專利名稱：電子器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在電子器件的端子電極表面上形成鍍焊層等電鍍層時(shí)，通常采用滾鍍法。滾鍍法是，將多個(gè)電子器件與被稱為虛設(shè)球(dummy ball)的金 屬粒狀體一同投入到浸漬于電鍍電解液中的筐體內(nèi)，使筐體進(jìn)行旋轉(zhuǎn)或 振動(dòng)等，并且一邊進(jìn)行通電一邊進(jìn)行電鍍的電鍍法。即使該虛設(shè)球與電 子器件所設(shè)有的絕緣性保護(hù)膜等發(fā)生接觸，也不會(huì)有助于電鍍層的形成。 因此，在保護(hù)膜和端子電極的交界線附近的端子電極的部分上，難以形 成電鍍層。其結(jié)果是，該部分的電鍍層變薄、或未形成電鍍層。于是， 該部分暴露于大氣中，端子電極(特別是含有Ag的部分)通過大氣中的 硫磺成份而被侵蝕。因此，為了抑制該侵蝕，提出了在配置有電阻元件的電路板面上配 置與端子電極連接的輔助電極、并使輔助電極配置于芯片電阻器的電阻 元件的保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部上的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)l:日本公開公報(bào)、特開2004-253467號(hào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的課題在配置電阻元件的電路板面上，配置有電阻元件的其他構(gòu)成部件， 例如電阻、保護(hù)電阻的玻璃膜等。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)而在保護(hù)膜和端子電 極之間的邊界部上配置輔助電極的話，必須將這些各部件位置精度良好 地配置于非常狹小的區(qū)域內(nèi)。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種，能夠在緩和構(gòu)成電阻元件等電路元件的各部件的配置位置精度的基礎(chǔ)上，減少端子電極通過大氣中的 硫磺成份而被侵蝕的情況的電子器件。解決課題的手段為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的電子器件，設(shè)有:具有表面、背面和連 接表面、背面端面的絕緣電路板，設(shè)置于絕緣電路板的相對(duì)端邊區(qū)域的 表面、背面及端面上的、成對(duì)的端子電極，配置于絕緣電路板的一個(gè)面 上、具有與端子電極的雙方連接的電阻和/或電介體的電路元件，用于保 護(hù)電阻和/或電介體的保護(hù)膜，覆蓋保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部而被 配置的、與端子電極連接的輔助電極，以及配置于端子電極和輔助電極 表面上的電鍍層；保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部，位于絕緣電路板的 端面或背面上。如果采用該發(fā)明的話，保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部，位于絕緣 電路板的端面或背面上。構(gòu)成電路元件的各部件，通常主要配置于絕緣 電路板的一個(gè)面(表面)上。于是，端面和位于一方的面相反側(cè)的另一方 的面(背面)上，僅配置有該各部件的極少一部分。因此，在端面或背面 上形成保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部、進(jìn)而使輔助電極配置于該邊界 部上時(shí)，對(duì)形成及配置位置的限制少。因此，能夠緩和構(gòu)成電阻元件等 電路元件的各部件的配置位置精度。另外，由于該邊界部是難以形成上 述電鍍層的部分，因此端子電極容易露出于大氣中。通過將輔助電極配 置于該邊界部上，而從大氣中隔離端子電極。因此，能夠減少端子電極 通過大氣中的硫磺成份而被侵蝕的情況。其他發(fā)明在上述電子器件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，配置于端面上的端子電 極、保護(hù)膜及輔助電極的各厚度，分別薄于配置在絕緣電路板表面上的 端子電極和保護(hù)膜的厚度。通過采用該構(gòu)成，即使端面上配置有端子電 極時(shí)的端子電極、保護(hù)膜及輔助電極的厚度的偏差被累積，也能夠減少 端面部分的電子器件的外形尺寸偏差。其他發(fā)明在上述電子器件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，輔助電極以鎳或鎳基合 金作為主要的導(dǎo)電物質(zhì)。通過采用該構(gòu)成，輔助電極變得難以通過大氣 中的硫磺成份而被侵蝕。其他發(fā)明在上述電子器件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，輔助電極從絕緣電路板 的表面遍至端面或背面呈整體地被配置。通過采用該構(gòu)成，能夠較高地 維持安裝有電子器件的安裝電路板和電子器件之間的固定強(qiáng)度。其他發(fā)明在上述電子器件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，端面設(shè)有凹部。通過采 用該構(gòu)成，由于通常形成于凹部?jī)?nèi)側(cè)的部件不會(huì)影響到電子器件的外形 尺寸，因此即使保護(hù)膜或輔助電極存在于端面上，也能夠減少電子器件 的外形尺寸偏差。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的電子器件的制造方法，具有利用大 型絕緣電路板，并在大型絕緣電路板的表面、背面和穿通孔的內(nèi)壁面上 形成導(dǎo)體的端子電極形成工序，其中，大型絕緣電路板設(shè)有縱橫交叉于 其表面上的線狀分割部和設(shè)置于該線狀分割部的線上的多個(gè)穿通孔 (through hole);將被線狀分割部所包圍的一個(gè)單位作為單位絕緣電路板， 在每一個(gè)單位絕緣電路板的一個(gè)面上，形成將端子電極、電阻和/或電介 體作為構(gòu)成要素的一個(gè)或多個(gè)電路元件的電路元件形成工序；將保護(hù)電 路元件的保護(hù)膜形成于電路元件上面及穿通孔內(nèi)壁面的導(dǎo)體上的保護(hù)膜 形成工序；以導(dǎo)電性的輔助電極覆蓋保護(hù)膜和穿通孔的內(nèi)壁面或大型絕 緣電路板背面的導(dǎo)體之間的邊界部而形成的輔助電極形成工序；在各工 序結(jié)束后，沿著線狀分割部而將大型絕緣電路板分割為各個(gè)單位絕緣電 路板的分割工序；以及在分割工序結(jié)束后，通過滾鍍法將低熔點(diǎn)金屬膜 粘附于露出的導(dǎo)體和輔助電極的表面上的電鍍工序。如果采用該發(fā)明，通過保護(hù)膜形成工序和輔助電極形成工序，保護(hù)膜和端子電極之間的邊界部位m^mmjwm^M^^^*^元件的各部件,通常主要配置于絕緣電路板的一個(gè)面(表面)上。于是， 端面和位于一方的面相反側(cè)的另一方的面(背面)上，僅配置有該各部 件的極少一部分。因此，在端面或背面上形成保護(hù)膜和端子電極之間的 邊界部、進(jìn)而使輔助電極配置于該邊界部上時(shí)，對(duì)形成及配置位置的限 制少。因此，能夠緩和構(gòu)成電阻元件等電路元件的各部件的配置位置精 度。另外，由于該邊界部是難以形成上述電鍍層的部分，因此端子電極 容易露出于大氣中。通過將輔助電極配置于該邊界部上，而從大氣中隔 離端子電極。因此，能夠減少端子電極通過大氣中的硫磺成份而被侵蝕的情況。另外，由于利用大型絕緣電路板形成多個(gè)電路元件，因此能夠 有效地制造電子器件。其他發(fā)明在上述電子器件制造方法的發(fā)明的基礎(chǔ)上，在端子電極形 成工序、保護(hù)膜形成工序、或輔助電極形成工序中，通過網(wǎng)板印刷法形成端子電極、保護(hù)膜或輔助電極；在網(wǎng)板印刷法中，從位于大型絕緣電 路板的印刷面相反側(cè)的面通過穿通孔進(jìn)行吸氣，使端子電極、保護(hù)膜或 輔助電極向穿通孔的內(nèi)壁面移動(dòng)。通過采用該方法，能夠簡(jiǎn)單且有效地 將端子電極、保護(hù)膜或輔助電極形成于穿通孔的內(nèi)壁面上。發(fā)明效果通過本發(fā)明，可以提供一種能夠在緩和構(gòu)成電阻元件等電路元件的 各部件的配置位置精度的基礎(chǔ)上，減少端子電極通過大氣中的硫磺成份 而被侵蝕的情況的電子器件。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片電阻器的示意圖，(A)是 其俯視圖，(B)是(A)的A-A'剖面圖，(C)是(B)的左端部的部 分放大圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的電阻器制造方法的示意圖，是各工序 從(A)向(E)進(jìn)行的情況的示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的電阻器制造方法的示意圖，是各工序 從(A)向(E)進(jìn)行的情況的示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施方式涉及的電阻器各制造工序中的穿通孔部分的 情況的示意圖，是從(A)向(F)前進(jìn)而進(jìn)行的情況的示意圖。符號(hào)說明1 四聯(lián)芯片電阻器2 絕緣電路板2' 單位絕緣電路板 2a 表面2b背面2c端面2d凹部2A分割用槽(線狀分割部)2B穿通孔2C大型絕緣電路板3端子電極3A表面端子電極(端子電極)3B背面端子電極(端子電極)4電阻電阻元件6玻璃膜(保護(hù)膜)7涂層膜(保護(hù)膜)8邊界部9輔助電極10鎳鍍層11鍍焊層具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式涉及的電阻器的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1 (A)表示本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片電阻器1的俯視圖。 另外，圖1 (B)是圖1 (A)的A-A'剖面圖，圖1 (C)是圖1 (B)的 左端部的部分放大圖。四聯(lián)芯片電阻器1設(shè)有絕緣電路板2，且絕緣電路板2具有表面2a、 背面2b及連接表面、背面2a、 2b端面2c。而且，四聯(lián)芯片電阻器1設(shè) 有四對(duì)端子電極3和四個(gè)電阻元件5，其中，四對(duì)端子電極3遍及絕緣 電路板2的相對(duì)端邊區(qū)域的表面、背面2a、 2b及端面2c而分別被設(shè)置， 四個(gè)電阻元件5配置于絕緣電路板2的表面2a、且分別具有與一對(duì)端子 電極3的雙方連接的電阻4。進(jìn)而，設(shè)有作為用于保護(hù)各電阻4的保護(hù) 膜而設(shè)置于四處的玻璃膜6、和作為統(tǒng)一覆蓋所有玻璃膜6的保護(hù)膜的涂層(over coat)膜7。而且，輔助電極9覆蓋涂層膜7和表面端子電極3A 之間的邊界部8而被配置。該輔助電極9與表面端子電極3A連接。而 且，四聯(lián)芯片電阻器l設(shè)有，配置于由表面端子電極3A和背面端子電 極3B構(gòu)成的端子電極3及輔助電極9的表面上的鎳鍍層IO和鍍焊層11。 而且，涂層膜7和表面端子電極3A之間的邊界部8，位于絕緣電路板2 的端面2c上。另外，配置于端面2c上的表面端子電極3A、涂層膜7及輔助電極 9的各厚度，分別薄于配置在絕緣電路板2表面2a上的表面端子電極3A 和涂層膜7的厚度。另外，輔助電極9以鎳或鎳基合金作為主要的導(dǎo)電 物質(zhì)。另外，輔助電極9從絕緣電路板2的表面2a遍至端面2c呈整體 地被配置。另外，端面2c設(shè)有凹部2d，且在凹部2d上設(shè)有邊界部8。進(jìn)而，對(duì)四聯(lián)芯片電阻器1的具體構(gòu)造進(jìn)行說明。如圖l(A)、 (B) 所示，四聯(lián)芯片電阻器1設(shè)有板狀的絕緣電路板2。在該絕緣電路板2 上，在相對(duì)的長(zhǎng)邊端部的雙方，各分別等間隔地配置有四個(gè)成對(duì)的半圓 形狀的凹部2d。該各個(gè)凹部2d上，均形成有表面端子電極3A。而且， 相對(duì)于表面端子電極3A寬度稍微狹窄的長(zhǎng)方形膜狀的電阻4，被配置為 分別與成對(duì)的表面端子電極3A重疊并連接。其結(jié)果是，共計(jì)四個(gè)電阻 元件5被配置于一塊絕緣電路板2上。而且，各電阻4的全部區(qū)域，通 過作為保護(hù)膜的一種的長(zhǎng)方形的玻璃膜6而被覆蓋，其中，長(zhǎng)方形的玻 璃膜6形成為分別相對(duì)于一個(gè)電阻4的縱橫而稍大。而且，在電阻4和 玻璃膜6上，形成有表示被進(jìn)行了電阻值調(diào)整的痕跡的微調(diào)(trimming) 槽12。而且，覆蓋四個(gè)電阻元件5的四個(gè)玻璃膜6的所有部分和表面端 子電極3A的一部分，通過作為保護(hù)膜的另一種的一塊長(zhǎng)方形的涂層膜7 而被覆蓋。而且，在通過涂層膜7而與表面端子電極3A大致重疊的位 置上，形成有構(gòu)成端子電極3的輔助電極9。利用作為圖1 (A)的A-A'剖面圖的圖1 (B)，對(duì)各電阻元件5的 構(gòu)成進(jìn)行說明。在絕緣電路板2的表面2a的相對(duì)端邊區(qū)域上，配置有成 對(duì)的表面端子電極3A。各表面端子電極3A，從表面2a的端部延伸至端 面2c的中央附近(從絕緣電路板2的表面2a至背面2b為止的路徑的中 央附近)而存在。而且，在作為絕緣電路板2的背面2b的端邊區(qū)域、且通過絕緣電路板2而與表面端子電極3A相對(duì)的位置上，配置有四對(duì)背 面端子電極3B。該背面端子電極3B，延伸至端面2c的中央附近(從絕 緣電路板2的背面2b至表面2a為止的路徑的中央附近)而存在。而且， 表面端子電極3A和背面端子電極3B，在互相相對(duì)的兩個(gè)端面2c的中央 附近連接。其結(jié)果是，表面端子電極3A和背面端子電極3B呈一整體而 成為端子電極3。另外，各電阻4是，其各自的一部分分別與成對(duì)的表面端子電極3A 的雙方重疊而與表面端子電極3A連接。而且，由該電阻4、表面端子電 極3A及背面端子電極3B形成電阻元件5。另外，涂層膜7延伸至相對(duì) 的兩個(gè)端面2c的中央附近(從絕緣電路板2的表面2a至背面2b為止的 路徑的中央附近)而存在。進(jìn)而，涂層膜7也存在于微調(diào)槽12之中(省 略圖示)。輔助電極9配置于，從配置在絕緣電路板2的表面2a上的涂層膜7 的上面端部直至覆蓋涂層膜7和表面端子電極3A之間的邊界部8為止 的位置上。該邊界部8，相當(dāng)于涂層膜7的端部。涂層膜7、未被涂層膜 7覆蓋的表面端子電極3A及背面端子電極3B被鎳鍍層10覆蓋，且該鎳 鍍層10被作為低熔點(diǎn)金屬膜的鍍焊層11覆蓋。通過采用圖1所示的四聯(lián)芯片電阻器1的構(gòu)成，能夠在緩和構(gòu)成電 阻元件5的各部件的配置位置精度的基礎(chǔ)上，減少端子電極3通過大氣 中的硫磺成份而被侵蝕的情況。由于不僅利用絕緣電路板2的表面2a, 而且還利用端面2c的凹部2d的內(nèi)壁面而配置涂層膜7和輔助電極9， 因此它們的配置位置精度被緩和。另外，端子電極3中的、存在通過大 氣中的硫磺成份而被侵蝕的危險(xiǎn)的部分是，配置于端子電極3表面上的 鎳鍍層IO和鍍焊層11薄、或未形成的部分。該部分，通常為涂層膜7 和端子電極3 (在該實(shí)施方式中為表面端子電極3A)之間的邊界部8。 通過以輔助電極9覆蓋該部分(邊界部8)，能夠從大氣中隔離端子電 極3,從而減少端子電極3通過大氣中的硫磺成份而被侵蝕的情況。另 外，由于絕緣電路板2的表面2a的涂層膜7和輔助電極9之間交界線的 輔助電極9的交界線部分9a、特別是角部9b的電鍍層薄，因此可以認(rèn) 為存在與大氣接觸的情況。但是，即使輔助電極9的露出部分通過大氣中的硫磺成份而被侵蝕，其侵蝕也不會(huì)涉及到端子電極3，因此不至于 導(dǎo)致端子電極3的斷線。因此，在使用四聯(lián)芯片電阻器1時(shí)沒有障礙。
另外，通過采用圖1所示的四聯(lián)芯片電阻器1的構(gòu)成，即使配置于 端面2c上的端子電極3、涂層膜7及輔助電極9的厚度的偏差被累積， 也能夠減少端面2c部分中的外形尺寸偏差。其理由在于，如圖l(B)所示， 配置于端面2c上的端子電極3、涂層膜7及輔助電極9的各厚度，分別 薄于配置在絕緣電路板2表面2a上的表面端子電極3A和涂層膜7的厚 度，從而對(duì)外形尺寸的影響小。
另外，利用于本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片電阻器1的輔助電極 9，以將鎳或鎳基合金作為主要的導(dǎo)電物質(zhì)為佳。這是因?yàn)?，鎳或鎳基?金相對(duì)于銀等難以硫化。另外，利用于本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片 電阻器1的輔助電極9，從絕緣電路板2的表面2a的端部遍至端面2c 的略中央呈整體地被配置。因此，通過從絕緣電路板2的表面2a遍至端 面2c呈整體地配置輔助電極9，能夠較高地維持安裝有四聯(lián)芯片電阻器 1的安裝電路板和四聯(lián)芯片電阻器1之間的固定強(qiáng)度。其理由在于，在 利用焊錫等連接四聯(lián)芯片電阻器1和安裝電路板時(shí)，能夠使該焊錫等的 附著面積變大。目卩，是由于焊錫等的附著面積能夠僅增大輔助電極9的 表面積部分。進(jìn)而，通過采用從絕緣電路板2的表面2a遍至端面2c呈 整體地配置輔助電極9的構(gòu)成，容易進(jìn)行將多個(gè)四聯(lián)芯片電阻器1零散 地進(jìn)行裝袋包裝，并利用零件供給器在規(guī)定的方向上進(jìn)行定向供給的散 裝(bulk)供給。其理由在于，能夠通過輔助電極9的配置而提高四聯(lián)芯片 電阻器1的表面2a側(cè)的面的平坦性。
另外，圖l所示的四聯(lián)芯片電阻器1，將端子電極3、涂層膜7及輔 助電極9形成于凹部2d。因此，由于通常形成于凹部2d內(nèi)側(cè)(內(nèi)壁面) 的部件不會(huì)影響到外形尺寸，因此能夠進(jìn)一步減少四聯(lián)芯片電阻器1的 外形尺寸偏差。
以下，參照?qǐng)D2、圖3及圖4對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片電 阻器1的制造方法進(jìn)行說明。在該四聯(lián)芯片電阻器1的制造中，利用設(shè) 有縱橫交叉于其表面上的分割用槽2A和設(shè)置于分割用槽2A的線上的多 個(gè)穿通孔2B的大型絕緣電路板2C。而且，四聯(lián)芯片電阻器l的制造方法至少具有該六個(gè)工序。第一是，在大型絕緣電路板2C的表面、背面和 穿通孔2B的內(nèi)壁面上形成導(dǎo)體的端子電極形成工序。然后，第二是，在 單位絕緣電路板2'(通過大型絕緣電路板2C將來(lái)被分割而成為絕緣電路 板2的電路板)的每一個(gè)的一方的面上，分別形成將表面端子電極3A、 背面端子電極3B及電阻4作為構(gòu)成要素的四個(gè)電阻元件5的電阻元件形 成工序。第三是，將保護(hù)電阻元件5的玻璃膜6和涂層膜7中的涂層膜 7形成于電阻元件5的上面和穿通孔2B內(nèi)壁面的端子電極3上的保護(hù)膜 形成工序。第四是，以導(dǎo)電性的輔助電極9覆蓋涂層膜7和穿通孔2B 內(nèi)壁面的端子電極3之間的邊界部8而形成的輔助電極形成工序。然后， 第五是，在這些各工序結(jié)束后，沿著分割用槽2A將大型絕緣電路板2C 分割為各個(gè)單位絕緣電路板2'的分割工序。第六是，在分割工序結(jié)束后， 通過滾鍍法將低熔點(diǎn)金屬膜粘附于露出的端子電極3和輔助電極9的表 面上的電鍍工序。
圖2(A)是表示大型絕緣電路板2C的表面的俯視圖。在鋁制的大型 絕緣電路板2C的表面上，形成有縱橫交叉的分割用槽2A。被該分割用 槽2A所包圍的一單位，成為單位絕緣電路板2'。單位絕緣電路板2'形成 為大致長(zhǎng)方形形狀。在該長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊上等間隔地設(shè)有圓形的穿通孔 2B。以下，對(duì)上述六個(gè)的各工序進(jìn)行說明。 (端子電極形成工序)
圖2(B)表示在大型絕緣電路板2C背面的、各穿通孔2B的周圍形成 背面端子電極3B的狀態(tài)。該形成采用網(wǎng)板印刷法。利用于該網(wǎng)板印刷的 制板的開口部，形成為多個(gè)大致的正方形。而且，在該網(wǎng)板印刷中，進(jìn) 行在從大型絕緣電路板2C的表面?zhèn)韧ㄟ^各穿通孔2B而吸氣的同時(shí)進(jìn)行 的、所謂的通孔(through hole)印刷。于是，印刷于各穿通孔2B上的印 墨(Ag-Pd類合金粉末的金屬釉膏(metal glaze paste)),移動(dòng)至穿通孔2B 的內(nèi)壁面而薄薄地形成。其后，將大型絕緣電路板2C進(jìn)行燒固。將現(xiàn)階 段的狀態(tài)，作為與單位絕緣電路板2'的短邊平行而通過穿通孔2B中心的 部分的剖面圖而表示于圖4(A)。以下，圖4(B) (F)表示與圖4(A)相同部 分的剖面圖。從圖4(A)中可知，背面端子電極3B形成至穿通孔2B深度 的約一半的位置，而不是形成于穿通孔2B內(nèi)壁面的整個(gè)面。至于使印墨遍布至穿通孔2B深度方向的哪個(gè)位置，可以根據(jù)通孔印刷時(shí)的吸氣的強(qiáng) 度而進(jìn)行調(diào)整。另外，在圖2(B)中，表示相對(duì)于在橫向上相鄰的單位絕 緣電路板2'的穿通孔2B而形成背面端子電極3B的狀態(tài)。但是，對(duì)于省 略圖示的、在縱向上相鄰的多個(gè)單位絕緣電路板2'和在橫向上進(jìn)一步相 鄰的多個(gè)單位絕緣電路板2'也同樣地進(jìn)行。該情況，對(duì)于圖2(C) (E) 和圖3(A) (C)也是相同的。
圖2(C)表示在大型絕緣電路板2C表面的、各穿通孔2B的周圍形成 表面端子電極3A的狀態(tài)。進(jìn)行該形成時(shí)，以與上述通孔印刷相同的條 件進(jìn)行。于是，如圖4(B)所示，在穿通孔2B的內(nèi)壁面，表面端子電極 3A和背面端子電極3B—部分重疊而接通。由此，表面端子電極3A和 背面端子電極3B成為整體而形成端子電極3。另外，在圖1中，表示表 面端子電極3A和背面端子電極3B不重疊而在端面2c上接觸的情況的 例子。圖1表示以不使兩電極3A、 3B重疊的方法形成端子電極3的狀 態(tài)。另外，也可以在如圖4(C)所示那樣兩電極3A、 3B重疊后，將穿通 孔2B內(nèi)進(jìn)行磨削，從而除去因重疊而突出的部分。另外，也可以將如圖 4(C)所示那樣的兩電極3A、 3B重疊的狀態(tài)，之后也進(jìn)行維持。 (電阻元件形成工序)
圖2(D)表示相對(duì)于大型絕緣電路板2C的表面形成電阻4的狀態(tài)， 其中，電阻4與各個(gè)單位絕緣電路板2'中的、分別相對(duì)的四對(duì)表面端子 電極3A的雙方重疊并連接。在該形成上，采用作為印墨利用將氧化釕 粉末和銀等的金屬粉末作為主構(gòu)成要素的金屬釉類的電阻膏的網(wǎng)板印刷 法。而且，印刷后將大型絕緣電路板2C進(jìn)行燒固。由此，電阻元件5 在各個(gè)單位絕緣電路板2'上各形成四個(gè)。將現(xiàn)階段的狀態(tài)表示于圖4(C)。 (保護(hù)膜形成工序和微調(diào)工序)
圖2(E)表示通過將玻璃膏作為印墨的網(wǎng)板印刷法，覆蓋各個(gè)電阻4 的全部區(qū)域而將玻璃膜6形成于大型絕緣電路板2C表面的狀態(tài)。將現(xiàn)階 段的狀態(tài)表示于圖4(D)。而且，圖3(A)表示對(duì)各個(gè)電阻元件5進(jìn)行了使 電阻值成為目標(biāo)電阻值的電阻值調(diào)整(微調(diào))的狀態(tài)。在進(jìn)行微調(diào)時(shí)，使 激光的照射位置從大型絕緣電路板2C的表面移動(dòng)至玻璃膜6和電阻4 的方向上并使其蒸發(fā)，從而逐步使電阻元件5的電流路徑縮小。 一邊進(jìn)行上述操作一邊測(cè)定電阻元件5的電阻值，并在該測(cè)定值接近于目標(biāo)電 阻值后停止激光的照射。激光照射的結(jié)果是形成微調(diào)槽12。玻璃膜6發(fā) 揮不會(huì)使電阻4因激光的照射而受到過量損傷的作用。另外，該微調(diào)工 序是根據(jù)需要而進(jìn)行的，因此也可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行省略。
其后，如圖3(B)所示，相對(duì)于大型絕緣電路板2C的表面，形成覆 蓋各個(gè)單位絕緣電路板2'的四個(gè)電阻元件5的涂層膜7。在該形成上， 采用作為印墨利用環(huán)氧樹脂類膏的網(wǎng)板印刷法。而且，印刷后將大型絕 緣電路板2C進(jìn)行加熱，從而使膏固化。進(jìn)行該網(wǎng)板印刷時(shí)所使用的制 板的開口部形成為，能夠?qū)⒂∧┙o至覆蓋各個(gè)單位絕緣電路板2'的所 有的四個(gè)電阻元件5的范圍內(nèi)的形狀、且能夠?qū)⒂∧┙o至露出的表面 端子電極3A的整體和穿通孔2B的形狀。然后，進(jìn)行上述的通孔印刷。 其結(jié)果是，如圖4(E)所示，印墨的一部分遍布至穿通孔2B內(nèi)壁面的深 度方向的約一半的位置。而且，端子電極3和涂層膜7之間的邊界部8， 形成于穿通孔2B的內(nèi)壁面上。
(輔助電極形成工序)
圖3(C)表示通過涂層膜7覆蓋各個(gè)表面端子電極3A的一部分而將 輔助電極9形成于大型絕緣電路板2C表面上的狀態(tài)。在端子電極形成 工序中，在形成表面端子電極3A時(shí)所使用的制板的開口部位置上，利 用設(shè)有稍微小于該開口部面積的、大致正方形開口部的制板。而且，與 端子電極形成工序相同地進(jìn)行通孔印刷。但是，所使用的印墨為被混入 鎳粉末的環(huán)氧樹脂類膏(導(dǎo)電性粘結(jié)劑)。而且，印刷后將大型絕緣電路 板2C進(jìn)行燒固。在進(jìn)行通孔印刷時(shí)，如圖4(F)所示，調(diào)整吸氣的強(qiáng)度， 以使印墨的一部分遍布至穿通孔2B內(nèi)壁面的深度方向的約一半的位置、 且覆蓋邊界部8的位置。
(分割工序)
圖3(D)表示從大型絕緣電路板2C分割的長(zhǎng)方形形狀電路板2F。該 長(zhǎng)方形形狀電路板2F是，使大型絕緣電路板2C在打開大型絕緣電路板 2C的分割用槽2A中的、單位絕緣電路板2'長(zhǎng)邊的分割用槽2A的方向 上彎曲，從而將大型絕緣電路板2C沿著該分割用槽2A進(jìn)行斷裂而得到的。長(zhǎng)方形形狀電路板2F上連接有多個(gè)未經(jīng)過下面所述的電鍍工序的 四聯(lián)芯片電阻器l。在進(jìn)行該斷裂時(shí)，表面端子電極3A、背面端子電極 3B、涂層膜7及輔助電極9同時(shí)也沿著分割用槽2A而被斷裂。另外， 穿通孔2B通過該斷裂而成為凹部2d。將得到該長(zhǎng)方形形狀電路板2F 的分割工序的一部分稱為一次分割。
其后，如圖3(E)所示，使長(zhǎng)方形形狀電路板2F在打開長(zhǎng)方形形狀 電路板2F短邊的分割用槽2A的方向上彎曲，使長(zhǎng)方形形狀電路板2F 沿著該分割用槽2A而被斷裂，從而得到未經(jīng)過下面所述的電鍍工序的 四聯(lián)芯片電阻器1。將從長(zhǎng)方形形狀電路板2F得到該被進(jìn)行電鍍之前的 四聯(lián)芯片電阻器1的分割工序稱為二次分割。
在該分割工序(分別為一次分割和二次分割)中，通過在打開分割用 槽2A的方向上賦予應(yīng)力的方法，而實(shí)現(xiàn)大型絕緣電路板2C和長(zhǎng)方形形 狀電路板2F的分割。但是，也可以采用切割等的其他分割手段來(lái)代替 該方法。采用切割的優(yōu)點(diǎn)在于，能夠使分割的尺寸精度良好。另外，在 進(jìn)行切斷時(shí)對(duì)該部分的沖擊比較小。另外， 一般地，可以在絕緣電路板 尺寸精度高的分割困難的一次分割中采用切割，在二次分割中采用在制 造成本方面有利的、在打開分割用槽2A的方向上賦予應(yīng)力的方法。另 外，也可以將分割用槽2A形成于大型絕緣電路板2C的相反側(cè)的面、或 兩面上。 (電鍍工序)
其后，進(jìn)行通過上述滾鍍法將鎳鍍層IO和作為低熔點(diǎn)金屬膜的鍍 燥層11以該順序粘附于露出的端子電極3和輔助電極9的表面上的電鍍 工序。其結(jié)果是，形成了圖l(B)所示的鎳鍍層IO和鍍焊層11，從而得 到本發(fā)明實(shí)施方式涉及的四聯(lián)芯片電阻器1。
以上，對(duì)該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1及其制造方法進(jìn)行了說 明，但是在不脫離本發(fā)明要旨的情況下可以進(jìn)行各種變更實(shí)施。例如， 在本實(shí)施方式中，作為電子器件表示了四聯(lián)芯片電阻器1。但是，也可 以代替四聯(lián)芯片電阻器1而適用于其他電阻器，例如，僅設(shè)有一個(gè)電阻 元件5的芯片電阻器、或設(shè)有兩個(gè)電阻元件的二聯(lián)、設(shè)有八個(gè)電阻元件的八聯(lián)或設(shè)有十六個(gè)電阻元件的十六聯(lián)芯片電阻器、或者芯片網(wǎng)絡(luò)電阻 器等。另外，也可以適用于電容器、線圈等的其他電路元件單體、或該 電路元件和其他電路元件的復(fù)合電子器件上。在電子器件所設(shè)有的電路
元件含有電容器的情況下，利用電介體來(lái)代替電阻4。
另外，該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1中，成為保護(hù)膜的涂層膜 7和端子電極3之間的邊界部8，位于絕緣電路板2的端面2c上。但是， 該邊界部8也可以位于絕緣電路板2的背面上。例如，在進(jìn)行通孔印刷 時(shí)吸氣的微調(diào)整困難的情況下、或者電路板2的厚度薄而難以使邊界部 8位于端面2c上的情況下，將邊界部8形成于絕緣電路板2的背面2b(背 面端子電極3B的面上)的話，有時(shí)簡(jiǎn)單且有利。
另外，該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1，設(shè)有凹部2d，在制造時(shí) 利用設(shè)有穿通孔2B的大型絕緣電路板2C。該凹部2d和穿通孔2B也可 以不存在。此時(shí)的對(duì)端面2c的電極材料、涂層膜7及輔助電極9的形成 方法，可以采用濺射(sputtcring)等的薄膜技術(shù)、涂敷法等的厚膜技術(shù)。 另外，即使在設(shè)有凹部2d和穿通孔2B的情況下，對(duì)端面2c的電極材 料、涂層膜7及輔助電極9的形成方法，也可以采用濺射等的薄膜技術(shù)、 涂敷法等的厚膜技術(shù)。在這些情況下采用涂敷法等的厚膜技術(shù)的話，會(huì) 存在配置于端面2c上的端子電極3、成為保護(hù)膜的涂層膜7及輔助電極 9的各厚度，與配置在絕緣電路板2表面2a上的端子電極3和成為保護(hù) 膜的涂層膜7的各厚度相等或變厚的情況，但是這種情況也是可以的。 但是，由于通過通孔印刷法能夠簡(jiǎn)單且有效地對(duì)端面2c形成膜，因此設(shè) 有凹部2d和穿通孔2B、并且采用通孔印刷法是有利的。
另外，該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器l涉及的輔助電極9，是從 絕緣電路板2的表面2a遍至端面2c呈整體地被配置。但是，在采用上 述濺射等的薄膜技術(shù)、涂敷法等的厚膜技術(shù)的情況下，輔助電極9并不 是從絕緣電路板2的表面2a遍至端面2c呈整體地被配置，但是也可以 為那樣的構(gòu)成。在采用上述濺射的情況下，作為輔助電極9的材料，例 如可以采用Ni-Cr合金等。
另外，在該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1涉及的輔助電極形成工序中，通過涂層膜7覆蓋各個(gè)表面端子電極3A的一部分而形成輔助電 極9。但是，也可以覆蓋表面端子電極3A的全部區(qū)域而形成輔助電極9。 另外，也可以通過通孔印刷法，覆蓋各個(gè)背面端子電極3B的一部分或 全部區(qū)域而將輔助電極9形成于大型絕緣電路板2C的背面上。
另外，該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1涉及的涂層膜7，其材質(zhì) 采用樹脂類材質(zhì)。但是，也可以采用玻璃類材質(zhì)來(lái)代替該樹脂類材質(zhì)。 采用玻璃類材質(zhì)的話，輔助電極9的材料選擇的范圍變大。例如，也可 以采用如用于表面端子電極3A、背面端子電極3B的Ag-Pd合金金屬釉 類材料那樣的、能夠以與涂層膜7相同程度的溫度進(jìn)行燒固的材料。該 金屬釉類材料，含有能夠通過電鍍而被配置形成的材料。
另外，在該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1的制造方法涉及的通孔 印刷工序中，使印墨移動(dòng)至穿通孔2B深度的約一半程度，但是該深度 可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。例如，也可以遍及穿通孔2B內(nèi)壁面的全部區(qū)域 而配置印墨。
另外，利用于該實(shí)施方式中的四聯(lián)芯片電阻器1的制造的大型絕緣 電路板2C的穿通孔2B形狀為圓形，但是也可以將形狀適當(dāng)?shù)刈兏鼮闄E 圓形、長(zhǎng)方形等。但是，考慮到鋁的成形容易度的話，以圓形為佳。另 外，絕緣電路板2的材質(zhì)，除鋁以外也可以采用氮化鋁等的其他材質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，設(shè)有具有表面、背面和連接上述表面、背面端面的絕緣電路板，設(shè)置于上述絕緣電路板的相對(duì)端邊區(qū)域的上述表面、背面及上述端面上的、成對(duì)的端子電極，配置于上述絕緣電路板的一個(gè)面上、具有與上述端子電極的雙方連接的電阻和/或電介體的電路元件，用于保護(hù)上述電阻和/或電介體的保護(hù)膜，覆蓋上述保護(hù)膜和上述端子電極之間的邊界部而被配置的、與上述端子電極連接的輔助電極，以及配置于上述端子電極和上述輔助電極表面上的電鍍層；其特征在于，上述保護(hù)膜和上述端子電極之間的邊界部，位于上述絕緣電路板的端面或背面上。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，配置于上述端面上 的上述端子電極、上述保護(hù)膜及上述輔助電極的各厚度，分別薄于配置 在上述絕緣電路板表面上的上述端子電極和上述保護(hù)膜的厚度。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的電子器件，其特征在于，所說的輔助電 極以鎳或鎳基合金作為主要的導(dǎo)電物質(zhì)。
4. 如權(quán)利要求1、 2或3的任意一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于， 恥說的輔斷由.脈.Jd卜沐泡錄由路抓的夷而徧至卜沐媳而成眢而呈軟汰地被配置。
5. 如權(quán)利要求1、 2、 3或4的任意一項(xiàng)所述的電子器件，其特征在 于，所說的端面設(shè)有凹部。
6. —種電子器件的制造方法，其特征在于，具有 利用大型絕緣電路板，并在上述大型絕緣電路板的表面、背面和穿通孔 的內(nèi)壁面上形成導(dǎo)體的端子電極形成工序，其中，大型絕緣電路板設(shè)有 縱橫交叉于其表面上的線狀分割部和設(shè)置于該線狀分割部的線上的多個(gè)穿通孔；將被上述線狀分割部所包圍的一個(gè)單位作為單位絕緣電路板，在每一個(gè) 單位絕緣電路板的一個(gè)面上，形成將上述端子電極、電阻和/或電介體作 為構(gòu)成要素的一個(gè)或多個(gè)電路元件的電路元件形成工序； 將保護(hù)上述電路元件的保護(hù)膜形成于上述電路元件上面和上述穿通孔內(nèi) 壁面的上述導(dǎo)體上的保護(hù)膜形成工序；以導(dǎo)電性的輔助電極覆蓋上述保護(hù)膜和上述穿通孔的內(nèi)壁面或上述大型 絕緣電路板背面的上述導(dǎo)體之間的邊界部而形成的輔助電極形成工序； 在各工序結(jié)束后，沿著上述線狀分割部而將上述大型絕緣電路板分割為 各個(gè)上述單位絕緣電路板的分割工序；以及在上述分割工序結(jié)束后，通過滾鍍法將低熔點(diǎn)金屬膜粘附于露出的上述 導(dǎo)體和上述輔助電極的表面上的電鍍工序。
7.如權(quán)利要求6所述的電子器件的制造方法，其特征在于， 在所說的端子電極形成工序、保護(hù)膜形成工序、或所說的輔助電極形成 工序中，通過網(wǎng)板印刷法形成上述端子電極、上述保護(hù)膜、或上述輔助 電極；在上述網(wǎng)板印刷法中，從位于上述大型絕緣電路板的印刷面相反側(cè)的面 通過上述穿通孔進(jìn)行吸氣，并使上述端子電極、上述保護(hù)膜、或上述輔 助電極向上述穿通孔的內(nèi)壁面移動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種電子器件及其制造方法，該電子器件能夠在緩和構(gòu)成電阻元件等電路元件的各部件的配置位置精度的基礎(chǔ)上，減少端子電極通過大氣中的硫磺成份而被侵蝕的情況；電子器件(1)，設(shè)有具有表面、背面(2a、2b)和連接表面、背面(2a、2b)端面(2c)的絕緣電路板(2)，設(shè)置于該表面、背面(2a、2b)及端面(2c)上的、成對(duì)的端子電極(3)，具有與端子電極(3)的雙方連接的電阻(4)的電阻元件(5)，以及用于保護(hù)電阻(4)的保護(hù)膜(玻璃膜(6)和涂層膜(7))；設(shè)有覆蓋涂層膜(7)和端子電極(3)之間的邊界部(8)而被配置的輔助電極(9)，以及配置于端子電極(3)和輔助電極(9)的表面上的鎳鍍層(10)和鍍焊層(11)；邊界部(8)位于絕緣電路板(2)的端面(2c)上；該電子器件(1)能夠通過本發(fā)明的制造方法而獲得。
文檔編號(hào)H01C7/00GK101271750SQ20081008332
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日
發(fā)明者唐澤誠(chéng)治, 藤本浩治 申請(qǐng)人:Koa株式會(huì)社