面2的長邊平行,矩形凹槽4的中軸線與金屬輻射面2的中軸線重 合。第一饋線5、第二饋線6、過孔7、射頻識(shí)別芯片8位于矩形凹槽4的中軸 線上。過孔7貫穿基板3,過孔7內(nèi)壁為導(dǎo)電金屬壁,使得第二饋線6與金屬地 面1電連接。
對于超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽,其芯片一般是復(fù)阻抗。為了實(shí)現(xiàn)天線與芯片的 最大能量傳輸,則需要天線的輸入阻抗與芯片阻抗共軛匹配,即,實(shí)部相等、 虛部相反。這就要求天線輸入阻抗的實(shí)部和虛部都具有靈活的調(diào)節(jié)的能力。
該雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線的頻率及阻抗可通過天線的尺寸 參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)。通過調(diào)節(jié)金屬輻射面2的長度可以調(diào)節(jié)第一頻帶的頻率。通 過增加矩形凹槽4的深度可以降低第一頻帶天線阻抗的振蕩幅度,而增加第二 饋線6的芯片8和過孔7之間部分的長度可以增加天線阻抗虛部,從而實(shí)現(xiàn)天 線的阻抗與芯片的阻抗在第一頻帶的共軛匹配。通過調(diào)節(jié)金屬輻射面2上的U 形隙縫9的臂長則可以調(diào)節(jié)第二頻帶的頻率。通過調(diào)節(jié)U形隙縫9的寬度和U 形隙縫9距離金屬輻射面2邊緣的距離可以調(diào)節(jié)第二頻帶天線阻抗的振蕩幅度, 從而實(shí)現(xiàn)天線的阻抗與芯片的阻抗在第二頻帶的共軛匹配。
實(shí)施例1
本方案為覆蓋中國超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶抗金屬標(biāo)簽天線?;?板采用FR4材料,相對介電常數(shù)為4.4,損耗角正切為0.02,厚度為2mm,長邊
邊長為丄,短邊邊長為40mm。金屬地面和金屬輻射面都為金屬銅。金屬輻射面短 邊的矩形凹槽的寬度為10mm,凹槽的深度為Z^e,。連接金屬輻射面和芯片的第 一饋線的寬度為3mm,長度為8mm。射頻識(shí)別芯片選用的是TI公司的 RI-UHF-STRAP-08, 915MHz的阻抗約為13-j60Q。第二饋線的寬度為3mm,長 度為丄^-lOmm,第二饋線連接過孔和芯片的部分長度為丄,。過孔的直徑為2mm, 內(nèi)壁為金屬銅。U形隙縫的臂長為丄,,U形隙縫的寬度為《,距離金屬輻射 面2的邊的距離為《。
為了使標(biāo)簽工作在中國超高頻射頻識(shí)別的兩個(gè)頻段840MHz 845MHz和 920MHz 925MHz,需要標(biāo)簽天線與芯片在這兩個(gè)頻帶都具有良好的阻抗匹配, 即,共軛匹配。通過合理調(diào)節(jié)天線尺寸參數(shù)丄、A. ^、丄,、丄,、4和^,可以使 得天線在840MHz 845MHz和920MHz 925MHz兩個(gè)頻帶處實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,從 而實(shí)現(xiàn)雙頻帶特性。為了便于天線的阻抗匹配,采用有限元電磁場仿真方法來 對該天線進(jìn)行仿真和優(yōu)化。
通過調(diào)節(jié)金屬輻射面的長度L,即可以調(diào)節(jié)第一頻帶的頻率至 840MHz 845MHz頻帶附近。而第一頻帶處的阻抗匹配可以通過調(diào)節(jié)丄^,和丄, 來實(shí)現(xiàn)。通過增加Av^,可以有效降低第一頻帶處阻抗的振蕩幅度。而增加丄,, 可以增加天線阻抗虛部值。因此,為了實(shí)現(xiàn)芯片阻抗的共軛值,可以先通過增 加丄一,來降低天線阻抗,主要是降低天線阻抗的實(shí)部,再通過增加丄,以抬高天 線阻抗的虛部。當(dāng)?shù)谝活l帶進(jìn)行阻抗調(diào)節(jié)的時(shí)候,第二頻帶的阻抗實(shí)部基本不 受影響。
對于第二頻帶,通過調(diào)節(jié)U形隙縫的臂長4_來改變第二頻帶的諧振頻率。 隨著丄,的增加,第二頻帶的頻率向第一頻帶的頻率靠近。而調(diào)節(jié)U形隙縫的 寬度A和離輻射面邊緣的距離4,則可以改變第二頻帶處的阻抗振蕩幅度。當(dāng) 同時(shí)減小^和Je時(shí),第二頻帶處阻抗的振蕩幅度也相應(yīng)減小。通過調(diào)節(jié)丄,、 ^和4,則可以有效實(shí)現(xiàn)第二頻帶在920MHz 925MHz頻帶的阻抗匹配。當(dāng)?shù)?二頻帶進(jìn)行阻抗調(diào)節(jié)的時(shí)候,第一頻帶的阻抗基本不受影響。
由上可見,通過改變丄、丄一,、丄,、£■、 4、 ^可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)頻帶頻率及阻 抗的靈活調(diào)節(jié)。通過有限元方法的仿真和優(yōu)化,最終采用Z=88.4mm, 丄toe尸40mm, Z^=18mm, Za =8.8mm, c e=lmm, ^4-0.6mm。在該尺寸下天線仿 真的阻抗和反射系數(shù)分別如圖2、圖3所示,天線匹配在840MHz 845MHz和 920MHz 925MHz兩個(gè)頻帶,符合中國超高頻射頻識(shí)別規(guī)范的頻率要求。
實(shí)施例2 本方案為覆蓋北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別頻率范圍的雙頻帶抗金屬標(biāo)簽天
線。北美使用的頻率為902 MHz-928 MHz ,歐洲使用的頻率為865 MHz-868 MHz。為了使得設(shè)計(jì)的抗金屬標(biāo)簽天線能同時(shí)覆蓋北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別 頻率范圍,只要調(diào)節(jié)第一頻帶與第二頻帶的頻率,使兩個(gè)頻帶分別工作在北美
和歐洲超高頻射頻識(shí)別的頻率范圍。第一頻帶的頻率主要是由金屬輻射面的長 度£調(diào)節(jié),而第二頻帶的頻率由U形隙縫的臂長Z。^調(diào)節(jié)。天線阻抗匹配方法 與實(shí)施例1相同。
取Z^86mm, Z^raw=38mm, ^s=17mm, Z^^z二9,5mm, Je=lmm, dw=0.6mm, 其他參數(shù)與實(shí)施例1相同,天線在該尺寸下仿真的阻抗和反射系數(shù)分別如圖4、 圖5所示。天線匹配在865MHz 868MHz和902MHz 928MHz兩個(gè)頻帶,符合 歐洲和北美超高頻射頻識(shí)別規(guī)范的頻率要求。
上述方案只是本發(fā)明的兩種具體實(shí)施方式
,在符合本發(fā)明的特征下可以有 多種不同應(yīng)用方案,但這些應(yīng)用方案只要符合本發(fā)明的特征,都應(yīng)屬于本發(fā)明 的權(quán)利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其特征在于包括金屬地面(1)、金屬輻射面(2)、基板(3)、矩形凹槽(4)、第一饋線(5)、第二饋線(6)、過孔(7)、射頻識(shí)別芯片(8)和U形隙縫(9),基板(3)為長方形,金屬輻射面(2)位于基板(3)上表面,金屬地面(1)位于基板(3)下表面,金屬輻射面(2)靠近短邊的一側(cè)嵌有矩形凹槽(4),矩形凹槽(4)中間設(shè)有第一饋線(5)、第二饋線(6),第一饋線(5)一端與第二饋線(6)一端之間設(shè)有射頻識(shí)別芯片(8),第一饋線(5)另一端與金屬輻射面(2)相連接,第二饋線(6)上設(shè)有過孔(7),過孔(7)上端與第二饋線(6)相連接,過孔(7)下端與金屬地面(1)相連接,金屬輻射面(2)靠近長邊的兩側(cè)上嵌有一對U形隙縫(9)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其 特征在于所述的金屬輻射面(2)與矩形凹槽(4)、第一饋線(5)、第二饋線(6)、 射頻識(shí)別芯片(8)、 U形隙縫(9)同屬于基板(3)的上表面,矩形凹槽(4) 與U形隙縫(9)由金屬輻射面(2)蝕刻而成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其 特征在于所述的U形隙縫(9)包括一個(gè)中間的肩和連接在兩端的臂,U形隙縫(9)的肩與金屬輻射面(2)的長邊平行,U形隙縫(9)的臂與金屬輻射面(2) 的短邊平行,臂與肩成直角,U形隙縫(9)的開口朝向金屬輻射面(2)內(nèi)部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其 特征在于所述的矩形凹槽(4)的長邊與金屬輻射面(2)的長邊平行,矩形凹 槽(4)的中軸線與金屬輻射面(2)的中軸線重合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其 特征在于所述的第一饋線(5)、第二饋線(6)、過孔(7)、射頻識(shí)別芯片(8) 位于矩形凹槽(4)的中軸線上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線,其 特征在于所述的過孔(7)貫穿基板(3),過孔(7)內(nèi)壁為導(dǎo)電金屬壁,使得 第二饋線(6)與金屬地面(1)電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙頻帶抗金屬超高頻射頻識(shí)別標(biāo)簽天線。它包括金屬地面、金屬輻射面、基板、矩形凹槽、第一饋線、第二饋線、過孔、射頻識(shí)別芯片和U形隙縫,基板為長方形,金屬輻射面位于基板上表面,金屬地面位于基板下表面,金屬輻射面靠近短邊的一側(cè)嵌有矩形凹槽,矩形凹槽中間設(shè)有第一饋線、第二饋線,第一饋線一端與第二饋線一端之間設(shè)有射頻識(shí)別芯片,第一饋線另一端與金屬輻射面相連接,第二饋線上設(shè)有過孔,過孔上端與第二饋線相連接,過孔下端與金屬地面相連接,金屬輻射面靠近長邊的兩側(cè)上嵌有一對U形隙縫。本天線制作的射頻識(shí)別抗金屬標(biāo)簽可以同時(shí)覆蓋中國超高頻射頻識(shí)別的兩個(gè)頻帶或北美和歐洲超高頻射頻識(shí)別的兩個(gè)頻帶。
文檔編號H01Q13/10GK101355195SQ20081012046
公開日2009年1月28日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月29日
發(fā)明者周洪亮, 張宏建, 莫凌飛 申請人:浙江大學(xué)
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