專利名稱：：氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體激光器元件，更詳細(xì)地說，涉及在共振器面具有保護(hù)膜的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。
背景技術(shù)：
：在氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，由于通過RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)或含開形成的共振器面的帶隙能量減小，故射出光的吸收從端面開始，通過該吸收，在端面產(chǎn)生熱，從而要實(shí)現(xiàn)高輸出半導(dǎo)體激光，在壽命特性等方面存在問題。因此，例如提出將Si的氧化膜及氮化膜作為共振器端面的保護(hù)膜形成的高輸出半導(dǎo)體激光的制造方法(例如特開2006—228892號公報)。另外，作為高輸出半導(dǎo)體激光的共振器面的保護(hù)膜，使用Si的氧化膜及氮化物在共振器面上形成窗口構(gòu)造，抑制共振器面的光吸收(例如特開平10—70338)。另一方面，目前在氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，為抑制芯片間的器件特性的偏差，而采用根據(jù)射出的光密度來改變在共振器面上形成的保護(hù)膜的厚度的方法(例如特開平9一283843號公報)。另外，提案有，為設(shè)置對應(yīng)于特定波長的周期性折射率變動，在共振器內(nèi)部采用條構(gòu)造，對實(shí)現(xiàn)單峰性等進(jìn)行研究，使用Si02膜作為其保護(hù)膜，對每個條改變保護(hù)膜的厚度(例如特開平4一79279號公報、特開昭63—164286號公報及特開2000—329926號公報)。在氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，釆用可抑制共振器面的光吸收的構(gòu)造，或嘗試對應(yīng)于其性能等的各種保護(hù)膜的形態(tài)，但為實(shí)現(xiàn)高輸出激光，還不能充分防止光吸收引起的發(fā)熱，從而需要迸行迸一步改善。另外，氮化物半導(dǎo)體的晶格常數(shù)的不同引起的裂紋在氮化物半導(dǎo)體層及保護(hù)膜上產(chǎn)生，或保護(hù)膜上產(chǎn)生剝離，從而依然存在不能實(shí)現(xiàn)所希望的功能的問題。艮P，氮化物半導(dǎo)體激光器元件由于光密度大，故需要提高散熱性，但在形成能夠適宜地反射透射振蕩的光的保護(hù)膜時，若為提高散熱性而加厚膜厚，則存在在其保護(hù)膜上容易產(chǎn)生裂紋的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述課題而構(gòu)成的，其目的在于，提供一種抑制氮化物半導(dǎo)體及保護(hù)膜的裂紋的產(chǎn)生，且在端面不產(chǎn)生保護(hù)膜的剝離，實(shí)現(xiàn)良好的特性及高壽命的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件(分兩件只記載主權(quán)利要求)另外，本發(fā)明的其它氮化物半導(dǎo)體激光器元件。根據(jù)本發(fā)明，通過在共振器面上，使粘合性良好的第一保護(hù)膜接觸氮化物半導(dǎo)體層而形成，由此可最大限地發(fā)揮散熱性，同時，特別是即使在作為整體形成較厚膜的第一保護(hù)膜的情況下，通過至少在共振器面的活性層上薄膜狀地形成第一保護(hù)膜，來實(shí)現(xiàn)與第一保護(hù)膜的粘合性引起的氮化物半導(dǎo)體層和第一保護(hù)膜之間的應(yīng)力的緩解，從而能夠可靠地防止第一保護(hù)膜的剝離或裂紋對氮化物半導(dǎo)體層及保護(hù)膜的產(chǎn)生。特別是通過在第一保護(hù)膜上形成第二保護(hù)膜，能夠進(jìn)一步提高第一保護(hù)膜對氮化物半導(dǎo)體層的粘合性，且能夠可靠地防止第一保護(hù)膜的剝離。另外，通過將第二保護(hù)膜作成上述的構(gòu)成，可抑制第二保護(hù)膜整體的膜厚，同時可只是在活性層周邊的所需要的區(qū)域?qū)⒌诙Ｗo(hù)膜加厚。由此，可防止將第二保護(hù)膜整體加厚帶來的向第二保護(hù)膜材料的電極、基板部分的過剩的繞入，可防止散熱性的降低。其結(jié)果是，可提供一種能夠確保穩(wěn)定的動作，且可靠性提高、且提高了COD電平的高輸出的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。圖1是用于說明本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的構(gòu)造的主要部分的概略剖面圖；圖2是用于說明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜的主要部分的活性層的剖面圖(a)、正面圖(b)及縱剖面圖(c);圖3是用于說明本發(fā)明的其它氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜的主要部分的概略剖面圖；圖4是表示本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的COD電平的圖表；圖5是表示用于驗(yàn)證本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的第一保護(hù)膜的取向性的取向強(qiáng)度的圖表；圖6是用于說明本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜的主要部分的概略縱剖面圖；圖7是用于說明本發(fā)明其它氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜的主要部分的概略剖面圖；圖8是用于說明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜的活性層的剖面圖(a)、正面圖(b)及縱剖面圖(c);圖9是表示對本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件進(jìn)行比較的激光器元件的COD電平的圖表；圖10是表示本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的COD電平的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件例如典型例如圖1所示，主要包含由第一氮化物半導(dǎo)體層11、活性層12及第二氮化物半導(dǎo)體層13構(gòu)成的氮化物半導(dǎo)體層，在氮化物半導(dǎo)體層的對置的端面設(shè)置共振器面，形成共振器。這樣的氮化物半導(dǎo)體激光器元件通常是在基板10上形成氮化物半導(dǎo)體層，在第二氮化物半導(dǎo)體層13的表面形成脊14，在共振器面的整個面上形成有與共振器面接觸的第一保護(hù)膜(參照圖2(a)(c)中25)。在第一保護(hù)膜25上也可以形成有第二保護(hù)膜(參照圖8(a)(c)中26).進(jìn)而適宜形成有埋入膜15、p電極16、第三保護(hù)膜17、p焊盤電極18、n電極19等。第一保護(hù)膜25如圖2(a)的活性層的剖面圖、圖2(b)的正面圖及圖2(c)的縱剖面圖所示，是至少與共振器面的活性層接觸形成的膜，在活性層12(任意與其附近區(qū)域接觸的區(qū)域)，形成為比第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的膜(參照圖2(a)中25a、下面將由該薄膜形成的區(qū)域記作"薄膜區(qū)域")。在此，薄膜區(qū)域25a是在氮化物半導(dǎo)體層中的共振器面中被稱作所謂的光波導(dǎo)路區(qū)域的區(qū)域，其至少含有活性層12。在采用了SCH(SeparateConfinementHetrostmcture)構(gòu)造的情況下，也可以包含活性層12、位于其上下的導(dǎo)向?qū)拥木植炕蛉俊Ａ硗?，有時也將光波導(dǎo)路區(qū)域稱作核心區(qū)域。另外，薄膜區(qū)域25a包含脊14的下方的區(qū)域，通常是脊14的下方的區(qū)域和其附近區(qū)域、即與NFP對應(yīng)的區(qū)域、或脊下方的區(qū)域和向脊左右擴(kuò)散的區(qū)域，且該薄膜區(qū)域25a適合是具有全寬為脊寬度的1.5倍程度以下的寬度的區(qū)域。該薄膜區(qū)域25a例如可例舉，寬度W(寬度W2(參照圖2(a)))為0.5um3.0um程度、優(yōu)選1.0um2.0um程度。高度H(高度H2(參照圖2(c)))只要為與活性層相同程度4000A程度即可，優(yōu)選與活性層相同程度2000A程度，更優(yōu)選與活性層相同程度1000A程度。進(jìn)而，薄膜區(qū)域25a的共振器面的平面形狀通常為橢圓或圓形狀，但由于第一保護(hù)膜的膜質(zhì)、第一保護(hù)膜的形成方法、第一保護(hù)膜的薄膜化方法等，也可以作成四角形或帶圓角的四角形。其中，優(yōu)選橫長的橢圓形狀。通過形成與光波導(dǎo)路區(qū)域的形狀對應(yīng)的薄膜區(qū)域，可更有效地提高散熱性，高度確保COD電平。薄膜區(qū)域25a的薄膜的程度只要比最大膜厚薄即可，例如薄膜區(qū)域的膜厚相對于最大膜厚減薄5%程度以上、優(yōu)選10%程度以上適合，也可以減薄最大膜厚的40%程度以上。例如，薄膜區(qū)域的膜厚(圖8(a)中、D4)相對于最大膜厚(圖8(a)中、D3)為5%程度以上、優(yōu)選10%程度以上的薄膜適合。另外，從其它觀點(diǎn)來看，薄膜區(qū)域25a減薄10A程度以上形成適合。從其它觀點(diǎn)來看，薄膜區(qū)域25a的膜厚為最大膜厚的40%以上。另外，薄膜區(qū)域25a的膜厚優(yōu)選具有20A程度以上、優(yōu)選30A程度以上的膜厚。若為具有該程度膜厚的薄膜的區(qū)域，則即使是比其它區(qū)域薄的薄膜，也能夠抑制強(qiáng)度不足帶來的劣化等，從而可作成穩(wěn)定的第一保護(hù)膜。另外，該薄膜的程度為與測定誤差或偏差等區(qū)別開，例如考慮各區(qū)域的十點(diǎn)平均粗糙度或算術(shù)平均粗糙度(jisb0601(1994)或jisb0031(1994))等，來測定及/或決定各區(qū)域的膜厚適合。例如，在薄膜區(qū)域如后述那樣傾斜成薄膜的情況下，最薄的區(qū)域和最大膜厚的區(qū)域的膜厚優(yōu)選具有上述那樣的關(guān)系。通過將第一保護(hù)膜這樣作成薄膜，可降低與該區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體層的應(yīng)力，且可防止在氮化物半導(dǎo)體層及保護(hù)膜上產(chǎn)生裂紋。薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜的其膜厚可以未必是均勻的，例如可以碗狀或穹狀傾斜地形成薄膜區(qū)域，只是光波導(dǎo)路區(qū)域或與NFP對應(yīng)的區(qū)域可以臺階狀洼下，且薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜表面可以凹凸?fàn)畹匦纬?。第一保護(hù)膜覆蓋形成于氮化物半導(dǎo)體層上的共振器面，但未必要覆蓋共振器面的整個面，只要至少覆蓋共振器面的光波導(dǎo)路區(qū)域即可。另外，如后述，第一保護(hù)膜也可以局部地覆蓋共振器面以外的面(后述的第二膜及第二保護(hù)膜也相同)。第一保護(hù)膜例如例舉Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti等的氧化物、氮化物(例如A1N、AlGaN、GaN、BN等)或氟化物等。作為第一保護(hù)膜的晶體構(gòu)造，例舉六方晶系、立方晶系、斜方晶系的構(gòu)成等。另外，若晶格常數(shù)與氮化物半導(dǎo)體接近(例如與氮化物半導(dǎo)體的晶格常數(shù)之差為15%以下)，則可形成結(jié)晶性良好的第一保護(hù)膜，這是優(yōu)選的。其中，優(yōu)選具有六方晶系的晶體構(gòu)造的材料得到的膜，更優(yōu)選是氮化物。另外，從其它觀點(diǎn)看，優(yōu)選由相對于激光器元件的振蕩波長沒有吸收的材料形成。第一保護(hù)膜的膜厚即最大膜厚的區(qū)域的膜厚沒有特別限定，例如優(yōu)選50A1000A、更優(yōu)選50A500A。氮化物半導(dǎo)體層的共振器面例如例舉M軸、A軸、C軸及R軸取向，即，優(yōu)選選自M面(I一IOO)、A面(11一20)、C面(O—OOl)或R面(1一102)構(gòu)成的組的面，特別是優(yōu)選M軸取向。共振器面是指，通常包含上述那樣的光波導(dǎo)路區(qū)域或與NFP對應(yīng)的區(qū)域的區(qū)域，但極性這樣的特定的取向的區(qū)域只要至少是光波導(dǎo)路區(qū)域或與NFP對應(yīng)的區(qū)域以外即可。另外，不僅這樣的區(qū)域，即便是光波導(dǎo)路區(qū)域或與NFP對應(yīng)的區(qū)域，也具有上述的取向。另外，相對于具有這樣的取向的端面(共振器面)，作為第一保護(hù)膜(主要是光波導(dǎo)路區(qū)域以外的區(qū)域的第一保護(hù)膜)，優(yōu)選含有M軸<1一100>、A軸〈ll一20、C軸O001〉及R軸〈l一102〉取向、和與該端面同軸取向的區(qū)域。由此，第一保護(hù)膜的膜質(zhì)更良好，即使在驅(qū)動半導(dǎo)體激光器元件時，也能夠維持或增強(qiáng)薄膜區(qū)域，同時應(yīng)當(dāng)防止對氮化物半導(dǎo)體層及端面保護(hù)膜(在包含第一保護(hù)膜及第二保護(hù)膜的端面形成的保護(hù)膜)的裂紋，從而可將應(yīng)力緩解，且能夠可靠地提高COD電平。其中，第一保護(hù)膜(主要是光波導(dǎo)路區(qū)域以外的第一保護(hù)膜)優(yōu)選含有M軸取向。在此，M軸取向是指，不僅是以單晶體精密地在M軸取向的狀態(tài)(單晶體)，而也可以是多晶體狀態(tài)、即雖然多晶體混合但均勻地含有在M軸取向的部位的狀態(tài)、均勻分布地含有在M軸取向的部位的狀態(tài)。這樣，在為多晶體狀態(tài)的情況下，與共振器面的晶格常數(shù)的差異不會嚴(yán)格地表示，可將該差異緩解。另外，作為M軸取向的膜形成第一保護(hù)膜的膜特別是如后述，可通過時間控制而容易地調(diào)節(jié)用于將其任意薄膜化的處理。即使在驅(qū)動半導(dǎo)體激光器元件時，也能夠?qū)⒈∧^(qū)域的對氮化物半導(dǎo)體層的應(yīng)力緩解。如上所述，通過設(shè)定與共振器面同軸取向的第一保護(hù)膜，可提高COD電平，但通常在氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，難以結(jié)晶性良好地形成與共振器面同軸取向的第一保護(hù)膜。另外，即使在形成了結(jié)晶性良好的第一保護(hù)膜的情況下，由于第一保護(hù)膜和氮化物半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)之差，也會容易在第一保護(hù)膜上生成裂紋。另外，在未產(chǎn)生裂紋的程度的薄膜的第一保護(hù)膜中，對于光密度大的氮化物半導(dǎo)體激光，不能夠成分地散熱。因此，如本發(fā)明，通過對應(yīng)光學(xué)輸出區(qū)域形成薄膜區(qū)域，可提高散熱性，且可高度確保COD電平。另外，在薄膜區(qū)域，成為同軸取向的第一保護(hù)膜的情況下，得到窗口效果。另外，由于為薄膜，故即使是具有特定的晶體取向的結(jié)晶性良好的膜，也能夠抑制在第一保護(hù)膜上生成裂紋。另外，由驅(qū)動元件而產(chǎn)生的熱可從薄膜區(qū)域以外的區(qū)域良好地散熱。由于光未從該區(qū)域輸出，故與薄膜的區(qū)域相比，發(fā)熱量少，難以產(chǎn)生裂紋，且即使產(chǎn)生了多少的裂紋，對元件特性的影響也少，結(jié)果可得到高輸出的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。第一保護(hù)膜可利用在該領(lǐng)域公知的方法形成。例如可利用蒸鍍法、濺射法、反應(yīng)性濺射法、ECR等離子濺射法、磁控管濺射法、離子束輔助蒸鍍法、離子鍍敷法、激光燒蝕法、CVD法、噴霧法、旋涂法、浸漬法或?qū)煞N以上的這些方法組合的方法、或?qū)⑦@些方法和整體或局部的氧化處理(熱處理)或曝光處理組合的方法等各種方法。另外，組合的方法中，可以未必同時或連續(xù)地進(jìn)行成膜及/或處理，也可以在成膜后進(jìn)行處理，還可以進(jìn)行相反的處理。其中，優(yōu)選ECR等離子濺射法及之后的熱處理的組合。特別是作為第一保護(hù)膜，如上所述，為得到與共振器面同軸取向的膜，也采用該成膜方法，但優(yōu)選在成膜前，用利用氮等離子處理共振器面的表面、將成膜速度調(diào)節(jié)到較慢的速率、將成膜時的氛圍氣控制成例如氮氛圍氣、將成膜壓力調(diào)節(jié)到較低等步驟的任一個或?qū)蓚€以上組合來控制成膜。在各方法的成膜時，也可以改變氮分壓、成膜壓力等條件。例如例舉如下方法等，在通過濺射法成膜時，使用第一保護(hù)膜材料作為靶，使成膜速率緩緩或急劇地增大，或使RF電力緩緩或急劇地增大(增大的范圍為50500W程度)、或使靶和基板的距離緩緩或急劇地變化(變化的范圍為本來距離的0.23倍程度)的方法；在使用第一保護(hù)膜材料作為靶成膜時，使壓力緩緩或急劇地降低(降低的壓力范圍為0.12.0pa程度)的方法。具體而言，優(yōu)選的是，在調(diào)節(jié)成膜速度時，以5A/min100A/min的范圍成膜，之后以其以上的成膜速度成膜。另外，優(yōu)選的是，以RF電力100W600成膜，之后(例如改變成膜速度時)以其以上的RF電力成膜。之后也可以任意地進(jìn)行熱處理或曝光處理。進(jìn)而例舉在通過濺射法成膜時，使基板的溫度緩緩或急劇上升或降低(變化的溫度范圍為5050(TC程度)的方法。另外，作為在第一保護(hù)膜上形成薄膜區(qū)域的方法，沒有特別限定，但例如暫時在共振器面的整個面形成規(guī)定膜厚的第一保護(hù)膜，之后利用公知的光刻(例如抗蝕劑涂敷、預(yù)培、曝光、顯影及熱培等)及蝕刻工序(采頁用堿顯影液的濕式蝕刻、使用氯類氣體的干式蝕刻等)、或局部地對薄膜區(qū)域附加曝光或熱處理等，也可以在第一保護(hù)膜的膜厚方向局部地薄膜化。在通過曝光等將第一保護(hù)膜的膜厚薄膜化時，為防止第一保護(hù)膜的氧化，優(yōu)選在其上形成后述的第二保護(hù)膜后進(jìn)行。此時，通過驅(qū)動元件，也可以在光波導(dǎo)路區(qū)域的第一保護(hù)膜上局部地曝光激光，且也可以通過來自外部的曝光形成薄膜區(qū)域。利用公知的光刻及蝕刻工序，只在共振器面的其它區(qū)域形成規(guī)定膜厚的第一保護(hù)膜，接著，也可以在共振器面的整個面上層疊相同材料的第一保護(hù)膜來形成薄膜區(qū)域。另外，也可以在共振器端面形成第一保護(hù)膜之前，局部地實(shí)施前處理等，以能夠使得到的第一保護(hù)膜的膜質(zhì)、膜厚等局部變化。另外，在進(jìn)行曝光、熱處理、前處理等的情況下，為防止共振器面的局部的劣化、變質(zhì)等，特別優(yōu)選設(shè)定為對活性層及構(gòu)成其附近區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體層不會造成惡影響的溫度例如90(TC程度以下。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件中，優(yōu)選在第一保護(hù)膜上進(jìn)一步形成膜質(zhì)、材料或組成不同的第二保護(hù)膜(例如參照圖6(b)或(c)中、或圖8(a)、(c)中26)。通過形成這樣的第二保護(hù)膜，可將第一保護(hù)膜更強(qiáng)固地粘合于共振器面。作為第二保護(hù)膜例舉Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti等的氧化物。其中優(yōu)選Si02膜。另外，第二保護(hù)膜也可以是單層構(gòu)造、層疊構(gòu)造的任一個。例如例舉單層Si氧化物、單層A1氧化物、Si氧化物和Al氧化物的層疊構(gòu)造等。在將第二保護(hù)膜局部作成厚膜的情況下，在該區(qū)域更強(qiáng)力地壓入第一保護(hù)膜，可使粘合性良好，并且，由于能夠避免無意的區(qū)域、即第二保護(hù)材料對電極、基板部分的繞入形成等，故也可以自該部分有效地散熱，從而可防止散熱性的降低。其結(jié)果是，能夠確保穩(wěn)定的動作，且能夠提高COD電平。第二保護(hù)膜的膜厚沒有特別限定，作成可作為保護(hù)膜起作用的膜厚適宜，例如優(yōu)選將第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜的總膜厚作成2iim程度以下。第二保護(hù)膜如圖7及圖8(a)(c)所示，至少具有與活性層12(任意的其附近區(qū)域)對置的區(qū)域、換言之，具有突出到共振器面的光波導(dǎo)路區(qū)域附近、即與第一保護(hù)膜的薄膜區(qū)域?qū)?yīng)的位置及其相反側(cè)的面這兩者的厚膜部(參照圖7、圖8(a)的26a)。該厚膜部在第二保護(hù)膜中，其膜厚比活性層12(任意的其附近區(qū)域)以外的區(qū)域的膜厚(以下簡單記作"其它區(qū)域")厚。另外，第二保護(hù)膜的厚膜部的橫方向(氮化物半導(dǎo)體層的寬度方向)的范圍例如如上所述，具有脊的下方及其附近、即至少具有脊寬以上的寬度，可將其作為相當(dāng)于脊寬的區(qū)域和將該區(qū)域完全覆蓋的其周邊區(qū)域定義。在厚膜部26a的與活性層對置的面?zhèn)?，寬度W2(參照圖8(a))例舉0.5iim3.0ixm程度，優(yōu)選1.0um2.0um程度。高度H2(參照圖8(c))例舉與活性層12同程度4000A程度、與活性層同程度2000A程度、優(yōu)選與活性層同程度1000A程度。在厚膜部26a的與活性層對置的面的相反側(cè)的面，例如為具有全寬度是脊寬的1.7倍程度以下的寬度的區(qū)域適合。具體而言，寬度Wl(參照圖8(b))例舉0.55um10nm程度，更優(yōu)選1.05um5ym程度。高度H1(參照圖8(c))例舉與活性層12同程度9000A程度、與活性層同程度7000A程度、優(yōu)選與活性層同程度即600A程度5000A程度。這樣，在第二保護(hù)膜的共振器面?zhèn)鹊拿嫘纬傻暮衲げ康拿娣e優(yōu)選比在對置的面形成的厚膜部的面積小。另外，第二保護(hù)膜的厚膜部26a的共振器面?zhèn)鹊男螤钆c第一保護(hù)膜的薄膜的區(qū)域大致相同。其相反側(cè)的面的突出的區(qū)域的形狀優(yōu)選與共振器面?zhèn)鹊拿娴男螤畲笾孪嗤?。厚膜?6a的厚膜的程度只要相對于其它區(qū)域的膜厚厚即可，例如厚膜部的膜厚(圖8(a)中D1)相對于其它區(qū)域的膜厚(圖8(a)中D2)加厚2%程度以上、優(yōu)選5%程度以上適合。另外，從其它觀點(diǎn)看，厚膜部26a優(yōu)選加厚100A程度以上形成。另外，第二保護(hù)膜的膜厚D2沒有特別限定，作成可作為保護(hù)膜起作用的膜厚適合，例如，第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜的總膜厚優(yōu)選m程度以下，優(yōu)選膜厚D2為1000A4000A程度、膜厚D1為501000A程度。另外，活性層側(cè)的突出和其相反側(cè)的突出的程度可以為同程度，也可以不同。該厚膜部與上述的薄膜區(qū)域相同，考慮十點(diǎn)平均粗糙度等測定/決定模后適合，也可以形成為傾斜的臺階狀凹凸?fàn)?。第二保護(hù)膜與上述的第一保護(hù)膜相同，可利用示例的公知的方法等形成。特別是第二保護(hù)膜優(yōu)選作為無定型膜形成，因此，因該成膜方法而異，優(yōu)選將成膜速度調(diào)節(jié)到較快的速率、將成膜時的氛圍氣控制成例如氮氛圍氣、將成膜壓力調(diào)節(jié)到較低等步驟的任一個或?qū)蓚€以上組合來控制成膜。在控制為氧氣氛圍氣的情況下，優(yōu)選導(dǎo)入氧氣不吸收的程度。具體而言，列舉利用濺射裝置使用Si靶進(jìn)行成膜，以氧流量320sccm，RF電力300800W程度成膜。另外，第一保護(hù)膜及第二保護(hù)膜不僅在共振器面的射出側(cè)形成，而且也可以在反射側(cè)形成，且兩者的材料、膜厚等不同。作為反射側(cè)的第二保護(hù)膜，列舉Si氧化物和Zr氧化物的層疊構(gòu)造、Al氧化物和Zr氧化物的層疊構(gòu)造、Si氧化劑和Ti氧化物的層疊構(gòu)造、Al氧化物和Si氧化物和Zr氧化物的層疊構(gòu)造、Si氧化物和Ta氧化物和Al氧化物的層疊構(gòu)造等?？膳c所希望的反射率吻合而適宜調(diào)節(jié)其層疊周期等。也可以在上述的第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜之間任意形成第二膜(例如參照圖6(a)及(c)、圖7中25')。第二膜優(yōu)選由與第一保護(hù)膜(下面有時稱作第一膜)相同的晶體構(gòu)造的材料、例如六方晶系材料形成。另外，對于第二膜的材料及晶體取向性，可與第一膜相同地形成。例如在第一膜和第二膜，也可以具有由同一材料異軸取向、由不同的材料同軸取向、由不同的材料異軸取向、由同一材料同軸取向的任一個的晶體構(gòu)造。其中，優(yōu)選具有由不同的材料同軸取向的晶體構(gòu)造。例如例舉由A1N形成第一膜，由GaN形成第二膜，且同軸取向的晶體構(gòu)造、具體而言都具有M軸取向性的構(gòu)造。由此，可作成結(jié)晶性好的保護(hù)膜，可抑制保護(hù)膜彼此之間的剝離。另外，也可以具有與上述第一保護(hù)膜(第一膜)相同的薄膜區(qū)域。優(yōu)選整體上作成同一膜厚，即接著之前形成的第一保護(hù)膜的薄膜區(qū)域，將光波導(dǎo)路區(qū)域(核心區(qū)域)周邊下洼的形狀。此時，通過設(shè)定與第一膜同程度的膜厚，可作成這樣的形狀。第二膜可與上述第一保護(hù)膜同樣地形成。這樣，在本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器元件中，為進(jìn)一步提高COD電平，優(yōu)選將第一保護(hù)膜作為氮化物膜作成與共振器面同軸取向。但是，當(dāng)加厚第一保護(hù)膜的膜厚時，產(chǎn)生因第一保護(hù)膜和氮化物半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)差而容易在第一保護(hù)膜上發(fā)生裂紋這樣新的問題。因此，優(yōu)選將第一保護(hù)膜的膜厚保留在不產(chǎn)生裂紋的膜厚，同時利用無定型膜形成第二保護(hù)膜。由此，進(jìn)一步緩解第一保護(hù)膜和氮化物半導(dǎo)體層的界面的應(yīng)力，同時進(jìn)一步提高第一保護(hù)膜的粘合性，進(jìn)而只在必要的部位將第二保護(hù)膜作為厚膜形成，由此，可防止第二保護(hù)膜向必須要的部位形成，進(jìn)一步提高散熱性等。用于形成本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的基板可以是絕緣性基板，也可以是導(dǎo)電性基板。作為基板，例如優(yōu)選在第一主面及/或第二主面具有0°10°的截止角的氮化物半導(dǎo)體基板。其膜厚例如例舉50um以上且10mm以下。另夕卜，例如特開2006—24703號公報中示例的各種基板等公知的基板，也可以使用市售的基板等。氮化物半導(dǎo)體基板可利用MOCVD法、HVPE法、MBE法等氣相成長法、在超臨界流體中晶體培育的水熱合成法、高壓法、助溶法、融溶法等形成。作為氮化物半導(dǎo)體層，可使用通式InxAlyGai-x-yN(0《x《l、0《y《1、0《x+y《l)的結(jié)構(gòu)。而且，也可以使用作為III族元素的B取代了一部分的結(jié)構(gòu)，還可以使用作為V族元素的N的一部分由P、As取代的結(jié)構(gòu)。n側(cè)半導(dǎo)體層作為n型雜質(zhì)，可以含有Si、Ge、Sn、S、0、Ti、Zr、Cd等IV族元素或VI族元素等任一種以上。另外，p側(cè)半導(dǎo)體層作為p型雜質(zhì)，可以含有Mg、Zn、Be、Mn、Ca、Sr等。雜質(zhì)例如優(yōu)選5X1016/cm31X1021/cm3程度的濃度范圍含有?；钚詫涌梢允嵌嘀亓孔于鍢?gòu)造或單一量子阱構(gòu)造的任一種，特別是優(yōu)選使用通式Ir^AlyGa卜x-yN(0《x《l、0《y《l、0《x+y《O的結(jié)構(gòu)。另外，活性層優(yōu)選為帶隙能量比保護(hù)膜的小的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，通過由保護(hù)膜的帶隙能量比活性層大的結(jié)構(gòu)形成，來加寬端面的帶隙能量，換言之，加寬共振器面附近的雜質(zhì)級別，形成窗口構(gòu)造，由此可進(jìn)一步提高COD電平。本發(fā)明中，特別是在振蕩波長220nm500nm的結(jié)構(gòu)中，可防止保護(hù)膜的剝離，且可提高COD電平。氮化物半導(dǎo)體層在n側(cè)半導(dǎo)體層和p側(cè)半導(dǎo)體層具有構(gòu)成光的光波導(dǎo)路的光引導(dǎo)層，從而優(yōu)選作成夾著活性層的分離光閉合型構(gòu)造及SCH構(gòu)造。但是，本發(fā)明不限于這些構(gòu)造。氮化物半導(dǎo)體層的成長方法沒有特別限制，優(yōu)選使用MOVPE(有機(jī)金屬氣相成長法)、MOCVD(有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長法)、HVPE(氫化物氣相成長法)、MBE(分子線能量法)等作為氮化物半導(dǎo)體的成長方法已知的所有方法。特別是由于MOCVD可結(jié)晶性優(yōu)良地成長，故優(yōu)選之。在氮化物半導(dǎo)體層即p型半導(dǎo)體層的表面形成有脊。脊作為光波導(dǎo)路區(qū)域起作用，其寬度為1.0um30.0ym程度，進(jìn)而在將橫模式作為單一的光源使用時，優(yōu)選1.0um3.0ixm程度。其高度(蝕刻深度)例如例舉0.12um。另外，通過調(diào)節(jié)構(gòu)成p側(cè)半導(dǎo)體層的層的膜厚、材料等，可適宜調(diào)節(jié)光閉合的程度。脊優(yōu)選按照共振器方向的長度達(dá)到200Pm5000um程度的方式設(shè)定。另外，在共振器方向全部可以不是相同的寬度，其側(cè)面可以垂直，也可以為錐狀。該情況下的錐角為45。卯°適合。通常，在氮化物半導(dǎo)體層的表面及脊的側(cè)面的全部面上形成有埋入膜。即，埋入膜在氮化物半導(dǎo)體層上即后述的電極與氮化物半導(dǎo)體層直接接觸而得到電連接的區(qū)域以外的區(qū)域形成。另外，作為氮化物半導(dǎo)體層和電極的連接區(qū)域，特別是其位置、大小、形狀等沒有限定，示例氮化物半導(dǎo)體層的表面的局部，例如在氮化物半導(dǎo)體層的表面形成的條狀的脊上面的大致整個面。埋入膜通常利用折射率比氮化物半導(dǎo)體層的折射率小的絕緣材料形成。折射率可上也能夠利用了橢圓光度法的分光橢圓計(jì)、具體而言J.A.WOOLLAM社制的HS—190等測定。例如埋入膜由Zr、Si、V、Nb、Hf、Ta、Al、Ce、In、Sb、Zn等的氧化物、氮化物、氮氧化物等形成。例舉由這樣的材料形成的絕緣膜或介電膜的單層或?qū)盈B構(gòu)造。另外，埋入膜可以是單晶體，也可以是多晶體或無定型。這樣，通過自脊的側(cè)面跨脊的兩側(cè)的氮化物半導(dǎo)體表面形成埋入膜，可確保相對于氮化物半導(dǎo)體層特別是p側(cè)半導(dǎo)體層的折射率差，從而可抑制光從活性層的泄漏，可將光有效地閉合于脊內(nèi)。進(jìn)而能夠進(jìn)一步確保脊基底部附近的絕緣性，可避免漏泄電流的產(chǎn)生。埋入膜可利用在該領(lǐng)域公知的方法形成。例如可利用蒸鍍法、濺射法、反應(yīng)性濺射法、ECR等離子濺射法、磁控管濺射法、離子束輔助蒸鍍法、離子鍍敷法、激光燒蝕法、CVD法、噴霧法、旋涂法、浸漬法或?qū)煞N以上的這些方法組合的方法、或?qū)⑦@些方法和氧化處理(熱處理)組合的方法等各種方法。P電極優(yōu)選在氮化物半導(dǎo)體層及埋入膜上形成。p電極電極在最上層的氮化物半導(dǎo)體層及埋入膜上連續(xù)地形成，由此可防止埋入膜的剝離。特別是通過將P電極形成至脊側(cè)面，對于形成于脊側(cè)面的埋入膜而言，能夠有效地防止剝離。p電極及n電極例如可通過鈀、鉑、鎳、金、鈦、鉤、銅、銀、鋅、錫、銦、鋁、銥、銠、ITO等的金屬或合金的單層膜或?qū)盈B膜形成。p電極的膜厚可通過使用的材料等適宜調(diào)節(jié)，例如5005000A程度適宜。電極只要至少在第一及第二半導(dǎo)體層或基板上分別形成即可，進(jìn)而也可以在該電極上形成焊盤電極等、單數(shù)或復(fù)數(shù)的導(dǎo)電層。另外，p電極及n電極如圖3所示，也可以在相對于基板相同的面?zhèn)刃纬伞Ａ硗?，?yōu)選在埋入膜上形成有第三保護(hù)膜。這樣的第三保護(hù)膜只要至少在氮化物半導(dǎo)體層表面配置于埋入膜上即可，優(yōu)選經(jīng)由或不經(jīng)由埋入膜而進(jìn)一步覆蓋氮化物半導(dǎo)體層的側(cè)面及/或基板的側(cè)面或表面等。第三保護(hù)膜可利用與由埋入膜示例的材料相同的材料形成。由此，不僅能夠確保絕緣性，而且還能夠可靠的保護(hù)露出的側(cè)面或表面等。另外，從氮化物半導(dǎo)體層的側(cè)面朝向上面形成埋入膜，優(yōu)選在p電極及第三保護(hù)膜的上面形成有p焊盤電極。另外，保護(hù)膜(第一膜、第二膜及第二保護(hù)膜)也可以從光照明朝向第二氮化物半導(dǎo)體層表面連續(xù)地形成。形成于半導(dǎo)體層表面的端面保護(hù)膜和p電極、埋入膜及p側(cè)焊盤電極可以離開、也可以相接、也可以覆蓋。優(yōu)選的是保護(hù)膜覆蓋埋入膜及P電極。由此，可防止埋入膜后p電極的剝離。另外，在第二氮化物半導(dǎo)體層表面形成的端面保護(hù)膜的膜厚優(yōu)選比在共振器面形成的端面保護(hù)膜的膜厚薄。當(dāng)半導(dǎo)體層表面的保護(hù)膜的膜厚形成為與共振器面的保護(hù)膜的膜厚相同程度和厚度或其以上時，特別是會在保護(hù)膜上產(chǎn)生裂紋，但可防止其產(chǎn)生。在第二氮化物半導(dǎo)體層表面形成的保護(hù)膜優(yōu)選為與氮化物半導(dǎo)體層的晶體面同軸取向，特別優(yōu)選C軸取向。由此，可使半導(dǎo)體層表面和保護(hù)膜的粘合性良好。在保護(hù)膜自共振器面朝向半導(dǎo)體層表面形成時，在其角部，優(yōu)選按照具有與共振器面及半導(dǎo)體層表面不同的晶體面的方式形成。由此，抑制在容易引起保護(hù)膜剝離的角部對其局部作用應(yīng)力，且緩解共振器面和保護(hù)膜之間的應(yīng)力，由此可防止保護(hù)膜的剝離。另外，保護(hù)膜也可以自共振器面跨基板的背面(形成氮化物半導(dǎo)體層的面的相反面)而形成。該情況下，也與上述的情況相同，在共振器面和基板背面之間也可以具有不同的晶體面。另外，例如通過將氮化物半導(dǎo)體激光器元件安裝于輔助支架、管座等支承部件上并將帽部件與支承部件接合，得到氮化物半導(dǎo)體激光裝置。將帽部件接合密封時的氛圍氣例舉氮氛圍氣、大氣氛圍氣、含有稀有氣體元素的氛圍氣(含量為020%)等。另外，在密封了帽后，在形成薄膜區(qū)域的情況下，密封氛圍氣也沒有特別限定。下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的實(shí)施實(shí)施例1該實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體激光器元件如圖1及圖2(a)(c)所示，通過在基板10上順序?qū)盈B有第一氮化物半導(dǎo)體層(例如n層)11、活性層12、及在表面形成有脊14的第二氮化物半導(dǎo)體層(例如p層)14，形成共振器而構(gòu)成。這樣的氮化物半導(dǎo)體激光器元件在共振器面形成有第一保護(hù)膜(參照圖2(c)中25)、進(jìn)而形成有埋入膜15、p電極16、n電極19、第三保護(hù)膜17、p焊盤電極18等。共振器面主要由具有M軸取向的氮化物半導(dǎo)體層形成，如圖2所示，第一保護(hù)膜25在至少一共振器面上與其共振器面同軸即M軸取向，進(jìn)而在其上形成有第二保護(hù)膜(參照圖6(b))26。第一保護(hù)膜25由A1N構(gòu)成，膜厚為100A程度。第二保護(hù)膜26由Si02構(gòu)成，膜厚為2500A程度。第一保護(hù)膜25在半導(dǎo)體層的層疊方向，在活性層12和其上下的第一氮化物半導(dǎo)體層ii及第二氮化物半導(dǎo)體層14的整個區(qū)域具有薄膜區(qū)域25a。另外，在激光器元件的寬度方向，在脊14的下方及左右的區(qū)域具有薄膜區(qū)域25a。就該薄膜區(qū)域25a而言，例如第一保護(hù)膜25的薄膜區(qū)域的膜厚Dl為70A程度、最大膜厚D2為100A程度，即，在薄膜區(qū)域具有30A程度的洼部。另外，薄膜區(qū)域25a的寬度W為2.0um程度，高度H為500A程度。該氮化物半導(dǎo)體激光器元件可如下制造。首先，準(zhǔn)備氮化鎵基板。在該氮化鎵基板上，使用TMA(三甲基鋁)、TMG、氨、硅烷氣體，在1160。C下使由摻雜了4X10"/cm3的Al0.03Gao.97N構(gòu)成的層成長膜厚2"m。另外，其n側(cè)包覆層也可以為超晶格構(gòu)造。接著，停止硅垸氣體，在1000'C下，使由未摻雜GaN構(gòu)成的n側(cè)光引導(dǎo)層成長0.175um的膜厚。也可以在該n側(cè)光引導(dǎo)層中摻雜n型雜質(zhì)。其次，將溫度設(shè)為900°C，使由Si摻雜InaQ2Gao.98N構(gòu)成的阻擋層成長140A的膜厚，接著，在同一溫度下使由未摻雜Ino.。7Gao.93N構(gòu)成的阱層成長70A的膜厚。將阻擋層和阱層交替層疊兩層，最后在阻擋層結(jié)束，使總膜厚560A的多重量子阱構(gòu)造(MQW)的活性層成長。將溫度提高到IOO(TC，使用TMG、TMA、氨、Cp2Mg(二茂鎂)，使帶隙能量比p側(cè)光引導(dǎo)層大，且由摻雜了1X10,cm3的Mg的p型Al0.25Gao.75N構(gòu)成的p側(cè)帽層成長IOOA的膜厚。另夕卜，該p側(cè)帽層可省略。接著，停止Cp2Mg、TMA，以在1000'C下使帶隙能量比p側(cè)帽層10小，且由未摻雜GaN的p側(cè)光引導(dǎo)層成長0.145Um的膜厚。其次，在IOO(TC下使由未摻雜AlaiQGao.9()N構(gòu)成的層成長25A的膜厚，接著，停止停止Cp2Mg、TMA，使未摻雜GaN構(gòu)成的層成長25A的膜厚，使總膜厚0.45Um的由超晶格層構(gòu)成的p側(cè)包覆層成長。最后，在IOO(TC下，在p側(cè)包覆層上使由摻雜了lX10,cn^的Mg的p型GaN構(gòu)成的p側(cè)接觸層成長150A的膜厚。將這樣使氮化物半導(dǎo)體成長的晶片從反應(yīng)容器取出，在最上層的p側(cè)接觸層表面形成由Si02構(gòu)成的掩模，形成共振器方向的長度為800ym的條狀的構(gòu)造。該部分成為激光器元件的共振器主體。共振器長度優(yōu)選200ym5000lim程度的范圍。其次，在p側(cè)接觸層的表面形成條狀的由Si02構(gòu)成的掩模，使用RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)，利用SiCU氣體進(jìn)行蝕刻，形成條狀的光波導(dǎo)路區(qū)域即脊部。利用由Zr02構(gòu)成的絕緣層(埋入層)保護(hù)該脊部的側(cè)面。其次，在p側(cè)接觸層及絕緣層(埋入層)上的表面形成由Ni(1000A)/Au(1000A)/Pt(1000A)構(gòu)成的p電極。在形成p電極后，在p電極上及埋入膜上及半導(dǎo)體層的側(cè)面，以0.5ym的膜厚通過濺射來成膜由Si氧化膜(Si02)構(gòu)成的第三保護(hù)膜。在形成p電極后，在600。C下進(jìn)行歐姆退火。其次，與未由第三保護(hù)膜覆蓋的露出的p電極上連續(xù)，在p電極上連續(xù)地形成由Ni(80A)/Pd(2000A)/Au(8000A)構(gòu)成的p焊盤電極。之后，自氮化物半導(dǎo)體層的成長面的相反側(cè)的面進(jìn)行研磨，以使基板厚度達(dá)到80um。在研磨后的面上形成由Ti(150A)/Pd(2000A)/Au(3000A)構(gòu)成的n電極。在形成有n電極和p電極及p焊盤電極的晶片狀的氮化物半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體層側(cè)，通過劃線而形成凹部槽。該凹部槽例如其深度為lOym。另外，在與共振器面平行的方向?yàn)榫嘈酒膫?cè)面50wm的寬度，在共振器方向?yàn)榫喙舱衿髅?5ym的寬度。其次，將該凹槽部作為劈開輔助槽劈開為棒狀，以劈開面(1一100面、與六角柱狀晶體的側(cè)面相當(dāng)?shù)拿娑﨧面)為共振器面。共振器長度為800um，之后，在與p電極平行的方向，通過將棒片化，作成半導(dǎo)體激光器元件。在共振器面形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜。首先，使用氮等離子對共振器面進(jìn)行表面處理，接著，使用ECR濺射裝置，以Ar流量30sccm、Nz流量10sccm、微波電力500W、RF電力250W、成膜速度50A/min的條件形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜(IOOA)。接著，在A1N第一保護(hù)膜上，例如在射出側(cè)的端面，通過濺射裝置，使用Si靶，以氧流量5sccm、RF電力500W的條件成膜2500A的由Si02構(gòu)成的第二保護(hù)膜。另外，在反射側(cè)，以與射出側(cè)相同的成膜條件成膜100A的A1N及2500A的Si02，且在其上也可以以(670A/440A)6周期性成膜(SiCVZr02)。其次，對激光器元件邊施加動作電壓邊調(diào)節(jié)動作電壓等，在形成的由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜的所謂的光波導(dǎo)路區(qū)域局部的曝光激光。由此，光波導(dǎo)路區(qū)域因曝光激光而發(fā)熱，將在其上形成的第一保護(hù)膜薄膜化。對得到的半導(dǎo)體激光器元件測定以Tc=80°C、Po=320mW、振蕩波長406nrn連續(xù)振蕩后的光學(xué)輸出。另外，為進(jìn)行比較，形成未形成薄膜區(qū)域的由AIN構(gòu)成的第一保護(hù)膜來代替形成有薄膜區(qū)域的由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜(100A)，除此之外，利用實(shí)質(zhì)上與上述的半導(dǎo)體激光器元件相同的制造方法形成激光器元件，且利用同樣的條件測定連續(xù)振蕩后的光學(xué)輸出。這些結(jié)果示于圖4。圖4中，實(shí)線所示的數(shù)據(jù)表示具有本發(fā)明的薄膜區(qū)域的激光器元件的I一L特性，表示虛線所示的數(shù)據(jù)表示沒有比較例的薄膜區(qū)域的激光器元件的I一L特性。根據(jù)圖4，在具備具有薄膜區(qū)域的本發(fā)明的第一保護(hù)膜的激光器元件中，可知COD電平相對于具備沒有薄膜區(qū)域的由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜的激光器元件顯著提高。進(jìn)而為進(jìn)行其它比較，代替由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜及由Si02構(gòu)成的第二保護(hù)膜，利用ECR濺射法將在共振器面未形成薄膜區(qū)域的A1203膜(膜厚1500A)作為在該八1203膜上沒有薄膜區(qū)域的膜形成，除此之外，利用實(shí)質(zhì)上與上述半導(dǎo)體激光器元件相同的制造方法形成激光器元件，并以同樣的條件測定連續(xù)振蕩后的光學(xué)輸出。其結(jié)果是，與具備由上述的A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜的激光器元件相比，COD電平的降低更大，就具備具有薄膜區(qū)域的本發(fā)明的第一保護(hù)膜的激光器元件而言，可知相對于具備沒有這樣的薄膜區(qū)域的由八1203膜構(gòu)成的第一保護(hù)膜的激光器元件，COD電平也可以顯著提高。這樣，通過相對于共振器面形成具有薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜，可對構(gòu)成共振器面的氮化物半導(dǎo)體層的發(fā)光部分緩解應(yīng)力。因此，在氮化物半導(dǎo)體及保護(hù)膜上不會產(chǎn)生裂紋，從而共振器面和端面保護(hù)膜的粘合性良好，可防止端面保護(hù)膜的剝離。進(jìn)而可提高COD電平。另外，為驗(yàn)證得到的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的第一保護(hù)膜，在n—GaN基板(M軸取向M面)上，利用與上述相同的材料及實(shí)質(zhì)上相同的成膜方法、具體而言在前處理后的GaN基板上，使用ECR濺射裝置，以Ar流量30sccm、N2流量10sccm、微波電力500W、RF電力250W的條件，成膜IOOA的由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜，并使用XRD裝置(使用X射線:CuKa線(i=0.154nm)、單色儀Ge(220)、測定方法co掃描、步寬0.01°、掃描速度0.4秒/步)測定該膜的軸取向性。此時，1617°附近與表示M軸取向性的A1N帶來的峰值對應(yīng)，18°附近與具有C軸取向性的A1N帶來的峰值對應(yīng)。其測定結(jié)果示于圖5。圖5中，看到表示強(qiáng)度高的M軸取向性的A1N帶來的峰值，具有18°附近的C軸取向性的A1N帶來的峰值幾乎不能看到。由此可知本發(fā)明的第一保護(hù)膜具有M軸取向性。實(shí)施例2該實(shí)施例中，代替在由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜上曝光激光，在形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜后，利用公知的方法、例如在共振器面上的A1N膜上的整個面上涂敷抗蝕劑，以90。C在大氣中預(yù)培30分鐘，使用只在所謂的光波導(dǎo)路區(qū)域開口的掩模進(jìn)行曝光，進(jìn)行顯影及后烘焙，由此在抗蝕劑的光波導(dǎo)路區(qū)域形成開口，并利用干式蝕刻將光波導(dǎo)路區(qū)域的A1N膜薄膜化，在除去抗蝕劑后，在具有薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜上成膜2500A的SiO2膜，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制作激光器元件。得到的激光器元件得到與實(shí)施例1相同的效果。實(shí)施例3在實(shí)施例3中，除由八1203(膜厚1100A)形成第二保護(hù)膜26之外，與實(shí)施例1同樣地形成激光器元件。用與實(shí)施例1同樣的條件形成A1N第一保護(hù)膜，接著例如在射出側(cè)的端面，使用Al靶，以氧流量5sccm、微波電力500W、RF電力500W的條件成膜1100A的由Al203膜構(gòu)成的第二保護(hù)膜。得到的激光器元件中，得到與實(shí)施例1相同的效果。實(shí)施例4在實(shí)施例4中，形成圖6(c)所示的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。具體而言，第一保護(hù)膜25(第一膜)由A1N構(gòu)成，膜厚100A程度。第二膜25'由GaN構(gòu)成，膜厚IOOA程度。第二保護(hù)膜由八1203構(gòu)成，膜厚1100A程度。另外，形成于第一保護(hù)膜25的薄膜區(qū)域的膜厚為70A程度，最大膜厚為100A程度，g卩，薄膜區(qū)域具有30A程度的洼下。另外，薄膜區(qū)域以寬度2.0ixm程度、高度500A程度形成。進(jìn)而，第二膜25，也具有同樣大小的薄膜區(qū)域。除此之外，與實(shí)施例1同樣的形成激光器元件。以與實(shí)施例1同樣的條件形成A1N第一保護(hù)膜，接著，以Ar流量30sccm、N2流量10sccm、微波電力500W、RF電力500W、成膜速度100A/min的條件形成由GaN構(gòu)成的第二膜25'(IOOA)。其次，在第二膜上，例如在射出側(cè)的端面，使用Al耙，以氧流量5sccm、微波電力500W、RF電力500W的條件成膜1100A的由八1203構(gòu)成的第二保護(hù)膜。得到的激光器元件中，得到與實(shí)施例l相同的效果。實(shí)施例5該實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體激光器元件如圖1及圖8(a)(c)所示，如下形成，在以C面為成長面的GaN基板10上，按順序?qū)盈B第一氮化物半導(dǎo)體層(例如n側(cè))11、活性層12及在表面形成有脊14的第二氮化物半導(dǎo)體層(例如p側(cè))14，形成以M面為共振器面的共振器。這樣的氮化物半導(dǎo)體激光器元件在共振器面上形成有第一保護(hù)膜(參照圖8(a)、(c)中25)及跌溶保護(hù)膜(參照圖8(a)、(c)中26)、進(jìn)而形成有埋入膜15、p電極16、n電極19、第三保護(hù)膜17、p焊盤電極18等。共振器面主要由具有M軸取向的氮化物半導(dǎo)體層形成，第一保護(hù)膜25如圖8(a)(c)所示，至少在一共振器面上與該共振器面同軸即M軸取向，進(jìn)而在其上形成有第二保護(hù)膜26。第一保護(hù)膜25由A1N構(gòu)成，膜厚D3為100A程度。第一保護(hù)膜25在活性層12和其上下的第一氮化物半導(dǎo)體層11及第二氮化物半導(dǎo)體層14的區(qū)域、且脊14的下方及其左右的區(qū)域具有薄膜區(qū)域25a。就該薄膜區(qū)域25a而言，例如保護(hù)膜25的膜厚D4為50A程度、洼下的深度為50A程度，其寬度W2為2.0lim、高度H2為700A程度。第二保護(hù)膜26由Si02構(gòu)成，膜厚D2為3000A程度。第二保護(hù)膜26在與活性層對置的一側(cè)與其上下的第一氮化物半導(dǎo)體層11及第二氮化物半導(dǎo)體層14的整個區(qū)域且脊14的下方及其左右的整個區(qū)域、即第一保護(hù)膜25的薄膜區(qū)域25a對應(yīng)突出。另外，在活性層的相反側(cè)的面上形成有比活性層側(cè)的突出稍大的面積的突出，由此形成有厚膜部26a。厚膜部26a例如膜厚Dl為3150A程度、其寬度Wl為3.0ym程度、高度Hl為4000A程度。另外，活性層側(cè)的突出為50A程度，其相反側(cè)的突出為IOOA程度。該氮化物半導(dǎo)體激光器元件可如下制造。與實(shí)施例l相同，形成氮化物半導(dǎo)體層，形成共振器面，得到半導(dǎo)體激光器元件。接著，使用氮等離子對共振器面進(jìn)行表面處理。接著，利用ECR濺射裝置，使用Al靶以Ar流量30sccm、N2流量10sccm、微波電力500W、RF電力500W的條件形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜(IOOA)。接著，在A1N的第一保護(hù)膜上，在射出側(cè)的端面，利用ECR濺射裝置，使用Si靶以氧流量5sccm、微波電力500W、RF電力250W的條件成膜2900A的由Si02構(gòu)成的第二保護(hù)膜。另外，在反射測，也可以以與射出側(cè)相同的成膜條件成膜100A的A1N，成膜2900A的Si02，并在其上以(670A/440A)6周期性成膜(Si(VZrO-2)。接著，對激光器元件調(diào)節(jié)同時施加氛圍氣、動作時間、動作電壓、動作電流，在由形成的A1N構(gòu)成的保護(hù)膜的所謂的核心區(qū)域局部地曝光激光。由此，核心區(qū)域因激光而發(fā)熱，將在其上形成的第一保護(hù)膜薄膜化，同時，第二保護(hù)膜伴隨第一保護(hù)膜的薄膜化而向活性層側(cè)突出，另一方面，在活性層的相反面?zhèn)?，只是通過激光曝光的部分的SiOj莫厚膜化，且第二保護(hù)膜的核心區(qū)域厚膜化。對得到的半導(dǎo)體激光器元件測定以Tc=80°C、Po=320mW、振蕩波長406nm連續(xù)振蕩后的光學(xué)輸出。為進(jìn)行比較，形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜，在第二保護(hù)膜上，不向活性層側(cè)突出，而另一方面，只是在活性層的相反面?zhèn)龋纬蓪⒂蒘i02構(gòu)成的第二保護(hù)膜這些結(jié)果與圖4的大致相同。另外，為進(jìn)行其它比較，代替由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜及由Si02構(gòu)成的第二保護(hù)膜，利用ECR濺射法形成在共振器面也未形成薄膜區(qū)域、在表面也未形成厚膜部的Al203膜(膜厚1500A)的單層膜，除此之外，利用實(shí)質(zhì)上與上述的半導(dǎo)體激光器元件相同的制造方法形成激光器元件，并以同樣的條件測定并評價連續(xù)振蕩后的光學(xué)輸出。其結(jié)果示于圖9。根據(jù)圖9，可知，在沒有薄膜區(qū)域及向上方突出的膜厚部的激光器元件上，與具備上述的第一及第二保護(hù)膜的激光器元件相比，COD電平的降低更顯著地增大。這樣，通過相對于共振器面形成具有薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜及具有厚膜部的第二保護(hù)膜，從而相對于構(gòu)成共振器面的氮化物半導(dǎo)體層的發(fā)光部分不會產(chǎn)生應(yīng)力，從而在氮化物半導(dǎo)體上不會產(chǎn)生保護(hù)膜裂紋，故而與共振器面的粘合性良好，可防止剝離，進(jìn)而可提高COD電平。另外，為驗(yàn)證得到的氮化物半導(dǎo)體激光器元件的保護(hù)膜，在n—GaN基板(M軸取向M面)上，利用與上述相同的材料及實(shí)質(zhì)上相同的成膜方法、成膜100A的由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜，進(jìn)而在其上層疊1500A的由Si02構(gòu)成的第二保護(hù)膜，并使用XRD裝置測定這些膜的軸取向性。其測定條件與實(shí)施例1大致相同。對于第一保護(hù)膜，得到與實(shí)施例1大致相同的結(jié)果另外，在第二保護(hù)膜上，在特定的角度附近顯示取向性的峰值幾乎未發(fā)現(xiàn)，而確認(rèn)了無定型構(gòu)造。實(shí)施例611該實(shí)施例中，除變更膜厚形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜、由Si02構(gòu)成且具有突出到兩側(cè)的厚膜部的第二保護(hù)膜之外，與實(shí)施例5同樣地制作激光器元件。得到的激光器元件是表1所示的第一保護(hù)膜及第二保護(hù)膜的組成及膜厚的激光器元件。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>在這些激光器元件中，進(jìn)行與實(shí)施例5相同的評價。圖IO表示其結(jié)果的一部分。圖10中，實(shí)線表示實(shí)施例7的結(jié)果，虛線表示實(shí)施例6的結(jié)果。圖10中，可知實(shí)施例6及7都與實(shí)施例5的激光器元件相同，COD電平良好。另外，圖中未圖示，但對于實(shí)施例810而言，可知與實(shí)施例5相同，COD電平提高，且壽命特性良好。另外，由這些實(shí)施例可知，有第一保護(hù)膜的膜厚越薄，對COD電平的提高越有利的傾向。另外，可知因第二保護(hù)膜的膜厚而也給予COD電平的提高影響的傾向。實(shí)施例11該實(shí)施例中，代替在由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜上曝光激光，在形成由A1N構(gòu)成的第一保護(hù)膜后，利用公知的方法、例如在共振器面上的A1N膜上的整個面上涂敷抗蝕劑，以9(TC在大氣中預(yù)培30分鐘，使用只在所謂的光波導(dǎo)路區(qū)域開口的掩模進(jìn)行曝光，進(jìn)行顯影及后烘焙，由此在抗蝕劑的核心區(qū)域形成開口，并利用干式蝕刻將核心區(qū)域的A1N膜薄膜化，在除去抗蝕劑后，在具有薄膜區(qū)域的第一保護(hù)膜上，與實(shí)施例1同樣地成膜2500A的SiO2膜作為第二保護(hù)膜，并進(jìn)行激光的曝光，形成具有向兩側(cè)突出的厚膜部的第二保護(hù)膜，除此之外，與實(shí)施例1同樣地制作激光器元件。得到的激光器元件得到與實(shí)施例5相同的效果。實(shí)施例12在實(shí)施例12中，除由A1203(膜厚1100A)形成第二保護(hù)膜26之外，與實(shí)施例5同樣地形成激光器元件。用與實(shí)施例5同樣的條件形成A1N保護(hù)膜，接著在射出側(cè)的端面，利用濺射裝置，使用Al靶，以氧流量5sccm、RF電力500W的條件成膜1100A的由八1203膜構(gòu)成的第二保護(hù)膜。得到的激光器元件中，得到與實(shí)施例5相同的效果。實(shí)施例13在實(shí)施例13中，形成圖7所示的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。具體而言，保護(hù)膜25(第一膜)由A1N構(gòu)成，膜厚100A程度。第二膜25'由GaN構(gòu)成，膜厚100A程度。第二保護(hù)膜由八1203構(gòu)成，膜厚1100A程度。另外，形成于保護(hù)膜25的薄膜區(qū)域的膜厚為70A程度，最大膜厚為100A程度，即，薄膜區(qū)域具有30A程度的洼下。薄膜區(qū)域以寬度2.0^m程度、高度500A程度形成。進(jìn)而，第二膜25'也具有同樣大小的薄膜區(qū)域。第二保護(hù)膜26的厚膜部以2500A程度，其以外的區(qū)域的膜厚為2400A程度，最表面的寬度為2.1um程度、高度為600A程度形成。除此之外，與實(shí)施例5同樣的形成激光器元件。艮口，以與實(shí)施例5同樣的條件形成A1N保護(hù)膜，接著，使用ECR濺射裝置，以Ar流量30sccm、>12流量10sccm、微波電力500W、RF電力250W、成膜速度50A/min的條件形成由GaN構(gòu)成的第二膜25'。接著，在第二膜上，在射出側(cè)的端面，利用濺射裝置，使用Al靶以氧流量5sccm、RF電力500W的條件成膜由A1203構(gòu)成的第二保護(hù)膜。在得到的激光器元件中，得到與實(shí)施例5相同的效果。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明不僅適用于激光二極管元件(LD)，而且還可以廣泛適用于發(fā)光二極管元件(LED)、超級光致發(fā)光二極管等發(fā)光元件、太陽電池、光傳感器等光接受元件、或晶體管、功率器件等電子器件中所使用的需要確保保護(hù)膜和半導(dǎo)體層的粘合性的氮化物半導(dǎo)體元件。特別是可應(yīng)用于光器件用途、光通信系統(tǒng)、印刷機(jī)、曝光用途、測定、生物關(guān)聯(lián)的激勵用光源等的氮化物半導(dǎo)體激光器元件。權(quán)利要求1、一種氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其具有包含第一氮化物半導(dǎo)體層、活性層、第二氮化物半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo)體層、和與該氮化物半導(dǎo)體層的共振器面接觸的第一保護(hù)膜氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，至少與共振器面的活性層接觸的第一保護(hù)膜具有比所述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域。2、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，在所述第二氮化物半導(dǎo)體層的表面形成有脊，在與所述活性層接觸的第一保護(hù)膜中的脊的下方及其附近區(qū)域具有比所述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域。3、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，所述第一保護(hù)膜由具有六方晶系的晶體構(gòu)造的材料形成。4、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，所述第一保護(hù)膜由氮化物膜形成。5、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，所述第一保護(hù)膜的最大膜厚為50A1000A的膜厚。6、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，與所述共振器面的光波導(dǎo)路區(qū)域以外的區(qū)域接觸的第一保護(hù)膜具有與構(gòu)成共振器面的氮化物半導(dǎo)體層的晶體構(gòu)造同軸取向的晶體構(gòu)造。7、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，所述共振器面是從由M面(1—100)、A面(11—20)、C面(0001)或R面(l一102)構(gòu)成的組中選擇的面。8、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，在與所述共振器面接觸的第一保護(hù)膜上還層疊有第二保護(hù)膜。9、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，比所述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域的第一保護(hù)膜的膜厚相對于最大膜厚薄5%以上。10、如權(quán)利要求l所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，比所述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域是共振器面的光波導(dǎo)路區(qū)域。11、如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，比所述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域在共振器面上是橫長的橢圓形狀。12、一種氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其具有包含第一氮化物半導(dǎo)體層、活性層、第二氮化物半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo)體層、和與在該氮化物半導(dǎo)體層上形成的共振器面接觸的第一保護(hù)膜、和在該第一保護(hù)膜上形成的第二保護(hù)膜，其中，第二保護(hù)膜具有向共振器面?zhèn)鹊拿婕芭c該面相對的面突出的厚膜部。13、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第二保護(hù)膜的厚膜部在共振器面的光波導(dǎo)路區(qū)域附近形成。14、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，在氮化物半導(dǎo)體層的表面形成有脊，第二保護(hù)膜在該脊的下方及其附近區(qū)域具有所述厚膜部。15、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第二保護(hù)膜的厚膜部在共振器面為橫長的橢圓形狀。16、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第二保護(hù)膜的厚膜部的膜厚相對于同一面上的厚膜部以外的區(qū)域厚5%以上。17、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第二保護(hù)膜的厚膜部具有1000A3000A的膜厚。18、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第二保護(hù)膜是氧化物膜。19、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，在共振器面?zhèn)鹊拿嫔闲纬傻暮衲げ康拿娣e小于在相對的面上形成的厚膜部的面積。20、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第一保護(hù)膜的至少與共振器面的活性層接觸的區(qū)域的膜厚薄于第一保護(hù)膜的最大膜厚。21、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第一保護(hù)膜由具有六方晶系的晶體構(gòu)造的材料形成。22、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，第一保護(hù)膜在與共振器面接觸的一側(cè)具有與構(gòu)成共振器面的氮化物半導(dǎo)體層的晶體構(gòu)造同軸取向的晶體構(gòu)造。23、如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其中，所述共振器面是從M面(I一IOO)、A面(11一20)、C面(0001)或R面(l一102)構(gòu)成的組中選擇的面。全文摘要本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其具有包含第一氮化物半導(dǎo)體層、活性層、第二氮化物半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo)體層、和與該氮化物半導(dǎo)體層的共振器面接觸的第一保護(hù)膜，其中，至少與共振器面的活性層接觸的第一保護(hù)膜是具有比上述第一保護(hù)膜的最大膜厚薄的區(qū)域的氮化物半導(dǎo)體層激光器元件。文檔編號H01S5/30GK101257186SQ20081008089公開日2008年9月3日申請日期2008年2月26日優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日發(fā)明者森住知典,道上敦生,高橋祐且申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社