專利名稱：?jiǎn)纹稍鰪?qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種利用GaAs 基E/D MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法。
背景技術(shù)：
高電子遷移率晶體管(HEMT)具有高頻、高速、高功率增益和 低噪聲系數(shù)的特點(diǎn)，因而大量應(yīng)用于軍事、太空和民用通訊領(lǐng)域。如 毫米波雷達(dá)、電子戰(zhàn)、智能裝備、衛(wèi)星通訊和輻射天文學(xué)等。
GaAs基HEMT主要應(yīng)用于Ka波段以下，而InP基HEMT在更高 的W波段仍具有高增益和低噪聲性能，但是InP基HEMT的不足之處 在于 一是源漏擊穿電壓低，輸出功率小，制約了其在微波功率放大 器電路上的應(yīng)用；二是InP襯底易碎，晶片尺寸小，價(jià)格高昂，加工 成本高。
GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管(MHEMT)結(jié)構(gòu)，即在GaAs 襯底上外延InP基HEMT的外延結(jié)構(gòu)，對(duì)InP基HEMT是一種很好的 替代外延結(jié)構(gòu)，既可以利用GaAs襯底成熟的制備工藝，降低了制備成 本；同時(shí)也可以獲得與InP基HEMT相近的高頻、高速性能。目前， 采用E/DMHEMT形式的DCFL邏輯電路由于具有低功耗，單一電源， 易于設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)，在國(guó)際上引起了廣泛的關(guān)注，是制造LSI及VLSI 電路的基礎(chǔ)。但目前國(guó)內(nèi)MHEMT工藝并不成熟，尤其是增強(qiáng)型 MHEMT器件的域值電壓(Vth)無(wú)法達(dá)到正值，內(nèi)部器件特性的測(cè)量 無(wú)法精確，導(dǎo)致DCFL失效。因此，E/D MHEMT工藝成熟度有待驗(yàn) 證。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的主要目的在于提供一種
單片集成增強(qiáng)/耗盡型(E/D) GaAsMHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法， 以采用改良的E/D MHEMT工藝技術(shù)，制備出性能良好的MHEMT 9 階和15階環(huán)型振蕩器，對(duì)E/DMHEMT制備工藝技術(shù)進(jìn)行驗(yàn)證，確保 內(nèi)部器件特性的測(cè)量更精確。
(二)技術(shù)方案 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法，該方法 包括.，
對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源漏的制備； 采用濕法腐蝕形成隔離臺(tái)面，采用分步柵工藝，挖柵槽，分別蒸
發(fā)Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極，實(shí)現(xiàn)柵
極的制備；
釆用PECVD生長(zhǎng)一層SiN介質(zhì)，濺射NiCr合金制作電阻； 刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻二次布線 Ti/Au;
常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形，完成單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作。
上述方案中，所述對(duì)源漏進(jìn)行光刻的步驟之前進(jìn)一步包括對(duì) GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行預(yù)處理。
上述方案中，所述對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行 預(yù)處理具體包括對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行腐蝕 隔離，丙酮沖洗，乙醇清洗，水沖洗6遍，12(TC烘箱10分，13(TC走 程序，991原膠3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度1.5pm， 95。C熱板，90s，正 膠顯影液顯60s，水沖洗，吹干，打底膠RIE02，流量60sccm，功率 20W， 120秒，HCL : H20=1 : 10，漂10s，去除表面氧化層，測(cè)臺(tái)階 高度，采用腐蝕液H3P04:H202:H2O3:l:50進(jìn)行腐蝕，腐蝕時(shí)間40s， 監(jiān)測(cè)電流及島高，漂酸，丙酮去膠，清洗，吹干。
上述方案中，所述對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源漏的制備，具體包括涂膠原膠AZ5214， 3500轉(zhuǎn)/分，涂1分， 厚度1.6pm， 95。C熱板，90s，源漏版，小機(jī)器曝光20秒，AZ5214顯 影液顯60s，水沖洗，打底膠30s， H3P04 : H20 =1 : 15，漂20s去除 氧化層，丙酮?jiǎng)冸x，然后蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸。
上述方案中，所述實(shí)現(xiàn)柵極制備的步驟具體包括涂膠AZ5206， 3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度1.4 (am, 95。C熱板，90s，柵金屬版，大機(jī) 器曝光2.1s，挖柵槽，檸檬酸雙氧水=1 : 1，腐蝕InGaAs帽層，形 成增強(qiáng)耗盡型柵極，蒸發(fā)柵金屬Pt/Ti/Pt/Au禾Q Ti/Pt/Au，在Ti/Pt/Au 中，Ti的厚度為500埃，Pt的厚度為800埃，Au的厚度為2200埃， 然后丙酮?jiǎng)冸x，形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極。
上述方案中，所述采用PECVD生長(zhǎng)一層SiN介質(zhì)的步驟中SiN 介質(zhì)的厚度為2000埃。
上述方案中，所述濺射NiCr合金制作電阻的步驟具體包括涂 AZ5214膠，4000轉(zhuǎn)/分，60秒，1.5pm，熱板95°C烘90秒，光刻， 反轉(zhuǎn)，泛曝光，SP-3型磁控濺射機(jī)，濺射NiCr合金870埃。
上述方案中，所述刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn) 行光刻二次布線Ti/Au的步驟包括
在02氛圍下進(jìn)行等離子光刻RIE，流量60sccm，功率20W;
光刻布線，蒸發(fā)第一次布線金屬Ti/Au，剝離；
采用PECVD生長(zhǎng)厚度為3000埃的介質(zhì)SiN，在SF6氣體氛圍下 進(jìn)行等離子光刻進(jìn)行二次刻孔，流量30sccm，功率30W;
光刻布線，蒸發(fā)第二次布線金屬Ti/Au，其中Ti的厚度為1000埃， Au的厚度為10000埃。
(三)有益效果
從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果
1、 利用本發(fā)明提供的這種單片GaAsE/DMHEMT環(huán)形振蕩器的 制作方法，能夠制作出性能良好的環(huán)形振蕩器MMIC，成功的將增強(qiáng) 型MHEMT器件&耗盡型MHEMT器件集成于同一芯片內(nèi)。
2、 利用本發(fā)明提供的這種單片GaAsE/DMHEMT環(huán)形振蕩器的
6制作方法，使內(nèi)部器件特性的測(cè)量更精確。
3、 利用本發(fā)明提供的這種單片GaAsE/DMHEMT環(huán)形振蕩器的 制作方法，對(duì)E/DMHEMT工藝成熟度進(jìn)行驗(yàn)證，很好的證明了器件 E/D性能的良好，為制造LSI及VLSI電路打下基礎(chǔ)。
4、 利用本發(fā)明提供的這種單片GaAsE/DMHEMT環(huán)形振蕩器的 制作方法，充分使用DCFL的優(yōu)點(diǎn)，證明了增強(qiáng)型MHEMT器件的域 值電壓(Vth)達(dá)到正值，反相性能良好。
5、 本發(fā)明提供的這種單片GaAsE/DMHEMT環(huán)形振蕩器的制作 方法，具有成效明顯，工藝簡(jiǎn)單易行，經(jīng)濟(jì)適用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)， 容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體器件制作中采用和推廣。


圖1為本發(fā)明的采用E/DMHEMT材料外延片的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明提供的制作單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器 的方法流程圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例制作單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振
蕩器的方法流程圖4為依照本發(fā)明實(shí)施例制作的單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形
振蕩器的器件剖面圖5為本發(fā)明的采用E/DMHEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)的9階環(huán)形振蕩器芯 片照片；
圖6為本發(fā)明的采用E/D MHEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)的15階環(huán)形振蕩器芯 片照片；
圖7是環(huán)形振蕩器產(chǎn)生的正弦RF信號(hào)的照片；其中，左側(cè)為示波 器結(jié)果，右側(cè)為頻譜儀結(jié)果。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具 體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
下面首先介紹本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)原理本發(fā)明提供了一種單片制作E/D MHEMT環(huán)形振蕩器的方法，該 電路由不同柵寬比的反相器構(gòu)成。反相器基于DCFL邏輯，由一個(gè)增 強(qiáng)型MHEMT單管和一個(gè)耗盡型MHEMT單管構(gòu)成。當(dāng)E/D反相性能 良好的情況下，當(dāng)在輸入端外加直流信號(hào)時(shí)，由于門電路的固有傳輸 延遲時(shí)間，任何一個(gè)反相器的輸入和輸出都不可能穩(wěn)定在高電平或低 電平，只能處于高、低電平之間，如此周而復(fù)始，便產(chǎn)生自激振蕩， 證明器件E/D性能良好，E/D MHEMT工藝成熟度高；反之，如果反 向性能差，增強(qiáng)型器件域值電壓在零以下，環(huán)形振蕩器便不能自激振 蕩，從而證明E/DMHEMT工藝的不成熟。
本發(fā)明提供的這種單片集成的環(huán)形振蕩器電路及其處理方法，考 慮到E/D MHEMT工藝和電路測(cè)試兩方面的要求，利用E/D MHEMT 材料和工藝，制成9階&15階環(huán)形振蕩器。
上述單片集成的E/D MHEMT環(huán)形振蕩器電路基于E/D MHEMT 材料和工藝實(shí)現(xiàn)，圖5和圖6示出了利用E/D MHEMT材料和工藝制 作的9階&15階環(huán)形振蕩器照片，該電路由基于DCFL的反相器首尾 串連構(gòu)成，將器件設(shè)計(jì)為柵長(zhǎng)lpm，反相器增強(qiáng)型器件和耗盡型器件 柵寬比例為3: 2&4: 3。
如圖2所示，圖2為本發(fā)明提供的制作單片集成E/D GaAs MHEMT
環(huán)形振蕩器的方法流程圖，該方法包括以下步驟
步驟201:對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源
漏的制備；
步驟202:采用濕法腐蝕形成隔離臺(tái)面，采用分步柵工藝，挖柵槽， 分別蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極，
實(shí)現(xiàn)柵極的制備；
步驟203:采用PECVD生長(zhǎng)一層SiN介質(zhì)，濺射NiCr合金制作
電阻；
步驟204:亥ij孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻 二次布線Ti/Au;
步驟205:常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形，完成單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作。
8如圖3所示，圖3為依照本發(fā)明實(shí)施例制作單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的方法流程圖，該方法包括以下步驟
步驟301:對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行預(yù)處理， 具體包括對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行腐蝕隔離， 丙酮沖洗，乙醇清洗，水沖洗6遍，12(TC烘箱10分，no。c走程序， 991原膠3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度約1.5iam， 95。C熱板，90s,正膠顯 影液顯60s左右，水沖洗，吹干，打底膠R正02，流量60sccm，功率 20W, 120秒，HCL : H20=1 : 10，漂10s，去除表面氧化層，測(cè)臺(tái)階 高度，腐蝕(腐蝕液采用H3PO4:H2O2:H2O=3:l:50)，腐蝕InGaAs， InAlAs，腐蝕時(shí)間40s左右，監(jiān)測(cè)電流及島高，漂酸，丙酮去膠，清 洗，吹干。
在本步驟中，GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片的結(jié)構(gòu)如圖 1所示。
步驟302:對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源 漏的制備，具體包括涂膠AZ5214 (原膠)，3500轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚 度約1.6pm， 95。C熱板，90s，源漏版，小機(jī)器曝光20秒左右，AZ5214 顯影液顯60s左右，水沖洗，打底膠30s， H3P04 : H20=1 : 15，漂20s 去除氧化層，丙酮?jiǎng)冸x，然后蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸。
步驟303:采用濕法腐蝕形成隔離臺(tái)面，采用分步柵工藝，挖柵槽， 蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au&Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極，實(shí)現(xiàn)柵 極的制備，具體包括涂膠AZ5206， 3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度約1.4 pm， 95。C熱板，90s，柵金屬版，大機(jī)器曝光2.1s左右，挖柵槽，檸 檬酸雙氧水=1 : 1，腐蝕InGaAs帽層，形成增強(qiáng)耗盡型柵極，蒸發(fā) 柵金屬Ti (500埃)/Pt (800埃)/Au (2200埃)，丙酮?jiǎng)冸x，形成增
強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極。
步驟304:鈍化介質(zhì)生長(zhǎng)，采用PECVD生長(zhǎng)介質(zhì)SiN2000埃。 步驟305:濺射NiCr合金制作電阻，具體包括涂AZ5214膠，
4000轉(zhuǎn)/分，60秒，1.5nm，熱板95。C烘90秒，光刻，反轉(zhuǎn)，泛曝光，
SP-3型磁控濺射機(jī)，NiCr合金870埃。
9步驟306: —次刻孔，02氛圍下等離子光刻RIE，流量60sccm， 功率20W。
步驟307:光刻布線，蒸發(fā)第一次布線金屬Ti/Au，剝離。 步驟308:采用PECVD生長(zhǎng)介質(zhì)SiN3000埃，二次刻孔，SF6氣 體氛圍下等離子光刻RIE，流量30sccm，功率30W。
步驟309:光刻布線，蒸發(fā)第二次布線金屬Ti(lOOO埃)/Au(10000埃)。
步驟310:進(jìn)行常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形，完成單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作。
圖4示出了本發(fā)明制作的單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器
的器件剖面圖。
圖7示出了環(huán)形振蕩器產(chǎn)生的正弦RF信號(hào)的照片；其中，左側(cè)為 示波器結(jié)果，右側(cè)為頻譜儀結(jié)果。
以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果 進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體 實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)， 所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍 之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法，其特征在于，該方法包括對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源漏的制備；采用濕法腐蝕形成隔離臺(tái)面，采用分步柵工藝，挖柵槽，分別蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極，實(shí)現(xiàn)柵極的制備；采用PECVD生長(zhǎng)一層SiN介質(zhì)，濺射NiCr合金制作電阻；刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻二次布線Ti/Au；常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)源漏進(jìn)行光刻的步驟之前 進(jìn)-一步包括對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行預(yù)處理。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率 晶體管外延片進(jìn)行預(yù)處理具體包括對(duì)GaAs基應(yīng)變高電子遷移率晶體管外延片進(jìn)行腐蝕隔離，丙酮沖 洗，乙醇清洗，水沖洗6遍，120。C烘箱10分，130。C走程序，991原 膠3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度1.5|am， 95r熱板，90s，正膠顯影液顯 60s，水沖洗，吹干，打底膠RIE 02，流量60sccm，功率20W， 120 秒，HCL:H20=1 : 10，漂10s，去除表面氧化層，測(cè)臺(tái)階高度，采用 腐蝕液H3P04:H202:H2O3:l:50進(jìn)行腐蝕，腐蝕時(shí)間40s，監(jiān)測(cè)電流及 島高，漂酸，丙酮去膠，清洗，吹干。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au 形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源漏的制備，具體包括涂膠原膠AZ5214， 3500轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度1.6|am， 95。C熱板， 90s，源漏版，小機(jī)器曝光20秒，AZ5214顯影液顯60s，水沖洗，打底膠30s， H3P04 H20=1 15，漂20s去除氧化層，丙酮?jiǎng)冸x，然后 蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAsMHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述實(shí)現(xiàn)柵極制備的步驟具體包 括涂膠AZ5206， 3000轉(zhuǎn)/分，涂1分，厚度1.4拜，95。C熱板，90s，柵金屬版，大機(jī)器曝光2.1S，挖柵槽，檸檬酸雙氧水二l :1，腐蝕InGaAs帽層，形成增強(qiáng)耗盡型柵極，蒸發(fā)柵金屬Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au， 在Ti/Pt/Au中，Ti的厚度為500埃，Pt的厚度為800埃，Au的厚度為 2200埃，然后丙酮?jiǎng)冸x，形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述釆用PECVD生長(zhǎng)一層SiN 介質(zhì)的步驟中SiN介質(zhì)的厚度為2000埃。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAsMHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述濺射NiCr合金制作電阻的步 驟具體包括涂AZ5214膠，4000轉(zhuǎn)/分，60秒，1.5|am，熱板95。C烘90秒， 光刻，反轉(zhuǎn)，泛曝光，SP-3型磁控濺射機(jī)，濺射NiCr合金870埃。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán) 形振蕩器的制作方法，其特征在于，所述刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬， 再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻二次布線Ti/Au的步驟包括在02氛圍下進(jìn)行等離子光刻RIE，流量60sccm，功率20W;光刻布線，蒸發(fā)第一次布線金屬Ti/Au，剝離；采用PECVD生長(zhǎng)厚度為3000埃的介質(zhì)SiN，在SF6氣體氛圍下 進(jìn)行等離子光刻進(jìn)行二次刻孔，流量30sccm，功率30W;光刻布線，蒸發(fā)第二次布線金屬Ti/Au，其中Ti的厚度為1000 ±矣， Au的厚度為10000埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單片集成E/D GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法，包括對(duì)源漏進(jìn)行光刻，蒸發(fā)Ti/Pt/Au形成歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)源漏的制備；采用濕法腐蝕形成隔離臺(tái)面，采用分步柵工藝，挖柵槽，分別蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增強(qiáng)型柵極和耗盡型柵極，實(shí)現(xiàn)柵極的制備；采用PECVD生長(zhǎng)一層SiN介質(zhì)，濺射NiCr合金制作電阻；刻孔，蒸發(fā)一次布線金屬，再長(zhǎng)介質(zhì)SiN，再進(jìn)行光刻二次布線Ti/Au；常規(guī)金屬剝離形成金屬圖形。利用本發(fā)明，采用改良的E/DMHEMT工藝技術(shù)，制備出性能良好的MHEMT 9階和15階環(huán)型振蕩器，對(duì)E/D MHEMT制備工藝技術(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證，確保了內(nèi)部器件特性的測(cè)量更精確。
文檔編號(hào)H01L21/8232GK101540297SQ20081010220
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月19日
發(fā)明者付曉君, 張海英, 徐靜波, 明 黎 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所