專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
技術(shù)背景近年來，在成品小型化領(lǐng)域中，無線芯片、傳感器等各種裝置的薄型化成 為重要的要素，并且其技術(shù)和應(yīng)用范圍急速地發(fā)展著。由于這些薄型化了的各 種裝置在某種程度上具有柔性，所以可以設(shè)置在彎曲物體上來使用。另外，在專利文獻(xiàn)l中揭示了將尺寸為0.5mm以下的半導(dǎo)體芯片嵌入紙或薄 膜狀介質(zhì)中，從而改善了彎曲性和集中載荷的半導(dǎo)體裝置。 [專利文獻(xiàn)l]日本專利特開2004-78991號公報然而，將天線安裝在芯片(片裝化)的半導(dǎo)體裝置具有如下問題，即如果芯 片的尺寸較小，則天線的尺寸變小而使通信距離變短。另外，當(dāng)將設(shè)置在紙或 薄膜介質(zhì)中的天線與芯片連接以制造半導(dǎo)體裝置的情況時，如果芯片的尺寸較 小，則產(chǎn)生連接不良，成品率下降。發(fā)明內(nèi)容于是，本發(fā)明提供一種即使局部受到來自外部的壓力也不容易損壞的半導(dǎo) 體裝置。另外，提供一種高成品率地制造即使局部受到來自外部的推壓也不損 壞的可靠性高的半導(dǎo)體裝置的方法。本發(fā)明的特征在于在具有使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底而形成的半導(dǎo) 體元件的元件襯底上，設(shè)置在將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的纖 維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體，并且通過進(jìn)行加熱壓接，從而制造一種半導(dǎo)體裝置， 在該半導(dǎo)體裝置中固定有將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的纖維 體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體、以及元件襯底。另外，本發(fā)明的特征在于形成具有使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底，在元件襯底上設(shè)置將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物 或無機(jī)化合物的纖維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體，并且通過進(jìn)行加熱壓接，從而在元 件襯底上形成將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的纖維體中而構(gòu)成 的密封層，從剝離層剝離元件襯底以制造半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是包括具有使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底 所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底，以及與元件襯底接觸且使局部推壓緩和的密 封層的半導(dǎo)體裝置。另外，有機(jī)樹脂固定元件襯底和纖維體，并且浸滲在纖維 體中。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是包括具有使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底 所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底，有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的纖維體，以及固 定元件襯底和纖維體的有機(jī)樹脂的半導(dǎo)體裝置。另外，有機(jī)樹脂固定元件襯底 和纖維體，并且浸滲在纖維體中。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是包括具有使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底 所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底，以及包含有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的纖維體 和浸滲在纖維體中的有機(jī)樹脂的密封層的半導(dǎo)體裝置。元件襯底的厚度一般選為l u m以上且80ii m以下，選為l ix m以上且50u m 以下較好，選為l y m以上且20y m以下更好，選為l y m以上且10ii m以下更好， 選為l y m以上且5 y m以下最好。另外，密封層的厚度最好選為10P m以上且100 um以下。通過采用這種厚度，可以制造能夠彎曲的半導(dǎo)體裝置。作為纖維體，是使用有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維而構(gòu)成的織造 布或無紡布。作為高強(qiáng)度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維?；蛘呤菞钍夏?量高的纖維。另外，作為有機(jī)樹脂，可以使用熱可塑性樹脂或熱固化樹脂。 通過采用高強(qiáng)度纖維來作為纖維體，即使在對半導(dǎo)體裝置局部地施加推壓 時，該壓力會分散到纖維體整體上，從而可以防止半導(dǎo)體裝置的一部分延伸。 換而言之，可以防止伴隨部分延伸而產(chǎn)生的布線、半導(dǎo)體元件等的損壞。通過本發(fā)明，可以制造一種即使局部受到來自外部的壓力也不容易損壞、 且可靠性高、成品率高的半導(dǎo)體裝置。


圖l是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖2是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖3是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖4是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖5是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。圖6是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。圖7是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。圖8是說明能夠應(yīng)用到本發(fā)明中的纖維體的俯視圖。圖9是說明能夠應(yīng)用到本發(fā)明中的天線的俯視圖。圖10是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的立體圖以及截面圖。圖ll是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的圖。圖12是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子的立體圖。圖13是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的圖。圖14是說明能夠應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。
具體實(shí)施方式
下面，將參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。但是，本發(fā)明可以通過多種 不同的形態(tài)來實(shí)施，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實(shí)就是 其形態(tài)和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以進(jìn)行各種變更。因 此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定于本實(shí)施形態(tài)所記載的內(nèi)容。另外，在用于 說明實(shí)施方式的所有附圖中，在相同部分或具有相同功能的部分上標(biāo)有相同符 號，并且省略其重復(fù)說明。(實(shí)施形態(tài)l)在本實(shí)施形態(tài)中，使用圖l、圖8以及圖9來表示即使局部受到推壓(點(diǎn)壓、 線壓等)也不容易損壞、且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的特征在于在包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI 襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底上，形成包含有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的 纖維體、以及浸滲在纖維體中的有機(jī)樹脂的密封層。作為包含在元件襯底中的使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體 元件的典型例子，有MOS晶體管、二極管、非易失性存儲元件等的有源元件； 以及電阻元件、電容元件等的無源元件。另外，作為晶體半導(dǎo)體襯底，最好有 代表性地使用具有n型或p型導(dǎo)電類型的單晶硅襯底(硅片)、化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、藍(lán)寶石襯底、ZnSe襯底等)。另外， 作為SOI襯底，可以使用所謂的SIMOX(注入氧隔離)襯底、或者使用智能剝離 (Smart-Cut)法或ELTRAN法(Epitaxial Layer Transfer:佳能公司的注冊商標(biāo))等所 形成的SOI襯底。所述SIMOX襯底是通過在向鏡面拋光片注入氧離子之后進(jìn)行 高溫退火，從而從表面開始形成有一定深度的氧化層，同時消除在表面層所產(chǎn) 生的缺陷而形成的。所述智能剝離法是利用通過注入氫離子而形成的微小空隙 經(jīng)過熱處理而生長，從而劈開Si襯底而形成的。作為元件襯底的厚度， 一般選 為lum以上且80wm以下，選為1 ^ m以上且50 y m以下較好，選為liim以上且 20um以下更好，選為ly m以上且10um以下更好，最好選為1 u m以上且5 y m 以下。通過設(shè)定這種厚度，可以制造能夠彎曲的半導(dǎo)體裝置。另外，半導(dǎo)體裝 置的俯視面面積選為4mr^以上較好，最好選為9mn^以上。 圖l表示本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的截面圖。在圖1(A)所示的半導(dǎo)體裝置1050中，纖維體113利用有機(jī)樹脂114固定在包 括MOS晶體管1060a、 1060b的元件襯底1051的一個表面上。另外，設(shè)置密封層 120以使其覆蓋形成在元件襯底上的半導(dǎo)體元件。在此，將固定在元件襯底1051 上的纖維體113及有機(jī)樹脂114表示為密封層120。作為這種半導(dǎo)體裝置1050的 典型例子，有控制其他裝置、或?qū)?shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算及加工的微處理器(MPU)。MPU 包括CPU、主存儲器、控制器、接口、 1/0端口等，并且它們可以由MOS晶體管、 電阻元件、電容元件、布線等來構(gòu)成。另外，元件襯底1051也可以具有光電二極管。典型地，在半導(dǎo)體襯底上形 成如PN二極管、PIN二極管、雪崩二極管、肖特基二極管等的光電二極管。作 為這種半導(dǎo)體裝置的典型例子，有圖像傳感器。另外，在圖1(B)所示的半導(dǎo)體裝置1070中，纖維體113利用有機(jī)樹脂114固 定在包括存儲元件1072以及MOS晶體管1060a、 1060b的元件襯底1071的一個表 面上。作為存儲元件，包括具有浮動?xùn)呕螂姾纱鎯拥姆且资源鎯υ?MOS晶體管以及與其連接的電容元件、包括MOS晶體管以及與其連接的鐵電體 層的電容元件、有機(jī)化合物層夾在一對電極之間的有機(jī)存儲元件等。另外，作 為包括這種存儲元件的半導(dǎo)體裝置，有如DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、FeRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲器)、掩模ROM(只讀 存儲器)、EPROM(電可編程只讀存儲器)、EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)、 閃存等的存儲裝置。在此，作為存儲元件1072，表示包括浮動?xùn)艠O1073的非易失性存儲元件。另外，在圖1(C)所示的半導(dǎo)體裝置1080中，纖維體113利用有機(jī)樹脂114固定在包括MOS晶體管1060a、 1060b的元件襯底1081，以及與MOS晶體管1060a 或1060b電連接的天線83的一個表面上。作為這種半導(dǎo)體裝置的典型例子，有 能夠以無線方式收發(fā)信息的ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、RF(射頻)標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子 標(biāo)簽、RFID(射頻識別)標(biāo)簽、IC卡、ID卡等(以下稱為RFID)。另外，本發(fā)明的 半導(dǎo)體裝置包括密封由MOS晶體管等構(gòu)成的集成電路部和天線的嵌入體 (inlet)，以及將該嵌入體加工成封條狀或卡片狀后的該嵌體。另外，由于通過 將半導(dǎo)體裝置1080的俯視面面積設(shè)定為4mn^以上，最好設(shè)定為9mn^以上，從 而可以將天線的面積形成得較大，因而可以獲得與通信器的通信距離較長的 RFID。另外，元件襯底1051、 1071、 1081最好通過除去反面部的一部分而將其薄 膜化。典型地說， 一般元件襯底1051、 1071、 1081的厚度選為1 y m以上且80 nm以下，選為lum以上且50tim以下較好，選為1 P m以上且20 n m以下更好， 選為ly m至10um更好，最好選為1 u m以上且5 li m以下?；蛘撸部梢酝ㄟ^ 剝離半導(dǎo)體襯底的一部分來將元件襯底1051、 1071、 1081薄膜化。再者，除了在圖1(A)至1(C)所示的元件襯底的一個表面上以外，還可以在 另一個表面上利用有機(jī)樹脂固定有纖維體113。換而言之，在元件襯底的兩個 表面上具有密封層，并且設(shè)置相互對向的一對密封層以從兩面覆蓋形成在元件 襯底上的半導(dǎo)體元件。在圖1(D)所示的半導(dǎo)體裝置10卯中，在圖1(A)所示的半 導(dǎo)體裝置的元件襯底1051的一個表面上具有密封層120a，而在元件襯底1051的 另一個表面上具有密封層120b。此時，雖然為了減少彎曲，密封層120a、 120b 最好選擇由相同材質(zhì)的纖維體及有機(jī)樹脂來形成，但是在作為判別正面和反面 而使用的用途時，未必是相同的材質(zhì)。因?yàn)橥ㄟ^像這樣固定浸滲在纖維體中的 有機(jī)樹脂，并且利用纖維體來支撐元件襯底的兩面，因而可以減少半導(dǎo)體裝置 的彎曲，并且容易將該半導(dǎo)體裝置安裝到后述的層壓膜或封條等上。設(shè)置在元件襯底的一個表面或兩個面上的纖維體113是采用有機(jī)化合物或 無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維而夠成的織造布或無紡布，并且完全覆蓋整個元件襯 底。作為高強(qiáng)度纖維，典型的是拉伸彈性模量高的纖維。或者是楊氏模量高的 纖維。作為高強(qiáng)度纖維的典型例子，有聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚酰胺 類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚酰胺類纖維、聚對亞苯基苯并雙噁唑纖維、玻璃纖維、或碳素纖維。作為玻璃纖維可以采用使用了E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。另外，纖維體113也可以由一種上述高強(qiáng)度纖維來形成。另外，還可以由多種上述高強(qiáng)度纖維來形成。另外，纖維體113還可以由織造布或無紡布構(gòu)成，該織造布是在經(jīng)線及緯 線使用纖維(單股線)束(以下稱為線束)而編織構(gòu)成的，該無紡布是使多種纖維的 線束在任意或一個方向上堆積而構(gòu)成的。若是織造布，可以適當(dāng)?shù)厥褂闷郊y織 布、斜紋織布、緞紋織布等。線束的截面可以是圓形的，也可以是橢圓形的。作為線束，還可以采用通 過高壓水流、以液體為介質(zhì)的高頻振蕩、連續(xù)超聲波振動、以及利用滾筒的推 壓等而經(jīng)過開纖加工后的線束。經(jīng)過開纖加工后的線束變寬，并且可以減少在 厚度方向上的單股線數(shù)目，而使線束的截面成為橢圓形或平板狀。另外，因?yàn)?使用弱捻紗線作為線束，所以容易將線束扁平化，而使線束的截面形狀成為橢 圓形或平板狀。像這樣，通過使用其截面是橢圓形或平板狀的線束，可以使纖 維體113的厚度變薄。因此，可以使密封層120的厚度變薄，從而可以制造薄型 的半導(dǎo)體裝置。當(dāng)線束寬度為4nm以上且400u m以下，甚至為4 w m以上且200 Pm以下的條件下確認(rèn)了本發(fā)明的效果，并且在原理上可以進(jìn)一步減小寬度。 另外，當(dāng)線束厚度為4P m以上且20iim以下的條件下確認(rèn)了本發(fā)明的效果，并 且在原理上可以進(jìn)一步減小厚度，這些取決于纖維的材料。在本說明書的附圖中，表示纖維體113是使用截面為橢圓形的線束經(jīng)過平 紋編織后的織造布。另外，雖然MOS晶體管1060a、 1060b比纖維體113的線束 要大，但是也有MOS晶體管的大小比纖維體113的線束小的情況。圖8表示織造布的俯視圖，該織造布是在經(jīng)線及諱線上使用線束來編織纖 維體113而構(gòu)成的織物。如圖8(A)所示，纖維體113是編織隔開一定距離的經(jīng)線113a以及隔開一定距 離的緯線113b而構(gòu)成的。在這種纖維體中具有不存在經(jīng)線113a及諱線113b的區(qū) 域(稱為籃孔(baskethole)113c)。當(dāng)使用這種纖維體l B時，能夠提高有機(jī)樹脂浸 滲在纖維體中的比例，從而可以提高纖維體113及元件襯底的緊密性。另外，如圖8(B)所示，纖維體113也可以是經(jīng)線113a及緯線113b的密度較高、 且籃孔113c的比例較低的織造布。典型地，籃孔113c的大小最好小于局部推壓 的面積。典型地，最好是一邊長為0.01mm以上且0.2mm以下的矩形。若纖維體 113的籃孔113c的面積這樣小，則即使在利用前端很細(xì)的構(gòu)件(典型的為筆或鉛筆等的書寫工具)進(jìn)行推壓時，也可以用纖維體113整體吸收該壓力。另外，為了提高有機(jī)樹脂向線束內(nèi)部滲透的比例，還可以對線束進(jìn)行表面 處理。例如有為了使線束表面活性化的電暈放電處理、等離子體放電處理等。 另外，還有使用了硅氧烷耦合劑、鈦酸鹽耦合劑的表面處理。作為浸滲在纖維體113中、且密封元件襯底表面的有機(jī)樹脂114，可以使用 熱固化樹脂，該熱固化樹脂諸如環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、 雙馬來酰亞胺三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等?；蛘?，還可以使用熱可塑性樹脂，該 熱可塑性樹脂諸如聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂或氟樹脂等。另外，也可以使 用上述熱可塑性樹脂及上述熱固化樹脂中的多種。通過使用上述有機(jī)樹脂，可 以利用熱處理將纖維體固定在元件襯底上。另外，有機(jī)樹脂114的玻璃轉(zhuǎn)移溫 度越高，越不容易由于受到局部推壓而損壞，因而比較好。另外，密封層120的厚度為10iim以上且100iim以下較好，最好為10um 以上且30txm以下。通過使用具有這種厚度的密封層，可以制造薄型且能夠彎 曲的半導(dǎo)體裝置。也可以使高導(dǎo)熱填料在有機(jī)樹脂114或線束中分散。作為高導(dǎo)熱填料有氮 化鋁、氮化硼、氮化硅、礬土等。另外，作為高導(dǎo)熱填料有如銀、銅等的金屬 粒子。由于在有機(jī)樹脂或線束中包含導(dǎo)電填料，而容易將在元件襯底中產(chǎn)生的 熱向外部放出，所以可以抑制半導(dǎo)體裝置的蓄熱，并且可以降低半導(dǎo)體裝置的 損壞。另外，在圖1(D)中，形成在元件襯底1051上的密封層120a的纖維體的經(jīng)線 或緯線的方向、與密封層120b的纖維體的經(jīng)線或緯線的方向可以偏差在30度以 上且60度以下，最好偏差在40度以上且50度以下。在這種情況下，由于設(shè)置在 元件襯底正反面上的纖維體的拉伸方向在正反面上是不同的，所以當(dāng)受到局部 推壓時的拉伸方向是各向同性的。因此，可以進(jìn)一步地減少由于局部推壓而引 起的損壞。在此，使用圖2來表示本實(shí)施形態(tài)所示的半導(dǎo)體裝置所具有的效果。 如圖2(A)所示，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置40中，使用粘接劑42a、 42b并由薄膜43a、 43b來密封包括利用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底41。向這種半導(dǎo)體裝置施加局部推壓44。結(jié)果，如圖2(B)所示，構(gòu)成元件襯底41的層、粘接劑42a、 42b、薄膜43a、43b分別延伸，在推壓部上產(chǎn)生曲率半徑較小的彎曲。結(jié)果，構(gòu)成元件襯底41的半導(dǎo)體元件、布線等發(fā)生龜裂，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置損壞。然而，如圖2(C)所示，在本實(shí)施形態(tài)所示的半導(dǎo)體裝置1050中，在元件襯 底1051的一個表面或兩個表面上設(shè)置由包含有機(jī)樹脂的纖維體所構(gòu)成的密封層。形成纖維體的纖維的拉伸彈性模量高或楊氏模量高。因此，即使受到點(diǎn)壓或線壓等局部推壓44，纖維也不會延伸，所推壓的力會分散到纖維體整體，因 而半導(dǎo)體裝置整體彎曲。結(jié)果，即使受到局部推壓，半導(dǎo)體裝置中所產(chǎn)生的彎 曲會成為比曲率半徑大的彎曲，則構(gòu)成元件襯底1051的半導(dǎo)體元件、布線等不 會發(fā)生龜裂，并且能夠減少半導(dǎo)體裝置的損壞。另外，通過將元件襯底1051的厚度變薄，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。由此， 可以增大元件襯底1051的面積，并且使制造半導(dǎo)體裝置的工序變得容易。另外， 當(dāng)該半導(dǎo)體裝置是內(nèi)部安裝有天線的RFID的情況時，可以增加天線的大小。因 此，可以制造通信距離較長的RFID。接著，下面來表示使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的 結(jié)構(gòu)。圖l(A)所示的MOS晶體管1060a由半導(dǎo)體襯底1052、柵極絕緣層1055a、柵 極1056a構(gòu)成。另外，MOS晶體管1060b由p井區(qū)1053、柵極絕緣層1055b、柵電 極1056b構(gòu)成。當(dāng)半導(dǎo)體襯底1052是n型的情況時，形成注入了p型雜質(zhì)的p井區(qū) 1053。作為p型雜質(zhì)，例如使用硼，并且以5xlO"cn^至lxlO"cm^左右的濃度 來添加。通過形成p井區(qū)1053，可以在該區(qū)域中形成n溝道型晶體管。另外，添 加在p井區(qū)1053中的p型雜質(zhì)具有控制MOS晶體管的閾值電壓的作用。形成在半 導(dǎo)體襯底1052及p井區(qū)1053上的溝道形成區(qū)是在與柵電極1056a、 1056b大致一致 的區(qū)域中形成的，并且位于半導(dǎo)體襯底1052、形成在p井區(qū)1053中的低濃度雜 質(zhì)區(qū)1054d、 1054e、或者一對雜質(zhì)區(qū)域1054a、 1054b之間。另外，可以使用p 型半導(dǎo)體襯底來形成半導(dǎo)體襯底1052，并且將p井區(qū)1053作為添加了n型雜質(zhì)的 n井區(qū)。一對雜質(zhì)區(qū)1054a、 1054b是在MOS晶體管中作為源極及漏極來起作用的區(qū) 域。通過大約以l X 1019原子/01113至1 X 10"原子/cmS的濃度分別添加n型雜質(zhì)即磷 或砷、以及p型雜質(zhì)的硼來形成一對雜質(zhì)區(qū)1054a、 1054b。在柵極1056al056b的側(cè)壁上形成間隔物1057a、 1057b，從而獲得在其端部 防止漏電流的效果。另外，利用該間隔物1057a、 1057b，能夠在柵極1056a、 1056b 的溝道長度方向上的兩端的下方形成低濃度雜質(zhì)區(qū)1054d、 1054e。該低濃度雜質(zhì)區(qū)1054d、 1054e作為低濃度漏極(LDD)來起作用。雖然低濃度雜質(zhì)區(qū)1054d、 1054e不是必需要的結(jié)構(gòu)，但是，通過設(shè)置該區(qū)域，可以緩和漏極端部的電場， 并且可以抑制MOS晶體管的惡化?？梢酝ㄟ^進(jìn)行熱處理使半導(dǎo)體襯底1052的表面氧化并利用氧化硅膜來形 成柵極絕緣層1055a、 1055b。另外，在通過熱氧化法形成氧化硅膜之后，通過 進(jìn)行氮化處理使氧化硅膜的表面氮化，通過這樣，能夠利用氧化硅膜以及含有 氧和氮的膜(氧氮化硅膜)的疊層結(jié)構(gòu)形成柵極絕緣層1055a、 1055b。柵極絕緣 層1055a、 1055b由厚度為5nm至50nm的氧化硅及氧氮化硅等的無機(jī)絕緣物來形 成。另外，作為柵極絕緣層1055a、 1055b，可以形成高介電常數(shù)物質(zhì)(也稱為high-k 材料)即鉭氧化物、氧化鉿、氧化鉿硅酸鹽、氧化鋯、氧化鋁、氧化鈦等的金屬 氧化物，或者氧化鑭等的稀土氧化物。柵極1056a、 1056b最好由從鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈮 (Nb)等之中所選擇的金屬，或者以這些金屬為主要成分的合金材料或化合物材 料來形成。另外，還可以采用添加了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅。另外，也可以利 用由一層或多層的金屬氮化物層和上述金屬層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)來形成該柵極。 作為金屬氮化物，可以使用氮化鎢、氮化鉬、或氮化鈦。通過設(shè)置金屬氮化物 層，可以提高形成在金屬氮化物層上的金屬層的緊密性，并且防止金屬層的剝 離。絕緣層1059起到使MOS晶體管和作為布線的導(dǎo)電層絕緣的層間絕緣層的 作用。通過CVD法或?yàn)R射法等，能夠以包含如氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化 硅膜、氮氧化硅膜等的氧或氮的絕緣層；包含如DLC(類金剛石碳)等的碳層； 由環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸等的有機(jī)材料 或者硅氧烷樹脂等的硅氧垸材料所構(gòu)成的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)，從而形成絕緣層 1059。導(dǎo)電層1061、 1062作為布線、電線插頭等起作用。通過CVD法或?yàn)R射法等， 使用從鋁(A1)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金 (Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)之中所選的元素、或者以這些 元素為主要成分的合金材料或化合物，并以單層或疊層的方式來形成導(dǎo)電層 1061、 1062。以鋁為主要成分的合金材料相當(dāng)于例如以鋁為主要成分且含有鎳 的材料、或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一方或雙方的合金材料。作為 導(dǎo)電層1061、 1062，例如可以采用阻擋膜、鋁硅膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)、或者阻擋膜、鋁硅膜、氮化鈦膜和阻擋膜的疊層結(jié)構(gòu)。另外，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、 鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物所組成的薄膜。因?yàn)殇X或者鋁硅具有電阻置較低、并且價格低廉的特性，所以作為形成導(dǎo)電層1061、 1062的材料是最合適的。此外，當(dāng)在上層和下層設(shè)置阻擋膜時，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外， 當(dāng)形成由高還原性的元素即鈦所構(gòu)成的阻擋膜時，即使可以在半導(dǎo)體襯底上得 到較薄的自然氧化膜，通過還原該自然氧化膜，可以獲得與半導(dǎo)體襯底的良好 接觸。另外，也可以在導(dǎo)電層1062、絕緣層1059上形成作為保護(hù)薄膜起作用的絕 緣層1063。絕緣層1063是由氮化硅、氮氧化硅、氮化碳、DLC等來形成的。通 過設(shè)置作為保護(hù)薄膜起作用的絕緣層1063，可以抑制水分從外部浸入MOS晶體 管中，并且可以提高M(jìn)OS晶體管以及半導(dǎo)體裝置的電特性的可靠性。另外，也可以在絕緣層1063上形成一組或多組的導(dǎo)電層以及與該導(dǎo)電層絕 緣的絕緣層，從而作為多層結(jié)構(gòu)。通過采用多層結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)高集成化。在 這種情況下，作為與導(dǎo)電層絕緣的絕緣層，最好使用SiOF、 SiOC、 DLC、多孔 二氧化硅等的介電常數(shù)大約為4以下的低介電常數(shù)材料來形成。另外，介電常 數(shù)為4以下的低介電常數(shù)材料也被稱為low-k材料，并且使用low-k材料所制成的 薄膜也被稱為low-k膜。這樣，通過使用low-k材料來形成絕緣層，可以降低布 線之間的電容，并且可以降低耗電量。圖l(B)所示的存儲元件1072是由p井區(qū)1053、溝道氧化層1055c、浮動?xùn)艠O 1073、控制絕緣層1074、控制柵極1056c而構(gòu)成的非易失性存儲元件。作為溝道氧化層1055c，可以通過減壓CVD法、等離子體CVD法、熱氧化 法等形成lnm至10nm厚、最好為lnm至5nm厚的氧化硅的單層或氧化硅和氮化 硅的疊層結(jié)構(gòu)。另外，可以通過利用等離子體處理使半導(dǎo)體層氧化或氮化，從 而形成溝道氧化層。而且，還可以通過等離子體處理將利用等離子體CVD法所 形成的氧化硅氧化或氮化。通過進(jìn)行該等離子體處理所形成的絕緣層很細(xì)致且 絕緣耐壓高，并且可靠性很高。浮動?xùn)艠O1073可以由導(dǎo)電層、聚硅層、硅點(diǎn)等來形成。另外，還可以使用 由氮化硅、氮化鍺等所形成的電荷存儲層來替代浮動?xùn)艠O。作為控制柵極1074，通過減壓CVD法或等離子體CVD法等形成氧化硅、氮 化硅、氧氮化硅、氧化鋁等的一層或多層。以lnm至20nm的厚度，最好以5nm 至10nm的厚度來形成第二絕緣層22。通過使用液滴噴射法(噴墨法、分配器法等)噴射含有諸如銀(Ag)、金(Au)、 銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、以及鈦(Ti)等之中的任一種 及多種的金屬粒子的液滴或糊劑并進(jìn)行干燥和焙燒來形成圖1(C)所示的天線 83。通過使用液滴噴射法形成天線，可以減少工序數(shù)目，從而可以減少成本。另外，還可以使用絲網(wǎng)印刷法來形成天線83。在使用絲網(wǎng)印刷法的情況下， 作為天線83的材料選擇性地印刷將顆粒直徑為幾nm至幾十u m的導(dǎo)電粒子溶 解或分散在有機(jī)樹脂中而形成的導(dǎo)電糊劑。作為導(dǎo)電粒子，可以使用從銀(Ag)、 金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)和鈦(Ti)等之中選擇 的任一種及多種的金屬粒子、鹵化銀的微粒，或分散性的納米粒子。此外，作 為包含在導(dǎo)電糊劑中的有機(jī)樹脂，可以使用從作為金屬粒子的結(jié)合劑、溶劑、 分散劑或涂敷材起作用的有機(jī)樹脂中的一種或多種。典型地，可以舉出如環(huán)氧 樹脂和硅酮樹脂等的有機(jī)樹脂。此外，當(dāng)形成導(dǎo)電層時，最好在擠出導(dǎo)電糊劑 之后再進(jìn)行焙燒。另外，天線83除了絲網(wǎng)印刷法以外，還可以使用凹版印刷等來形成，并且 可以使用電鍍法、濺射法等并由導(dǎo)電性材料來形成。另外，應(yīng)用電磁耦合方式或者電磁感應(yīng)方式(例如，13.56MHz頻帶)作為 RFID的信號的傳送方式。在利用由于磁場密度的變化而引起的電磁感應(yīng)的情況 下，可以將天線的俯視形狀形成為環(huán)形(例如，環(huán)形天線)或者螺旋形(例如，螺 旋天線)。此外，也可以應(yīng)用微波方式(例如UHF頻帶(860MHz至960MHz頻帶)、 2.45GHz頻帶等)作為RFID的信號傳送方式。在這種情況下，可以考慮用于信號 傳送的電磁波的波長，從而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定天線的形狀如長度等。圖9(A)至9(D)表示能夠應(yīng)用微波方式的RFID的天線83的一個例子。例如， 可以將天線的俯視形狀形成為直線形(例如，偶極天線(參照圖9A))、平坦的形 狀(例如貼片天線(參照圖9B))、或者條帶形(參照圖9C、 9D)等。此外，作為天 線起作用的導(dǎo)電層的形狀并不僅限于直線形，考慮到電磁波的波長，還可以以 曲線形 狀、蛇行形狀或者其組合的形狀設(shè)置。在以下實(shí)施形態(tài)中，以RFID作為半導(dǎo)體裝置的一個例子來舉例說明本實(shí)施 形態(tài)中所表示的半導(dǎo)體裝置的制造方法。(實(shí)施方式2)在本實(shí)施形態(tài)中，使用圖3來表示高成品率地制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該半導(dǎo)體裝置即使受到來自外部的局部性壓力也不容易損壞。如圖3(A)所示，形成包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底1102及天線112。接著，在元件襯底1102及天線112上設(shè)置將有 機(jī)樹脂浸滲在纖維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體115。另外，作為元件襯底1102的厚度， 一般為lum以上且80nm以下，為1 p m以上且50 u m以下較好，為lum以上且 20tim以下更好，為lum以上且10y m以下更好，最好為liim以上且5y m以下。 通過設(shè)定這種厚度，可以制造能夠彎曲的半導(dǎo)體裝置。在此，作為使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的典型例 子，表示實(shí)施方式l中所示的使用單晶半導(dǎo)體襯底而形成的MOS晶體管1060a、 1060b。另外，作為包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元 件襯底1102,表示MOS晶體管1060a、 1060b;覆蓋MOS晶體管1060a、 1060b的 絕緣層106;通過絕緣層106與MOS晶體管1060a的半導(dǎo)體襯底及MOS晶體管 1060b的p井區(qū)1053的源區(qū)和漏區(qū)連接的布線108、 109;覆蓋布線108、 109以及 絕緣層106的絕緣層111。另外，在元件襯底1102上形成通過絕緣層111與布線 109連接的天線112。絕緣層106作為使MOS晶體管和布線絕緣的層間絕緣層起作用。絕緣層106 是通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等并且使用無機(jī)化合物以單 層或多層形式而形成的。作為無機(jī)化合物的典型例子，有氧化硅、氮化硅、氧 氮化硅、氮氧化硅等。另外，雖然這里采用了絕緣層106的單層結(jié)構(gòu)，但可以 采用疊層形式。這里，作為絕緣層106，通過涂敷法涂敷用有機(jī)溶劑稀釋環(huán)氧 樹脂后而得到的組合物、再進(jìn)行干燥和焙燒來形成絕緣層106。布線108、 109可以與實(shí)施形態(tài)1所示的導(dǎo)電層1061、 1062同樣地來形成。 在此，按順序?qū)盈B形成鈦層、鋁層、以及鈦層，然后使用通過光刻工序所形成 的抗蝕劑掩模而選擇性地進(jìn)行刻蝕，從而形成布線108、 109。也可以在布線108、 109上設(shè)置氮化硅、氮氧化硅、類金剛石碳、氮化碳等 的保護(hù)層。通過設(shè)置保護(hù)層，可以抑制水分從外部進(jìn)入MOS晶體管中，并且可 以提高M(jìn)OS晶體管及半導(dǎo)體裝置的電特性的可靠性。絕緣層111通過采用與絕緣層106相同的形成方法及材料來形成。另外，絕 緣層lll是之后形成的天線的基底層。因此，絕緣層lll的表面最好是平坦的。 因此，絕緣層lll最好是通過涂敷用有機(jī)溶劑稀釋有機(jī)樹脂后而得到的組合物、再進(jìn)行干燥和焙燒來形成。另外，通過采用稀釋感光樹脂而得到的組合物來形 成絕緣層lll，由于工序數(shù)目比采用通過現(xiàn)有的光刻工序所形成的抗蝕劑掩模 來進(jìn)行刻蝕的工序要少，因此提高了成品率。在此，涂敷用有機(jī)溶劑稀釋感光 聚酰亞胺樹脂而得到的組合物、并使它干燥，使用光掩模進(jìn)行曝光，然后去除 未固化部分并進(jìn)行焙燒，從而形成絕緣層lll。天線112是采用與實(shí)施形態(tài)1所示的天線83相同的形成方法及材料來形成 的。在此，在通過濺射法形成鋁層之后，使用通過光刻工序所形成的抗蝕劑掩 模且選擇性地進(jìn)行刻蝕，從而形成天線112。另外，元件襯底1102最好是通過除去反面部的一部分而被薄膜化的。作為部分地除去反面部的方法，有物理研磨及化學(xué)除去。物理研磨是當(dāng)在半導(dǎo)體襯 底的表面(形成半導(dǎo)體元件的一側(cè))貼合保護(hù)膠帶之后，機(jī)械磨削半導(dǎo)體襯底的反面，并且通過化學(xué)機(jī)械研磨來研磨反面的方法。另外，化學(xué)除去包括使用 SF6、 CF4等的氣體的干刻蝕；使用氟酸.硝酸.醋酸混合液或氫氧化鉀水溶液的干刻蝕。典型地，元件襯底1102的厚度一般為lum以上且80um以下，為1 u m 以上且50um以下較好，為lum以上且20iAm以下更好，為1 ix m以上且10 w m 以下更好，最好為lum以上且5um以下?；蛘?，也可以剝離半導(dǎo)體襯底的一 部分而將其薄膜化，從而形成元件襯底1102。接著，在天線112上設(shè)置將有機(jī)樹脂114浸滲在纖維體113中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu) 體115。這種結(jié)構(gòu)體115也被稱為預(yù)浸漬體。具體地說預(yù)浸漬體是在將用有機(jī) 溶劑稀釋矩陣樹脂而得到的組合物浸滲在纖維體中之后，通過進(jìn)行干燥使有機(jī) 溶劑揮發(fā)，從而使矩陣樹脂半固化而構(gòu)成的。結(jié)構(gòu)體115的厚度為10y m以上且 100um以下較好，最好為10Pm以上且30y m以下。通過使用這種厚度的結(jié)構(gòu) 體，可以制造薄型且能夠彎曲的半導(dǎo)體裝置。接著，加熱并壓接結(jié)構(gòu)體115，并使結(jié)構(gòu)體115的有機(jī)樹脂114可塑化或固 化。另外，在有機(jī)樹脂114是可塑性有機(jī)樹脂的情況下，通過此后冷卻至室溫 來使可塑化后的有機(jī)樹脂固化。通過加熱及壓合，有機(jī)樹脂114均勻地遍布元件襯底1102及天線112的表面 并使其固化。結(jié)果，如圖3(B)所示，有機(jī)樹脂114成為浸滲在纖維體113中并且 固定在元件襯底1102和天線112的一個表面上的有機(jī)樹脂121。另外，固定在元 件襯底1102和天線112的一個表面上的有機(jī)樹脂121，以及纖維體113與實(shí)施形 態(tài)1同樣地表示密封層120。在大氣壓下或減壓下進(jìn)行壓接結(jié)構(gòu)體115的工序。如上所示，可以制造半導(dǎo)體裝置。另外，還可以在半導(dǎo)體襯底101 —側(cè)也 形成密封層。在這種情況下，與圖1(A)同樣地在半導(dǎo)體襯底101上設(shè)置結(jié)構(gòu)體， 加熱并壓接結(jié)構(gòu)體，從而使結(jié)構(gòu)體的有機(jī)樹脂可塑化或固化。在有機(jī)樹脂具有 可塑性的情況下，通過此后冷卻至室溫也使可塑化后的有機(jī)樹脂固化。結(jié)果，如圖3(C)所示，可以形成由纖維體113和浸滲在纖維體113中的有機(jī)樹脂121所構(gòu) 成的密封層125。換而言之，可以制造在元件襯底1102的兩面上設(shè)置有密封層 120、 125的半導(dǎo)體裝置。另外，在元件襯底1102中包括多個半導(dǎo)體裝置的情況下，還可以將元件襯 底1102和密封層斷開，從而切出多個半導(dǎo)體裝置。通過進(jìn)行這種工序可以制造 多個半導(dǎo)體裝置。當(dāng)進(jìn)行斷開時，可以通過切割、劃線、使用具有如剪刀或小 刀等刃具的裁切機(jī)，或者激光切割法等選擇性地進(jìn)行斷開。在本實(shí)施形態(tài)所示的半導(dǎo)體裝置中，用有機(jī)樹脂將包括使用單晶半導(dǎo)體襯 底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底、以及纖維體固定在一起。由于 纖維體將局部推壓所產(chǎn)生的壓力分散在整個纖維上，所以不容易受到局部性的 壓力。因此，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的布線和半導(dǎo)體元件不會延伸，而且半導(dǎo)體裝置 不容易損壞。另外，因?yàn)樵谠r底上固定由高強(qiáng)度纖維構(gòu)成的纖維體，所以 元件襯底在剝離工序中也不容易延伸。換而言之，可以抑制形成在元件襯底上 的半導(dǎo)體元件和布線等延伸。因此，可以提高成品率。另外，通過將元件襯底的厚度變薄，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，可以 增大元件襯底的面積。由此，制造半導(dǎo)體裝置的工序變得容易。另外，在該半 導(dǎo)體裝置是內(nèi)部安裝有天線的RFID的情況下，可以增大天線的尺寸。因此，可 以制造通信距離較長的RFID。(實(shí)施方式3)在本實(shí)施形態(tài)中，使用圖4來說明比實(shí)施形態(tài)2更不容易損壞的半導(dǎo)體裝置 的制造方法。如圖4(A)所示，與實(shí)施形態(tài)l一樣，形成包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯 底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底1102及天線112。接著，在元件襯底1102及 天線112上設(shè)置結(jié)構(gòu)體115，并且在結(jié)構(gòu)體115上設(shè)置保護(hù)薄膜131。保護(hù)薄膜131最好由高強(qiáng)度材料來形成。作為高強(qiáng)度材料的典型例子，有 聚乙烯醇類樹脂、聚酯類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚乙烯類樹脂、芳族聚酰胺 類樹脂、聚對亞苯基苯并雙噁唑樹脂、玻璃樹脂等。通過用高強(qiáng)度材料來形成保護(hù)薄膜131，與實(shí)施形態(tài)2相比，可以進(jìn)一步抑 制由于受到局部推壓而導(dǎo)致的損壞。具體而言，當(dāng)結(jié)構(gòu)體115的纖維體113中沒 有分布經(jīng)線及諱線的籃孔的面積大于受到局部壓力的面積時，若對籃孔局部地施加負(fù)荷，則不能用結(jié)構(gòu)體115的纖維體113來吸收該壓力，從而導(dǎo)致直接地施 加在元件襯底1102及天線112上。結(jié)果，元件襯底1102及天線112發(fā)生延伸，并 且半導(dǎo)體元件或布線發(fā)生損壞。然而，通過在結(jié)構(gòu)體115上設(shè)置由高強(qiáng)度材料所形成的保護(hù)薄膜131，由于 保護(hù)薄膜131整體吸收局部性的負(fù)荷，所以成為由于受到局部推壓而導(dǎo)致的損 壞較少的半導(dǎo)體裝置。接著，如圖4(B)所示，與實(shí)施形態(tài)2—樣，加熱并壓接結(jié)構(gòu)體115來形成密 封層120。另外，有機(jī)樹脂121將保護(hù)薄膜131固定在元件襯底1102及天線112上。 換而言之，密封層120將纖維體113及保護(hù)薄膜131固定在元件襯底1102及天線 112上。另外，將包含在密封層120中的有機(jī)樹脂121浸滲在纖維體113中。然后，如圖4(C)所示，在元件襯底1102的半導(dǎo)體襯底101上設(shè)置結(jié)構(gòu)體，在 結(jié)構(gòu)體上設(shè)置保護(hù)薄膜，進(jìn)行加熱并壓接，從而利用密封層125將保護(hù)薄膜141 固定在元件襯底1102上。另外，在圖4(A)中，在保護(hù)薄膜131是熱可塑性材料的情況下，也可以在元 件襯底1102及天線112與結(jié)構(gòu)體115之間設(shè)置保護(hù)薄膜薄131，并進(jìn)行加熱和壓 接。另外，在圖4(C)中，在保護(hù)薄膜141是熱可塑性材料的情況下，也可以在半 導(dǎo)體襯底101和密封層125之間設(shè)置保護(hù)薄膜141，并進(jìn)行加熱和壓接。在該結(jié) 構(gòu)中，也可以利用保護(hù)薄膜及密封層的纖維體來分散因受到局部推壓而承受的 負(fù)荷，從而能夠減少損壞。另外，當(dāng)元件襯底1102包括多個半導(dǎo)體裝置時，還可以將元件襯底1102及 密封層斷開，從而切出多個半導(dǎo)體裝置。通過進(jìn)行這種工序可以制造多個半導(dǎo) 體裝置。如上所述，可以制造由于受到局部推壓而導(dǎo)致的損壞較少的半導(dǎo)體裝置。 (實(shí)施方式4)在本實(shí)施形態(tài)中，使用圖5及圖6來說明一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中 在該半導(dǎo)體裝置中，在元件襯底不形成天線，并且將設(shè)置在其它的襯底上的天 線與元件襯底連接。如圖5(A)所示，與實(shí)施形態(tài)2相同，形成包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底1151。接著在元件襯底1151上設(shè)置將有機(jī)樹 脂114浸滲在纖維體113中而得到的結(jié)構(gòu)體。在此，作為元件襯底1151，如實(shí)施形態(tài)l所示，在半導(dǎo)體襯底101上形成MOS 晶體管1060a、 1060b。在MOS晶體管1060a、 1060b上形成絕緣層106，并且形 成通過絕緣層106與MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)連接的布線108、 109。在布線108、 布線109和絕緣層106上形成絕緣層111，并且形成通過絕緣層111與布線109連 接的電極盤152。接著，與實(shí)施形態(tài)l相同，對設(shè)置在元件襯底1151上的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行加熱并 壓接，從而在元件襯底1151的一個表面上形成由有機(jī)樹脂121和纖維體113所構(gòu) 成的密封層120。接著，除去密封層120的一部分，使電極盤152的一部分露出。在此，如圖 5(A)中的箭頭所示那樣，激光束從密封層120—側(cè)向電極盤152照射以除去密封 層120的一部分。另外，除了該方法以外，還可以使用一般的光刻工序除去密 封層120的一部分以使電極盤152的一部分露出。接著，如圖5(B)所示，在密封層120的開口部上形成連接端子161。連接端 子161能夠通過印刷法、液滴噴射法等來形成。作為連接端子161的材料，可以 使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、以及鈦(Ti)等中的任一種及多種的金屬粒子；鹵化銀的微粒子；或分散納米粒子。然后，如圖5(C)所示，使用粘接劑174將固定在元件襯底1151上的密封層120 和形成有天線172的襯底171粘接在一起。此時，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑173 將形成在元件襯底1151上的連接端子161和天線172電連接起來。作為各向異性導(dǎo)電粘接劑173，是包含分散了的導(dǎo)電粒子(顆粒直徑為幾nm 至幾十"m)的粘接樹脂，可以舉出環(huán)氧樹脂、酚酸樹脂等。另外，導(dǎo)電粒子由 從金、銀、銅、鈀、鎳、碳、和鉑中所選的一種元素或多種元素來形成。另外， 也可以是具有這些元素的多層結(jié)構(gòu)的粒子。而且，還可以采用在由樹脂形成的 粒子的表面上，形成有由從金、銀、銅、鈀、鎳和鉑中所選的一種元素或多種 元素所形成的薄膜的導(dǎo)電粒子。再者，還可以使用CNT(碳納米管)作為導(dǎo)電粒 子。作為天線172，可以適當(dāng)?shù)夭捎门c實(shí)施形態(tài)1所示的天線83相同的材料及形成方法。作為形成有天線172的襯底171，可以使用薄膜狀的塑料襯底，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯 (PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、 聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等。接著，如圖6(A)所示，與實(shí)施形態(tài)l相同，在半導(dǎo)體襯底101的表面上設(shè)置 結(jié)構(gòu)體，加熱并壓接以在半導(dǎo)體襯底101上形成密封層125。接著，如圖6(B)所示，也可以設(shè)置薄膜175，從而將形成有天線172的襯底 171、密封層120、元件襯底1151、以及密封層125密封起來。作為薄膜，可以 使用與形成有天線172的襯底171相同的薄膜。雖然在上述形態(tài)中表示了具有天線172的襯底171僅與元件襯底1151的一 個表面粘接的半導(dǎo)體裝置，但是也可以在元件襯底1151的兩個面上分別粘接形 成有天線的襯底。下面使用圖7來說明其形態(tài)。作為元件襯底1181，如實(shí)施形態(tài)l所示，在半導(dǎo)體襯底101上形成MOS晶體 管1060a、 1060b。在MOS晶體管1060a、 1060b上形成絕緣層106，并且形成通 過絕緣層106與MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)連接的布線108、 109。在布線108、 109 和絕緣層106上形成絕緣層111，并且形成通過絕緣層111與布線109連接的電極 盤152及導(dǎo)電層153。接著，在半導(dǎo)體襯底101、絕緣層106、絕緣層lll上形成貫通孔，并且在 貫通孔的表面上形成貫通電極183。另外，貫通電極183與導(dǎo)電層153接觸。另 外，利用絕緣層184使貫通電極183和半導(dǎo)體襯底101絕緣。然后，在該元件襯底1181的一個表面上，通過與圖5(A)及(B)相同的工序來 形成連接端子161。接著，通過與圖5(C)相同的工序，并利用粘接劑174將形成 有天線172的襯底171和設(shè)置在元件襯底1181的一個表面上的密封層120粘接起 來。此時，使用各向異性導(dǎo)電粘接劑173將形成在元件襯底1181上的連接端子 161和天線172電連接起來。另外，在元件襯底1181的另一個表面上設(shè)置密封層 125。接著，當(dāng)在元件襯底1181的半導(dǎo)體襯底101上設(shè)置結(jié)構(gòu)體之后，進(jìn)行加熱 和壓接以形成密封層125。然后，為了形成與貫通電極183連接的連接端子，在 密封層125的一部分上形成開口部。在此，從密封層125—側(cè)向貫通電極183照 射激光束185來形成開口部，從而使貫通電極183的一部分露出。接著，如圖7(B)所示，形成連接端子186，以填充開口部。連接端子186可 以用與連接端子161同樣的方式來形成。接著，如圖7(C)所示，使用粘接劑194將密封層125和形成有天線192的襯底 191粘接在一起，并且使用各向異性導(dǎo)電粘接劑193將連接端子186和天線192電連接起來。通過上述工序，可以制造在元件襯底的兩面設(shè)置有天線的半導(dǎo)體裝置。當(dāng) 將這種結(jié)構(gòu)可以接收UHF頻帶的電波的RFID那樣應(yīng)用于具有對稱結(jié)構(gòu)的天線 的半導(dǎo)體裝置中時，因?yàn)榭梢詼p少半導(dǎo)體裝置的大小，所以比較好。另外，當(dāng)在元件襯底1151、 1181中包括多個半導(dǎo)體裝置時，還可以將元件 襯底1151、 1181、以及密封層斷開，從而切出多個半導(dǎo)體裝置。通過這種工序 可以制造多個半導(dǎo)體裝置。在本實(shí)施形態(tài)所示的半導(dǎo)體裝置中，用有機(jī)樹脂將包括使用單晶半導(dǎo)體襯 底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底、以及纖維體固定在一起。由于 纖維體將由于局部推壓所產(chǎn)生的壓力分散到纖維整體上，所以不容易受到局部 性的壓力。因此，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的布線和半導(dǎo)體元件不會延伸，而且半導(dǎo)體 裝置不容易損壞。另外，由于在元件襯底上固定有由高強(qiáng)度纖維所構(gòu)成的纖維 體，所以元件襯底在剝離工序中也不容易延伸。換而言之，可以抑制形成在元 件襯底中的半導(dǎo)體元件和布線等發(fā)生延伸。因此，可以提高成品率。另外，通過將元件襯底的厚度變薄，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，可以 增大元件襯底的面積。因此，當(dāng)將外部天線與元件襯底連接時，可以增大連接 面積，并且可以容易進(jìn)行制造半導(dǎo)體裝置的工序。另外，當(dāng)該半導(dǎo)體裝置是內(nèi) 部安裝有天線的RFID時，可以增加天線的大小。因此，可以制造通信距離較長 的RFID。(實(shí)施方式5)在本實(shí)施形態(tài)中，用圖10來說明一種半導(dǎo)體裝置，在該半導(dǎo)體裝置中，實(shí) 施方式l至4所示的包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的 元件襯底與印刷襯底連接。圖10(A)表示本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置250的立體圖。在半導(dǎo)體裝置250中， 在柔性印刷襯底上設(shè)置有實(shí)施方式1至4中所示的包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或 SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底。例如，在由聚酯、聚酰亞胺等形成 的基極膜251上，設(shè)置有由銅、金、銀、鋁等形成的布線252。另外，在布線252 上通過絕緣層來設(shè)置實(shí)施方式l至4中所示的包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯 底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底，以及密封層的疊層體253a、 253b。另外，布線252及疊層體253a、 253b通過形成在密封層的接觸孔中的連接端子來連接。 用保護(hù)薄膜254來覆蓋基極薄膜251、布線252、以及疊層體253a、 253b。另外， 在半導(dǎo)體裝置250的端部，切除保護(hù)薄膜254的一部分，從而使連接器等的外部 電路和布線252露出。通過密封層將元件襯底設(shè)置在布線上并且進(jìn)行加熱和壓接，通過這樣可以 將元件襯底固定在布線及基極薄膜上。另外，雖然在這里表示了具有一層布線252的半導(dǎo)體裝置，但還可以替代 一層而采用多層布線結(jié)構(gòu)。另外，也可以使用多個布線來夾住疊層體253a、253b。 通過將布線設(shè)置為多層，可以提高安裝密度。圖10(B)表示本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體裝置260的截面圖。在半導(dǎo)體裝置260中， 在印刷襯底上設(shè)置有實(shí)施方式l至4中所示的包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯 底所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底。例如，在核心層261的一個表面上設(shè)置有 實(shí)施方式l至4中所示的包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底形成的半導(dǎo)體元件 的元件襯底262。另外，用貫通密封層263的通路孔264將核心層261，和實(shí)施方 式l至4中所示的在包括使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的 元件襯底262上所具有的半導(dǎo)體元件或布線連接起來。另外，在元件襯底262上設(shè)置組合層265。形成在核心層261、元件襯底262 中的半導(dǎo)體元件及布線等，通過形成在組合層265的有機(jī)樹脂層266中的通路孔 267，與形成在半導(dǎo)體裝置260表面上的導(dǎo)體圖形268連接。另外，在核心層261的另一個表面上設(shè)置有組合層269。另外，也可以使用導(dǎo)電糊劑或引線等安裝構(gòu)件272將電容器、線圈、電阻 器、二極管等的芯片271安裝在半導(dǎo)體裝置260上。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，在印刷襯底上具有包括使用單晶半導(dǎo)體 襯底或SOI襯底所形成的半導(dǎo)體元件的層。另外，利用使用了纖維體而構(gòu)成的 預(yù)浸漬體來將元件襯底設(shè)置在印刷襯底中。因此，因?yàn)橛美w維體來分散壓力， 所以即使受到局部推壓(點(diǎn)壓、線壓等)也可以減少由于安裝工序和彎曲而導(dǎo)致 的損壞。另外，可以實(shí)現(xiàn)高集成化。(實(shí)施方式6)在本實(shí)施形態(tài)中表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)以及應(yīng)用例子。在此，作 為半導(dǎo)體裝置的典型例子，對于RFID及存儲裝置進(jìn)行說明。首先，對于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的一種即RFID501的電路結(jié)構(gòu)例進(jìn)行說明。圖11表示RFID501的方框電路圖。圖11的RFID 501的規(guī)格以國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的ISO 15693為基準(zhǔn)，是附近型 RFID，且其通信信號頻率為13.56MHz。另外，接收只對應(yīng)于讀取數(shù)據(jù)的指令， 而發(fā)送的數(shù)據(jù)傳送速率大約為13kHz，并且數(shù)據(jù)編碼形式為曼徹斯特代碼。RFID 501的電路部412大致是由電源部460和信號處理部461構(gòu)成的。電源 部460具有整流電路462和保持電容器463。另外，還可以在電源部460中設(shè)置當(dāng) 從天線411接收到的功率過多時用于保護(hù)內(nèi)部電路的保護(hù)電路部(也稱為限制電 路部)，和用來控制是否使保護(hù)電路部工作的保護(hù)電路控制電路部。通過設(shè)置該 電路部，可以防止在RFID與通信器之間的通信距離極短等的情況下、由于RFID 接收大功率而產(chǎn)生的不良情況，而且可以提高RFID的可靠性。換而言之，可以 使RFID正常地工作，而不導(dǎo)致RFID內(nèi)部的元件退化以及RFID本身的損壞。另外，在此，最好具有利用無線通信方式使通信器與RFID進(jìn)行信息收發(fā)的 單元，例如舉出讀取信息的讀取器、具有讀取功能及寫入功能的讀取/寫入器等。 另外，還包括具有讀取功能和寫入功能中的一種或兩種的手機(jī)或計(jì)算機(jī)等。整流電路462對用天線411所接收到的載波進(jìn)行整流，從而產(chǎn)生直流電壓。 保持電容器463使由整流電路462所產(chǎn)生的直流電壓平滑。將在電源部460中所 產(chǎn)生的直流電壓作為電源電壓，并且提供給信號處理部461的各電路。信號處理部461具有解調(diào)電路464、時鐘產(chǎn)生/校正電路465、識別/判斷電 路466、存儲控制器467、掩模ROM 468、編碼電路469、以及調(diào)制電路470。解調(diào)電路464是對天線所接收到的信號進(jìn)行解調(diào)的電路。將解調(diào)電路464所 解調(diào)的接收信號輸入到時鐘產(chǎn)生/校正電路465和識別/判斷電路466中。時鐘產(chǎn)生/校正電路465具有產(chǎn)生信號處理部461的工作所需的時鐘信號、 并對該時鐘信號進(jìn)行校正的功能。例如，時鐘產(chǎn)生/校正電路465具有電壓控制 振蕩電路(以下稱為VCO(電壓控制振蕩器)電路)，將VCO電路的輸出作為反饋 信號并與所提供的信號的相位進(jìn)行比較，并利用負(fù)反饋來調(diào)節(jié)輸出信號，從而 使所提供的信號和反饋信號成為一定的相位。識別/判斷電路466識別并判斷命令碼。識別/判斷電路466所識別并判斷的 命令碼是幀結(jié)束信號(EOF、幀結(jié)束)、幀開始信號(SOF、幀開始)、標(biāo)記、指令 碼、掩模長度(mask length)、掩模值(mask value)等。另外，識別/判斷電路466 還具有識別發(fā)送錯誤的循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC、 cyclic redundancy check)的功能。存儲控制器467根據(jù)用識別/判斷電路466所處理的信號，從掩模ROM 468中讀取數(shù)據(jù)。另外，掩模ROM468存儲有ID等。通過安裝掩模ROM 468，構(gòu)成 不能復(fù)制和竄改的讀取專用的RFID501。可以通過將這種讀取專用的RFID 501 抄入紙中，從而能夠提供防止偽造的紙。編碼電路469對存儲控制器467從掩模ROM 468中所讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。 編碼后的數(shù)據(jù)用調(diào)制電路470進(jìn)行調(diào)制。將用調(diào)制電路470所調(diào)制的數(shù)據(jù)作為載 波從天線411發(fā)送出去。接著，表示RFID的使用例子。本發(fā)明的RFID可以用于任何紙介質(zhì)以及薄 膜介質(zhì)中。特別地，本發(fā)明的RFID可以用于要求防止偽造的任何紙介質(zhì)中。例 如為紙幣、戶籍副本、居民卡、護(hù)照、駕駛執(zhí)照、身份證、會員證、鑒定書、 診察券、月票、票據(jù)、支票、貨票、提單、倉庫證券、股票、債券、商品券、 券、抵押證券等。另外，由于通過實(shí)施本發(fā)明可以使紙介質(zhì)及薄膜介質(zhì)具有紙介質(zhì)上視覺所 示的信息以外的很多信息，因此，通過將本發(fā)明的RFID應(yīng)用到商品簽條等中， 可以實(shí)現(xiàn)商品管理的電子系統(tǒng)化或者防止商品的盜竊。以下，使用圖12來說明 與本發(fā)明相關(guān)的紙的使用例子。圖12(A)是使用了抄有本發(fā)明的RFID 501的紙的無記名債券類511的一個 例子。雖然無記名債券類511包括郵票、票、券、入場券、商品券、書籍券、 文具券、啤酒券、米券、各種禮物券、各種服務(wù)券等，然而當(dāng)然不局限于這些。 另外，圖12(B)是使用了抄有與本發(fā)明相關(guān)的RFID501的紙的證書類512(例如， 居民卡或戶籍副本)的一個例子。圖12(C)是將本發(fā)明的RFID應(yīng)用到簽條的一個例子。在簽條襯紙(剝離 紙)513上，用抄有RFID501的紙來形成簽條(ID封條)514。簽條514被收納在容器 515內(nèi)。在簽條514上印刷有與該商品或服務(wù)相關(guān)的信息(商品名、牌子、商標(biāo)、 商標(biāo)權(quán)人、銷售人、制造人等)。而且，由于在RFID501中存儲有該商品(或商品 的種類)所固有ID號碼，因此可以容易地發(fā)現(xiàn)偽造、侵犯知識產(chǎn)權(quán)如商標(biāo)權(quán)及專 利權(quán)等、不正當(dāng)競爭等的違法行為。可以預(yù)先向RFID501內(nèi)輸入在商品的容器 或標(biāo)簽上記不完的大量信息，例如，商品的產(chǎn)地、銷售地、品質(zhì)、原材料、功 能、用途、數(shù)量、形狀、價格、生產(chǎn)方法、使用方法、生產(chǎn)日期、使用日期、 食品保質(zhì)期限、使用指南、與商品相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)信息等。因此，客商和消費(fèi) 者可以使用簡單的通信器來獲取這些信息。另外，其結(jié)構(gòu)是生產(chǎn)者可以容易 地重寫及擦除等，而客商和消費(fèi)者不能重寫及消除等的結(jié)構(gòu)。圖12(D)表示由抄有RFID501的紙或薄膜所構(gòu)成的標(biāo)簽516。通過使用抄有 RFID501的紙或薄膜所制造的標(biāo)簽516，可以制造比使用了塑料框體的現(xiàn)有的ID 標(biāo)簽更低廉的標(biāo)簽。圖12(E)是將本發(fā)明的RFID用于封面的書籍517，其封面上 抄有RFID501。在商品上附加安裝有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個例子即RFID的簽條514或 標(biāo)簽516，通過這樣可以容易地管理商品。例如，在商品被盜竊時，可以通過 跟蹤商品的路徑而迅速找出犯人。如此，通過將本發(fā)明的RFID作為ID標(biāo)簽，可 以進(jìn)行商品的履歷管理或跟蹤查詢，例如履歷管理包括該商品的原材料和原產(chǎn) 地、制造及加工、流通、出售等。換而言之，可以實(shí)現(xiàn)商品可追溯性(traceability)。 另外，通過使用本發(fā)明，可以以比傳統(tǒng)更低的成本來實(shí)現(xiàn)商品的可追溯性管理 系統(tǒng)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個例子即RFID不容易由于受到局部推壓而 損壞。因此，當(dāng)對具有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個例子即RFID的紙介質(zhì)及薄膜 介質(zhì)進(jìn)行貼合和設(shè)置等處理時，可以使其彎曲，從而提高處理效率。另外，由 于可以用書寫工具在具有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個例子即RFID的紙介質(zhì)及 薄膜介質(zhì)上寫入信息，所以其用途很廣泛。接著，下面表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個形態(tài)即存儲裝置的結(jié)構(gòu)。在此， 使用非易失性存儲裝置來作為存儲裝置的典型例子進(jìn)行描述。圖13表示非易失性半導(dǎo)體存儲裝置的電路框圖的一個例子。在非易失性半 導(dǎo)體存儲裝置中，在相同的元件襯底上形成存儲器單元陣列552和外圍電路 554。存儲器單元陣列552具有如實(shí)施形態(tài)1所示的非易失性存儲元件。外圍電 路554的結(jié)構(gòu)如下所述。在存儲器單元陣列552的周圍設(shè)置用于選擇字線的行譯碼器562，和用于 選擇位線的列譯碼器564。地址通過地址緩沖器556傳送到控制電路558中，并 且內(nèi)部行地址信號及內(nèi)部列地址信號分別轉(zhuǎn)送到行譯碼器562及列譯碼器564 中。當(dāng)進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入以及擦除時，使用使電源電位升壓后的電位。因此，設(shè) 置利用控制電路558并根據(jù)工作模式而進(jìn)行控制的升壓電路560。升壓電路560 的輸出通過行譯碼器562或列譯碼器564提供到字線或位線中。從列譯碼器564 中所輸出的數(shù)據(jù)輸入到讀出放大器566中。由讀出放大器566所讀取的數(shù)據(jù)保存 在數(shù)據(jù)緩沖器568中，然后利用來自控制電路558的控制對數(shù)據(jù)進(jìn)行隨機(jī)存取，并且通過數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器570進(jìn)行輸出。寫入數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)輸入/輸出緩沖器570暫時保存在數(shù)據(jù)緩沖器568中，而且利用控制電路558的控制，將其轉(zhuǎn)送 到列譯碼器564中。 (實(shí)施方式7)在本實(shí)施形態(tài)中，下面表示使用了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置后的電子設(shè)備。作為應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，可以舉出攝像機(jī)或數(shù)字照相機(jī) 等影像拍攝裝置、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置(汽 車立體聲、音響組件等)、計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動計(jì)算機(jī)、手 機(jī)、便攜式游戲機(jī)或電子書籍等)、具有記錄媒質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體地說， 能夠播放記錄媒質(zhì)比如DVD(數(shù)字通用光盤)等并且具有能夠顯示其圖像的顯示 器的裝置)等。在圖14中表示這些電子設(shè)備的具體例子。圖14(A)和(B)表示一種數(shù)碼相機(jī)。圖14(B)為表示圖14(A)的背面的圖。該 數(shù)字照相機(jī)包括框體2111、顯示部2112、鏡頭2113、操作鍵2114、以及快門按 鈕2115等。在框體2U1內(nèi)部安裝有具有存儲裝置、MPU、圖像傳感器等的功 能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2116。此外，圖14(C)表示一種手機(jī)，它是移動終端的一個典型例子。該手機(jī)包括 框體2121、顯示部2122、以及操作鍵2123等。另外，在該手機(jī)的內(nèi)部還安裝有 具有存儲裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2125。此外，圖14(D)表示一種數(shù)字音響設(shè)備，它是音頻裝置的一個典型例子。圖 14(D)所示的數(shù)字音響設(shè)備包括主體2130;顯示部2131;具有存儲裝置、MPU、 圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2132;操作部2133;以及耳機(jī)2134 等°另外，圖14(E)表示電子書籍(也稱為電子紙)。該電子書籍包括主體2141;顯示部2142;操作鍵2143;以及具有存儲裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的 本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2144。另外，可以在主體2141的內(nèi)部安裝調(diào)制解調(diào)器，也 可以構(gòu)成能夠以無線方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用范圍很廣泛，可以應(yīng)用于其他電子 設(shè)備中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體元件；以及包括纖維體和有機(jī)樹脂且其厚度為10μm以上且100μm以下的密封層，所述纖維體浸滲有所述有機(jī)樹脂，其中，所述密封層至少固定在所述半導(dǎo)體元件的一個表面上。
2. 如權(quán)利要求l中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述纖維體是織物和無紡織物中的一種。
3. 如權(quán)利要求l中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述有機(jī)樹脂包含熱固化樹脂和熱可塑性樹脂中的一種。
4. 如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熱固化樹脂是環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰 亞胺三嗪樹脂和氰酸酯樹脂中的一種。
5. 如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述熱可塑性樹脂是聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂和氟樹脂中的一種。
6. 如權(quán)利要求l中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種 或多種。
7. 如權(quán)利要求l中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括位于所述半導(dǎo)體元件和所述密封層之間的天線，且所述天線與所述 半導(dǎo)體元件電連接。
8. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括包括有源元件和絕緣層且其厚度為ln m以上且80iim以下的元件襯底，所 述有源元件由單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種來形成，并且用所述絕緣層覆蓋所述有源元件；以及包括纖維體和有機(jī)樹脂且其厚度為10iim以上且100um以下的密封層，并且所述纖維體中浸滲有所述有機(jī)樹脂，其中，所述密封層至少固定在所述元件襯底的一個表面上。
9. 如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述纖維體是織物和無紡織物中的一種。
10. 如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述有機(jī)樹脂包含熱固化樹脂和熱可塑性樹脂中的一種。
11. 如權(quán)利要求10中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熱固化樹脂是環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰 亞胺三嗪樹脂和氰酸酯樹脂中的一種。
12. 如權(quán)利要求10中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熱可塑性樹脂是聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂和氟樹脂中的一種。
13. 如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種 或多種。
14. 如權(quán)利要求8中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括位于所述元件襯底和所述密封層之間的天線，且所述天線與所述元 件襯底的有源元件電連接。
15. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 包括包括有源元件和絕緣層且其厚度為lPm以上且80y m以下的元件襯底，所 述有源元件由單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種來形成，并且用所述絕緣層 覆蓋所述有源元件；以及包括纖維體和有機(jī)樹脂且其厚度為10iim以上且100y m以下的密封層，并 且所述纖維體中浸滲有所述有機(jī)樹脂且具有各由多個單線束所形成的多個經(jīng) 線及多個緯線，其中，所述密封層至少固定在所述元件襯底的一個表面上。
16. 如權(quán)利要求15中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述纖維體是織物和無紡織物中的一種。
17. 如權(quán)利要求15中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個經(jīng)線之間的距離和所述多個緯線之間的距離分別是在0.01mm以 上且0.2mm以下。
18. 如權(quán)利要求15中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述有機(jī)樹脂包含熱固化樹脂和熱可塑性樹脂中的一種。
19. 如權(quán)利要求18中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熱固化樹脂是環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰 亞胺三嗪樹脂和氰酸酯樹脂中的任一種。
20. 如權(quán)利要求18中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述熱可塑性樹脂是聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂和氟樹脂中的一種。
21. 如權(quán)利要求15中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種 或多種。
22. 如權(quán)利要求15中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括位于所述元件襯底和所述密封層之間的天線，且所述天線與所述元 件襯底的有源元件電連接。
23. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底；在所述半導(dǎo)體元件上設(shè)置將有機(jī)樹脂浸滲在纖維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體；以及進(jìn)行加熱并壓接，以在所述半導(dǎo)體元件上形成包含所述纖維體、以及浸滲 在所述纖維體中的有機(jī)樹脂的密封層。
24. 如權(quán)利要求23中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 其中所述半導(dǎo)體元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
25. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底，該元件襯底包括使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種所形成的有源元件、以及覆蓋所述有源元件的絕緣層；在所述元件襯底上設(shè)置將有機(jī)樹脂浸滲在纖維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體；以及 進(jìn)行加熱并壓接，以在所述元件襯底上形成包含所述纖維體、以及浸滲在所述纖維體中的有機(jī)樹脂的密封層。
26. 如權(quán)利要求25中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種所形成的所述有源元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
27. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底，該元件襯底包括使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種 所形成的有源元件、以及覆蓋所述有源元件的絕緣層；在所述元件襯底的一個表面上，設(shè)置將第一有機(jī)樹脂浸滲在第一纖維體中 而構(gòu)成的第一結(jié)構(gòu)體；進(jìn)行加熱并壓接，以在所述元件襯底的所述一個表面上形成包含所述第一 纖維體、以及浸滲在所述第一纖維體中的所述第一有機(jī)樹脂的第一密封層；在所述元件襯底的另一個表面上，設(shè)置將第二有機(jī)樹脂浸滲在第二纖維體 中而構(gòu)成的第二結(jié)構(gòu)體；以及進(jìn)行加熱并壓接，在所述元件襯底的另一個表面上形成包含所述第二纖維 體、以及浸滲在所述第二纖維體中的所述第二有機(jī)樹脂的第二密封層。
28. 如權(quán)利要求27中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種所形成的所述有源元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
29. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底，該元件襯底包括使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種 所形成的有源元件、覆蓋所述有源元件的絕緣層、以及布線；在所述元件襯底上設(shè)置將有機(jī)樹脂浸滲在纖維體中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體； 進(jìn)行加熱并壓接，以在所述元件襯底上形成包含所述纖維體、以及浸滲在 所述纖維體中的有機(jī)樹脂的密封層；去除所述密封層的一部分以形成與所述布線連接的連接端子；以及 將包括天線的襯底貼合到所述密封層上，從而將所述連接端子和所述天線 電連接起來。
30. 如權(quán)利要求29中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種所形成的所述有源元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
31. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底，該元件襯底包括使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種 所形成的有源元件、覆蓋所述有源元件的絕緣層、以及布線；在所述元件襯底的一個表面上設(shè)置將第一有機(jī)樹脂浸滲在第一纖維體中 而構(gòu)成的第一結(jié)構(gòu)體；進(jìn)行加熱并壓接，以在所述元件襯底的所述一個表面上形成包含所述第一 纖維體、以及浸滲在所述第一纖維體中的所述第一有機(jī)樹脂的第一密封層；去除所述第一密封層的一部分以形成與所述布線連接的連接端子；將包括天線的襯底貼合到所述第一密封層上，從而將所述連接端子和所述 天線電連接起來；在所述元件襯底的另一個表面上設(shè)置將第二有機(jī)樹脂浸滲在第二纖維體 中而構(gòu)成的第二結(jié)構(gòu)體；以及進(jìn)行加熱并壓接，在所述元件襯底的另一個表面上形成包含所述第二纖維 體、以及浸滲在所述第二纖維體中的所述第二有機(jī)樹脂的第二密封層。
32. 如權(quán)利要求31中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底中的一種所形成的所述有源元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
33. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括如下工序形成元件襯底，該元件襯底包括使用單晶半導(dǎo)體襯底和SOI襯底中的一種 所形成的有源元件、覆蓋所述有源元件的絕緣層、第一布線、以及第二布線；在所述元件襯底的一個表面上設(shè)置將第一有機(jī)樹脂浸滲在第一纖維體中 而構(gòu)成的第一結(jié)構(gòu)體；進(jìn)行加熱并壓接，以在所述元件襯底的所述一個表面上形成包含所述第一 纖維體、以及浸滲在所述第一纖維體中的第一有機(jī)樹脂的第一密封層；去除所述第一密封層的一部分以形成與所述第一布線連接的第一連接端子；將包括第一天線的第一襯底貼合到所述第一密封層上，從而將所述第一連 接端子和所述第一天線電連接起來；在所述元件襯底的另一個表面上設(shè)置將第二有機(jī)樹脂浸滲在第二纖維體 中而構(gòu)成的第二結(jié)構(gòu)體；進(jìn)行加熱并壓接，在所述元件襯底的另一個表面上形成包含所述第二纖維體、以及浸滲在所述第二纖維體中的所述第二有機(jī)樹脂的第二密封層；去除所述第二密封層的一部分以形成與所述第二布線連接的第二連接端 子；以及將包括第二天線的第二襯底貼合到所述第二密封層上，從而將所述第二連 接端子和所述第二天線電連接起來。
34.如權(quán)利要求33中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 使用單晶半導(dǎo)體襯底或SOI襯底中的一種所形成的所述有源元件是MOS晶體管、非易失性存儲元件、以及二極管中的一種或多種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種即使在從外部受到局部施加的壓力時也不容易損壞的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。另外，本發(fā)明還提供高成品率地制造即使受到來自外部的局部推壓也不損壞的可靠性高的半導(dǎo)體裝置的方法。在包括使用單晶半導(dǎo)體區(qū)域所形成的半導(dǎo)體元件的元件襯底上，設(shè)置將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體，并且進(jìn)行加熱和壓接，從而制造固定有將有機(jī)樹脂浸滲在有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維中而構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體、以及元件襯底的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號H01L21/56GK101266954SQ20081008642
公開日2008年9月17日 申請日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月13日
發(fā)明者大谷久, 杉山榮二, 道前芳隆, 鶴目卓也 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所