專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制造 方法。
技術(shù)背景隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算 速度、更大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及更多的功能，半導(dǎo)體晶片朝向高集成度方向發(fā)展，CMOS器件的柵極特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入深亞微米階段，柵極變得 越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得較以往更短，這樣就對(duì)工藝的要求越來(lái)越高。在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中，通常在半導(dǎo)體基底上形成4冊(cè)層之 后，對(duì)柵層進(jìn)行摻雜，摻雜之后對(duì)柵層進(jìn)行刻蝕形成柵極；再對(duì)基底進(jìn) 行離子注入，在柵極的兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)。上述 方法中，對(duì)柵層進(jìn)行摻雜可以減小柵層形成的柵極的電阻，但是在所述 的摻雜過(guò)程中所摻雜的離子可能穿過(guò)柵層而進(jìn)入柵層下的半導(dǎo)體基底 中。而且在形成源極區(qū)和漏極區(qū)的離子注入過(guò)程中，也會(huì)有被注入的離 子進(jìn)入柵極，以及柵極下的半導(dǎo)體基底中，這樣就會(huì)使半導(dǎo)體基底的源 極區(qū)和漏極區(qū)之間的位置也被注入進(jìn)離子，從而會(huì)產(chǎn)生漏電流。在公開(kāi)號(hào)為CN101154682A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了 一種金屬氧 化物半導(dǎo)體器件制造方法。如圖1所示，該方法包括在半導(dǎo)體基底100 表面形成柵極材料層；接下來(lái)對(duì)柵極材料層刻蝕形成柵極140;接下來(lái) 注入雜質(zhì)離子，在要形成源極區(qū)和漏極區(qū)的半導(dǎo)體基底中形成輕摻雜區(qū) 域121和131; 4妄下來(lái)形成側(cè)墻141和142;然后進(jìn)行離子注入形成源 極區(qū)120和漏極區(qū)130。在上述方法形成源極區(qū)和漏極區(qū)的過(guò)程中會(huì)使 半導(dǎo)體基底的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電溝道也會(huì)被注入進(jìn)離子，從而 使源極區(qū)和漏極區(qū)之間會(huì)產(chǎn)生漏電流。因此上述方法存在的問(wèn)題就是在形成源極區(qū)和漏極區(qū)的步驟中，半 導(dǎo)體基底的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電溝道也有被摻雜的離子進(jìn)入，從 而使源極區(qū)和漏極區(qū)之間會(huì)產(chǎn)生漏電流。3進(jìn)一 步的在柵層的摻雜過(guò)程中也存在半導(dǎo)體基底的源極區(qū)和漏極 區(qū)之間的導(dǎo)電溝道有被摻雜的離子進(jìn)入，從而使源極區(qū)和漏極區(qū)之間會(huì) 產(chǎn)生漏電 流o發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的制造方法，改善了半導(dǎo)體基底的源極區(qū) 和漏極區(qū)之間的溝道內(nèi)產(chǎn)生漏電流的問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體基底；在半導(dǎo)體基底上形成柵層；在柵層上形成阻擋 層；對(duì)阻擋層和柵層刻蝕，形成阻擋圖形和柵極；對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極 進(jìn)行清洗；在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；去除所述 阻擋圖形?？蛇x的，形成阻擋層之后還包括對(duì)^J^層進(jìn)行摻雜的步驟?？蛇x的，所述清洗使用酸的水溶i;所述阻擋層的材料比硅化合物 難溶于酸的水溶液?？蛇x的，所述酸性的水溶液包括氬氟酸的水溶液或磷酸的水溶液中 的至少一種或其組合?？蛇x的，所述阻擋層的材料為氧化鉿。可選的，所述阻擋層的厚度為50埃至70埃?？蛇x的，去除所述阻擋圖形的方法包括用含有酒精的溶液清洗?？蛇x的，所述溶液還包括氫氟酸HF,并且酒精和氫氟酸濃度的比 值為50?？蛇x的，所述用酸的水溶液對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗之后，所 述阻擋圖形的厚度為20埃至30埃；可選的，所述形成阻擋層的方法包括化學(xué)氣相淀積、原子層沉積、 物理氣相淀積或等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積中的至少 一種。上述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在柵層上形成一層阻擋層，從而使得 在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)的過(guò)程中，所述阻擋層 可以阻擋被注入的離子進(jìn)入柵層下的半導(dǎo)體基底中，從而可以改善源極區(qū)和漏極區(qū)之間產(chǎn)生漏電流的問(wèn)題。
進(jìn)一步的，在形成阻擋層之后對(duì)柵極進(jìn)行摻雜，所述摻雜可以有效 的調(diào)節(jié)柵極的電阻，從而調(diào)節(jié)閾值電壓，而且因?yàn)樵跂艑由弦呀?jīng)形成了 阻擋層，因此摻雜的離子在阻擋層的作用下停留在柵層，從而可以阻擋 阻擋摻雜的離子進(jìn)入柵層下的半導(dǎo)體基底中，從而可以改善源極區(qū)和漏 才及區(qū)之間的漏電流的問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件的制造方法； 圖2為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法實(shí)施例的流程圖； 圖3至圖8為本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是 本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣，因此本發(fā)明不受下面公 開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)， 為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且 所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí) 際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，在形成柵極之后，通常利用離子注入 的方式在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)。因此在離子注 入的過(guò)程中會(huì)有被注入的離子穿過(guò)柵極進(jìn)入柵極下的半導(dǎo)體基底中，停 留在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電溝道中。從而在后期形成的半導(dǎo)體器件 的源極區(qū)和漏極區(qū)之間會(huì)產(chǎn)生漏電流。
而且，在半導(dǎo)體器件的制造工藝進(jìn)入65nm工藝節(jié)點(diǎn)之后，通常通 過(guò)對(duì)柵極進(jìn)行摻雜，來(lái)改變柵極的電阻，從而可以調(diào)節(jié)器件的閾值電壓 和驅(qū)動(dòng)電流特性。通常在NMOS的4冊(cè)^ l中摻雜N型離子，例如磷，在PMOS的柵極中摻雜P型離子，例如硼。但是在摻雜的過(guò)程中，被摻雜 的離子，例如磷或硼離子，會(huì)穿過(guò)柵極而進(jìn)入柵^L下的半導(dǎo)體基底中， 停留在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電溝道中。
因此本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo) 體基底；在半導(dǎo)體基底上形成柵層；在柵層上形成阻擋層；對(duì)阻擋層和 柵層刻蝕，形成阻擋圖形和柵極；對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗；在柵 極的兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；去除所述阻擋圖形。
其中，形成阻擋層之后還包括對(duì)沖冊(cè)層進(jìn)行4參雜的步驟。
其中，所述清洗使用酸的水溶液；所述阻擋層的材料比硅化合物難 溶于酸的水溶液。
其中，所述酸性的水溶液包括氳氟酸HF的水溶液或磷酸H3P04的 水溶液中的至少 一種或其組合。
其中，所述阻擋層的材料為氧化鉿Hf02。
其中，所迷阻擋層的厚度為50埃至70埃。
其中，所述去除所述阻擋層的方法包括用含有酒精C2HsOH的溶 液清洗。
其中，所迷溶液還包括氫氟酸HF,并且酒精C2HsOH和氫氟酸HF 濃度的比值為50。
其中，所迷用酸的水溶液對(duì)半導(dǎo)體基底和4冊(cè)才及進(jìn)行清洗之后，所述 阻擋圖形的厚度為20埃至30埃；
其中，所迷形成阻擋層的方法包括化學(xué)氣相淀積CVD、原子層 沉積ALD、物理氣相淀積PVD或等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積PECVD 中的至少一種。
下面結(jié)合附圖2對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。參考圖2， 本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的制造方法包括步驟 Sl:提供一半導(dǎo)體基底。
如圖3所示，所述的半導(dǎo)體基底300可以是單晶硅、多晶硅或非晶 硅；所述半導(dǎo)體基底300也可以是^圭、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物；該半導(dǎo)體基底300還可以具有外延層；所述的半導(dǎo)體基底300還可以是其它 半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。
在半導(dǎo)體基底300中可以具有有源區(qū)302，所述有源區(qū)302可以用 本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知的方法形成，例如，在半導(dǎo)體基底300上先通過(guò) 光刻工藝定義出形成有源區(qū)的區(qū)域，然后進(jìn)行離子注入，形成有源區(qū) 302,例如注入P型離子形成P阱，注入N型離子形成N阱。其還可以 采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知的工藝形成，這里不再贅述。另外該有源區(qū) 302也可以在步驟S2、步驟S3或者步驟S4之后形成。
半導(dǎo)體基底300還可以包括介質(zhì)層303,介質(zhì)層303為硅化合物材 料，例如氧化硅層、氮化硅層或氧化硅層和氮化硅層的疊層結(jié)構(gòu)。
S2:在半導(dǎo)體基底上形成柵層。
如圖4所示，在半導(dǎo)體基底300上形成柵層304,柵層厚度為1000 埃，所述^^層304包括絕緣介質(zhì)層和位于絕緣介質(zhì)層上的導(dǎo)電層。所述 絕緣介質(zhì)層可以為氧化硅。所述導(dǎo)電層可以是多晶硅材料或多晶硅與金 屬硅化物的疊層結(jié)構(gòu)，或金屬材質(zhì)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到許多其 它的變形、替代或修改形式，這里不再——贅述。
所述柵層304可以用本領(lǐng)域技術(shù)人員所習(xí)知的方法形成，例如，物 理氣相淀積(PVD)、化學(xué)氣相淀積(CVD)等。
所述柵層304可以根據(jù)不同的半導(dǎo)體工藝需要具有不同厚度。
S3:在^t層304上形成阻擋層。
如圖5所示，在柵層304上形成一層阻擋層306。本實(shí)施例中所述 阻擋層306比硅化合物難溶于酸的水溶液，例如可以為氧化鉿Hf02材 料或者氧化鋯Zr02材料。在本實(shí)施例中，所述阻擋層306采用原子沉 積(ALD, Atomic-layer Deposition)法生長(zhǎng)。例如具體可以為將半導(dǎo) 體基底300放置在反應(yīng)腔，對(duì)半導(dǎo)體基底300加熱，并且連續(xù)引入HfCl4 和H20兩種前驅(qū)物，通過(guò)化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止， 從而形成氧化鉿Hf02材料的阻擋層306。在本實(shí)施例中形成的阻擋層 306的厚度為50埃至70埃，例如60埃。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)阻擋
7層306的厚度確定形成阻擋層306的時(shí)間。
除此之外，阻擋層306也可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法獲得， 例如物理氣相淀積(PVD)、化學(xué)氣相淀積(CVD )或者等離子體增強(qiáng)型化 學(xué)氣相淀積(PECVD)等等。
在形成阻擋層306之后，還可以包括對(duì)4冊(cè)層304進(jìn)行摻雜的步驟。 例如，對(duì)用于制造NMOS器件柵極的柵層來(lái)說(shuō)，可在多晶硅中摻入磷 或砷；對(duì)于用于制造PMOS器件柵極的柵層來(lái)說(shuō)，可在多晶硅中摻入硼， 以減小后續(xù)形成的柵極的電阻率。所述摻雜可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟 知的方法進(jìn)行，例如離子注入或者擴(kuò)散。在本實(shí)施例中，采用離子注入 的方式向多晶硅柵層摻入硼，摻雜時(shí)離子注入能量為8KeV,劑量為 2E15/cm2。
另外，形成的阻擋層306的厚度不限于本實(shí)施例中的厚度，所述阻 擋層306的厚度可以根據(jù)源極區(qū)和漏極區(qū)時(shí)離子注入的能量和劑量，以 及柵層304摻雜時(shí)離子注入的能量和劑量進(jìn)行調(diào)整，從而改善被注入的 離子被注入到半導(dǎo)體基底300的柵極下的位置的問(wèn)題。本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù) 人員可以通過(guò)有限次的試驗(yàn)獲得所需的所述阻擋層的厚度。
本發(fā)明中，因?yàn)闁艑?04上具有阻擋層306,因此在形成源極區(qū)和 漏極區(qū)的離子注入過(guò)程中，以及柵摻雜的過(guò)程中，可以使進(jìn)入阻擋層306 的雜質(zhì)離子速率P爭(zhēng)低，并且改變?nèi)肷浞较?，因此使得雜質(zhì)離子進(jìn)入柵層 304之后停止在柵層，而不會(huì)穿透柵層304進(jìn)入柵層304下的半導(dǎo)體基 底300中，從而可以大大改善源極區(qū)和漏極區(qū)之間的漏電流問(wèn)題。
S4:對(duì)阻擋層306和^^層304刻蝕，形成阻擋圖形和4冊(cè)^L。
如圖6所示，本實(shí)施例中刻蝕阻擋層306和柵層304的方法為首 先在阻擋層306上層涂光刻膠層(未圖示)，對(duì)光刻膠層(未圖示)進(jìn)行曝 光，顯影和清洗，然后形成掩膜圖形308。上述形成掩模圖形308的方 法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法獲得。
之后利用千法刻蝕或者濕法刻蝕對(duì)阻擋層306和4冊(cè)層304進(jìn)行刻 蝕，如圖7所示，形成阻擋圖形312和柵才及310。所述對(duì)阻擋層306和
8柵層304進(jìn)行刻蝕的方法可以釆用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法，例如利 用等離子體各向異性干法刻蝕工藝，刻蝕氣體可以為含氟、氧、氮或其 組合的氣體。另外，刻蝕時(shí)間、電源功率，以及其它參數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以通過(guò)熟知的方法，或者有限次的試驗(yàn)獲得，這里不再贅述。
在上述刻蝕步驟中因?yàn)榭涛g氣體會(huì)和柵層304和阻擋層306發(fā)生化 學(xué)反應(yīng)，因此刻蝕之后通常在去除柵層304的半導(dǎo)體基底300表面，以 及片冊(cè)極304的側(cè)壁上存在刻蝕殘留物，例如可以是氧化硅、氮化硅或者 其它的硅化合物。這些硅化合物需要利用后續(xù)的清洗步驟去除。
而且本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的，在柵極310形成之后還可以包括形成 柵側(cè)壁層311的過(guò)程。具體步驟可以為在棚-才及310和半導(dǎo)體基底300 上形成氧化硅層和氮化硅層，例如可以采用淀積現(xiàn)形成氧化硅層，再在 氧化硅層上形成氮化硅層。然后不需要掩膜，直接對(duì)氧化硅層和氮化硅 層刻蝕，由于采用各向異性刻蝕，從而柵極310的側(cè)壁上的氧化硅層和 氮化硅層不易被刻蝕，最終形成柵才及的側(cè)壁層311。
在上述刻蝕步驟中因?yàn)榭涛g氣體會(huì)和氧化v 圭層和氮化硅層發(fā)生化 學(xué)反應(yīng)，因此刻蝕之后通常在半導(dǎo)體基底300去除氧化硅層和氮化硅層 的表面，以及柵極的側(cè)壁層311和阻擋圖形312的上表面上存在刻蝕殘 留物，例如可以是氧化硅、氮化硅或者其它的>5圭化合物。這些硅化合物 需要利用后續(xù)的清洗步驟去除。
S5:用酸的水溶液對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗。
在完成柵極310的刻蝕之后，通常要用酸的水溶液對(duì)半導(dǎo)體基底 300和柵極310進(jìn)行清洗，例如氳氟酸HF、磷酸H3P04、硫酸H2S04 中的一種或者其組合，用來(lái)去除表面的刻蝕殘余物，例如可以是氧化硅、 氮化硅或者其它的硅化合物，在本實(shí)施例中可以是在上述的刻蝕形成柵 極310或者刻蝕形成柵側(cè)壁層311的步驟中形成的刻蝕殘余物，例如氧 化珪層、氮化硅層，或其它硅化合物。其中，氳氟酸HF可以用來(lái)去除 氧化硅殘余物，磷酸H3P04可以去除氮化硅殘余物。
在本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案中，阻擋層306的材料比硅化合物難溶于
9酸的水溶液，例如阻擋層306為氧化鉿Hf02材津牛，因?yàn)檠趸xHf02 比氮化硅和氧化硅難溶于HF的水溶液、H3P04的水溶液以及碌l酸 H2S04。例如，HF的水溶液對(duì)氧化硅和氧化鉿Hf02刻蝕的選擇比為10:
氧化鉿Hf02刻蝕的選擇比為100: 1。因此本實(shí)施例中只需要形成厚度 為50埃至70埃的厚度，就使得在清洗工藝之后，氧化鉿H幻2層的厚 度還能保持足以阻擋雜質(zhì)離子進(jìn)入柵極310下層的半導(dǎo)體基底300的厚 度，例如20埃至30埃。
S6:在柵極310的兩側(cè)的半導(dǎo)體基底300中形成源極區(qū)和漏極區(qū)。 如圖7所示，所述形成源才及區(qū)和漏極區(qū)的方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù) 人員熟知的方法，例如本實(shí)施例中形成源極區(qū)320和漏極區(qū)322是釆用 離子注入的方式將離子注入柵極310兩側(cè)的基底中。離子注入的能量為 25KeV,劑量為2E13/cm2。
因?yàn)樵跂艠O310上具有阻擋圖形312,因此被注入的離子經(jīng)過(guò)阻擋 圖形312時(shí)速率降低，并且改變?nèi)肷浞较?，使得被注入的離子停留在阻 擋圖形312內(nèi)，或者進(jìn)入柵極310停留在柵極310內(nèi)，因此不會(huì)穿過(guò)柵 極310注入柵極310下的半導(dǎo)體基底中。這樣就改善了現(xiàn)有技術(shù)中因?yàn)?被注入的離子被注入到柵極310下的半導(dǎo)體基底300中，從而在源極區(qū) 320和漏極區(qū)322之間形成漏電流的現(xiàn)象。
完成上述的離子注入工藝后，通過(guò)本領(lǐng)域4支術(shù)人員熟知的方法，例 如灰化和濕法清洗，去除光刻工藝中在阻擋圖形312上層的光刻膠掩膜 圖形308,當(dāng)然掩膜圖形308也可以在柵極310形成之后就去除。
S7:去除所述阻擋圖形312。
如圖8所示，因?yàn)楸緦?shí)施例中的阻擋層306的材料為HfD2, Hf02 易溶于酒精溶解的酸溶液，因此在完成源極區(qū)320和漏極區(qū)322的形成 之后，用酒精溶解的HF溶液可以將阻擋圖形312去除。具體去除方法 可以包括濕法清洗RCA、噴霧清洗或化學(xué)蒸汽清洗中的任意一種。 清洗溶液可以為酒精溶解的HF溶液，例如酒精和HF比例為50: 1。因?yàn)榫凭粫?huì)腐蝕柵極310和半導(dǎo)體基底300,而且酒精溶解的HF 溶液，例如酒精和HF比例為50: 1,對(duì)Hf02和氧化硅的刻蝕選擇比為 3: 1，對(duì)Hf02和TEOS的刻蝕選擇比為1: 1,因此去除阻擋圖形312 之后半導(dǎo)體器件不會(huì)受到損害。
由于本發(fā)明具體涉及在柵極上形成保護(hù)層的步驟，因而上述的描述 中，除形成柵極保護(hù)層以外的工藝步驟僅僅是為了配合說(shuō)明本發(fā)明的方 法而引入的，并不能構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍的限制，而且，下面所描 述的除形成保護(hù)層以外的工藝步驟并不僅僅限于下面的描述，也可采用 本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其它工藝。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括提供一半導(dǎo)體基底；在半導(dǎo)體基底上形成柵層；在柵層上形成阻擋層；對(duì)阻擋層和柵層刻蝕，形成阻擋圖形和柵極；對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗；在柵極的兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；去除所述阻擋圖形。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，還包括 形成阻擋層之后對(duì)柵層進(jìn)行摻雜的步驟。
3、 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述清 洗使用酸的水溶液；所述阻擋層的材料比硅化合物難溶于酸的水溶液。
4、 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述酸 性的水溶液包括氫氟酸的水溶液或磷酸的水溶液中的至少一種或其組合。
5、 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述阻 擋層的材料為氧化鉿。
6、 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述阻 擋層的厚度為50埃至70埃。
7、 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述去 除所述阻擋圖形的方法包括用含有酒精的溶液清洗。
8、 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述溶 液還包括氫氟酸，并且酒精和氫氟酸濃度的比值為50。
9、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述用 酸的水溶液對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗之后，所述阻擋圖形的厚度為20 埃至30埃。
10、 如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特 征在于，化學(xué)氣相淀積、原子層沉積、物理氣相淀積或等離子體增強(qiáng)型化 學(xué)氣相淀積中的至少 一種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體基底；在半導(dǎo)體基底上形成柵層；在柵層上形成阻擋層；對(duì)阻擋層和柵層刻蝕，形成阻擋圖形和柵極；對(duì)半導(dǎo)體基底和柵極進(jìn)行清洗；在柵極的兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；去除所述阻擋圖形。該方法通過(guò)在柵層上層形成一層阻擋層，從而在形成柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體基底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)的過(guò)程中，可以阻擋柵層下的半導(dǎo)體基底中被注入雜質(zhì)離子，從而改善源極區(qū)和漏極區(qū)之間形成漏電流的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101651103SQ20081011840
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月14日
發(fā)明者張海洋, 韓秋華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司