專利名稱：像素電路、顯示設(shè)備以及顯示設(shè)備的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括諸如有機(jī)EL (電致發(fā)光)發(fā)光裝置的〗象素電 背景技術(shù)例如，諸如液晶顯示單元的圖像顯示設(shè)備通過(guò)響應(yīng)于將一皮顯示 的圖像信息控制大量以矩陣形式排列的像素中每一個(gè)的光的強(qiáng)度 來(lái)顯示圖像。這相似地應(yīng)用于有才幾EL顯示單元等。然而，有才幾EL顯示單 元是每個(gè)像素電路都包括發(fā)光裝置的自發(fā)光型顯示單元，與液晶顯 示單元相比，優(yōu)點(diǎn)在于圖像的視覺(jué)確定度高、不需要背光、響應(yīng)速度高等。有才幾EL顯示單元與液晶顯示單元等的不同還在于，其包4舌發(fā) 光裝置的亮度由施加給其的電流值來(lái)控制以獲得顯色灰度的電流 控制型的發(fā)光裝置。類似于液晶顯示i殳備，單純(simple)矩陣型-驅(qū)動(dòng)方式和有源 矩陣型驅(qū)動(dòng)方式可用作有才幾EL顯示器的驅(qū)動(dòng)方式。雖然前一種方 式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但由于其具有難以實(shí)現(xiàn)大尺寸和高清晰度的顯示i殳備 的問(wèn)題，所以正在積極進(jìn)行后一種有源矩陣型驅(qū)動(dòng)方式的開(kāi)發(fā)。在 有源矩陣型驅(qū)動(dòng)方式中，通常通過(guò)薄膜晶體管(TFT)來(lái)控制流過(guò) 設(shè)置在每個(gè)像素電路中的發(fā)光裝置的電流。圖1示出了典型的有^LEL顯示設(shè)備的一般結(jié)構(gòu)。參考圖1，所示顯示設(shè)備1包括以mxn矩陣排列像素電路 (PXLC) 2a的像素陣列部2、水平選擇器(HSEL) 3、寫(xiě)掃描器 (WSCN ) 4、被水平選擇器3選擇以提供有根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)線或數(shù)據(jù)線SGL1 ~ SGLn、以及被寫(xiě)掃描器4選4奪性驅(qū)動(dòng)的掃描線WSL1 ~ WSLm。注意，水平選4奪器3和/或?qū)憭呙杵?有時(shí)形成在多晶石圭上或者 在j象素周?chē)蒑OSIC等形成。圖2示出了圖1所示^f象素電^各2a的結(jié)構(gòu)實(shí)例。例如，在美國(guó) 專利第5,684,365號(hào)或日本專利公開(kāi)第Hei 8-234683號(hào)中公開(kāi)了圖2 所示的^象素電^各2a。圖2的像素電路2a具有大量已經(jīng)提議的電路中最簡(jiǎn)單的電路 結(jié)構(gòu)，并且是兩個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng)型的電路。參考圖2,像素電路2a包括p溝道薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下文中 簡(jiǎn)稱為T(mén)FT) 11和另一個(gè)TFT12、電容器Cll、以及作為發(fā)光裝置 的有機(jī)EL發(fā)光裝置(下文中簡(jiǎn)稱為OLED) 13。圖2中還示出了 信號(hào)線SGL和掃描線WSL。由于有機(jī)EL發(fā)光裝置在大多數(shù)情況下都具有整流特性，所以 有時(shí)稱為OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)，并在圖2等中使用二才及管的 符號(hào)來(lái)表示。然而，在下面的描述中，對(duì)OLED來(lái)i兌，整流凈爭(zhēng)'1"生不是必須的。在圖2中，TFT 11的源極連接至電源電位Vcc,并且OLED 13 的陰極連接至地電位GND。圖2所示的像素電路2a以以下方式操作。步驟ST1:如果掃描線WSL ^皮置于選4奪狀態(tài)，則在這種情況下，掃描線 WSL被置于低電平狀態(tài)，并將寫(xiě)電位Vdata施加給信號(hào)線SGL,然 后使TFT12導(dǎo)通，從而使電容器Cll充電或放電，并且TFT11的 沖冊(cè)才及電位等于寫(xiě)電位Vdata。步-驟ST2:如果掃描線WSL ^皮置于非選4奪狀態(tài)，則在這種情況下，掃描 線WSL被置于高電平狀態(tài)，然后信號(hào)線SGL和TFT ll彼此電斷 開(kāi)。然而，TFT 11的柵極電位通過(guò)電容器Cll而維持恒定。步驟ST3:流過(guò)TFT 11和OLED 13的電流達(dá)到具有對(duì)應(yīng)于TFT 11的棚-極 -源極電壓Vgs的值，OLED 13繼續(xù)以對(duì)應(yīng)于電流值的亮度的發(fā)光。如上述步驟ST1,選擇掃描線WSL以將提供給數(shù)據(jù)線的亮度 信息傳輸?shù)较袼貎?nèi)部的操作在下文中稱為"寫(xiě)"。如上所述，在圖2的^f象素電^各2a中，如果才丸4亍了一次寫(xiě)電位 的寫(xiě)入，則OLED 13持續(xù)在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)射具有固定亮度的光， 直到隨后執(zhí)4亍OLED 13的重寫(xiě)。如上所述，在〗象素電路2a中，通過(guò)改變用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 11的4冊(cè)才及施加電壓來(lái)控制流過(guò)OLED 13的電流值。在這種情況下，p溝道驅(qū)動(dòng)晶體管的源才及連接至電源電位Vcc, 且TFT 11通常在飽和區(qū)中運(yùn)行。因此，TFT 11用作4是供4艮據(jù)下面 的表達(dá)式(1)所確定的電流值的恒定電流源Ids = 1/2.|1 ( W/L ) Cox ( Vgs - |Vth|) 2 . (1)其中，p是載流子的遷移率，Cox是每單位面積的柵極電容，W是 柵極寬度，L是柵極長(zhǎng)度，Vgs是TFT 11的柵極-源極電壓，以及 Vth是TFT 11的閾4直。在單純矩陣顯示設(shè)備中，每個(gè)發(fā)光裝置都在^皮選擇的瞬間發(fā) 光。相反，在有源矩陣型圖像顯示設(shè)備中，每個(gè)發(fā)光裝置都在上述 寫(xiě)入結(jié)束之后繼續(xù)發(fā)光。因此，與單純矩陣型圖形顯示i殳備相比， 有源矩陣型圖像顯示i殳備的優(yōu)勢(shì)在于尤其對(duì)于大尺寸和高分辨率 的顯示設(shè)備來(lái)說(shuō)可以降低每個(gè)發(fā)光裝置的峰值亮度和峰值電流。圖3示出了有機(jī)EL發(fā)光裝置的電流-電壓(I-V)特性的長(zhǎng)期 變化。參考圖3,實(shí)線所示的曲線表示初始狀態(tài)的特性，虛線所示 的另一條曲線表示長(zhǎng)期變化后的特性。通常，從圖3可以看出，有才幾EL發(fā)光裝置的I-V特性隨著時(shí) 間的經(jīng)過(guò)而劣4匕。然而，根據(jù)圖2所示的2晶體管驅(qū)動(dòng)電路，由于使用了固定電 流驅(qū)動(dòng)，所以如上所述，固定電流持續(xù)流動(dòng)，即使有機(jī)EL發(fā)光裝 置的I-V特性劣化，其發(fā)光亮度也不隨時(shí)間的經(jīng)過(guò)而劣化。順便提及，雖然圖2所示的像素電路2a由p溝道TFT組成， 但如果n溝道TFT可用于像素電路2a，則可將過(guò)去的非晶硅(a-Si) 處理用在TFT的制造中。這使得可以以降低的成本生產(chǎn)TFT基板。現(xiàn)在，描述使用n溝道TFT構(gòu)成的基本像素電路。圖4示出了由n溝道TFT ^/齊圖2電^各的p溝道TFT的<象素 電路。參考圖4，所示的像素電路2b包括n溝道TFT21和22、電容 器C21以及用作發(fā)光裝置的有才幾發(fā)光裝置(OLED) 23。圖4中還 示出了信號(hào)線SGL和掃描線WSL。在^f象素電^各2b中，用作馬區(qū)動(dòng)晶體管的TFT21的漏才及連4妄至電 源電位Vcc，并且其源才及連4妄至OLED 23的陽(yáng)才及，以形成源4及5艮隨 電路。圖5示出了處于初始狀態(tài)的用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT21和OLED 23的操作點(diǎn)。參考圖5,橫坐標(biāo)代表漏極-源極電壓Vds,縱坐標(biāo)表 示漏4及-源纟及電;克Ids 。從圖5可以看出，源極電壓取決于用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 21 和OLED23的操作點(diǎn)，并具有響應(yīng)于柵極電壓而改變的值。由于TFT 21在飽和區(qū)中被驅(qū)動(dòng)，所以提供了關(guān)于相對(duì)于操作 點(diǎn)處的源才及電壓的4冊(cè)才及-源才及電壓Vgs由上面纟會(huì)出的表達(dá)式(1 )的 方程式所提供的電流值的漏極-源極電流Ids。發(fā)明內(nèi)容上述像素電路是包括用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TF T 21 、用作開(kāi)關(guān)晶體 管的TFT22以及OLED23的最簡(jiǎn)單的電3各。然而，〗象素電^各有時(shí) 做出修改，使得將施加給電源線的電源信號(hào)通過(guò)兩個(gè)信號(hào)進(jìn)行切 換，并且提供給信號(hào)線的圖像信號(hào)也通過(guò)兩個(gè)信號(hào)進(jìn)行切換，以校 正閣值或遷移率?；蛘?，像素電路有時(shí)做出另一種修改，使得除與OLED串聯(lián)連 接的驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管之外，還設(shè)置了用于取消遷移率或閾 <直等的TFT。在每個(gè)以矩陣形式排列的像素中，將柵極脈沖信號(hào)施加給用作 開(kāi)關(guān)晶體管的TFT或通過(guò)配線相互分離i殳置的用來(lái)取消閾值或遷 移率的TFT的柵極。通過(guò)諸如設(shè)置在有源矩陣型有機(jī)EL顯示面板 的相對(duì)側(cè)或一側(cè)的寫(xiě)掃描器的垂直掃描器來(lái)產(chǎn)生4冊(cè)4及"永沖。在脈沖信號(hào)施加鄉(xiāng)合每個(gè)〗象素電路中的兩個(gè)或多個(gè)TFT的情況 下，將脈沖信號(hào)施加給TFT的定時(shí)很重要。然而，例如，從圖6可以看出，在將脈沖信號(hào)通過(guò)寫(xiě)掃描器末 級(jí)處的緩沖器40沿著配線41施加給像素電^各內(nèi)TFT形式的晶體管 的柵極的情況下，通過(guò)配線41的配線阻抗r和配線電容的影響而發(fā) 生脈沖延遲或瞬時(shí)變化。從而，在該定時(shí)處發(fā)生偏移，并且不》見(jiàn)則 地出現(xiàn)陰影或條紋。像素電路2a中晶體管的柵極的配線阻抗隨著與寫(xiě)掃描器距離 的i曾力口而i曾力口。下，在它們之間出現(xiàn)差別，這導(dǎo)致出現(xiàn)了亮度的不同。此外，由于遷移率校正周期從最佳遷移率校正周期發(fā)生偏離， 所以出現(xiàn)可能不能#^亍充分的寫(xiě)入以及不能充分才交正遷移率偏離 的像素，導(dǎo)致這樣的像素被觀察為條紋的弊端。此外，電源線的電壓下降有時(shí)會(huì)導(dǎo)致-清如陰影的偏差，導(dǎo)致出 現(xiàn)顯示圖像不規(guī)則或粗糙。所述問(wèn)題的影響隨著面— 反尺寸和分辨率的增加而增加。因此，需要設(shè)置可以抑制發(fā)生陰影、條紋偏差等使得可以獲得 高質(zhì)量圖像的像素電路和顯示設(shè)備。才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種4象素電^各，包括至少 一個(gè)晶體管，其導(dǎo)通狀態(tài)被由其控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所控制；以及驅(qū)動(dòng)配線，向其傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)，該晶體管的控制端連4妻至該驅(qū)動(dòng) 配線，驅(qū)動(dòng)配線連接至不同層中的配線，以形成多層配線。優(yōu)選地，4象素電路進(jìn)一步包括電源配線層；以及第一配線層， 在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與電源配線層不同的層中的信 號(hào)配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線形成在與電源配線層相同的層中 并連4妻至第一配線層，以形成多層配線。優(yōu)選地， <象素電^各進(jìn)一步包>^:電源配線層；第一配線層，在 層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與電源配線層不同的層中的信號(hào) 配線層相同的層中；以及第二配線層，第二配線層，在層的堆疊方 向上i殳置在與形成在與電源配線層和所述第一配線層不同的層中 的晶體管的控制端的配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線形成在與電源配線層相同的層中并連^妄至第一配線層和第二配線層，以形成多層配線。優(yōu)選地，像素電路進(jìn)一步包括電源配線層；以及第一配線層， 在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與電源配線層不同的層中的晶 體管的控制端的配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線層形成在與電源配 線層相同的層中并連4妻至第 一配線層，以形成多層配線。才艮據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，4是供了一種<象素電3各，包括電 源線，可向其施加4皮此不同的電壓；基準(zhǔn)電位；驅(qū)動(dòng)配線，向其傳 輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)；發(fā)光裝置，^皮配置為發(fā)射取決于流過(guò)其中的電流的亮 度的光；驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi)關(guān)晶體管，連接在信號(hào)線和該驅(qū)動(dòng)晶體管 的柵極之間，并將其柵極連接至驅(qū)動(dòng)配線， -使得通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)控 制其導(dǎo)通狀態(tài)；以及電容器，連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間， 該驅(qū)動(dòng)晶體管和該發(fā)光裝置串聯(lián)連接在電源線和基準(zhǔn)電位之間，驅(qū) 動(dòng)配線連4妻至不同層中的配線，以形成多層配線。優(yōu)選地，像素電路進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線 層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與電源線配線層不同的層中 的信號(hào)配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線形成在與電源線配線層相同 的層中并連4妾至第一配線層，以形成多層配線。優(yōu)選地，像素電路進(jìn)一步包括電源線配線層；第一配線層， 在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與電源線配線層不同的層中的 信號(hào)配線層相同的層中；以及第二配線層，在層的堆疊方向上i殳置 在與形成在與電源線配線層和第一配線層不同的層中的開(kāi)關(guān)晶體 管的柵極的配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線形成在與電源線配線層 相同的層中并連4妄至第一配線層和第二配線層，以形成多層配線。優(yōu)選地，像素電^各進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線 層，在層的堆疊方向上"^殳置在與形成在與電源線配線層不同的層中 的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極的配線層相同的層中，該驅(qū)動(dòng)配線形成在與電 源配線層相同的層中并連4妄至第 一配線層，以形成多層配線。優(yōu)選地，電容器被i殳置在電容器在層的堆疊方向上不與驅(qū)動(dòng)配 線重疊的偏移位置處。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，提供了一種顯示設(shè)備，包括多個(gè) 像素電路，以矩陣形式排列，每一個(gè)均包括至少一個(gè)晶體管，晶體 管的導(dǎo)通狀態(tài)被由其控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所控制；至少一個(gè)掃描 器，被配置為將驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至組成像素電路的晶體管的控制端； 以及至少 一條驅(qū)動(dòng)配線，共同連接至多個(gè)像素電路的晶體管的控制 端，并向其傳輸來(lái)自掃描器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)配線連接至不同層的 配線，以形成多層配線。才艮據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，4是供了一種顯示i殳備，包括多個(gè) 像素電路，以矩陣形式排列，每一個(gè)均包括開(kāi)關(guān)晶體管，開(kāi)關(guān)晶體 管的導(dǎo)通狀態(tài)被所接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制；至少一個(gè)掃描器，被配置 為將驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至形成像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極；至少一條 驅(qū)動(dòng)配線，共同連接至多個(gè)像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極，并向其 傳輸來(lái)自掃描器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及至少一條電源線，連接至像素電 路，可向其施加^皮此不同的電壓。像素電路分別具有發(fā)光裝置， 被配置為發(fā)射取決于流過(guò)其中的電流的亮度的光；驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi) 關(guān)晶體管，連4妄在信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵-才及之間，并將其柵-才及連 接至驅(qū)動(dòng)配線，使得通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)控制其導(dǎo)通狀態(tài)；以及電容器， 連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間，驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光裝置串聯(lián) 連4妄在電源線和基準(zhǔn)電位之間。驅(qū)動(dòng)配線連4妄至不同層中的配線， 以形成多層配線。根據(jù)本發(fā)明的再一 實(shí)施例，提供了 一種顯示設(shè)備的制造方法， 該顯示設(shè)備包括以矩陣形式排列的多個(gè)像素電路，每個(gè)像素電路均 包括至少 一個(gè)晶體管，通過(guò)其控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)控制該晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)；以及至少一個(gè)掃描器，被配置為將驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至 組成像素的晶體管。包括以下步驟對(duì)向其傳輸來(lái)自掃描器的驅(qū)動(dòng) 信號(hào)的驅(qū)動(dòng)配線進(jìn)行配線；以及將驅(qū)動(dòng)配線連接至不同層，以形成 多層配線。通過(guò)該4象素電^各、顯示設(shè)備以及該制造方法制造的顯示i殳備， 可以防止陰影和條紋不均tf等的出現(xiàn)，因此可以獲得高質(zhì)量的圖像。通過(guò)下面的描述以及所附的權(quán)利要求，結(jié)合相同部件或元件由 相同參考符號(hào)表示的附圖，本發(fā)明的上述或其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn) 將變得顯而易見(jiàn)，


圖1是示出典型有機(jī)EL顯示設(shè)備的一般結(jié)構(gòu)的框圖；圖2是示出圖1所示像素電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖；圖3是示出有機(jī)EL發(fā)光裝置的電流-電壓(I-V)特性長(zhǎng)期變 化的示圖；圖4是示出由n溝道TFT代替圖2所示電^各的p溝道TFT的 ^象素電^各的電^各圖；圖5是示出處于初始狀態(tài)的用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT和EL發(fā)光 裝置的操作點(diǎn)的示圖；圖6是示出配線阻抗所引起的缺點(diǎn)的電路圖；圖7是示出采用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的框圖；圖8是示出圖7的有機(jī)EL顯示設(shè)備的像素電路的具體結(jié)構(gòu)的 電路圖；圖9A ~圖9C是示出圖8的像素電路的基本操作的時(shí)序圖；圖10是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第一只于策實(shí)例的圖8的4象 素電3各局部的示意性平面圖和截面圖；圖ll是示出作為圖IO像素電路的比較實(shí)例的、電容器在層的 堆疊方向上與掃描線或柵4及線重疊的位置處進(jìn)4于i殳置的結(jié)構(gòu)的示 意性平面圖和截面圖；圖12是示出不應(yīng)用才艮據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的對(duì)策的情況下掃 描器或柵極線與TFT的柵極同層同材料的高阻抗配線所形成的像 素局部的平面圖；圖13A~圖13D是示出沒(méi)有應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的對(duì)策 的4象素電路在圖9所示定時(shí)處才喿作的月永沖劣化的時(shí)序圖；圖14A~圖14C是示出與圖9A-圖9C所示不同的圖8的^象素 電贈(zèng)4喿作的時(shí)序圖；圖15A 圖15D是示出沒(méi)有應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的對(duì)策 的^f象素電^各在圖14所示定時(shí)處才喿作的脈沖劣^(匕的時(shí)序圖；圖16A~圖16D是示出沒(méi)有應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的對(duì)策 的像素電路在圖14所示定時(shí)處操作的不同脈沖劣化的時(shí)序圖；圖17是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第二對(duì)策實(shí)例的圖8的傳_ 素電3各局部的示意性平面圖和截面圖；圖18是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第三對(duì)策實(shí)例的圖8的4象 素電^^局部的示意性平面圖和截面圖；圖19是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第四乂于策實(shí)例的圖8的傳_ 素電3各局部的示意截面圖；圖20是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第五對(duì)策實(shí)例的圖8的4象 素電3各局部的示意截面圖；圖21是作為圖20的像素電路的比較實(shí)例的、電源線設(shè)置在用 作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT上的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖；圖22是示出圖21的像素電路的等效電路的電路圖；圖23是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第六對(duì)策實(shí)例的圖8的^f象 素電3各局部的示意截面圖；圖24是作為圖23的像素電路的比較實(shí)例的、電源線設(shè)置在用 作開(kāi)關(guān)晶體管的TFT上的結(jié)構(gòu)的示意性截面圖；圖25是示出圖23的像素電路的等效電路的電路圖；圖26~圖30分別是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第七至第十一 對(duì)策實(shí)例的圖8的^象素電^各局部的示意性截面圖；圖31是示出可通過(guò)第十一個(gè)對(duì)策來(lái)確保EL發(fā)光裝置的大發(fā)光 區(qū)域或開(kāi)口的示意圖；圖32和圖33分別是示出沒(méi)有應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的任何對(duì)策而形 成陰^l線的^f象素局部的截面圖和平面圖；圖34A ~圖34E是示出圖8的像素電路的具體操作的時(shí)序圖；圖35是示出圖8的像素電路在發(fā)光周期內(nèi)的操作的電路圖；圖36是示出在電壓i殳置為電源電壓的情況下圖8的像素電3各 在非發(fā)光周期內(nèi)的操作的電路圖；圖37是示出輸入偏置信號(hào)的情況下圖8的像素電路的操作的 電路圖；圖38是示出在電壓設(shè)置為電源電壓的情況下圖8的像素電鴻-的操作的電路圖；圖39是示出圖8的像素電^各的操作，尤其是示出在電壓i殳置 為電源電壓的情況下驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓的專爭(zhēng)變的電3各圖；圖40是示出特別在數(shù)據(jù)信號(hào)被寫(xiě)入像素電路的狀態(tài)下的圖8 的^f象素電^各的才喿作的電^各圖；圖41是示出圖8的像素電路的操作，尤其示出了響應(yīng)于遷移 率的大小的驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電壓的轉(zhuǎn)變的電^各圖；圖42是示出尤其在發(fā)光狀態(tài)下圖8的像素電路的操作的電路圖；圖43是示出采用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)的框圖；圖44是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電路的具體結(jié)構(gòu)的 電3各圖；以及圖45A~圖45F是示出圖44的像素電路的基本操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施方式
圖7示出采用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL顯 示設(shè)備的結(jié)構(gòu)，圖8示出了該像素電路的具體結(jié)構(gòu)。參考圖7和圖8,所示的顯示設(shè)備100包括以m x n矩陣4非列 像素電路101的像素陣列部102、水平選擇器(HSEL) 103、寫(xiě)掃 描器(WSCN) 104、電源驅(qū)動(dòng)掃描器(PDSCN) 105、通過(guò)水平選 擇器103選擇并提供有根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig或偏置信號(hào) Vofs的車(chē)命入信號(hào)SIN的4言號(hào)線SGL101 ~ SGL10n、用作通過(guò)來(lái)自寫(xiě) 掃描器104的柵極脈沖或掃描脈沖GP來(lái)選4奪驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)配線的掃 描線WSL101 ~ WSL10m、以及用作從電源驅(qū)動(dòng)掃描器105施加選動(dòng)的驅(qū)動(dòng)配線的電源驅(qū)動(dòng)線PSL101 ~ PSL1 Om。注意，雖然這種像素電路101在像素陣列部102中以m x n矩 陣進(jìn)行排列，但為了簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)圖7示出了像素電路101以2 ( = m ) x3 ( =n)矩陣進(jìn)4亍排列的實(shí)例。此外，在圖8中，簡(jiǎn)單示出了一個(gè)像素電^各的具體結(jié)構(gòu)。參考圖8，根據(jù)本實(shí)施例的像素電路101包括用作驅(qū)動(dòng)晶體管 的n溝道TFTlll、用作開(kāi)關(guān)晶體管的另一個(gè)n溝道TFT112、電容器Clll、由有機(jī)EL發(fā)光裝置(OLED;光電裝置)形成的發(fā)光裝 置113,第一節(jié)點(diǎn)NDlll、以及第二節(jié)點(diǎn)ND112。在像素電^各101中，作為驅(qū)動(dòng)晶體管的n溝道TFT 111、第一 節(jié)點(diǎn)NDlll和發(fā)光裝置(OLED) 113串聯(lián)連4妄在電源驅(qū)動(dòng)線或電 源線PSL101 ~ PSL10m與諸如地電4立的基準(zhǔn)電壓Vcat之間。具體地，發(fā)光裝置113的陰極連接至基準(zhǔn)電壓Vcat，其陽(yáng)才及連 4妄至第一節(jié)點(diǎn)NDlll, TFT 111的源才及連4妄至第一節(jié)點(diǎn)NDlll，且 TFT 111的漏極連接至電源驅(qū)動(dòng)線PSL。;t匕外，TFT 111的才冊(cè)才及連4妻至第二節(jié)點(diǎn)ND112。電容器Clll的第一電極連接至第一節(jié)點(diǎn)NDlll，并且其第二 電才及連4妄至第二節(jié)點(diǎn)ND112。TFT 112的源極和漏4及分別連4妾至信號(hào)線SGL和第二節(jié)點(diǎn) ND112并在它們之間。TFT 112的柵4及連4妄至43描線WSL。以這種方式，在根據(jù)本實(shí)施例的像素電路101中，用作像素電 容器的電容器Clll連接在用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的柵一及與源 極之間。圖9A 圖9C示出了圖8的像素電路的基本操作。具體地，圖9A示出了施加給掃描線WSL的柵才及脈沖或掃描脈 沖GP;圖9B示出了施加給電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào)PSG;以 及圖9C示出了施加給信號(hào)線SGL的輸入信號(hào)SIN。為了使像素電路101的發(fā)光裝置113發(fā)光，如圖9A 圖9C所 示，將可以是例如負(fù)電壓的電源信號(hào)VSS施加給電源驅(qū)動(dòng)線PSL,同時(shí)偏置信號(hào)Vofs沿信號(hào)線SGL傳豸t并通過(guò)TFT 12豐餘入至第二節(jié) 點(diǎn)，隨后將對(duì)應(yīng)于電源電壓的電源信號(hào)VCC施加給電源驅(qū)動(dòng)線 PSL,以在非發(fā)光周期內(nèi)才交正TFT 111的閾值。此后，根據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig被施加給信號(hào)線SGL并 通過(guò)TFT 112寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)ND112。此時(shí)，由于在將電流施力口纟會(huì) TFT 111時(shí)才丸4亍寫(xiě)梯:作，所以同時(shí)并4亍地扭J亍遷移率沖交正。然后，TFT 112被置于非導(dǎo)通狀態(tài)，以使發(fā)光裝置113根據(jù)亮度信息發(fā)光。此外，在本實(shí)施例的顯示設(shè)備IOO中，為了消除由作為將驅(qū)動(dòng) 脈沖或柵極脈沖施加給像素電路101中的TFT (晶體管)的棚4及的條紋不均#f等和/或?yàn)榱讼芍T如電源線的電壓下降引起的陰影 的不均4軒而導(dǎo)致的圖^f象不均;斷或粗并造的發(fā)生，即，為了改善畫(huà)面質(zhì) 量等，做出下述的多種對(duì)策。圖10示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量等的第一對(duì)策實(shí)例，并示出了 像素電路局部的示意性平面圖和示意性截面圖。參考圖10，在第一對(duì)策實(shí)例中，與作為像素電路101的開(kāi)關(guān)晶 體管的TFT 112的柵極GT連接的掃描線或柵極線WSL被形成為與 由諸如鋁(Al)的低阻抗金屬材料形成的電源驅(qū)動(dòng)線或電源線PSL 同層同材料的配線。此外，由諸如鋁(Al)的低阻抗材料形成的信 號(hào)線SGL被形成為相對(duì)于掃描線WSL和電源線PSL的較低層，即， 未示出的基板上的層。此外，上層中的掃描線WSL和與作為相對(duì)于掃描線WSL處于 下層的信號(hào)線SGL的相同材料層的4氐阻抗配線層或第一配線層114通過(guò)SIN、 Si02等的形成在層間絕》彖月莫115中的4妄觸(contact) 116相互連4妄，以實(shí)J見(jiàn)兩級(jí)配線結(jié)構(gòu)。此外，在本第一對(duì)策實(shí)例中，電容器Clll設(shè)置在層的堆疊方 向上不與掃描線WSL重疊的位置處。注意，每個(gè)像素電路的TFT112都是底柵型，其中，其柵電^L 或控制電極通過(guò)形成在未示出的絕緣薄膜上的接觸引出并連4妻至 掃描線WSL。通常，利用諸如鉬(Mo)、或鉭、或任何這種金屬材料的合金 的金屬材料的諸如濺射的方法，通過(guò)形成高阻抗配線膜來(lái)形成TFT 的才冊(cè)電才及。如上所述，在第一對(duì)策實(shí)例中，掃描線或棚4及線WSL以包括: 低阻抗電源線的同層和與信號(hào)線同層的層114的兩層配線方案來(lái)進(jìn) ff布局。才艮據(jù)具有上述特性的第 一對(duì)策實(shí)例，可以減小掃描線或棚4及線 WSL的阻抗和電容。具體地，由于形成電源線的配線層由低阻4元金 屬材料形成以及形成信號(hào)線SGL的配線層也由低阻抗的金屬材料 形成，所以通過(guò)在兩級(jí)配線方案中對(duì)掃描線或4冊(cè)極線WSL進(jìn)4亍配 線，可以將掃描線WSL的阻抗減小到大約一半。因此，可以力口快 用作開(kāi)關(guān)晶體管的TFT 112的棚4及線的瞬變。此夕卜，可以減少在臨近沖冊(cè)才及脈沖的輸出端側(cè)位置處的柵才及月永沖 GP或掃描線WSL的寫(xiě)掃描器104的控制信號(hào)GP的脈沖寬度和與 輸出端偏離的另 一個(gè)位置的柵極脈沖的脈沖寬度的差異。因此可以 獲得不會(huì)具有不充分的寫(xiě)、不均衡或陰影的均勻的畫(huà)面質(zhì)量。因此，獲得了可以加速柵極線的瞬變并實(shí)現(xiàn)高分辨率的優(yōu)點(diǎn)。圖ll示出了作為與圖10所示結(jié)構(gòu)的比較實(shí)例的、電容器i殳置 在層的堆疊方向上與掃描線或棚4及線重疊的結(jié)構(gòu)。如圖11所示，采用電容器或信號(hào)線在層的堆疊方向上與掃4苗線或柵極線WSL重疊的位置處進(jìn)行設(shè)置的結(jié)構(gòu)，這具有增加掃描 線WSL的寄生電容的趨向。相反，如第一對(duì)策實(shí)例，電容器Clll i殳置在在層的堆疊方向 上不與掃描線WSL重疊的錯(cuò)開(kāi)位置處，而只有信號(hào)線SGL在掃描 線WSL下與其重疊，可以防止寄生電容的i曾力p。因jt匕，可以實(shí)玉見(jiàn) 進(jìn)一步增加的柵極脈沖的傳輸速度?，F(xiàn)在，描述為什么形成為與由諸如鋁(Al)的低阻抗金屬材料 形成的電源線或電源信號(hào)線PSL同層同材并+的配線的掃描線或棚-才及線WSL以及相對(duì)于掃描線WSL在下層中的4言號(hào)線SGL和與4言 號(hào)線SGL同層同材料的低阻抗配線層114通過(guò)形成在由SIN、 Si02 等形成的層間薄膜115的接觸116連接以形成兩級(jí)配線結(jié)構(gòu)的原因。圖12是沒(méi)有應(yīng)用4艮據(jù)本實(shí)施例任何對(duì)策的情況下掃描線或沖冊(cè) 極線由與TFT的柵電極同層同材料的高阻抗配線形成的像素的局部的平面圖。研究了寫(xiě)入具有圖12所示結(jié)構(gòu)的像素電^各的處理。如以上參考圖9所述，在本像素電路中，寫(xiě)和遷移率校正分別 通過(guò)從偏置信號(hào)電平Vofs到數(shù)據(jù)信號(hào)電平Vsig的信號(hào)線SGL的輸 入信號(hào)SIN的上升沿和施加纟會(huì)掃描線WSL的4冊(cè)4及"永沖GP的下降沿來(lái)限定。根據(jù)該方法，柵極脈沖GP在乂人寫(xiě)掃描器(WSCN) 104到掃 描線WSL的沖冊(cè)才及l(fā)象素GP的l命出端和與該GP 4敘出端偏離的4立置 (即，圖13中的GP輸出相反端(remote end))之間變得緩和，以 及寫(xiě)時(shí)間在GP輸出端側(cè)與GP輸出輸出相反側(cè)之間變得不同。具 體地，寫(xiě)時(shí)間在面板的輸入相反側(cè)變得更長(zhǎng)，因此，這種不同在屏 幕圖像上表現(xiàn)為陰影。作為針對(duì)于此的對(duì)策，從圖14A~ 14C中可以看出，在這種定 時(shí)處執(zhí)行寫(xiě)。根據(jù)該方法，寫(xiě)和遷移率校正不被信號(hào)線SGL的信號(hào)的上升 沿和柵極脈沖GP的下降沿來(lái)限定，而是通過(guò)4冊(cè)極脈沖GP的上升 沿和棚-々及脈沖GP的下降沿來(lái)限定。然而，也在該方法的寫(xiě)才乘作中，乂人圖15A~圖15D可以看出， 根據(jù)信號(hào)灰度，寫(xiě)掃描器104的柵極脈沖GP的輸出端側(cè)與GP輸 出端相反側(cè)之間的寫(xiě)時(shí)間有時(shí)會(huì)變得不同，從而導(dǎo)致陰影。此外，在圖14A 圖14C的方法中，需要只通過(guò)柵極脈沖GP 來(lái)限定寫(xiě)。如果寫(xiě)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，則驅(qū)動(dòng)晶體管源才及處的電位繼續(xù)升高， 因此，為了保證適當(dāng)?shù)牧炼?，不能避免將?xiě)時(shí)間設(shè)置得較短。然而，隨著尺寸增加的進(jìn)行，掃描線或棚-才及線WSL的負(fù)載增 加，即使從柵極脈沖或掃描脈沖GP的輸出端輸出小寬度的月永沖， 但由于脈沖的變形和劣化，變得難以對(duì)GP輸出端相反側(cè)執(zhí)4亍寫(xiě)。^口上所述，由于通常才冊(cè)才及配線由i者如Mo的高阻4元金屬制造， 所以負(fù)載4艮高。因此，在本實(shí)施例中，掃描線WSL被形成為與由諸如鋁(Al) 的低阻抗金屬形成的電源線或電源信號(hào)線PSL同層同材料的配線。此外，在期望增加尺寸和清晰度的情況下，由于需要降低阻抗 和電容，掃描線WSL和與相對(duì)于掃描線WSL處于下層的信號(hào)線 SGL同層同材料的低阻抗配線層114通過(guò)形成在SIN、 Si02等的層 間絕緣膜115的"t妻觸116相互連接以形成兩級(jí)配線結(jié)構(gòu)，和/或電容 器Clll設(shè)置在在層的堆疊方向上不與掃描線WSL重疊的錯(cuò)開(kāi)位置 處。圖17示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第二對(duì)策實(shí)例并且是像素電 3各局部的示意性平面圖和截面圖。圖17所示第二對(duì)策實(shí)例與圖10所示第一對(duì)策實(shí)例的不同在 于，在與信號(hào)線SGL同層且由相同材坤+形成的<氐阻抗配線層或第一 配線層114下方的層中，與由高阻抗金屬形成的TFT的4冊(cè)電才及同層 同材4+的配線層或第二配線層117通過(guò)形成在棚4及絕^彖月莫118中的 *接觸119連4妄至配線層或第一配線層114，并JU氐阻抗配線層的掃 描線或柵4及線WSL、 ^氐阻抗配線層的配線層114以及高阻抗配線層 的配線層117在多層中連4妄，以形成三級(jí)配線結(jié)構(gòu)。因此，可以進(jìn)一步降^f氐掃描線WSL的阻抗。通過(guò)應(yīng)用本第二對(duì)策實(shí)例，可降j氐柵才及配線的負(fù)載，因此，可 以實(shí)現(xiàn)瞬變速度的增加。結(jié)果，可以預(yù)期更高的清晰度。圖18示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第三對(duì)策實(shí)例并且是^f象素電 3各局部的示意性平面圖和截面圖。圖18所示第三對(duì)策實(shí)例與圖17所示第二對(duì)策實(shí)例的不同在 于，不通過(guò)與信號(hào)線SGL同層且由相同材料形成的配線層114，與 由高阻抗金屬形成的TFT的柵電極同層同材料的配線層117通過(guò)形 成在層間絕舌彖膜115和相對(duì)于配線層114處于下層的4冊(cè)極絕^彖月莫 118中的接觸連接至掃描線WSL，并且低阻抗配線層的掃描線WSL 和高阻抗配線層的配線層或第一配線層117在多層中連4妄，以形成 兩纟及配線結(jié)構(gòu)。此外，通過(guò)本結(jié)構(gòu)，可以減小掃描線WSL的阻:抗。此夕卜，通過(guò)應(yīng)用第三對(duì)策實(shí)例，可以降低才冊(cè)極配線的負(fù)載，以 及可以實(shí)現(xiàn)瞬變速度的增加。乂人而可以期望清財(cái)斤度的增加。圖19示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第四對(duì)策實(shí)例并且是4象素電 3各局部的示意截面圖。第四對(duì)策實(shí)例〗吏用形成為多層配線的電源驅(qū)動(dòng)線或電源線 PSL，以消除由電源線的電壓下降所51起的i者々口陰影的不均#!"以及 弓1起顯示圖像的不均衡或粗糙的情況。如上所述，最初電源線PSL形成在由與掃描線WSL同層同材 料(諸如鋁)的低阻抗配線形成的柵極絕緣膜118的預(yù)定位置處。此外，在電源線PSL上的層間絕鄉(xiāng)彖膜115中形成4妻觸21，佳L 得形成在層間絕緣膜115上的Al等的低阻抗配線層122通過(guò)多層 中的4妾觸121連4妾至電源線PSL,以形成兩級(jí)@己線結(jié)構(gòu)的電源線， 從而降低阻抗。因此，防止了由電壓下降所引起的諸如陰影的不均 衡以及在顯示圖像上表現(xiàn)為不均衡或粗糙的情況。此外，在圖19中，在上層的電源配線層122上形成平坦4匕月莫 123,并且在平坦化膜123上形成陽(yáng)電極125。通過(guò)該第四對(duì)策實(shí)例，防止了由電源線的電壓下降所引起的T者 如陰影的不均衡并在顯示圖像上表現(xiàn)為不均衡或粗糙的情況。圖20是示出用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第五對(duì)策實(shí)例并且是^f象素電 3各局部的示意性截面圖。在本第五對(duì)策實(shí)例中，例如，即使在電源線PSL形成為多層配 線或者類似、的情況下，不在用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT111上，即，在 層的堆疊方向上相對(duì)于TFT 111的上層側(cè)設(shè)置或形成電源線PSL。換句話_說(shuō)，在本第五對(duì)策實(shí)例中，形成電源線PSL,使其不與 TFT111的設(shè)置區(qū)域的上層重疊，并且TFTlll不受來(lái)自電源線PSL 的電場(chǎng)的影響。描述具體結(jié)構(gòu)。底部柵極結(jié)構(gòu)的TFT 111具有柵電極133，其形成在諸如^皮璃 基板的透明絕緣基板131上并覆蓋有柵極絕緣膜132。柵電極133 連4妄至第二節(jié)點(diǎn)ND112。如上所述，利用諸如濺射的方法，通過(guò)形成諸如鉬(Mo)或 鉭(Ta)或任何這種金屬材料的合金的金屬膜來(lái)形成4冊(cè)電極。TFT 111包括形成在柵極絕緣膜132上的半導(dǎo)體膜134和橫跨 半導(dǎo)體薄膜134形成在柵極絕纟彖膜132上的一對(duì)"+擴(kuò)散層135和 136。 ST0 137形成在半導(dǎo)體力莫134上，以及層間絕鄉(xiāng)彖力莫138形成在 STO 137上。注意，雖然沒(méi)有示出，但在使用多晶硅的情況下，《-擴(kuò)散層(LDD )形成在半導(dǎo)體膜134與"+擴(kuò)散層135和136之間。源電極140通過(guò)形成在層間絕緣膜138中的接觸孔139a連4妻 至纊擴(kuò)散層135，以及漏電才及141通過(guò)形成在層間絕《彖月莫138中的 接觸孔139b連接至Z擴(kuò)散層136。例如，通過(guò)對(duì)鋁(Al)進(jìn)行圖樣化來(lái)形成源電極140和漏電^L 141。源電才及140連4妄至例如發(fā)光裝置113的陽(yáng)4及，以及漏電才及141 通過(guò)圖20中沒(méi)有示出的連4妻電4及連4妾至電源線PSL。此夕卜，絕緣膜142以覆蓋層間絕緣膜138、源電極140和漏電 極141的方式布置在TFT 111上。這里，描述為什么采用將電源線PSL形成在TFT 111的上層中 使其不與TFT 111的設(shè)置區(qū)域重疊，以及TFT 111不受來(lái)自電源線 PSL的電場(chǎng)影響的這種結(jié)構(gòu)的原因。圖21是示出作為圖20的結(jié)構(gòu)的比較實(shí)例的電源線設(shè)置在TFT lll上的結(jié)構(gòu)的截面圖。同時(shí)，圖22示出了圖21所示像素電路的 等效電路。在圖21所示的像素電路中，TFT 111的漏電極141通過(guò)形成在 絕薄膜142中的4姿觸142a連4妾至形成在絕纟U莫142上的電源配線 層122。這里，研究非晶硅TFT。如果電源電位存在于用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的上層，在進(jìn) 4亍黑顯示時(shí)，出現(xiàn)圖21所示的非晶石圭中的電子一皮吸引到電源側(cè)并 在沖冊(cè)^l的相反側(cè)形成溝道的背4冊(cè)效應(yīng)。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管的泄漏電流增加。在泄漏電流4交高的情況下， 這在黑顯示時(shí)表現(xiàn)為顯示圖像的亮點(diǎn)。因此，在本實(shí)施例中，采用電源線PSL不在上層中與TFT111 的設(shè)置區(qū)域重疊，并且TFTlll不受來(lái)自電源線PSL的電場(chǎng)的影響的結(jié)構(gòu)。在本第五對(duì)策實(shí)例中，由于電源配線不#:布置在TFT 111上， 所以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不被吸？ I到柵極的相 反側(cè)。因此，可以防止背柵效應(yīng)的發(fā)生，以及可以消除諸如當(dāng)形成 黑色時(shí)的顯示圖 <象的亮點(diǎn)、不均4軒和相4造的這些缺點(diǎn)。圖23示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第六對(duì)策實(shí)例并且是^f象素電 3各局部的示意'1"生截面圖。在第六對(duì)策實(shí)例中，與第五只十策實(shí)例相〗以，例如，即〗吏在電源 線PSL如上所述形成為多層配線或在類似的情況下,不在用作開(kāi)關(guān) 晶體管或?qū)懢w管的TFT 112上，即，在層的堆疊方向上相對(duì)于TFT 112的上層側(cè)i殳置或形成電源線PSL。換句話說(shuō)，在本第六對(duì)策實(shí)例中，形成電源線PSL，使其不與 TFT 111的設(shè)置區(qū)域的上層重疊，并且TFT 112不受來(lái)自電源線PSL的電場(chǎng)的影響。雖然圖23示出了第六對(duì)策實(shí)例的具體結(jié)構(gòu)，^旦由于^f象素電^各 的基本結(jié)構(gòu)與第五對(duì)策實(shí)例相似，所以由類似的參考符號(hào)表示類似 的元〗牛，并在這里省略其重復(fù)描述以避免冗余。這里，描述為什么采用將電源線PSL形成在TFT 112的上層中 使其不與TFT 112的設(shè)置區(qū)域重疊，以及TFT 112不受來(lái)自電源線 PSL的電場(chǎng)影響的這種結(jié)構(gòu)的原因。圖24是示出作為圖23的結(jié)構(gòu)的比較實(shí)例的電源線設(shè)置在TFT 112上的結(jié)構(gòu)的截面圖。同時(shí)，圖25示出了圖23所示Y象素電^各的等效電路。在圖24所示的像素電^各中，TFT 112的漏電才及141通過(guò)形成在 絕纟彖膜142中的4妄觸142a連4妄至形成在層間絕纟彖膜142上的電源 配線層122。此外，在用作寫(xiě)晶體管的TFT112中，如果電源電位存在于該 晶體管上，則當(dāng)該晶體管截止時(shí)，如圖24所示，類似于上述用作 驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT111,非晶石圭中的電子^皮電源電場(chǎng)吸引到電源側(cè)。結(jié)果，出現(xiàn)背柵效應(yīng)，在柵極的相反側(cè)形成溝道且泄漏電流增 加。從而，驅(qū)動(dòng)晶體管的保持電位發(fā)生變化，可以消除當(dāng)形成黑色 時(shí)表現(xiàn)為諸如顯示圖像的亮點(diǎn)、不均4釺和粗糙的缺點(diǎn)的這種變化。因此，在本實(shí)施例中，采用電源線PSL不在上層中與TFT112 的設(shè)置區(qū)域重疊，并且TFT112不受來(lái)自電源線PSL的電場(chǎng)的影響的結(jié)構(gòu)。通過(guò)本第六又t策實(shí)例，由于電源配線不布置在TFT 112上，所 以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不被吸引到柵極的相反 側(cè)。因此，如圖23所示，可以防止背才冊(cè)效應(yīng)的發(fā)生，以及可以消 除當(dāng)形成黑色時(shí)諸如顯示圖像的亮點(diǎn)、不均衡或粗糙的缺點(diǎn)。圖26示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第七對(duì)策實(shí)例并且是^象素電 3各局部的示意性截面圖。圖26所示的第七對(duì)策實(shí)例與圖20所示的第五對(duì)策實(shí)例的不同 在于，代替采用將電源線PSL形成在相對(duì)于TFT 111的上層，使其 不與TFT 111的i殳置區(qū)i或重疊，并且TFT 111不受來(lái)自電源線PSL 的電場(chǎng)的影響的這種結(jié)構(gòu)，而是爿夸陰才及配線層143 i殳置或形成為 TFT 111的上層。以這種方式，在本第七對(duì)策實(shí)例中，不是電源配線而是陰才及配 線層143布置在TFT 111上。原因在于，由于陰極電壓低于黑顯示時(shí)用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的柵極電壓或信號(hào)電壓以及用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源極 電壓，所以不會(huì)發(fā)生背棚i文應(yīng)。通過(guò)本第七對(duì)策實(shí)例，由于陰才及配線143布置在TFT 111上，所以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不會(huì)被吸引到柵極的 相反側(cè)。因此，可以防止背棚-效應(yīng)的發(fā)生，可以消除形成黑色時(shí)如 顯示圖像的亮點(diǎn)、不均衡和粗糙的這些缺點(diǎn)。圖27示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第八對(duì)策實(shí)例并且是像素電 3各局部的截面圖。圖27所示的第八對(duì)策實(shí)例與圖23所示的第六對(duì)策實(shí)例的不同 在于，代替采用將電源線PSL形成在相對(duì)于TFT 112的上層，使其 不與TFT112的i殳置區(qū)i或重疊，并且TFT112不受來(lái)自電源線PSL 的電場(chǎng)的影響的這種結(jié)構(gòu)，而是^1尋陰才及配線層143 i殳置或形成在 TFT 112的上層。以這種方式，在本第八對(duì)策實(shí)例中，不是電源配線而是陰極配線層143布置在TFT 112上。原因在于，由于陰極電壓低于黑顯示時(shí)用作寫(xiě)晶體管的TFT 112的柵-才及電壓等，所以不會(huì)發(fā)生背4冊(cè)歲文應(yīng)。通過(guò)本第八對(duì)策實(shí)例，由于陰才及配線143布置在TFT112上，所以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不會(huì)凈皮吸引到4冊(cè)才及的 相反側(cè)。因此，可以防止背棚^文應(yīng)的發(fā)生，可以消除形成黑色時(shí)如 顯示圖像的亮點(diǎn)、不均衡和粗糙的缺點(diǎn)。圖28示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第九對(duì)策實(shí)例并且是〗象素電 3各局部的示意性截面圖。圖28所示的第九對(duì)策實(shí)例與圖23所示的第六對(duì)策實(shí)例的不同 在于，代替采用將電源線PSL形成在相對(duì)于TFT112的上層，使其 不與TFT 112的i殳置區(qū)域重疊，并且TFT 112不受來(lái)自電源線PSL 的電場(chǎng)的影響的這種結(jié)構(gòu)，而是將掃描線或柵極線WSL 144設(shè)置或 形成在TFT 112的上層。以這種方式，通過(guò)本第九對(duì)策實(shí)例，作為T(mén)FT112的斥冊(cè)極線的 掃描線WSL布置在TFT 112的上層。原因在于，由于TFT112的柵極電壓也低于用作驅(qū)動(dòng)晶體管的 TFT 111的棚-才及電壓或4言號(hào)電壓和用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源 才及電壓，所以不會(huì)發(fā)生背棚-步文應(yīng)。此外，關(guān)于TFT112，當(dāng)其導(dǎo)通時(shí)，溝道不只形成在4冊(cè)+及側(cè)， 而且還形成在4冊(cè)才及的相反側(cè)，并且TFT 112導(dǎo)通。結(jié)果，TFT 112的導(dǎo)通阻抗從不布置掃描線WSL的一般情況降 4氐，/人而，可以實(shí)J見(jiàn)更高速的寫(xiě)才喿作。通過(guò)本第九只于策實(shí)例，由于掃描線WSL布置在TFT 112上，所以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不會(huì)被吸31到柵才及的 相反側(cè)。因此，可以防止背對(duì)冊(cè)凌文應(yīng)的發(fā)生，可以消除形成黑色時(shí)4口 顯示圖像的亮點(diǎn)、不均衡和粗糙的缺點(diǎn)。此外，由于作為T(mén)FT 112的棚-極線的掃描線WSL布置在TFT 112上，所以當(dāng)TFT 112導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通阻抗可/人一般情況降低，可以實(shí)現(xiàn)高速的寫(xiě)纟喿作。因此，可通過(guò)高速寫(xiě)的實(shí)現(xiàn)來(lái)達(dá)到高清晰度的畫(huà)面質(zhì)量。圖29示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第十對(duì)策實(shí)例并且是像素電 3各局部的示意性截面圖。類似于上述第九對(duì)策實(shí)例，圖29所示的第十對(duì)策實(shí)例與上述 第五對(duì)策實(shí)例的不同之處在于，代替采用將電源線PSL形成在相只于 于TFT 111的上層，使其不與TFT 111的設(shè)置區(qū)域重疊，并且TFT 111 不受來(lái)自電源線PSL的電場(chǎng)的影響的這種結(jié)構(gòu)，而是與TFT112的 柵極連接的掃描線或柵極線WSL 144布置或形成在TFT 111的上 層。以這種方式，通過(guò)本第十乂十策實(shí)例，作為T(mén)FT111的柵4及線的 掃描線WSL布置在TFT 111的上層。原因在于，由于TFT111的柵極電壓也低于用作驅(qū)動(dòng)晶體管的 TFT 111的柵極電壓或信號(hào)電壓和用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源 才及電壓，所以不會(huì)發(fā)生背柵^文應(yīng)。通過(guò)本第十對(duì)策實(shí)例，由于掃描線WSL布置在TFT lll上，所以當(dāng)進(jìn)行黑顯示時(shí)或當(dāng)晶體管截止時(shí)，電子不會(huì)被吸引到柵4及的 相反側(cè)。因此，可以防止背棚-效應(yīng)的發(fā)生，可以消除形成黑色時(shí)3口 顯示圖像的亮點(diǎn)、不均衡和粗糙的缺點(diǎn)。圖30示出了用于改善畫(huà)面質(zhì)量的第十一對(duì)策實(shí)例并且是像素 電^^局部的示意性截面圖。在第四對(duì)策實(shí)例的描述中說(shuō)到，為了防止通過(guò)電源線的電壓下 降所引起的諸如陰影的不均衡，并表現(xiàn)為顯示圖像上的不均衡或粗 壽造的情況，電源線或電源驅(qū)動(dòng)線PSL形成為多層配線。在本第十一對(duì)策實(shí)例中，通常由陽(yáng)極金屬形成的陰才及配線形成 為由與電源線或電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源線層同層同材4牛的低阻拍二 配線層形成的多層配線。如上參考圖19所述，本來(lái)的電源線PSL形成在與掃描線或4冊(cè) 極線WSL同層同材料(諸如鋁)的低阻抗配線形成的柵極絕緣膜 118的預(yù)定4立置處。然后，在電源線PSL上形成的層間絕緣膜115中形成接觸121, 并且形成在層間絕緣膜115中的鋁等的低阻抗配線層122通過(guò)多層 中的4妻觸121連4婁至電源線PSL,以形成兩級(jí)配線結(jié)構(gòu)的電源線， 來(lái)達(dá)到阻抗的降低。因此，防止了由電壓下降引起的諸如陰影的不 均衡并表現(xiàn)為顯示圖像上的不均衡或粗糙的情況。此外，陰才及l(fā)氐阻抗配線層145與用于電源線PSL的^f氐阻抗配線 層122并聯(lián)形成在層間絕多彖月莫115上。例如，平坦化膜123形成在上層的電源配線層122或陰極配線 層145上，并JU妾觸124和4妾觸146形成在平坦3匕月莫123中。電源 配線層122通過(guò)接觸124連4妾至形成在平坦化』莫124上的陽(yáng)電扨_ 125，以及陰極4氐阻抗配線層145通過(guò)接觸146連接至形成在平坦 化膜123上的小面積的陰極襯墊(pad) 147。EL發(fā)光裝置材并+層148形成在陽(yáng)電極125上，并且絕緣層149 形成在陰極襯墊147與陽(yáng)電極125、 EL發(fā)光裝置材料層148等之間， 并且陰電極150形成在EL發(fā)光裝置材料層148、絕緣層149和陰 才及沖于墊147上。以這種方式，在本第十一對(duì)策實(shí)例中，陰才及線布置在多層中形 成的電源配線相同的層中。在陰極配線形成在多層中的情況下，陰極輸入端的陰極最遠(yuǎn)端 處的電壓升高可被抑制得很低。從而，可以實(shí)現(xiàn)均勻的畫(huà)面質(zhì)量。此外，在陰才及線布置在電源配線層上的情況下，可以防止面才反 中心處的電壓升高。此外，如圖30和圖31所示，可以確保發(fā)光裝 置113或148 4交大的發(fā)光區(qū)》或或開(kāi)口 ( aperture )。圖32是沒(méi)有應(yīng)用任何4艮據(jù)本實(shí)施例的^f壬意對(duì)策而形成陰才及線 的情況下像素的局部的示意性截面圖，圖33是該像素的平面圖。這里，研究面板的發(fā)光區(qū)域或開(kāi)口率。作為確保大發(fā)光區(qū)域或開(kāi)口率的技術(shù)，頂部發(fā)射方式是可用 的。通常，如圖32和圖33中所見(jiàn)，頂部發(fā)射方式的特征在于陰^L 由EL發(fā)光裝置材料層148的陽(yáng)電極125形成。然而，隨著面板的尺寸和清晰度增加的進(jìn)行，需要配備更厚的 陰極線，以在發(fā)光時(shí)防止由于面板中心處(距陰極提取部分最遠(yuǎn)的 部分)的電壓上升所引起的畫(huà)面質(zhì)量不均衡，并且開(kāi)口率相應(yīng)地減小。開(kāi)口率的減小引起流過(guò)EL發(fā)光裝置材料層148的電流密度增 力口的問(wèn)題，從而導(dǎo)致壽命變短。相反，本第十 一對(duì)策實(shí)例的特征在于陰極線布置在形成在上述 多層中的電源線中。通過(guò)將陰才及線布置在電源線中，可以防止面才反 中心處電壓的上升，還可以確j呆4交大的開(kāi)口 。結(jié)果，可以將發(fā)光時(shí)流過(guò)EL發(fā)光裝置材3牛層148的電流密度 抑制得很低。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)壽命的延長(zhǎng)。通過(guò)在多層中形成陰極配線，可以將距陰才及輸入端最遠(yuǎn)部分處 的陰極的電壓上升抑制的很低，并且可以達(dá)到均勻的畫(huà)面質(zhì)量。注意，雖然本來(lái)由于層數(shù)的增加而增加多層配線的成本， <旦在 本實(shí)施例中，由于對(duì)圖8的電^各，即，包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容 器的2Tr十1(^像素電路的執(zhí)行多層配線并且21^+ 1CM象素電路不需 要形成兩層的柵極線，所以與過(guò)去的像素電^各相比不會(huì)增加成本。現(xiàn)在，參考圖34A~圖34E以及圖35-圖42,描述上述結(jié)構(gòu)， 尤其是像素電路的具體操作。注意，圖34A示出了施加給掃描線WSL的柵極脈沖或掃描月永 沖；圖34B示出了施加鄉(xiāng)合電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào)PSG;圖34C 示出了施加主會(huì)信號(hào)線SGL的4敘入信號(hào)SIN;圖34D示出了第二節(jié) 點(diǎn)ND112處的電位VND112;以及圖34E示出了第一節(jié)點(diǎn)ND111 處的電^立VNDlll。首先，當(dāng)EL發(fā)光裝置113處于發(fā)光狀態(tài)時(shí)，如圖34B和圖35 可見(jiàn)，將電源電壓Vcc施加給電源驅(qū)動(dòng)線PSL,并且TFT112處于截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，由于將TFT111設(shè)置為在々包和區(qū)中運(yùn)行，所以將流過(guò)發(fā) 光裝置113的電流Ids^f艮定為由對(duì)應(yīng)于TFT 111的4冊(cè)極-源極電壓Vgs 的表達(dá)式所表示的值。然后，在非發(fā)光周期內(nèi)，如圖34B和圖36所示，將用作電源 線的電源馬區(qū)動(dòng)線PSL i殳置為負(fù)側(cè)電壓Vss。》匕時(shí)，々o果負(fù)側(cè)電壓 Vss低于發(fā)光裝置113的閾值Vthel與基準(zhǔn)電壓Vcat的和，即，fe口 果Vss<Vthel +Vcat，則發(fā)光裝置113不發(fā)光，并且用作電源線的電 源驅(qū)動(dòng)線PSL變?yōu)橛米黩?qū)動(dòng)晶體管的TFT 111的源極。此時(shí)，如圖 34E所示，發(fā)光裝置113的陽(yáng)極，即，第一節(jié)點(diǎn)ND111被充電到負(fù) 煩寸電壓Vss。止匕夕卜，如圖34A、圖34C、圖34D、圖34E以及圖37所見(jiàn)， 當(dāng)信號(hào)線SGL處的電壓等于偏置信號(hào)電平Vofs時(shí)，柵極脈沖被i殳 置為高電平以導(dǎo)通TFT 112,從而將TFT 111處的柵4及電位設(shè)置為 偏置信號(hào)電平Vofs。此時(shí)，TFT111的才冊(cè)才及-源才及電壓々i定為(Vofs-Vss)的值。^口 果TFT 111的柵極-源極電壓(Vofs-Vss)不等于或不高于，即， 低于閾值電壓Vth,則可以不執(zhí)行閾值校正操作。因此，需要將TFT 111的4冊(cè)才及-源才及電壓，即，(Vofs-Vss) "i殳置4尋高于TFT 111的閾 電壓Vth ，即，i殳置為滿足Vofs - Vss〉Vth 。然后，在閾值校正操作中，將施加給電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信 號(hào)PSG再次i殳置為電源電壓Vcc。在將電源驅(qū)動(dòng)線PSL的電源信號(hào)PSGi殳置為電源電壓Vcc的 情況下，發(fā)光裝置113的陽(yáng)極，即，第一節(jié)點(diǎn)ND111用作TFT 111 的源才及，并且如圖38所示，電流流進(jìn)節(jié)點(diǎn)NDlll。如圖38所見(jiàn)，由于發(fā)光裝置113的等效電路由二極管和電容 器來(lái)表示，所以只要滿足Vd^Vcat-Vthel的關(guān)系，即，只要發(fā)光 裝置113的泄漏電流充分^f氐于流過(guò)TFT 111的電流，TFT 111的電 流就用于對(duì)電容器Clll和電容器Cel進(jìn)行充電。此時(shí)，如圖39所示，電容器Cel兩側(cè)的電壓Vel隨時(shí)間的經(jīng)過(guò) 而上升。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間段之后，TFT111的柵-才及-源才及電壓假定為 閾值電壓Vth的值。此時(shí)，滿足Vel = Vofs - Vth《Vcat + Vthel 。在閾值消除操作結(jié)束之后，如圖34A、圖34C和圖40所示， 信號(hào)線SGL處的電位^皮i殳置為T(mén)FT 112導(dǎo)通狀態(tài)下的ft據(jù)信號(hào)電平 Vsig。數(shù)據(jù)信號(hào)Vsig具有對(duì)應(yīng)于灰度的值。此時(shí)，由于TFT112導(dǎo) 通，所以如圖34D所示，TFT 111的柵極電位等于數(shù)據(jù)信號(hào)電平 Vsig 。然而，由于電流Ids /人用作電源線的電源驅(qū)動(dòng)線PSL流出， 所以TFT 111的源才及電4立隨著時(shí)間升高。此時(shí)，如果TFT 111的源極電壓不超過(guò)發(fā)光裝置113的閾^直電 壓Vthel與基準(zhǔn)電壓Vcat之和，即，如果發(fā)光裝置113的泄漏電流 充分低于流過(guò)TFT 111的電流，則流過(guò)TFT 111的電流用于對(duì)電容 器Clll和電容器Cel進(jìn)行充電。此時(shí)，由于已經(jīng)完成了 TFT 111的閾值4交正操作，所以由TFT 111提供的電流具有反映遷移率p的值。更具體i也，如果遷移率(i4交高，則此時(shí)的電流量，無(wú)4交大，以及 如圖41所示，源才及電壓上升得較快。相反，如果遷移率p4交^氐，則電流量較小，以及源極電壓升高得較慢。因此，TFT111的柵-才及-源極電壓反映遷移率H變低，在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間間隔之后，柵極-源相_ 電壓完全變得等于用于一史正遷移率的4冊(cè)極-源才及電壓VgS。最后，如圖34A~圖34C和圖42所示，柵-4及脈沖變成低電平 來(lái)使TFT112-截止以結(jié)束寫(xiě)，并使發(fā)光裝置113發(fā)光。由于TFT 111的4冊(cè)才及-源才及電壓固定，所以TFT 111 一夸固定電;克 Ids'提供給發(fā)光裝置113，并且電壓Vel上升到電流Ids'流向發(fā)光裝 置113的電壓Vx。因此，發(fā)光裝置113發(fā)光。此外，在本l象素電i 各101中，隨著發(fā)光時(shí)間的增加，發(fā)光裝置 113的I-V特性發(fā)生變化。因此，圖42中點(diǎn)B，即，第一節(jié)點(diǎn)ND111 處的電壓也發(fā)生改變。然而，由于TFT111的棚-才及畫(huà)源極電壓維持在 固定值，所以流過(guò)發(fā)光裝置113的電流不改變。因此，即4吏發(fā)光裝 置113的I-V特性劣化，電流Ids正常繼續(xù)流動(dòng)，因此，發(fā)光裝置 113的亮度不改變。在以這種方式驅(qū)動(dòng)的像素電路中，由于其具有根據(jù)上述第—— 第H"—對(duì)策實(shí)例的任意結(jié)構(gòu)，所以可以獲得沒(méi)有陰影、條紋不均銜二 等的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像。注意，可以以各種方式選4奪上述第一 第十一對(duì)策實(shí)例。具體 :t也，可應(yīng)用它們中的全部，或選4奪i也應(yīng)用它們中的一個(gè)或多個(gè)。在前述本發(fā)明的第一實(shí)施例中，對(duì)用于有效改善具有圖8的電 路，即，包括兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的2Tr+1C像素電路的顯示 "i殳備100的畫(huà)面質(zhì)量描述了第——第十一對(duì)策實(shí)例。然而，雖然第一 ~第十一對(duì)策實(shí)例對(duì)于具有2Tr + 1C ^象素電^各 的顯示設(shè)備100來(lái)說(shuō)有效，但是還可以將這種對(duì)策應(yīng)用于包括不4又 具有與OLED串連連接的驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管，而且還具有用 于遷移率消除或閾值消除而分別設(shè)置的TFT的像素電路的顯示設(shè)備。下面，具有包括五個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的可應(yīng)用第一-第十 一對(duì)策實(shí)例的5Tr + 1C像素電路的顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)實(shí)例;波描述為本 發(fā)明的第二實(shí)施例。圖43示出了采用根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素電路的有機(jī)EL 顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)。同時(shí)，圖44示出了沖艮據(jù)本實(shí)施例的像素電路的 具體結(jié)構(gòu)。參考圖43和圖44,所示的顯示設(shè)備200包括像素電路201以 mxn矩陣形式排列的像素陣列部202、水平選4奪器(HSEL ) 203、 寫(xiě)掃描器(WSCN) 204、驅(qū)動(dòng)掃描器(DSCN) 205、第一自動(dòng)調(diào) 零(auto zero )電3各(AZRD1 )206以及第二自動(dòng)調(diào)零電-各(AZRD2 ) 207。顯示設(shè)備200還包括通過(guò)水平選擇器203選擇的并提供以才艮 據(jù)亮度信息的數(shù)據(jù)信號(hào)的信號(hào)線SGL、用作通過(guò)寫(xiě)掃描器204選擇 驅(qū)動(dòng)的第二驅(qū)動(dòng)配線的掃描線WSL、以及用作通過(guò)驅(qū)動(dòng)掃描器205 選捧驅(qū)動(dòng)的第 一驅(qū)動(dòng)配線的驅(qū)動(dòng)線DSL。該顯示設(shè)備200還包括用 作通過(guò)第一 自動(dòng)調(diào)零電^各206選擇驅(qū)動(dòng)的第四驅(qū)動(dòng)配線的第一 自動(dòng) 調(diào)零線AZL1以及用作通過(guò)第二自動(dòng)調(diào)零電^各207選擇驅(qū)動(dòng)的第三 驅(qū)動(dòng)配線的第二自動(dòng)調(diào)零線AZL2。才艮據(jù)本實(shí)施例的<象素電3各201包括p溝道TFT 211 、n溝道TFT 212~215、電容器C211、由有機(jī)EL發(fā)光裝置(OLED:光電裝置) 形成的發(fā)光裝置216、第一節(jié)點(diǎn)ND211以及第二節(jié)點(diǎn)ND212。第一開(kāi)關(guān)晶體管由TFT211形成，第二開(kāi)關(guān)晶體管由TFT 213 形成。此外，第三開(kāi)關(guān)晶體管由TFT215形成，第四開(kāi)關(guān)晶體管由 TFT214形成。注意，電源電壓Vcc的電源線，即，電源電4立對(duì)應(yīng)于第一基), 電位，地電位GND對(duì)應(yīng)于第二基準(zhǔn)電位。此外，電位Vssl對(duì)應(yīng)于 第四基準(zhǔn)電位，電位Vss2對(duì)應(yīng)于第三基準(zhǔn)電位。在4象素電^各201中，TFT211、用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT212、第 一節(jié)點(diǎn)ND211以及發(fā)光裝置(OLED) 216串聯(lián)連接在作為本實(shí)施 例中的電源電壓Vcc的第一基準(zhǔn)電位與作為本實(shí)施例中的地電4立 GND的第二基準(zhǔn)電位之間。更具體地，發(fā)光裝置216的陰極連才矣 至地電位GND，其陽(yáng)才及連4妄至第一節(jié)點(diǎn)ND211，并且TFT 212的 源才及連4妻至第一節(jié)點(diǎn)ND211。 jt匕夕卜，TFT212的漏才及連4妻至TFT211 的漏極，TFT211的源極連接至電源電壓Vcc。TFT 212的柵極連接至第二節(jié)點(diǎn)ND211, TFT 211的柵極連4妄 至驅(qū)動(dòng)線DSL。TF丁 213的漏才及連4妻至TFT 212和電容器C211的第一電才及， 其源極連接至第三電位Vss2。 TFT213的柵極連接至第二自動(dòng)零線 AZL2。此外，電容器C211的第二電才及連接至第二節(jié)點(diǎn)ND212。TFT 214的源才及和漏才及連才妻至第二節(jié)點(diǎn)ND212和第四電^f立 Vssl并在它們之間。TFT214的斥冊(cè)才及連4妾至掃4翁線WSL。此夕卜，TFT215的源才及和漏才及連4妄至第二節(jié)點(diǎn)ND212和第四電 位Vssl并在它們之間。TFT 215的棚-才及連接至第 一 自動(dòng)零線AZL1 。以這種方式，將根據(jù)本實(shí)施例的像素電路201配置為用作^f象素 電容器的電容器C211連4妻在用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT 212的柵才及與 源極之間，并且TFT212的源極電位在非發(fā)光周期內(nèi)通過(guò)用作開(kāi)關(guān) 晶體管的TFT213連接至固定電位，同時(shí)TFT212的4冊(cè)才及和漏才及相 互連一妄以#^于閾<直電壓Vth的校正。此外，在本第二實(shí)施例中，將前述第一實(shí)施例的用于改善畫(huà)面 質(zhì)量的第一 第十一對(duì)策實(shí)例中的^f壬意一個(gè)應(yīng)用于掃描線WSL、馬區(qū) 動(dòng)線DSL以及自動(dòng)調(diào)零線AZL1和自動(dòng)調(diào)零線AZL2中的掃4苗線 WSL和驅(qū)動(dòng)線DSL中一條，或者掃描線WSL、驅(qū)動(dòng)線DSL以及 自動(dòng)調(diào)零線AZL1和AZL2中的兩條或兩條以上或全部。通過(guò)應(yīng)用期望的 一 個(gè)或多個(gè)對(duì)策實(shí)例，在整個(gè)系統(tǒng)中4丸行處理 由配線阻抗或配線電容產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)或脈沖的延遲所引起的陰 影、條紋不均衡等的對(duì)策實(shí)例。因此，可以獲得沒(méi)有陰影、條紋不 均衡等的高畫(huà)面質(zhì)量的圖像?，F(xiàn)在，參考圖45A~圖45F描述上述結(jié)構(gòu)，尤其是^f象素電^各的操作。注意，圖45A示出了應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)線DSL的驅(qū)動(dòng)4言號(hào)DS;圖 45B示出了應(yīng)用于掃描線WSL的、對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例中的柵4及月永 沖GP的掃描4言號(hào)WS;圖45C示出了應(yīng)用于第一自動(dòng)調(diào)零線AZL1 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1;圖45D示出了應(yīng)用于第二自動(dòng)調(diào)零線AZL2的自 動(dòng)調(diào)零^[言號(hào)AZ2;圖45E示出了第二節(jié)點(diǎn)ND112處的電位；以及 圖45F示出了第一節(jié)點(diǎn)ND111處的電位。將由驅(qū)動(dòng)掃描器205向驅(qū)動(dòng)線DSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS保持為 高電平，并且將由寫(xiě)掃描器204向掃描線WSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS 保持為低電平。此外，將由第一自動(dòng)調(diào)零電路206向第一自動(dòng)調(diào)零線AZL1發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1維持為低電平，以及將由自動(dòng)調(diào)零電 路207向自動(dòng)調(diào)零線AZL2發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2維持為高電平。結(jié)果，TFT213處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流流過(guò)TFT213。因此，TFT 212的源極電位，即，第一節(jié)點(diǎn)ND211處的電位降至第三電位Vss2。 因此，施加給EL發(fā)光裝置216的電壓變?yōu)?V,并且EL發(fā)光裝置 216不發(fā)光。在這種情況下，即使TFT214導(dǎo)通，也在電容器C211中^f呆持 的電壓，即，TFT212的沖冊(cè)才及電壓也不改變。然后，在EL發(fā)光裝置216的非發(fā)光周期內(nèi)，雖然第二自動(dòng)調(diào) 零線AZL2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2維持為高電平，但如圖45C和圖45D 所示，第一 自動(dòng)調(diào)零線AZL1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1設(shè)置為高電平。因此， 第二節(jié)點(diǎn)ND212處的電壓變成電位Vssl。然后，自動(dòng)調(diào)零線AZL2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ2變?yōu)榈碗娖剑⑶矣?驅(qū)動(dòng)掃描器205向驅(qū)動(dòng)線DSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS在預(yù)定的時(shí)間,殳 內(nèi)？夂變?yōu)?氐電平。因ot匕，TFT213截止，而TFT215和TFT212導(dǎo)通。結(jié)果，電 流流過(guò)TFT 212和TFT 211的通路，并且第一節(jié)點(diǎn)ND111處的電位升高。然后，由驅(qū)動(dòng)掃描器205向驅(qū)動(dòng)線DSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)4言號(hào)DS變 為高電平，以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)AZ1變?yōu)榈碗娖?。作為上述操作的結(jié)果，寺丸行用作驅(qū)動(dòng)晶體管的TFT212的閾l直 電壓的才交正，并且TFT212與第一節(jié)點(diǎn)ND211之間的電4立差等于閾 ^直電壓Vth。在該狀態(tài)下經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間間隔之后，由寫(xiě)掃描器204向掃描線 WSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS在預(yù)定時(shí)間l殳內(nèi)維持為高電平，凄t據(jù)乂人凄t 據(jù)線寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)ND212。此外，在驅(qū)動(dòng)線WS^f呆持為高電平的周 期內(nèi)，由驅(qū)動(dòng)掃描器205向驅(qū)動(dòng)線DSL發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS變?yōu)楦?電平，并且驅(qū)動(dòng)信號(hào)WS 4艮快變?yōu)?氐電平。此時(shí)，TFT212導(dǎo)通，TFT214截止，以#丸4亍遷移率的沖交正。在這種情況下，由于TFT214處于截止^1犬態(tài)且TFT212的4冊(cè)才及 -源極電壓固定，所以TFT 212將固定的電流Ids提供給發(fā)光裝置 216。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND211處的電4立上升至電流Ids流過(guò)發(fā)光裝 置216的電壓Vx,并且發(fā)光裝置216發(fā)光。這里，在本電路中，隨著EL發(fā)光裝置的發(fā)光周期的增加，EL 發(fā)光裝置的電流-電壓(I-V)特性發(fā)生變化。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND211 處的電位也發(fā)生變化。然而，由于TFT 212的棚4及-源才及電壓Vgs 4呆持為固定值，所以流過(guò)發(fā)光裝置216的電流不改變。因此，即4吏 發(fā)光裝置216的I-V特性劣化，電流Ids也持續(xù)流過(guò)，因此發(fā)光裝 置216的亮度不變化。在以這種方式驅(qū)動(dòng)的像素電路中，由于對(duì)整個(gè)系統(tǒng)應(yīng)用處理由 配線阻抗產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)或脈沖的延遲所以引起的陰影和條紋不 均勻的對(duì)策，所以可以獲得沒(méi)有陰影、條紋不均4軒等的高畫(huà)面質(zhì)量 的圖像。雖然已經(jīng)Y吏用具體術(shù)語(yǔ)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，^旦這種描 述只是為了描述的目的，應(yīng)該理解，在不背離所附要求的精神或范 圍的情況下，可進(jìn)4亍各種小務(wù)改和變更。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，包括至少一個(gè)晶體管，其導(dǎo)通狀態(tài)被由控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所控制；以及驅(qū)動(dòng)配線，向其傳輸所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述晶體管的所述控制端連接至所述驅(qū)動(dòng)配線；所述驅(qū)動(dòng)配線連接至不同層中的配線，以形成多層配線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，進(jìn)一步包括電源配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源配線層不同的層中的所述晶體管的控制端的配線層相同 的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源配線層片目同的層中，并 連4妄至所述第一配線層，以形成多層配線。
5. —種像素電^各，包括電源線，向其施力口有4皮;t匕不同的電壓； 基準(zhǔn)電位；驅(qū)動(dòng)配線，向其傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)；發(fā)光裝置，被配置為發(fā)射依賴于流過(guò)的電流的亮度的光； 驅(qū)動(dòng)晶體管；開(kāi)關(guān)晶體管，連接在信號(hào)線和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的4冊(cè)才及之 間，并且柵極連接至所述驅(qū)動(dòng)配線，^吏得通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái) 控制導(dǎo)通狀態(tài)；以及電容器，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的沖冊(cè)極與源極之間；所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光裝置串聯(lián)連4妄在所述電源線 與所述基準(zhǔn)電位之間；所述驅(qū)動(dòng)配線連4姿至不同層中的配線，以形成多層配線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的信號(hào)配線層相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中， 并連接至所述第一配線層，以形成多層配線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，進(jìn)一步包括電源線配線層；第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的^f言號(hào)配線層相同的層中；以及第二配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源線配線層和所述第一配線層不同的層中的所述開(kāi)關(guān)晶體 管的柵-才及的配線層相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中并 連接至所述第一配線層和所述第二配線層，以形成多層配線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極的配線層 相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中， 并連4妻至所述第一配線層，以形成多層配線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其中，所述電容器被設(shè)置在 所述電容器在層的堆疊方向上不與所述驅(qū)動(dòng)配線重疊的偏移 位置處。
10. —種顯示i殳備，包4舌多個(gè)^f象素電i 各，以矩陣形式排列，每一個(gè)均包括至少一 個(gè)晶體管，所述晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)被由控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào) 所控制；至少一個(gè)掃描器，被配置為將所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至形成 所述像素電路的晶體管的控制端；以及至少 一條驅(qū)動(dòng)配線，共同連接至所述多個(gè)^f象素電^各的晶 體管的控制端，并向其傳輸來(lái)自所述掃描器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；所述驅(qū)動(dòng)配線連4妄至不同層的配線，以形成多層配線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所示的顯示i殳備，進(jìn)一步包4舌電源配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源配線層不同的層中的信號(hào)配線層相同的層中；所述馬區(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源配線層相同的層中，并 連沖妄至所述第一配線層，以形成多層配線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電源配線層；第一配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源配線層不同的層中的信號(hào)配線層相同的層中；以及第二配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源配線層和所述第一配線層不同的層中的所述晶體管的4空 制端的配線層相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源配線層相同的層中，并 連接至所述第一配線層和所述第二配線層，以形成多層配線。5
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電源配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源配線層不同的層中的所述晶體管的控制端的配線層相同 的層中；所述馬區(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源配線層相同的層中，并 連4妾至所述第一配線層，以形成多層配線。
14. 一種顯示i殳備，包括多個(gè)像素電路，以矩陣形式排列，每一個(gè)均包括開(kāi)關(guān)晶 體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)由所接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制；至少一個(gè)掃描器，被配置為將所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至形成 所述像素電^各的開(kāi)關(guān)晶體管的柵極；至少一條驅(qū)動(dòng)配線，共同連接至所述多個(gè)〗象素電^各的開(kāi) 關(guān)晶體管的柵極，并向其傳輸來(lái)自所述掃描器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以 及至少一條電源線，連"t妄至所述^象素電^各，向其施加4皮此 不同的電壓；所述像素電路分別包括發(fā)光裝置，^皮配置為發(fā)射依賴于流過(guò)的電流的亮度 的光，驅(qū)動(dòng)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管連接在信號(hào)線和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的 柵極之間，并且柵極連接至所述驅(qū)動(dòng)配線，使得通過(guò)所 述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制導(dǎo)通狀態(tài)，以及電容器，連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源才及之間，所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光裝置串聯(lián)連接在所述電源線與基準(zhǔn)電4立之間；所述驅(qū)動(dòng)配線連4妄至不同層中的配線，以形成多層配線。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上i殳置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的信號(hào)配線層相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中， 并連4妄至所述第一配線層，以形成多層配線。
16. 才艮據(jù)斥又利要求14所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電源線配線層；第一配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的信號(hào)配線層相同的層中；以及第二配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源線配線層和所述第 一 配線層不同的層中的所述開(kāi)關(guān)晶體 管的柵極的配線層相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中并 連才妻至所述第一配線層和所述第二配線層，以形成多層配線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電源線配線層；以及第一配線層，在層的堆疊方向上設(shè)置在與形成在與所述 電源線配線層不同的層中的所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極的配線層 相同的層中；所述驅(qū)動(dòng)配線形成在與所述電源線配線層相同的層中， 并連4妾至所述第一配線層，以形成多層配線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，所述像素電路的所 述電容器被設(shè)置在所述電容器在層的堆疊方向上不與所述驅(qū) 動(dòng)配線重疊的偏移〗立置處。
19. 一種顯示設(shè)備的制造方法，所述顯示設(shè)備包括以矩陣形式排列 的多個(gè)像素電路，每個(gè)像素電路均包括至少一個(gè)晶體管，其導(dǎo)通狀態(tài)被由控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所控制；以及至少一個(gè)掃描器，被配置為將所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至形成所述4象素電3各的晶體管的控制端，包括以下步驟對(duì)向其傳輸來(lái)自所述掃描器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)配線進(jìn)行配線；以及將所述驅(qū)動(dòng)配線連4妾至不同層，以形成多層配線。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了像素電路、顯示設(shè)備以及顯示設(shè)備的制造方法，其中，該像素電路包括至少一個(gè)晶體管，其導(dǎo)通狀態(tài)被由控制端接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所控制；以及驅(qū)動(dòng)配線，向其傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)，晶體管的控制端連接至所述驅(qū)動(dòng)配線。驅(qū)動(dòng)配線連接至不同層中的配線，以形成多層配線。通過(guò)本發(fā)明，可以防止陰影和條紋不均衡等的出現(xiàn)，因此可以獲得高質(zhì)量的圖像。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101271920SQ200810084028
公開(kāi)日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎, 飯?zhí)镄胰?申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社